JP4283803B2 - Ptc素子 - Google Patents
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Description
高分子マトリックスとしての低密度ポリエチレン(融点122℃、密度0.92g/cm3、)に、高分子マトリックス及び低密度ポリエチレンの合計体積に対して35体積%となる量のフィラメント状Ni粒子を加え、150℃に加熱しながらラボプラストミル中で30分間混練して、Ni粒子が分散した混練物を得た。得られた混練物を150℃の熱プレスによって厚さ0.8mmのシート状に成形し、3×4mmのサイズに切り出して、サーミスタ素体を得た。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(大日本インキ製、商品名「850」)50重量部とビスフェノールF型エポキシ樹脂(大日本インキ製、商品名「830」)50重量部の混合物にチオール系硬化剤であるペンタエリストールテトラチオグリコレートを当量配合した混合物100重量部に対して、イミダゾールアダクト(味の素ファインテクノ製、商品名「PN−23J」)を10重量部及びシリカ10重量部を添加し、ロールを用いて分散を行い、エポキシ樹脂組成物を調製した。得られたエポキシ樹脂組成物を、実施例1と同様に、サーミスタ素体の露出している表面を全て覆うとともにNi箔の表面の一部を覆うように、ディッピングによって厚さ約20μmとなるように付着させた。付着しているエポキシ樹脂組成物を80℃で60分間加熱して、エポキシ樹脂組成物の硬化物(Tg55℃)からなる保護層を形成させた。以上のようにしてPTC素子を作製した。
保護層を形成させなかった以外は実施例と同様にしてPTC素子を作製した。
AE−10に代えて、エポキシ樹脂及びアミン系硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成物(三菱ガス化学社製「MAXIVE」(商品名)の主剤/硬化剤混合物)を用いた他は実施例1と同様にして、PTC素子を作製した。保護層のTgは106℃であった。
作製したPTC素子について、2℃/分の昇温速度で昇温した後冷却したときの抵抗値の変化を4端子法で測定して温度−抵抗曲線を得、この曲線から室温(25℃)抵抗値を求めた。更に、PTC素子を常温で180日放置してから乾燥機を用いて100℃で5時間加熱した後も同様にして室温抵抗値を求めた。なお、初期の温度−抵抗曲線から抵抗値が75Ωとなる温度を求めたところ、実施例及び比較例のいずれのサーミスタ素子の場合も100℃±8℃の範囲内にあり、100℃以下の動作温度で機能するPTC特性を示した。
実施例1、2又は比較例2で用いたエポキシ樹脂組成物を、Ni箔(福田金属社製、電解箔、厚さ25μm)のs面(電解箔のドラム面)に塗布し、60℃で60分間加熱して、Ni箔上に上記PTC素子の保護層に相当する樹脂層を形成させた。次いで、Ni箔上に樹脂層が形成された試験片をNi箔が表になるように基板上に固定し、Ni箔を幅10mmの短冊状の部分が残るように除去した。そして、短冊状のNi箔の短辺側の端部をツィザーに固定して、オートグラフを用いて50mm/分の速度でNi箔の主面と垂直な方向に引き剥がし、そのときの引き剥がし荷重を測定した。この値によって保護層の密着性を評価した。
Claims (3)
- 高分子マトリックス及び導電性粒子を含んでいるPTC素体と、
当該PTC素体と接している1対の電極と、
エポキシ樹脂及びチオール系硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成物を50〜90℃に加熱してその硬化反応を進行させることにより形成された、当該PTC素体が密封されるように当該PTC素体を覆っている保護層と、
を備えるPTC素子。
- 前記保護層が、当該PTC素体を覆うとともに当該1対の電極の少なくとも一部も覆うように一体的に形成されている、請求項1記載のPTC素子。
- 前記エポキシ樹脂組成物がアミン化合物を更に含有する、請求項1又は2記載のPTC素子。
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