JPH06204603A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH06204603A JPH06204603A JP36048292A JP36048292A JPH06204603A JP H06204603 A JPH06204603 A JP H06204603A JP 36048292 A JP36048292 A JP 36048292A JP 36048292 A JP36048292 A JP 36048292A JP H06204603 A JPH06204603 A JP H06204603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- face
- light
- semiconductor layer
- semiconductor laser
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体レーザ10のストライプ半導体層の上側
に電極２を形成する。この電極２にはストライプ半導体
層の直上側で漏光用穴11を形成して、漏光用穴11に半導
体層を露出させ、この半導体層の露出部から漏光用穴11
を通してモニタ光７を取り出し、受光素子８で受光す
る。 【効果】 後端面５側に設ける反射膜の反射率を高くす
ることができ、出射光６の高出力化を図ることができる
とともに、半導体レーザ10の設計の自由度を大きくで
き、コストダウンの設計により出力性能に優れた半導体
レーザ10を安価に提供できる。
に電極２を形成する。この電極２にはストライプ半導体
層の直上側で漏光用穴11を形成して、漏光用穴11に半導
体層を露出させ、この半導体層の露出部から漏光用穴11
を通してモニタ光７を取り出し、受光素子８で受光す
る。 【効果】 後端面５側に設ける反射膜の反射率を高くす
ることができ、出射光６の高出力化を図ることができる
とともに、半導体レーザ10の設計の自由度を大きくで
き、コストダウンの設計により出力性能に優れた半導体
レーザ10を安価に提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光通信の光源と
して使用される半導体レーザに関するものである。
して使用される半導体レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信の発光光源として、あるいは光応
用機器のビーム発光手段として半導体レーザが広く使用
されている。この種の半導体レーザを駆動する場合、正
常に光ビームを発振出力しているか否かをモニタし、こ
のモニタ検出光に基づいて半導体レーザの光出力制御が
行われている。
用機器のビーム発光手段として半導体レーザが広く使用
されている。この種の半導体レーザを駆動する場合、正
常に光ビームを発振出力しているか否かをモニタし、こ
のモニタ検出光に基づいて半導体レーザの光出力制御が
行われている。
【０００３】図３には従来の一般的なモニタ検出光の取
り出し例が示されている。同図において、半導体レーザ
１は活性層を含むストライプ半導体層を有しており、こ
の半導体層の直上側に電極２が形成されている。半導体
レーザ１の前端面３側には活性層の発光端面４が露出し
ており、同様に、半導体レーザ１の後端面５側にも活性
層の端面が露出しており、通常、この前端面３と後端面
５側の活性層の端面側には共に反射膜が設けられてい
る。この両端の反射膜のうち、前端面３側の反射膜の屈
折率は後端面５側よりも僅かに小さくしてあり、この前
後両端の反射膜間で光の定在波が作り出され、この定在
波が活性層内で活性化されてしきい値の準位を越えたと
きに前端面３側の発光端面４から出射光６が出力され
る。半導体レーザ１の後端面５側の活性層の端面側から
はモニタ光７が漏光されており、このモニタ光７を受光
素子８で検出し、半導体レーザ１の発振出力状態を常時
検知しながら前記半導体レーザ１の光出力制御が行われ
ている。
り出し例が示されている。同図において、半導体レーザ
１は活性層を含むストライプ半導体層を有しており、こ
の半導体層の直上側に電極２が形成されている。半導体
レーザ１の前端面３側には活性層の発光端面４が露出し
ており、同様に、半導体レーザ１の後端面５側にも活性
層の端面が露出しており、通常、この前端面３と後端面
５側の活性層の端面側には共に反射膜が設けられてい
る。この両端の反射膜のうち、前端面３側の反射膜の屈
折率は後端面５側よりも僅かに小さくしてあり、この前
後両端の反射膜間で光の定在波が作り出され、この定在
波が活性層内で活性化されてしきい値の準位を越えたと
きに前端面３側の発光端面４から出射光６が出力され
る。半導体レーザ１の後端面５側の活性層の端面側から
はモニタ光７が漏光されており、このモニタ光７を受光
素子８で検出し、半導体レーザ１の発振出力状態を常時
検知しながら前記半導体レーザ１の光出力制御が行われ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、モニタ
光７を後端面５側の活性層端面から漏光させる方式を採
用すると、後端面５側の反射膜の反射率を大きくできな
いという制約に直面する。すなわち、後端面５側の反射
率を大きくすると、漏光しなくなり、反射膜から漏光さ
せるためには反射率をある程度低くしなければならな
い。したがって、後端面５側からモニタ光を取り出す方
式にすると、反射膜の反射率をそれほど大きくできない
ので、前端面と後端面の反射膜間で発生する定在波の光
エネルギの蓄積を大きくできず、発光端面４から発せら
れる出射光６のパワーが小さくなり、レーザビームの高
出力化を図ることができなくなるという問題が生じる。
光７を後端面５側の活性層端面から漏光させる方式を採
用すると、後端面５側の反射膜の反射率を大きくできな
いという制約に直面する。すなわち、後端面５側の反射
率を大きくすると、漏光しなくなり、反射膜から漏光さ
せるためには反射率をある程度低くしなければならな
い。したがって、後端面５側からモニタ光を取り出す方
式にすると、反射膜の反射率をそれほど大きくできない
ので、前端面と後端面の反射膜間で発生する定在波の光
エネルギの蓄積を大きくできず、発光端面４から発せら
れる出射光６のパワーが小さくなり、レーザビームの高
出力化を図ることができなくなるという問題が生じる。
【０００５】また、モニタ光７を検出する受光素子８の
配設位置も半導体レーザ１の後端面５側の活性層端面に
対向する位置に制限されるので、半導体レーザ１および
同レーザ１を用いたシステムの設計の自由度も小さくな
り、コストダウンのための様々な設計展開ができなくな
るという欠点があった。
配設位置も半導体レーザ１の後端面５側の活性層端面に
対向する位置に制限されるので、半導体レーザ１および
同レーザ１を用いたシステムの設計の自由度も小さくな
り、コストダウンのための様々な設計展開ができなくな
るという欠点があった。
【０００６】本発明は上記従来の課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、ビーム出射光の高出
力化を図ることができるとともに、設計の自由度を大き
くし、コストダウンの設計展開を図ることができる半導
体レーザを提供することにある。
なされたものであり、その目的は、ビーム出射光の高出
力化を図ることができるとともに、設計の自由度を大き
くし、コストダウンの設計展開を図ることができる半導
体レーザを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明は、活性層を含むストライプ半導体層の直上側に電
極が形成されている半導体レーザにおいて、前記ストラ
イプ半導体層の直上側の電極に漏光用穴が設けられ、こ
の漏光用穴内に前記ストライプ半導体層が露出されてい
ることを特徴として構成されている。
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明は、活性層を含むストライプ半導体層の直上側に電
極が形成されている半導体レーザにおいて、前記ストラ
イプ半導体層の直上側の電極に漏光用穴が設けられ、こ
の漏光用穴内に前記ストライプ半導体層が露出されてい
ることを特徴として構成されている。
【０００８】
【作用】上記構成の本発明において、活性層を含むスト
ライプ半導体層の直上側の電極に漏光用穴を設けてこの
漏光用穴からモニタ光が取り出されるので、活性層の両
端側に設ける反射膜の反射率を大きくすることができ、
反射膜間に発生する定在波のエネルギ準位を大きくして
出射ビームの高出力化が可能となる。
ライプ半導体層の直上側の電極に漏光用穴を設けてこの
漏光用穴からモニタ光が取り出されるので、活性層の両
端側に設ける反射膜の反射率を大きくすることができ、
反射膜間に発生する定在波のエネルギ準位を大きくして
出射ビームの高出力化が可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、本実施例の説明において、従来例と同一の
部分には同一符号を付し、その重複説明は省略する。図
１には本発明に係る半導体レーザの第１の実施例が示さ
れている。本実施例も、活性層を含むストライプ半導体
層の直上側に電極２が形成されており、半導体レーザ10
の前端面３と後端面５側における活性層の両端面側には
反射膜が形成され、前端面３側の活性層の発光端面４か
ら出射光６が出力されるようになっている。
する。なお、本実施例の説明において、従来例と同一の
部分には同一符号を付し、その重複説明は省略する。図
１には本発明に係る半導体レーザの第１の実施例が示さ
れている。本実施例も、活性層を含むストライプ半導体
層の直上側に電極２が形成されており、半導体レーザ10
の前端面３と後端面５側における活性層の両端面側には
反射膜が形成され、前端面３側の活性層の発光端面４か
ら出射光６が出力されるようになっている。
【００１０】本実施例において特徴的なことは、ストラ
イプ半導体層の直上側の電極２に漏光用穴11を設け、こ
の漏光用穴11によって半導体層を露出させ、この露出し
た半導体層から漏光用穴11を通してモニタ光７を取り出
すように構成したことである。
イプ半導体層の直上側の電極２に漏光用穴11を設け、こ
の漏光用穴11によって半導体層を露出させ、この露出し
た半導体層から漏光用穴11を通してモニタ光７を取り出
すように構成したことである。
【００１１】本実施例ではこの漏光用穴11の直上側には
受光素子８が設けられ、半導体層から漏光するモニタ光
７を受光し、光出力の制御を行っている。このように、
ストライプ半導体層の直上側からモニタ光７を取り出す
ようにしたので、後端面５側の活性層端面に形成する反
射膜の反射率を高くすることができる。本実施例では反
射率が99.9％の高反射膜を後端面５側に設けたことで、
活性層で励起される光エネルギが高まり、これにより、
後端面５側の反射膜の反射率を90％のものにした従来例
の場合に比べ、約５％も出射光６の出力を増加させるこ
とができた。また、漏光用穴11に露出する半導体層をレ
ンズ状に加工することにより、漏光するモニタ光７を集
光することができるので、モニタ光の出力も高められ、
より大きなモニタ電流を取り出すことができる。さら
に、漏光用穴11に露出する半導体層の表面に無反射膜を
設けることにより、同様に、モニタ光の出力を高くする
ことができる。
受光素子８が設けられ、半導体層から漏光するモニタ光
７を受光し、光出力の制御を行っている。このように、
ストライプ半導体層の直上側からモニタ光７を取り出す
ようにしたので、後端面５側の活性層端面に形成する反
射膜の反射率を高くすることができる。本実施例では反
射率が99.9％の高反射膜を後端面５側に設けたことで、
活性層で励起される光エネルギが高まり、これにより、
後端面５側の反射膜の反射率を90％のものにした従来例
の場合に比べ、約５％も出射光６の出力を増加させるこ
とができた。また、漏光用穴11に露出する半導体層をレ
ンズ状に加工することにより、漏光するモニタ光７を集
光することができるので、モニタ光の出力も高められ、
より大きなモニタ電流を取り出すことができる。さら
に、漏光用穴11に露出する半導体層の表面に無反射膜を
設けることにより、同様に、モニタ光の出力を高くする
ことができる。
【００１２】また、本実施例ではモニタ光７をストライ
プ半導体層の直上側の電極２に設けた漏光用穴11から取
り出すようにしているので、発光端面４と反対側の後端
面５側のスペースを自由に利用できるので、設計の自由
度が格段に改善され、これにより、コストダウンの設計
が可能となり、出力性能に優れた本実施例の半導体レー
ザ10を安価に提供することが可能となる。
プ半導体層の直上側の電極２に設けた漏光用穴11から取
り出すようにしているので、発光端面４と反対側の後端
面５側のスペースを自由に利用できるので、設計の自由
度が格段に改善され、これにより、コストダウンの設計
が可能となり、出力性能に優れた本実施例の半導体レー
ザ10を安価に提供することが可能となる。
【００１３】図２には本発明の第２の実施例が示されて
いる。この実施例も、半導体レーザ10を前記第１の実施
例と同様な構成にするが、漏光用穴11の形成電極面に対
向させてＳｉヒートシンク12をボンディングによって電
極２と一体的に接続したことを特徴としている。このＳ
ｉヒートシンク12は半導体レーザ10の漏光用穴11に対向
させた位置に受光素子８をモノリシックに形成したもの
からなり、半導体レーザ10の半導体層から漏光するモニ
タ光７を受光素子８で受光するようにしており、Ｓｉヒ
ートシンク12にヒートシンクとしての機能とモニタ光７
の受光機能を兼用させた構造にしており、この両機能を
持ったＳｉヒートシンク12は１回のボンディングにより
半導体レーザ10に容易に取り付けられている。
いる。この実施例も、半導体レーザ10を前記第１の実施
例と同様な構成にするが、漏光用穴11の形成電極面に対
向させてＳｉヒートシンク12をボンディングによって電
極２と一体的に接続したことを特徴としている。このＳ
ｉヒートシンク12は半導体レーザ10の漏光用穴11に対向
させた位置に受光素子８をモノリシックに形成したもの
からなり、半導体レーザ10の半導体層から漏光するモニ
タ光７を受光素子８で受光するようにしており、Ｓｉヒ
ートシンク12にヒートシンクとしての機能とモニタ光７
の受光機能を兼用させた構造にしており、この両機能を
持ったＳｉヒートシンク12は１回のボンディングにより
半導体レーザ10に容易に取り付けられている。
【００１４】この実施例も、半導体レーザ10のストライ
プ半導体層の直上側からモニタ光７を取り出すように構
成しているので、後端面５側に設ける反射膜の反射率を
大きくすることができ、出射光６の高出力化を達成する
ことができる。
プ半導体層の直上側からモニタ光７を取り出すように構
成しているので、後端面５側に設ける反射膜の反射率を
大きくすることができ、出射光６の高出力化を達成する
ことができる。
【００１５】なお、本発明は上記各実施例に限定される
ことはなく、様々な実施の態様を採り得るものである。
ことはなく、様々な実施の態様を採り得るものである。
【００１６】
【発明の効果】本発明は活性層を含むストライプ半導体
層の直上側の電極に漏光用穴を形成し、この漏光用穴に
よって前記ストライプ半導体層を露出し、この露出部か
らモニタ光を取り出すように構成したものであるから、
レーザビームの発光端面と反対側の面に形成する反射膜
の反射率を大きくすることができ、これにより、発光端
面から出射するレーザビームの出力を高めることができ
る。
層の直上側の電極に漏光用穴を形成し、この漏光用穴に
よって前記ストライプ半導体層を露出し、この露出部か
らモニタ光を取り出すように構成したものであるから、
レーザビームの発光端面と反対側の面に形成する反射膜
の反射率を大きくすることができ、これにより、発光端
面から出射するレーザビームの出力を高めることができ
る。
【００１７】また、モニタ光をストライプ半導体層の直
上側から取り出すようにしているので、発光端面と反対
側の後端面側のスペースを自由に活用することができ、
これにより、半導体レーザおよび同レーザを用いたシス
テムの設計の自由度を格段に高めることができ、コスト
ダウンの設計が可能となり、本発明の優れた半導体レー
ザを安価に提供することができる。
上側から取り出すようにしているので、発光端面と反対
側の後端面側のスペースを自由に活用することができ、
これにより、半導体レーザおよび同レーザを用いたシス
テムの設計の自由度を格段に高めることができ、コスト
ダウンの設計が可能となり、本発明の優れた半導体レー
ザを安価に提供することができる。
【図１】本発明に係る半導体レーザの第１の実施例を示
す斜視構成図である。
す斜視構成図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す構成説明図であ
る。
る。
【図３】従来の半導体レーザの説明図である。
２ 電極 ３ 前端面 ４ 発光端面 ５ 後端面 ６ 出射光 ７ モニタ光 ８ 受光素子 10 半導体レーザ 11 漏光用穴 12 Ｓｉヒートシンク
Claims (1)
- 【請求項１】 活性層を含むストライプ半導体層の直上
側に電極が形成されている半導体レーザにおいて、前記
ストライプ半導体層の直上側の電極に漏光用穴が設けら
れ、この漏光用穴内に前記ストライプ半導体層が露出さ
れていることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36048292A JPH06204603A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36048292A JPH06204603A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204603A true JPH06204603A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18469596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36048292A Pending JPH06204603A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204603A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014558A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Nichia Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP36048292A patent/JPH06204603A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014558A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Nichia Corp | 半導体レーザ装置 |
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