JP4533744B2 - 反射防止膜用湿式現像性ポリマーバインダーとしてのスピン・ボウル適合性ポリアミック酸／イミド - Google Patents

反射防止膜用湿式現像性ポリマーバインダーとしてのスピン・ボウル適合性ポリアミック酸／イミド Download PDF

Info

Publication number
JP4533744B2
JP4533744B2 JP2004515999A JP2004515999A JP4533744B2 JP 4533744 B2 JP4533744 B2 JP 4533744B2 JP 2004515999 A JP2004515999 A JP 2004515999A JP 2004515999 A JP2004515999 A JP 2004515999A JP 4533744 B2 JP4533744 B2 JP 4533744B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
group
film
laminate according
aliphatic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2004515999A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005535740A (ja
Inventor
ロバート クリスチャン コックス
チャールズ ジェイ． ニーフ
Original Assignee
ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー．
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． filed Critical ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー．
Publication of JP2005535740A publication Critical patent/JP2005535740A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4533744B2 publication Critical patent/JP4533744B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1003—Preparatory processes
    • C08G73/1007—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines
    • C08G73/1025—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines polymerised by radiations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1039—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors comprising halogen-containing substituents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
    • C08G73/1064—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D179/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
    • C09D179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09D179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/111—Anti-reflection coatings using layers comprising organic materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/037—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/151—Matting or other surface reflectivity altering material

Description

発明の背景
発明の技術分野
本発明は、新規なポリマーおよびマイクロ電子デバイスの製造に使用するための反射防止組成物に関する。この組成物は、ポリアミック酸を含有し、水性フォトレジスト現像液中での現像が可能である。
従来技術の説明
集積回路製造では、歩留まりを改善し、ユニットケースを減らし、かつチップあたりの演算処理能力を向上させるために、基板ウエハサイズの最大化と、デバイスパターン像のサイズの最小化とが恒常的に求められている。シリコンまたは他のチップ上のデバイスパターン像のサイズは、高度化した遠紫外線（ＤＵＶ）マイクロリソグラフィプロセスの出現により、いまやサブミクロンレベルである。
しかしながら、半導体デバイスを製造する際に、フォトレジストに付随して頻繁に起こる問題は、活性化光線が基板に反射し、基板上に支持されたフォトレジスト層中に跳ね返ってくることである。このような反射特性は、フォトレジストの解像力の低下につながる不鮮明なパターンを生じさせやすい。加工後のフォトレジストにおける解像力の低下は、基板が非平坦および／または高反射性である場合に特に問題となる。この課題のひとつの解決策は、基板のフォトレジスト層の直下に設けられる反射防止膜の利用である。反射防止膜は、反射の防止または低減に効果的である一方、その使用は、当該膜を除去するための除去工程を製造プロセス中に付加させる。必然的に、製造コストが引き上げられることになる。
このような課題のひとつの解決策として、湿式現像性の反射防止膜が使用されてきた。このタイプの膜は、フォトレジスト材料の曝露領域とともに除去することができる。つまり、パターンマスクを介してフォトレジスト層を光に曝露すると、フォトレジストの露光領域は湿式現像性であり、所望の溝およびホールパターンを残して、水性現像液により除去される。湿式現像性の反射防止膜は、この現像工程において除去されるため、付加的な除去工程を不要とする。
しかし残念ながら、湿式現像性の反射防止膜は、スピン・ボウル適合性とともに反射防止膜として有用な優れた光学的性質をも示すことが求められるという現実から、普遍的に使用されているとはいえない。したがって、汎用されているフォトレジスト現像剤によって除去される一方で、同時に優れたコーティング性および光学特性を示す反射防止膜用組成物が求められている。
本発明は、マイクロ電子デバイスの製造に有用なマイクロリソグラフィ組成物（特に、反射防止膜組成物）を広く含む。
より具体的には、本発明の組成物は、溶媒系に分散または溶解されたポリマーを含む。一態様例において、好ましいポリマーはポリアミック酸である。このポリアミック酸としては、下式で示される繰り返し単位が挙げられる。
上記態様において、ポリアミック酸は、好ましくは二無水物（dianhydride）とジアミンとの重合により形成される。好ましい二無水物は、下記式で示される。
特に好ましい二無水物は以下である。
好ましいジアミンは、下記式で示される。
特に好ましいジアミンは以下である。
他の好ましい態様において、好ましいポリマーは、下記式で示される繰り返し単位を含む。
上記式中、各Ｒは、それぞれ独立に、水素、-ＯＨ、脂肪族およびフェニルからなる群より選ばれる。好ましい脂肪族は、t-ブチル基およびイソプロピル基などのＣ１〜Ｃ８の分枝または非分枝のアルキル基である。
Ｌは、-ＳＯ２-および-ＣＲ'２-からなる群より選ばれる。Ｌが-ＣＲ'２-であるとき、各Ｒ'は、それぞれ独立に、水素、脂肪族（好ましくはＣ１〜Ｃ８の分枝または非分枝のアルキル）およびフェニルおよび-ＣＸ３からなる群より選ばれる。Ｒ'が-ＣＸ３である態様において、各Ｘは、それぞれ独立に、フッ素および塩素を特に好ましいハロゲンとするハロゲンからなる群より選ばれる。
さらに別の態様において、ポリマーは、下記式で示される化合物と、
下記式で示される化合物との重合により形成される。
上記態様の式中、各Ｒは、それぞれ独立に、-ＯＨ、-ＮＨ２、水素、脂肪族およびフェニルからなる群より選ばれる。また最初の態様と同様に、好ましい脂肪族は、t-ブチル基およびイソプロピル基などのＣ１〜Ｃ８の分枝または非分枝のアルキル基である。さらに、（１）の各環上のＲの少なくとも１つは-ＮＨ２であることが好ましい。
Ｌは、-ＳＯ２-および-ＣＲ'２-からなる群より選ばれ、ここでの各Ｒ'は、それぞれ独立に、水素、脂肪族（好ましくはＣ１〜Ｃ８の分枝または非分枝のアルキル）、フェニルおよび-ＣＸ３からなる群より選ばれる。Ｌが-ＣＸ３である態様において、各Ｘは、それぞれ独立に、ハロゲンからなる群より選ばれる。
上記態様について、組成物は、ポリマーを溶解性の溶媒系に、好ましくは環境温度で、実質的に均質な分散状態となる充分な時間、単に分散または溶解することにより形成される。ポリマーは、組成物中の全固形分重量を１００重量％をするとき、組成物中に１〜１００重量％、より好ましくは約２０〜８０重量％、さらに好ましくは約４０〜６０重量％の割合で存在することが望ましい。上記ポリマーの平均分子量は、好ましくは約２,０００〜１,０００,０００ダルトン、より好ましくは約５,０００〜５００,０００ダルトン、より一層好ましくは約１０,０００〜１００,０００ダルトンである。
好ましい溶媒系としては、プロピレングリコールメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）およびこれらの混合物などが挙げられる。溶媒系は、沸点が５０〜２５０℃、より好ましくは１５０〜２００℃であることが望ましく、また組成物中の全固形分重量を１００重量％をするとき、約５０〜９９重量％、好ましくは約９０〜９８重量％の量で用いられることが望ましい。
上記ポリマーとともに、他の成分を、上記溶媒系に溶解することが望ましい。このような成分の１つの架橋剤としては、アミノプラスト（たとえば、POWDERLINK（登録商標）１１７４、Cymel（登録商標）製品）およびエポキシ類が挙げられる。架橋剤は、組成物中の全固形分重量を１００重量％をするとき、約０〜５０重量％、好ましくは約１０〜２０重量％の割合で存在させることが望ましい。したがって、本発明の組成物は、約１００〜２５０℃、より好ましくは約１５０〜２００℃の温度で架橋させることが望ましい。
上記組成物は、減光性化合物または発色団の含有も好ましい。減光性化合物は、組成物中の全固形分重量を１００重量％をするとき、約０〜５０重量％、好ましくは約１５〜３０重量％の割合で存在させることが望ましい。減光性化合物は、該組成物に適用される波長に基づいて選択することが望ましい。したがって、２４８ｎｍの波長における好ましい減光性化合物としては、ナフタレン類およびアンスラセン類などが挙げられ、特に好ましくは3,7-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸が挙げられる。３６５ｎｍの波長における好ましい減光性化合物としては、ジアゾ染料および高度に共役したフェノール染料が挙げられる。１９３ｎｍの波長における好ましい減光性化合物としては、フェニル環含有化合物が挙げられる。
上記組成物には、さらにいくつかの付加的な成分を含ませてもよいことはいうまでもない。典型的な付加成分としては、界面活性剤、触媒および接着促進剤が挙げられる。
本発明の組成物の基板への適用方法は、所定量の本発明の組成物を、公知のどれかの塗布方法（スピンコート法など）によって、単に、基板表面に塗布することからなる。基板は、一般的なチップ（たとえば、シリコンウエハ）またはイオン注入膜であればよい。
所望の皮膜層を設けた後、得られた膜を加熱して架橋を進行させる（たとえば、約１００〜２５０℃の温度に）。厚み約４０ｎｍの膜における、波長約２４８ｎｍでの硬化膜のｋ値（すなわち、屈折複素数の虚数成分）は、少なくとも約０.３、好ましくは少なくとも約０.４５であり、ｎ値（すなわち、屈折複素数の実数成分）は、少なくとも約１.０、好ましくは少なくとも約１.８となる。つまり、本発明の組成物から形成された硬化膜は、約２４８ｎｍの波長における光を少なくとも約９０％、好ましくは約９９％吸収する。このＤＵＶ波長における吸光特性は、本発明の組成物の特に有用な利点である。
次いで、硬化した組成物にフォトレジストを塗布することができ、その後、該フォトレジストの露光、現像およびエッチングを行う。本発明の方法によれば、前述したような望ましい性質を有する前駆構造が得られる。
また、本発明組成物の硬化物が湿式現像性であることも高く評価される。すなわち、硬化した組成物は、水酸化テトラメチルアンモニウムまたは水酸化カリウム現像剤などの従来汎用の水性現像液で除去することができる。本発明に係る皮膜は、水酸化テトラメチルアンモニウム（たとえば、ＯＰＤ２６２，オリン フォトディベローパー（Olin Photodeveloper）より入手）などの塩基性現像剤により、少なくとも約９０％、好ましくは少なくとも約９８％が除去される。市販品として入手可能な現像剤に対するこのような溶解度パーセントは、これにより、製造工程を短縮化し、コストを低減させることから、従来技術に対して著しく優位な利点である。
最後に、上記した多くの利点に加え、本発明の組成物はスピン・ボウル適合性である。これは、実施例２に示すように、ＰＧＭＥＡを用い、平均厚みを求めるために５つの測定値を用いることにより求められる。溶解度パーセントは、以下のように求められる。
本発明の組成物は、少なくとも約５０％、より好ましくは約９０％の溶解度パーセントを示す。
好ましい実施態様の詳細な説明
実施例
以下の実施例は本発明に係る好ましい方法を説明するものである。しかしながら、これら実施例は説明のためのものであって、これにより本発明全体の範囲をなんら限定するべきではないと理解されるべきである。
反射防止膜用組成物の調製
１. ポリマー調製
4,4'-ジアミノジフェニルスルホン（4,4'-ＤＰＳ）、3,3'-ジヒドロキシベンジデン（ＨＡＢ）および4,4'-ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物（６ＦＤＡ）（それぞれクリスキュウ（KrisKev）社より入手）を、０.４６：０.４６：１のモル比で結合させることによりポリアミック酸を製造した。これら成分は、ジアセトンアルコール（アルドリッチより入手）中、６０℃で結合させた。混合物を一晩撹拌し、こげ茶色で、固形分含量１０重量％の粘性液が得られた。
２． 反射防止膜の調製
表１に示す各成分を混合し、反射防止膜用組成物を得た。

ａ 組成物中の全成分の合計重量を１００重量％をする
ｂ プロピレングリコールメチルエーテルアセタート
ｃ ＭＹ７２０，アラルダイトより入手した４官能エポキシ樹脂，５０重量％のジアセトンアルコール希釈液
試験方法および結果
１．ＧＰＣ分析
上記実施例のパート１で調製されたポリマーを、ゲルパーミエーションカラムを備え、n-メチルピリリドンとともにテトラヒドロフランを移動相として用いるＨＰＬＣを用いて分析し、分子量を測定した。実施例１のパート１で調製したポリマーの重量分子量は２４,９０８であり、数分子量は１３,４６２であった。
２．スピン・ボウル／溶媒適合性試験
実施例１のパート２で調製された各組成物に、スピン・ボウル／溶媒適合性試験を課した。この試験は、各サンプルにつき５枚の４インチシリコンウェハに、組成物をスピンコーティングして行われた。スピンコーティング後、得られた膜を環境温度で２４時間乾燥した。この時、Stokes（ストークス）エリプソメータを用いて、各ウェハの平均初期膜厚を測定した。厚み測定後、各ウェハを種々の溶媒（アセトン、乳酸エチル、ＰＧＭＥＡ、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）および2-ヘプタノン）に、１８０秒間浸漬し、次いで３５００rpmでスピン乾燥した。その後、再びStokesエリプソメータを用いて、それぞれの平均最終膜厚を測定した。各サンプルの平均最終膜厚値は、反射防止膜が各溶媒で１００％除去されたことを示した。
３. 膜溶出試験
実施例１のパート２で調製された反射防止膜用組成物について、典型的なフォトレジスト溶媒と下層の反射防止膜との間での相互作用の度合を分析するために、膜溶出試験を課した。この試験では、４インチシリコンウェハを、所定の反射防止膜組成物で被覆した後、１３０℃で３０秒間焼成し、１５０℃で６０秒間第２焼成した。次いで、Stokesエリプソメータを用いて膜厚を測定した。膜厚を測定した後、ウェハに乳酸エチルを噴霧した。ウェハ上の液滴を１０秒後そのままにした後、ウエハを３５００rpmで２０秒間スピン乾燥した。その後、ウェハを再びStokesエリプソメータで測定し、膜厚を求めた。溶出量は、初期および最終の膜厚測定値の差である。溶出率％は、下記式で示される。
本発明に係る組成物が与える溶出率％は、約２０％より少ない、好ましくは約５％よりも少ない。これら組成物のいずれも、１５０〜２０５℃の焼成温度では溶出を示さなかった。
４． Ｖ.Ａ.Ｓ.Ｅ.分析
この分析では、４インチシリコンウェハに、実施例１のパート２で得られる組成物をそれぞれ別個にコーティングした。変角分光エリプソメトリにより、それぞれの屈折率（すなわち、ｎ値）および屈折率虚数成分（すなわち、ｋ値）を求めた。各組成物は、２４８ｎｍにおいて、ｎ値１.１、ｋ値０.４５を示した。
５． フォトリソグラフィ
厚み４０ｎｍの膜を得るために、実施例１のパート２の組成物を、それぞれ８インチのシリコン基板上に、３５００rpmで６０秒間スピンコートした。その後、膜を１３０℃で３０秒間焼成し、１７５℃で６０秒間焼成した。各反射防止膜層上に、市販の５００ｎｍフォトレジスト（ＳＥＰＲ４３０，信越化学工業（Shinetsu））をスピンコートした後、９０℃で軽く焼成した。次いで、外部シグマ０.８７および内部シグマ０.５７の環状照明およびＮＡＮＡ０.６３のＡＳＭＬ５５００／３００ステッパーを用い、フォトレジストを、ラインおよびスペースでパターン化した。ＫｒＦエキシマレーザーを２６ｍｊ／ｃｍ２照射した後、１１０℃で９０秒間焼成した。その後、フォトレジストおよび反射防止膜を、０.２６Ｎ水酸化テトラメチルアンモニウム水性現像液（商品名ＯＰＤ２６２の市販品）で現像した。サンプルウェハの１つの断面観察を図３に示す。
フォトレジスト現像時に湿式現像性反射防止膜がどのように除去されるかを示す回路構造の断面図を示す走査型電子顕微鏡観察像（ＳＥＭ）である。 フォトレジスト現像時に従来汎用の熱硬化性反射防止膜はどのように残存するかを示す回路構造の断面図を示すＳＥＭである。 フォトレジスト現像時に本発明に係る湿式現像性反射防止膜がどのように除去されるかを示す回路構造の断面図を示すＳＥＭである。

Claims (20)

  1. 溶媒系に溶解または分散したポリマーを含む、反射防止膜用組成物であって、組成物が熱架橋剤を含み、かつ、該ポリマーが、
    で示される化合物と、
    （式中、
    各Ｒは、それぞれ独立に、-ＯＨ、-ＮＨ２、水素、脂肪族およびフェニルからなる群より選ばれ、（Ｉ）の各環上のＲの少なくとも１つは、-ＮＨ２であり；かつ
    Ｌは、-ＳＯ２-および-ＣＲ'２-からなる群より選ばれ、ここでの各Ｒ'は、それぞれ独立に、水素、脂肪族、フェニルおよび-ＣＸ３からなる群より選ばれ、ここでの各Ｘは、それぞれ独立にハロゲンからなる群より選ばれる。）
    で示される化合物とのコポリマーであることを改良点とし、かつ
    ４０ｎｍの厚みにおいて、２４８ｎｍの波長でのｋ値は少なくとも０．３であり、ｎ値が１．０である膜を形成することができる組成物。
  2. Ｌが、-ＳＯ２-である請求項１に記載の組成物。
  3. Ｌが、-ＣＲ'２-である請求項１に記載の組成物。
  4. 各Ｒ'が、-ＣＦ３である請求項３に記載の組成物。
  5. 表面を有する基板と、前記表面に隣接した下記硬化した反射防止膜との積層体：
    熱架橋剤、および、溶媒系に溶解または分散したポリマーを含む組成物から形成される反射防止膜であって、該ポリマーが、
    で示される化合物と、下記式で示される化合物とのコポリマーであり、
    （式中、
    各Ｒは、それぞれ独立に、-ＯＨ、-ＮＨ２、水素、脂肪族およびフェニルからなる群より選ばれ、（Ｉ）の各環上のＲの少なくとも１つは、-ＮＨ２であり；かつ
    Ｌは、-ＳＯ２-および-ＣＲ'２-からなる群より選ばれ、ここでの各Ｒ'は、それぞれ独立に、水素、脂肪族、フェニルおよび-ＣＸ３からなる群より選ばれ、ここでの各Ｘは、それぞれ独立にハロゲンからなる群より選ばれる。）
    ４０ｎｍの厚みにおいて、２４８ｎｍの波長でのｋ値は少なくとも０．３であり、ｎ値が１．０である反射防止膜。
  6. 前記硬化膜が、湿式現像性である請求項５に記載の積層体。
  7. 前記硬化膜が、プロピレングリコールメチルエーテルアセタートを溶媒とする時の溶解度パーセントが少なくとも５０％である請求項５に記載の積層体。
  8. 前記基板が、シリコンウェハおよびイオン注入膜からなる群より選ばれる請求項５に記載の積層体。
  9. 前記積層体が、前記硬化膜に隣接したフォトレジスト膜をさらに含む請求項５に記載の積層体。
  10. 前記硬化膜が、塩基性現像剤に少なくとも９０％溶解しうる請求項５に記載の積層体。
  11. Ｌが、-ＳＯ２-である請求項５に記載の積層体。
  12. Ｌが、-ＣＲ'２-である請求項５に記載の積層体。
  13. 各Ｒ'が、-ＣＦ３である請求項１２に記載の積層体。
  14. 反射防止膜用組成物の使用方法であって、該方法が基板に所定量の組成物を塗布して、前記組成物を加熱して架橋を進行させ、硬化膜を形成させることを含み、前記組成物は熱架橋剤と溶媒系に溶解または分散したポリマーを含み、該ポリマーは、
    で示される化合物と、下記式で示される化合物とのコポリマーであり、
    （式中、
    各Ｒは、それぞれ独立に、-ＯＨ、-ＮＨ２、水素、脂肪族およびフェニルからなる群より選ばれ、（Ｉ）の各環上のＲの少なくとも１つは、-ＮＨ２であり；かつ
    Ｌは、-ＳＯ２-および-ＣＲ'２-からなる群より選ばれ、ここでの各Ｒ'は、それぞれ独立に、水素、脂肪族、フェニルおよび-ＣＸ３からなる群より選ばれ、ここでの各Ｘは、それぞれ独立にハロゲンからなる群より選ばれる。）
    前記硬化膜は、４０ｎｍの厚みにおいて、２４８ｎｍの波長でのｋ値は少なくとも０．３であり、ｎ値が１．０である、組成物の使用方法。
  15. 前記塗布が、前記組成物を前記基板表面上にスピンコーティングすることを含む請求項１４に記載の方法。
  16. 前記基板が、そこに形成されたホールを有し、該ホールが底部および側壁で形付けられ、前記塗布が、前記組成物を前記底部および側壁の少なくとも一部に塗布することを含む請求項１４に記載の方法。
  17. 前記加熱が、１００−２５０℃の温度で焼成することを含む、請求項１４に記載の方法。
  18. 前記硬化膜にフォトレジストを塗布する工程をさらに含む請求項１７に記載の方法。
  19. 下記工程をさらに含む請求項１８に記載の方法：
    前記フォトレジストの少なくとも一部を活性化光線に露光する工程、および
    露光したフォトレジストを現像する工程。
  20. 前記現像工程により、前記露光したフォトレジストに隣接する領域から前記硬化膜を除去する請求項１９に記載の方法。
JP2004515999A 2002-06-25 2003-06-18 反射防止膜用湿式現像性ポリマーバインダーとしてのスピン・ボウル適合性ポリアミック酸／イミド Expired - Lifetime JP4533744B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/180,624 US7261997B2 (en) 2002-01-17 2002-06-25 Spin bowl compatible polyamic acids/imides as wet developable polymer binders for anti-reflective coatings
PCT/US2003/019456 WO2004000928A2 (en) 2002-06-25 2003-06-18 Spin bowl compatible polyamic acids/imides as wet developable polymer binders for anti-reflective coatings

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005535740A JP2005535740A (ja) 2005-11-24
JP4533744B2 true JP4533744B2 (ja) 2010-09-01

Family

ID=29999172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004515999A Expired - Lifetime JP4533744B2 (ja) 2002-06-25 2003-06-18 反射防止膜用湿式現像性ポリマーバインダーとしてのスピン・ボウル適合性ポリアミック酸／イミド

Country Status (7)

Country Link
US (4) US7261997B2 (ja)
EP (1) EP1540420B1 (ja)
JP (1) JP4533744B2 (ja)
KR (2) KR101019316B1 (ja)
AU (1) AU2003251582A1 (ja)
TW (1) TWI311996B (ja)
WO (1) WO2004000928A2 (ja)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7261997B2 (en) * 2002-01-17 2007-08-28 Brewer Science Inc. Spin bowl compatible polyamic acids/imides as wet developable polymer binders for anti-reflective coatings
US7108958B2 (en) * 2002-07-31 2006-09-19 Brewer Science Inc. Photosensitive bottom anti-reflective coatings
TWI358612B (en) * 2003-08-28 2012-02-21 Nissan Chemical Ind Ltd Polyamic acid-containing composition for forming a
EP1673801B1 (en) * 2003-10-15 2014-04-09 Brewer Science, Inc. Developer-soluble materials and methods of using the same in via-first dual damascene applications
JP4769455B2 (ja) * 2003-12-30 2011-09-07 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． コーティング組成物
US20070207406A1 (en) * 2004-04-29 2007-09-06 Guerrero Douglas J Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers
US20050255410A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-17 Guerrero Douglas J Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers
CN102981368B (zh) * 2004-05-14 2015-03-04 日产化学工业株式会社 含有乙烯基醚化合物的形成防反射膜的组合物
WO2006027950A1 (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Nissan Chemical Industries, Ltd. ポリアミド酸を含む下層反射防止膜形成組成物
KR100703007B1 (ko) * 2005-11-17 2007-04-06 삼성전자주식회사 감광성 유기 반사 방지막 형성용 조성물 및 이를 이용한패턴 형성 방법
US7563563B2 (en) * 2006-04-18 2009-07-21 International Business Machines Corporation Wet developable bottom antireflective coating composition and method for use thereof
JP4831324B2 (ja) * 2006-07-06 2011-12-07 日産化学工業株式会社 スルホンを含有するレジスト下層膜形成組成物
US7914974B2 (en) 2006-08-18 2011-03-29 Brewer Science Inc. Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process
US20090098490A1 (en) * 2007-10-16 2009-04-16 Victor Pham Radiation-Sensitive, Wet Developable Bottom Antireflective Coating Compositions and Their Applications in Semiconductor Manufacturing
KR101211325B1 (ko) * 2007-10-30 2012-12-12 브레우어 사이언스 인코포레이션 광화상형성가능한 측쇄 폴리머
US8133659B2 (en) 2008-01-29 2012-03-13 Brewer Science Inc. On-track process for patterning hardmask by multiple dark field exposures
US8053368B2 (en) * 2008-03-26 2011-11-08 International Business Machines Corporation Method for removing residues from a patterned substrate
US20110236835A1 (en) * 2008-12-10 2011-09-29 Peng-Fei Fu Silsesquioxane Resins
US8507179B2 (en) * 2008-12-10 2013-08-13 Dow Corning Corporation Switchable antireflective coatings
WO2010068336A1 (en) 2008-12-10 2010-06-17 Dow Corning Corporation Silsesquioxane resins
US9640396B2 (en) 2009-01-07 2017-05-02 Brewer Science Inc. Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography
US8877430B2 (en) 2010-08-05 2014-11-04 Brewer Science Inc. Methods of producing structures using a developer-soluble layer with multilayer technology
KR101900976B1 (ko) 2010-12-27 2018-09-20 브레우어 사이언스 인코포레이션 개선된 패터닝 요구를 위해 작은 특징 부분(feature)을 패터닝하는 방법
WO2012109495A1 (en) 2011-02-09 2012-08-16 Metabolic Solutions Development Company, Llc Cellular targets of thiazolidinediones
SG10201607603VA (en) 2011-10-10 2016-11-29 Brewer Science Inc Spin-on carbon compositions for lithographic processing
JP2016509572A (ja) 2012-11-05 2016-03-31 プロナイ セラピューティクス インコーポレイテッド Ｂｃｌ２発現の調節による癌の処置のためにバイオマーカーを使用する方法
JP6287466B2 (ja) * 2013-04-08 2018-03-07 Jsr株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
US11262656B2 (en) * 2016-03-31 2022-03-01 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Coating compositions for use with an overcoated photoresist

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3496132A (en) * 1966-05-05 1970-02-17 Gen Electric Viscosity control additives in polyamide acid solutions
JPS4928315Y2 (ja) * 1971-05-26 1974-08-01
US4910122A (en) 1982-09-30 1990-03-20 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating
EP0157732B1 (de) * 1984-03-07 1988-06-01 Ciba-Geigy Ag Vernetzbare, lineare Polyätherharze
US4625120A (en) * 1984-04-30 1986-11-25 Rca Corporation Deep ultraviolet (DUV) flood exposure system
US4631335A (en) * 1984-12-24 1986-12-23 United Technologies Corporation Polyimide of alkylene diamine and 4,4'(hexafluoroisopropylidene)bis(o-phthalic anhydride)
US4742152A (en) 1986-05-27 1988-05-03 United Technologies Corporation High temperature fluorinated polyimides
US4927736A (en) 1987-07-21 1990-05-22 Hoechst Celanese Corporation Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom
US4803147A (en) 1987-11-24 1989-02-07 Hoechst Celanese Corporation Photosensitive polyimide polymer compositions
JPH0260934A (ja) 1988-06-28 1990-03-01 Amoco Corp 中間層絶縁体および基板被膜用の低誘電率、低水分吸収ポリイミドおよびコポリイミド
US5304626A (en) 1988-06-28 1994-04-19 Amoco Corporation Polyimide copolymers containing 3,3',4,4'-tetracarboxybiphenyl dianhydride (BPDA) moieties
US5024922A (en) * 1988-11-07 1991-06-18 Moss Mary G Positive working polyamic acid/imide and diazoquinone photoresist with high temperature pre-bake
US5138424A (en) 1988-11-07 1992-08-11 Brewer Science, Inc. Positive working polyamic acid/imide photoresist compositions and their use as dielectrics
US5057399A (en) 1989-03-31 1991-10-15 Tony Flaim Method for making polyimide microlithographic compositions soluble in alkaline media
KR950011927B1 (ko) * 1989-12-07 1995-10-12 가부시끼가이샤 도시바 감광성 조성물 및 수지봉지형 반도체장치
US5183534A (en) * 1990-03-09 1993-02-02 Amoco Corporation Wet-etch process and composition
US5234990A (en) 1992-02-12 1993-08-10 Brewer Science, Inc. Polymers with intrinsic light-absorbing properties for anti-reflective coating applications in deep ultraviolet microlithography
EP0580108B1 (en) * 1992-07-22 1997-03-12 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha A photosensitive polyimide composition
US5397684A (en) 1993-04-27 1995-03-14 International Business Machines Corporation Antireflective polyimide dielectric for photolithography
JP3033443B2 (ja) * 1994-06-29 2000-04-17 信越化学工業株式会社 反射防止膜材料
US5688987A (en) 1994-11-09 1997-11-18 Brewer Science, Inc. Non-subliming Mid-UV dyes and ultra-thin organic arcs having differential solubility
JP3031214B2 (ja) * 1995-09-11 2000-04-10 信越化学工業株式会社 反射防止膜材料
KR100228030B1 (ko) * 1996-12-31 1999-11-01 김충섭 안정한 폴리이미드 전구체 및 그 제조 방법
US5952448A (en) 1996-12-31 1999-09-14 Korea Research Institute Of Chemical Technology Stable precursor of polyimide and a process for preparing the same
JPH10307394A (ja) 1997-05-09 1998-11-17 Hitachi Ltd ポジ型感光性樹脂組成物とそれを用いたパターン形成方法並びに電子装置の製法
US5998569A (en) 1998-03-17 1999-12-07 International Business Machines Corporation Environmentally stable optical filter materials
US6166174A (en) * 1998-08-05 2000-12-26 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method to prepare processable polyimides with non-reactive endgroups using 1,3-bis(3-aminophenoxy) benzene
WO2001063358A1 (en) * 2000-02-22 2001-08-30 Brewer Science, Inc. Organic polymeric antireflective coatings deposited by chemical vapor deposition
KR100917101B1 (ko) * 2000-08-04 2009-09-15 도요 보세키 가부시키가이샤 플렉시블 금속적층체 및 그 제조방법
JP3781960B2 (ja) * 2000-09-29 2006-06-07 信越化学工業株式会社 反射防止膜材料およびパターン形成方法
US6455416B1 (en) 2000-10-24 2002-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Developer soluble dyed BARC for dual damascene process
WO2002066539A1 (en) * 2001-02-16 2002-08-29 Dominion Energy, Inc. Poly amic acid system for polyimides
US20040010062A1 (en) * 2001-09-27 2004-01-15 Byeong-In Ahn Polyimide copolymer and methods for preparing the same
US7261997B2 (en) * 2002-01-17 2007-08-28 Brewer Science Inc. Spin bowl compatible polyamic acids/imides as wet developable polymer binders for anti-reflective coatings
US7265431B2 (en) 2002-05-17 2007-09-04 Intel Corporation Imageable bottom anti-reflective coating for high resolution lithography

Also Published As

Publication number Publication date
TW200409791A (en) 2004-06-16
AU2003251582A8 (en) 2004-01-06
WO2004000928A3 (en) 2004-08-26
AU2003251582A1 (en) 2004-01-06
US20060063106A1 (en) 2006-03-23
EP1540420A4 (en) 2010-09-15
EP1540420A2 (en) 2005-06-15
TWI311996B (en) 2009-07-11
US7608380B2 (en) 2009-10-27
US20040210034A1 (en) 2004-10-21
KR20050024381A (ko) 2005-03-10
KR101019316B1 (ko) 2011-03-07
US7261997B2 (en) 2007-08-28
JP2005535740A (ja) 2005-11-24
US20030166828A1 (en) 2003-09-04
KR20100111744A (ko) 2010-10-15
WO2004000928A2 (en) 2003-12-31
EP1540420B1 (en) 2013-09-04
US20100040988A1 (en) 2010-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4533744B2 (ja) 反射防止膜用湿式現像性ポリマーバインダーとしてのスピン・ボウル適合性ポリアミック酸／イミド
JP4444662B2 (ja) 高度マイクロリソグラフィー用有機反射防止膜用組成物
JP4648967B2 (ja) 改善されたスピンボウル適合性を有する反射防止コーティング組成物
US6277750B1 (en) Composition for bottom reflection preventive film and novel polymeric dye for use in the same
EP1573785B1 (en) Bottom anti-reflective coatings derived from small core molecules with multiple epoxy moieties
EP2841513B1 (en) Photosensitive, developer-soluble bottom anti-reflective coating material
JP4918162B2 (ja) １９３ｎｍリソグラフィー用の二重層の感光性で現像液に可溶な底面反射防止塗膜
KR101148918B1 (ko) 다공질 하층막 및 다공질 하층막을 형성하기 위한 하층막형성 조성물
CN1942826A (zh) 正性操作的可光成像的底部抗反射涂层
KR100891046B1 (ko) 하이드록시프로필 셀룰로즈의 아릴 우레탄을 함유하는열경화성 반사방지 코팅
TWI752071B (zh) 形成下層抗反射膜之組成物及含有下層抗反射膜之半導體裝置之製造方法
EP2233978B1 (en) Composition for formation of anti-reflective film, and pattern formation method using the composition

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060526

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081118

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090216

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090224

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090312

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091222

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100319

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100329

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100421

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100428

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100512

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100608

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100614

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4533744

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term