JP4290721B2 - バンドパスフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路 - Google Patents
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Description
演算増幅回路103aのゲインAvは、
Av=(vout+−vout−)/(vin+−vin−)=gm*ZL
となる。
但し、
vin+,vin−:演算増幅回路103aの差動入力電圧
vout+,vout−:演算増幅回路103aの差動出力電圧
gm:GM111のトランスコンダクタンス
ZL:負荷インピーダンス
である。
第1,第2MOSトランジスタには、等しい電流(Id)が流れるため、
Id=(1/2)*μp*Cox*(W1/L1)*(vgs1−vth)2=(1/2)*μp*Cox*(W2/L2)*(vgs2−vth)2
これより、
vgs1=vth+((W2/L2)/(W1/L1)1/2)*(vgs2−vth)
が求められる。
vdd=vgs1+vgs2であるから、
=vth+((W2/L2)/(W1/L1)1/2)*(vgs2−vth)+vgs2
となり、
vref=vgs2であるから、
={(W1/L1)1/2/((W2/L2)1/2+(W1/L1)1/2)}*vdd+{((W2/L2)1/2−(W1/L1)1/2)/((W2/L2)1/2+(W1/L1)1/2)}*vth
(1)
但し、
Id:ドレイン電流
μp:電子移動度
Cox:酸化膜容量
W:チャネル幅
L:チャネル長
W1/L1:第1MOSトランジスタのW/L比
W2/L2:第2MOSトランジスタのW/L比
vgs1:第1MOSトランジスタのゲート−ソース間電圧
vgs2:第2MOSトランジスタのゲート−ソース間電圧
vth:閾値電圧
vdd:電源電圧
である。
vref=(1/4)*vdd+(1/2)*vth (2)
このように、上記電圧供給回路では、電源電圧の影響の少ない電圧を得ることができる。また、上記電圧供給回路では、2つのMOSトランジスタの簡単な構成で、上記電圧を得ることができるというさらなる効果を奏する。
本発明に係る参考例について、図1〜図3に基づいて説明すると以下の通りである。
Av=(vout+−vout−)/(vin+−vin−)=gm*ZL
となる。
ただし、
vin+,vin−:演算増幅回路5の差動入力電圧
vout+,vout−:演算増幅回路5の差動出力電圧
gm:GM1のトランスコンダクタンス
ZL:負荷インピーダンス
である。
CMFB2のトランジスタM10のゲートは、トランジスタM15のゲートとドレインとの接続点とトランジスタM16のソースとの接続点に接続されている。
トランジスタM15,M16には、等しい電流(Id)が流れるため、
Id=(1/2)*μp*Cox*(W1/L1)*(vgs1−vth)2=(1/2)*μp*Cox*(W2/L2)*(vgs2−vth)2
これより、
vgs1=vth+((W2/L2)/(W1/L1)1/2)*(vgs2−vth)
が求められる。
vdd=vgs1+vgs2であるから、
=vth+((W2/L2)/(W1/L1)1/2)*(vgs2−vth)+vgs2
となり、
vref=vgs2であるから、
={(W1/L1)1/2/((W2/L2)1/2+(W1/L1)1/2)}*vdd+{((W2/L2)1/2−(W1/L1)1/2)/((W2/L2)1/2+(W1/L1)1/2)}*vth
(3)
但し、
Id:ドレイン電流
μp:電子移動度
Cox:酸化膜容量
W:チャネル幅
L:チャネル長
W1/L1:トランジスタM15のW/L比
W2/L2:トランジスタM16のW/L比
vgs1:トランジスタM15のゲート−ソース間電圧
vgs2:トランジスタM16のゲート−ソース間電圧
vth:閾値電圧
である。
vref=(1/4)*vdd+(1/2)*vth (4)
上記式(4)(上記式(2)と同一)において、vdd=3V,vth=0.8Vとすると、vref=1.15Vが得られる。このとき、電源ノイズは(1/4)となり、−12dBの電源ノイズ除去特性が得られる。
ro2=gmc*roc*ro1 (5)
となる。
但し、
gmc:カスコード回路4c,4dのトランジスタのトランスコンダクタンス
roc:カスコード回路4c,4dのトランジスタの出力インピーダンス
上記式(5)に示すように、カスコード回路を備えることにより、カスコード回路を備えていない場合と比較して定電流源の出力インピーダンスを大きくすることができ、これにより、広帯域化できる。
トランジスタM16とコンデンサC1との並列接続インピーダンスは、
(1/gm2)//(1/(s*C1))=1/(s*C1+gm2)
基準電圧vrefaは、電源電圧vddをトランジスタM15のインピーダンスと、トランジスタM16およびコンデンサC1の並列接続インピーダンスとで分割した値となるので、
vrefa=vdd*(1/gm2)//(1/(s*C1))/((1/gm1)+(1/gm2)//(1/(s*C1)))
=vdd*(1/(s*C1+gm2))/((1/gm1)+1/(s*C1+gm2))
整理することにより、
vrefa=(gm1/C1)/(s+(1/C1)*(1/((1/gm1)//(1/gm2))))
となり、C1*((1/gm1)//(1/gm2))の時定数のローパスフィルタを得られる。
但し、
gm1:トランジスタM15のトランスコンダクタンスであり、μp*Cox*(W1/L1)*(vgs1−Vth)で表される。
gm2:トランジスタM16のトランスコンダクタンスであり、μp*Cox*(W2/L2)*(Vgs2−Vth)で表される。
本発明に係る一実施形態について、図4〜図7に基づいて説明すると以下の通りである。
GM11の非反転出力部の出力は、
gm11*(−vo−vo)=s*C11*(v1−vin)
となり、
GM11の反転出力部の出力は、
−gm11*(−vo−vo)=s*C11*(−v1−(−vin))
となり、非反転出力部の出力と等しくなる。
gm12*(v1−(−v1))−gm13*(vo−(−vo))=s*C13*(vo−(−vo))
となり、
GM12の反転出力部の出力は、
−gm12*(v1−(−v1))+gm13*(vo−(−vo))=s*C13*(−vo−(vo))
となり、非反転出力部の出力と等しくなる。
H(s)={(gm12/C13)*s}/{s2+(gm13/C13)*s+((gm11*gm12)/((C11/2)*C13))} (6)
ω0=((gm11*gm12)/((C11/2)*C13))1/2
=gm/C (7)
Q=((C13/(C11/2))*(gm11*gm12)/(gm132))1/2
=gm/gm13 (8)
H=gm12/gm13
=gm/gm13 (9)
但し、
s:複素数
vin:BPF20の入力電圧であって、vin=(vin+)=−(vin−)
vin+:BPF20の非反転入力端子IN+に入力される電圧
vin−:BPF20の反転入力端子IN−に入力される電圧
vo:BPF20の出力電圧であって、vo=(vo+)=−(vo−)
vo+:BPF20の非反転出力端子OUT+から出力される電圧
vo−:BPF20の反転出力端子OUT−から出力される電圧
v1:GM11の出力電圧であって、v1=(v1+)=−(v1−)
v1+:GM11の非反転出力部から出力される電圧
v1−:GM11の反転出力部から出力される電圧
gm11:GM11のトランスコンダクタンス
gm12:GM12のトランスコンダクタンス
gm13:GM13のトランスコンダクタンス
i11:GM11の出力電流
i12:GM12の出力電流
i13:GM13の出力電流
C11:コンデンサC11,C12の各容量値
C13:コンデンサC13の容量値
であり、
gm=gm11=gm12
C=C11/2=C13
と設定している。
Id=(W/L)*Ido*exp(Vgs/(n*Vt)) (10)
上記式(10)より、
gm=Id/(n*Vt)
re=(n*Vt)/Ia
ΔI=2*va/(RE+2re)
但し、
Id:ドレイン電流
W:チャネル幅
L:チャネル長
Ido:弱反転領域における電流のパラメータ
Vgs:ゲート−ソース間電圧
n=1+Cd/Cox
Cox:ゲート酸化膜容量
Vt=k*T/q
k:ボルツマン定数
T:絶対温度
q:電子の素電荷
re:トランジスタのトランスコンダクタンスの逆数
Ia:電流源I11,I12の出力電流
RE:抵抗REの抵抗値
ΔI:抵抗REを流れる電流
va:GMの入力電圧であって、va=(va+)=−(va−)
である。
Vgs33+Vgs35=Vgs34+Vgs36
ia=(Iba/Ia)*ΔI
gm=ia/va
=2*(Iba/Ia)/(RE+2*((n*Vt)/Ia)) (11)
但し、
Iba:トランジスタM35_0,M36_0に流れる電流値
ia:GMの出力電流であって、ia=(ia+)=−(ia−)
である。
トランジスタM35−0,M36−0 (W0/L0)
トランジスタM35−1,M36−1 (W0/L0)
トランジスタM35−2,M36−2 (W0/L0)*21
トランジスタM35−3,M36−3 (W0/L0)*22
トランジスタM35−4,M36−4 (W0/L0)*23
そして、レジスタからの制御信号SW(ここではレジスタを4ビットとしてSW1〜SW4)によって、トランジスタM37−1〜M37−4,M38−1〜M38−4のオン/オフを切り替える。これにより、トランジスタM35−0,M36−0に流れる電流値Ibaを制御することができる。
Iba=Ib*(1/2m) (m=0〜4) (12)
={2*(Ib/Ia)/(Re+2*((n*Vt)/Ia))}/{2*(Iba/Ia)/(Re+2*((n*Vt)/Ia))}
=2m (13)
上記gmの調整に伴い、上記式(13)に示すようにQ値を16〜1の範囲で制御可能となる。
H=gm/gm3
={2*(Ib/Ia)/(Re+2*((n*Vt)/Ia))}/{2*(Iba/Ia)/(Re+2*((n*Vt)/Ia))}
=2m (14)
となり、上記gmの制御に伴い、ゲインHも上記式(14)に示すように16〜1の範囲で制御可能となる。
本発明に係る他の実施形態について、図8〜図16に基づいて説明すると以下の通りである。
Vth+Vgs2=Vth−ΔV1+Vgs1
より、
ΔV1=Vgs1−Vgs2
=21/2×Vov×{(N/(N+1))1/2−(1/(N+1))1/2} (15)
ただし、
Vov=(I20/(μ0×Cox×W/L))1/2
であり、μ0はキャリアの移動度、Coxはゲート絶縁膜の容量、Vovは、ヒステリシスがない場合(N=1)の、ドレイン電流M1・M2を流すためのMOSトランジスタQP1およびMOSトランジスタQP2のオーバードライブ電圧である。
Vth+Vgs2=Vth+ΔV2+Vgs1
より、
ΔV2=Vgs2−Vgs1
=21/2×Vov×{(N/(N+1))1/2−(1/(N+1))1/2} (16)
となる。従って、式(15)および式(16)から、
ΔV1=ΔV2=ΔV
となって、Vth−ΔV1とVth+V2とはVthに対して対称な位置にある。
I:電流源I21および電流源I22の出力電流値
である。
本発明に係る他の実施形態について、図16〜図18に基づいて説明すると以下の通りである。
本発明に係る他の実施形態について、図20に基づいて説明すると以下の通りである。
まず、BPFの安定性について述べる。BPFの伝達関数を式(18)に、BPFの極p1・p2を式(19)に示す。
p1=(−ω0/2/Q,ω0(1−(1/2Q)2)1/2)
p2=(−ω0/2/Q,−ω0(1−(1/2Q)2)1/2) (19)
図22(a)に示すように、BPFのQ値を増加させることにより極配置が右半平面に近づく。この結果、負帰還回路において、極配置が右半平面に存在するとき、系は不安定となるというナイキストの安定判別法に基づき、BPFが不安定になり、発振などの問題を生じる。
L−1(H(s)F(s))=H(1−exp(−ω0t/2/Q))sin(ω0t) (21)
式(21)における(1−exp(−ω0t/2/Q))が波形歪に影響するため、Q値を増加させることで波形歪みが大きくなることがわかる。そして、BPFの出力信号の波形歪が大きくなれば、受信感度が低下する。特に、リモコン送信信号のベース周波数のパルス幅が小さいとき、波形歪は相対的に大きくなる。従って、BPFのQ値は、一般的に10〜15程度に設定される。
2、2a、14、15 コモンモードフィードバック回路
3、3a 電圧供給回路
5、5a 演算増幅回路
16、17、18 レジスタ(調整手段)
20、20a、20b バンドパスフィルタ回路
31 フォトダイオードチップ(受光素子)
34 アンプ(増幅回路)
42a、42b キャリア検出回路
50a、50b、50c 赤外線リモコン受信機(赤外線信号処理回路)
80、80a IrDA Control(赤外線信号処理回路)
C1 コンデンサ(第4コンデンサ)
C11、C12、C13 コンデンサ(第1〜第3コンデンサ)
ZL 出力負荷
Claims (8)
- 差動入力電圧を差動出力電流に変換する第1トランスコンダクタンスアンプ回路と、差動入力電圧を差動出力電流に変換する第2トランスコンダクタンスアンプ回路と、差動入力電圧を差動出力電流に変換する第3トランスコンダクタンスアンプ回路と、
上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧と基準電圧とが入力され、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧の直流電圧レベルを上記基準電圧と等しくするように、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路に第1制御信号を出力する第1コモンモードフィードバック回路と、
上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧と上記基準電圧とが入力され、上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧の直流電圧レベルを上記基準電圧と等しくするように、上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路に第2制御信号を出力する第2コモンモードフィードバック回路と、
上記基準電圧として、電源電圧の影響の少ない電圧を上記第1コモンモードフィードバック回路および上記第2コモンモードフィードバック回路に供給する電圧供給回路と、
第1コンデンサと、第2コンデンサと、第3コンデンサとを備え、
非反転入力端子が、上記第1コンデンサを介して、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部と上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転入力部とに接続され、
反転入力端子が、上記第2コンデンサを介して、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の反転出力部と上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の反転入力部に接続され、
上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部が、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の反転入力部と、上記第3トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転入力部および反転出力部と、上記第3コンデンサの一端とに接続され、
上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の反転出力部が、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転入力部と、上記第3トランスコンダクタンスアンプ回路の反転入力部および非反転出力部と、上記第3コンデンサの他端とに接続され、
上記第3トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部が、反転出力端子であり、上記第3トランスコンダクタンスアンプ回路の反転出力部が、非反転出力端子であり、
上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部および反転出力部が、上記第1コモンモードフィードバック回路の入力端子であり、
上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部および反転出力部が、上記第2コモンモードフィードバック回路の入力端子であり、
上記各回路は、電源端子から電源電圧が供給されることを特徴とするバンドパスフィルタ回路。 - 上記電圧供給回路は、ソースが上記電源端子に接続されていると共に、ゲートとドレインとが互いに接続されている第1MOSトランジスタと、
上記第1MOSトランジスタのゲートとドレインとの接続点にソースが接続され、ゲートとドレインとが互いに接続されてグラウンド端子に接続されている第2MOSトランジスタとを備え、
上記第1MOSトランジスタのゲートとドレインとの接続点から、上記電圧が取り出されることを特徴とする請求項1に記載のバンドパスフィルタ回路。 - 上記電圧供給回路は、ソースが電源端子に接続されていると共に、ゲートとドレインとが互いに接続されている第1MOSトランジスタと、
上記第1MOSトランジスタのゲートとドレインとの接続点にソースが接続され、ゲートとドレインとが互いに接続されてグランド端子に接続されている第2MOSトランジスタと、
上記第2MOSトランジスタに並列に接続された第4コンデンサとを備え、
上記第1MOSトランジスタのゲートとドレインとの接続点から、上記電圧が取り出されることを特徴とする請求項1に記載のバンドパスフィルタ回路。 - 上記各コモンモードフィードバック回路は、MOSトランジスタを有し、上記コモンモードフィードバック回路が備えている定電流源の出力インピーダンスを大きくするカスコード回路を備えていることを特徴とする請求項1に記載のバンドパスフィルタ回路。
- 上記バンドパスフィルタ回路は、少なくとも1つのトランスコンダクタンスアンプ回路のトランスコンダクタンスを調整する調整手段を備えていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のバンドパスフィルタ回路。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のバンドパスフィルタ回路を備えていることを特徴とする赤外線信号処理回路。
- 受光した赤外線信号を電気信号に変換する受光素子と、
上記電気信号を増幅する増幅回路と、
増幅された電気信号からキャリア周波数成分を取り出す、請求項5に記載のバンドパスフィルタ回路と、
上記バンドパスフィルタ回路の出力信号と、ノイズ検出レベルである第1閾値電圧とを比較する第1比較回路と、上記バンドパスフィルタ回路の出力信号と、第1キャリア検出レベルである、上記第1閾値電圧より大きいレベルの第2閾値電圧とを比較する第2比較回路と、上記バンドパスフィルタ回路の出力信号と、上記バンドパスフィルタ回路の出力信号のレベルを判定するピーク検出レベルである、上記第2閾値電圧より大きいレベルの第3閾値電圧とを比較する第3比較回路と、上記第1比較回路の出力信号に基づいて、上記第1比較回路の出力信号が出力されないように、上記増幅回路のゲインを制御し、上記第3比較回路の出力信号に基づいて、上記第3比較回路の出力信号が出力されないように、上記バンドパスフィルタ回路のゲインおよびQ値を制御する論理回路とを有し、上記第2比較回路の出力信号をキャリアとして出力するキャリア検出回路とを備えていることを特徴とする赤外線信号処理回路。 - 上記赤外線信号処理回路は、上記バンドパスフィルタ回路の出力信号と、第2信号検出レベルである、上記第2閾値電圧より大きいレベルの第4閾値電圧とを比較する第4比較回路と、
上記第2比較回路の出力信号と上記第4比較回路の出力信号とから、上記キャリアを選択するセレクタ回路とをさらに備えていることを特徴とする請求項7に記載の赤外線信号処理回路。
Priority Applications (3)
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---|---|---|---|
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US11/933,054 US7894727B2 (en) | 2006-11-15 | 2007-10-31 | Operational amplifier circuit, bandpass filter circuit, and infrared signal processing circuit |
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