JP4221389B2 - カーボンナノチューブのセルフアセンブリングを利用した電界放出エミッタ電極の製造方法及びこれにより製造された電界放出エミッタ電極 - Google Patents
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Description
22 電解液
23 陰極
24 陽極
25 電源
Claims (13)
- アルミニウム基板を陽極酸化して、多数の均一な空隙を有する陽極酸化アルミニウム膜を上記アルミニウム基板上に形成する段階と、
カーボンナノチューブが分散された電解液を用意する段階と、
上記陽極酸化されたアルミニウム基板を上記電解液に含浸し上記アルミニウム基板を一電極として所定の電圧を印加して上記多数の空隙にカーボンナノチューブを付着する段階と、
上記空隙に付着した上記カーボンナノチューブを上記空隙に固定させる段階とを含み、
上記カーボンナノチューブを上記空隙に固定させる段階は、
熱処理を行なってから、さらに、上記アルミニウム基板上にバインダーをコーティングすることにより行われることを特徴とする電界放出エミッタ電極の製造方法。 - 上記多数の空隙は深さ0.5〜2μmで直径100〜400nmであることを特徴とする請求項1に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
- 上記空隙にカーボンナノチューブを付着する段階は、上記電解液における電気泳動、誘電泳動またはAC電気分解により行われることを特徴とする請求項1に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
- 上記アルミニウム基板の陽極酸化は、1次陽極酸化、陽極酸化アルミニウム膜のエッチング及び2次陽極酸化から成る2段階陽極酸化により行われることを特徴とする請求項1に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
- 上記カーボンナノチューブはarc−MWNTであることを特徴とする請求項1に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
- 上記電解液には分散剤が添加されたことを特徴とする請求項1に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
- 上記分散剤はベンゼンコニウムクロライド、ソジウムドデシルスルフェート、ポリエチレンイミン及び塩化マグネシウムから成る群から選ばれたものであることを特徴とする請求項6に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
- 上記分散剤は上記カーボンナノチューブの量の約100〜500wt%で添加されることを特徴とする請求項6に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
- 上記熱処理は不活性雰囲気下において400〜700℃で行われることを特徴とする請求項1に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
- 上記カーボンナノチューブを固定させる段階後に、上記陽極酸化アルミニウム膜を少なくても一部厚さだけ除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
- 上記カーボンナノチューブを固定させる段階後に、上記カーボンナノチューブ及び上記陽極酸化アルミニウム膜を研磨する段階と、上記研磨された陽極酸化アルミニウム膜を少なくても一部厚さだけエッチングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
- 請求項1ないし11中いずれかの方法により製造され、多数の均一な空隙を有する多孔性陽極酸化アルミニウム膜が形成されたアルミニウム基板と、上記多孔性陽極酸化アルミニウム膜の空隙に付着され固定されたカーボンナノチューブを具備することを特徴とする電界放出エミッタ電極。
- 上記空隙の深さは0.5〜2μmで、その直径は100〜400nmであることを特徴とする請求項12に記載の電界放出エミッタ電極。
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