JP4094237B2 - 光半導体モジュール - Google Patents
光半導体モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP4094237B2 JP4094237B2 JP2001036324A JP2001036324A JP4094237B2 JP 4094237 B2 JP4094237 B2 JP 4094237B2 JP 2001036324 A JP2001036324 A JP 2001036324A JP 2001036324 A JP2001036324 A JP 2001036324A JP 4094237 B2 JP4094237 B2 JP 4094237B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical
- receiving
- monitoring
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
- G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12083—Constructional arrangements
- G02B2006/12126—Light absorber
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信ネットワークにおける光半導体モジュール関し、特に光導波路上にモニタ用受光素子を実装した光半導体モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
光半導体モジュールでは、通常は半導体レーザなどの発光素子から出射される光出力レベルを一定に保つ等の目的から、発光素子から出力される信号光の一部を受光素子により受光してモニタする。従来は、このモニタを行うために、半導体レーザの後方にモニタ用受光素子を配置して、半導体レーザの後方から出射される光を受光して光出力レベルを検出し、これをフィードバック制御することにより光出力制御をしている。
【0003】
他方、双方向光通信用に送信用の信号光を出射する発光素子と、送信されてきた信号光を受信する受光素子の双方を備え、さらに両信号光を結合させる結合部を備えた光半導体モジュールが開発、実用化されている。双方向通信用光半導体モジュールとして、例えば、特開平11−38279号公報に示されるものが知られている。このモジュールは、信号光送信時に半導体レーザの後方から出射される光が、送信されてきた信号光を受光するための受信用受光素子に入射されることのないように構成されている。
【0004】
図7は従来の光半導体モジュールの一例を示す構成図である。光半導体モジュールは光導波路基板、発光素子、モニタ用受光素子、受信用受光素子から構成されており、発光素子は第1の光導波路と光学的に結合するように基板上に実装されている。受信用受光素子は第2光導波路と結合するように基板上に実装されている。発光素子と受信用受光素子を並列に配置することにより発光素子からの後方光を受信用受光素子に入射されないように構成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような光半導体モジュールでは、発光素子の後方光を直接モニタ用受光素子で受光するため、モニタ用受光素子には導波路入射型の受光素子を使用しなければならない。すなわち、導波路入射型の受光素子は、現在一般に使用されている表面入射型の受光素子よりも高価なため、モジュールの低コスト化が困難なこと、および受光径が小さいため、非常に精密な実装精度が要求されるという欠点がある。
【0006】
また、発光素子の後方光をモニタ光として使用しているので、発光素子の後面の反射率を大きくして前方光の光出力アップを図るには制限もある。
【0007】
本発明の目的はモニタ用受光素子の実装を容易にし、受光素子の実装設備を大幅に簡略することで、モジュールの低コスト化を図ることにある。
【0008】
また他の目的として、発光素子の後方光をモニタ光として利用せずに、発光素子の後面の反射率を制限なく大きくすることで前方光の光出力の向上させ、温度特性を改善させつつモニタできる光半導体モジュールを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本願発明は、基板と、信号光を出射する発光手段と、前記基板に形成され前記信号光を導波する光伝送手段と、前記信号光のうち前記光伝送手段に結合されない漏れ光を受光するモニタ用受光手段と、を備え、前記モニタ用受光手段は前記光伝送手段の上方に受光面が下向きになるように実装されることを特徴とする光半導体モジュール、である。また本願発明は、前記基板と前記モニタ用受光手段との間にクラッド層が形成されていることを特徴とする光半導体モジュール、であることが望ましい。また本願発明は、前記モニタ用受光手段は、前記クラッド層の上に形成された電極上に実装されていることを特徴とする光半導体モジュール、であることが望ましい。また本願発明は、前記クラッド層と前記基板との間に前記漏れ光を反射させる反射膜が形成されていることを特徴とする光半導体モジュール、であることが望ましい。
【0010】
信号光を出射する発光手段と、前記信号光を導波する光ファイバと、前記信号光のうち前記光ファイバに結合されない漏れ光を受光するモニタ用受光手段と、を備え、
前記モニタ用受光手段は前記光ファイバの上方に受光面が下向きになるように実装されることを特徴とする光半導体モジュール、である。また本願発明は、前記モニタ用受光手段は前記光ファイバと接していないことを特徴とする光半導体モジュール、であることが望ましい。
【0011】
本願発明は、第1の信号光を出射する発光手段と、前記第1の信号光を導波する第1の光伝送手段と、前記第1の信号光のうち前記第1の光伝送手段に結合されない漏れ光を受光するモニタ用受光手段と、第2の信号光を導波する第2の光伝送手段と、第2の信号光を受光する受信用受光手段と、第1の光伝送手段および第2の光伝送手段を導波した光を結合する分岐伝送手段と、を備え、前記モニタ用受光手段は前記第1の光伝送手段の上方に受光面が下向きになるように実装されることを特徴とする光半導体モジュール、である。
【0012】
第1の信号光を出射する発光手段と、前記第1の信号光を導波する第1の光伝送手段と、前記第1の信号光のうち前記第1の光伝送手段に結合されない漏れ光を受光するモニタ用受光手段と、第2の信号光を導波する第2の光伝送手段と、前記第1の光伝送手段を導波した前記第1の信号光を反射しかつ第2の光伝送手段を導波した前記第2の信号光を透過するフィルタと、前記フィルタを透過した前記第2の信号光を導波する第3の光伝送手段と、第3の光伝送手段を導波した前記第2の信号光を受光する受信用受光手段とを備え、前記モニタ用受光手段は前記第1の光伝送手段の上方に受光面が下向きになるように実装され、前記フィルタにより反射された前記第1の信号光は前記第2の光伝送手段を導波することを特徴とする光半導体モジュール、である。
【0013】
また本願発明は、前記モニタ用受光手段は前記発光手段から出射された前方光の漏れ光を受光することを特徴とする光半導体モジュール、であることが望ましい。
【0017】
発光素子とシングルモード光導波路との結合効率が10〜20%であるとすれば、残りの80〜90%は漏れ光となるため、クラッド層5の上にモニタ用受光素子3を実装して漏れ光の一部を受光することで十分な受光電流を得ることができる。
【0018】
受光素子の基板への実装、固着は、例えば受光素子の受光面側の表面に第1の電極を形成し、基板の表面に第2の電極を形成し、第1および第2の電極を電気的に接続することにより行うことができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、本発明の各々実施形態について詳細に説明する。
【0020】
図1は本発明の第1の実施の形態を示す構成図である。図1において、本願発明の光半導体モジュールは、光導波路基板1、発光素子2、モニタ用受光素子3から構成され、光導波路基板1には、光導波路4、クラッド層5、発光素子2を実装するための電極6、モニタ用受光素子3を実装するための電極7が形成されている。
【0021】
発光素子2で発光された送信信号光は、光導波路4に結合されて伝送路に導かれ、クラッド層5の上に形成された電極7上に実装されたモニタ用受光素子3は、発光素子2で発光された光のうち、光導波路4に結合されない漏れ光の一部を受光し、発光素子2の光出力の制御に利用される。光学系全体が透明樹脂で覆われて屈折率の整合が図られているため、クラッド層5の内部に漏れてきた光がクラッド層5の上面で反射されることなく、モニタ用受光素子3の受光面8で受光される。
【0022】
発光素子2は、光導波路4と結合するように電極6上に実装される。発光素子2を駆動するため、電極6と発光素子2の上面にはそれぞれワイヤ配線9、10が接続される。光導波路4とクラッド層5は、主に石英ガラスで形成されているがポリマーなどの有機材料、半導体、シリコンで構成することも可能である。
【0023】
本発明の発光素子は後方光をモニタ光として利用しないため、発光素子の後面の反射率を無制限に大きくすることができ、前方光の光出力の向上、温度特性の改善など発光素子の特性改善を図ることができる。また、後方にモニタ用受光素子を実装するスペースを必要としないので、光導波路基板の小型化が可能となる。
【0024】
モニタ用受光素子3は、発光素子2で発光された光のうち、光導波路4に結合されない漏れ光の一部を受光するように、クラッド層5の上に形成された電極7上にモニタ用受光素子3の受光面8が下向きになるように実装されている。モニタ用受光素子3は、主に表面入射型の受光素子が使用されるが、裏面入射型の受光素子を使用することも可能である。クラッド層5の内部に漏れてきた光がクラッド層5の上面で反射されるのを防ぐため、光学系全体を透明樹脂で覆い、屈折率の整合を図っている。モニタ用受光素子3の受光電流を取り出すため、電極7とモニタ用受光素子3の上面にはそれぞれワイヤ配線11、12が接続されている。
【0025】
モニタ用受光素子3は導波路入射型の受光素子に比べて大きな受光面を有しており、これにより受光素子の実装の精度を緩くすることができる。
【0026】
図2は第2の実施の形態の構成図である。本実施の形態は、モニタ用受光素子3の受光電流を表と裏の両面に形成された電極から取り出すのではなく、受光面側の表面に受光電流取り出し用の2つの電極を形成した構造のモニタ用受光素子3が実装されている点に特徴を有する。
【0027】
モニタ用受光素子3は、発光素子2で発光された光のうち、光導波路4に結合されない漏れ光の一部を受光するように、モニタ用受光素子3の受光面8が下向きになるように実装される。モニタ用受光素子3の電極とクラッド層5の上に形成された電極7、電極13は、モニタ用受光素子3を実装する際に同時に接続される。モニタ用受光素子3の受光電流を取り出すため、電極7と電極13にはそれぞれワイヤ配線11、12が接続される。
【0028】
図3は第3の実施の形態の構成図である。光導波路基板1の上面とクラッド層5の間に、光導波路から漏れた光を反射させる金属層14を反射膜として形成することにより、発光素子2で発光された光のうち、クラッド層の下方向に漏れた光は金属層14で上方向に反射される。このため、クラッド層の下方向に漏れた光もモニタ用受光素子の受光面で受光することができ、より大きな受光電流を得ることができる。
【0029】
図4は第4の実施の形態の構成図である。光導波路ではなく、光ファイバの上方にモニタ用受光素子が実装されている点に特徴を有する。
【0030】
基板1には、光ファイバ15の位置決め用の溝16、光ファイバ15の突き当て用の溝17が形成される。光ファイバ15の位置決めは、光軸に垂直方向については溝16によって、光軸方向については溝17に突き当てることによって光軸無調整で行われる。
【0031】
発光素子2は、光ファイバ15と結合するように電極6上に実装される。モニタ用受光素子3は、発光素子2で発光された光のうち、光ファイバ15に結合されない漏れ光の一部を受光するように、光ファイバ15の上方にモニタ用受光素子3の受光面8が下向きになるように実装されている。
【0032】
モニタ用受光素子3が光ファイバ15に当たらないようにするために、モニタ用受光素子3は半田バンプ18を介して基板1上に形成された電極7と接合される。また、光ファイバ15のクラッドに漏れてきた光が光ファイバ15の外周部で反射されるのを防ぐため、光学系全体を透明樹脂で覆い、屈折率の整合を図っている。
【0033】
図5は第5の実施の形態の構成図である。光導波路基板にY分岐導波路を形成し、光導波路基板上に受信用受光素子も実装した構造の光送受信機能を有する光半導体モジュールの一例である。
【0034】
光導波路基板1には、第1の光導波路4、第2の光導波路19、Y分岐導波路20、発光素子2を実装・配線するための電極6、モニタ用受光素子3を実装・配線するための電極7、受信用受光素子21を実装・配線するための電極22が形成されている。
【0035】
発光素子2は、第1の光導波路4と結合するように電極6上に実装される。モニタ用受光素子3は、発光素子2で発光された光のうち、光導波路4に結合されない漏れ光の一部を受光するように、クラッド層5の上に形成された電極7上にモニタ用受光素子3の受光面8が下向きになるように実装されている。
【0036】
受信用受光素子21は、第2の光導波路19と結合するように電極22上に実装される。受信用受光素子21の受光電流を取り出すため、電極22と受信用受光素子21の上面にはそれぞれワイヤ配線23、24が接続される。また、クラッド層5の内部に漏れてきた光がクラッド層5の上面で反射されるのを防ぐため、光学系全体を透明樹脂で覆い、屈折率の整合を図っている。このような構成から本発明のモニタ用受光素子を用いて、発光素子と受光素子が配置されている基板上にモニタ用受光素子も配置することができる。
【0037】
図6は、第6の実施の形態の構成図である。波長λ1の光を送信し、波長λ2の光を受信する光送受信機能を有する光半導体モジュールの一例である。
【0038】
光導波路基板には、第1の光導波路4、第2の光導波路19、第3の光導波路25、フィルタ挿入用の溝26、発光素子2を実装・配線するための電極6、モニタ用受光素子3を実装・配線するための電極7、受信用受光素子21を実装・配線するための電極22が形成されている。発光素子2は、第1の光導波路4と結合するように電極6上に実装される。
【0039】
モニタ用受光素子3は、発光素子2で発光された光のうち、光導波路4に結合されない漏れ光の一部を受光するように、クラッド層5の上に形成された電極7上にモニタ用受光素子3の受光面8が下向きになるように実装されている。
【0040】
受信用受光素子21は、第3の光導波路25と結合するように電極22上に実装される。波長λ1の光を反射し、波長λ2の光を透過するフィルタ27は、第1の光導波路4から入射された光が反射されて第2の光導波路19に結合するように溝26に挿入されている。
【0041】
発光素子2で発光された波長λ1の送信信号光は、第1の光導波路4を導波し、フィルタ27で反射され、第2の光導波路19から伝送路に導かれる。伝送路から第2の光導波路19に入射された波長λ2の受信信号光は、フィルタ27を透過して第3の光導波路25に結合され、受信用受光素子21で受光される。
【0042】
クラッド層5の上に実装されたモニタ用受光素子3は、発光素子2で発光された光のうち、第1の光導波路4に結合されない漏れ光の一部を受光し、発光素子2の光出力の制御に用いている。
【0043】
なお、受光素子の基板への実装、固着は例えば受光素子の受光面側の表面に第1の電極を形成し、基板の表面に第2の電極を形成し、第1および第2の電極を電気的に接続することにより行うことができる。
【0044】
【発明の効果】
以上説明したように、光導波路基板のクラッド層の上にモニタ用受光素子の受光面が下向きになるように実装することにより、発光素子で発光された前方光のうち、光導波路に結合されない上記の漏れ光の一部をモニタ用受光素子で受光することで、モニタ用受光素子の実装を容易にし、受光素子の実装設備を大幅に簡略することで、モジュールの低コスト化を図ることができる。これにより、発光素子の後方光をモニタ光として利用せずに、発光素子の後面の反射率を制限なく大きくすることで前方光の光出力の向上や温度特性の改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光半導体モジュールの第1の実施の形態の構成を示す図である。
【図2】本発明の光半導体モジュールの第2の実施の形態の構成を示す図である。
【図3】本発明の光半導体モジュールの第3の実施の形態の構成を示す図である。
【図4】本発明の光半導体モジュールの第4の実施の形態の構成を示す図である。
【図5】本発明の光半導体モジュールの第5の実施の形態の構成を示す図である。
【図6】本発明の光半導体モジュールの第6の実施の形態の構成を示す図である。
【図7】従来の光半導体モジュールの一例を示す構成図である。
【符号の説明】
1 光導波路基板
2 発光素子
3 モニタ用受光素子
4 第1の光導波路
5 クラッド層
6、7、13、22 電極
8 モニタ用受光素子の受光面
9、10、11、12、23、24 ワイヤ配線
14 金属層
15 光ファイバ
16 位置決め用の溝
17 突き当て用の溝
18 半田バンプ
19 第2の光導波路
20 Y分岐導波路
21 受信用受光素子
25 第3の光導波路
26 フィルタ挿入用の溝
27 フィルタ
Claims (9)
- 基板と、信号光を出射する発光手段と、
前記基板に形成され、前記発光手段から照射された前記信号光と結合し、入射した前記信号光を導波する光伝送手段と、
前記発光手段から照射された前記信号光のうち前記光伝送手段の導波路部に入射しなかった漏れ光を受光するモニタ用受光手段と、を備え、
前記モニタ用受光手段は前記光伝送手段の上方に受光面が下向きになるように実装されることを特徴とする光半導体モジュール。 - 前記基板と前記モニタ用受光手段との間にクラッド層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の光半導体モジュール。
- 前記モニタ用受光手段は、前記クラッド層の上に形成された電極上に実装されていることを特徴とする請求項2記載の光半導体モジュール。
- 前記クラッド層と前記基板との間に前記漏れ光を反射させる反射膜が形成されていることを特徴とする請求項2記載の光半導体モジュール。
- 信号光を出射する発光手段と、
前記発光手段から照射された前記信号光と結合し、入射した前記信号光を導波する光ファイバと、
前記発光手段から照射された前記信号光のうち前記光ファイバに入射しなかった漏れ光を受光するモニタ用受光手段と、を備え、
前記モニタ用受光手段は前記光ファイバの上方に受光面が下向きになるように実装されることを特徴とする光半導体モジュール。 - 前記モニタ用受光手段は前記光ファイバと接していないことを特徴とする請求項5記載の光半導体モジュール。
- 第1の信号光を出射する発光手段と、
前記発光手段から照射された前記第1の信号光と結合し、入射した前記第1の信号光を導波する第1の光伝送手段と、
前記発光手段から照射された前記第1の信号光のうち前記第1の光伝送手段の導波路部に入射しなかった漏れ光を受光するモニタ用受光手段と、
第2の信号光を導波する第2の光伝送手段と、第2の信号光を受光する受信用受光手段と、
第1の光伝送手段および第2の光伝送手段を導波した光を結合する分岐伝送手段と、を備え、
前記モニタ用受光手段は前記第1の光伝送手段の上方に受光面が下向きになるように実装されることを特徴とする光半導体モジュール。 - 第1の信号光を出射する発光手段と、
前記発光手段から照射された前記第1の信号光と結合し、入射した前記第1の信号光を導波する第1の光伝送手段と、
前記発光手段から照射された前記第1の信号光のうち前記第1の光伝送手段の導波路部に入射しなかった漏れ光を受光するモニタ用受光手段と、
第2の信号光を導波する第2の光伝送手段と、前記第1の光伝送手段を導波した前記第1の信号光を反射しかつ第2の光伝送手段を導波した前記第2の信号光を透過するフィルタと、前記フィルタを透過した前記第2の信号光を導波する第3の光伝送手段と、第3の光伝送手段を導波した前記第2の信号光を受光する受信用受光手段とを備え、
前記モニタ用受光手段は前記第1の光伝送手段の上方に受光面が下向きになるように実装され、前記フィルタにより反射された前記第1の信号光は前記第2の光伝送手段を導波することを特徴とする光半導体モジュール。 - 前記モニタ用受光手段は前記発光手段から出射された前方光の漏れ光を受光することを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の光半導体モジュール。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001036324A JP4094237B2 (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 光半導体モジュール |
US10/067,337 US6973239B2 (en) | 2001-02-14 | 2002-02-07 | Optical semiconductor module equipped with a light monitor for monitoring signal light emitted from a light emitting element |
EP02003123A EP1233487B1 (en) | 2001-02-14 | 2002-02-13 | Optical semiconductor module equipped with a light monitor for monitoring signal light emitted from a light emitting element |
DE60202542T DE60202542T2 (de) | 2001-02-14 | 2002-02-13 | Optisches Halbleitermodul mit Lichtüberwachungseinrichtung zur Detektion von Signallicht eines lichtemittierenden Elements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001036324A JP4094237B2 (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 光半導体モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002243989A JP2002243989A (ja) | 2002-08-28 |
JP4094237B2 true JP4094237B2 (ja) | 2008-06-04 |
Family
ID=18899612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001036324A Expired - Lifetime JP4094237B2 (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 光半導体モジュール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6973239B2 (ja) |
EP (1) | EP1233487B1 (ja) |
JP (1) | JP4094237B2 (ja) |
DE (1) | DE60202542T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5063300B2 (ja) * | 2007-11-05 | 2012-10-31 | 富士フイルム株式会社 | レーザモジュール |
JP2011165712A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体光増幅器モジュール |
JP5647485B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2014-12-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光モジュール |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2652608C3 (de) | 1976-11-19 | 1979-12-13 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung zur Regelung der Ausgangsleistung eines Halbleiterlasers |
US4165496A (en) * | 1977-12-16 | 1979-08-21 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optical fiber light tap |
JPS61123190A (ja) | 1984-10-26 | 1986-06-11 | Anritsu Corp | 定出力半導体レ−ザ素子の製造方法 |
US4776661A (en) * | 1985-11-25 | 1988-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated optical device |
GB2197122B (en) | 1986-11-03 | 1990-01-24 | Stc Plc | Injection laser and monitor photosensor combination |
DE3885134D1 (de) * | 1987-03-30 | 1993-12-02 | Siemens Ag | Anordnung zur Steuerung oder Regelung einer Emissionswellenlänge und emittierten Leistung eines Halbleiterlasers. |
GB8728342D0 (en) | 1987-12-03 | 1988-01-06 | Bt & D Technologies Ltd | Light sources |
US5080506A (en) | 1988-05-20 | 1992-01-14 | Raynet Corp. | Optical fiber tap for monitoring laser input power |
JPH0242782A (ja) | 1988-08-01 | 1990-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザモジュール |
JPH1168705A (ja) | 1997-06-10 | 1999-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 双方向wdm光送受信モジュール |
JPH1138279A (ja) | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Fujitsu Ltd | 双方向伝送用光モジュール |
JPH11133255A (ja) | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Fujitsu Ltd | 光モニタデバイス及びその装置 |
US6081638A (en) * | 1998-07-20 | 2000-06-27 | Honeywell Inc. | Fiber optic header with integrated power monitor |
JP3275864B2 (ja) | 1999-01-13 | 2002-04-22 | 日本電気株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP2001177181A (ja) | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Nec Corp | 光送信回路 |
JP2001185753A (ja) | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Kyocera Corp | 光モジュール |
JP2001305365A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Nec Corp | 光導波路モジュールにおける迷光の遮光構造 |
JP2002050826A (ja) | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Aisin Seiki Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2002223027A (ja) | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Kyocera Corp | 光モジュール |
-
2001
- 2001-02-14 JP JP2001036324A patent/JP4094237B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-02-07 US US10/067,337 patent/US6973239B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-13 DE DE60202542T patent/DE60202542T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-13 EP EP02003123A patent/EP1233487B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1233487A2 (en) | 2002-08-21 |
DE60202542D1 (de) | 2005-02-17 |
US20020110334A1 (en) | 2002-08-15 |
DE60202542T2 (de) | 2005-12-29 |
US6973239B2 (en) | 2005-12-06 |
EP1233487A3 (en) | 2003-11-12 |
EP1233487B1 (en) | 2005-01-12 |
JP2002243989A (ja) | 2002-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9906304B2 (en) | Integrated transceiver with lightpipe coupler | |
JP3937911B2 (ja) | 光送受信モジュール及びこれを用いた光通信システム | |
KR100770853B1 (ko) | 광 모듈 | |
JP4066665B2 (ja) | パラレル送受信モジュール | |
EP0938007B1 (en) | LD/PD module and LED/PD module | |
JP2001203419A (ja) | 発光装置 | |
JPH07104146A (ja) | 光部品の製造方法 | |
US20060034561A1 (en) | Planar lightwave circuit package | |
US20050036730A1 (en) | COB package type bi-directional transceiver module | |
JP3890999B2 (ja) | 光送信モジュール | |
JP4094237B2 (ja) | 光半導体モジュール | |
JP4101691B2 (ja) | 光送信モジュール | |
JP5647485B2 (ja) | 光モジュール | |
JP2003021737A (ja) | 光導波路と受光素子の光結合構造 | |
JPH11298014A (ja) | 光ファイバー装置およびこれを用いた通信装置、照明装置、計測装置と、光ファイバー装置の製造方法 | |
JP3065015B2 (ja) | 光送受信導波路モジュール | |
JP2001108847A (ja) | 光モジュール | |
JP2001291923A (ja) | 光送受信モジュール | |
JPH07122760A (ja) | 光モニタ用フォトダイオードおよびそれを用いたモジュール | |
JP2001068737A (ja) | 発光・受光装置、及び、一芯式光ファイバ双方向通信システム | |
JPH065839A (ja) | 光回路装置 | |
JP2009063634A (ja) | 位置合わせガイド部材及び光コネクタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050118 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050322 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051028 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20051206 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20060324 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070913 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080305 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120314 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120314 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130314 Year of fee payment: 5 |