JPH0242782A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
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- JPH0242782A JPH0242782A JP19250688A JP19250688A JPH0242782A JP H0242782 A JPH0242782 A JP H0242782A JP 19250688 A JP19250688 A JP 19250688A JP 19250688 A JP19250688 A JP 19250688A JP H0242782 A JPH0242782 A JP H0242782A
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- optical fiber
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- semiconductor laser
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- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 6
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光フアイバ通信の光源として使用する半導体レ
ーザモジュールに関する。
ーザモジュールに関する。
従来の技術
従来、この種の半導体レーザモジー−ルは、第2図に示
されているように、半導体レーザ1と、モニタ用フォト
ダイオード2と、半導体レーザ1のアノード電極とモニ
タ用フォトダイオード2のカンード電極を共通に接続さ
れたパッケージケース3とにより構成されている。
されているように、半導体レーザ1と、モニタ用フォト
ダイオード2と、半導体レーザ1のアノード電極とモニ
タ用フォトダイオード2のカンード電極を共通に接続さ
れたパッケージケース3とにより構成されている。
通常の半導体レーザ1は、7アブリペロ共振器形構造を
有しているため、前方向光出力4と後方向出力5が同時
に得られている。
有しているため、前方向光出力4と後方向出力5が同時
に得られている。
第3図はパッケージケース3内における半導体レーザ1
とモニタ用フォトダイオード2の配置関係を示す図であ
シ、上記前方向光出力4は主ビームとしてパッケージケ
ース3外へ出射される。
とモニタ用フォトダイオード2の配置関係を示す図であ
シ、上記前方向光出力4は主ビームとしてパッケージケ
ース3外へ出射される。
この主ビームは曲線6で示すように、半導体レーザ1の
出射軸la上で最も強く、出射軸1aから離れるにとも
なって、所定の広がり角で低下している。また、出射軸
1aと角度θをなす後方向光出力5がモニタ用フォトダ
イオード2で受光される。
出射軸la上で最も強く、出射軸1aから離れるにとも
なって、所定の広がり角で低下している。また、出射軸
1aと角度θをなす後方向光出力5がモニタ用フォトダ
イオード2で受光される。
半導体レーザの7アプリベロ共振器を構成する端面ミラ
ーは通常へき開にょシ得られ、上記の前方向光出力4と
後方向光出力5の比は1:lとなり、この後方向出力5
をモニタ用フォトダイオード2で受光すると、このモニ
タ用フォトダイオード2の出力端子からは光出力に比例
した光電流が得られる。
ーは通常へき開にょシ得られ、上記の前方向光出力4と
後方向光出力5の比は1:lとなり、この後方向出力5
をモニタ用フォトダイオード2で受光すると、このモニ
タ用フォトダイオード2の出力端子からは光出力に比例
した光電流が得られる。
この光電流をAPC回路「自動光出力制御回路(図示せ
ず)」に入力して、後方向光出力5をモニタすることに
より、前方向出力4を一定に制御することができる。
ず)」に入力して、後方向光出力5をモニタすることに
より、前方向出力4を一定に制御することができる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の半導体レーザモジュールでは
、半導体レーザ1から出力された前方向光出力が直接パ
ッケージ外に出力されているため、外部の光学系からの
戻り光の影響により、半導体レーザ1に戻り光が結合し
、レーザ発振条件が変動し、光出力が変化する。
、半導体レーザ1から出力された前方向光出力が直接パ
ッケージ外に出力されているため、外部の光学系からの
戻り光の影響により、半導体レーザ1に戻り光が結合し
、レーザ発振条件が変動し、光出力が変化する。
また、モニタ用ファトダイオード2は半導体レーザ1か
ら広がった後方向光出力5の一部を受光しているため、
温度変動等により、半導体レーザ1の出射床がり角がズ
した場合、前方向光出力4を正確にモニタできなくなる
などの問題があった。
ら広がった後方向光出力5の一部を受光しているため、
温度変動等により、半導体レーザ1の出射床がり角がズ
した場合、前方向光出力4を正確にモニタできなくなる
などの問題があった。
本発明はこのような従来の問題を解決するものであシ、
光ファイバと結合する前方向主出力を正確にモニタする
ことができる優れた半導体レーザモジュールを提供する
ことを目的とするものであ本発明は上記目的を達成する
ために、半導体レーザの前方向主出力光を平行光線束に
変換する集光レンズと、この平行光線束を光ファイバに
結合して一方向にのみ光線を通すアイクレータと、この
光ファイバの放射モードとしてしみ出してくる光出力を
検出する検出手段を備えたものである。
光ファイバと結合する前方向主出力を正確にモニタする
ことができる優れた半導体レーザモジュールを提供する
ことを目的とするものであ本発明は上記目的を達成する
ために、半導体レーザの前方向主出力光を平行光線束に
変換する集光レンズと、この平行光線束を光ファイバに
結合して一方向にのみ光線を通すアイクレータと、この
光ファイバの放射モードとしてしみ出してくる光出力を
検出する検出手段を備えたものである。
作用
したがって、本発明によれば、半導体レーザの前方向光
出力を集光レンズで平行光線束に変換して光ファイバに
結合し、この光ファイバの放射モードとしてしみ出して
くる光出力を検出手段で検出するため、光フアイバ出力
光の正確なモニタを行なうことができる。
出力を集光レンズで平行光線束に変換して光ファイバに
結合し、この光ファイバの放射モードとしてしみ出して
くる光出力を検出手段で検出するため、光フアイバ出力
光の正確なモニタを行なうことができる。
実施例
第1図は本発明の一実施例の構成を示すものである。第
1図において、11は半導体レーザ、12は光を検出す
る検出手段としてのモニタ用フォトダイオード、13は
半導体レーザ11から出力された光を平行光線束に変換
する集光レンズ、14は図面上において、左側から右側
へ進む光線は通すが、逆方向への光線は通さないアイソ
レータ、15はアイソレータ14を通った光を伝送する
光ファイバ、16は前方向光出力ビーム、17は後方向
光出力ビーム、18はパッケージケースである。
1図において、11は半導体レーザ、12は光を検出す
る検出手段としてのモニタ用フォトダイオード、13は
半導体レーザ11から出力された光を平行光線束に変換
する集光レンズ、14は図面上において、左側から右側
へ進む光線は通すが、逆方向への光線は通さないアイソ
レータ、15はアイソレータ14を通った光を伝送する
光ファイバ、16は前方向光出力ビーム、17は後方向
光出力ビーム、18はパッケージケースである。
次に上記実施例の動作について説明する。上記実施例に
おいて、半導体レーザ11の広がりをもった前方向光出
力ビーム16は、集光レンズ13により平行光線束に変
換される。
おいて、半導体レーザ11の広がりをもった前方向光出
力ビーム16は、集光レンズ13により平行光線束に変
換される。
この平行光線束はアイソレータ14を通シ、光7アイバ
15に結合される。光ファイバ15に結合した光は光フ
ァイバ15の出力端から光出力として取シ出される。
15に結合される。光ファイバ15に結合した光は光フ
ァイバ15の出力端から光出力として取シ出される。
そして、パッケージケース18内にて光ファイバ15に
結合した光のうち、放射モードとして、光ファイバ15
からしみ出してくる光出力をモニタ用フォトダイオード
12で検出するので、結合系の温度や振動等の環境変動
により、光ファイバ15への光出力の結合度が変化した
ような場合においても、光ファイバ15の出力光の正確
なモニタを行なうことができる。
結合した光のうち、放射モードとして、光ファイバ15
からしみ出してくる光出力をモニタ用フォトダイオード
12で検出するので、結合系の温度や振動等の環境変動
により、光ファイバ15への光出力の結合度が変化した
ような場合においても、光ファイバ15の出力光の正確
なモニタを行なうことができる。
また、上記実施例によれば、半導体レーザ11の片側出
力しか利用しないので、他側端面の反射率を高くするこ
とにより、半導体レーザ11の内部で発生したレーザ発
振光を効率よく利用することができる。
力しか利用しないので、他側端面の反射率を高くするこ
とにより、半導体レーザ11の内部で発生したレーザ発
振光を効率よく利用することができる。
なお、上記実施例では半導体レーザ11のアノード電極
とモニタ用フォトダイオード2のカソード電極を共通に
パッケージケース18に接続しているが、電極の極性、
極数は他の構成をとってもよい。
とモニタ用フォトダイオード2のカソード電極を共通に
パッケージケース18に接続しているが、電極の極性、
極数は他の構成をとってもよい。
発明の効果
本発明は上記実施例よシ明らかなように、以下に示す効
果を有する。
果を有する。
(1ン 半導体レーザの出方光を光ファイバに結合し
た後に該光ファイバがらしみ出す光を検出しているので
、光ファイバの出方光を正確にモニタすることができる
。
た後に該光ファイバがらしみ出す光を検出しているので
、光ファイバの出方光を正確にモニタすることができる
。
(2)半導体レーザチップの片側出力のみを取り出すた
めに、他側端面の反射率を高くすることにょリ、半導体
レーザの内部で発生したレーザ発振光を効率よく利用す
ることができる。
めに、他側端面の反射率を高くすることにょリ、半導体
レーザの内部で発生したレーザ発振光を効率よく利用す
ることができる。
(3)光ファイバからの戻り光はアイソレータで遮断さ
れるので、戻り光で半導体レーザの発振条件を変動させ
ることがない。
れるので、戻り光で半導体レーザの発振条件を変動させ
ることがない。
第1図は本発明の一実施例における半導体レーザモジエ
ールの構成図、第2図は従来の半導体レーザモジエール
の構成図、第3図はそのパッケージ内の配置図である。 11・・・半導体レーザ、12・・・モニタ用フォトダ
イオード、13・・・集光レンズ、14・・・アイソレ
ータ、15・・・光ファイバ。 第 図 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝ほか1名菓 図 ト ♂ 一一 + J 第 図 ン
ールの構成図、第2図は従来の半導体レーザモジエール
の構成図、第3図はそのパッケージ内の配置図である。 11・・・半導体レーザ、12・・・モニタ用フォトダ
イオード、13・・・集光レンズ、14・・・アイソレ
ータ、15・・・光ファイバ。 第 図 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝ほか1名菓 図 ト ♂ 一一 + J 第 図 ン
Claims (1)
- 半導体レーザの前方向光出力を平行光線束に変換する集
光レンズと、この平行光線束を光ファイバに結合して一
方向にのみ光線を通すアイソレータと、この光ファイバ
からのしみ出す光を検出する検出手段を備えた半導体レ
ーザモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19250688A JPH0242782A (ja) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19250688A JPH0242782A (ja) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0242782A true JPH0242782A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=16292424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19250688A Pending JPH0242782A (ja) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0242782A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521465U (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-19 | 日本電気株式会社 | 高出力型半導体レーザモジユール |
US6973239B2 (en) | 2001-02-14 | 2005-12-06 | Nec Corporation | Optical semiconductor module equipped with a light monitor for monitoring signal light emitted from a light emitting element |
JP2007248707A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Toyokuni Electric Cable Co Ltd | 光ファイバ心線の特定方法 |
JP2008070753A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Fujifilm Corp | ファイバ型カプラ、光検出装置、レーザモジュール、及び調芯方法 |
JP2009117522A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Fujifilm Corp | レーザモジュール |
WO2014148511A1 (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-25 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光パワー監視装置、光パワー監視方法および光パワー監視装置を用いたレーザ発生装置 |
-
1988
- 1988-08-01 JP JP19250688A patent/JPH0242782A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521465U (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-19 | 日本電気株式会社 | 高出力型半導体レーザモジユール |
US6973239B2 (en) | 2001-02-14 | 2005-12-06 | Nec Corporation | Optical semiconductor module equipped with a light monitor for monitoring signal light emitted from a light emitting element |
JP2007248707A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Toyokuni Electric Cable Co Ltd | 光ファイバ心線の特定方法 |
JP2008070753A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Fujifilm Corp | ファイバ型カプラ、光検出装置、レーザモジュール、及び調芯方法 |
JP4555269B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | ファイバ型カプラ、光検出装置及びレーザモジュール |
JP2009117522A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Fujifilm Corp | レーザモジュール |
WO2014148511A1 (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-25 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光パワー監視装置、光パワー監視方法および光パワー監視装置を用いたレーザ発生装置 |
JPWO2014148511A1 (ja) * | 2013-03-18 | 2017-02-16 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 光パワー監視装置、光パワー監視方法および光パワー監視装置を用いたレーザ発生装置 |
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