JPH0821931A - Ｌｄモジュールおよびその駆動方法並びにｌｄモジュールを用いた漏光監視システム - Google Patents
Ｌｄモジュールおよびその駆動方法並びにｌｄモジュールを用いた漏光監視システムInfo
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- JPH0821931A JPH0821931A JP15735294A JP15735294A JPH0821931A JP H0821931 A JPH0821931 A JP H0821931A JP 15735294 A JP15735294 A JP 15735294A JP 15735294 A JP15735294 A JP 15735294A JP H0821931 A JPH0821931 A JP H0821931A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 光コネクタが外れたことを即時検出する手段
を備えたＬＤモジュールおよびその駆動方法並びにＬＤ
モジュールを用いた漏光監視システムを提供することを
目的とする 【構成】 ＬＤモジュール１のＬＤチップ４のＬＤの光
軸上に配置されたモニターＰＤ５の他に、当該光軸から
離れた位置に第２の受光素子としてのＰＤ１０が設けら
れている。このＰＤ１０は、ＬＤチップ４の前面から放
出されるレーザー光がＬＤモジュール１に結合された光
コネクタＣのフェルールＦの端面またはこのフェルール
Ｆに取り付けられた光ファイバＰの端面に反射した光を
受光する。光コネクタＣがＬＤモジュール１から外れた
ときには、その反射面がなくなるから、受光された反射
光強度が変化する。この変化に応じてＬＤの駆動電流を
制御する。
を備えたＬＤモジュールおよびその駆動方法並びにＬＤ
モジュールを用いた漏光監視システムを提供することを
目的とする 【構成】 ＬＤモジュール１のＬＤチップ４のＬＤの光
軸上に配置されたモニターＰＤ５の他に、当該光軸から
離れた位置に第２の受光素子としてのＰＤ１０が設けら
れている。このＰＤ１０は、ＬＤチップ４の前面から放
出されるレーザー光がＬＤモジュール１に結合された光
コネクタＣのフェルールＦの端面またはこのフェルール
Ｆに取り付けられた光ファイバＰの端面に反射した光を
受光する。光コネクタＣがＬＤモジュール１から外れた
ときには、その反射面がなくなるから、受光された反射
光強度が変化する。この変化に応じてＬＤの駆動電流を
制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、通信用のレセプタクル
型のＬＤモジュールおよびその駆動方法並びに当該ＬＤ
モジュールを用いた漏光監視システムに関する。
型のＬＤモジュールおよびその駆動方法並びに当該ＬＤ
モジュールを用いた漏光監視システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＬＤモジュールは、光コネクタ
により光ファイバと直接接続できるレセプタクル型と、
適当な長さの光ファイバの先端に光コネクタを装着した
ピグテール型とに大別される。
により光ファイバと直接接続できるレセプタクル型と、
適当な長さの光ファイバの先端に光コネクタを装着した
ピグテール型とに大別される。
【０００３】図１は、従来のレセプタクル型のＬＤモジ
ュールの構成を示す概略斜視図であり、図２は、図１に
示したＬＤモジュールの縦断面図である。また、図３
は、ＬＤモジュールに用いられるモニターＰＤの構成を
示す図であって、（Ａ）は上面図であり、（Ｂ）は
（Ａ）におけるBB′線に沿う断面図である。
ュールの構成を示す概略斜視図であり、図２は、図１に
示したＬＤモジュールの縦断面図である。また、図３
は、ＬＤモジュールに用いられるモニターＰＤの構成を
示す図であって、（Ａ）は上面図であり、（Ｂ）は
（Ａ）におけるBB′線に沿う断面図である。
【０００４】図１において符号１はＬＤモジュールであ
る。ＬＤモジュール１は、略円筒状のホルダ２と、後述
のＬＤチップ（レーザーダイオード）を搭載するステム
３とから概略構成されている。ホルダ２の前部（図２に
おいて左側）には、中心軸に光ファイバＰを取り付けた
光コネクタＣのフェルールＦを嵌合するための長孔であ
る嵌合部２ａが形成され、後部にはステム３に搭載され
たＬＤチップ４を収容するための円筒状の収容部２ｂが
形成されている。嵌合部２ａと収容部２ｂとは壁部２ｃ
により仕切られている。壁部２ｃの中央部には、ＬＤチ
ップ４からの発光の光路を形成するための開口部２ｄが
形成されている。また、壁部２ｃの嵌合部２ａ側の壁面
は、フェルールＦの侵入を規制するストッパとして機能
する。なお、ホルダ２の前方の外周部には、図１に示す
光コネクタＣと螺合するためのネジ部２ｅが形成されて
いる。
る。ＬＤモジュール１は、略円筒状のホルダ２と、後述
のＬＤチップ（レーザーダイオード）を搭載するステム
３とから概略構成されている。ホルダ２の前部（図２に
おいて左側）には、中心軸に光ファイバＰを取り付けた
光コネクタＣのフェルールＦを嵌合するための長孔であ
る嵌合部２ａが形成され、後部にはステム３に搭載され
たＬＤチップ４を収容するための円筒状の収容部２ｂが
形成されている。嵌合部２ａと収容部２ｂとは壁部２ｃ
により仕切られている。壁部２ｃの中央部には、ＬＤチ
ップ４からの発光の光路を形成するための開口部２ｄが
形成されている。また、壁部２ｃの嵌合部２ａ側の壁面
は、フェルールＦの侵入を規制するストッパとして機能
する。なお、ホルダ２の前方の外周部には、図１に示す
光コネクタＣと螺合するためのネジ部２ｅが形成されて
いる。
【０００５】ステム３は、略円盤状をなし、その上面
（図２において左側の面）に設けられたサブマウント３
ａ上にはＬＤチップ４が設けられている。このＬＤチッ
プ４の前面には透過率７０〜９５％程度のコーティング
が施され、後面には透過率５〜３０％程度のコーティン
グが施されている。このため、ＬＤチップ４の後面から
もレーザー光が僅かながら取り出される。このＬＤチッ
プ４の後面からのレーザー光を受光するために、ＬＤチ
ップ４の光軸上のサブマウント３ａの基部には、モニタ
ーＰＤ（フォトダイオード）５が設けられている。
（図２において左側の面）に設けられたサブマウント３
ａ上にはＬＤチップ４が設けられている。このＬＤチッ
プ４の前面には透過率７０〜９５％程度のコーティング
が施され、後面には透過率５〜３０％程度のコーティン
グが施されている。このため、ＬＤチップ４の後面から
もレーザー光が僅かながら取り出される。このＬＤチッ
プ４の後面からのレーザー光を受光するために、ＬＤチ
ップ４の光軸上のサブマウント３ａの基部には、モニタ
ーＰＤ（フォトダイオード）５が設けられている。
【０００６】図３に示すように、モニターＰＤ５は、パ
ッケージ５１上にn-電極５２を介して設けられた硫黄ド
ープInP 基板５３に、n-InP 層５４、n-InGaAs層５５、
およびn-InP 層５６を順次設け、n-InP 層５６およびn-
InGaAs層５５の上部にZnを拡散してp-InGaAs層５７を形
成し、その上に透光性および電気的絶縁性を有するパッ
シベーション層５８およびp-電極５９を設けたものであ
る。ここで、例えばAuからなり、円環状でワイヤリング
パッドを兼ねる形状をしているp-電極５９の内側が受光
部６０となっており、この受光部６０のパッシベーショ
ン層５８上には無反射膜（ARコート）６１が形成されて
いる。
ッケージ５１上にn-電極５２を介して設けられた硫黄ド
ープInP 基板５３に、n-InP 層５４、n-InGaAs層５５、
およびn-InP 層５６を順次設け、n-InP 層５６およびn-
InGaAs層５５の上部にZnを拡散してp-InGaAs層５７を形
成し、その上に透光性および電気的絶縁性を有するパッ
シベーション層５８およびp-電極５９を設けたものであ
る。ここで、例えばAuからなり、円環状でワイヤリング
パッドを兼ねる形状をしているp-電極５９の内側が受光
部６０となっており、この受光部６０のパッシベーショ
ン層５８上には無反射膜（ARコート）６１が形成されて
いる。
【０００７】また、ステム３の上面には、図２に示すよ
うにＬＤチップ４およびモニターＰＤ５を覆うキャップ
６が取り付けられている。このキャップ６の上部中央に
は、ＬＤチップ４の前面からのレーザー光を、光コネク
タＣのフェルールＦに固定された光ファイバに結合させ
るための球レンズ７が取り付けられている。さらに、ス
テム３の下面には、図１に示すように所定数のリードピ
ン８が植設されている。
うにＬＤチップ４およびモニターＰＤ５を覆うキャップ
６が取り付けられている。このキャップ６の上部中央に
は、ＬＤチップ４の前面からのレーザー光を、光コネク
タＣのフェルールＦに固定された光ファイバに結合させ
るための球レンズ７が取り付けられている。さらに、ス
テム３の下面には、図１に示すように所定数のリードピ
ン８が植設されている。
【０００８】このようなＬＤモジュール１に光コネクタ
Ｃを締結する際には、ＬＤモジュール１の嵌合部２ａに
光コネクタＣのフェルールＦが嵌合される。このとき、
フェルールＦの先端部はＬＤモジュール１の壁部２ｃに
突き当たり、その先端位置が決められる。この状態で、
ＬＤモジュール１のＬＤからのレーザー光が上記フェル
ールＦの中心軸に取り付けられている光ファイバＰに結
合されるように、ＬＤモジュール１のホルダ２とステム
３との間の調心を行った上で、ホルダ２の後部にステム
３がYAG レーザー溶接等により固定される。
Ｃを締結する際には、ＬＤモジュール１の嵌合部２ａに
光コネクタＣのフェルールＦが嵌合される。このとき、
フェルールＦの先端部はＬＤモジュール１の壁部２ｃに
突き当たり、その先端位置が決められる。この状態で、
ＬＤモジュール１のＬＤからのレーザー光が上記フェル
ールＦの中心軸に取り付けられている光ファイバＰに結
合されるように、ＬＤモジュール１のホルダ２とステム
３との間の調心を行った上で、ホルダ２の後部にステム
３がYAG レーザー溶接等により固定される。
【０００９】上記のような構成を有するＬＤモジュール
１においては、ＬＤチップ４の後方に配置されたモニタ
ーＰＤ５によりＬＤチップ４の後面から取り出されるレ
ーザー光を受光するが、このモニターＰＤ５の光電流が
一定となるように、ＬＤの駆動電流を制御（APC 制御）
することにより、安定な光出力が得られる。
１においては、ＬＤチップ４の後方に配置されたモニタ
ーＰＤ５によりＬＤチップ４の後面から取り出されるレ
ーザー光を受光するが、このモニターＰＤ５の光電流が
一定となるように、ＬＤの駆動電流を制御（APC 制御）
することにより、安定な光出力が得られる。
【００１０】ところで、一般にＬＤの光は比較的強い指
向性を有するため、直接目に入れると、視力障害を招く
危険性を含んでいる。このため、レセプタクル型のＬＤ
モジュールから光コネクタが外れた場合には、ＬＤの光
出力を即時に低下あるいは停止させることが安全上、望
まれる。
向性を有するため、直接目に入れると、視力障害を招く
危険性を含んでいる。このため、レセプタクル型のＬＤ
モジュールから光コネクタが外れた場合には、ＬＤの光
出力を即時に低下あるいは停止させることが安全上、望
まれる。
【００１１】しかしながら、従来のレセプタクル型のＬ
Ｄモジュールには、光コネクタが外れたことを即時検出
する適切な手段がないため、安全面に課題を残してい
た。
Ｄモジュールには、光コネクタが外れたことを即時検出
する適切な手段がないため、安全面に課題を残してい
た。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光コ
ネクタが外れたことを即時検出する手段を備えたＬＤモ
ジュールおよびその駆動方法並びにＬＤモジュールを用
いた漏光監視システムを提供することにある。
ネクタが外れたことを即時検出する手段を備えたＬＤモ
ジュールおよびその駆動方法並びにＬＤモジュールを用
いた漏光監視システムを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、ＬＤモジュールであって、
光コネクタの締結により光ファイバにＬＤの光を結合す
るＬＤモジュールであって、ＬＤを含むチップと、該Ｌ
Ｄチップの後部であって前記ＬＤの光軸上の位置に配置
された第１の受光素子と、前記ＬＤからの光の光軸から
離れ、かつ、前記ＬＤから発出され前記光ファイバの端
面で反射した光を検知する第２の受光素子とを含むこと
を特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、ＬＤモジュールであって、
光コネクタの締結により光ファイバにＬＤの光を結合す
るＬＤモジュールであって、ＬＤを含むチップと、該Ｌ
Ｄチップの後部であって前記ＬＤの光軸上の位置に配置
された第１の受光素子と、前記ＬＤからの光の光軸から
離れ、かつ、前記ＬＤから発出され前記光ファイバの端
面で反射した光を検知する第２の受光素子とを含むこと
を特徴とする。
【００１４】ここで、請求項２記載の発明は、請求項１
記載のＬＤモジュールにおいて、前記第１の受光素子と
前記第２の受光素子とが単一のチップ上に形成されてい
てもよい。
記載のＬＤモジュールにおいて、前記第１の受光素子と
前記第２の受光素子とが単一のチップ上に形成されてい
てもよい。
【００１５】請求項３記載の発明は、請求項１または２
に記載のＬＤモジュールを駆動する方法であって、前記
第２の受光素子の光電流により、前記ＬＤから発出され
前記光ファイバの端面で反射した光の強度をモニタし、
該反射光強度が所定レベルより低くなった際に、前記Ｌ
Ｄチップの駆動電流を減少させることを特徴とする。
に記載のＬＤモジュールを駆動する方法であって、前記
第２の受光素子の光電流により、前記ＬＤから発出され
前記光ファイバの端面で反射した光の強度をモニタし、
該反射光強度が所定レベルより低くなった際に、前記Ｌ
Ｄチップの駆動電流を減少させることを特徴とする。
【００１６】ここで、請求項４記載の発明は、請求項３
記載のＬＤモジュールの駆動方法において、前記ＬＤチ
ップの駆動電流を停止させてもよい。
記載のＬＤモジュールの駆動方法において、前記ＬＤチ
ップの駆動電流を停止させてもよい。
【００１７】請求項５記載の発明は、請求項１または２
に記載のＬＤモジュールを駆動する方法であって、前記
第１の受光素子と前記第２の受光素子との光電流比によ
り、前記ＬＤチップの発光レベルと前記反射光強度との
比を検出し、その比に応じて前記ＬＤチップの駆動電流
を制御してもよい。
に記載のＬＤモジュールを駆動する方法であって、前記
第１の受光素子と前記第２の受光素子との光電流比によ
り、前記ＬＤチップの発光レベルと前記反射光強度との
比を検出し、その比に応じて前記ＬＤチップの駆動電流
を制御してもよい。
【００１８】請求項６記載の発明は、漏光監視システム
であって、請求項１または２に記載のＬＤモジュール
と、該ＬＤモジュールの前記第１の受光素子の光電流か
ら前記ＬＤチップの発光レベルを検出するための第１の
検出回路と、前記第２の受光素子の光電流から反射光レ
ベルを検出するための第２の検出回路と、該第２の検出
回路により検出される反射光強度と前記第１の検出回路
により検出される発光レベルとの比に応じて、前記ＬＤ
チップの駆動電流を制御するための制御回路とを含むこ
とを特徴とする。
であって、請求項１または２に記載のＬＤモジュール
と、該ＬＤモジュールの前記第１の受光素子の光電流か
ら前記ＬＤチップの発光レベルを検出するための第１の
検出回路と、前記第２の受光素子の光電流から反射光レ
ベルを検出するための第２の検出回路と、該第２の検出
回路により検出される反射光強度と前記第１の検出回路
により検出される発光レベルとの比に応じて、前記ＬＤ
チップの駆動電流を制御するための制御回路とを含むこ
とを特徴とする。
【００１９】
【作用】本発明においては、ＬＤチップの後面から放出
されるレーザー光をモニターするＰＤの他に、ＬＤチッ
プの光軸から離れた位置にＬＤチップの前面から放出さ
れるレーザー光の反射光強度の変化を検出する第２の受
光素子を配置したことにより、ＬＤモジュールから光コ
ネクタが外れた際に生じる反射光強度の変化を迅速に把
握することが可能となる。この反射光強度の変化に対応
してＬＤチップの前面からのレーザー光の放出を低減す
るか、または停止することができることから、ＬＤモジ
ュールから直接外部に漏れるレーザー光による視力障害
の発生を防止できる。
されるレーザー光をモニターするＰＤの他に、ＬＤチッ
プの光軸から離れた位置にＬＤチップの前面から放出さ
れるレーザー光の反射光強度の変化を検出する第２の受
光素子を配置したことにより、ＬＤモジュールから光コ
ネクタが外れた際に生じる反射光強度の変化を迅速に把
握することが可能となる。この反射光強度の変化に対応
してＬＤチップの前面からのレーザー光の放出を低減す
るか、または停止することができることから、ＬＤモジ
ュールから直接外部に漏れるレーザー光による視力障害
の発生を防止できる。
【００２０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００２１】図４は、本発明のＬＤモジュールの一実施
例を示す概略断面図であり、図５は、図４に示したＬＤ
モジュールにおける要部を示す拡大斜視図である。
例を示す概略断面図であり、図５は、図４に示したＬＤ
モジュールにおける要部を示す拡大斜視図である。
【００２２】本実施例の構成のうち、図１〜図３に示し
た従来のＬＤモジュールの構成と共通している部分につ
いては、同一符号を符し、その説明を省略する。本実施
例の特徴は、ＬＤチップ４のＬＤの光軸上に配置された
モニターＰＤ５の他に、当該光軸から離れた位置に第２
の受光素子としてのＰＤ（フォトダイオード）１０が別
個に設けられている点にある。このＰＤ１０の、基本的
な構成は、図３に示したモニターＰＤ５と同一であり、
ＰＤ１０はＬＤチップ４の光軸から離れた位置に配置さ
れていることから、ＬＤチップ４の前面から放出される
レーザー光の反射光、すなわち光ファイバＰの端面また
はフェルールＦの端面からの反射光の光強度の変化を常
にモニターすることができるものである。
た従来のＬＤモジュールの構成と共通している部分につ
いては、同一符号を符し、その説明を省略する。本実施
例の特徴は、ＬＤチップ４のＬＤの光軸上に配置された
モニターＰＤ５の他に、当該光軸から離れた位置に第２
の受光素子としてのＰＤ（フォトダイオード）１０が別
個に設けられている点にある。このＰＤ１０の、基本的
な構成は、図３に示したモニターＰＤ５と同一であり、
ＰＤ１０はＬＤチップ４の光軸から離れた位置に配置さ
れていることから、ＬＤチップ４の前面から放出される
レーザー光の反射光、すなわち光ファイバＰの端面また
はフェルールＦの端面からの反射光の光強度の変化を常
にモニターすることができるものである。
【００２３】図６は、本発明のＬＤモジュールの他の実
施例における要部を示す上面図である。本実施例におけ
るＰＤ１０は、第１の受光素子としてのモニターＰＤ５
を搭載するチップと同一のチップ上に搭載されている。
このように二つの受光素子が同一のチップ上に形成され
ることは、受光素子のステムへの実装作業を同時に行え
るなどの作業性の利点がある。なお、モニターＰＤ５と
ＰＤ１０とは、図６に示すように両者間を区切る中心線
に対して対称の関係にある。各受光素子５および１０の
受光部６０は、p-電極５９により囲まれている。
施例における要部を示す上面図である。本実施例におけ
るＰＤ１０は、第１の受光素子としてのモニターＰＤ５
を搭載するチップと同一のチップ上に搭載されている。
このように二つの受光素子が同一のチップ上に形成され
ることは、受光素子のステムへの実装作業を同時に行え
るなどの作業性の利点がある。なお、モニターＰＤ５と
ＰＤ１０とは、図６に示すように両者間を区切る中心線
に対して対称の関係にある。各受光素子５および１０の
受光部６０は、p-電極５９により囲まれている。
【００２４】図７は、本発明のＬＤモジュールの他の実
施例における二つの受光素子の構成を示す上面図であ
る。本実施例では、各受光素子５および１０のp-電極５
９が受光部６０のすべてを囲んでおらず、p-電極５９が
形成されていない部分では両受光素子５および１０間の
離間距離が短くなっている。このような構成とすること
により、第１の受光素子５に第２の受光素子１０が近接
しているほど、検出される反射光強度が強くなるため、
光コネクタ外れの検出がいっそう容易となる。さらに、
本実施例では、先の実施例に比べて両受光素子を含めた
チップの小型化を図ることができる利点もある。
施例における二つの受光素子の構成を示す上面図であ
る。本実施例では、各受光素子５および１０のp-電極５
９が受光部６０のすべてを囲んでおらず、p-電極５９が
形成されていない部分では両受光素子５および１０間の
離間距離が短くなっている。このような構成とすること
により、第１の受光素子５に第２の受光素子１０が近接
しているほど、検出される反射光強度が強くなるため、
光コネクタ外れの検出がいっそう容易となる。さらに、
本実施例では、先の実施例に比べて両受光素子を含めた
チップの小型化を図ることができる利点もある。
【００２５】図８は、先の各実施例における第２の受光
素子としてのＰＤ１０による反射光の検出状態を説明す
るための模式的な断面図である。ＬＤモジュール１と光
コネクタＣとは、ＬＤチップ４の前面から放出されるレ
ーザー光が球レンズ７を通じてフェルールＦの端部に固
定された光ファイバＰのコア部分Ｐ１の端面に照射され
るように位置決めされている。このため、ＬＤチップ４
の前面から放出されるレーザー光の大部分は、図６にお
ける光線Ａのように、レンズ７により収束されて光ファ
イバＰのコアＰ１に結合する。しかし、上記レーザー光
の一部は、光線Ｂのように、光ファイバＰのコアＰ１に
結合せず、光ファイバＰのクラッドＰ２の端面またはフ
ェルールＦの端面で反射する。その反射光はレンズ７を
通じてＬＤチップ４の光軸から離れた位置に配置された
第２の受光素子としてのＰＤ１０により受光される。
素子としてのＰＤ１０による反射光の検出状態を説明す
るための模式的な断面図である。ＬＤモジュール１と光
コネクタＣとは、ＬＤチップ４の前面から放出されるレ
ーザー光が球レンズ７を通じてフェルールＦの端部に固
定された光ファイバＰのコア部分Ｐ１の端面に照射され
るように位置決めされている。このため、ＬＤチップ４
の前面から放出されるレーザー光の大部分は、図６にお
ける光線Ａのように、レンズ７により収束されて光ファ
イバＰのコアＰ１に結合する。しかし、上記レーザー光
の一部は、光線Ｂのように、光ファイバＰのコアＰ１に
結合せず、光ファイバＰのクラッドＰ２の端面またはフ
ェルールＦの端面で反射する。その反射光はレンズ７を
通じてＬＤチップ４の光軸から離れた位置に配置された
第２の受光素子としてのＰＤ１０により受光される。
【００２６】ところが、ＬＤモジュール１から光コネク
タＣが外れた場合には、光線Ｂに対する反射面がなくな
るため、第２の受光素子としてのＬＤ１０により受光さ
れる反射光は著しく減少する。この減少をＬＤ１０の光
電流の減少としてモニターすることにより、光コネクタ
Ｃが外れたことを検出することができる。結果として、
ＬＤモジュール１からの漏光を監視することが可能とな
る。
タＣが外れた場合には、光線Ｂに対する反射面がなくな
るため、第２の受光素子としてのＬＤ１０により受光さ
れる反射光は著しく減少する。この減少をＬＤ１０の光
電流の減少としてモニターすることにより、光コネクタ
Ｃが外れたことを検出することができる。結果として、
ＬＤモジュール１からの漏光を監視することが可能とな
る。
【００２７】図９は、本発明のＬＤモジュールの駆動方
法および漏光監視システムの一実施例を示すブロック図
である。図９において符号２０は第１の受光素子として
のモニターＰＤ５の光電流によりＬＤ発光レベルを検出
するＬＤ発光レベル検出回路であり、２１は第２の受光
素子としてのＰＤ１０の光電流によりＬＤチップ４のＬ
Ｄから放出されるレーザー光の反射光レベルを検出する
反射光レベル検出回路である。第１の検出回路としての
ＬＤ発光レベル検出回路２０および第２の検出回路とし
ての反射光レベル検出回路２１の各検出信号は、ＬＤ駆
動電流制御回路２２に送られ、両検出信号が比較され、
反射光レベルが変化しＰＤ１０の光電流が減少して検出
信号が変化すると、光コネクタＣが外れたことを検知し
てＬＤチップ４のＬＤからのレーザー光の放出を低下さ
せるか、または停止させるように、ＬＤチップ４の駆動
電流が制御される。
法および漏光監視システムの一実施例を示すブロック図
である。図９において符号２０は第１の受光素子として
のモニターＰＤ５の光電流によりＬＤ発光レベルを検出
するＬＤ発光レベル検出回路であり、２１は第２の受光
素子としてのＰＤ１０の光電流によりＬＤチップ４のＬ
Ｄから放出されるレーザー光の反射光レベルを検出する
反射光レベル検出回路である。第１の検出回路としての
ＬＤ発光レベル検出回路２０および第２の検出回路とし
ての反射光レベル検出回路２１の各検出信号は、ＬＤ駆
動電流制御回路２２に送られ、両検出信号が比較され、
反射光レベルが変化しＰＤ１０の光電流が減少して検出
信号が変化すると、光コネクタＣが外れたことを検知し
てＬＤチップ４のＬＤからのレーザー光の放出を低下さ
せるか、または停止させるように、ＬＤチップ４の駆動
電流が制御される。
【００２８】なお、図９において破線で示すように、Ｌ
Ｄ発光レベル検出回路２０および反射光レベル検出回路
２１と、ＬＤ駆動電流制御回路２２との間にＬＤ発光レ
ベル検出回路２０および反射光レベル検出回路２１の各
検出信号を比較するための比較回路２３を配置してもよ
い。
Ｄ発光レベル検出回路２０および反射光レベル検出回路
２１と、ＬＤ駆動電流制御回路２２との間にＬＤ発光レ
ベル検出回路２０および反射光レベル検出回路２１の各
検出信号を比較するための比較回路２３を配置してもよ
い。
【００２９】上記実施例では、光コネクタＣが外れたこ
とを検知した場合に、その後の復旧作業を考慮すると、
ＬＤの駆動を停止するよりも、安全なレベルにまで光出
力を低下させる駆動方法を採用することが好ましい。す
なわち、光コネクタＣが外れても、低出力でＬＤを駆動
しておけば、再び光コネクタＣが締結されたときに、第
１の受光素子としてのモニターＰＤ５と第２の受光素子
としてのＰＤ１０の光電流の比が変化するため、その締
結を検出できる。従って、自動的にＬＤモジュール１の
光出力を元のレベルに復旧できる利点がある。
とを検知した場合に、その後の復旧作業を考慮すると、
ＬＤの駆動を停止するよりも、安全なレベルにまで光出
力を低下させる駆動方法を採用することが好ましい。す
なわち、光コネクタＣが外れても、低出力でＬＤを駆動
しておけば、再び光コネクタＣが締結されたときに、第
１の受光素子としてのモニターＰＤ５と第２の受光素子
としてのＰＤ１０の光電流の比が変化するため、その締
結を検出できる。従って、自動的にＬＤモジュール１の
光出力を元のレベルに復旧できる利点がある。
【００３０】なお、上記実施例では、ＰＤチップとして
InGaAs系のものを用いたが、これに限定されるものでは
なく、ＬＤの発振波長に応じてGe系あるいはSi系等をも
用いることが可能である。
InGaAs系のものを用いたが、これに限定されるものでは
なく、ＬＤの発振波長に応じてGe系あるいはSi系等をも
用いることが可能である。
【００３１】また、上記実施例では、レンズをキャップ
に取り付ける構成としたが、ホルダー側に取り付けても
よい。さらに、上記実施例では、レンズを球レンズとし
たが、これに限定されるものではなく、セルフォック
（SELFOC( 登録商標) ）レンズや非球面レンズ等を用い
ることもできる。また、複数個のレンズを用いた光学系
も本発明に適用可能である。
に取り付ける構成としたが、ホルダー側に取り付けても
よい。さらに、上記実施例では、レンズを球レンズとし
たが、これに限定されるものではなく、セルフォック
（SELFOC( 登録商標) ）レンズや非球面レンズ等を用い
ることもできる。また、複数個のレンズを用いた光学系
も本発明に適用可能である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＬＤモジ
ュールによれば、第２の受光素子によりモジュール内の
反射光強度の変化を即時に知ることができる。従って、
このＬＤモジュールを用いた漏光監視システムによれ
ば、ＬＤモジュール内の反射光強度の変化に応じてＬＤ
チップの駆動電流を制御することにより、ＬＤモジュー
ルから光コネクタが外れた際に、即時にＬＤの駆動電流
を減少または停止させることができ、これによりＬＤか
らの指向性の強い光による視力障害の発生を防止できる
利点がある。
ュールによれば、第２の受光素子によりモジュール内の
反射光強度の変化を即時に知ることができる。従って、
このＬＤモジュールを用いた漏光監視システムによれ
ば、ＬＤモジュール内の反射光強度の変化に応じてＬＤ
チップの駆動電流を制御することにより、ＬＤモジュー
ルから光コネクタが外れた際に、即時にＬＤの駆動電流
を減少または停止させることができ、これによりＬＤか
らの指向性の強い光による視力障害の発生を防止できる
利点がある。
【図１】従来のレセプタクル型のＬＤモジュールの構成
を示す概略斜視図である。
を示す概略斜視図である。
【図２】図１に示したＬＤモジュールの縦断面図であ
る。
る。
【図３】ＬＤモジュールに用いられるモニターＰＤの構
成を示す図であって、（Ａ）は上面図であり、（Ｂ）は
（Ａ）におけるBB′線に沿う断面図である。
成を示す図であって、（Ａ）は上面図であり、（Ｂ）は
（Ａ）におけるBB′線に沿う断面図である。
【図４】本発明のＬＤモジュールの一実施例を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図５】図４に示したＬＤモジュールにおける要部を示
す概略斜視図である。
す概略斜視図である。
【図６】図４および図５に示したＬＤモジュールにおけ
る第１および第２の受光素子の構成を示す上面図であ
る。
る第１および第２の受光素子の構成を示す上面図であ
る。
【図７】本発明のＬＤモジュールの他の実施例における
第１および第２の受光素子の構成を示す上面図である。
第１および第２の受光素子の構成を示す上面図である。
【図８】本発明のＬＤモジュールの各実施例における第
２の受光素子による反射光の検出状態を説明するための
模式的な断面図である。
２の受光素子による反射光の検出状態を説明するための
模式的な断面図である。
【図９】本発明のＬＤモジュールの駆動方法および漏光
監視システムの一実施例を示すブロック図である。
監視システムの一実施例を示すブロック図である。
１ ＬＤモジュール ２ ホルダ ２ａ 嵌合部 ２ｂ 収容部 ２ｃ 壁部 ２ｄ 開口部 ２ｅ ネジ部 ３ ステム ３ａ サブマウント ４ ＬＤチップ ５ モニターＰＤ（第１の受光素子） ６ キャップ ７ レンズ ８ リードピン １０ ＰＤ（第２の受光素子） ２０ ＬＤ発光レベル検出回路（第１の検出回路） ２１ 反射光レベル検出回路（第２の検出回路） ２２ ＬＤ駆動電流制御回路 ２３ 比較回路 ５１ パッケージ ５２ n-電極 ５３ 硫黄ドープInP 基板 ５４ n-InP 層 ５５ n-InGaAs層 ５６ n-InP 層 ５７ p-InGaAs層 ５８ パッシベーション層 ５９ p-電極 ６０ 受光部 ６１ 無反射膜（ARコート）
Claims (6)
- 【請求項１】 光コネクタの締結により光ファイバにＬ
Ｄの光を結合するＬＤモジュールであって、ＬＤを含む
チップと、該ＬＤチップの後部であって前記ＬＤの光軸
上の位置に配置された第１の受光素子と、前記ＬＤから
の光の光軸から離れ、かつ、前記ＬＤから発出され前記
光ファイバの端面で反射した光を検知する第２の受光素
子とを含むことを特徴とするＬＤモジュール。 - 【請求項２】 請求項１記載のＬＤモジュールにおい
て、前記第１の受光素子と前記第２の受光素子とが単一
のチップ上に形成されていることを特徴とするＬＤモジ
ュール。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のＬＤモジュー
ルを駆動する方法であって、前記第２の受光素子の光電
流により、前記ＬＤから発出され前記光ファイバの端面
で反射した光の強度をモニタし、該反射光強度が所定レ
ベルより低くなった際に、前記ＬＤチップの駆動電流を
減少させることを特徴とするＬＤモジュールの駆動方
法。 - 【請求項４】 請求項３記載のＬＤモジュールの駆動方
法において、前記ＬＤチップの駆動電流を停止させるこ
とを特徴とするＬＤモジュールの駆動方法。 - 【請求項５】 請求項１または２に記載のＬＤモジュー
ルを駆動する方法であって、前記第１の受光素子と前記
第２の受光素子との光電流比により、前記ＬＤチップの
発光レベルと前記反射光強度との比を検出し、その比に
応じて前記ＬＤチップの駆動電流を制御することを特徴
とするＬＤモジュールの駆動方法。 - 【請求項６】 請求項１または２に記載のＬＤモジュー
ルと、該ＬＤモジュールの前記第１の受光素子の光電流
から前記ＬＤチップの発光レベルを検出するための第１
の検出回路と、前記第２の受光素子の光電流から反射光
レベルを検出するための第２の検出回路と、該第２の検
出回路により検出される反射光強度と前記第１の検出回
路により検出される発光レベルとの比に応じて、前記Ｌ
Ｄチップの駆動電流を制御するための制御回路とを含む
ことを特徴とする漏光監視システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15735294A JPH0821931A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | Ｌｄモジュールおよびその駆動方法並びにｌｄモジュールを用いた漏光監視システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15735294A JPH0821931A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | Ｌｄモジュールおよびその駆動方法並びにｌｄモジュールを用いた漏光監視システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0821931A true JPH0821931A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15647805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15735294A Pending JPH0821931A (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | Ｌｄモジュールおよびその駆動方法並びにｌｄモジュールを用いた漏光監視システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821931A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456272B1 (ko) * | 2002-11-13 | 2004-11-09 | 양관숙 | 광접속모듈 |
| JP2004349425A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ装置 |
| JP2007019083A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Ushio Inc | レーザ装置 |
-
1994
- 1994-07-08 JP JP15735294A patent/JPH0821931A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456272B1 (ko) * | 2002-11-13 | 2004-11-09 | 양관숙 | 광접속모듈 |
| JP2004349425A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ装置 |
| JP2007019083A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Ushio Inc | レーザ装置 |
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