TWI311996B - Spin bowl compatible polyamic acids/imides as wet developable polymer binders for anti-reflective coatings - Google Patents

Spin bowl compatible polyamic acids/imides as wet developable polymer binders for anti-reflective coatings Download PDF

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TWI311996B
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Charles J Neef
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Description

1311996 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用於微電子裝置中的新穎聚合物和抗反 射組成物。此等組成物包括聚醯胺酸且可在水性光阻 影劑中顯影。 " 【先前技術】 積體電路製造商都一致地尋求使基板晶圓最大化且使 裝置特件尺寸最小化以改良產率，減低單位箱體尺寸，及 增加晶片上計算能力。隨著更深度紫外光（DUV)微刻板術 方法的進展，在矽晶片或其他晶片上的裝置特件尺寸如今 已都是次微米尺寸。 不過，於半導體裝置製造中，光阻劑常會碰到的一項 常見問題為活化輻射會被承載光阻劑的基板所反射回到光 阻劑之内。此種反射現象常會造成模糊的圖樣而減低光阻 劑的解析度。當基板為非平面者及/或具高度反射性者之時 ，處理過的光阻劑中所含影像的品質降低特別會造成問題 。解決此問題的一種做法為使用經施加到在光阻劑層下方 的基板上面之抗反射塗層。雖然抗反射塗層可以有效地阻 止或減低反射，不過彼等的使用需要在程序中加上額外的 突破步驟以移除該塗層。此舉必定導致增加的程序成本。 對於此項問題的一種解決方法為使用可溼式顯影的抗 反射塗層。此種類型的塗層可以與曝光過的光阻劑材料部 位一起移除掉。亦即，在光阻劑層暴露於穿透圖樣光罩的 光線之後，將曝光過的光阻劑部位溼式顯影且於隨後用水 1311996 員’V A]予以移除而留下合意的溝槽和孔洞圖樣。於此種 ”、’ p v驟中，可溼式顯影的抗反射塗 Μ額外移除步驟的需要。可惜者，可渔式顯影的抗反射 土層因為彼等也必須展現良好的旋轉碗狀物相容性和用為 抗反射塗層的優良光學性ff事實而尚未被廣泛採用。因 此’對於可以用傳統光阻劑顯影劑移除掉同時展現出良好 的塗層和光學性質之抗反射塗覆組成物要存在著。 【發明内容】
本發明廣義地包括可以用於微電 板術組成物（且特別者為抗反射塗覆 子裝置的製造中 組成物）。 之微
更洋細§之’ s玄寺組成物包括_ 劑系統内之聚合物。於一具體實例中 酿胺酸。該聚酿fee酸較佳地包括呈有 經溶解或分散在一溶 ，該較佳聚合物為聚 下式重複性單體 0 〇
及 9 1311996 . 與 其中0和0個別地表芳基或脂族基。 於此具體實例中，該聚醯胺酸較佳地係經由將 胺予以聚合而形成者。較佳的二酸酐具有 Ο 「八 酸Sf
0
X
0 此處0表芳基或脂族基 特別較佳的二酸酐為
此處匕」表芳基或脂族基。 特別較佳的二胺類為：
10
1311996 H2N-(CH2)n—-NH2 n = 2-8 h2n X = 〇, s’ 'Ch2, -c(ch3)2,或-c(cf3)2,
於另一較佳具體實例中 重複單體 較佳的聚合物包括具有下式
及
:鈉面式子中，各R為個別地選自由氫、_〇H、脂族 基和苯基所組成的群組。較佳的脂族基為Ci_C8分支=和 非分支型烷基例如第三丁基和異丙基。 L為選自由-SCV和_CR，2_所組成的群組。當l為_ CR 2-時，則各R，為個別地選自由氫、脂族基（較佳為 c8 /刀支型和非分支型燒基）和笨基與_cx3戶斤組成的群組。 於R，為-cx3的具體實例中，各χ為個別地選自由齒素所 組成的群組，其中以氟和氣為最佳的鹵素。 於又另-具體實例中，該聚合物係經由將具有下面的 1311996 式子之化合物
R R R D
與具有下面式子之化合物 R R R
於此具體實例的式子中’“為個別地選自由發_ 顚2、氣、脂族基和苯基所組成的群组。再度地，如同第 一具體實例一般，較佳的脂族基為c〗_c8分支型和非分支 型烷基例如第三丁基和異丙基。再者，較佳者為在⑴的每 一環上至少有一 R為-NH2。 L較佳者為選自由4〇2_和-cr，2·所組成的群組。此處 各R，為個別地選自由氫、脂族基（較佳者為c】_C8分支型 和非分支型烷基）、苯基與-Cl所組成的群組。當L為_ 的時，各X為個別地選自由鹵素所組成的群組。 不淪具體貫例為何，該等組成物都是經由單純地將該 聚合物溶解或分散到適當的溶劑系統内而形成的，較佳者 為在周圍條件下且給予足量的時間以形成實質均勻的分散 液。該聚合物在組成物内的含量應該在丨_丨〇〇重量％，較 12 1311996 佳從約2G_8G重量％，更佳為從約4G_6G重量％，其係將組 成物中的固體總重量定為1 〇〇重量％。此聚合物的重量平 均分子量較佳者為從約2,00(M，000,000道耳吞（Dalton)， 更佳者為從約M00-500,_道耳吞，且甚至更佳者為從約 1〇,000-1〇〇,〇〇〇 道耳吞。 較佳的溶劑系統包括選自由丙二醇曱基醚乙酸酯 (PGMEA)、丙二醇甲基醚（pGME)和彼等的混合物所組成的 群組。該溶劑系統應該具有從約50-250。C，且更佳者為 從約150-200。C的沸點，且應該在從約5〇_99重量％，且 較佳者從、約9〇·98 "%的含量利用之，其係將組成物中 的固體總重量定為丨00重量％。 任何其他成分都應該與聚合物一起溶解或分散在該溶 齊J系統内。一種此種成分為交聯劑。較佳的交聯劑包括胺 基塑料（例如P〇WDERLINK®1174，Cymel®產品）和環氧樹 月曰。父聯劑在組成物内的含量應該為在將組成物中的固體 總重量定為100重量％之基礎上為從約0-50重量％，且較 佳者為從約！0-20重量％。因此，本發明組成物應該在從 約100-250。C，且更佳者在從約15〇_2〇〇。c的溫度下六 聯。 乂 較佳者該組成物也包括光衰減性化合物或發色團。光 衰減性化合物在組成物内的含量應該為在將組成物中的固 體總重Ϊ定為100重量％之基礎上為從約〇 5〇重量％，且 軚佳者為從約丨5_30重量％。該光衰減性化合物應該根據 要加工該組成物時的波長來選擇。所以，在248奈米 13 1311996 波長之下，較佳的光衰減性化合物包 較佳者為 — 心栝-類和感類，特別 ‘、，、，—每基-2_奈甲酸。在365奈米波長之 佐的光衰減性化合物包括重氮 乳木枓和回度共軛性酚染料。 任193奈米波長之下，較佳 基環的化合物。“的先嫌化合物包括含有苯 。二成物中也可以包括許多種其他選用的成分 ^ 成分包括界面活性劑、觸媒和黏著促進劑。 施加本發明組成物到基板上的方法單純地包括將 ^^成物以任何已知的塗布方法（包括旋轉塗覆）塗布到 表面之上。該基板可為任何習用的晶片（例如石夕晶圓） 或離子植層（ion implant layer)。 於達到口忍的覆蓋率之後，應該加熱所得層以誘導交 聯(例如’到約跡25(rc之溫度)。在約4〇奈米 與約⑽奈米的波長之下，經固化的層會具有至少約二 ^較佳者至少約0.45的k值（亦即，複合折射率中的虛 分里），及至少約U，且較佳者為至少約ι 8的η值（亦即 複σ折射率中的實分1 。亦即，使用本發明組成物形成 的固化層要在請奈米波長下吸收至少約90%，且較佳 者至少約99%的光。此種吸收Duv波長的光之能力心 發明組成物的一項特別有用之優點。 然後可以在固化材料Η尬a k m 何卄上％加光阻劑，接著予以曝光， 顯影，及#刻光阻劑。#用本發明方法可以產生 所述合意性質的先質結構物。 要進步了解者，經固化的本發明組成物係可渥式顯 14 1311996 影者。亦βρ，該固化組成物可以使用f用的水性顯影劑予 以移除，例如使用氫氧化四甲銨或氫氧化鉀等顯影劑。採 用鹼顯影劑例如氫氧化四曱銨顯影劑（如，OPD262， 勹付 自Ohn Photodeveloper)可以移除至少約90❹/〇，且較佳者至 少約98%的本發明塗層。此種在商業上可以取得之顯影劑 内的百分溶解度為一項相對於先前技術之明顯優點，因為 此舉可以縮短製造程序且使其成本較低之故。 一 最後，除了上面所述及的許多項優點之外本發明組 成物還具有旋轉碗狀物相容性。此點係根據實施例2所述 ，使用PGMEA作為溶劑並採取5點測定平均厚度而判定 者。百分溶解度係按照下面計算出者： (平均起始樣品厚度—平均最後樣品厚度） ---]*!00
%溶解度=[----------- (起始樣品厚度） 本發明組成物顯示出至少約5〇%，更佳者至少約9〇% 的百分溶解度。
【實施方式】 較佳具It實例之詳細說明 實施例 下面的實施例敘述出根據本發明的較佳方法。不過， 要知道者，此等實施例侍'為了示範說明而提出，且宜中沒 有要拿來作為對本發明的整體範圍給予限制者。八 實施例1 抗反射塗覆組成物之製傷 15 1311996 1. 聚合物製備 聚醯胺酸係經由將4,4，-二胺基二苯基硼（4,4,-DPS)、 3,3，-二羥基聯苯胺（HAB)和4,4，-六氟亞異丙基二肽酐 (6FDA)(母一者都是得自 KrisKev Corporation)以 0.46 : 0.46 : 1的莫耳比例組合而製造的。此等成分係在6〇。c 下於二丙酮醇（得自Aldrich)組合。將混合物攪拌整個晚上 ’導致深棕色，具有1〇重量％的固體含量之黏稠液體。 2. 抗反射塗覆組成物之製備
將表1的諸成分混合而得抗反射塗覆組成物。 表1 --- 調配物I 重量％3 部份之聚合物 1.58% pgmea^ ' --- 48.50% 一丙酿I醇 48.5% 察曱酸 0 QWn 交聯系"？·~~---- 0.47% 以組成物中的所有成分之總重量定為100重量％為某 準。 ”，土
b丙二醇一曱基醚乙酸酯。 CM Y7 2 0 一 ，一種可得自Ara〗dite的四官能型環氧樹脂； 於二丙酮醇中稀釋50重量％。 丙網醇
衣 L 重量％ 1.23% ^8.80% 甲酸 48.8% 0.74% 0.43% 16 13 Π 996 表3 調配物III 重量％a 此實施例第1部份之聚合物 1.20% PGMEA 48.50% 二丙酮醇 48.5% 3,7-二羥基-2-萘曱酸 0.72% 交聯劑 0.48% 表4 調配物IV 重量％ 此實施例第1部份之聚合物 2.25% PGMEA ' 47.75% 二丙酮醇 ' 47.75% 3,7-二羥基-2-萘曱酸 1.35% 交聯劑 ~ 0.90% 實施例2
檢驗方法和結果 1.GPC分析 分析於此實施例第丨部份中製備成的聚合物以使用 PLC測疋分子量，其中係使用一接著的膠透管柱，以N_
:基pyrillidone和四氫呋喃作為移動相◊於實施例i第j P知中製備成的聚合物具有24,9〇8的分子量與13,462的 分子數。 2 ·旋轉碗狀物/溶劑相容性檢驗 去；貫施例1第2部份中所製備的四種調配物之每 檢=以旋轉碗狀物/溶劑相容性檢驗。對於每一樣品， ^由將組成物旋轉塗覆在5個4，，以圓上而進行 。^之後’使所得層在周圍條件下乾燥24小 ^ ’使用St〇keS擴圓偏光計測定每-晶圓上的平 17 1311996 起始膜厚度。於測定該厚度之後，使用不同的溶劑（丙酮、 乳酸乙s旨、PGMEA、丙二醇一甲基越（叫廳）和2_庚嗣）浸 泡每一晶圓刚秒鐘，接著以测rpm旋轉乾燥。然後再 使用Stokes橢圓偏光計測量個別的平均最後膜厚度。樣品 . 的最後厚度測量顯示出每一種溶劑都移除"〇%的抗反 射塗層。 3. 膜滌除檢驗 對於實施例1第2部份中所製備的每一抗反射塗覆組 成物都施以膜滌除檢驗以測定在典型光阻劑溶劑與底下抗 鲁 反射塗層之間的交互作用。於此檢驗中，使用特別的抗反 射塗覆調配物塗覆一 4”矽晶圓，接著在13〇。c下烘烤3〇 秒鐘，並在15〇。C下第二次焕烤6〇秒鐘。然後使用 Stokes橢圓偏光計測量膜厚度。於測量該厚度之後，使用 乳酸乙酯喷布該晶圓。使所得小液池在該晶圓上靜置 秒鐘，接著以3500 rpm旋轉乾燥該晶圓2〇秒鐘。然後再 使用Stokes擴圓偏光計測量該晶圓以測定出膜厚度。蘇除 量為起始與最後膜厚度，量$之間的差值。百分滌除率為、 傷 %蘇除率=(— — —」、二、----）X 1 〇〇 起始平均膜厚度 根據本發明的組成物得到小於約20%，且較佳者小於 約5%的百分滌除率。每—此等調配物在丨5〇_2〇5。c的烘 烤溫度下都沒有顯示出滌除現象。 4. V.A.S.E.測量 於此程序中，使用實施例】第2部份中所製備的每— 18 1311996 調配物個別t I 4”石夕晶圓。使用可變角纟光譜光度測定型 橢圓偏光分析法測定個別的折射率（亦即n值）和虛折射率（ 亦即k值）。每一種調配物在248奈米都顯示出工丨的n值 和0.45的k值。 5 ·光刻法 將實施例1第2部份中所製備的調配物以35〇〇啊旋 . 轉塗覆在個別的8”矽基板上60秒鐘，產生具有4〇奈米厚 度的膜。將該膜置於130。c下烘烤3〇秒鐘，接著在175 C下烘烤60秒鐘》使用商業上可取得之5〇〇奈米光阻劑 _ (SPER430，可得自Shinetsu)旋轉塗覆在每一抗反射塗層之 上接著在90 C下軟烘烤。然後使用ASML 55〇〇/3〇〇分節 器（stepper)以 〇.63 的 NANA 及以 〇87 的外 和 0.57的内σ之環型照射將該光阻劑造出線條和空間的圖樣 。在26 mj/cm2的KrF激生分子雷射曝光之後，將該光阻 劑在110 C下烘烤90秒鐘。然後使用〇 26 N氫氧化四曱 銨水性顯影劑（可在OPD262之名下取得）將該光阻劑和抗 反射塗層顯影。圖3顯示出一樣品晶圓的橫斷面圖。 鲁 【圖式簡單說明】 圖1為—掃描電子顯微照片（SEM)，繪示出一電路結 構物的橫斷面圖，顯示出當光阻劑在顯影時移除掉可溼式 顯影的抗反射層之情形； 圖2為一電路結構物橫斷面的SEm，顯示出當光阻劑 在顯影時傳統熱固性抗反射層殘留之情形；及 圖3為繪示出一電路結構物橫斷面圖的sem，顯示出 19 1311996 當光阻劑在顯影時移除掉本發明可溼式可溼式顯影的抗反 射層之情形。
20

Claims (1)

  1. 1311996 拾、申請專利範圍： 種聚合物，其包括具有下式的重複性單體
    其中： 脂族基和苯基所組成 各R為個別地選自由氫、_〇H、 的群組；及 句^目由-S〇2·和
    -_，，1 IV叮俎，此處^ 為個別地選自由氫、脂族基、苯基和·CX3所組成 此處各X為個別地選自由齒素所組成的群組。 2.如申請專利_ i項之聚合物，其中至少— 各％上的R為-0H。 3.如申請專利範圍第 4·如申請專利範圍第 項之聚合物，其中L為_s〇2_ 項之聚合物’其中L為_CR 21 1311996 5. 如申請專利範圍第4項之聚合物，其中各r，為_cf 〇 6. -種聚合物’其係經由將具有下式之化合物
    與具有下式之化合物 R d »
    m 聚合而形成者； 其中： 各R為個別地選自由-OH、-NH2、氫、脂族基和苯基 所、、且成的群組；在⑴的每一環上至少有_ R為· ％ ;且⑴ 的每一環上至少有一 R為_〇H ;以及 L為選自由-SCV和-CR，2·所組成的群組，此處各R’ 為個別地選自由氫、脂族基、苯基與-Cl所組成的群組， 此處各X為個別地選自由_素所組成的群組。 22 1311996 7_如申請專利範圍第6項之聚合物，其中匕為_s〇2_。 8. 如申請專利範圍第6項之聚合物，其中L為cr，2_ 〇 9. 如申請專利範圍第8項之聚合物，其中各R，為_CFi 〇 10. —種用於光刻（photolithographic)程序中的組成物， 其中該組成物包括經溶解或分散於溶劑系統内的聚合物， 其改良之處在於该級成物包括交聯劑且該聚合物包括具有 下式的重複性單體
    和
    其中： 各R為個別地選自由氫、_〇H、脂族基和苯基所組成 23 1311996 的群組；且 L為選自由-S〇2_和-CR’2·所組成的群組，此處各R， 為個別地選自由氫、脂族基、苯基和-CX3所組成的群組， 此處各X個別地為選自由鹵素所組成的群組。 11.如申請專利範圍第10項之組成物，其中每一環上 至少有一R為-0H。 12.如申請專利範圍第 10項之組成物’其中L為-S02- •如申睛專利範圍第10 項之組成物，其中Lg-
    其中該組成物包括 ’其改良之處在於 穿下式化合物
    和具有下式化合物 24 1311996 R R R R
    之共聚物 其中： 各R為個別地選自由-OH、-NH2、氫、脂族基和苯基 所，成的群組；在⑴的每一環上至少有_汉為小^;且⑴ 的每一環上至少有一 R為_0H ;以及 L為選自由-S〇2_和_CR，2_所組成的群組，此處各r， 為個別地選自由氫、脂族基、苯基與_c 4 土丹l入3所組成的群組， 此處各X為個別地選自由_素所組成的群組。 15·如申請專利範圍第14項之組成物，其中L為_8〇 16·如申請專利範圍第14項之組成物，其中l為 _ 〇 17·如申請專利範圍第16項之組成物，其中各r，為 18·一種包括下列的物件， 具有表面的基板；和 25 5 1311996 紕連該表面的抗反射層’該抗反射層係用包括經溶解 或分散於溶劑系統内的聚合物之組成物形成的，該聚合物 包括具有下面式子的重複性單體
    和
    其中： 各R為個別地選自由氫、-OH、脂族基和苯基所組成 的群組；且 L為選自由-SCV和-CR，2·所組成的群組，此處各R， 為個別地選自由氫、脂族基、苯基與·％所組成的群組， 此處各X為個別地選自由鹵素所組成的群組。 19.如申請專利範圍第18項之物件，該抗反射層為固 化（cured)層。 2〇·如申請專利範圍第B項之物件’該固化層 顯影者。 屋 21.如申請專利範圍第19項之物件，其中當溶劑為丙 26 1311996 二醇甲基醚乙酸酯時，該固化層具有至少約50%的百分溶 解度。 22_如申請專利範圍第1 8項之物件，其中該基板為選 自由碎晶圓和離子植層（ion implant layer)所組成的群組。 23·如申請專利範圍第19項之物件，其中該組合進一 步包括毗連該固化層的光阻劑層。 24. 如申請專利範圍第1 9項之物件，其中該固化層在 一鹼顯影劑中為至少約90%可溶者。 25. 如申請專利範圍第18項之物件，其中每一環上至 少有一 R為-OH。 26_如申請專利範圍第18項之物件，其中Lg_s〇2_。 27_如申請專利範圍第18項之物件，其中L為—cr, _ 28.如申請專利範圍第27項之物件，其中各反，為
    2 9 · —種包括下列的物件 具有表面的基板；和 毗逯孩表面的固化抗 …/八巧'j ygr係用白 交聯劑及經溶解或分散於溶劑系統内的聚、； 成的，該聚合物為具有下面式子的化合物 、’且
    27 1311996 和具有下式化合物
    之共聚物 其中： 各R為個別地選自由-OH、遍2、氣、脂族基和苯基 所組成的群L在⑴的每—環上至少有_ r為佩；且⑴ 的母一環上至少有一R為-0H ;以及 L為選自由-S〇2_和_CR，2-所組成的群組，此處各r， 為個別地選自由氫、脂族基、苯基與_„3所組成的群組， 此處各X為個別地選自由鹵素所組成的群組。
    30.如申請專利範圍第29項之物件，該固化層為可溼 顯影者。 3 1.如申請專利範圍第29項之物件，其中當該溶劑為 丙一醇甲基醚乙酸酯時，該固化層具有至少約5 〇%的百分 溶解度。 32‘如申請專利範圍第29項之物件，其中該基板為選 自由石夕晶圓和離子植層所組成的群組。 28 1311996 33. 如申請專利範圍第29頊之物件，該組合進一步包 括毗連該固化層的光阻劑層。 34. 如申請專利範圍第29頊之物件，該固化層在一鹼 顯影劑中為至少約90%可溶者。 35. 如申請專利範圍第29頊之物件，其中（I)的每一環 上至少有一 R為-OH。 36. 如申請專利範圍第29項之物件’其中L為_s〇2-。 37. 如申請專利範圍第29項之物件，其中L為-cr，2- 〇 38. 如申請專利範圍第37項之物件，其中各R，為_CF3 〇 39. —種在光刻程序中使用組成物之方法，該方法包括 將一量的該組成物施加到基板上以於其上形成一層之步驟 ’該組成物包括經溶解或分散於溶劑系統内的聚合物，該 組成物包括交聯劑，該聚合物包括具有下式的重複性單體
    和 29 1311996
    其中： 各R為個別地選自由氫、-〇H、脂族基和苯基所組成 的群組；且 L為選自由-S02-和-CR，2-所組成的群組，此處各R， 為個別地選自由氫、脂族基、苯基與-CX3所組成的群組， 此處各X為個別地選自由_素所組成的群組。 40. 如申請專利範圍第39項之方法，其中該施加步驟 包括將該組成物旋轉塗覆在該基板表面之上。 41. 如申請專利範圍第39項之方法，其中該基板具有 形成在其内的洞孔，該洞孔係由底壁和側壁所界定，且該 施加步驟包括將該組成物施加到該底壁和側壁的至少一部 份之上。 42. 如申請專利範圍第39項之方法，其在該施加步驟 :後’進—步包括在約1〇〇_25〇。〇的溫度下烘烤該層以產 生固化層之步驟。 43.如申請專利範圍第42 加光阻劑到該固化層之步驟。 44·如申請專利範圍第43 列步驟： 項之方法，其進一步包括施 項之方法，其進一步包括下 將至少 部份該光阻劑暴露於活化輻射；及 30 1311996 將該經曝光的光阻劑顯影。 45. 如中請專利範圍帛44項之方法，其中該顯影步驟 導致忒固化層從B比連該曝光光阻劑的部位移除掉。 46. —種在光刻程序中使用組成物之方法，該方法包括 將一量的該組成物施加到基板上；以及加熱該組成物以誘 導交聯以於其上形成固代層之步驟，該組成物包括經溶解 或分散於溶劑系統内的聚合物，該聚合物為具有下式化合 物
    之共聚物 其中： 各R為個別地選自由-OH、-NH2、氳、脂族基和苯基. 所組成的群組；在⑴的每一環上至少有_ r為·2;且 l為選自由-S〇2_和_CR’2_m組成的群組，此處各r， 為個別地選自由氫、脂族基、苯基與_CX3所組成的群組， 31 1311996 此處各x為個別地選自由鹵素所組成的群組，該固化層在 約40奈米的厚度吸收至少約9〇%波長約248奈米的光。 47·如申請專利範圍第46項之方法，其中該施加步驟 > 包括將該組成物旋轉塗覆在該基板表面之上。 — 48. 如申請專利範圍第46項之方法，其中該基板具有 形成在其内的洞孔，該洞孔係由底壁和側壁所界定，且該 施加步驟包括將該組成物施加到該底壁和側壁的至少一部 份之上。 # 49. 如申請專利範圍第46項之方法，其在該加熱包括 在約100-250°C的溫度下烘烤該層。 50. 如申請專利範圍第49項之方法，其進一步包括施 加光阻劑到該固化層之步驟。 51. 如申請專利範圍第50項之方法，其進一步包括下 列步驟： 將至少一部份該光阻劑暴露於活化輻射；及 將該經曝光的光阻劑顯影。 52. 如申請專利範圍第si Jg 古、、土 _币D 1項之方法，其中該顯影步驟 導致該固化層從毗連該曝光光阻劑的部位移除掉。 53. -種在光刻程序中使用組成物之方法，該方法包括 下列步驟： 將一量的3亥組成物施加到一其把μ # J暴板上以於其上形成一層 之步驟，該組成物包括經溶解或分散 ^ 畔A刀政於一洛劑系統内的聚 32 1311996 合物’該聚合物包括具有下式的重複性單體
    和 ”中各Θ和0個別地代表芳基或脂族基；及 將至少—部份該層暴露於DUV光。 ,.如申叫專利範圍第5 3項之方法，其在該施加步驟 之後，進一步包括在約1〇〇_25(rc：的溫度下烘烤該層以產 生固化層之步驟。 55. 如申請專利範圍第54項之方法，其在該曝光步驟參 之刖進一步包括施加光阻劑到該固化層之步驟。 56. 如申請專利範圍第55項之方法，其中該曝光步驟 包括將該光阻劑暴露於DuV光。 57’如申明專利範圍第％項之方法，其進一步包括在 該曝光步驟之後將該光阻劑顯影之步驟。 58_如申明專利範圍第57項之方法，其中該顯影步驟 V致》亥S1化層k峨連該曝光光阻劑的部位移除掉。 59.—種在光刻程序中使用組成物之方法，該方法包括 33 1311996 下列步驟： 將一量的該組成物施加到基板上以於其上形成_層之 步驟，該組成物包括經溶解或分散於溶劑系統内的聚醯胺 酸；及 將至少一部份該層暴露於DUV光。 60·如申請專利範圍第59項之方法，其中該聚醯胺酸 為具有下式的化合物
    和具有下式的化合物 HaN
    m
    m 此處 代表芳基或脂族基， 之共聚物。 61.如申请專利範圍第6〇項之方法，其中⑴係選自由 34 1311996
    0、
    所組成的群組。 62.如申請專利範圍第60項之方法，其中（II)係選自由 HsN h2n-(ch2>—ηη2 X - O, S, -CB2, -C(CH3)2> or 13 = 2'8 H23v
    .及 h2n
    所、组成的群組。 63 .如申請專利範圍第59項之方法，該聚醯胺酸包括 具有下式的重複性單體 35 1311996
    及 & π 此處;和liJ個乳地代表芳基或脂族基。 64.如申請專利範圍第59項之方法’其在該施加步驟 之後，進—步包括在約100_25(TC的溫度下烘烤該層以產 生固化層之步驟。 J5·如申請專利範圍帛64項之方法，其在該曝光步驟 之則進-步包括施加光阻劑到該固化層之步驟。 66. 如中請專利範圍第^項之方法，其中該曝光步驟 匕括將该光阻劑暴露於Duv光。 '、 其進一步包括4 67. 如申請專利範圍第66項之方法 劑顯影之步驟 導致該固化層從毗連該i ' ，/、中錢 曝先先阻劑的部位移除掉 其中該顯影步 68. 如申請專利範圍第67項之方法 拾壹、圖式· 如次頁。 36
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