JP4290721B2 - バンドパスフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路 - Google Patents

バンドパスフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路 Download PDF

Info

Publication number
JP4290721B2
JP4290721B2 JP2006309631A JP2006309631A JP4290721B2 JP 4290721 B2 JP4290721 B2 JP 4290721B2 JP 2006309631 A JP2006309631 A JP 2006309631A JP 2006309631 A JP2006309631 A JP 2006309631A JP 4290721 B2 JP4290721 B2 JP 4290721B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
output
voltage
signal
bpf
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006309631A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008125024A (ja
Inventor
高広 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2006309631A priority Critical patent/JP4290721B2/ja
Priority to US11/933,054 priority patent/US7894727B2/en
Priority to CN2007101868115A priority patent/CN101183856B/zh
Publication of JP2008125024A publication Critical patent/JP2008125024A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4290721B2 publication Critical patent/JP4290721B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45475Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/08Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
    • H03F3/087Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183Long tailed pairs
    • H03F3/45192Folded cascode stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45632Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45928Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection using IC blocks as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45088Indexing scheme relating to differential amplifiers the resulting deducted common mode signal being added to or controls the differential amplifier, and being a voltage signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45101Control of the DC level being present
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45134Indexing scheme relating to differential amplifiers the whole differential amplifier together with other coupled stages being fully differential realised
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45138Two or more differential amplifiers in IC-block form are combined, e.g. measuring amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45302Indexing scheme relating to differential amplifiers the common gate stage of a cascode dif amp being controlled

Description

本発明は、ダイナミックレンジを減少させることなく電源ノイズ除去特性を向上させるバンドパスフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路に関する。
赤外線信号処理回路として一般的なものに、赤外線リモコン受信機、光空間伝送送受信機、およびIrDA(Infrared Data Association) Control等がある。
例えば従来の赤外線リモコン受信機110は、図23に示すように、図示しない赤外線リモコン送信機から送信されたリモコン送信信号を電流信号Iinに変換するフォトダイオードチップ101と、生成された電流信号Iinを電圧信号に変換する電流―電圧変換回路102と、生成された電圧信号を増幅する増幅回路103と、増幅された電圧信号からキャリア周波数成分を取り出すバンドパスフィルタ回路(以下、BPFと記載)104と、取り出されたキャリア周波数成分からキャリアを検出するキャリア検出回路105と、キャリアの存在する時間を積分する積分回路106と、積分回路106の出力をスレッシュレベルと比較することによりキャリアの有無を判別してデジタル出力するヒステリシスコンパレータ107とを有する受信チップ108とを備えている。上記デジタル出力Doutは、電子機器を制御するマイコン等に送られる。
図24は、赤外線リモコン受信機110の上記各回路の出力を示しており、図(a)は、電流信号Iinを示しており、図(b)は、BPF104の出力(実線)およびキャリア検出回路105の出力(点線)を示しており、図(c)は、積分回路106の出力(実線)を示しており、図(d)は、赤外線リモコン受信機110のデジタル出力Doutを示している。なお、図(c)における点線は、上記スレッシュレベルである。
ここで、赤外線リモコン受信機110では、非常に高い増幅を行うため、電源ノイズの影響が顕著なものとなる。従って、電源ノイズ除去特性PSRR(power supply rejection ratio)の向上が求められる。
図25は、電源ノイズ除去特性の向上が可能な赤外線リモコン受信機120の構成を示している。赤外線リモコン受信機120は、赤外線リモコン受信機110の構成と同様な構成を備えているが、増幅回路103に代えて演算増幅回路103aを備えている。
演算増幅回路103aは、図26に示すように、トランスコンダクタンスアンプ回路(以下、単にGMと記載)111と、定電圧回路(VS)112と、出力負荷ZLとを備えている。
演算増幅回路103aのゲインAvは、
Av=(vout−vout)/(vin−vin)=gm*ZL
となる。
但し、
vin,vin:演算増幅回路103aの差動入力電圧
vout,vout:演算増幅回路103aの差動出力電圧
gm:GM111のトランスコンダクタンス
ZL:負荷インピーダンス
である。
演算増幅回路103aでは、図示のように、電源ノイズにより変動する電源電圧vddではなく、定電圧回路112の出力電圧vrefをGM111の電源電圧として供給することで、電源ノイズ除去特性を向上させることができる。しかしながら、演算増幅回路103aでは、定電圧回路112の出力電圧vrefをGM111の電源電圧とすることで、ダイナミックレンジがvdd−vrefの差電圧分減少する。例えば、電源電圧vddが2.4Vの場合、vdd−vrefの差電圧は通常0.2V程度必要であるため、定電圧回路112の出力電圧vrefは2.2Vとなり、GM111は、2.2Vでの動作となる。
特開平7−307624号公報(1995年11月21日公開) 特表2001−502147号公報(2001年2月13日公開) 特表2004−506375号公報(2004年2月26日公開) 特開2004−56541号公報(2004年2月19日公開) 特開平11−331076号公報(1999年11月30日公開) 特開2006−60410号公報(2006年3月2日公開)
電池駆動のデバイスでは、低電圧動作が要求されるが、定電圧回路112を用いた演算増幅回路103aでは、上述のように低電圧動作において十分なダイナミックレンジを確保できず、低電圧動作に向かないという問題を生じる。
また、BPF104は、増幅回路103の後段に配置され出力振幅が大きい。従って、ダイナミックレンジを確保するため、演算増幅回路103aによる電源ノイズ除去特性の向上は行えない。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ダイナミックレンジを減少することなく、電源ノイズ除去特性を向上させることが可能なバンドパスフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路を実現することにある。
本発明に係るバンドパスフィルタ回路は、上記課題を解決するために、差動入力電圧を差動出力電流に変換する第1トランスコンダクタンスアンプ回路と、差動入力電圧を差動出力電流に変換する第2トランスコンダクタンスアンプ回路と、差動入力電圧を差動出力電流に変換する第3トランスコンダクタンスアンプ回路と、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧と基準電圧とが入力され、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧の直流電圧レベルを上記基準電圧と等しくするように、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路に第1制御信号を出力する第1コモンモードフィードバック回路と、上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧と上記基準電圧とが入力され、上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧の直流電圧レベルを上記基準電圧と等しくするように、上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路に第2制御信号を出力する第2コモンモードフィードバック回路と、上記基準電圧として、電源電圧の影響の少ない電圧を上記第1コモンモードフィードバック回路および上記第2コモンモードフィードバック回路に供給する電圧供給回路と、第1コンデンサと、第2コンデンサと、第3コンデンサとを備え、非反転入力端子が、上記第1コンデンサを介して、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部と上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転入力部とに接続され、反転入力端子が、上記第2コンデンサを介して、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の反転出力部と上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の反転入力部に接続され、上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部が、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の反転入力部と、上記第3トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転入力部および反転出力部と、上記第3コンデンサの一端とに接続され、上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の反転出力部が、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転入力部と、上記第3トランスコンダクタンスアンプ回路の反転入力部および非反転出力部と、上記第3コンデンサの他端とに接続され、上記第3トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部が、反転出力端子であり、上記第3トランスコンダクタンスアンプ回路の反転出力部が、非反転出力端子であり、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部および反転出力部が、上記第1コモンモードフィードバック回路の入力端子であり、上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部および反転出力部が、上記第2コモンモードフィードバック回路の入力端子であり、上記各回路は、電源端子から電源電圧が供給されることを特徴としている。
本発明に係るバンドパスフィルタ回路は、上記の構成により、各トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力の直流電圧レベルを基準電圧と等しくすることができ、上記基準電圧として、電源電圧の影響の少ない電圧を供給することができる。これにより、電源ノイズ除去特性を向上させることができる。また、上記各トランスコンダクタンスアンプ回路は、電源端子から電源電圧が供給される。従って、ダイナミックレンジの減少がない。以上より、ダイナミックレンジを減少させることなく、電源ノイズ除去特性を向上させることが可能なバンドパスフィルタ回路を提供することができるという効果を奏する。
本発明に係るバンドパスフィルタ回路は、上記電圧供給回路が、ソースが上記電源端子に接続されていると共に、ゲートとドレインとが互いに接続されている第1MOSトランジスタと、上記第1MOSトランジスタのゲートとドレインとの接続点にソースが接続され、ゲートとドレインとが互いに接続されてグラウンド端子に接続されている第2MOSトランジスタとを備え、上記第1MOSトランジスタのゲートとドレインとの接続点から、上記電圧が取り出されることが好ましい。
上記の構成によれば、上記電圧(vref)は、以下の式(1)のように表せる。
第1,第2MOSトランジスタには、等しい電流(Id)が流れるため、
Id=(1/2)*μp*Cox*(W1/L1)*(vgs1−vth)=(1/2)*μp*Cox*(W2/L2)*(vgs2−vth)
これより、
vgs1=vth+((W2/L2)/(W1/L1)1/2)*(vgs2−vth)
が求められる。
vdd=vgs1+vgs2であるから、
=vth+((W2/L2)/(W1/L1)1/2)*(vgs2−vth)+vgs2
となり、
vref=vgs2であるから、
={(W1/L1)1/2/((W2/L2)1/2+(W1/L1)1/2)}*vdd+{((W2/L2)1/2−(W1/L1)1/2)/((W2/L2)1/2+(W1/L1)1/2)}*vth
(1)
但し、
Id:ドレイン電流
μp:電子移動度
Cox:酸化膜容量
W:チャネル幅
L:チャネル長
W1/L1:第1MOSトランジスタのW/L比
W2/L2:第2MOSトランジスタのW/L比
vgs1:第1MOSトランジスタのゲート−ソース間電圧
vgs2:第2MOSトランジスタのゲート−ソース間電圧
vth:閾値電圧
vdd:電源電圧
である。
ここで、例えば、W1=W2=W、L1=9*L2=9*Lとすると、上記式(1)は、
vref=(1/4)*vdd+(1/2)*vth (2)
このように、上記電圧供給回路では、電源電圧の影響の少ない電圧を得ることができる。また、上記電圧供給回路では、2つのMOSトランジスタの簡単な構成で、上記電圧を得ることができるというさらなる効果を奏する。
本発明に係るバンドパスフィルタ回路は、上記電圧供給回路が、ソースが電源端子に接続されていると共に、ゲートとドレインとが互いに接続されている第1MOSトランジスタと、上記第1MOSトランジスタのゲートとドレインとの接続点にソースが接続され、ゲートとドレインとが互いに接続されてグランド端子に接続されている第2MOSトランジスタと、上記第2MOSトランジスタに並列に接続された第4コンデンサとを備え、上記第1MOSトランジスタのゲートとドレインとの接続点から、上記基準電圧が取り出されることが好ましい。
上記の構成によれば、上記電圧(vrefa)は、上記式(1)のように表せ、2つのMOSトランジスタの簡単な構成で、上記電圧を得ることができるというさらなる効果を奏する。また、上記の構成によれば、上記第2MOSトランジスタに並列に第4コンデンサが設けられているため、ローパスフィルタを構成できる。これにより、高周波領域でも電源ノイズを除去できるというさらなる効果を奏する。
本発明に係るバンドパスフィルタ回路は、上記コモンモードフィードバック回路が、MOSトランジスタを有し、上記コモンモードフィードバック回路に備えられている定電流源の出力インピーダンスを大きくするカスコード回路を備えていることが好ましい。
上記の構成によれば、上記コモンモードフィードバック回路の定電流源の出力インピーダンスを大きくすることができる。これにより、上記コモンモードフィードバック回路を広帯域化することができるというさらなる効果を奏する。
本発明に係るバンドパスフィルタ回路は、少なくとも1つのトランスコンダクタンスアンプ回路のトランスコンダクタンスを調整する調整手段を備えていることが好ましい。
本発明に係るバンドパスフィルタ回路は、その構成により、上記調整手段を用いて上記各トランスコンダクタンスアンプ回路のトランスコンダクタンスを調整することにより、Q値等の定数を調整することができる。
本発明に係る赤外線信号処理回路は、上記課題を解決するために、上記バンドパスフィルタ回路を備えていることを特徴としている。
上記の構成によれば、本発明に係る赤外線信号処理回路は、上記バンドパスフィルタ回路を備えているため、ダイナミックレンジを減少することなく電源ノイズ除去特性を向上させることができる。これにより、ダイナミックレンジを減少することなく電源ノイズ除去特性を向上させることが可能な赤外線信号処理回路を実現することができるという効果を奏する。
本発明に係る赤外線信号処理回路は、上記課題を解決するために、受光した赤外線信号を電気信号に変換する受光素子と、上記電気信号を増幅する増幅回路と、増幅された電気信号からキャリア周波数成分を取り出す、上記調整手段を備えたバンドパスフィルタ回路と、上記バンドパスフィルタ回路の出力信号と、ノイズ検出レベルである第1閾値電圧とを比較する第1比較回路と、上記バンドパスフィルタ回路の出力信号と、第1キャリア検出レベルである、上記第1閾値電圧より大きいレベルの第2閾値電圧とを比較する第2比較回路と、上記バンドパスフィルタ回路の出力信号と、上記バンドパスフィルタ回路の出力信号のレベルを判定するピーク検出レベルである、上記第2閾値電圧より大きいレベルの第3閾値電圧とを比較する第3比較回路と、上記第1比較回路の出力信号に基づいて、上記第1比較回路の出力信号が出力されないように、上記増幅回路のゲインを制御し、上記第3比較回路の出力信号に基づいて、上記第3比較回路の出力信号が出力されないように、上記バンドパスフィルタ回路のゲインおよびQ値を制御する論理回路とを有し、上記第2比較回路の出力信号をキャリアとして出力するキャリア検出回路とを備えていることを特徴としている。
また、本発明に係る赤外線信号処理回路は、上記バンドパスフィルタ回路の出力信号と、第2信号検出レベルである、上記第2閾値電圧より大きいレベルの第4閾値電圧とを比較する第4比較回路と、上記第2比較回路の出力信号と上記第4比較回路の出力信号とから、上記キャリアを選択するセレクタ回路とをさらに備えていることが好ましい。
上記の構成によれば、本発明に係る各赤外線信号処理回路は、上記バンドパスフィルタ回路を備えているため、ダイナミックレンジを減少することなく電源ノイズ除去特性を向上させることができる。これにより、ダイナミックレンジを減少することなく電源ノイズ除去特性を向上させることが可能な赤外線信号処理回路を実現することができるという効果を奏する。
本発明の一つである演算増幅回路は、差動入力電圧を差動出力電流に変換するトランスコンダクタンスアンプ回路と、上記トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧と基準電圧とが入力され、上記トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧の直流電圧レベルを上記基準電圧と等しくするように、上記トランスコンダクタンスアンプ回路に制御信号を出力するコモンモードフィードバック回路と、上記基準電圧として、電源電圧の影響の少ない電圧を上記コモンモードフィードバック回路に供給する電圧供給回路と、上記トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧が印加され、演算増幅回路の出力端子を構成する出力負荷と、上記各回路は、電源端子から電源電圧が供給されることを特徴としている。
上記演算増幅回路は、上記の構成により、トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力の直流電圧レベルを基準電圧と等しくすることができ、上記基準電圧として、電源電圧の影響の少ない電圧を供給することができる。また、上記トランスコンダクタンスアンプ回路は、電源端子から電源電圧が供給される。従って、ダイナミックレンジの減少がない。以上より、ダイナミックレンジを減少させることなく、電源ノイズ除去特性を向上させることが可能な演算増幅回路を提供することができるという効果を奏する。
〔実施の形態1〕
本発明に係る参考例について、図1〜図3に基づいて説明すると以下の通りである。
図1は、演算増幅回路5の構成を示している。
演算増幅回路5は、差動入力電圧を差動出力電流に変換するトランスコンダクタンスアンプ回路(以下、単にGMと記載)1と、GM1の差動出力電圧が印加され、演算増幅回路5の出力端子を構成する出力負荷ZLと、GM1の差動出力電圧と基準電圧vrefとが入力され、GM1の差動出力電圧の直流電圧レベルを基準電圧vrefと等しくするように、GM1に制御信号を出力するコモンモードフィードバック回路(以下、単にCMFBと記載)2と、基準電圧vrefをCMFB2に供給する電圧供給回路(VS)3とを備えている。演算増幅回路5の入力端子は、GM1の非反転入力部および反転入力部である。
演算増幅回路5のゲインAvは、
Av=(vout−vout)/(vin−vin)=gm*ZL
となる。
ただし、
vin,vin:演算増幅回路5の差動入力電圧
vout,vout:演算増幅回路5の差動出力電圧
gm:GM1のトランスコンダクタンス
ZL:負荷インピーダンス
である。
図2は、演算増幅回路5の具体的な構成を示している。演算増幅回路5は、CMOS(complementary metal oxide semiconductor)プロセスで構成可能である。
GM1は、Pチャネル型MOSトランジスタM1,M2と、Nチャネル型MOSトランジスタM3,M4と、定電流源I1〜I7とを備えている。
一端が電源端子に接続された定電流源I3の他端と、一端がGND端子に接続された定電流源I6の他端とが接続され、定電流源I3に並列に定電流源I2が接続され、定電流源I6に並列にトランジスタM3が接続されている。一端が電源端子に接続された定電流源I4の他端と、一端がGND端子に接続された定電流源I7の他端とが接続され、定電流源I4に並列に定電流源I5が接続され、定電流源I7に並列にトランジスタM4が接続されている。
トランジスタM3のドレインには、トランジスタM1のドレインが接続され、トランジスタM4のドレインには、トランジスタM2のドレインが接続されている。トランジスタM1,M2の各ソースは、互いに接続されて定電流源I1を介して電源端子に接続されている。トランジスタM1のゲートは、GM1の非反転入力端子に相当し、差動電圧vinが入力され、トランジスタM2のゲートは、GM1の反転入力端子に相当し、差動電圧vinが入力される。
トランジスタM3のドレインと定電流源I3の他端との接続点は、GM1の出力端子であり、出力負荷ZLとしてのコンデンサCLの一端が接続され、トランジスタM4のドレインと定電流源I4の他端との接続点は、GM1の出力端子であり、コンデンサCLの他端が接続され、このコンデンサCLに並列に出力負荷ZLとしての抵抗RLが接続されている。
CMFB2は、Pチャネル型MOSトランジスタM5〜M10と、Nチャネル型MOSトランジスタM11〜M14と、定電流源I8〜I10とを備えている。
トランジスタM5,M6の各ソースは、それぞれ互いに接続されて定電流源I8を介して電源端子に接続され、トランジスタM7,M8の各ソースは、それぞれ互いに接続されて定電流源I9を介して電源端子に接続され、トランジスタM9,M10の各ソースは、それぞれ互いに接続されて定電流源I10を介して電源端子に接続されている。
トランジスタM5のドレインは、トランジスタM11のドレインに接続され、トランジスタM6のドレインは、自身のゲートに接続されると共に、トランジスタM8のドレインに接続されている。トランジスタM7のドレインは、トランジスタM5のドレインに接続されると共に、トランジスタM11のゲートに接続され、トランジスタM8のドレインは、自身のゲートに接続されると共に、トランジスタM12のドレインに接続されている。トランジスタM11,M12の各ゲートは互いに接続され、トランジスタM11,M12の各ソースは、GND端子に接続されている。
トランジスタM9のゲートは、トランジスタM8のゲートに接続され、トランジスタM9のドレインは、トランジスタM13のドレインとゲートとに接続され、トランジスタM10のドレインは、トランジスタM14のドレインとゲートとに接続されている。トランジスタM13,M14の各ソースは、GND端子に接続されている。
トランジスタM5のゲートは、CMFB2の入力端子であり、抵抗RLの他端(トランジスタM4のドレインと定電流源I4の他端との接続点とコンデンサCLの他端との接続点に接続されている)に接続され、トランジスタM7のゲートは、CMFB2の入力端子であり、抵抗RLの一端(トランジスタM3のドレインと定電流源I3の他端との接続点とコンデンサCLの一端との接続点に接続されている)に接続されている。トランジスタM14のドレインは、GM1のトランジスタM3,M4の各ゲートに接続されている。
電圧供給回路3は、Pチャネル型MOSトランジスタM15,M16(第1,第2MOSトランジスタ)を備えている。
トランジスタM15のソースは、電源端子に接続され、トランジスタM15のゲートとドレインとは互いに接続されて、トランジスタM16のソースに接続されている。トランジスタM16のゲートとドレインとは互いに接続されて、GND端子に接続されている。
CMFB2のトランジスタM10のゲートは、トランジスタM15のゲートとドレインとの接続点とトランジスタM16のソースとの接続点に接続されている。
定電圧回路3のトランジスタM15のゲートとドレインとの接続点とトランジスタM16のソースとの接続点から、基準電圧vrefが取り出され、この基準電圧vrefは、CMFB2のトランジスタM10のゲートに入力される。この結果、CMFB2のトランジスタM14のドレインから上記制御信号としての制御電圧vcmfbが取り出され、この制御電圧vcmfbは、GM1のトランジスタM3,M4のゲートに入力される。これにより、GM1の差動出力の直流電圧レベルは、基準電圧vrefと等しくなる。
ここで、電圧供給回路3の基準電圧vrefは、以下の式(3)(上記式(1)と同一)によって表せる。
トランジスタM15,M16には、等しい電流(Id)が流れるため、
Id=(1/2)*μp*Cox*(W1/L1)*(vgs1−vth)=(1/2)*μp*Cox*(W2/L2)*(vgs2−vth)
これより、
vgs1=vth+((W2/L2)/(W1/L1)1/2)*(vgs2−vth)
が求められる。
vdd=vgs1+vgs2であるから、
=vth+((W2/L2)/(W1/L1)1/2)*(vgs2−vth)+vgs2
となり、
vref=vgs2であるから、
={(W1/L1)1/2/((W2/L2)1/2+(W1/L1)1/2)}*vdd+{((W2/L2)1/2−(W1/L1)1/2)/((W2/L2)1/2+(W1/L1)1/2)}*vth
(3)
但し、
Id:ドレイン電流
μp:電子移動度
Cox:酸化膜容量
W:チャネル幅
L:チャネル長
W1/L1:トランジスタM15のW/L比
W2/L2:トランジスタM16のW/L比
vgs1:トランジスタM15のゲート−ソース間電圧
vgs2:トランジスタM16のゲート−ソース間電圧
vth:閾値電圧
である。
ここで、例えば、W1=W2=W、L1=9*L2=9*Lとすると、上記式(3)は、
vref=(1/4)*vdd+(1/2)*vth (4)
上記式(4)(上記式(2)と同一)において、vdd=3V,vth=0.8Vとすると、vref=1.15Vが得られる。このとき、電源ノイズは(1/4)となり、−12dBの電源ノイズ除去特性が得られる。
このように、電圧供給回路3では、電源電圧の影響が少ない、すなわち電源ノイズを除去した基準電圧vrefが得られ、演算増幅回路5では、上述のように、この基準電圧vrefにより、GM1の差動出力の直流電圧レベルが設定される。従って、演算増幅回路5では、電源ノイズ除去特性を向上させることができる。
また、演算増幅回路5では、GM1の電源電圧は、電源端子から供給される電源電圧vddである。従って、ダイナミックレンジを減少することがない。
また、演算増幅回路5では、GM1が全差動構成であるため、同相入力を除去でき、そのような電源ノイズが直接入力に重畳したとしても、キャンセルすることができる。
また、電圧供給回路3では、2つのMOSトランジスタの簡単な構成で、基準電圧vrefが得られる。
図3は、演算増幅回路5の他の構成例である演算増幅回路5aの構成を示している。
演算増幅回路5aは、図示のように、GM1aと、CMFB2aと、定電圧回路3aと、出力負荷ZLとを備えている。
GM1aは、図示のように、図2に示すGM1の構成に加えて、Pチャネル型MOSトランジスタM21〜M23を有するカスコード回路4aと、Nチャネル型MOSトランジスタM24,M25を有するカスコード回路4bとを備えている。
トランジスタM21は、トランジスタM1,M2の各ソースの接続点と定電流源I1との間に接続されている。トランジスタM22は、トランジスタM1のドレインと定電流源I3の他端との接続点と定電流源I3との間に接続されている。トランジスタM23は、トランジスタM2のドレインと定電流源I4の他端との接続点と定電流源I4との間に接続されている。トランジスタM24は、トランジスタM1のドレインとトランジスタM22のドレインとの間に接続されている。トランジスタM25は、トランジスタM2のドレインとトランジスタM25のドレインとの間に接続されている。
CMFB2aは、図2に示すCMFB2の構成に加えて、Pチャネル型MOSトランジスタM26〜M28を有するカスコード回路4cと、Nチャネル型MOSトランジスタM29〜M32を有するカスコード回路4dとを備えている。
トランジスタM26は、トランジスタM5,M6の各ソースの接続点と定電流源I8との間に接続されている。トランジスタM27は、トランジスタM7,M8の各ソースの接続点と定電流源I9との間に接続されている。トランジスタM28は、トランジスタM9,M10の各ソースの接続点と定電流源I10との間に接続されている。
トランジスタM29は、トランジスタM5,M7の各ドレインの接続点とトランジスタM11のドレインとの間に接続されている。トランジスタM30は、トランジスタM6,M8の各ドレインの接続点とトランジスタM12のドレインとの間に接続されている。トランジスタM31は、トランジスタM9のドレインとトランジスタM13のゲートとの接続点とトランジスタM13のドレインとの間に接続されている。トランジスタM32は、トランジスタM10のドレインとトランジスタM14のゲートとの接続点とトランジスタM14のドレインとの間に接続されている。
カスコード回路4a,4cのトランジスタの各ゲートは、それぞれ互いに接続されて、バイアス電圧vbias2が入力され、カスコード回路4b,4dのトランジスタの各ゲートは、それぞれ互いに接続されて、バイアス電圧vbias1が入力される。
このように、GM1a、CMFB2aは、それぞれカスコード回路を備えている。これにより、GM1a、CMFB2aを広帯域化できる。
例えばカスコード回路4c,4dを備えていない場合のCMFB2aの定電流源の出力インピーダンスをro1とすると、カスコード回路4c,4dを備えている場合の定電流源のCMFB2aの出力インピーダンスro2は、
ro2=gmc*roc*ro1 (5)
となる。
但し、
gmc:カスコード回路4c,4dのトランジスタのトランスコンダクタンス
roc:カスコード回路4c,4dのトランジスタの出力インピーダンス
上記式(5)に示すように、カスコード回路を備えることにより、カスコード回路を備えていない場合と比較して定電流源の出力インピーダンスを大きくすることができ、これにより、広帯域化できる。
次に、電圧供給回路3aは、図2に示す電圧供給回路3の構成に加えて、トランジスタM16に並列にコンデンサC1(コンデンサ,第4コンデンサ)が設けられている。定電圧回路3aの基準電圧Vrefaは、定電圧回路3の基準電圧vrefを示す上記式(3)で表される。従って、電源電圧の影響の少ない、すなわち電源ノイズを除去した電圧を得ることができる。
また、電圧供給回路3aでは、コンデンサC1を備えているため、ローパスフィルタを構成できる。
トランジスタM16とコンデンサC1との並列接続インピーダンスは、
(1/gm2)//(1/(s*C1))=1/(s*C1+gm2)
基準電圧vrefaは、電源電圧vddをトランジスタM15のインピーダンスと、トランジスタM16およびコンデンサC1の並列接続インピーダンスとで分割した値となるので、
vrefa=vdd*(1/gm2)//(1/(s*C1))/((1/gm1)+(1/gm2)//(1/(s*C1)))
=vdd*(1/(s*C1+gm2))/((1/gm1)+1/(s*C1+gm2))
整理することにより、
vrefa=(gm1/C1)/(s+(1/C1)*(1/((1/gm1)//(1/gm2))))
となり、C1*((1/gm1)//(1/gm2))の時定数のローパスフィルタを得られる。
但し、
gm1:トランジスタM15のトランスコンダクタンスであり、μp*Cox*(W1/L1)*(vgs1−Vth)で表される。
gm2:トランジスタM16のトランスコンダクタンスであり、μp*Cox*(W2/L2)*(Vgs2−Vth)で表される。
このように、電圧供給回路3aでは、ローパスフィルタを備えるため、高周波領域でも電源ノイズを除去することができる。
以上のように、本発明に係る演算増幅回路は、GMとCMFBとを備えることにより、GMの差動出力電圧の直流電圧レベルを基準電圧vrefと等しくするようにし、そして、この基準電圧vrefとして、電源電圧の影響の少ない電圧を供給することで、電源ノイズを除去している。また、GMの電源電圧を電源端子から供給することで、ダイナミックレンジを確保している。
〔実施の形態2〕
本発明に係る一実施形態について、図4〜図7に基づいて説明すると以下の通りである。
図4は、バンドパスフィルタ回路(以下、BPFと記載)20の構成を示している。
BPF20は、差動入力電圧を差動出力電流に変換するトランスコンダクタンスアンプ回路(以下、単にGMと記載)11〜13(第1トランスコンダクタンスアンプ回路〜第3トランスコンダクタンスアンプ回路)と、コモンモードフィードバック回路(以下、単にCMFBと記載)14,15(第1,第2コモンモードフィードバック回路)と、コンデンサC11〜C13(第1コンデンサ〜第3コンデンサ)と、上記実施の形態1における電圧供給回路3とを備えている全差動型バンドパスフィルタ回路である。なお、以下、装置を総称して記載する場合、例えばGM11〜GM13を総称して記載する場合は、単に「GM」と記載する。また、電圧供給回路3については、上記実施の形態1で説明したため、ここではその説明を省略する。
GM11の非反転出力部は、GM12の非反転入力部に接続され、GM11の反転出力部は、GM12の反転入力部に接続されている。GM12の非反転出力部は、GM13の非反転入力部に接続され、GM12の反転出力部は、GM13の反転入力部に接続されている。
GM12の非反転出力部は、GM11の反転入力部に接続され、GM12の反転出力部は、GM11の非反転入力部に接続されている。また、GM12の非反転出力部と反転出力部とには、コンデンサC13が接続されている。また、GM12の非反転出力部は、GM13の反転出力部に接続され、GM12の反転出力部は、非反転出力部に接続されている。
BPF20の非反転入力端子IN+は、コンデンサC11を介して、GM11の非反転出力部とGM12の非反転入力部との接続点に接続され、BPF20の反転入力端子IN−は、コンデンサC12を介して、GM11の反転出力部とGM12の反転入力部との接続点に接続されている。BPF20の非反転出力端子OUT+は、GM13の反転出力部に相当し、BPF20の反転出力端子OUT−は、GM13の非反転出力部に相当する。
CMFB14は、GM11の非反転出力部および反転出力部を入力端子とし、GM11の差動出力電圧と、電圧供給回路3から供給される電源電圧の影響の少ない、すなわち電源ノイズが除去された基準電圧vrefとが入力され、GM11の差動出力電圧の直流電圧レベルが基準電圧vrefと等しくなるように、GM11に第1制御信号を出力する。CMFB15は、GM12の非反転出力部および反転出力部を入力端子とし、GM12の差動出力電圧と電圧供給回路3から供給される基準電圧vrefとが入力され、GM12の差動出力電圧の直流電圧レベルが基準電圧vrefと等しくなるように、GM12に第2制御信号を出力する。CMFB14,15の具体的な構成は、上記実施の形態1で示したCMFB2(図2)と同様であるため、ここではその説明を省略する。
図5は、GMの具体的な構成を示している。
GMは、Pチャネル型MOSトランジスタM31〜M36と、Nチャネル型MOSトランジスタM37〜M40と、電流源I11〜I17と、抵抗REとを備えている。
トランジスタM31のソースは、電流源I11を介して電源端子に接続され、トランジスタM32のソースは、電流源I12を介して電源端子に接続されている。トランジスタM31のソースと電流源I11との接続点と、トランジスタM32のソースと電流源I12との接続点には、抵抗REが接続されている。トランジスタM31のドレインには、トランジスタM33のソースが接続され、トランジスタM32のドレインには、トランジスタM34のソースが接続されている。トランジスタM33のゲートとドレインとは、互いに接続されてGND端子に接続され、トランジスタM34のゲートとドレインとは、互いに接続されてGND端子に接続されている。トランジスタM31のゲートは、非反転入力部であり、トランジスタM32のゲートは、反転入力部である。
トランジスタM35は、各ゲートがそれぞれ互いに接続され、また、各ソースがそれぞれ互いに接続されているトランジスタM35−0〜M35−4を備えている。トランジスタM36は、各ゲートがそれぞれ互いに接続され、また、各ソースがそれぞれ互いに接続されているトランジスタM36−0〜M36−4を備えている。トランジスタM37は、各ソースがそれぞれ互いに接続されているトランジスタM37−1〜M37−4を備えている。トランジスタM38は、各ソースがそれぞれ互いに接続されているトランジスタM38−1〜M38−4を備えている。
トランジスタM35のゲートは、すなわちそれぞれが互いに接続されたトランジスタM35−0〜M35−4の各ゲートは、トランジスタM32のドレインに接続され、トランジスタM36のゲートは、すなわちそれぞれが互いに接続されたトランジスタM36−0〜M36−4の各ゲートは、トランジスタM31のドレインに接続されている。
トランジスタM35のソースは、すなわちそれぞれが互いに接続されたトランジスタM35−0〜M35−4の各ソースは、電流源I13を介して電源端子に接続され、同様に、トランジスタM36のソースは、すなわちそれぞれが互いに接続されたトランジスタM36−0〜M36−4の各ソースは、電流源I13を介して電源端子に接続されている。
トランジスタM35−1のドレインは、トランジスタM37−1のドレインに接続され、トランジスタM35−2のドレインは、トランジスタM37−2のドレインに接続され、トランジスタM35−3のドレインは、トランジスタM37−3のドレインに接続され、トランジスタM35−4のドレインは、トランジスタM37−4のドレインに接続されている。トランジスタM37−1〜M37−4のそれぞれ互いに接続されている各ソースは、GND端子に接続されている。
トランジスタM36−1のドレインは、トランジスタM38−1のドレインに接続され、トランジスタM36−2のドレインは、トランジスタM38−2のドレインに接続され、トランジスタM36−3のドレインは、トランジスタM38−3のドレインに接続され、トランジスタM36−4のドレインは、トランジスタM38−4のドレインに接続されている。トランジスタM38−1〜M38−4のそれぞれ互いに接続されている各ソースは、GND端子に接続されている。
トランジスタM37−1,M38−1の各ゲートには、レジスタから調整信号SW1が入力され、トランジスタM37−2,M38−2の各ゲートには、レジスタから調整信号SW2が入力され、トランジスタM37−3,M38−3の各ゲートには、レジスタから調整信号SW3が入力され、トランジスタM37−4,M38−4の各ゲートには、レジスタから調整信号SW4が入力される。
一端が電源端子に接続された電流源I14の他端と、一端がGND端子に接続された電流源I16の他端とが接続され、電流源I16に並列にトランジスタM39が接続されている。一端が電源端子に接続された電流源I15の他端と、一端がGND端子に接続された電流源I17の他端とが接続され、電流源I17に並列にトランジスタM40が接続されている。
トランジスタM39のドレインには、トランジスタM35−0のドレインが接続され、トランジスタM40のドレインには、トランジスタM36−0のドレインが接続されている。トランジスタM39のドレインとトランジスタM35−0のドレインとの接続点をp1とし、トランジスタM40のドレインとトランジスタM36−0のドレインとの接続点をp2とする。接続点p1は、反転出力部であり、接続点p2は、非反転出力部である。接続点p1,p2は、CMFBの入力端子でもあり、トランジスタM39,M40の各ゲートには、CMFBから制御電圧vcmfb(第1,第2制御信号)が入力される。これにより、GMの差動出力電圧の直流電圧レベルは、基準電圧vrefと等しくなる。なお、図5は、GM11,12の構成を示しており、GM13は、基本的にGM11,12の構成と同様な構成を有しているが、トランジスタM39,M40を備えておらず、CMFBに接続されていない。
BPF20では、上記実施の形態1における演算増幅回路5同様、電圧供給回路3から電源電圧の影響が少ない、すなわち電源ノイズを除去した基準電圧vrefが供給され、この基準電圧vrefを用いてGM11,12の差動出力電圧の直流電圧レベルが設定される。従って、BPF20においても、電源ノイズ除去特性を向上させることができる。
また、BPF20では、GM11,12の電源電圧は、電源端子から供給される電源電圧vddである。従って、ダイナミックレンジを減少することがない。
また、BPF20を上述のような全差動型バンドパスフィルタ回路とすることで、同相入力を除去することができるため、入力に電源ノイズが重畳した場合でも、その電源ノイズをキャンセルすることができる。
ところで、上述のような構成を有するBPF20の伝達関数H(s)は、以下の式(6)のように表せる。また、BPF20の各定数(固有角周波数ω0,Q値,ゲインH)は、それぞれ式(7)〜(9)のように表せる。
キルヒホフの法則より、
GM11の非反転出力部の出力は、
gm11*(−vo−vo)=s*C11*(v1−vin)
となり、
GM11の反転出力部の出力は、
−gm11*(−vo−vo)=s*C11*(−v1−(−vin))
となり、非反転出力部の出力と等しくなる。
また、GM12の非反転出力部の出力は、
gm12*(v1−(−v1))−gm13*(vo−(−vo))=s*C13*(vo−(−vo))
となり、
GM12の反転出力部の出力は、
−gm12*(v1−(−v1))+gm13*(vo−(−vo))=s*C13*(−vo−(vo))
となり、非反転出力部の出力と等しくなる。
以上の式からv1を消去し、H(s)=vo/vinより、
H(s)={(gm12/C13)*s}/{s+(gm13/C13)*s+((gm11*gm12)/((C11/2)*C13))} (6)
ω=((gm11*gm12)/((C11/2)*C13))1/2
=gm/C (7)
Q=((C13/(C11/2))*(gm11*gm12)/(gm13))1/2
=gm/gm13 (8)
H=gm12/gm13
=gm/gm13 (9)
但し、
s:複素数
vin:BPF20の入力電圧であって、vin=(vin)=−(vin
vin:BPF20の非反転入力端子INに入力される電圧
vin:BPF20の反転入力端子INに入力される電圧
vo:BPF20の出力電圧であって、vo=(vo)=−(vo
vo:BPF20の非反転出力端子OUTから出力される電圧
vo:BPF20の反転出力端子OUTから出力される電圧
v1:GM11の出力電圧であって、v1=(v1)=−(v1
v1:GM11の非反転出力部から出力される電圧
v1:GM11の反転出力部から出力される電圧
gm11:GM11のトランスコンダクタンス
gm12:GM12のトランスコンダクタンス
gm13:GM13のトランスコンダクタンス
i11:GM11の出力電流
i12:GM12の出力電流
i13:GM13の出力電流
C11:コンデンサC11,C12の各容量値
C13:コンデンサC13の容量値
であり、
gm=gm11=gm12
C=C11/2=C13
と設定している。
上記式(7)〜(9)より、gm11,gm12,gm13を調整することにより、BPF20の各定数を調整できることがわかる。特に、gm13のみ調整することにより、固有角周波数ω0を一定のまま、Q値,ゲインHが調整できる。また、例えば、gm13=β*gm(0<β<1)と設定すると、Q=1/β,H=1/βとなり、βの調整のみでQ値,ゲインHを調整することもできる。
図6は、BPF20におけるGMのgmを調整するための構成を備えたBPF20aを示している。
BPF20aは、図示のように、図4に示す構成に加えて、レジスタ16,17,18(調整手段)を備えている。レジスタは、外部からの信号により、gmを調製するための調整信号SWをGMに出力する。これにより、gmを調整することができる。その結果、BPF20aの各定数を調整することができる。
GM11では、レジスタ16からの調整信号SWによりgm11が調整されることで、固有角周波数ω0,Q値を調整することができる。同様に、GM12でも、レジスタ17からの調整信号SWによりgm12が調整されることで、固有角周波数ω0,Q値,ゲインHを調整することができる。GM13では、レジスタ18からの調整信号SWによりgm13が調整されることで、Q値,ゲインHを調整することができる(式(7)〜式(9)参照)。
図7は、BPF20の参考例であるBPF20bを示している。BPF20bは、GM11とGM13とを共有した構成であり、GM11が第1出力部と第2出力部とを備えている。
GM11の上記第1出力部における非反転出力部は、GM12の非反転入力部に接続され、GM11の上記第1出力部における反転出力部は、GM12の反転入力部に接続されている。GM12の非反転出力部は、GM11の反転入力部に接続され、GM12の反転出力部は、GM11の非反転入力部に接続されている。また、GM12の非反転出力部と反転出力部とには、コンデンサC13が接続されている。また、GM12の非反転出力部は、GM11の上記第2出力部における反転出力部に接続され、GM12の反転出力部は、GM11の上記第2出力部における非反転出力部に接続されている。
BPF20bの非反転入力端子IN+は、コンデンサC11を介して、GM11の上記第1出力部における非反転出力部とGM12の非反転入力部との接続点に接続され、BPF20bの反転入力端子IN−は、コンデンサC12を介して、GM11の上記第1出力部における反転出力部とGM12の反転入力部との接続点に接続されている。BPF20bの非反転出力端子OUT+は、GM12の非反転出力部に相当し、BPF20bの反転出力端子OUT−は、GM12の反転出力部に相当する。
CMFB14は、GM11の上記第1出力部における非反転出力部および反転出力部を入力端子とし、GM11の差動出力電圧と基準電圧vrefとが入力され、GM11の差動出力の直流電圧レベルが基準電圧vrefと等しくなるように、GM11に第1制御信号を出力する。CMFB15は、GM12の非反転出力部および反転出力部を入力端子とし、GM12の差動出力電圧と基準電圧vrefとが入力され、GM12の差動出力の直流電圧レベルが基準電圧vrefと等しくなるように、GM12に第2御信号を出力する。
以上の構成から、BPF20bは、BPF20同様、ダイナミックレンジを減少することなく電源ノイズ除去特性を向上させることができる。また、BPF20bでは、BPF20と同様な伝達関数を得ることができ、また、全差動型の構成であるため、Q値等の定数の調整が可能であると共に、入力に重畳した電源ノイズをキャンセルすることができる。また、BPF20bでは、GM11とGM13とを共有することにより、回路構成が簡素となり、コストダウンが可能となる。また、図示のように、レジスタ18(GM11の上記第2出力部を制御する)のみを設ける場合、より回路構成が簡素となり、よりコストダウンが可能となる。しかしながら、図6および図7で示したレジスタの設け方は、一例であることは言うまでもない。
次に、GMのgmの具体的な調整方法について説明する。
図5にて示したような構成を有するGMにおいて、トランジスタM31〜M36は、弱反転領域で動作する。弱反転領域での電流式は、以下の式(10)のように表せる。
Id=(W/L)*Ido*exp(Vgs/(n*Vt)) (10)
上記式(10)より、
gm=Id/(n*Vt)
re=(n*Vt)/Ia
ΔI=2*va/(RE+2re)
但し、
Id:ドレイン電流
W:チャネル幅
L:チャネル長
Ido:弱反転領域における電流のパラメータ
Vgs:ゲート−ソース間電圧
n=1+Cd/Cox
Cox:ゲート酸化膜容量
Vt=k*T/q
k:ボルツマン定数
T:絶対温度
q:電子の素電荷
re:トランジスタのトランスコンダクタンスの逆数
Ia:電流源I11,I12の出力電流
RE:抵抗REの抵抗値
ΔI:抵抗REを流れる電流
va:GMの入力電圧であって、va=(va+)=−(va−)
である。
トランジスタM33〜M36のトランスリニアループより、
Vgs33+Vgs35=Vgs34+Vgs36
ia=(Iba/Ia)*ΔI
gm=ia/va
=2*(Iba/Ia)/(RE+2*((n*Vt)/Ia)) (11)
但し、
Iba:トランジスタM35_0,M36_0に流れる電流値
ia:GMの出力電流であって、ia=(ia+)=−(ia−)
である。
上記式(11)における電流値Ibaを制御することで、gmの調整を行う。具体的には、レジスタとトランジスタM37−1〜M37−4,M38−1〜M38−4のMOSスイッチとを用いて、電流値Ibaを制御する。
例えば、トランジスタM35_0〜M35_4,M36_0〜M36_4の各W/L比を以下のように設定する。
トランジスタM35−0,M36−0 (W0/L0)
トランジスタM35−1,M36−1 (W0/L0)
トランジスタM35−2,M36−2 (W0/L0)*2
トランジスタM35−3,M36−3 (W0/L0)*2
トランジスタM35−4,M36−4 (W0/L0)*2
そして、レジスタからの制御信号SW(ここではレジスタを4ビットとしてSW1〜SW4)によって、トランジスタM37−1〜M37−4,M38−1〜M38−4のオン/オフを切り替える。これにより、トランジスタM35−0,M36−0に流れる電流値Ibaを制御することができる。
表1は、上記gmの調整の具体的な内容を示している。なお、表1は、図7に示すBPF20bで上記gmの調整を行った場合である。表に示すように、レジスタからの制御信号SWに応じて、トランジスタM35−0,M36−0に流れる電流値Ibaが変化している。そして、この電流値Ibaの変化に伴って、gmが変化している。上述のように、ここではレジスタを4ビットとしているため、16通りのgmの調整が可能である。電流値Ibaは、以下の式(12)によって表せる。
Iba=Ib*(1/2) (m=0〜4) (12)
Figure 0004290721
Q=gm/gm13
={2*(Ib/Ia)/(Re+2*((n*Vt)/Ia))}/{2*(Iba/Ia)/(Re+2*((n*Vt)/Ia))}
=2 (13)
上記gmの調整に伴い、上記式(13)に示すようにQ値を16〜1の範囲で制御可能となる。
また、
H=gm/gm3
={2*(Ib/Ia)/(Re+2*((n*Vt)/Ia))}/{2*(Iba/Ia)/(Re+2*((n*Vt)/Ia))}
=2 (14)
となり、上記gmの制御に伴い、ゲインHも上記式(14)に示すように16〜1の範囲で制御可能となる。
以上のように、本発明に係るBPFは、GMとCMFBとを備えることにより、GMの差動出力電圧の直流電圧レベルを基準電圧vrefと等しくするようにし、そして、この基準電圧vrefとして、電源電圧の影響の少ない電圧を供給することで、電源ノイズを除去している。また、GMの電源電圧を電源端子から供給することで、ダイナミックレンジを確保している。さらに、その構成により、gmを調整することで、Q値等の定数の調整を行える。
なお、本実施形態では、電圧供給回路3、CMFB2と同一の構成を有したCMFB14,15を備えたBPFについて説明したが、上記実施の形態1で示した電圧供給回路3a、CMFB2aの構成も適応可能であることは言うまでもない。
〔実施の形態3〕
本発明に係る他の実施形態について、図8〜図16に基づいて説明すると以下の通りである。
本実施形態では、本発明に係るBPFを備えた赤外線リモコン受信機(赤外線信号処理回路)(伝送レート1kbps以下、空間伝送距離10m以上)について説明する。なお、上記赤外線リモコン受信機は、インバータ蛍光灯ノイズの低減およびBPF出力の波形歪みの低減等の機能を有している。
図8は、上記赤外線リモコン受信機としての赤外線リモコン受信機50aの構成を示している。
赤外線リモコン受信機50aは、フォトダイオードチップ31(受光素子)と、電流―電圧変換回路32、コンデンサ33、アンプ(増幅回路)34、一例としてBPF20b、キャリア検出回路42a、積分回路43、ヒステリシスコンパレータ44、および電圧供給回路3を有する受信チップ46とを備えている。アンプ34は、上記実施の形態1における演算増幅回路5と同様な構成を有している。電圧供給回路3は、アンプ34とBPF20bとに基準電圧vrefを供給する。図中の入力端子INは、受信チップ46の入力端子であり、出力端子OUTは、受信チップ46の出力端子である。
赤外線リモコン受信機50aは、図示しない赤外線リモコン送信機から送信されたリモコン送信信号(赤外線信号)をフォトダイオードチップ31にて電流信号Iinに変換し、この電流信号Iinを電流―電圧変換回路32にて電圧信号に変換する。次いで、この電圧信号をアンプ34にて増幅し、BPF20bにてキャリア周波数成分を取り出し、キャリア検出回路42aにてキャリアを検出し、積分回路43でキャリアの存在する時間を積分し、ヒステリシスコンパレータ44にてキャリアの有無を判別してデジタル出力する。このデジタル出力Doutは、電子機器を制御するマイコン等に送られる。
赤外線リモコン受信機50aは、アンプ34およびBPF20bを備えていることにより、ダイナミックレンジを減少させることなく電源ノイズ除去特性を向上させることができる。
キャリア検出回路42aは、コンパレータ36a(第1比較回路),36b(第3比較回路),36c(第2比較回路)、発振回路37、およびコンパレータ36a〜36cの各出力を論理演算する論理回路38を備え、上記キャリアの検出に加え、アンプ34のゲイン制御、BPF20bのゲイン制御およびQ値制御を行う。
コンパレータ36a〜36cの一方の入力端子には、それぞれBPF20bの出力信号bpfが入力される。コンパレータ36aの他方の入力端子には、ノイズ検出レベルである閾値電圧Vth1(第1閾値電圧)が入力され、コンパレータ36bの他方の入力端子には、BPF20bの出力信号bpfのレベルを判定するピーク検出レベルである閾値電圧Vth2(第3閾値電圧)が入力され、コンパレータ36cの他方の入力端子には、第1信号検出レベルである閾値電圧Vth3(第2閾値電圧)が入力されている。閾値電圧Vth1〜Vth3は、Vth1<Vth3<Vth2という関係を有している。
コンパレータ36aは、BPF20bの出力信号bpfと閾値電圧Vth1とを比較し、BPF20bの出力信号bpfレベルが閾値電圧Vth1レベルを上回っている場合は、出力信号D1を出力する。同様に、コンパレータ36bは、BPF20bの出力信号bpfと閾値電圧Vth2とを比較し、BPF20bの出力信号bpfレベルが閾値電圧Vth2レベルを上回っている場合は、出力信号D2を出力し、コンパレータ36cは、BPF20bの出力信号bpfと閾値電圧Vth3とを比較し、BPF20bの出力信号bpfレベルが閾値電圧Vth3レベルを上回っている場合は、出力信号D3を出力する。
発振回路37は、例えば、BPF20bの中心周波数と同じ周波数で発振する。
図9は、論理回路38の構成を示している。
論理回路38は、カウンタ39a(第1カウンタ),39b(第2カウンタ)と、アップダウンカウンタ40a(第1アップダウンカウンタ),40b(第2アップダウンカウンタ)とを備えている。
カウンタ39aは、発振回路37の出力信号(クロック信号)oscをクロックとしてカウンタ動作を行う。所定パルス数カウントすると(例えば15ビット、215=32768パルスカウントする)、アンプ制御信号ct1(第1増幅回路制御信号)(ゲイン増加用)をアップダウンカウンタ40aに出力する。また、カウンタ39aは、発振回路37の出力信号oscをクロックとしてカウンタ動作を行い、所定パルス数カウントすると(例えば10ビット、210=1024パルスカウントする)、BPF制御信号ctB1(ゲイン増加およびQ値増加用)をアップダウンカウンタ40bに出力する。リセット端子RSTには、コンパレータ36cの出力D3が入力される。
アンプ制御信号ct1の時定数は、300msec以上であり、アンプ制御の時定数を設定する。また、BPF制御信号ctB1の時定数は、300msec以下であり、BPF制御の時定数を設定する。
カウンタ39bは、コンパレータ36aの出力信号D1をクロックとしてカウンタ動作を行う。所定パルス数カウントすると(例えば14ビット、214=16384パルスカウントする)、アンプ制御信号ct2(第2増幅回路制御信号)(ゲイン減少用)をアップダウンカウンタ40aに出力する。アンプ制御信号ct2の時定数は、300msec以上であり、アンプ制御の時定数を設定する。なお、アンプ制御信号ctの各出力数は、アンプ制御信号ct2の出力数>アンプ制御信号ct1の出力数という関係を有している。
アップダウンカウンタ40aは、カウンタ39aから出力されるアンプ制御信号ct1によりカウンタ動作を行い、アンプ制御信号ct11(第1制御信号)をアンプ34に出力し、アンプ34のゲインを増加させる。また、アップダウンカウンタ40aは、カウンタ39bから出力されるアンプ制御信号ct2によりカウンタ動作を行い、アンプ制御信号ct12(第2制御信号)をアンプ34に出力し、アンプ34のゲインを減少させる。
アップダウンカウンタ40bは、カウンタ39aから出力されるBPF制御信号ctB1によりカウンタ動作を行い、BPF制御信号ctB11(第3制御信号)をBPF20bに出力し、BPF20bのゲインおよびQ値を増加させる。また、アップダウンカウンタ40bは、コンパレータ36bの出力信号D2が入力され、このコンパレータ36bの出力信号D2によりカウンタ動作を行い、BPF制御信号ctB12(第4制御信号)をBPF20bに出力し、BPF20bのゲインおよびQ値を減少させる。
アップダウンカウンタ40bから出力されるBPF制御信号ctB11,ctB12は、BPF20bのレジスタ18に入力される。これにより、レジスタ18から表1に示すような調整信号SWが出力され、BPF20bのゲインおよびQ値が制御される。
以上のように、キャリア検出回路42aは、デジタル回路で実現可能であるため、チップサイズの縮小、これに伴いコストを低下させることができる。
次に、図10を用いて赤外線リモコン受信機50aの動作について説明する。図10は、赤外線リモコン受信機50aの各回路の動作波形を示している。なお、ここでは、インバータ蛍光灯ノイズが入射されており、その後、リモコン送信信号が入射される場合を例として説明する。
まず、赤外線リモコン受信機50aにインバータ蛍光灯ノイズが入射されると、電流―電圧変換回路32、アンプ34、およびBPF20bで然るべき処理が施されて、BPF20bの出力信号bpf(図中の信号bpf1)がキャリア検出回路42aのコンパレータ36a〜36cにそれぞれ入力される。これにより、図示のように、コンパレータ36aおよび36cから出力信号D1およびD3がそれぞれ出力される。
コンパレータ36cの出力信号D3によりカウンタ39aがリセットされ、これにより、カウンタ39aのカウンタ動作は停止する。コンパレータ36aの出力信号D1は、カウンタ39bに入力され、これにより、アンプ制御信号ct2が出力され、アップダウンカウンタ40aに入力される。アップダウンカウンタ40aでは、アンプ制御信号ct2により、アンプ制御信号ct12をアンプ34に出力し、アンプ34のゲインを減少させるようにアンプ34を制御する。
次に、上述のアンプ34のゲイン制御により、インバータ蛍光灯ノイズが減衰され、コンパレータ36cの出力信号D3が出力されなくなると、カウンタ39aのカウンタ動作が開始され、BPF制御信号ctB1がアップダウンカウンタ40bに出力される。これにより、アップダウンカウンタ40bでは、BPF制御信号ctB11をBPF20bに出力し、BPF20bのゲインおよびQ値を増加させるようにBPF20bを制御する。
その後、アンプ制御信号ct1がアップダウンカウンタ40aに出力され、これにより、アップダウンカウンタ40aでは、アンプ制御信号ct11をアンプ34に出力し、アンプ34のゲインを増加させるようにアンプ34を制御する。以上のようなアンプ34およびBPF20b制御により、インバータ蛍光灯ノイズは、コンパレータ36aの閾値電圧Vth1以下まで減衰される(図中の信号bpf2)、すなわち、誤動作を引き起こさないレベルまでノイズが低減される。これにより、インバータ蛍光灯ノイズによる誤動作を低減することができる。
次に、赤外線リモコン受信機50aにリモコン送信信号が入力されると、電流―電圧変換回路32、アンプ34、およびBPF20bで然るべき処理が施されて、BPF20bの出力信号bpf(図中の信号bpf3)がキャリア検出回路42aのコンパレータ36a〜36cにそれぞれ入力される。これにより、図示のように、コンパレータ36a〜36cから出力信号D1〜D3がそれぞれ出力される。コンパレータ36aの出力信号D1および発振回路37の出力信号oscにより、上述のようなアンプ34およびBPF20bの制御が行われる。
ここで、このコンパレータ36aの出力信号D1および発振回路37の出力信号oscにより行われる制御では、アンプ制御信号ct1およびアンプ制御信号ct2の時定数を300msec以上として十分な時定数を確保しているため、ゲインの急激な変動をなくすことができ、リモコン送信信号入力時に、安定した受信感度を得ることができる。
また、コンパレータ36cの出力信号D3が出力されている間は、カウンタ39aがリセットされるため、発振回路37の出力信号oscによる、アンプ34のゲイン増加制御、BPF20bのゲインおよびQ値増加制御が行われず、アンプ34のゲイン減少制御のみが行われるため、ゲインの変動(ばたつき)を小さくすることができ、リモコン送信信号入力時に、安定した受信感度を得ることができる。さらに、アンプ34のゲイン減少制御のみが行われるため、インバータ蛍光灯ノイズによる誤動作を低減できる。
また、上記制御と共に、コンパレータ36bの出力信号D2により、BPF20bの制御が行われる。コンパレータ36bの出力信号D2が出力された場合は、例えば上記従来技術で述べたような近距離での通信に相当し、コンパレータ36cの出力信号D3に波形歪が生じ、パルス幅が大きくなる等の問題が生じると判断され、BPF20bのゲインおよびQ値を制御する。
具体的には、コンパレータ36bの出力信号D2がアップダウンカウンタ40bに入力されると、アップダウンカウンタ40bは、BPF制御信号ctB12をBPF20bに出力し、BPF20bのゲインおよびQ値を減少させるようにBPF20bを制御する。これにより、BPF20bの出力信号bpfは、コンパレータ36bの閾値電圧Vth2以下まで減衰されるため(図中の信号bpf4)、BPF20bの出力信号bpfを最適にすることができ、受信不可能といった問題を生じない。また、コンパレータ36bの出力信号D2が出力されない場合は、BPF20bの制御は行われないため、高いQ値およびゲインを維持できる。また、アップダウンカウンタ20bに設定される時定数は小さいため、急速に制御できる。
ここで、コンパレータ36aの出力信号D1および発振回路37の出力信号oscにより行われる制御では、BPF20bのQ値が増加されている。この場合、BPF20bの安定性の低下や、BPF20bの出力信号bpfの波形歪が大きくなることによる受信感度の低下といった問題を生じる。しかしながら、上述のBPF20bの制御により、BPF20bのQ値が減少される制御が行われるため、上記のような問題を生じることがない。
次に、リモコン送信信号の入力が停止すると、カウンタ39aのみが動作を行い、ゲイン制御信号ctB1がアップダウンカウンタ40bに出力され、BPF制御信号ctB11により、BPF20bのゲインおよびQ値を増加させるようにBPF20bを制御する。その後、ゲイン制御信号ct1がアップダウンカウンタ40aに出力され、ゲイン制御信号ct11により、アンプ34のゲインを増加させるようにアンプ34を制御する。
なお、ここでは、インバータ蛍光灯ノイズを減衰させた後に、リモコン送信信号が入射される場合を例として説明したが、インバータ蛍光灯ノイズを減衰させる前に、リモコン送信信号が入力される場合も考えられる。この場合、コンパレータ36bの出力信号D2による、急速なBPF20bのゲインおよびQ値制御により対応可能であるため問題ない。
図11(a)は、コンパレータ36の具体的な構成を示しており、図11(b)および図11(c)は、コンパレータ36の動作の様子を示している。なお、MOSトランジスタQPは、Pチャンネル型MOSトランジスタであり、MOSトランジスタQNは、Nチャンネル型MOSトランジスタである。また、後述の実施の形態4におけるコンパレータ36dも同様の構成である。
コンパレータ36は、図11(a)に示すようなヒステリシスコンパレータである。まず、素子の接続関係について説明する。MOSトランジスタQP1およびMOSトランジスタQP2の各ソースは、互いに接続され、電流源I20を介して電源Vddに接続されている。MOSトランジスタQP1のゲートは、コンパレータ36の一方の入力端子であり、BPF20bの出力信号bpfが入力され、MOSトランジスタQP2のゲートは、コンパレータ36の他方の入力端子であり、閾値電圧Vth(閾値電圧Vth1〜Vth4の総称)が入力される。
MOSトランジスタQP1のドレインは、MOSトランジスタQN2とカレントミラー回路を構成するMOSトランジスタQN1のドレインに接続され、MOSトランジスタQP2のドレインは、MOSトランジスタQN3とカレントミラー回路を構成するMOSトランジスタQN4のドレインに接続されている。また、MOSトランジスタQP1のドレインは、MOSトランジスタQN3のドレインに接続され、MOSトランジスタQP2のドレインは、MOSトランジスタQN2のドレインに接続されている。
MOSトランジスタQN1のゲートは、MOSトランジスタQN5のゲートに接続され、MOSトランジスタQN3のゲートは、MOSトランジスタQN6のゲートに接続されている。MOSトランジスタQN5のドレインは、MOSトランジスタQP4とカレントミラー回路を構成するMOSトランジスタQP3のドレインに接続され、MOSトランジスタQN6のドレインは、MOSトランジスタQP4のドレインに接続されている。
また、MOSトランジスタQN6のドレインは、MOSトランジスタQP5およびMOSトランジスタQN7により構成されるCMOSインバータの入力端子に接続され、このCMOSインバータの出力端子がコンパレータ36の出力端子である。MOSトランジスタQP3およびMOSトランジスタQP4の各ソースは、電源Vddに接続され、MOSトランジスタQN1〜MOSトランジスタQN7の各ソースは、GNDに接続されている。
次に、図11(b)および図11(c)を用いて、コンパレータ36の動作を説明する。図11(b)は、BPF20bの出力信号bpfが大きい値から小さい値へと変化するときの動作を説明するものであり、図11(c)は、BPF20bの出力信号bpfが小さい値から大きい値へと変化するときの動作を説明するものである。なお、図11(b)および図11(c)における点線部分は、電流が流れていないことを示している。
まず、図11(b)の場合について説明する。図11(b)には、BPF20bの出力信号bpfの値が大きく、コンパレータ36の出力信号がHレベルとなる(出力信号D1〜D4が出力される)状態が図示されている。
BPF20bの出力信号bpf>Vth−ΔV1のとき、MOSトランジスタQP1には電流が流れておらず、MOSトランジスタQP2がオーバードライブ状態であるとすると、MOSトランジスタQN1にドレイン電流は流れないからMOSトランジスタQN2にもドレイン電流は流れない。従ってMOSトランジスタQN4がONする必要があり、MOSトランジスタQN3もONする。しかしMOSトランジスタQN3にはドレイン電流が流れないからMOSトランジスタQN3のドレイン・ソース間電圧Vds=0Vとなり、MOSトランジスタQN1・QN2のゲート電位はGNDになり、MOSトランジスタQN1・QN2はオフする。このとき、MOSトランジスタQN6がオンするため、MOSトランジスタQP5がオンし、コンパレータ36の出力信号がHレベルとなる。
BPF20bの出力信号bpfが減少してBPF20bの出力信号bpf=Vth−ΔV1となり、このときMOSトランジスタQP2のオーバードライブ状態が解除されてMOSトランジスタQP2のドレイン電流が減少可能になり、MOSトランジスタQP1およびMOSトランジスタQP2の両方にドレイン電流が流れるようになるとすると、MOSトランジスタQP1に流れるドレイン電流はMOSトランジスタQN3に流れるので、MOSトランジスタQP1のドレイン電流はMOSトランジスタQP2のドレイン電流のN倍になる。よって、MOSトランジスタQP1のドレイン電流M1={N/(N+1)}×I20、MOSトランジスタQP2のドレイン電流M2={1/(N+1)}×I20となり、差動対が平衡する。
また、このときのMOSトランジスタQP1とMOSトランジスタQP2とのゲート・ソース間電圧Vgsの差が、ΔVとなる。MOSトランジスタQP1とMOSトランジスタQP2とはソース電位が互いに等しいので、ドレイン電流M1、M2のW/L比(Wはゲート幅、Lはゲート長)を互いに等しいとし、MOSトランジスタQP1のゲート・ソース間電圧をVgs1、MOSトランジスタQP1のゲート・ソース間電圧をVgs2とすると、
Vth+Vgs2=Vth−ΔV1+Vgs1
より、
ΔV1=Vgs1−Vgs2
=21/2×Vov×{(N/(N+1))1/2−(1/(N+1))1/2} (15)
ただし、
Vov=(I20/(μ0×Cox×W/L))1/2
であり、μ0はキャリアの移動度、Coxはゲート絶縁膜の容量、Vovは、ヒステリシスがない場合(N=1)の、ドレイン電流M1・M2を流すためのMOSトランジスタQP1およびMOSトランジスタQP2のオーバードライブ電圧である。
次に、さらにBPF20bの出力信号bpfが減少してBPF20bの出力信号bpf<Vth−ΔV1となると、MOSトランジスタQP1のドレイン電流が増加しようとするためにMOSトランジスタQN3の電流も増加しようとする。しかし、MOSトランジスタQP1のドレイン電流が増加するとMOSトランジスタQP2のドレイン電流は減少しなければならないので、MOSトランジスタQN3の電流が増加することはできない。従って、MOSトランジスタQP1のドレイン電流がMOSトランジスタQN1のゲートを急速に充電してMOSトランジスタQN1をONさせる。これにより、MOSトランジスタQN3のドレイン・ソース間電圧Vdsは大きくなる。また、これに伴いMOSトランジスタQN2もオンする。
しかし、MOSトランジスタQN2はMOSトランジスタQN1のN倍の電流を流そうとするから、MOSトランジスタQP2の電流を増やそうとするが、MOSトランジスタQP2の電流は減少しなければならないのでMOSトランジスタQN2はMOSトランジスタQN4のゲートから電流を引き抜こうとし、MOSトランジスタQN3およびMOSトランジスタQN4のゲート電位が低下してMOSトランジスタQN3およびMOSトランジスタQN4はオフする。この電流引き抜きには限界があるので、限界に達したらMOSトランジスタQN2にはドレイン電流は流れなくなりそのドレイン・ソース間電圧Vdsが0Vとなり、MOSトランジスタQN3およびMOSトランジスタQN4のゲート電位はGNDとなる。結局MOSトランジスタQP2にはドレイン電流は流れなくなる。
このように、BPF20bの出力信号bpf=Vth−ΔV1のときの平衡は不安定で、BPF10bの出力信号bpf<Vth−ΔV1となったとたんに回路の電流分布が反転する。これにより、コンパレータ36の出力信号がLレベルとなる。
図11(c)では、図11(b)のようにしてコンパレータ36の出力信号がLレベルとなった状態から、逆にBPF20bの出力信号bpfレベルが上昇する場合の回路状態を示しており、まず、コンパレータ36の出力信号がLレベルの状態が図示されている。
図11(b)において、MOSトランジスタQP1およびMOSトランジスタQP2のソース電位は、BPF20bの出力信号bpf=Vth−ΔV1の状態からBPF20bの出力信号bpf<Vth−ΔV1となる瞬間に比べて、BPF20bの出力信号bpf<Vth−ΔV1となった後の方が高くなる。これは、この状態移行が正帰還により行われて、少しでもBPF20bの出力信号bpf<Vth−ΔV1となると、MOSトランジスタQP1がオーバードライブ状態となるためである。従って、図11(c)でコンパレータ36の出力信号がLレベルの状態からBPF20bの出力信号bpfレベルが上昇するときには、BPF20bの出力信号bpfがVth−ΔV1よりも大きいVth+ΔV2にまで上昇しないと、MOSトランジスタQP1のドレイン電流が減少してMOSトランジスタQP2にドレイン電流が流れるようにはならない。これにより、BPF20bの出力信号bpf<Vth+ΔV2のときには、MOSトランジスタQP1にはドレイン電流が流れ、MOSトランジスタQP2にはドレイン電流が流れない状態となり、電流分布はBPF20bの出力信号bpf<Vth−ΔV1と同じになる。従って、コンパレータ36の出力信号がLレベルとなる。
BPF20bの出力信号bpfレベルが上昇してVth+ΔV2になると、MOSトランジスタQP1およびMOSトランジスタQP2の両方にドレイン電流が流れる状態となる。
このとき、MOSトランジスタQP1のドレイン電流M1={1/(N+1)}×I20、MOSトランジスタQP2のドレイン電流M2={N/(N+1)}×I20となって差動対が平衡する。このとき、
Vth+Vgs2=Vth+ΔV2+Vgs1
より、
ΔV2=Vgs2−Vgs1
=21/2×Vov×{(N/(N+1))1/2−(1/(N+1))1/2} (16)
となる。従って、式(15)および式(16)から、
ΔV1=ΔV2=ΔV
となって、Vth−ΔV1とVth+V2とはVthに対して対称な位置にある。
次に、さらにBPF20bの出力信号bpfレベルが上昇してBPF20bの出力信号bpf>Vth+ΔV2となると、電流分布はBPF20bの出力信号bpf>Vth−ΔV1のときの電流分布と等しくなり、コンパレータ36の出力信号がHレベルとなる。このとき、正帰還の作用により、MOSトランジスタQP1にはドレイン電流が流れなくなり、MOSトランジスタQP2はオーバードライブ状態となる。この状態からBPF20bの出力信号bpfレベルが減少すると、図11(b)で説明した変化が起こる。
コンパレータ36を以上のようなヒステリシスコンパレータとすることで、BPF20bの出力信号bpfが、閾値電圧Vth付近の場合でも、出力D1〜出力D3のパルス幅が大きくなり、カウンタ39a,39bを確実にトリガすることができる。
図12(a)は、発振回路37の具体的な構成を示しており、図12(b)は、その動作波形を示している。なお、図中の周期toscは、発振回路の出力信号oscの周期である。まず、発振回路37の素子の接続関係を説明する。
MOSトランジスタQP11、MOSトランジスタQP12、およびMOSトランジスタQP13の各ソースは、電源Vddに接続され、MOSトランジスタQP11のドレインは、MOSトランジスタQP13とカレントミラー回路を構成するMOSトランジスタQP12のドレインに接続され、MOSトランジスタQP11のドレインおよびMOSトランジスタQP12のドレインは、電流源I21を介してGNDに接続されている。MOSトランジスタQN11、MOSトランジスタQN12、およびMOSトランジスタQN13の各ソースは、GNDに接続され、MOSトランジスタQN11のドレインは、MOSトランジスタQN13とカレントミラー回路を構成するMOSトランジスタQN12のドレインに接続され、MOSトランジスタQN11のドレインおよびMOSトランジスタQN12のドレインは、電流源I22を介して電源Vddに接続されている。
MOSトランジスタQP13のドレインおよびMOSトランジスタQN13のドレインは、互いに接続され、この接続点とGNDとの間には、MOSトランジスタQN14およびコンデンサC20が並列に接続されている。また、上記接続点には、コンパレータ47aの反転入力端子およびコンパレータ47bの非反転入力端子がそれぞれ接続されている。コンパレータ47aの非反転入力端子には、閾値電圧Vth12が入力され、コンパレータ47bの反転入力端子には、閾値電圧Vth11が入力されている。閾値電圧Vth11および閾値電圧Vth12は、閾値電圧Vth11<閾値電圧Vth12という関係を有している。
コンパレータ47aの出力端子は、セットリセットフリップフロップ(以下、単に、SRFFと記載)のセット端子Sに接続され、コンパレータ47bの出力端子は、リセット端子Rに接続されている。SRFFの出力端子Qバーは、MOSトランジスタQP11およびMOSトランジスタQN11の各ゲートに接続されている。MOSトランジスタQN14のゲートには、外部から発振回路37をリセットするためのリセット信号が入力される。SRFFの出力端子Qが発振回路37の出力端子である。
次に、図12(b)を用いて、発振回路37の動作を説明する。
まず、SRFFの出力端子QからLレベルの信号が出力されるとする。これにより、電流源I21の出力電流が、MOSトランジスタQP12およびMOSトランジスタQP13からなるカレントミラー回路を介してコンデンサC20に流れ、コンデンサC20を充電する。なお、このとき、電流源I22の出力電流は、オン状態にあるMOSトランジスタQN11によりGNDへ流れるため、コンデンサC20の充電に寄与しない。
上記充電により、コンデンサC20の電位Coscが徐々に上昇し、コンパレータ47aの閾値電圧Vth12を上回ると、コンパレータ47aの出力信号がLレベルとなる。このとき、コンデンサC20の電位Coscは、当然閾値電圧Vth11を上回っているため、コンパレータ47bの出力信号はHレベルであり、これにより、SRFFの出力端子QからHレベルの信号が出力される。
次いで、SRFFの出力端子QからHレベルの信号が出力されたことにより、MOSトランジスタQN11がオフし、電流源I22の出力電流によりMOSトランジスタQN12およびMOSトランジスタQN13がオンして、コンデンサC20の電位Coscを放電する。この結果、コンデンサC20の電位Coscが徐々に減少し、コンパレータ47bの閾値電圧Vth11を下回ると、コンパレータ47bの出力信号がLレベルとなる。このとき、コンデンサC20の電位Coscは、当然閾値電圧Vth12を下回っているため、コンパレータ47aの出力信号はHレベルであり、これにより、SRFFの出力端子QからLレベルの信号が出力される。このような動作を繰り返すことにより、図1で示すような出力信号oscを出力する。
発振回路37の発振周波数foscは、以下の式(17)により求められる。なお、式(33)は、電流源I21の出力電流値と電流源I22の出力電流値とを等しくした場合である。式(33)から明らかであるように、電流源I21の出力電流値または電流源I22の出力電流値、あるいは双方の出力電流値を制御することで、発振周波数foscを制御できる。
fosc=I/(2×C20×(Vth12−Vth11)) (17)ただし、
I:電流源I21および電流源I22の出力電流値
である。
ここで、発振周波数foscは、BPF20bの中心周波数と同一の周波数であることが好ましい。コンパレータ36は、BPF20bの出力信号を比較するため、その出力信号の周波数は、BPF20bの中心周波数となる。従って、発振回路37の発振周波数foscを、BPF20bの中心周波数と同一の周波数とすることにより、双方の出力信号の時間ズレを低減でき、論理回路38の誤動作を低減できる。また、発振周波数foscは、BPF20bの中心周波数より小さい周波数であることが好ましい。発振周波数foscをBPF20bの中心周波数より小さい周波数とすることで、発振回路37の出力信号oscによりカウンタ動作を行うカウンタ39aの時定数を、カウンタのbit数を増大させることなく、大きくすることができる。
図13は、カウンタ39の具体的な構成を示している。
カウンタは、4ビット同期式バイナリカウンタであり、排他的論理和回路(以下、単にEXORと記載)、AND回路(以下、単にANDと記載)、およびDフリップフロップ(以下、単にDFFと記載)からなるカウンタ部48が4段設けられている。なお、出力Q0はDFF0の出力であり、出力Q1はDFF1の出力である。その他のDFFについても同様である。
n段目のカウンタ部48において、EXORの一方の入力端子には、n−1段目のカウンタ部48が有するANDの出力端子が接続され、他方の入力端子には、n段目のカウンタ部48が有するDFFの出力端子Qが接続される。EXORの出力端子には、n段目のカウンタ部48が有するDFFの入力端子Dが接続されている。なお、初段のカウンタ部48に備えられているEXORの一方の入力端子のみ、下位からの桁上げ信号cinが入力される。
各段のカウンタ部48が有するANDには、下位からの桁上げ信号cin、n段目のカウンタ部48が有するDFFの出力、および全前段(n−1段、n−2段…初段)のDFFの出力が入力される。例えば、図中のカウンタ部48aをn段目のカウンタ部48とした場合、カウンタ部48aが有するAND3は、下位からの桁上げ信号cin、n段目のカウンタ部48が有するDFFの出力であるDFF3の出力Q3、および全前段のDFFの出力である、DFF0の出力Q0(初段)とDFF1の出力Q1(n−2段)とDFF2の出力Q2(n−1段)とが入力される。
カウンタ39は、上述のような構成を有し、クロックCLKの入力に対し、0000〜1111までパルスをカウントする。なお、最終段のカウント部48が有するAND(上記AND3)は、各段が有するDFFの出力が「1111」のとき、桁上げ用信号cinを出力し、上位のカウンタに入力する。これにより、多bitのカウンタを構成できる。赤外線リモコン受信機50aの場合、BPF20bの中心周波数は一般的な仕様で40kHzであり、パルス周期25secである。従って、25μsec×214=0.4096secより、14bit以上で300msec以上の時定数が得られる。
図14は、アップダウンカウンタ40の具体的な構成を示している。
アップダウンカウンタ40は、7ビット同期式バイナリカウンタであり、7段設けられた、2つのEXOR、AND、およびDFFからなるカウンタ部49と、全段のカウンタ部49が有するEXOR1の出力A0〜A6が入力されるAND5により構成されている。AND5は、全段のカウンタ部49が有するEXOR1の出力が「1」のとき、桁上げ用信号Cinaを出力し、上位のカウンタに入力する。
n段目のカウンタ49において、EXOR1の一方の入力端子には、カウント制御信号UDが入力され、他方の入力端子は、n段目のカウンタ部49が有するEXOR2の他方の入力端子と接続されると共に、n段目のカウンタ部49が有するDFFの出力端子Qに接続されている。n段目のカウンタ部49が有するANDには、n−1段目のカウンタ部49が有するANDの出力端子とEXOR1の出力端子とが接続され、その出力端子は、上記EXOR2の一方の入力端子に入力されると共に、上記EXOR1の出力端子と共に、n+1段目のカウンタ部49が有するANDに接続される。上記EXOR2の出力端子は、DFFの入力端子Dに接続されている。初段のカウンタ部49が有するANDには、イネーブル信号ENと下位からの桁上げ用信号Cinaとが入力される。
アップダウンカウンタ40は、上述のような構成を有し、クロックCLKの入力に対し、0000000〜1111111までパルスをカウントする。なお、カウント制御信号UDにHレベルの信号が入力された場合、アップカウントが行われ、Lレベルの信号が入力された場合、ダウンカウントが行われる。
ここで、カウンタ39およびアップダウンカウンタ40は、それぞれスキャンパスを備え、シフトレジスタ動作を可能とすることができる。そして、所定時であるウェハテスト時に、カウンタ39およびアップダウンカウンタ40を同一クロックCLK入力で動作させることで(通常時は、それぞれ異なるクロックCLK入力で動作)、テスト設計が容易になり、故障検出率を向上することができる。
図15(a)は、カウンタ39およびアップダウンカウンタ40に用いられるDFFの具体的な構成例を示しており、図15(b)および図15(c)は、DFFの動作の様子を示している。DFFは、クロックトインバータ(以下、単にインバータINと記載)、AND、およびNOR回路(以下、NORと記載)により構成されている。まず、素子の接続関係について説明する。
DFFの入力端子Dには、インバータIN1が接続され、インバータIN1の出力端子は、AND11の他方の入力端子に接続されている。AND11の一方の入力端子には、DFFの出力を設定するためのH出力設定端子OS(初期値設定手段)が接続されている。AND11の出力端子は、NOR1の他方の入力端子に接続され、NOR1の一方の入力端子には、DFFをリセットするための、L出力設定端子であるリセット端子RST(初期値設定手段)が接続されている。NOR1の出力端子には、インバータIN2が接続され、インバータIN2の出力端子は、AND11の他方の入力端子に接続されている。
また、NOR1の出力端子には、インバータIN3が接続され、インバータIN3の出力端子は、AND12の他方の入力端子に接続されている。AND12の一方の入力端子には、H出力設定端子OSが接続されている。AND12の出力端子は、NOR2の他方の入力端子に接続され、NOR2の一方の入力端子には、リセット端子RSTが接続されている。NOR2の出力端子には、インバータIN4が接続され、インバータIN4の出力端子は、インバータIN3の出力端子に接続されている。NOR2の出力端子が、DFFの出力端子Qであり、インバータIN4の出力端子がDFFの出力端子Qバーである。
次に、図15(b)および図15(c)を用いてDFFの動作を説明する。図15(b)は、クロックCLKとしてHレベルの信号が入力された場合を示しており、図15(c)は、クロックCLKとしてLレベルの信号が入力された場合を示している。DFFは、上述のように、H出力設定端子OSおよびリセット端子RSTを備えていることにより、DFFの出力を設定することができる。具体的には、H出力設定端子OSにLレベルの信号を入力した場合、DFFの出力を「H」とすることができ、リセット端子RSTにHレベルの信号を入力した場合、DFFをリセットする、すなわちDFFの出力を「L」とすることができる。以下、それぞれの場合について説明する。
まず、図15(b)に示すように、クロックCLKとしてHレベルの信号を入力し、リセット端子RSTにHレベルの信号を入力してDFFの出力を「L」とする場合について説明する。
図15(b)に示すように、クロックCLKとしてHレベルの信号が入力されると、インバータIN1およびインバータIN4がハイインピーダンス状態となる。そして、リセット端子RSTにHレベルの信号を入力することにより、NOR1の一方の入力端子にHレベルの信号を入力され、この結果、AND11の出力がいかなるレベルであろうと、NOR1の出力がLレベルとなるため、AND11とNOR1とを、出力がLレベルとなる1つのインバータとみなすことができる(図中のIN11)。同様に、AND12とNOR2とを、出力がLレベルとなる1つのインバータとみなすことができる(図中のIN12)。これにより、DFFの出力を「L」とすることができる。
次に、図15(c)に示すように、クロックCLKとしてLレベルの信号を入力し、リセット端子RSTにHレベルの信号を入力してDFFの出力を「L」とする場合について説明する。
この場合は、インバータIN2およびインバータIN3がハイインピーダンス状態となる。そして、AND11とNOR1とを、出力がLレベルとなるIN11とみなすことができ、AND12とNOR2とを、出力がLレベルとなるインバータIN12とみなすことができる。これにより、DFFの出力を「L」とすることができる。
次に、図15(b)に示すように、クロックCLKとしてHレベルの信号を入力し、H出力設定端子OSにLレベルの信号を入力してDFFの出力を「H」とする場合について説明する。
図15(b)に示すように、クロックCLKとしてHレベルの信号が入力されると、インバータIN1およびインバータIN4がハイインピーダンス状態となる。そして、H出力設定端子OSにLレベルの信号を入力することにより、AND11の一方の入力端子にLレベルの信号が入力され、この結果、AND11の出力が必ずLレベルとなる。NOR1の一方の入力端子には、リセット端子RSTによりLレベルの信号が入力されるため、NOR1の出力は必ずHレベルとなり、この結果、AND11とNOR1とを、出力がHレベルとなる1つのインバータとみなすことができる(図中のIN11a)。同様に、AND12とNOR2とを、出力がHレベルとなる1つのインバータとみなすことができる(図中のIN12a)。これにより、DFFの出力を「H」とすることができる。
次に、図15(c)に示すように、クロックCLKとしてLレベルの信号を入力し、H出力設定端子OSにLレベルの信号を入力してDFFの出力を「H」とする場合について説明する。
この場合は、インバータIN2およびインバータIN3がハイインピーダンス状態となる。そして、AND11とNOR1とを、出力がHレベルとなるIN11aとみなすことができ、AND12とNOR2とを、出力がHレベルとなるインバータIN12aとみなすことができる。これにより、DFFの出力を「H」とすることができる。
以上のように、DFFは、H出力設定端子OSにLレベルの信号を入力することにより、また、リセット端子RSTにHレベルの信号を入力することにより、DFFの出力を設定することができる。これにより、電源投入時に、アンプ34のゲイン、BPF20bのゲインおよびQ値を設定することができる。この結果、アンプ34のゲイン、BPF20bのゲインおよびQ値を使用環境に応じて適宜最適な値に設定することができるため、使用環境に適切に対応した赤外線リモコン受信機50aを実現することができる。
〔実施の形態4〕
本発明に係る他の実施形態について、図16〜図18に基づいて説明すると以下の通りである。
図16は、赤外線リモコン受信機50bの構成を示している。なお、図8に示した、赤外線リモコン受信機50aと同一の符号を付した部材は同一の機能を有するものとし、その動作等については特に説明しない。
赤外線リモコン受信機50bは、赤外線リモコン受信機50aの構成に、キャリア検出回路42aとしてのキャリア検出回路42bを備えた構成である。
キャリア検出回路42bは、キャリア検出回路42aの構成に、コンパレータ36d(第4比較回路)、論理回路38としての論理回路38a、およびセレクタ回路41を備えている。コンパレータ36dの一方の入力端子には、BPF20bの出力信号bpfが入力され、他方の入力端子には、第2信号検出レベルである閾値電圧Vth4(第4閾値電圧)が入力されている。閾値電圧Vth1〜Vth4は、Vth1<Vth3<Vth4<Vth2という関係を有している。
図17は、論理回路38aの構成例を示している。
論理回路38aは、論理回路38とほぼ同一の構成であるが、アップダウンカウンタ40bとしてアップダウンカウンタ40bbを備えている。アップダウンカウンタ40bbは、BPF20bの制御を行うと共に、セレクタ回路41の制御を行う。より具体的には、コンパレータ36bの出力信号D2が入力された場合、セレクタ回路41にセレクタ制御信号ctSを出力する。
セレクタ回路41は、コンパレータ36cの出力信号D3とコンパレータ36dの出力信号D4とが入力され、この2つの出力信号からキャリアを選択する。キャリアの選択は、上述の論理回路38aにおけるアップダウンカウンタ40bbから出力されるセレクタ制御信号ctSに基づいて選択する。ここでは、一例として、セレクタ制御信号ctSが入力された場合、キャリアとしてコンパレータ36dの出力信号D4を出力する。
このように、コンパレータ36bの出力信号D2が出力された場合に、すなわち、コンパレータ36cの出力信号D3のパルス幅が大きくなる等の問題が生じると判断される場合に、コンパレータ36dの出力信号D4がキャリアとして後段の回路に出力されることで、リモコン送信信号に対して適切なキャリアを出力でき、受信不可能といった問題を生じることがない。また、閾値電圧Vth2より大きいレベルの閾値電圧Vth4で比較されたコンパレータ6dの出力信号D4をキャリアとして出力するため、よりインバータ蛍光灯ノイズによる誤動作を低減できる。
さらに、本実施形態4の構成では、リモコン送信信号入力時の急なインバータ蛍光灯ノイズの発生(例えば、急に蛍光灯を点灯させることにより生じる)にも対応できる。図18を用いて説明する。図18は、急なインバータ蛍光灯ノイズが発生した場合の、赤外線リモコン受信機50bの各回路の動作波形を示している。
図示のように、急なインバータ蛍光灯ノイズが発生しても(図中の信号bpf5)、ノイズ発生以前に、コンパレータ36bの出力信号D2が出力されたことにより、セレクタ回路41からは、コンパレータ36dの出力信号D4がキャリアとして出力されている。これにより、急なインバータ蛍光灯ノイズによる誤動作を防ぐことができる。
なお、本発明に係る赤外線リモコン受信機は、上記実施の形態3および4で示した構成に限られるわけではなく、図19に示す赤外線リモコン受信機50cの構成も取り得る。赤外線リモコン受信機50cは、赤外線リモコン受信機50aの構成と同様な構成を有しているが、キャリア検出回路42aに代えて、単にキャリアの検出のみを行うキャリア検出回路35を備え、キャリア検出回路35の出力とBPF20bの出力とが積分回路43に入力される。赤外線リモコン受信機50cでも、アンプ34およびBPF20bを備えているため、ダイナミックレンジを減少することなく、電源ノイズ除去特性を向上させることができる。
〔実施の形態5〕
本発明に係る他の実施形態について、図20に基づいて説明すると以下の通りである。
上記実施の形態3および4では、本発明に係るBPFを赤外線リモコン受信機に適応させた場合を説明したが、赤外線リモコン受信機に限らず、光空間伝送送受信機(赤外線信号処理回路)(伝送レート2.4kbps〜115.2kbps,1.152Mbps,4Mbps、空間伝送距離約1m)、およびIrDA Control(赤外線信号処理回路)(伝送レート75kbps、副搬送波1.5MHz、空間伝送距離1m以上)に適応させることもできる。本実施形態では、一例として、本発明に係るBPF(BPF20b)をIrDA Controlに適応させた場合を示す。
図20は、IrDA Control80の構成を示している。なお、図1に示した赤外線リモコン受信機50aと同一の符号を付した部材は同一の機能を有するものとし、その動作等については特に説明しない。
IrDA Control80は、双方向通信のため、送信部60および受信部70を備えている。送信部60は、LEDとその駆動回路を備えている。受信部70は、赤外線リモコン受信機50aと同様な構成であるが、IrDA Controlは、副搬送波が1.5MHzであるため、中心周波数を1.5MHzとしたBPF20bとしてのBPF20ba、および発振周波数foscを1.5MHzとした発振回路37としての発振回路37aを備えている。
IrDA Control80は、上述のような構成を有することにより、例えばインバータ蛍光灯ノイズを低減すると共に、BPF出力の波形歪を低減することができる。また、アンプ34およびBPF20baを備えているため、ダイナミックレンジを減少することなく、電源ノイズ除去特性を向上させることができる。
なお、IrDA Control80の構成は、上述のような構成に限られるわけではなく、上記各実施形態で示した構成を適宜取り得ることは言うまでもない。例えば、図21に示すIrDA Control80aの構成も取り得る。IrDA Control80aは、IrDA Control80の構成と同様な構成を有しているが、受信部70に代えて、受信部70aを備えている。受信部70aは、赤外線リモコン受信機50cの構成と同様な構成を有しているが、BPF20bに代えて、中心周波数を1.5MHzとしたBPF20baを備えている。IrDA Control80aにおいても、例えばインバータ蛍光灯ノイズを低減すると共に、BPF出力の波形歪を低減することができる。また、アンプ34およびBPF20baを備えているため、ダイナミックレンジを減少することなく、電源ノイズ除去特性を向上させることができる。
以上、各実施形態で示した本発明の赤外線信号処理回路は、従来の構成が生じていた各種問題を生じることがない。以下、その点について説明する。
まず、特許文献2のデータ伝送システムでは、ある時間範囲Tcheckを設け、この時間範囲Tcheck中に、休止期間Tdが発生したか否かにより赤外線信号かノイズかを判別して、ノイズである場合は、増幅器の制御を行っている。しかしながら、このデータ伝送システムでは、赤外線信号が使用するメーカによって異なっていることにより(例えば、NECコード、sonyコード、RCMMコード等、十数種類)、赤外線信号によっては休止期間Tdに適合しないものがあり、そのような赤外線信号を受信できないという問題を生じていた。また、特許文献6において指摘されているように、ゲイン調整速度が遅く、急なノイズの発生に対応できないという問題を生じていた。
しかしながら、例えば赤外線リモコン受信機50aでは、特許文献2とは異なり赤外線信号のパターンを検出する構成ではないため、あらゆる赤外線信号に対応することができる。また、赤外線リモコン受信機50bでは、セレクタ回路41により、急なノイズの発生にも対応できる。
また、特許文献3には、BPFの出力信号を復調し、この復調した信号をトリガとしてアンプおよびBPFを制御する受信機回路が開示されている。しかしながら、この受信機回路は、インバータ蛍光灯ノイズが高照度で入射した場合は、BPFの出力信号がノイズで飽和し、復調された信号が常時Lレベルとなるためトリガとして利用できず、アンプおよびBPFの制御が行えないという問題を生じていた。
しかしながら、例えば赤外線リモコン受信機50aでは、BPF10bの出力信号bpfを比較した比較回路36の出力信号により制御を行う構成であり、BPF10bが振動している限り、制御が必要な場合に比較回路36の出力信号がなくなることはないため、特許文献3のような制御不能の事態を生じることがない。
また、特許文献4には、BPFの出力信号を検出し、BPFのQ値を増大させることによりノイズの低減を行うリモコン受光装置が開示されている。しかしながら、BPFのQ値を増加させると、BPFの安定性の低下という問題や、BPFの出力信号の波形歪が大きくなることによる受信感度の低下という問題を生じる。この問題について、図22を用いて説明する。図22(a)は、BPFの極配置を示し、図22(b)は、BPFの出力信号波形を示している。なお、
まず、BPFの安定性について述べる。BPFの伝達関数を式(18)に、BPFの極p1・p2を式(19)に示す。
H(s)=(H×ω0s/Q)/(s2+ω0s/Q+ω02) (18)
p1=(−ω0/2/Q,ω0(1−(1/2Q)2)1/2)
p2=(−ω0/2/Q,−ω0(1−(1/2Q)2)1/2) (19)
図22(a)に示すように、BPFのQ値を増加させることにより極配置が右半平面に近づく。この結果、負帰還回路において、極配置が右半平面に存在するとき、系は不安定となるというナイキストの安定判別法に基づき、BPFが不安定になり、発振などの問題を生じる。
次に、BPFの出力信号の波形歪について述べる。BPFの正弦波応答については、正弦波のラプラス変換を式(20)とし、H(s)F(s)の逆ラプラス変換を行うことで得ることができる(式(7))。
F(s)=L(sin(ω0t))=ω0/(s2+ω02) (20)
L−1(H(s)F(s))=H(1−exp(−ω0t/2/Q))sin(ω0t) (21)
式(21)における(1−exp(−ω0t/2/Q))が波形歪に影響するため、Q値を増加させることで波形歪みが大きくなることがわかる。そして、BPFの出力信号の波形歪が大きくなれば、受信感度が低下する。特に、リモコン送信信号のベース周波数のパルス幅が小さいとき、波形歪は相対的に大きくなる。従って、BPFのQ値は、一般的に10〜15程度に設定される。
しかしながら、例えば赤外線リモコン受信機50aでは、コンパレータ36bの出力信号D2が出力されることにより、アンプ34のゲイン、BPF20bのゲインおよびQ値が大きいと判断し、BPF20bのゲインおよびQ値を減少させるように、急速にBPF20bの制御を行う。このため、上記のような問題を生じることがない。
また、特許文献5には、キャリアを検出するための基準レベル電圧を、検出したノイズレベル電圧等により生成する赤外線信号処理回路が開示されている。該赤外線信号処理回路では、赤外線信号入力時に上記基準電圧レベルが変動すると受信感度が低下するため、大きい時定数の積分回路で、上記基準電圧レベルを平滑する必要がある。このため、上記赤外線信号処理回路に内蔵される積分回路の容量は大きくなり、チップサイズの増大、これに伴うコストの増加という問題を生じていた。
しかしながら、例えば赤外線リモコン受信機50aでは、論理回路38に大きな時定数を設定することができるため、積分回路の容量を低減できる。
また、特許文献6には、ゲイン調整回路の時定数を小さくすることで、急なインバータ蛍光灯ノイズの発生に対応したゲイン調整回路が開示されている。しかしながら、この場合、上記ゲイン調整回路の時定数が小さいため、受信感度が低下するという問題を生じていた。
しかしながら、赤外線リモコン受信機50bでは、セレクタ回路41により信号検出レベルを適宜変更させることで、受信感度を低下させることなく、急なインバータ蛍光灯ノイズによる誤動作も低減できる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
電池駆動等の低電圧での動作を要求されるデバイスに好適に用いることができる。
本発明の参考例に係る演算増幅回路の構成を示す図である。 上記演算増幅回路の具体的な構成を示す図である。 上記演算増幅回路の他の参考例の具体的な構成を示す図である。 本発明の他の実施形態に係るバンドパスフィルタ回路の構成を示す図である。 上記バンドパスフィルタ回路が備えるトランスコンダクタンスアンプ回路の具体的な構成を示す図である。 上記トランスコンダクタンスアンプ回路のトランスコンダクタンスを調整するための構成を示す図である。 上記バンドパスフィルタ回路の参考例を示す図である。 本発明の他の実施形態に係る赤外線リモコン受信機の構成を示す図である。 上記赤外線リモコン受信機が備える論理回路の構成を示すブロック図である。 上記赤外線リモコン受信機が備える各回路の動作波形を示す図である。 (a)は、上記赤外線リモコン受信機が備えるコンパレータの具体的な構成を示す回路図であり、(b)および(c)は、その動作の様子を示す図である。 (a)は、上記赤外線リモコン受信機が備える発振回路の具体的な構成を示す回路図であり、(b)は、その動作波形を示す図である。 上記論理回路が備えるカウンタの具体的な構成を示す図である。 上記論理回路が備えるアップダウンカウンタの具体的な構成を示す図である。 (a)は、上記カウンタおよび上記アップダウンカウンタが備えるDフリップフロップの具体的な構成を示す図であり、(b)および(c)は、その動作の様子を示す図である。 本発明の他の実施形態に係る赤外線リモコン受信機の構成を示す図である。 上記図16に示す赤外線リモコン受信機が備える論理回路の構成を示すブロック図である。 上記図16に示す赤外線リモコン受信機が備える各回路の動作波形を示す図である。 本発明に係る赤外線リモコン受信機の他の構成例を示す図である。 本発明の他の実施形態に係るIrDA Controlの構成を示す図である。 本発明に係るIrDA Controlの他の構成例を示す図である。 BPFの安定性および出力信号の波形歪を説明する図であり、(a)は、BPFの極配置を示す図であり、(b)は、BPFの出力信号波形を示す図である。 従来技術を示すものであり、赤外線リモコン受信機の構成を示す図である。 上記図23に示す赤外線リモコン受信機が備える各回路の動作波形を示す図である。 従来技術を示すものであり、電源ノイズ除去特性の向上が可能な赤外線リモコン受信機の構成を示す図である。 上記図25に示す赤外線リモコン受信機が備える演算増幅回路の構成を示す図である。
符号の説明
1、1a、11、12、13 トランスコンダクタンスアンプ回路
2、2a、14、15 コモンモードフィードバック回路
3、3a 電圧供給回路
5、5a 演算増幅回路
16、17、18 レジスタ(調整手段)
20、20a、20b バンドパスフィルタ回路
31 フォトダイオードチップ(受光素子)
34 アンプ(増幅回路)
42a、42b キャリア検出回路
50a、50b、50c 赤外線リモコン受信機(赤外線信号処理回路)
80、80a IrDA Control(赤外線信号処理回路)
C1 コンデンサ(第4コンデンサ)
C11、C12、C13 コンデンサ(第1〜第3コンデンサ)
ZL 出力負荷

Claims (8)

  1. 差動入力電圧を差動出力電流に変換する第1トランスコンダクタンスアンプ回路と、差動入力電圧を差動出力電流に変換する第2トランスコンダクタンスアンプ回路と、差動入力電圧を差動出力電流に変換する第3トランスコンダクタンスアンプ回路と、
    上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧と基準電圧とが入力され、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧の直流電圧レベルを上記基準電圧と等しくするように、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路に第1制御信号を出力する第1コモンモードフィードバック回路と、
    上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧と上記基準電圧とが入力され、上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の差動出力電圧の直流電圧レベルを上記基準電圧と等しくするように、上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路に第2制御信号を出力する第2コモンモードフィードバック回路と、
    上記基準電圧として、電源電圧の影響の少ない電圧を上記第1コモンモードフィードバック回路および上記第2コモンモードフィードバック回路に供給する電圧供給回路と、
    第1コンデンサと、第2コンデンサと、第3コンデンサとを備え、
    非反転入力端子が、上記第1コンデンサを介して、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部と上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転入力部とに接続され、
    反転入力端子が、上記第2コンデンサを介して、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の反転出力部と上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の反転入力部に接続され、
    上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部が、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の反転入力部と、上記第3トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転入力部および反転出力部と、上記第3コンデンサの一端とに接続され、
    上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の反転出力部が、上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転入力部と、上記第3トランスコンダクタンスアンプ回路の反転入力部および非反転出力部と、上記第3コンデンサの他端とに接続され、
    上記第3トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部が、反転出力端子であり、上記第3トランスコンダクタンスアンプ回路の反転出力部が、非反転出力端子であり、
    上記第1トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部および反転出力部が、上記第1コモンモードフィードバック回路の入力端子であり、
    上記第2トランスコンダクタンスアンプ回路の非反転出力部および反転出力部が、上記第2コモンモードフィードバック回路の入力端子であり、
    上記各回路は、電源端子から電源電圧が供給されることを特徴とするバンドパスフィルタ回路。
  2. 上記電圧供給回路は、ソースが上記電源端子に接続されていると共に、ゲートとドレインとが互いに接続されている第1MOSトランジスタと、
    上記第1MOSトランジスタのゲートとドレインとの接続点にソースが接続され、ゲートとドレインとが互いに接続されてグラウンド端子に接続されている第2MOSトランジスタとを備え、
    上記第1MOSトランジスタのゲートとドレインとの接続点から、上記電圧が取り出されることを特徴とする請求項1に記載のバンドパスフィルタ回路。
  3. 上記電圧供給回路は、ソースが電源端子に接続されていると共に、ゲートとドレインとが互いに接続されている第1MOSトランジスタと、
    上記第1MOSトランジスタのゲートとドレインとの接続点にソースが接続され、ゲートとドレインとが互いに接続されてグランド端子に接続されている第2MOSトランジスタと、
    上記第2MOSトランジスタに並列に接続された第4コンデンサとを備え、
    上記第1MOSトランジスタのゲートとドレインとの接続点から、上記電圧が取り出されることを特徴とする請求項1に記載のバンドパスフィルタ回路。
  4. 上記各コモンモードフィードバック回路は、MOSトランジスタを有し、上記コモンモードフィードバック回路が備えている定電流源の出力インピーダンスを大きくするカスコード回路を備えていることを特徴とする請求項1に記載のバンドパスフィルタ回路。
  5. 上記バンドパスフィルタ回路は、少なくとも1つのトランスコンダクタンスアンプ回路のトランスコンダクタンスを調整する調整手段を備えていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のバンドパスフィルタ回路。
  6. 請求項1〜4のいずれか1項に記載のバンドパスフィルタ回路を備えていることを特徴とする赤外線信号処理回路。
  7. 受光した赤外線信号を電気信号に変換する受光素子と、
    上記電気信号を増幅する増幅回路と、
    増幅された電気信号からキャリア周波数成分を取り出す、請求項5に記載のバンドパスフィルタ回路と、
    上記バンドパスフィルタ回路の出力信号と、ノイズ検出レベルである第1閾値電圧とを比較する第1比較回路と、上記バンドパスフィルタ回路の出力信号と、第1キャリア検出レベルである、上記第1閾値電圧より大きいレベルの第2閾値電圧とを比較する第2比較回路と、上記バンドパスフィルタ回路の出力信号と、上記バンドパスフィルタ回路の出力信号のレベルを判定するピーク検出レベルである、上記第2閾値電圧より大きいレベルの第3閾値電圧とを比較する第3比較回路と、上記第1比較回路の出力信号に基づいて、上記第1比較回路の出力信号が出力されないように、上記増幅回路のゲインを制御し、上記第3比較回路の出力信号に基づいて、上記第3比較回路の出力信号が出力されないように、上記バンドパスフィルタ回路のゲインおよびQ値を制御する論理回路とを有し、上記第2比較回路の出力信号をキャリアとして出力するキャリア検出回路とを備えていることを特徴とする赤外線信号処理回路。
  8. 上記赤外線信号処理回路は、上記バンドパスフィルタ回路の出力信号と、第2信号検出レベルである、上記第2閾値電圧より大きいレベルの第4閾値電圧とを比較する第4比較回路と、
    上記第2比較回路の出力信号と上記第4比較回路の出力信号とから、上記キャリアを選択するセレクタ回路とをさらに備えていることを特徴とする請求項7に記載の赤外線信号処理回路。
JP2006309631A 2006-11-15 2006-11-15 バンドパスフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路 Active JP4290721B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006309631A JP4290721B2 (ja) 2006-11-15 2006-11-15 バンドパスフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路
US11/933,054 US7894727B2 (en) 2006-11-15 2007-10-31 Operational amplifier circuit, bandpass filter circuit, and infrared signal processing circuit
CN2007101868115A CN101183856B (zh) 2006-11-15 2007-11-14 运算放大电路、带通滤波器电路以及红外线信号处理电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006309631A JP4290721B2 (ja) 2006-11-15 2006-11-15 バンドパスフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008125024A JP2008125024A (ja) 2008-05-29
JP4290721B2 true JP4290721B2 (ja) 2009-07-08

Family

ID=39369321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006309631A Active JP4290721B2 (ja) 2006-11-15 2006-11-15 バンドパスフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7894727B2 (ja)
JP (1) JP4290721B2 (ja)
CN (1) CN101183856B (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007004432A1 (ja) * 2005-07-05 2007-01-11 Nec Corporation 電流変換方法、トランスコンダクタンスアンプおよびこれを用いたフィルタ回路
JP4246222B2 (ja) * 2006-07-18 2009-04-02 シャープ株式会社 キャリア検出回路、それを備えた赤外線信号処理回路、ならびにキャリア検出回路の制御方法
JP4283301B2 (ja) * 2006-11-15 2009-06-24 シャープ株式会社 バンドパスフィルタ回路、バンドエリミネートフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路
JP4290721B2 (ja) * 2006-11-15 2009-07-08 シャープ株式会社 バンドパスフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路
KR20100078231A (ko) * 2008-12-30 2010-07-08 삼성전자주식회사 무선 통신 시스템의 참조 귀환 회로를 이용한 필터링 장치 및 방법
JP5325688B2 (ja) * 2009-07-22 2013-10-23 株式会社日立製作所 信号増幅回路、光受信回路、光モジュールおよびデータ交換システム
US20120270512A1 (en) * 2009-07-29 2012-10-25 Kyocera Corporation Transfer Gate Circuit and Power Combining Circuit, Power Amplifying Circuit, Transmission Device, and Communication Device Using the Transfer Gate Circuit
JP5551626B2 (ja) 2011-01-14 2014-07-16 オリンパス株式会社 演算増幅回路
KR20120120730A (ko) * 2011-04-25 2012-11-02 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 집적회로
CN103066934B (zh) * 2012-12-20 2016-02-10 西安电子科技大学 用于红外接收器中的可变增益运算放大器
CN105099380A (zh) * 2014-05-08 2015-11-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 全差分放大器
JP6574582B2 (ja) * 2015-03-13 2019-09-11 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 波形整形フィルタ、集積回路、及び放射線検出装置、並びに、波形整形フィルタの時定数調整方法及び利得調整方法
TWI641231B (zh) * 2016-01-26 2018-11-11 昇佳電子股份有限公司 應用於光感測裝置中的類比數位轉換模組
FR3056857B1 (fr) * 2016-09-26 2018-11-16 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Circuit sommateur
WO2018070033A1 (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 三菱電機株式会社 コモンモードフィードバック回路
US11005573B2 (en) * 2018-11-20 2021-05-11 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Optic signal receiver with dynamic control
CN109743032B (zh) * 2019-01-08 2020-09-11 北京智芯微电子科技有限公司 具有共模反馈控制电路的反相伪全差分放大器
US11658630B2 (en) 2020-12-04 2023-05-23 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Single servo loop controlling an automatic gain control and current sourcing mechanism
CN114448384B (zh) * 2022-02-09 2023-07-21 深圳市九天睿芯科技有限公司 一种滤波电路
CN117595842B (zh) * 2024-01-19 2024-04-02 赛卓电子科技(上海)股份有限公司 一种差分信号的比较方法、比较装置及传感器

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0429717B1 (de) * 1989-12-01 1995-04-05 Deutsche ITT Industries GmbH Transkonduktanzverstärker
JPH0821906B2 (ja) * 1990-07-03 1996-03-04 株式会社東芝 光受信回路
US5155447A (en) * 1991-02-11 1992-10-13 Signetics Company Multi-stage amplifier with capacitive nesting and multi-path forward feeding for frequency compensation
CA2050878C (en) 1991-09-06 1999-10-19 Gerald Molnar Power amplifier with quiescent current control
KR960011407B1 (ko) 1994-04-26 1996-08-22 한국전기통신공사 저전압 고속동작의 씨모스 (cmos) 연산증폭기
DE19642149A1 (de) 1996-10-12 1998-04-23 Telefunken Microelectron System zur Datenübertragung
JP3361021B2 (ja) 1996-12-16 2003-01-07 株式会社東芝 フィルタ回路
US6107882A (en) * 1997-12-11 2000-08-22 Lucent Technologies Inc. Amplifier having improved common mode voltage range
US6181196B1 (en) 1997-12-18 2001-01-30 Texas Instruments Incorporated Accurate bandgap circuit for a CMOS process without NPN devices
JP3390341B2 (ja) 1998-05-15 2003-03-24 シャープ株式会社 赤外線信号処理回路
CA2298310C (en) * 2000-02-09 2003-07-29 James A. Cherry Low-voltage transconductance amplifier/filters
DE10038616B4 (de) 2000-08-08 2012-07-12 Atmel Automotive Gmbh Verfahren und Anordnung zur Störunterdrückung in einer Empfängerschaltung
US7276965B1 (en) * 2001-03-13 2007-10-02 Marvell International Ltd. Nested transimpedance amplifier
JP3575453B2 (ja) 2001-09-14 2004-10-13 ソニー株式会社 基準電圧発生回路
CN1173464C (zh) * 2001-09-25 2004-10-27 义隆电子股份有限公司 可低电压工作的运算放大器
JP2003110441A (ja) * 2001-09-26 2003-04-11 Toshiba Microelectronics Corp ポップ音低減回路及び音声出力増幅装置
JP2004056541A (ja) 2002-07-22 2004-02-19 New Japan Radio Co Ltd リモコン受光装置
JP2004328487A (ja) 2003-04-25 2004-11-18 Renesas Technology Corp 演算増幅器
US7454184B2 (en) * 2003-12-02 2008-11-18 Skyworks Solutions, Inc. DC offset cancellation in a wireless receiver
JP2005354172A (ja) 2004-06-08 2005-12-22 Toyota Industries Corp コモンモードフィードバック回路、相互コンダクタンス増幅器及びgmCフィルタ
JP2006060410A (ja) 2004-08-18 2006-03-02 Rohm Co Ltd ゲイン調整回路並びにそれを備えた信号処理回路及び電気機器
JP2006148572A (ja) 2004-11-19 2006-06-08 Sharp Corp 受光装置および電子機器
JP4193066B2 (ja) * 2005-04-28 2008-12-10 日本電気株式会社 無線用フィルタ回路およびノイズ低減方法
JP4283301B2 (ja) 2006-11-15 2009-06-24 シャープ株式会社 バンドパスフィルタ回路、バンドエリミネートフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路
JP4290721B2 (ja) * 2006-11-15 2009-07-08 シャープ株式会社 バンドパスフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路
JP4473885B2 (ja) * 2007-03-20 2010-06-02 株式会社東芝 光受信回路

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008125024A (ja) 2008-05-29
US7894727B2 (en) 2011-02-22
CN101183856A (zh) 2008-05-21
CN101183856B (zh) 2010-06-02
US20080112711A1 (en) 2008-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4290721B2 (ja) バンドパスフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路
JP4283301B2 (ja) バンドパスフィルタ回路、バンドエリミネートフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路
JP4246222B2 (ja) キャリア検出回路、それを備えた赤外線信号処理回路、ならびにキャリア検出回路の制御方法
WO2010100741A1 (ja) 光通信装置
US8497711B2 (en) Envelope detector and associated method
US7231152B2 (en) Infrared remote control receiver (IRCR) having semiconductor signal processing device therein
JP4528790B2 (ja) 信号強度検出回路
US20130249633A1 (en) Low gm transconductor
US8519793B2 (en) Operational amplifier circuit
GB2419247A (en) Variable power supply filter for an optical transducer
US7532045B1 (en) Low-complexity active transconductance circuit
JP2006050633A (ja) D/aコンバータ
JP2015146497A (ja) 増幅回路
JP4267664B2 (ja) 基準電流源回路および赤外線信号処理回路
US8471630B2 (en) Fast settling reference voltage buffer and method thereof
WO2011140730A1 (zh) 一种用于低频信号检测及传输系统的模拟前端装置
CN103647514A (zh) 一种应用于电流电压互阻放大器及其它电路的交流耦合回路
KR100532224B1 (ko) Cmos 공정만을 사용하여 설계된 반도체 신호처리장치를 갖는 적외선 리모콘 수신기
JP2011055055A (ja) 増幅回路及び信号強度検出回路並びにオフセット電圧調整方法
WO2022165801A1 (zh) 通信装置
CN116224033A (zh) 全差分放大器的快速共模检测电路
WO2017219720A1 (zh) 一种多模式射频发射机及信号传输方法、计算机存储介质
JP2021175047A (ja) 増幅回路
JP2005260854A (ja) コンパレータおよび自動利得制御回路
JP2004023360A (ja) 電圧比較器

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080916

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080924

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081117

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090331

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090401

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4290721

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410

Year of fee payment: 4