JP4220248B2 - 改善されたスピンボウル適合性を有する反射防止コーティング組成物 - Google Patents

Description

発明の背景
発明の分野
本発明は、マイクロエレクトロニックデバイスの製造において使用するための、新規の反射防止組成物に関する。こうした組成物には、強酸がほとんど含まれないか全く含まれないので、早すぎる架橋（例えば貯蔵中など）が最小限に抑えられるか、または防止される。

従来技術の説明
集積回路の製造者は、歩留まりを改善し、ユニットケース（ｕｎｉｔ ｃａｓｅ）を減らし、かつオンチップ計算出力（ｏｎ−ｃｈｉｐ ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ ｐｏｗｅｒ）を向上させるために、回路基板のウェーハサイズの最大化およびデバイス形状（ｄｅｖｉｃｅ ｆｅａｔｕｒｅ）の寸法の最小化を常に追求している。シリコンまたは他のチップ上におけるデバイス形状のサイズは、最新の遠紫外線（ＤＵＶ）およびｉ線（ｉ−ｌｉｎｅ）マイクロリソグラフィック工程の出現で、サブミクロンサイズとなっている。

しかし、半導体デバイスの製造時に、活性放射線が基板から、その上に形成されたフォトレジストへと戻り反射する問題がしばしば発生している。このような戻り反射は、ぼやけたパターン（ｂｌｕｒｒｅｄ ｐａｔｔｅｒｎｓ）を生じさせやすく、フォトレジストの解像度を劣化させる。処理されたフォトレジストにおける画像の劣化は、基板の反射率が高いときに特に問題となる。この問題を解決する１つの方法は、基板とフォトレジストの間に反射防止コーティングを設けることである。

多くの従来技術における反射防止コーティング配合物が直面する問題の１つが、ポリマー含有膜を産出するために一般的に熱架橋系を用いるが、これが一般的なフォトレジスト溶媒に溶けないということである。反射防止コーティングの架橋が起こるのは、ウェーハ焼付段階の間のみでなければならないが、該段階の時間は通常非常に短い（例えば３０〜９０秒）。しかし、こうした短い焼付時間の間に架橋反応を起こすためには、ｐ‐トルエンスルホン酸などの強酸触媒が必要とされてきた。反射防止コーティング配合物においてこうした強酸触媒を使用すると、加工上の問題が生じる。すなわち、強酸触媒は、ウェーハ焼付段階の間だけではなく、反射防止コーティング材がまだスピンボウル（ｓｐｉｎ ｂｏｗｌ）または排出パイプ（ｄｒａｉｎ ｐｉｐｅｓ）の中にある間にも、反射防止コーティングの架橋を可能にしてしまうのである。この架橋された反射防止コーティングは、もはや従来のクリーニング触媒には溶けないので、反射防止コーティング材はスピンボウルおよび排出パイプの中に残って堆積する。この問題は、スピンボウル不適合性として知られている。

スピンコーティング法は、反射防止コーティングおよびフォトレジストをウェーハ上にコーティングする方法として、業界において長い間認められてきたので、スピンボウル不適合性は、ウェーハ加工設備における大幅な加工の中断と動作不能時間を引き起こす。フォトレジスト溶媒における架橋された反射防止コーティングの堆積と沈殿は、スピナー排出パイプ（ｓｐｉｎｎｅｒ ｄｒａｉｎ ｐｉｐｅｓ）をブロックする。これが余分な材料の流れを阻害し、その結果、余分なフォトレジストがスピナーの底に少々貯留する可能性がある。架橋された反射防止コーティングが溶媒に溶けないので、排液溝をきれいにするにはスピナーを分解しなければならず、よって、加工に余計な時間と費用がかかることになる。

また、スピンボウル不適合性は、架橋された反射防止コーティングのスピンボウル側面への堆積をも引き起こす。この「堆積」が、余分な材料の、スピンボウルの側面から排液溝へのスムーズな流れを阻害する。こうした堆積は最終的に、ウェーハ加工を妨げるのに十分な量になる。この場合もやはり、架橋された反射防止コーティング材を溶媒で洗浄できないので、汚れたスピンボウルを新しいものと取り替える必要が生じる可能性がある。当然のことながら、これには余計な時間と費用がかかる。さらに、ほとんどのウェーハ加工設備が自動化されたトラック式システムを使用しているので、スピンボウルの交換や排出パイプの洗浄によりトラックが停止し、その結果、加工工程全体において動作不能時間が生じる。
スピンボウル適合性を有し、室温において改善された安定性を有し、ＤＵＶ、ｉ線および１９３ｎｍの反射防止コーティング材の所望性能特性を同時に示す、新規の反射防止コーティングが求められている。

発明の要約
本発明は、マイクロリソグラフィック工程の焼付段階の前に架橋しない反射防止コーティング組成物を幅広く提供することにより、従来技術の反射防止コーティングのスピンボウル不適合性および安定性の問題を克服する。
より詳しくは、該組成物は、溶媒系に分散または溶解された少なくとも１つのポリマーを含む。該組成物は、その総質量を１００質量％とした場合に、約０．５〜１０質量％、好ましくは１〜５質量％、より好ましくは１．１〜２．５質量％のポリマーを含む。ポリマーの質量平均分子量は、約３，０００〜５００，０００ダルトン、好ましくは約５０，０００〜５００，０００ダルトン、より好ましくは約５５，０００〜７５，０００ダルトンである。最も好ましいポリマーは、アクリルポリマー（例えば、ベンジルメタクリレート、ポリグリシジルメタクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート等のメタクリル酸エステル）、ポリエステル、エポキシノボラック、多糖、ポリエーテル、ポリイミド、およびそれらの混合物を含む群から選ばれるポリマーである。

ひとつの実施形態において、該組成物は、その総質量を１００質量％とした場合に、約１．０質量％未満、好ましくは約０．３質量％未満、より好ましくは約０．１質量％未満の強酸を含み、さらに好ましくは、約０質量％の強酸を含む。この実施形態において、質量平均分子量が大きい（例えば少なくとも約６０，０００）ポリマーを使用することが特に好ましい。本明細書に使用されるように、「強酸」という用語は、２５℃におけるｐＫ_a値が約−６．０未満である化合物を指す。強酸の例として、ｐ−トルエンスルホン酸、硫酸、塩酸、臭化水素酸、硝酸、トリフルオロ酢酸、過塩素酸等が含まれる。
別の実施形態において、該組成物における強酸と弱酸との質量比は、約０：１００〜約５０：５０、好ましくは約２５：７５〜約３０：７０、より好ましくは約２：９８である。本明細書に使用されるように、「弱酸」という用語は、２５℃におけるｐＫ_a値が約０超、好ましくは約０〜１２である、より好ましくは約６〜１１である化合物を指す。

本明細書に使用される弱酸の好ましい例としては、フェノール化合物（例えばビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホンまたはビスフェノールＳ、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジメチルメタンまたはビスフェノールＡ、α−シアノ−４−ヒドロキシケイ皮酸、フェノールノボラック、ベンゼンチオール、および、ニトロ基、カルボニル基、またはカルボキシル基で置換されたフェノール等の電子求引性基を含有するフェノール化合物をすべて含む）、カルボン酸（例えば酢酸等）、およびリン酸が含まれる。これら化合物は、組成物の総質量を１００質量％とした場合に、好ましくは約０．０２〜５質量％、より好ましくは約０．０５〜４質量％、さらに好ましくは約１．５〜３．３質量％の濃度で組成物内に存在する。

これら弱酸化合物は、組成物と物理的に混合してもよく、または組成物内に存在するポリマーとグラフト重合または化学結合してもよい。当然のことながら、これら化合物は、マイクロリソグラフィック工程の焼付段階の間に架橋を開始する触媒として作用しつつ光を吸収する能力を有する組成物を提供する。
組成物は従来の工程により形成される。すなわち、ポリマーおよび他の成分は好適な溶媒系と混合されるが、好ましくは周囲条件で実質的に均一な溶液を形成するために十分な時間のもとで行われる。好ましい溶媒系には、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、２−ヘプタノン、Ｎ−メチルピロリジノン、乳酸エチル、シクロヘキサノン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、およびそれらの混合物を含む群から選択される溶媒が含まれる。溶媒系は、組成物の総質量を１００質量％とした場合に、約８５〜９９質量％、好ましくは約９３〜９７質量％の濃度で使用されるべきである。

好ましくは、本発明の組成物は、架橋剤および触媒をさらに含む。架橋剤はポリマーから独立したものであってもよく、もしくは、ポリマーが「組み込まれた」架橋部分を含んでいてもよい。好ましい架橋剤には、アミノ樹脂（例えばＰｏｗｄｅｒｌｉｎｋ（登録商標）１１７４、Ｃｙｒｎｅｌ（登録商標）３０３ＬＦ）およびエポキシ樹脂が含まれる。架橋剤または架橋部分は、組成物の総質量を１００質量％とした場合に、約０．２〜５質量％、好ましくは約０．５〜０．９５質量％の濃度で組成物内に存在しなければならない。本発明の組成物は、約１００〜３００℃、より好ましくは約１５０〜２５０℃で架橋されていなければならない。

当然のことながら、本発明の反射防止用組成物に、他の多数の任意の成分を混合させてよい。こうした成分の一例として界面活性剤が挙げられるが、好ましい界面活性剤は、フッ素化界面活性剤および炭酸塩界面活性剤を含む群から選択されるものである。界面活性剤が含まれる場合、組成物の総質量を１００質量％としたときに、約０．０２〜５質量％、好ましくは約０．０５〜１質量％の濃度で存在する。
さらに、必要に応じ、補足的な光を減衰させる化合物を組成物に加えてもよい。好適な光減衰用化合物には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、および前述の化合物の置換された誘導体が含まれる。

得られた反射防止コーティング組成物は、次に、スピンコーティング等の従来の方法によって基板（例えばシリコンウェーハ等）の表面に塗布され、基板上に反射防止コーティング層を形成する。次に該基板が約１２５〜２２５℃で焼付される。焼付された層は、概ね約６００Å〜２２００Åの厚みを有する。次に、フォトレジストを反射防止層に塗布することができ、続いて、すべて公知の工程に従って、フォトレジストを所望の波長で光で露光し、露光されたフォトレジスト層を現像し、現像したフォトレジスト層をエッチングする。
３６５ｎｍにおける本発明の反射防止コーティング層のｋ値（すなわち、複素屈折率の虚数成分（ｉｍａｇｉｎａｒｙ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ））は、少なくとも約０．３、好ましくは少なくとも約０．３５であり、ｎ値（すなわち複素屈折率の実数成分（ｒｅａｌ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ））は、少なくとも約１．５、好ましくは少なくとも約１．７５である。すなわち、本発明の組成物から形成された硬化層は、３６５ｎｍの波長において、光の少なくとも約７０％、好ましくは少なくとも約９０％を吸収する。

さらに、本発明の反射防止コーティングは、実質的に、典型的なフォトレジスト溶媒（例えば乳酸エチル等）に溶けない。すなわち、ストリッピング試験（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ ｔｅｓｔ）にかけた時、本発明の反射防止コーティング層のストリッピング量は、約５０Å未満であり、好ましくは約２５Å未満である。ストリッピング試験には、硬化膜の上に溶媒（例えば乳酸エチル等）を５〜１０秒間溜め（ｐｕｄｄｌｉｎｇ）、その後２０００ｒｐｍで３０秒間スピン脱水して溶媒を除去するという工程が含まれる。膜の厚さは、楕円偏光法を用いてウェーハ上の複数の地点で測定される。ストリッピング量は、開始時と終了時における平均膜厚の差分として決定される。

最後に、実施例５に定義されるように、本発明の反射防止コーティング組成物がスピンボウル適合性試験にかけられると、少なくとも約９０％、好ましくは少なくとも約９５％という結果が得られる。これは当然のことながら、早期に架橋せず（例えばスピンボウルや排出パイプの中で等）、より長期間の貯蔵安定性を有する（貯蔵中に架橋しない）が、焼付段階中に実質的または完全に架橋する、効果的な反射防止コーティング組成物が得られるということである。

好ましい実施形態の詳細な説明
実施例
以下の実施例は、本発明による好ましい方法を示している。しかし当然ながら、それら実施例は例示として挙げられており、何ら、本発明の包括的な範囲の限定としてとらえるべきではない。

実施例１
比較例（コントロール）
スピンボウル適合性試験のためのコントロール基準（ｃｏｎｔｒｏｌ ｓｔａｎｄａｒｄ）を提供するために、従来技術の工程によって反射防止コーティングが調製された。以下の原料を含有する混合物が調製された：１１．６０質量％のポリマー固体（５０質量％のベンジルメタクリレートおよび５０質量％のヒドロキシプロピルメタクリレート）；０．５８質量％のＰｏｗｄｅｒｌｉｎｋ（登録商標）１１７４（Ｃｙｔｅｃより入手した架橋剤）；０．１質量％のｐ‐トルエンスルホン酸（ｐＴＳＡ）；９．６９質量％のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）；７７．９６質量％のプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）；０．０７質量％の界面活性剤（ＦＣ−１７１、３Ｍより入手）。該混合物を１時間攪拌して透明な溶液をつくり出し、６５０Ｃビーズでイオン交換を行った。それから該配合物は、１×０．２μｍの精密フィルター（ａｂｓｏｌｕｔｅ ｆｉｌｔｅｒ）および２×０．１μｍの精密フィルターにより濾過された。濾過された材料は、２５００ｒｐｍの速度で６０秒間シリコンウェーハ上にスピンコートされ、その後１７５℃で１分間焼付された。得られた反射防止膜の厚さは約８８０Åであった。該膜の吸収度は以下の通りであった：波長１９３ｎｍにおいて約９．０６／μｍ；波長２４８ｎｍにおいて約０．０９／μｍ；および波長約３６５ｎｍにおいて約０．０３８／μｍ。

実施例２
本発明による反射防止コーティングの調製
以下の成分の混合物が調製された：１１．６０質量％のポリマー固体（５０％のベンジルメタクリレートおよび５０％のヒドロキシプロピルメタクリレート）；０．５８質量％のＰｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４；０．０７５質量％のビスフェノールＳ（Ａｌｄｒｉｃｈから入手）；０．０２５質量％のｐＴＳＡ；９．６９質量％のＰＧＭＥＡ；７７．９６％のＰＧＭＥ；および０．０７質量％のＦＣ−１７１界面活性剤。該混合物を１時間攪拌して透明な溶液をつくり出し、６５０Ｃビーズでイオン交換を行った。それから該配合物は、１×０．２μｍの精密フィルターおよび２×０．１μｍの精密フィルターにより濾過された。濾過された配合物は、２５００ｒｐｍの速度で６０秒間シリコンウェーハ上にスピンコートされ、その後１７５℃で１分間焼付された。得られた反射防止膜の厚さは約８８０Åであった。該膜の吸収度は以下の通りであった：波長１９３ｎｍにおいて約１３．６６／μｍ；波長２４８ｎｍにおいて約０．５４／μｍ；および波長約３６５ｎｍにおいて約０．１０／μｍ。

実施例３
本発明による反射防止コーティングの調製
上述の実施例２の工程に従って反射防止コーティングが調製されたが、０．０７５質量％のビスフェノールＳおよび０．０２５質量％のｐＴＳＡの代わりに、０．１質量％のビスフェノールＳが使用された。

実施例４
本発明による反射防止コーティングの調製
上述の実施例２の工程に従って反射防止コーティングが調製されたが、０．０７５質量％のビスフェノールＳおよび０．０２５質量％のｐＴＳＡの代わりに、０．１質量％のフェノールノボラックが使用された。

実施例５
スピンボウル適合性試験工程
本試験においては、４インチの試料ウェーハが、上述の実施例１〜４において調製された反射防止コーティング組成物で各々コーティングされた。１つの試料ウェーハが、試験にかける各溶媒のために準備された。コーティング後、ウェーハの焼付は行わなかったが、代わりにウェーハカセット（ｗａｆｅｒ ｃａｓｓｅｔｔｅ）内に配置された。膜の流出（ｆｉｌｍ ｆｌｏｗ）を防ぐためにコーティングされた表面を上にして配置された。試料を無塵室で約２４時間乾燥させ、厚さ約１３００Åの膜をつくり出した。各ウェーハの試料の厚さを測定し、初期の試料厚（初期値）とした。

次にコーティングされたウェーハは、個々の試験溶媒にさらされた。この工程は、スピナー上の試料ウェーハを中心に配置し、次にウェーハの表面全体を均一に覆うように溶媒をコーティングすることによって遂行された。該試料を３分間（±５秒）浸らせ、１５００ｒｐｍ（２０，０００ｒｐｍ Ｒａｍｐ）で１５秒間、次に２５００ｒｐｍ（２０，０００ｒｐｍ Ｒａｍｐ）で３０秒間回転させた。回転させた後、ウェーハを１００℃で３０秒間焼付した。各ウェーハの試料厚を測定し、最終値とした。この工程を、試験にかける各溶媒ごとに繰り返した。
そして、溶解度のパーセントが以下の通りに計算された：

試験にかけたウェーハの溶解度が≧９０％であった場合、試料はその特定の溶媒についてスピンボウル適合性を有するようにみなした。しかし、溶解度が＜９０％であった場合、試料はその溶媒についてスピンボウル適合性を有するようにはみなされなかった。試験結果を表１に示す。

実施例６
本発明による反射防止コーティングの調製
本実施例においては、窒素雰囲気（ｎｉｔｒｏｇｅｎ ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ）下、２０ｇのグリシジルメタクリレートを、８１ｇのＰＧＭＥＡ中において０．２５ｇのアゾビスイソブチロニトリルと７５℃で２４時間反応させ、ポリグリシジルメタクリレートポリマーをつくり出した。次に、α−シアノ−４−ヒドロキシケイ皮酸染料（ｄｙｅ）（式Ａ参照）を、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム（ＢＴＥＡＣ）触媒の存在下、ポリグリシジルメタクリレートポリマー（ＰＧＭＥＡの２０％固体）のエポキシ官能基とグラフト重合させた。グラフト重合反応は、乳酸エチルおよびＰＧＭＥＡよりなる、質量比が７５：２５（乳酸エチル：ＰＧＭＥＡ）である溶媒系に、成分を溶解することにより遂行された。染料は、溶液に約９０℃で溶解させた。反応は、１２０℃で４〜５時間、窒素雰囲気下で行われた。使用された成分の分量を表２に示す。

グラフト重合反応が終わった後、染料がグラフトされたポリマー（ｄｙｅ−ｇｒａｆｔｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒ）（母液、式Ｂ参照）から反射防止コーティング組成物を配合した。この工程は、高温での焼付のために所望される膜厚を得るために、メラミン架橋剤および好適な量の溶媒を加えることにより遂行された。反射防止コーティング組成物の成分の量を表３に示す。

該配合物は、２５００ｒｐｍで６０秒間、シリコンウェーハ上にスピンコートされ、続いて１２０〜２０５℃の範囲の温度にてホットプレート上で焼付された。膜厚は、標準的な楕円偏光法を用いて測定された。次に該膜を、半導体製造工程でよく使用される有機溶媒（すなわち乳酸エチル）にさらした。該反射防止膜は、容易に判断できる程度の膜厚喪失を示さなかった。よって架橋反応が起こったことを示した。架橋が起こったのは、染料のヒドロキシ基によって与えられた酸性のためであり、それにより、スピンボウル適合性も有する不活性の熱硬化性ポリマー膜がつくり出された。

フォトレジスト組成物（ＰＦＩ−８８、住友化学工業株式会社より入手）が３０００ｒｐｍで６０秒間、スピンコートすることにより硬化された反射防止層に塗布され、次に９０℃で６０秒間、焼付された。すべてのウェーハがＤＮＳ ８０Ｂ上でコーティングおよび現像された。３６５ｎｍにて３６０ｍｓｅｃの間、Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲにより露光が行われた。それからフォトレジストは１１０℃で６０秒間焼付され、ＣＤ２６現像液（Ｓｈｉｐｌｅｙ Ｃｏｍｐａｎｙより入手）で現像された。さまざまな特徴大きさを有するいくつかの異なるウェーハの断面を図１に示す。
この新規の反射防止コーティング組成物は、酸触媒を含有するものと同等の、市販のｉ線フォトレジストとのリソグラフィック性能を示した。この無酸の反射防止コーティング組成物のフォトレジスト特性は、フォトレジストとの混合を何ら示さなかった。よって、膜が熱硬化性樹脂に架橋されたことが確認された。

実施例７
本発明による反射防止コーティングの調製
実施例６に記載された工程に従い、使用される成分の分量は表４に記載されたとおりに、反射防止コーティングが調製された。

ウェーハが反射防止組成物およびフォトレジストでコーティングされ、実施例６に記載のとおりに処理された。さまざまな特徴大きさを有するいくつかの異なるウェーハの断面を図２に示す。

実施例８
スピンボウル適合性試験
実施例６および７にて調製された反射防止コーティングが、実施例５に記載のスピンボウル適合性試験工程にかけられた。試験結果を表５に示す。

シリコンウェーハ上に堆積された、本発明による反射防止コーティング組成物を示している、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。 シリコンウェーハ上に堆積された、本発明による反射防止コーティング組成物を示している、別の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。

Claims (33)

1. マイクロリソグラフィック工程において使用される反射防止コーティング組成物において、前記組成物が溶媒系に溶解されたポリマーおよび架橋剤を含有し、強酸と弱酸との質量比を有し、
   前記質量比が０：１００〜５０：５０であるという改善点を有する、反射防止コーティング組成物。
2. 前記組成物がフェノール化合物、カルボン酸、リン酸およびシアノ化合物からなる群から選択される化合物を更に含有する、請求項１に記載の組成物。
3. 前記化合物が前記ポリマーと化学的に結合する、請求項２に記載の組成物。
4. 前記化合物がビスフェノールＳ、ビスフェノールＡ、α−シアノ−４−ヒドロキシケイ皮酸、フェノールノボラック、および酢酸からなる群から選択される、請求項２に記載の組成物。
5. 前記組成物が界面活性剤を含有する、請求項１に記載の組成物。
6. 前記界面活性剤がフッ素化界面活性剤および炭酸塩界面活性剤からなる群から選択される、請求項５に記載の組成物。
7. 前記架橋剤がアミノ樹脂およびエポキシ樹脂からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
8. 前記溶媒系が、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、２−ヘプタノン、Ｎ−メチルピロリジノン、乳酸エチル、シクロヘキサノン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、およびそれらの混合物からなる群から選択される溶媒を含む、請求項１に記載の組成物。
9. 前記ポリマーが、アクリルポリマー、ポリエステル、エポキシノボラック、多糖、ポリエーテル、ポリイミド、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
10. 前記ポリマーがメタクリレートである、請求項９に記載の組成物。
11. 前記組成物のスピンボウル適合性試験結果の値が９０％超である、請求項１に記載の組成物。
12. 前記組成物が０．３質量％未満の強酸を含有する、請求項１に記載の組成物。
13. 表面を有する基板と、前記基板表面上の硬化された保護層とを組み合わせた物であり、前記硬化された保護層は溶媒系に溶解されたポリマーおよび架橋剤を含有する組成物から形成され、前記組成物における強酸と弱酸との質量比が０：１００〜５０：５０である組み合わせた物。
14. 前記組成物がフェノール化合物、カルボン酸、リン酸およびシアノ化合物からなる群から選択される化合物を更に含有する、請求項１３に記載の組み合わせた物。
15. 前記化合物が前記ポリマーと化学的に結合する、請求項１４に記載の組み合わせた物。
16. 前記化合物がビスフェノールＳ、ビスフェノールＡ、α−シアノ−４−ヒドロキシケイ皮酸、フェノールノボラック、および酢酸からなる群から選択される、請求項１４に記載の組み合わせた物。
17. 前記組成物が界面活性剤を含有する、請求項１３に記載の組み合わせた物。
18. 前記ポリマーが、アクリルポリマー、ポリエステル、エポキシノボラック、多糖、ポリエーテル、ポリイミド、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１３に記載の組み合わせた物。
19. 前記ポリマーがメタクリレートである、請求項１８に記載の組み合わせた物。
20. 前記組成物のスピンボウル適合性試験結果の値が９０％超である、請求項１３に記載の組み合わせた物。
21. 前記組成物が０．３質量％未満の強酸を含有する、請求項１３に記載の組み合わせた物。
22. 集積回路製造において使用する前駆体構造を形成する方法であり、前記方法が、ある量の請求項１に記載された反射防止組成物を基板表面に塗布して前記基板表面上に反射防止層を形成する段階を含有する、前駆体構造を形成する方法。
23. 前記塗布する段階の後に１２５〜２２５℃の温度で前記反射防止層を焼き付ける段階を更に含有する、請求項２２に記載の方法。
24. 前記焼付された反射防止層にフォトレジストを塗布する段階を更に含有する、請求項２３に記載の方法。
25. 前記フォトレジスト層の少なくとも一部を活性放射線で露光する段階、前記露光されたフォトレジスト層を現像する段階、および前記現像したフォトレジスト層をエッチングする段階を更に含有する、請求項２４に記載の方法。
26. マイクロリソグラフィック工程において使用される反射防止コーティング組成物において、前記組成物が溶媒系に溶解されたポリマーおよび架橋剤を含有し、
    前記組成物が０．３質量％未満の強酸および０．０２〜５質量％の弱酸を含有するという改善点を有する、反射防止コーティング組成物。
27. 前記組成物のスピンボウル適合性試験結果の値が９０％超である、請求項２６に記載の組成物。
28. 表面を有する基板と、前記基板表面上の硬化された保護層とを組み合わせた物であり、前記硬化された保護層は、溶媒系に溶解されたポリマー、架橋剤、０．３質量％未満の強酸および０．０２〜５質量％の弱酸を含有する組成物から形成される組み合わせた物。
29. 前記組成物のスピンボウル適合性試験結果の値が９０％超である、請求項２８に記載の組み合わせた物。
30. 集積回路製造において使用する前駆体構造を形成する方法であり、前記方法が、ある量の請求項２６に記載された反射防止組成物を基板表面に塗布して前記基板表面上に反射防止層を形成する段階を含有する、前駆体構造を形成する方法。
31. 前記塗布する段階の後に１２５〜２２５℃の温度で前記反射防止層を焼き付ける段階を更に含有する、請求項３０に記載の方法。
32. 前記焼付された反射防止層にフォトレジストを塗布する段階を更に含有する、請求項３１に記載の方法。
33. 前記フォトレジスト層の少なくとも一部を活性放射線で露光する段階、前記露光されたフォトレジスト層を現像する段階、および前記現像したフォトレジスト層をエッチングする段階を更に含有する、請求項３２に記載の方法。

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