JPH0521465U - 高出力型半導体レーザモジユール - Google Patents
高出力型半導体レーザモジユールInfo
- Publication number
- JPH0521465U JPH0521465U JP7624391U JP7624391U JPH0521465U JP H0521465 U JPH0521465 U JP H0521465U JP 7624391 U JP7624391 U JP 7624391U JP 7624391 U JP7624391 U JP 7624391U JP H0521465 U JPH0521465 U JP H0521465U
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- fiber fusion
- laser module
- optical
- light
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 分岐比変動による光パワー変動を抑え、一定
の光パワーを得る。 【構成】 一端が高反射率で他端が低反射率の半導体レ
ーザ1と、その出力光を所定の分岐比で一方の光を光電
気変換素子6に他方を出力として分岐するファイバ融着
形カップラ5と、そのファイバ融着形カップラ5に半導
体レーザ1の出射光を光学的に結合するレンズ2,4
と、半導体レーザ1への反射戻り光を遮断する光アイソ
レータ3とから構成する。
の光パワーを得る。 【構成】 一端が高反射率で他端が低反射率の半導体レ
ーザ1と、その出力光を所定の分岐比で一方の光を光電
気変換素子6に他方を出力として分岐するファイバ融着
形カップラ5と、そのファイバ融着形カップラ5に半導
体レーザ1の出射光を光学的に結合するレンズ2,4
と、半導体レーザ1への反射戻り光を遮断する光アイソ
レータ3とから構成する。
Description
【0001】
本考案は、光通信や光情報処理装置などに適用される高出力型半導体レーザモ ジュールに関するものである。
【0002】
従来、この種の高出力型半導体レーザモジュールは、図2(a),(b)に示 すように出射端面の一端を高反射率,他端を低反射率にした半導体レーザ1と、 半導体レーザ1からの出射光を光ファイバ9に光学的に結合するためのレンズ8 と、半導体レーザ1の出力光をモニタする光電気変換素子(以下PDと称する) 6と、半導体レーザ1と光ファイバ9との間に固定されかつ半導体レーザ1の出 力光を分岐するためのハーフミラー7とから構成されている。
【0003】
しかしながら、従来の高出力型半導体レーザモジュールでは、半導体レーザ1 から出射した光のモニタは、半導体レーザ1とレンズ8との間もしくはレンズ8 と光ファイバ9との間のいずれかに設置したハーフミラー7により分岐し、分岐 光PD6で行っていた。このため、半導体レーザ1からの出射光は、光ファイバ 9に結合するまでの間にハーフミラー7の通過損失を受ける。また、ハーフミラ ー7が何らかの原因で最適位置からずれた場合、光ファイバ9に入射する光とP D6に入射する光の分岐比が変化するなどの問題があった。 また、従来のこの種の高出力型半導体レーザモジュールでは、光ファイバ9の 端面からの出力パワーを一定に保つため、PD6で受光した分岐光の光パワーを 基準にしてその変化を検出して半導体レーザ1からの出力を一定に保つAPC制 御がかけられる。しかしながら、従来の高出力型半導体レーザモジュールでは、 前述した構成となっているため、分岐比変動が発生した場合でも、同様にAPC 制御がかかり、出力パワーを一定に保つことが困難になるという問題があった。
【0004】 したがって本考案は、前述した従来の課題を解決するためになされたものであ り、その目的は、分岐比変動による光パワー変動を抑え、一定の光パワーが得ら れる高出力型半導体レーザモジュールを提供することにある。
【0005】
このような目的を達成するために本考案は、一端が高反射率で他端が低反射率 を有する半導体レーザと、その出射光を所定の分岐比で一方の分岐光を光電気変 換素子に他方を高出力型半導体レーザモジュールの出力として分岐するファイバ 融着形カップラと、そのファイバ融着形カップラに半導体レーザの出力を結合さ せるレンズと、半導体レーザに結合する反射戻り光を遮断する光アイソレータと を備えている。
【0006】
本考案においては、半導体レーザの前方出力光の分岐をファイバ融着形カップ ラを用いて行うことにより、固定部のずれによる分岐比変動が避けられる。
【0007】
以下、図面を用いて本考案の実施例を詳細に説明する。 図1は、本考案による高出力型半導体レーザモジュールの一実施例による構成 を示すブロック図である。同図において、レーザ光が出射する一端面が高反射率 の端面処理が施され他端面が低反射率の端面処理を施された半導体レーザ1から 出射した光は、第1のレンズ2,光アイソレータ3および第2のレンズ4を通し て所定の分岐比を有するファイバ融着形カップラ5に結合される。このファイバ 融着形カップラ5での分岐の比率は、PD6で光電気変換してAPC制御をかけ るために最低限必要な受光パワーが得られるように設定されている。本実施例で は、ファイバ融着形カップラ5の分岐比を10:1に設定した。また、光コネク タなどからの反射戻り光は、光アイソレータ3によって遮断され、半導体レーザ 1に結合しない構成とした。
【0008】 このような構成において、前方出力光の分岐をファイバ融着形カップラ5を用 いて行うことにより、固定部のずれによる分岐比変動が避けられ、安定なAPC 動作をかけることができる。また、前方出力光の変化量は、10:1の分岐比で 常時PD6により、検出されるため、高出力型半導体レーザモジュール内部の光 学系のずれなどに起因する微小な光パワー変動についてもAPC制御により、光 パワーを一定に保つことが可能となる。
【0009】
以上、説明したように本考案は、半導体レーザとファイバ融着形カップラとの 間に第1のレンズ,アイソレータおよび第2のレンズを備えたことにより、従来 の半導体レーザと光ファイバとの間にハーフミラーを挿入した構成に比べて光学 系が簡素化され、通常の後方モニタの半導体レーザモジュールに並の結合損失、 つまり高出力が得られる。また、ファイバ融着形カップラを用いることにより、 光学系の軸ずれなどに起因する微小な光パワー変動についてもAPC制御により 、光パワーを一定に保つことが可能となるなどの極めて優れた効果が得られる。
【図1】本考案による高出力型半導体レーザモジュール
の一実施例による構成を示すブロック図である。
の一実施例による構成を示すブロック図である。
【図2】従来の高出力型半導体レーザモジュールの構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
1 半導体レーザ 2 第1のレンズ 3 光アイソレータ 4 第2のレンズ 5 ファイバ融着形カップラ 6 光電気変換素子(PD)
Claims (1)
- 【請求項1】 一端が高反射率で他端が低反射率を有す
る半導体レーザと、前記半導体レーザの前方出力光を光
ファイバに結合させるレンズと、前記半導体レーザに結
合する反射戻り光を遮断する光アイソレータと、前記半
導体レーザの前方出力光を分岐する所定の分岐比を有す
るファイバ融着形カップラと、前記ファイバ融着形カッ
プラの分岐出力をモニタする光電気変換素子とを備えた
ことを特徴とする高出力型半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7624391U JPH0521465U (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 高出力型半導体レーザモジユール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7624391U JPH0521465U (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 高出力型半導体レーザモジユール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0521465U true JPH0521465U (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=13599744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7624391U Pending JPH0521465U (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 高出力型半導体レーザモジユール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0521465U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008003116A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Fujifilm Corp | 光分岐素子、レーザモジュール、及びレーザ光出力安定化光源 |
JP2008070753A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Fujifilm Corp | ファイバ型カプラ、光検出装置、レーザモジュール、及び調芯方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62282477A (ja) * | 1986-05-31 | 1987-12-08 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザの周波数安定化方法 |
JPH01127942A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 結露予知装置 |
JPH0242782A (ja) * | 1988-08-01 | 1990-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザモジュール |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP7624391U patent/JPH0521465U/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4555269B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | ファイバ型カプラ、光検出装置及びレーザモジュール |
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