JP4167106B2 - 半導体メモリ装置の動作モードにより可変なリストア時間を有するリフレッシュ回路及びそのリフレッシュ方法 - Google Patents
半導体メモリ装置の動作モードにより可変なリストア時間を有するリフレッシュ回路及びそのリフレッシュ方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4167106B2 JP4167106B2 JP2003097780A JP2003097780A JP4167106B2 JP 4167106 B2 JP4167106 B2 JP 4167106B2 JP 2003097780 A JP2003097780 A JP 2003097780A JP 2003097780 A JP2003097780 A JP 2003097780A JP 4167106 B2 JP4167106 B2 JP 4167106B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- refresh
- output
- standby
- inverter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/22—Control and timing of internal memory operations
- G11C2207/2227—Standby or low power modes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体メモリ装置に関するものであり、特に半導体メモリ装置の動作モードにより可変なリストア時間を有するリフレッシュ回路及びそのリフレッシュ方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
DRAMのような半導体メモリ装置は1つのトランジスタと1つのキャパシタで構成されるメモリセルを含む。DRAMでのデータはメモリセルのキャパシタに貯蔵されるが、数ms程度の一時的な貯蔵のみが可能である。こうしたDRAMは特別な外部回路とカウンタにより周期的にリフレッシュさせる必要がある。一般的に、リフレッシュ動作はシステム内のCPUが要求した動作の実行を妨害しないようにするために、メモリアクセス動作の間に遂行される。外部リフレッシュ回路はリフレッシュ時間内にDRAMの各ワードラインを一回ずつ駆動しなければならず、カウンタはワードラインのアドレスを順次に増減させてワードラインを駆動する。リフレッシュサイクル間にはプロセッサがDRAMを使用することができないため、メモリコントローラがCPUのメモリ使用要求(request)とリフレッシュ回路の要求とを調整する。
【0003】
一方、こうしたリフレッシュ動作はDRAMのチップ選択信号CSBが活性化されたアクティブ状態である時とチップ選択信号CSBが非活性化されたスタンバイ状態である時に行われる。そして、メモリセルデータのリフレッシュのためのデータリストア時間はアクティブ状態である時とスタンバイ状態である時では同一である。よって、DRAMがスタンバイ状態である時にデータリストア時間を長くしリフレッシュ時間を長くしておくとメモリセルデータが十分にリフレッシュされるマージンを確保することができる。そして、DRAMのスタンバイ状態を十分に活用することができる。
【0004】
従って、DRAMがアクティブ状態である時とスタンバイ状態である時で相異なるリストア時間を有するリフレッシュ回路が要求される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は半導体メモリ装置がスタンバイ状態である時にリフレッシュ時間を延ばすことができるリフレッシュ回路を提供することである。
【0006】
本発明の他の目的は半導体メモリ装置のリフレッシュ方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために、本発明のリフレッシュ回路はセルフリフレッシュオシレータと、リフレッシュパルス発生部と、スタンバイリフレッシュ信号発生部と、ワードラインパルス発生部とを含む。セルフリフレッシュオシレータは所定の周期を有するクロック信号を発生し、リフレッシュ信号発生部はクロック信号を受信して第1及び第2リフレッシュ信号を発生する。スタンバイリフレッシュ信号発生部は第2リフレッシュ信号と半導体メモリ装置のアクティブ状態及びスタンバイ状態を示すチップ選択信号とを受信してスタンバイリフレッシュ信号を発生し、ワードラインパルス発生部は第1リフレッシュ信号とスタンバイリフレッシュ信号とを受信してワードライン駆動信号を発生する。ここで、スタンバイ状態である時に発生されるワードライン駆動信号のパルス幅はアクティブ状態である時に発生されるワードライン駆動信号のパルス幅よりも長い。
【0008】
具体的には、セルフリフレッシュオシレータはクロック信号の発生のための奇数個のインバータを含むインバータチェーンと、インバータチェーンの出力をバッファリングしてクロック信号を発生するバッファ部と、インバータチェーンの一番目のインバータと最後のインバータとの間に遅延部とを含む。そして、インバータチェーンは一番目のインバータの出力と電源電圧との間、及び一番目のインバータの出力と接地電圧との間に遮断部を付加的に含む。リフレッシュパルス発生部はクロック信号を受信して所定時間遅延させる奇数個のインバータチェーンを有する第1遅延チェーン部と、第1遅延チェーン部の出力とクロック信号とを入力して第1リフレッシュ信号を発生する第1NORゲートと、第1NORゲートの出力を所定時間遅延させる偶数個のインバータチェーンを有する第2遅延チェーン部と、第1NORゲートの出力と第2遅延部の出力とを入力する第2NORゲートと、第2NORゲートの出力を入力して第2リフレッシュ信号を発生するインバータとを含む。
【0009】
スタンバイリフレッシュ信号発生部は第2リフレッシュ信号とスタンバイリフレッシュ信号とを入力するNANDゲートと、NANDゲートの出力を入力して伝送信号を発生する第1インバータと、第1インバータの出力を入力して反転伝送信号を発生する第2インバータと、予備スタンバイリフレッシュ信号を入力し、伝送信号及び反転伝送信号に応答する第1ラッチ部と、第1ラッチ部の出力を入力し、伝送信号及び反転伝送信号に応答して予備スタンバイリフレッシュ信号及びスタンバイリフレッシュ信号を発生する第2ラッチ部とを含む。
【0010】
ワードラインパルス発生部は第1リフレッシュ信号を入力して所定時間遅延させる第1遅延部と、第1遅延部の出力を入力して所定時間遅延させる第2遅延部と、スタンバイリフレッシュ信号及び反転スタンバイリフレッシュ信号に応答して第1遅延部出力と第2遅延部出力とを選択的に伝達する伝送部と、伝送部の出力をラッチするラッチ部と、ラッチ部の出力を入力する第1インバータと、第1インバータの出力と第1リフレッシュ信号とを入力するNORゲートと、NORゲートの出力を入力してワードライン駆動信号を発生する第2インバータとを含む。
【0011】
前述した目的を達成するために、本発明のリフレッシュ方法は奇数個のインバータチェーンと遅延部とを通じて所定の周期を有するクロック信号を発生させる段階と、チップイネーブル信号に応答して半導体メモリ装置をアクティブ状態からスタンバイ状態に変化させる段階と、クロック信号に応答して、第1パルス幅を有する第1リフレッシュ信号と第2パルス幅を有する第2リフレッシュ信号とを発生させる段階と、第2リフレッシュ信号とスタンバイ状態への変化を示すチップ選択信号とに応答してスタンバイリフレッシュ信号を発生させる段階と、第1リフレッシュ信号及びスタンバイリフレッシュ信号に応答してワードライン駆動信号を発生させる段階とを含み、スタンバイ状態である時に発生されるワードライン駆動信号のパルス幅は、アクティブ状態である時に発生されるワードライン駆動信号のパルス幅よりも長い。
【0012】
従って、本発明のリフレッシュ回路はスタンバイ状態である時のリフレッシュ時間がアクティブ状態である時のリフレッシュ時間よりも長いので、メモリセル毎に十分なリフレッシュが実現され、リフレッシュ動作に必要な単位時間当たり電力消費が減少する。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態に係る半導体メモリ装置に含まれるリフレッシュ回路とそのリフレッシュ方法に関して記述する。
【0014】
図1は本発明の好適な一実施形態によるリフレッシュ回路を示す図である。図1で、リフレッシュ回路100はセルフリフレッシュオシレータ200、リフレッシュパルス発生部300、スタンバイリフレッシュ信号発生部400、及びワードラインパルス発生部500を含む。セルフリフレッシュオシレータ200は所定の周期を有するクロック信号POSCを発生する。リフレッシュパルス発生部300はクロック信号POSCを受信して第1リフレッシュ信号RFHTDと第2リフレッシュ信号PRFHとを発生する。スタンバイリフレッシュ信号発生部400は第2リフレッシュ信号PRFHとチップ選択信号CSbとを受信してスタンバイリフレッシュ信号(CS_RFHb)を発生する。ワードラインパルス発生部500は第1リフレッシュ信号RFHTDとスタンバイリフレッシュ信号(CS_RFHb)を発生する。ワードラインパルス発生部500は第1リフレッシュ信号RFHTDとスタンバイリフレッシュ信号(CS_RFHb)とを受信してワードライン駆動信号PWLを発生する。
【0015】
図2は図1のセルフリフレッシュオシレータ200を示す図面である。図2で、セルフリフレッシュオシレータ200はインバータチェーン210とバッファ部220とを含む。インバータチェーン210は奇数個のインバータを含むが、例えば、第1インバータ220、第2インバータ240、及び第3インバータ250を含む。そしてインバータチェーン210は第1インバータ220と第3インバータ250との間に遅延部270を付加的に含む。
【0016】
第1インバータ220はそのゲートが遅延部270と連結され、電源電圧Vddと接地電圧GNDとの間にソースとドレーンが直列連結される第1乃至第4トランジスタ211、212、213、214から構成される。第2トランジスタ212と第3トランジスタ213のドレーンは第1インバータ220の出力になる。第1インバータ220の出力に応答する遮断部230は接地電圧GNDと第1インバータ220内の第1トランジスタ211のドレーンとの間に連結される第1トランジスタ231と、電源電圧Vddと第4トランジスタ214のドレーンとの間に連結される第2トランジスタ232と、を含む。
【0017】
遮断部230は第1インバータ220の出力がローレベルであれば第1トランジスタ231がターンオンされて第1インバータ220内の第1トランジスタ211のドレーンはローレベルになる。この際、第1インバータ220の入力はハイレベルである。第1インバータ220の入力がハイレベルなので第1インバータ220内の第2トランジスタ212がターンオフされるが、遮断部230の第1トランジスタ231により電源電圧Vddの供給が遮断されるので、第1インバータ220は安定してローレベルを保持する。一方、第1インバータ220の出力がハイレベルであれば第2トランジスタ232がターンオンされて第1インバータ220内の第4トランジスタ214のドレーンはハイレベルになる。この際、第1インバータ220の入力はローレベルである。第1インバータ220の入力がローレベルなので第1インバータ220内の第4トランジスタ214がターンオフされるが、遮断部230の第2トランジスタ232により接地電圧GNDへの連結が遮断されるので、第1インバータ220は安定してハイレベルを保持する。
【0018】
遅延部270は第3インバータ250の出力に連結されるキャパシタ272と、キャパシタ272と第1インバータ220の入力との間に連結される抵抗274とを含む。遅延部270はインバータチェーンの出力を所定時間遅延させる。バッファ部260はインバータチェーン210の出力をバッファリングする第1インバータ262と第2インバータ264とを含んでクロック信号POSCを発生する。
【0019】
図3は図1のリフレッシュパルス発生部を示す図面である。図3で、リフレッシュパルス発生部300は第1遅延チェーン部310、第1NORゲート320、第2遅延チェーン部330、第2NORゲート340、そしてインバータ350を含む。第1遅延チェーン部310は奇数個のインバータチェーンで構成され、クロック信号POSCを受信して所定時間遅延させる。第1NORゲート320は第1遅延チェーン部310の出力とクロック信号POSCとを入力して第1リフレッシュ信号RFHTDを発生する。第2遅延チェーン部330は偶数個のインバータチェーンから構成され、第1NORゲート320の出力を所定時間遅延させる。第2NORゲート340は第1NORゲート320の出力と第2遅延部330の出力とを入力する。インバータ350は第2NORゲート340の出力を入力して第2リフレッシュ信号PRFHを発生する。第1リフレッシュ信号RFHTDはワードライン駆動信号発生部500(図5)に提供され、第2リフレッシュ信号PRFHはスタンバイリフレッシュ信号発生部400(図4)に提供される。
【0020】
図4は図1のスタンバイリフレッシュ信号発生部を示す図面である。図4で、スタンバイリフレッシュ信号発生部400は、NANDゲート402、第1インバータ404、第2インバータ406、第1ラッチ部410、そして第2ラッチ部420を含む。NANDゲート402は第2リフレッシュ信号PRFHとスタンバイリフレッシュ信号(CS_RFHb)とを入力し、第1インバータ404はNANDゲート402の出力を入力して伝送信号TSを発生する。第2インバータ406は第1インバータ404の出力TSを入力して反転伝送信号/TSを発生する。第1ラッチ部410は予備スタンバイリフレッシュ信号RFHbを入力し、伝送信号TS及び反転伝送信号/TSに応答してその出力を第2ラッチ部420に提供する。第2ラッチ部420は第1ラッチ部410の出力を入力し、伝送信号TS及び反転伝送信号/TSに応答して予備スタンバイリフレッシュ信号RFHb及びスタンバイリフレッシュ信号(CS_RFHb)を発生する。
【0021】
図5は図1のワードラインパルス発生部を示す図面である。ワードラインパルス発生部500は第1遅延部510、第2遅延部520、第1インバータ530、伝送部540、ラッチ部550、第2インバータ560、NORゲート570そして第3インバータ580を含む。第1遅延部510は第1リフレッシュ信号RFHTDを入力して所定時間遅延させ、第2遅延部520は第1遅延部510の出力を入力して所定時間遅延させる。第1インバータ530はスタンバイリフレッシュ信号(CS_RFHb)を入力して反転スタンバイリフレッシュ信号(/CS_RFHb)を出力する。伝送部540はスタンバイリフレッシュ信号(CS_RFHb)及び反転スタンバイリフレッシュ信号(/CS_RFHb)に応答して第1遅延部510の出力D1と第2遅延部520の出力D2とを選択的に伝達する。ラッチ部550は伝送部540の出力をラッチし、第2インバータ560はラッチ部550の出力を入力する。NORゲート570は第1インバータ560の出力と第1リフレッシュ信号RFHTDとを入力し、第3インバータ580はNORゲート570の出力を入力してワードライン駆動信号PWLを発生する。
【0022】
上述のセルフリフレッシュオシレータ200(図2)、リフレッシュパルス発生部300(図3)、スタンバイリフレッシュ信号発生部400(図4)、そしてワードラインパルス発生部500(図5)を含むリフレッシュ回路100の動作は図6に示されている。
【0023】
図6で、セルフリフレッシュオシレータ200(図2)を通じて所定の周期を有するクロック信号POSCが発生される。チップ選択信号CSbはローレベルの活性化状態(アクティブ状態)の後にハイレベルの非活性化状態(スタンバイ状態)になる。リフレッシュパルス発生部300(図3)を通じて発生される第1リフレッシュ信号RFHTD及び第2リフレッシュ信号PRFHはクロック信号POSCの立下りエッジ毎に応答して所定のパルス幅を有するクロック信号として発生される。第1リフレッシュ信号RFHTDのパルス幅は第2リフレッシュ信号PRFHのパルス幅より狭く発生する。その後、チップ選択信号CSbがハイレベルで非活性化された後に、C3のクロックで、スタンバイリフレッシュ信号発生部400(図4)を通じてスタンバイリフレッシュ信号(CS_RFHb)が発生される。
【0024】
ここで、スタンバイリフレッシュ信号(CS_RFHb)と第1リフレッシュ信号RFHTDの立下りエッジに応答するワードラインパルス発生部500(図5)を通じてワードライン駆動信号PWLが発生されるが、チップ選択信号CSbがローレベルの活性化状態である時に発生されるワードライン駆動信号PWLのパルス幅PW1とチップ選択信号CSbがハイレベルの非活性化状態である時に発生されるワードライン駆動信号PWLのパルス幅PW2は相異なる。即ち、チップ選択信号CSbがハイレベルの非活性化状態である時に発生されるワードライン駆動信号PWLのパルス幅PW2が、チップ選択信号CSbがローレベルの活性化状態である時に発生されるワードライン駆動信号PWLのパルス幅PW1よりも長い。
【0025】
従って、本発明の好適な実施の形態に係るリフレッシュ回路を通じて発生されるワードライン駆動信号PWLに応答してリフレッシュを遂行すると、スタンバイ状態である時には、リフレッシュ時間が長いので、メモリセル毎に十分なリフレッシュが得られる。そしてスタンバイ状態である時には、リフレッシュ動作を遂行する時間間隔を延ばすことができるので電力消費が減少する。
【0026】
以上で、本発明の好適な実施形態を挙げて記述したが、これらは例示的なものに過ぎず、本発明の技術的思想及び範囲を制限したり限定したりするものではない。したがって、本発明の技術的思想及び範囲を逸脱しない範囲内で多様な変化及び変更が当然に可能である。
【0027】
【発明の効果】
前述したように、本発明のリフレッシュ回路はメモリセルをリフレッシュするワードライン駆動信号を発生するが、半導体メモリ装置がスタンバイ状態である時に発生されるワードライン駆動信号のパルス幅が、アクティブ状態である時に発生されるワードライン駆動信号のパルス幅よりも長い。従って、スタンバイ状態である時には、リフレッシュ時間が長いので、メモリセル毎に十分なリフレッシュが実現される。そしてスタンバイ状態である時には、リフレッシュ動作を遂行する時間間隔を延ばすことができるので電力消費が減少する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好適な一実施形態によるリフレッシュ回路を示す図面である。
【図2】図1のセルフリフレッシュオシレータを示す図面である。
【図3】図1のリフレッシュパルス発生部を示す図面である。
【図4】図1のワードラインパルス発生部を示す図面である。
【図5】図1のスタンバイリフレッシュ信号発生部を示す図面である。
【図6】図1のリフレッシュ回路の動作タイミング図を示す図面である。
【符号の説明】
100 リフレッシュ回路
200 セルフリフレッシュオシレータ
300 リフレッシュパルス発生部
400 スタンバイリフレッシュ信号発生部
500 ワードラインパルス発生部
Claims (16)
- 所定の周期を有するクロック信号を発生するセルフリフレッシュオシレータと、
前記クロック信号を受信して第1及び第2リフレッシュ信号を発生するリフレッシュパルス発生部と、
前記第2リフレッシュ信号と半導体メモリ装置のアクティブ状態及びスタンバイ状態を示すチップ選択信号とを受信してスタンバイリフレッシュ信号を発生するスタンバイリフレッシュ信号発生部と、
前記第1リフレッシュ信号と前記スタンバイリフレッシュ信号とを受信してワードライン駆動信号を発生するワードラインパルス発生部と、
を備え、前記スタンバイ状態である時に発生される前記ワードライン駆動信号のパルス幅は、前記アクティブ状態である時に発生される前記ワードライン駆動信号のパルス幅よりも長いことを特徴とするリフレッシュ回路。 - 前記セルフリフレッシュオシレータは、
前記クロック信号の発生のための奇数個のインバータを含むインバータチェーンと、
前記インバータチェーンの出力をバッファリングして前記クロック信号を発生するバッファ部と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のリフレッシュ回路。 - 前記インバータチェーンは、一番目の前記インバータと最後の前記インバータとの間に遅延部を付加的に備えることを特徴とする請求項2に記載のリフレッシュ回路。
- 前記インバータチェーンは、一番目の前記インバータの出力と電源電圧との間、及び前記一番目のインバータの出力と接地電圧との間に遮断部を付加的に備えることを特徴とする請求項2に記載のリフレッシュ回路。
- 前記リフレッシュパルス発生部は、
前記クロック信号を受信して所定時間遅延させる第1遅延チェーン部と、
前記第1遅延チェーン部の出力と前記クロック信号とを入力して前記第1リフレッシュ信号を発生する第1NORゲートと、
前記第1NORゲートの出力を所定時間遅延させる第2遅延チェーン部と、
前記第1NORゲートの出力と前記第2遅延部の出力とを入力する第2NORゲートと、
前記第2NORゲートの出力を入力して前記第2リフレッシュ信号を発生するインバータと、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のリフレッシュ回路。 - 前記第1遅延チェーン部は、奇数個のインバータチェーンから構成されることを特徴とする請求項5に記載のリフレッシュ回路。
- 前記第2遅延チェーン部は、偶数個のインバータチェーンから構成されることを特徴とする請求項5に記載のリフレッシュ回路。
- 前記スタンバイリフレッシュ信号発生部は、
前記第2リフレッシュ信号と前記スタンバイリフレッシュ信号とを入力するNANDゲートと、
前記NANDゲートの出力を入力して伝送信号を発生する第1インバータと、前記第1インバータの出力を入力して反転伝送信号を発生する第2インバータと、
予備スタンバイリフレッシュ信号を入力し、前記伝送信号及び前記反転伝送信号に応答する第1ラッチ部と、
前記第1ラッチ部の出力を入力し、前記伝送信号及び前記反転伝送信号に応答して前記予備スタンバイリフレッシュ信号及び前記スタンバイリフレッシュ信号を発生する第2ラッチ部と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のリフレッシュ回路。 - 前記ワードラインパルス発生部は、
前記第1リフレッシュ信号を入力して所定時間遅延させる第1遅延部と、
前記第1遅延部の出力を入力して所定時間遅延させる第2遅延部と、
前記スタンバイリフレッシュ信号及び反転スタンバイリフレッシュ信号に応答して前記第1遅延部出力と前記第2遅延部出力とを選択的に伝達する伝送部と、
前記伝送部の出力をラッチするラッチ部と、
前記ラッチ部の出力を入力する第1インバータと、
前記第1インバータの出力と前記第1リフレッシュ信号とを入力するNORゲートと、
前記NORゲートの出力を入力して前記ワードライン駆動信号を発生する第2インバータと、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のリフレッシュ回路。 - 半導体メモリ装置のリフレッシュ方法であって、
奇数個のインバータチェーンと遅延部とを通じて所定の周期を有するクロック信号を発生させる段階と、
チップイネーブル信号に応答して前記半導体メモリ装置をアクティブ状態からスタンバイ状態に変化させる段階と、
前記クロック信号に応答して、第1パルス幅を有する第1リフレッシュ信号と第2パルス幅を有する第2リフレッシュ信号とを発生させる段階と、
前記第2リフレッシュ信号と前記スタンバイ状態への変化を示す前記チップ選択信号とに応答してスタンバイリフレッシュ信号を発生させる段階と、
前記第1リフレッシュ信号及び前記スタンバイリフレッシュ信号に応答してワードライン駆動信号を発生させる段階と、
を含み、
前記スタンバイ状態である時に発生される前記ワードライン駆動信号のパルス幅は、前記アクティブ状態である時に発生されるワードライン駆動信号のパルス幅よりも長いことを特徴とするリフレッシュ方法。 - チップ選択信号に応答してアクティブ状態からスタンバイ状態に動作モードを変化させる段階と、
クロック信号に応答して各々第1及び第2パルス幅を有する第1及び第2リフレッシュ信号を発生させる段階と、
前記第2リフレッシュ信号及び前記チップ選択信号に応答してスタンバイリフレッシュ信号を発生させる段階と、
前記第1リフレッシュ信号及び前記スタンバイリフレッシュ信号に応答してワードラインドライビング信号を発生させる段階と、
を含み、
前記スタンバイ状態から発生されたワードラインドライビング信号のパルス幅は、前記アクティブ状態から発生されたワードラインドライビング信号のパルス幅よりも長いことを特徴とする半導体メモリ装置のリフレッシュ方法。 - 奇数個のインバータと遅延手段とにより所定の周期を有する前記クロック信号を発生する段階を付加的に含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体メモリ装置のリフレッシュ方法。
- 前記第1パルス幅は、前記第2パルス幅よりも狭いことを特徴とする請求項11に記載の半導体メモリ装置のリフレッシュ方法。
- 前記スタンバイリフレッシュ信号は、リフレッシュパルス発生部により発生され、
前記リフレッシュパルス発生部は、
前記クロック信号を受信して所定時間遅延させる第1遅延チェーン部と、
前記第1遅延チェーン部の出力と前記クロック信号とを入力して前記第1リフレッシュ信号を発生する第1NORゲートと、
前記第1NORゲートの出力を所定時間遅延させる第2遅延チェーン部と、
前記第1NORゲートの出力と前記第2遅延部の出力とを入力する第2NORゲートと、
前記第2NORゲートの出力を入力して前記第2リフレッシュ信号を発生するインバータと、
を備えることを特徴とする請求項11に記載の半導体メモリ装置のリフレッシュ方法。 - 前記スタンバイリフレッシュ信号は、スタンバイリフレッシュ信号発生部により発生され、
前記スタンバイリフレッシュ信号発生部は、
前記第2リフレッシュ信号と前記スタンバイリフレッシュ信号とを入力するNANDゲートと、
前記NANDゲートの出力を入力して伝送信号を発生する第1インバータと、前記第1インバータの出力を入力して反転伝送信号を発生する第2インバータと、
予備スタンバイリフレッシュ信号を入力し、前記伝送信号及び前記反転伝送信号に応答する第1ラッチ部と、
前記第1ラッチ部の出力を入力し、前記伝送信号及び前記反転伝送信号に応答して前記予備スタンバイリフレッシュ信号及び前記スタンバイリフレッシュ信号を発生する第2ラッチ部と、
を備えることを特徴とする請求項11に記載の半導体メモリ装置のリフレッシュ方法。 - 前記ワードラインパルス信号は、ワードラインパルス信号発生部により発生され、
前記ワードラインパルス信号発生部は、
前記第1リフレッシュ信号を入力して所定時間遅延させる第1遅延部と、
前記第1遅延部の出力を入力して所定時間遅延させる第2遅延部と、
前記スタンバイリフレッシュ信号及び反転スタンバイリフレッシュ信号に応答して前記第1遅延部出力と前記第2遅延部出力とを選択的に伝達する伝送部と、
前記伝送部の出力をラッチするラッチ部と、
前記ラッチ部の出力を入力する第1インバータと、
前記第1インバータの出力と前記第1リフレッシュ信号とを入力するNORゲートと、
前記NORゲートの出力を入力して前記ワードライン駆動信号を発生する第2インバータと、
を備えることを特徴とする請求項11に記載の半導体メモリ装置のリフレッシュ方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0021183A KR100476891B1 (ko) | 2002-04-18 | 2002-04-18 | 반도체 메모리 장치의 동작 모드에 따라 가변적인리스토어 시간을 갖는 리프레쉬 회로 및 그 리프레쉬 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004005933A JP2004005933A (ja) | 2004-01-08 |
JP4167106B2 true JP4167106B2 (ja) | 2008-10-15 |
Family
ID=29208724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003097780A Expired - Fee Related JP4167106B2 (ja) | 2002-04-18 | 2003-04-01 | 半導体メモリ装置の動作モードにより可変なリストア時間を有するリフレッシュ回路及びそのリフレッシュ方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6765839B2 (ja) |
JP (1) | JP4167106B2 (ja) |
KR (1) | KR100476891B1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6947345B2 (en) * | 2001-04-02 | 2005-09-20 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor memory device |
KR100549621B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2006-02-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 셀프 리프래쉬용 오실레이터 |
JP2006155841A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置及びリフレッシュ制御方法 |
KR20060088679A (ko) | 2005-02-02 | 2006-08-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 휘발성 메모리 장치의 워드라인 활성화 시간 제어 장치 및그 방법 |
DE102005018392B4 (de) * | 2005-04-20 | 2019-10-31 | Röhm Gmbh | Bohrfutter |
US7158434B2 (en) * | 2005-04-29 | 2007-01-02 | Infineon Technologies, Ag | Self-refresh circuit with optimized power consumption |
KR100776737B1 (ko) * | 2006-02-10 | 2007-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리의 액티브 싸이클 제어장치 및 방법 |
KR100794998B1 (ko) * | 2006-06-01 | 2008-01-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리의 셀프 리프레쉬 펄스 발생 장치 및 방법 |
US7619944B2 (en) * | 2007-01-05 | 2009-11-17 | Innovative Silicon Isi Sa | Method and apparatus for variable memory cell refresh |
US20080164149A1 (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-10 | Artz Matthew R | Rapid gel electrophoresis system |
KR100980403B1 (ko) * | 2008-09-10 | 2010-09-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 오토리프레쉬 제어회로 및 이를 이용하는 반도체 메모리 장치 |
US8310269B2 (en) * | 2009-08-20 | 2012-11-13 | International Business Machines Corporation | Measurement of partially depleted silicon-on-insulator CMOS circuit leakage current under different steady state switching conditions |
KR101991335B1 (ko) | 2012-06-19 | 2019-06-20 | 삼성전자 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
KR102362605B1 (ko) * | 2015-08-06 | 2022-02-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03195058A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
JP3271161B2 (ja) * | 1992-03-13 | 2002-04-02 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP3714696B2 (ja) * | 1994-10-21 | 2005-11-09 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR0138700B1 (ko) * | 1994-12-02 | 1998-06-01 | 김주용 | 반도체 장치의 리프레쉬 제어방법 및 그 장치 |
TW306001B (ja) * | 1995-02-08 | 1997-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
JPH09252237A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-09-22 | Kawasaki Steel Corp | シュミット入力回路 |
JP3090097B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2000-09-18 | 日本電気株式会社 | 昇圧回路及びその制御方法 |
JPH11213674A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-08-06 | Sony Corp | 電圧供給回路 |
US6134167A (en) * | 1998-06-04 | 2000-10-17 | Compaq Computer Corporation | Reducing power consumption in computer memory |
KR100381966B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2004-03-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체메모리장치및그구동방법 |
JP2000235789A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Hitachi Ltd | メモリ制御装置 |
TW509943B (en) * | 1999-10-06 | 2002-11-11 | Ind Tech Res Inst | Hidden-type refreshed 2P2N pseudo static random access memory and its refreshing method |
JP3495312B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2004-02-09 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶回路 |
JP3726661B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2005-12-14 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体メモリ装置のリフレッシュ制御 |
JP3832218B2 (ja) * | 2000-09-20 | 2006-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体メモリ装置のリフレッシュを考慮した制御 |
US6625077B2 (en) * | 2001-10-11 | 2003-09-23 | Cascade Semiconductor Corporation | Asynchronous hidden refresh of semiconductor memory |
EP1388864A3 (en) * | 2002-08-08 | 2005-02-09 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device |
-
2002
- 2002-04-18 KR KR10-2002-0021183A patent/KR100476891B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-01-24 US US10/351,008 patent/US6765839B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-01 JP JP2003097780A patent/JP4167106B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004005933A (ja) | 2004-01-08 |
KR20030082723A (ko) | 2003-10-23 |
US20030198099A1 (en) | 2003-10-23 |
KR100476891B1 (ko) | 2005-03-17 |
US6765839B2 (en) | 2004-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4167106B2 (ja) | 半導体メモリ装置の動作モードにより可変なリストア時間を有するリフレッシュ回路及びそのリフレッシュ方法 | |
US7642823B2 (en) | Semiconductor memory device including delay-locked-loop control circuit and control method for effective current consumption management | |
JP4847532B2 (ja) | リセット機能を有する半導体メモリ | |
JP2006309913A (ja) | 半導体メモリ素子 | |
US7245545B2 (en) | Memory | |
KR20040006343A (ko) | 의사 스태틱 랜덤 억세스 메모리 장치의 리플레쉬제어회로 및 그 제어방법 | |
JP4282408B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPS63166093A (ja) | 半導体メモリの制御回路 | |
US8169836B2 (en) | Buffer control signal generation circuit and semiconductor device | |
JP4778694B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2004095155A (ja) | 部分的に制御される遅延同期ループを備える半導体メモリ装置 | |
JPH05282863A (ja) | センスアンプ制御信号発生器 | |
JP4608235B2 (ja) | 半導体記憶装置及び半導体記憶システム | |
KR20040073165A (ko) | 동작 모드에 따라 데이터 재저장 시간을 가변시킬 수 있는반도체 메모리 장치 | |
US20060087901A1 (en) | Device for controlling temperature compensated self-refresh period | |
KR20040101329A (ko) | 의사-정적 메모리 장치를 위한 비동기 인터페이스 회로와방법 | |
JP4005279B2 (ja) | Dram装置及びそれのセンシング方法 | |
JP3640165B2 (ja) | 半導体装置、メモリシステムおよび電子機器 | |
JP3837267B2 (ja) | ローアドレスストローブ信号発生装置 | |
KR20060054575A (ko) | 반도체 메모리 장치의 명령 디코더 | |
KR100421904B1 (ko) | 반도체 소자의 리프래쉬 회로 | |
KR100449638B1 (ko) | 스토리지 커패시터를 포함하는 셀을 갖는 에스램의리프레쉬장치 및 그 방법 | |
KR20140081344A (ko) | 셀프 리프레쉬 제어 장치 | |
KR100701705B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 셀프 리프레쉬 제어 회로 | |
KR20110045394A (ko) | 반도체 메모리 장치 및 그 구동 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051102 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080616 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080616 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080701 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080731 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |