JP4206100B2 - イットリウム系蛍光体、その製造方法及びそれを用いた表示素子 - Google Patents
イットリウム系蛍光体、その製造方法及びそれを用いた表示素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4206100B2 JP4206100B2 JP2005373524A JP2005373524A JP4206100B2 JP 4206100 B2 JP4206100 B2 JP 4206100B2 JP 2005373524 A JP2005373524 A JP 2005373524A JP 2005373524 A JP2005373524 A JP 2005373524A JP 4206100 B2 JP4206100 B2 JP 4206100B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- red phosphor
- phosphor
- conductive material
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 title description 8
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 23
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 18
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- FOUHTHSUSZNYNK-UHFFFAOYSA-M [O-2].[OH-].O.P.[Y+3] Chemical compound [O-2].[OH-].O.P.[Y+3] FOUHTHSUSZNYNK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000003081 coactivator Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical group [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000008774 maternal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/7784—Chalcogenides
- C09K11/7787—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/7794—Vanadates; Chromates; Molybdates; Tungstates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
本発明は、輝度特性が改善されたイットリウム系蛍光体、その製造方法及びそれを用いた表示素子に係り、さらに具体的には、導電性物質を含み、低電圧及び高電流密度下で高い輝度特性を表す赤色蛍光体に関するものである。
従来、電子線照射により発光する陰極発光（ＣＬ：Ｃａｔｈｏｄｅ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）蛍光体の効率を向上させる方法としては、共活性剤の添加、特にナノ粒子を用いた微細コーティングによる表面改質などが公知となっている。
例えば、（Ｓｎ１−ｘＥｕｘ）Ｏ２酸化物を利用した表面コーティングまたは固相反応法（例えば、特許文献１参照）の場合、ＳｎＯ２：Ｅｕは、それ自体がオレンジ−レッド（波長５９５ｎｍ）の色調を帯びる低電圧用蛍光体として知られており、電子伝導性である。
韓国特許公開第２００１−００５７９１５号公報
しかし、特許文献１に開示される従来の蛍光体合成法は、成分の添加、表面コーティングに係る追加的な工程が必要であり、特に表面コーティングと関連した工程条件が非常に複雑であるという短所がある。
また、ＹＯ−ＷＯ系に存在する五相のうち、Ｙ２Ｗ３Ｏ１２の場合、活性元素としてＥｕを利用した赤色蛍光体が知られているが、低電圧、高電流密度の電子線照射時におけるＣＬ蛍光体としての効率は、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕに比べて相対輝度値が６０％程度であるという問題がある。
本発明が解決しようとする技術的課題は、低電圧及び高電流密度下で輝度特性が向上したイットリウム系赤色蛍光体を提供することである。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記イットリウム系赤色蛍光体の製造方法を提供することである。
本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、前記蛍光体を含む表示素子を提供することである。
前記技術的課題を解決するために、本発明は、導電性物質であるＷＯ ３ が母体であるＹ ２ Ｏ ３ とＹ ６ ＷＯ １２ 形態の複合相を形成し、前記ＷＯ ３ の含有量が前記Ｙ ２ Ｏ ３ １モルに対して０．１モル％ないし５モル％であることを特徴とするＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体を提供する。
前記他の技術的課題を解決するために、本発明は、Ｙ２Ｏ３母体を含む溶剤に活性剤であるＥｕを共沈させて混合溶液を得る工程と、前記混合溶液に導電性物質であるＷＯ ３ を母体であるＹ ２ Ｏ ３ １モルに対して０．１モル％ないし５モル％の比率で添加して撹拌する工程と、導電性物質が添加された前記混合溶液を１，５００℃ないし１，６００℃の温度で１時間ないし５時間熱処理して焼成混合物を得る工程と、前記焼成混合物を粉砕及び濾過して導電性物質を含むＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体を形成する工程と、を含むことを特徴とするＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体の製造方法を提供する。
前記さらに他の技術的課題を解決するために、本発明は、前記導電性物質を含むＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体を用いた表示素子を提供する。
本発明による導電性物質含有の赤色蛍光体は、内部に形成された複合相による量子効率などの向上により、蛍光体により高い発光を提供でき、導電性物質を含有していない純粋なＹ２Ｏ３：Ｅｕ母体と比較して、低電圧及び高電流密度下で改善された輝度特性を表す。
以下、本発明をさらに具体的に説明する。
本発明は、導電性物質を含む赤色蛍光体に係り、前記赤色蛍光体は、活性剤がユーロピウムであるイットリウム酸化物蛍光体を母体とする。前記導電性物質は、好ましくは前記蛍光体母体と複合相を形成して半導体性（ｎ型）を示し、従来の導電性蛍光体とは異なり、添加及びコーティング、特に表面コーティングと関連した複雑な工程を必要としない。
本発明による導電性物質を含む赤色蛍光体は、例えば、母体であるＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体に導電性物質を添加及び熱処理し、前記母体と複合相を形成させて得られる。前記導電性物質は、半導体性（ｎ型）を表す半導体物質であることが好ましく、これにより、母体内に存在する剰余電子が導電性を付与する。かような導電性物質としては、例えば、ＷＯ３、ＳｎＯ２及びＩｎ２Ｏ３からなる群から選択された１種以上を使用でき、特に望ましくは、ＷＯ３を使用できる。
例えば、前記ＷＯ３を導電性物質として使用する場合、熱処理工程によって母体であるＹ２Ｏ３と結合してＹ２Ｏ３−ＷＯ３複合相を形成し、かような複合相として、さまざまなものが知られている。代表的な複合相として、フルオライトタイプ（ｆｌｕｏｒｉｔｅ−ｔｙｐｅ）構造であるＹ６ＷＯ１２：Ｅｕ蛍光体は、赤色発光を表し、量子効率が１５％と非常に低いことが知られている（Ｈａｎｓ Ｊ．Ｂｏｒｃｈａｒｄｔ，Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，ｖｏｌ．２，ｐ．１７０（１９６３））が、母体であるＹ２Ｏ３：Ｅｕに追加的な発光を提供し、発光効率を改善すると見られる。特に、低電圧、高電流密度下で電子線照射時の輝度特性が改善される効果を有する。
本発明の赤色蛍光体母体における導電性物質の含有量は、母体であるＹ２Ｏ３ １モルに対して０．１モル％ないし５モル％であり、前記含有量が０．１モル％未満である場合、本発明で目的とする導電性付与効果がほとんどなく、前記含有量が５モル％を超える場合には、母体の含有量が減少し、蛍光体の発光特性が低下するので望ましくない。さらに望ましい含有量範囲は、母体であるＹ２Ｏ３ １モルに対して１モル％ないし５モル％である。
前記本発明による導電性物質を含む赤色蛍光体は、次のような製造方法によって製造可能である。
本発明による前記導電性物質を含む赤色蛍光体は、Ｙ２Ｏ３母体を含む溶剤に活性剤であるＥｕを共沈させて混合溶液を得て、前記混合溶液に導電性物質を添加及び撹拌した後、この溶液を熱処理して得られた焼成混合物を粉砕及び濾過し、導電性物質を含むＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体を製造する。
前記製造方法で用いられる溶剤としては、一般的に蛍光体製造で使われるものならば、特に制限されないが、前記蛍光体母体に対して撹拌が可能なほどの十分な含有量で使用することが望ましい。
本発明による蛍光体母体と導電性物質との複合相は、前記製造工程中に熱処理工程で形成され、かような熱処理工程は、大気雰囲気下、あるいは窒素のような不活性ガス雰囲気下で行われることが望ましい。
前記熱処理工程で焼成を行う場合、焼成温度は、１，５００℃ないし１，６００℃が望ましい。前記焼成温度が１，５００℃未満である場合には、十分な焼成が行われず、導電性物質と蛍光体母体との十分な複合相の形成が得られない場合があり、前記焼成温度が１，６００℃を超える場合には、ナノ粒子成長による、焼成完了後における蛍光体の発光輝度の低下のような問題があって望ましくない。
前記熱処理工程で行われる焼成において、焼成時間は、１時間ないし５時間が望ましい。焼成時間が１時間未満である場合には、十分な焼成がなされない場合があり、５時間を超える場合には、焼成時間に見合った効果が得られないおそれがある。
前記製造方法で使われる蛍光体母体は、Ｙ２Ｏ３であり、それは従来から公知ものをそのまま使用でき、そこに活性剤としてＥｕを共沈させて使用する。前記活性剤であるＥｕの使用量は、従来公知の一般の方法によって含有量を定めることができ、例えば、前記母体１モルに対して約５．７質量％の濃度で使用できる。
前記導電性物質としては、前述のようなｎ型の半導体性物質であって母体内に存在する剰余電子から導電性を付与されるものが好ましく、具体的には、特に制限されないが、例えば、ＷＯ３、ＳｎＯ２及びＩｎ２Ｏ３からなる群から選択された１種以上を使用でき、特に望ましくは、ＷＯ３を使用できる。かようなＷＯ３を導電性物質として使用する場合、熱処理工程により、母体であるＹ２Ｏ３と結合してＹ２Ｏ３−ＷＯ３複合相を形成する。
前記製造方法で、導電性物質の添加量は、母体であるＹ２Ｏ３ １モルに対して好ましくは０．１モル％ないし５モル％であり、前記添加量が０．１モル％未満である場合、本発明で目的とする赤色蛍光体の母体への導電性付与効果が得られないおそれがあり、前記添加量が５モル％を超える場合には、母体の含有量が減少し、蛍光体の発光特性が低下するおそれがある。さらに望ましい含有量範囲は、母体であるＹ２Ｏ３ １モルに対して１モル％ないし５モル％である。
前記焼成に続く後続工程は、一般的な蛍光体の製造方法と類似しており、特別の制限なしに従来の方法、例えば、粉砕及び／または濾過工程を行って本発明の導電性物質を含む赤色蛍光体を製造できる。
本発明の方法によって製造された導電性物質含有の赤色蛍光体は、内部に形成された複合相による量子効率などの向上により、蛍光体に追加的な発光を提供でき、導電性物質を含有していない純粋なＹ２Ｏ３：Ｅｕ母体と比較し、低電圧及び高電流密度下で改善された輝度特性を表す。
このように、改善された輝度特性により、本発明による赤色蛍光体は、多様な表示素子、例えば、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）、ＶＦＤ（蛍光表示管）、ＣＲＴ(陰極線管）などに利用可能であり、特にＣＲＴに有用に使用可能である。
以下では、本発明を実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明がそれらに限定されるものではなく、当業者ならば、本発明の範囲内で多様な変形を介して本発明が目的とするところと同じ効果を得ることも可能であると分かる。
＜実施例１＞
まず、基本材としてＹ２Ｏ３（ＡＭＲ社から入手可能）母体に、５．７質量％のＥｕを共沈させた赤色蛍光体に、添加酸化物であるＷＯ３を前記Ｙ２Ｏ３母体１モルに対して１モル％の濃度で添加した。その後、前記混合物を十分に撹拌した後、大気雰囲気で、焼成温度１５５０℃で３時間熱処理した。熱処理が完了した焼成混合物に対して粉砕及び濾過を行って、最終的にＹ２Ｏ３−ＷＯ３複合相の存在するＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体を得た。
まず、基本材としてＹ２Ｏ３（ＡＭＲ社から入手可能）母体に、５．７質量％のＥｕを共沈させた赤色蛍光体に、添加酸化物であるＷＯ３を前記Ｙ２Ｏ３母体１モルに対して１モル％の濃度で添加した。その後、前記混合物を十分に撹拌した後、大気雰囲気で、焼成温度１５５０℃で３時間熱処理した。熱処理が完了した焼成混合物に対して粉砕及び濾過を行って、最終的にＹ２Ｏ３−ＷＯ３複合相の存在するＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体を得た。
＜実施例２＞
前記実施例１でＷＯ３の含有量を、１モル％の代わりに０．１モル％としたことを除いては、前記実施例１と同じ方法を行い、Ｙ２Ｏ３−ＷＯ３複合相が存在するＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体を得た。
前記実施例１でＷＯ３の含有量を、１モル％の代わりに０．１モル％としたことを除いては、前記実施例１と同じ方法を行い、Ｙ２Ｏ３−ＷＯ３複合相が存在するＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体を得た。
＜実施例３＞
前記実施例１でＷＯ３の含有量を、１モル％の代わりに０．５モル％としたことを除いては、前記実施例１と同じ方法を行い、Ｙ２Ｏ３−ＷＯ３複合相が存在するＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体を得た。
前記実施例１でＷＯ３の含有量を、１モル％の代わりに０．５モル％としたことを除いては、前記実施例１と同じ方法を行い、Ｙ２Ｏ３−ＷＯ３複合相が存在するＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体を得た。
＜実施例４＞
前記実施例１でＷＯ３の含有量を、１モル％の代わりに５モル％としたことを除いては、前記実施例１と同じ方法を行い、Ｙ２Ｏ３−ＷＯ３複合相が存在するＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体を得た。
前記実施例１でＷＯ３の含有量を、１モル％の代わりに５モル％としたことを除いては、前記実施例１と同じ方法を行い、Ｙ２Ｏ３−ＷＯ３複合相が存在するＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体を得た。
＜実験例１：相分析実験＞
実施例１で得られた赤色蛍光体の相分析結果を図１に示す。
実施例１で得られた赤色蛍光体の相分析結果を図１に示す。
図１から分かるように、添加物であるＷＯ３の添加量がＹ２Ｏ３母体１モルに対して１モル％の場合には、文献（Ｈａｎｓ Ｊ．Ｂｏｒｃｈａｒｄｔ，Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）に報告されているように、ＹＯ−ＷＯ複合相が混在されているということを確認することができた。
＜実験例２：光特性実験＞
前記実施例１で得られた赤色蛍光体を用いた、複合酸化物が存在する赤色蛍光体のＣＬ光特性の結果を図２に表した。図２は、複合相の存在しない純粋なＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体のＣＬ強度に対する実施例１の赤色蛍光体のＣＬ強度を示す。
前記実施例１で得られた赤色蛍光体を用いた、複合酸化物が存在する赤色蛍光体のＣＬ光特性の結果を図２に表した。図２は、複合相の存在しない純粋なＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体のＣＬ強度に対する実施例１の赤色蛍光体のＣＬ強度を示す。
図２から分かるように、複合相の存在しない純粋なＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体と比較し、高電流密度条件である３．５μＡ／ｃｍ２以上の電子線照射条件では、輝度特性が５％ほど改善されているということが分かる。
導電性物質を含むイットリウム系蛍光体、その製造方法及びそれを採用した表示素子は、例えば このように、改善された輝度特性により、本発明による赤色蛍光体は、多様な表示素子、例えばＰＤＰ、ＦＥＤ、ＶＦＤ、ＣＲＴなどに利用でき、特にＣＲＴに有用に使用可能である。
Claims (3)
- 導電性物質であるＷＯ ３ が母体であるＹ ２ Ｏ ３ とＹ ６ ＷＯ １２ 形態の複合相を形成し、前記ＷＯ ３ の含有量が前記Ｙ ２ Ｏ ３ １モルに対して０．１モル％ないし５モル％であることを特徴とするＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体。
- Ｙ２Ｏ３母体を含む溶剤に活性剤であるＥｕを共沈させて混合溶液を得る工程と、
前記混合溶液に導電性物質であるＷＯ ３ を母体であるＹ ２ Ｏ ３ １モルに対して０．１モル％ないし５モル％の比率で添加して撹拌する工程と、
導電性物質が添加された前記混合溶液を１，５００℃ないし１，６００℃の温度で１時間ないし５時間熱処理して焼成混合物を得る工程と、
前記焼成混合物を粉砕及び濾過して導電性物質を含むＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体を形成する工程と、
を含むことを特徴とするＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体の製造方法。 - 請求項１に記載のＹ２Ｏ３：Ｅｕ赤色蛍光体を用いた表示素子。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040112164A KR100730122B1 (ko) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 전도성 물질을 포함하는 이트륨계 형광체, 그의 제조방법및 이를 채용한 표시소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006183055A JP2006183055A (ja) | 2006-07-13 |
| JP4206100B2 true JP4206100B2 (ja) | 2009-01-07 |
Family
ID=36652390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005373524A Expired - Fee Related JP4206100B2 (ja) | 2004-12-24 | 2005-12-26 | イットリウム系蛍光体、その製造方法及びそれを用いた表示素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7537714B2 (ja) |
| JP (1) | JP4206100B2 (ja) |
| KR (1) | KR100730122B1 (ja) |
| CN (1) | CN1807546B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100540629C (zh) * | 2007-11-12 | 2009-09-16 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 近紫外或蓝光激发的红色荧光粉及其制备方法 |
| KR101082351B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2011-11-10 | 한국에너지기술연구원 | 형광체를 사용한 고효율 태양전지 |
| US8192652B2 (en) * | 2010-05-12 | 2012-06-05 | National Chung Cheng University | Tin-doped indium oxide thin films and method for making same |
| JP5749798B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2015-07-15 | オーシャンズ キング ライティング サイエンスアンドテクノロジー カンパニー リミテッド | 導電酸化物を含有する、希土元素ドーピングされた酸化イットリウム発光フィルム及びその調製方法 |
| US8894883B2 (en) * | 2010-06-12 | 2014-11-25 | Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. | Yttrium oxide phosphor mixture and preparation method thereof |
| CN103222026A (zh) * | 2011-07-04 | 2013-07-24 | 松下电器产业株式会社 | 等离子体显示面板 |
| CN102703072A (zh) * | 2012-05-24 | 2012-10-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 荧光粉混合物、其制作方法及相应的液晶显示装置 |
| WO2014036506A2 (en) * | 2012-09-02 | 2014-03-06 | Global Tungsten & Powders Corp. | Y203:eu having improved brightness at reduced eu weight percentage |
| KR101702835B1 (ko) | 2013-09-09 | 2017-02-06 | 주식회사 만도 | 마스터 실린더의 실링부재 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4830834B1 (ja) | 1968-03-28 | 1973-09-25 | ||
| FR2151226A5 (ja) | 1971-08-20 | 1973-04-13 | Ibm France | |
| JPS5418484A (en) | 1977-07-12 | 1979-02-10 | Dainippon Toryo Co Ltd | Luminous composition and fluorescent display tube excited by low speed electron beam |
| JPS5723676A (en) | 1980-07-19 | 1982-02-06 | Matsushita Electric Works Ltd | Fluorescent substance |
| JPS5744695A (en) | 1980-08-30 | 1982-03-13 | Matsushita Electric Works Ltd | Fluorescent substance |
| JPS57212286A (en) | 1981-06-24 | 1982-12-27 | Hitachi Ltd | Production of fluorescent substance |
| JPH0324188A (ja) | 1989-06-21 | 1991-02-01 | Sumitomo Seika Chem Co Ltd | 蛍光体組成物 |
| JPH0726098B2 (ja) | 1990-03-20 | 1995-03-22 | 株式会社東芝 | 陰極線管用蛍光体および陰極線管 |
| JPH0570775A (ja) | 1991-09-17 | 1993-03-23 | Toshiba Corp | 赤色発光蛍光体 |
| JP3425470B2 (ja) * | 1994-05-18 | 2003-07-14 | 化成オプトニクス株式会社 | 赤色発光組成物 |
| JPH0841454A (ja) | 1994-08-02 | 1996-02-13 | Kasei Optonix Co Ltd | 希土類酸硫化物蛍光体発光組成物 |
| JP3839571B2 (ja) * | 1997-12-11 | 2006-11-01 | ノリタケ伊勢電子株式会社 | 発光組成物および蛍光表示管 |
| KR20020047029A (ko) * | 1998-08-31 | 2002-06-21 | 추후보정 | 코팅형 음극발광 인광체 |
| KR100336973B1 (ko) | 1999-09-08 | 2002-05-17 | 김충섭 | 저전압용 티탄산스트론튬계 적색 형광체 및 이의 제조방법 |
| KR100480768B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2005-04-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전도성 발광물질을 이용한 저전압 구동용 적색 형광체 및그 제조방법 |
| JP2002138279A (ja) | 2000-11-02 | 2002-05-14 | Toshiba Corp | 表示装置用蛍光体とその製造方法、およびそれを用いた電界放出型表示装置 |
| JP2004137480A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-05-13 | Tdk Corp | 蛍光体薄膜およびその製造方法ならびにｅｌパネル |
| JP2005075863A (ja) | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Ulvac Japan Ltd | 導電性ナノ粒子蛍光体及びその合成方法 |
| DE112005000370T5 (de) | 2004-02-18 | 2006-12-07 | Showa Denko K.K. | Leuchtstoff, Verfahren zur Herstellung desselben und lichtmittierende Vorrichtung unter Verwendung des Leuchtstoffs |
-
2004
- 2004-12-24 KR KR1020040112164A patent/KR100730122B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-12-22 US US11/314,501 patent/US7537714B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-23 CN CN2005100034776A patent/CN1807546B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-26 JP JP2005373524A patent/JP4206100B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1807546A (zh) | 2006-07-26 |
| JP2006183055A (ja) | 2006-07-13 |
| CN1807546B (zh) | 2010-09-29 |
| KR20060073768A (ko) | 2006-06-29 |
| US20060151753A1 (en) | 2006-07-13 |
| KR100730122B1 (ko) | 2007-06-19 |
| US7537714B2 (en) | 2009-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4206100B2 (ja) | イットリウム系蛍光体、その製造方法及びそれを用いた表示素子 | |
| WO2006025259A1 (ja) | 蛍光体とその製法及びこれを用いた発光デバイス | |
| JP2008500422A (ja) | Ｕｖ−ａ蛍光体を有する低圧水銀蒸気放電ランプ | |
| JP2000073053A (ja) | 蛍光体及びこの蛍光体を用いた陰極線管 | |
| Ko et al. | Low-voltage cathodoluminescence property of Li-doped Gd2− xYxO3: Eu3+ | |
| JP3988309B2 (ja) | 蛍光体及びその製造方法 | |
| JP4860354B2 (ja) | 蛍光体の製造方法、蛍光体および発光装置 | |
| Liu et al. | Tunable cathodoluminescence properties of Tb3+-doped La2O3 nanocrystalline phosphors | |
| JPWO2006001194A1 (ja) | 蛍光体及びその製法並びにそれを用いた粒子分散型ｅｌデバイス | |
| Gwak et al. | Synthesis and modification of red oxide phosphors for low voltage excitation | |
| Jiang et al. | Synthesis and properties of green phosphor SrGa2S4: Eu2+ for field emission displays by an environmentally clean technique | |
| KR100351635B1 (ko) | 구상의 알루미네이트계 청색 형광체의 제조방법 | |
| US6544437B2 (en) | Yttrium silicate based phosphor having effective emission at low voltages and method for synthesizing the same | |
| JP2000080363A (ja) | 緑色発光蛍光体の製造方法 | |
| JP2005139372A (ja) | 無機ｅｌ用蛍光体とその製造方法及びそれを用いた蛍光体分散型ｅｌ素子 | |
| KR101496959B1 (ko) | 발광효율이 높은 적색 형광체 및 그 제조 방법 | |
| KR100447936B1 (ko) | 진공자외선 여기 녹색발광 형광체와 그 제조방법 | |
| JPH09255953A (ja) | 蛍光体及びその製造方法 | |
| JP3749894B2 (ja) | 蛍光ディスプレイ用の青色蛍光体及びその製造方法 | |
| JP4131139B2 (ja) | 電子線励起ディスプレイ、及びそれに用いる赤色発光蛍光体 | |
| JP5016804B2 (ja) | 蛍光体及びその作製方法、並びに発光素子 | |
| KR20090119181A (ko) | 옥사이드계 나노 형광체 제조 방법 | |
| TWI261613B (en) | Phosphor formulations for low voltage and manufacturing methods thereof | |
| TWI277645B (en) | Phosphor formulations for low voltage and manufacturing methods thereof | |
| KR101085097B1 (ko) | 산화이트륨계 적색 형광체 및 그의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080501 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080730 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080804 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080826 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080924 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081017 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121024 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |