JP2001024268A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ前端面と光ファイバとの間に挿
入した樹脂が半導体レーザの後端面に回り込まず、正常
なＡＰＣ動作がなされ、かつ、トラッキングエラーを起
こさない半導体レーザ装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 シリコンＶ溝基板１０１と、シリコンＶ
溝基板１０１上に形成された電極１０８と、電極１０８
上に形成された半導体レーザ素子１０２と、半導体レー
ザ素子１０２の前端面側に形成され、端部が半導体レー
ザ素子１０２の前端面に対向する光ファイバ１０４と、
半導体レーザ素子１０２と光ファイバ１０４との間に形
成された樹脂１１０と、半導体レーザ素子１０２の後端
面側に形成された受光素子１０３と、シリコンＶ溝基板
１０１に形成された溝１０７とを備える。
入した樹脂が半導体レーザの後端面に回り込まず、正常
なＡＰＣ動作がなされ、かつ、トラッキングエラーを起
こさない半導体レーザ装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 シリコンＶ溝基板１０１と、シリコンＶ
溝基板１０１上に形成された電極１０８と、電極１０８
上に形成された半導体レーザ素子１０２と、半導体レー
ザ素子１０２の前端面側に形成され、端部が半導体レー
ザ素子１０２の前端面に対向する光ファイバ１０４と、
半導体レーザ素子１０２と光ファイバ１０４との間に形
成された樹脂１１０と、半導体レーザ素子１０２の後端
面側に形成された受光素子１０３と、シリコンＶ溝基板
１０１に形成された溝１０７とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】低コストを目指し、レンズを用いずに半
導体レーザ素子と光ファイバとを高効率で結合する半導
体レーザ装置が現在盛んに開発されている。そのうち代
表的な半導体レーザ装置の構造を説明する。
導体レーザ素子と光ファイバとを高効率で結合する半導
体レーザ装置が現在盛んに開発されている。そのうち代
表的な半導体レーザ装置の構造を説明する。
【０００３】図６は、従来の半導体レーザ装置の断面図
である。
である。
【０００４】図６に示すように、従来の半導体レーザ装
置５００は、シリコンＶ溝基板５０１上に設けられた電
極５０８、電極５０８上に形成された半導体レーザ素子
５０２、半導体レーザ素子５０２の後端面側に形成され
たモニタ用受光素子５０３、半導体レーザ素子５０２の
前端面側に形成された光ファイバ５０４によって構成さ
れている。光ファイバ５０４は、シリコンＶ溝基板５０
１に形成されたＶ溝５０５上に設置されている。また、
光ファイバ５０４は、シリコンＶ溝基板５０１に形成さ
れた位置合わせ溝５０６の一方の内側面に、端部を突き
当てることにより位置決めされている。
置５００は、シリコンＶ溝基板５０１上に設けられた電
極５０８、電極５０８上に形成された半導体レーザ素子
５０２、半導体レーザ素子５０２の後端面側に形成され
たモニタ用受光素子５０３、半導体レーザ素子５０２の
前端面側に形成された光ファイバ５０４によって構成さ
れている。光ファイバ５０４は、シリコンＶ溝基板５０
１に形成されたＶ溝５０５上に設置されている。また、
光ファイバ５０４は、シリコンＶ溝基板５０１に形成さ
れた位置合わせ溝５０６の一方の内側面に、端部を突き
当てることにより位置決めされている。
【０００５】半導体レーザ素子５０２の前端面と光ファ
イバ５０４との間は、屈折率が光ファイバ５０４のコア
５０９の屈折率と等しい樹脂５１０で埋められている。
イバ５０４との間は、屈折率が光ファイバ５０４のコア
５０９の屈折率と等しい樹脂５１０で埋められている。
【０００６】次に、従来の半導体レーザ装置５００の動
作原理について述べる。
作原理について述べる。
【０００７】まず、半導体レーザ素子５０２に電流を流
すことによりレーザ発振をさせる。このとき、レーザ光
は前端面、後端面の両方から出射される。前端面からの
出力光は光ファイバ５０４のコア５０９に結合し、一
方、後端面からの出力光は、モニタ用受光素子５０３に
入る。モニタ用受光素子５０３は、半導体レーザ素子５
０２からの出力光を検知し、出力光強度が一定になるよ
う制御する（ＡＰＣ動作）ために用いられる。また、半
導体レーザ素子５０２と光ファイバ５０４との間に充填
された樹脂５１０は、光ファイバ５０４の端面に入射し
た光の同端面からの反射を防止し、半導体レーザ装置５
００を安定に動作させるためのものである。
すことによりレーザ発振をさせる。このとき、レーザ光
は前端面、後端面の両方から出射される。前端面からの
出力光は光ファイバ５０４のコア５０９に結合し、一
方、後端面からの出力光は、モニタ用受光素子５０３に
入る。モニタ用受光素子５０３は、半導体レーザ素子５
０２からの出力光を検知し、出力光強度が一定になるよ
う制御する（ＡＰＣ動作）ために用いられる。また、半
導体レーザ素子５０２と光ファイバ５０４との間に充填
された樹脂５１０は、光ファイバ５０４の端面に入射し
た光の同端面からの反射を防止し、半導体レーザ装置５
００を安定に動作させるためのものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体レーザ装置５００では、半導体レーザ素子５
０２の前端面に屈折率整合用の樹脂５１０を挿入する際
に、この樹脂５１０が半導体レーザ素子５０２を伝っ
て、どうしても後端面に回り込んでしまうという問題点
があった。この樹脂５１０の回り込み量を制御すること
は非常に困難であり、場合によっては回り込んだ樹脂５
１０が半導体レーザ素子５０２の後端面の出射部分を覆
うことがある。このような状態では樹脂５１０によって
レーザ光の出射方向が変わったり、レーザ光が散乱され
たりしてモニタ用受光素子５０３に結合するレーザ光が
減少し、正常なＡＰＣ動作させるのに必要なモニタ電流
が得られないという問題が起こる。さらに、温度変化に
対しても樹脂の伸縮によりモニタ電流が変動するため
に、ＡＰＣ動作自体が正常に行われていても光ファイバ
からの出力が変動するというトラッキングエラーが起こ
るという問題があった。
来の半導体レーザ装置５００では、半導体レーザ素子５
０２の前端面に屈折率整合用の樹脂５１０を挿入する際
に、この樹脂５１０が半導体レーザ素子５０２を伝っ
て、どうしても後端面に回り込んでしまうという問題点
があった。この樹脂５１０の回り込み量を制御すること
は非常に困難であり、場合によっては回り込んだ樹脂５
１０が半導体レーザ素子５０２の後端面の出射部分を覆
うことがある。このような状態では樹脂５１０によって
レーザ光の出射方向が変わったり、レーザ光が散乱され
たりしてモニタ用受光素子５０３に結合するレーザ光が
減少し、正常なＡＰＣ動作させるのに必要なモニタ電流
が得られないという問題が起こる。さらに、温度変化に
対しても樹脂の伸縮によりモニタ電流が変動するため
に、ＡＰＣ動作自体が正常に行われていても光ファイバ
からの出力が変動するというトラッキングエラーが起こ
るという問題があった。
【０００９】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、樹脂５１０が半導体レーザ素子５０２
の後端面に回り込まず、正常なＡＰＣ動作がなされ、か
つ、トラッキングエラーを起こさない半導体レーザ装置
を提供することを目的とする。
れたものであり、樹脂５１０が半導体レーザ素子５０２
の後端面に回り込まず、正常なＡＰＣ動作がなされ、か
つ、トラッキングエラーを起こさない半導体レーザ装置
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、基板と、前記基板上に形成された電極と、前記電
極上に形成された半導体レーザ素子と、前記半導体レー
ザ素子の前端面側に形成され、端部が前記半導体レーザ
素子の前端面に対向する光ファイバと、前記半導体レー
ザ素子と前記光ファイバとの間に形成された樹脂と、前
記半導体レーザ素子の後端面側に形成された受光素子
と、前記基板に形成された樹脂逃がし手段とを有するも
のである。
置は、基板と、前記基板上に形成された電極と、前記電
極上に形成された半導体レーザ素子と、前記半導体レー
ザ素子の前端面側に形成され、端部が前記半導体レーザ
素子の前端面に対向する光ファイバと、前記半導体レー
ザ素子と前記光ファイバとの間に形成された樹脂と、前
記半導体レーザ素子の後端面側に形成された受光素子
と、前記基板に形成された樹脂逃がし手段とを有するも
のである。
【００１１】本発明の半導体レーザ装置では、余剰の樹
脂が半導体レーザ素子を伝って回り込もうとしても、樹
脂が基板に形成された樹脂逃がし手段に入り込むことに
より、樹脂が半導体レーザ素子の後端面まで達すること
を防止できる。
脂が半導体レーザ素子を伝って回り込もうとしても、樹
脂が基板に形成された樹脂逃がし手段に入り込むことに
より、樹脂が半導体レーザ素子の後端面まで達すること
を防止できる。
【００１２】また、無反射膜を形成した端部が前記半導
体レーザ素子の前端面に対向する光ファイバを用いるこ
とにより、光ファイバの端面に入射した光の同端面から
の反射を防止できるので、樹脂を用いる必要が無くなる
ため、樹脂の回り込みという問題がそもそも存在しなく
なる。
体レーザ素子の前端面に対向する光ファイバを用いるこ
とにより、光ファイバの端面に入射した光の同端面から
の反射を防止できるので、樹脂を用いる必要が無くなる
ため、樹脂の回り込みという問題がそもそも存在しなく
なる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら本発明
の実施の形態を説明する。
の実施の形態を説明する。
【００１４】（第１の実施形態）図１（ａ）は、本発明
の実施の形態１における半導体レーザ装置１００の断面
図である。図１（ａ）において、半導体レーザ装置１０
０は、シリコンＶ溝基板１０１上に設けられた電極１０
８、電極１０８上に形成された半導体レーザ素子１０
２、半導体レーザ素子１０２の後端面側に形成されたモ
ニタ用受光素子１０３、半導体レーザ素子１０２の前端
面側に形成された光ファイバ１０４がそれぞれ集積され
て構成されている。光ファイバ１０４は、シリコンＶ溝
基板１０１に形成されたＶ溝１０５上に設置されてい
る。また、光ファイバ１０４は、シリコンＶ溝基板１０
１に形成された位置合わせ溝１０６の一方の内側面に、
端部を突き当てることにより位置決めされている。
の実施の形態１における半導体レーザ装置１００の断面
図である。図１（ａ）において、半導体レーザ装置１０
０は、シリコンＶ溝基板１０１上に設けられた電極１０
８、電極１０８上に形成された半導体レーザ素子１０
２、半導体レーザ素子１０２の後端面側に形成されたモ
ニタ用受光素子１０３、半導体レーザ素子１０２の前端
面側に形成された光ファイバ１０４がそれぞれ集積され
て構成されている。光ファイバ１０４は、シリコンＶ溝
基板１０１に形成されたＶ溝１０５上に設置されてい
る。また、光ファイバ１０４は、シリコンＶ溝基板１０
１に形成された位置合わせ溝１０６の一方の内側面に、
端部を突き当てることにより位置決めされている。
【００１５】半導体レーザ素子１０２の前端面と光ファ
イバ１０４との間は、屈折率が光ファイバ１０４のコア
１０９の屈折率と等しい樹脂１１０で埋められている。
樹脂１１０は、光ファイバ１０４の端面からの反射戻り
光を軽減するためのものである。
イバ１０４との間は、屈折率が光ファイバ１０４のコア
１０９の屈折率と等しい樹脂１１０で埋められている。
樹脂１１０は、光ファイバ１０４の端面からの反射戻り
光を軽減するためのものである。
【００１６】図１（ｂ）は、実施の形態１における半導
体レーザ装置１００の平面図である。ただし、説明の便
宜上、半導体レーザ素子１０２の記載は省略している。
図１（ａ）または図１（ｂ）において、シリコンＶ溝基
板１０１には、樹脂逃がし手段である溝１０７が形成さ
れており、半導体レーザ素子１０２を伝って回り込んだ
余剰の樹脂１１０は、溝１０７の内部に逃がされてお
り、樹脂１１０が半導体レーザ素子１０２の後端面まで
達していない。これにより、レーザ光が樹脂１１０によ
って散乱されることがなく、レーザ光がモニタ用受光素
子１０３に正確に結合し、正常なＡＰＣ動作を得ること
ができる。また、半導体レーザ装置１００のトラッキン
グエラーを防止することができる。樹脂逃がし手段の一
部がシリコンＶ溝基板１０１の裏面にまで貫通したスリ
ットで構成されていても、同様の効果を得ることができ
る。
体レーザ装置１００の平面図である。ただし、説明の便
宜上、半導体レーザ素子１０２の記載は省略している。
図１（ａ）または図１（ｂ）において、シリコンＶ溝基
板１０１には、樹脂逃がし手段である溝１０７が形成さ
れており、半導体レーザ素子１０２を伝って回り込んだ
余剰の樹脂１１０は、溝１０７の内部に逃がされてお
り、樹脂１１０が半導体レーザ素子１０２の後端面まで
達していない。これにより、レーザ光が樹脂１１０によ
って散乱されることがなく、レーザ光がモニタ用受光素
子１０３に正確に結合し、正常なＡＰＣ動作を得ること
ができる。また、半導体レーザ装置１００のトラッキン
グエラーを防止することができる。樹脂逃がし手段の一
部がシリコンＶ溝基板１０１の裏面にまで貫通したスリ
ットで構成されていても、同様の効果を得ることができ
る。
【００１７】なお、樹脂逃がし手段が溝１０７である場
合、図１（ａ）に示すように、電極１０８が溝１０７の
内面に接して、溝１０７を覆うように形成されていれ
ば、電極１０８がシリコンＶ溝基板１０１の表面上にお
いて溝１０７により分断されていても、溝１０７の内面
に沿って電気的には分断されず、電極１０８のほぼ全体
に所定の電位を与えることができる。この結果、半導体
レーザ素子１０２に均一に電流注入でき、双安定動作な
どの不安定動作の原因となる不均一電流注入を抑制で
き、安定な動作を保証できる。
合、図１（ａ）に示すように、電極１０８が溝１０７の
内面に接して、溝１０７を覆うように形成されていれ
ば、電極１０８がシリコンＶ溝基板１０１の表面上にお
いて溝１０７により分断されていても、溝１０７の内面
に沿って電気的には分断されず、電極１０８のほぼ全体
に所定の電位を与えることができる。この結果、半導体
レーザ素子１０２に均一に電流注入でき、双安定動作な
どの不安定動作の原因となる不均一電流注入を抑制で
き、安定な動作を保証できる。
【００１８】図２（ａ）は、本発明の実施の形態１にお
ける他の半導体レーザ装置１５０の断面図であり、図２
（ｂ）は、同半導体レーザ装置１５０の平面図である。
半導体レーザ装置１００と同じ構成要素には同じ参照番
号を付しており、その説明を省略する。また、図２
（ｂ）においては、説明の便宜上半導体レーザ素子１０
２の記載は省略している。図２（ａ）または図２（ｂ）
において、溝１０７は、電極１０８の形成領域を除いて
形成されているため、半導体レーザ装置１００とは異な
り、電極１０８は平坦状に形成できる。したがって、電
極１０８は、半導体レーザ素子１０２の全体に均一に電
流を注入することができる。
ける他の半導体レーザ装置１５０の断面図であり、図２
（ｂ）は、同半導体レーザ装置１５０の平面図である。
半導体レーザ装置１００と同じ構成要素には同じ参照番
号を付しており、その説明を省略する。また、図２
（ｂ）においては、説明の便宜上半導体レーザ素子１０
２の記載は省略している。図２（ａ）または図２（ｂ）
において、溝１０７は、電極１０８の形成領域を除いて
形成されているため、半導体レーザ装置１００とは異な
り、電極１０８は平坦状に形成できる。したがって、電
極１０８は、半導体レーザ素子１０２の全体に均一に電
流を注入することができる。
【００１９】次に、半導体レーザ装置１５０の動作特性
について述べる。半導体レーザ素子１０２に電流を流す
ことにより、半導体レーザ素子１０２の前端面、後端面
の両方からレーザ光が出射される。前端面からの出力光
は光ファイバ１０４のコア１０９に結合し、後端面から
の出力光はモニタ用受光素子１０３に入る。モニタ用受
光素子１０３は半導体レーザ素子１０２からの出力光を
検知し、それが一定になるよう制御する（ＡＰＣ動作）
ために用いられる。
について述べる。半導体レーザ素子１０２に電流を流す
ことにより、半導体レーザ素子１０２の前端面、後端面
の両方からレーザ光が出射される。前端面からの出力光
は光ファイバ１０４のコア１０９に結合し、後端面から
の出力光はモニタ用受光素子１０３に入る。モニタ用受
光素子１０３は半導体レーザ素子１０２からの出力光を
検知し、それが一定になるよう制御する（ＡＰＣ動作）
ために用いられる。
【００２０】既に説明したように、従来の半導体レーザ
装置および本発明の半導体レーザ装置では、後端面から
の出力光をモニタしている。この後端面からの出力光を
モニタする方法では、前端面から出力光と後端面からの
出力光とがほぼ比例関係にあることが重要である。
装置および本発明の半導体レーザ装置では、後端面から
の出力光をモニタしている。この後端面からの出力光を
モニタする方法では、前端面から出力光と後端面からの
出力光とがほぼ比例関係にあることが重要である。
【００２１】本発明では、樹脂１１０が後端面に回り込
まないため、後端面における光の散乱もなく、また、温
度変化に対する樹脂１１０の伸縮により後端面からの出
力光が変化することも無くなり、全温度範囲において前
端面から出力光と後端面からの出力光との比例関係を維
持することができ、トラッキングエラーを防止すること
ができる。
まないため、後端面における光の散乱もなく、また、温
度変化に対する樹脂１１０の伸縮により後端面からの出
力光が変化することも無くなり、全温度範囲において前
端面から出力光と後端面からの出力光との比例関係を維
持することができ、トラッキングエラーを防止すること
ができる。
【００２２】（第２の実施形態）図３は、本発明の実施
の形態２における半導体レーザ装置２００の平面図であ
る。ここでは、実施の形態１の半導体レーザ装置１００
と同じ構成要素には同じ参照番号を付しており、その説
明を省略する。
の形態２における半導体レーザ装置２００の平面図であ
る。ここでは、実施の形態１の半導体レーザ装置１００
と同じ構成要素には同じ参照番号を付しており、その説
明を省略する。
【００２３】図３において、溝１０７は、半導体レーザ
素子１０２に覆われている。樹脂１１０は、半導体レー
ザ素子１０２を伝って半導体レーザ素子１０２の後端面
に回り込んでしまうため、このように、半導体レーザ素
子１０２が溝１０７を覆うように構成することにより、
効率的に余剰の樹脂１１０を溝１０７に逃がすことがで
きる。
素子１０２に覆われている。樹脂１１０は、半導体レー
ザ素子１０２を伝って半導体レーザ素子１０２の後端面
に回り込んでしまうため、このように、半導体レーザ素
子１０２が溝１０７を覆うように構成することにより、
効率的に余剰の樹脂１１０を溝１０７に逃がすことがで
きる。
【００２４】また、図３において、溝１０７は、一部の
みが半導体レーザ素子１０２に覆われており、溝１０７
の他の部分は、半導体レーザ素子１０２には覆われてい
ない。このように、半導体レーザ素子１０２直下以外の
部分にも溝１０７を設けることにより、半導体レーザ素
子１０２と電極１０８とが接触しない部分の面積を増加
させることなく、大量の樹脂１１０を逃がすために十分
に容量の大きい溝１０７を構成することができる。ま
た、図３に示すように、溝１０７を半導体レーザ素子１
０２に覆われた狭溝部２０１と半導体レーザ素子１０２
に覆われていない広溝部２０２とから構成することによ
り、さらに、半導体レーザ素子１０２と電極１０８との
接触面積を大きく確保したまま、大量の樹脂１１０を溝
１０７に、特に、広溝部２０２に逃がすことができる。
半導体レーザ素子１０２と電極１０８との接触面積を大
きく確保することにより、半導体レーザ素子１０２全体
に均一に注入電流を流すことができる。
みが半導体レーザ素子１０２に覆われており、溝１０７
の他の部分は、半導体レーザ素子１０２には覆われてい
ない。このように、半導体レーザ素子１０２直下以外の
部分にも溝１０７を設けることにより、半導体レーザ素
子１０２と電極１０８とが接触しない部分の面積を増加
させることなく、大量の樹脂１１０を逃がすために十分
に容量の大きい溝１０７を構成することができる。ま
た、図３に示すように、溝１０７を半導体レーザ素子１
０２に覆われた狭溝部２０１と半導体レーザ素子１０２
に覆われていない広溝部２０２とから構成することによ
り、さらに、半導体レーザ素子１０２と電極１０８との
接触面積を大きく確保したまま、大量の樹脂１１０を溝
１０７に、特に、広溝部２０２に逃がすことができる。
半導体レーザ素子１０２と電極１０８との接触面積を大
きく確保することにより、半導体レーザ素子１０２全体
に均一に注入電流を流すことができる。
【００２５】なお、本実施の形態において、樹脂逃がし
手段の一部がシリコンＶ溝基板１０１の裏面にまで貫通
したスリットで構成されていても、同様の効果を得るこ
とができる。
手段の一部がシリコンＶ溝基板１０１の裏面にまで貫通
したスリットで構成されていても、同様の効果を得るこ
とができる。
【００２６】（第３の実施形態）図４は、本発明の実施
の形態３における半導体レーザ装置３００の断面図であ
る。ここでは、実施の形態１の半導体レーザ装置１００
と同じ構成要素には同じ参照番号を付しており、その説
明を省略する。
の形態３における半導体レーザ装置３００の断面図であ
る。ここでは、実施の形態１の半導体レーザ装置１００
と同じ構成要素には同じ参照番号を付しており、その説
明を省略する。
【００２７】図４において、半導体レーザ装置３００の
樹脂逃がし手段は、溝、或いはスリットではなく、半導
体レーザ素子１０２の後端面近傍に形成された段差３０
１によって構成されている。
樹脂逃がし手段は、溝、或いはスリットではなく、半導
体レーザ素子１０２の後端面近傍に形成された段差３０
１によって構成されている。
【００２８】実施の形態１または２で示したような溝１
０７内面への電極１０８の形成はプロセス的に難易度が
高く、歩留まりの低下、コスト高などの原因となること
が考えられる。
０７内面への電極１０８の形成はプロセス的に難易度が
高く、歩留まりの低下、コスト高などの原因となること
が考えられる。
【００２９】そこで、実施の形態３では、図４に示すよ
うに、半導体レーザ素子１０２の後端面付近が段差３０
１付近に位置するように実装することにより電極１０８
を平坦に設けることができ、より簡易な製造プロセスで
半導体レーザ装置３００を実現することができる。
うに、半導体レーザ素子１０２の後端面付近が段差３０
１付近に位置するように実装することにより電極１０８
を平坦に設けることができ、より簡易な製造プロセスで
半導体レーザ装置３００を実現することができる。
【００３０】さらに、段差３０１の位置をずらすことに
よりで、段差３０１の形成が簡易になり、かつ回り込み
樹脂１１０を溜めるための容積がきわめて大きくなり、
確実に回り込みを防止できるという利点がある。
よりで、段差３０１の形成が簡易になり、かつ回り込み
樹脂１１０を溜めるための容積がきわめて大きくなり、
確実に回り込みを防止できるという利点がある。
【００３１】以上のように、本実施の形態の半導体レー
ザ装置３００では、半導体レーザ素子１０２の後端面が
段差３０１付近にくるように半導体レーザ素子１０２を
実装している。この結果、樹脂１１０の後端面への樹脂
１１０の回り込みをより簡単な構造の段差３０１で確実
に阻止することが出来ると同時に、製造プロセスも簡易
なものとなり製造コストを下げることができる。
ザ装置３００では、半導体レーザ素子１０２の後端面が
段差３０１付近にくるように半導体レーザ素子１０２を
実装している。この結果、樹脂１１０の後端面への樹脂
１１０の回り込みをより簡単な構造の段差３０１で確実
に阻止することが出来ると同時に、製造プロセスも簡易
なものとなり製造コストを下げることができる。
【００３２】（第４の実施形態）図５は、本発明の実施
の形態４における半導体レーザ装置４００の断面図であ
る。ここでは、実施の形態１の半導体レーザ装置１００
と同じ構成要素には同じ参照番号を付しており、その説
明を省略する。
の形態４における半導体レーザ装置４００の断面図であ
る。ここでは、実施の形態１の半導体レーザ装置１００
と同じ構成要素には同じ参照番号を付しており、その説
明を省略する。
【００３３】図５において、光ファイバ１０４の端面に
半導体レーザ素子１０２からの出力光に対して実質的に
反射率が零になる無反射コート４０１を設けている。こ
れにより、半導体レーザ素子１０２と光ファイバ１０４
との間に反射防止用の樹脂１１０を設ける必要が無くな
る。これにより、後端面における光の散乱もなく、ま
た、温度変化に対する樹脂１１０の伸縮による後端面か
らの出力光の変化も無くなり、広い温度範囲において前
端面から出力光と後端面からの出力光との比例関係を維
持することができるとともに、樹脂１１０の挿入や溝１
０７の形成などの工程がなくなるので製造プロセスが簡
易化されコストを削減できる。
半導体レーザ素子１０２からの出力光に対して実質的に
反射率が零になる無反射コート４０１を設けている。こ
れにより、半導体レーザ素子１０２と光ファイバ１０４
との間に反射防止用の樹脂１１０を設ける必要が無くな
る。これにより、後端面における光の散乱もなく、ま
た、温度変化に対する樹脂１１０の伸縮による後端面か
らの出力光の変化も無くなり、広い温度範囲において前
端面から出力光と後端面からの出力光との比例関係を維
持することができるとともに、樹脂１１０の挿入や溝１
０７の形成などの工程がなくなるので製造プロセスが簡
易化されコストを削減できる。
【００３４】以上のように、本実施形態の半導体装置４
００では、光ファイバ１０４の端面に無反射コート４０
１を設けている。この結果、製造プロセスが簡易化さ
れ、低コストでトラッキングエラーのない半導体レーザ
装置を実現できる。
００では、光ファイバ１０４の端面に無反射コート４０
１を設けている。この結果、製造プロセスが簡易化さ
れ、低コストでトラッキングエラーのない半導体レーザ
装置を実現できる。
【００３５】
【発明の効果】このように、基板と、基板上に形成され
た電極と、電極上に形成された半導体レーザ素子と、半
導体レーザ素子の前端面側に形成され、端部が半導体レ
ーザ素子の前端面に対向する光ファイバと、半導体レー
ザ素子と光ファイバとの間に形成された樹脂と、半導体
レーザ素子の後端面側に形成された受光素子と、基板に
形成された樹脂逃がし手段とを設けることにより、樹脂
が半導体レーザ素子の後端面に回り込まず、正常なＡＰ
Ｃ動作を行う半導体レーザ装置を提供することができ、
また、半導体レーザ装置のトラッキングエラーを防止す
ることができる。
た電極と、電極上に形成された半導体レーザ素子と、半
導体レーザ素子の前端面側に形成され、端部が半導体レ
ーザ素子の前端面に対向する光ファイバと、半導体レー
ザ素子と光ファイバとの間に形成された樹脂と、半導体
レーザ素子の後端面側に形成された受光素子と、基板に
形成された樹脂逃がし手段とを設けることにより、樹脂
が半導体レーザ素子の後端面に回り込まず、正常なＡＰ
Ｃ動作を行う半導体レーザ装置を提供することができ、
また、半導体レーザ装置のトラッキングエラーを防止す
ることができる。
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１にかかる半導体レ
ーザ装置の断面図 （ｂ）同半導体レーザ装置の平面図
ーザ装置の断面図 （ｂ）同半導体レーザ装置の平面図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態１にかかる他の半導
体レーザ装置の断面図 （ｂ）同半導体レーザ装置の平面図
体レーザ装置の断面図 （ｂ）同半導体レーザ装置の平面図
【図３】本発明の実施の形態２にかかる半導体レーザ装
置の平面図
置の平面図
【図４】本発明の実施の形態３にかかる半導体レーザ装
置の断面図
置の断面図
【図５】本発明の実施の形態４にかかる半導体レーザ装
置の断面図
置の断面図
【図６】従来の半導体レーザ装置の断面図
１００、１５０、２００、３００、４００ 半導体レー
ザ装置 １０１ シリコンＶ溝基板 １０２ 半導体レーザ素子 １０３ モニタ用受光素子 １０４ 光ファイバ １０５ Ｖ溝 １０６ 位置合わせ溝 １０７ 溝 １０８ 電極 １０９ コア １１０ 樹脂 ２０１ 狭溝部 ２０２ 広溝部 ３０１ 段差 ４０１ 無反射コート ５００ 従来の半導体レーザ装置
ザ装置 １０１ シリコンＶ溝基板 １０２ 半導体レーザ素子 １０３ モニタ用受光素子 １０４ 光ファイバ １０５ Ｖ溝 １０６ 位置合わせ溝 １０７ 溝 １０８ 電極 １０９ コア １１０ 樹脂 ２０１ 狭溝部 ２０２ 広溝部 ３０１ 段差 ４０１ 無反射コート ５００ 従来の半導体レーザ装置
Claims (10)
- 【請求項１】 基板と、前記基板上に形成された電極
と、前記電極上に形成された半導体レーザ素子と、前記
半導体レーザ素子の前端面側に形成され、端部が前記半
導体レーザ素子の前端面に対向する光ファイバと、前記
半導体レーザ素子と前記光ファイバとの間に形成された
樹脂と、前記半導体レーザ素子の後端面側に形成された
受光素子と、前記基板に形成された樹脂逃がし手段とを
有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記樹脂逃がし手段を覆うように前記半
導体レーザ素子が形成されていることを特徴とする請求
項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記樹脂逃がし手段の一部を覆うように
前記半導体レーザ素子が形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記樹脂逃がし手段がスリットであるこ
とを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記樹脂逃がし手段がスリットであり、
前記スリットの一部を覆うように前記半導体レーザ素子
が形成されており、前記半導体レーザ素子に覆われた前
記スリットの部分の幅が、他の部分の前記スリットの幅
よりも狭いことを特徴とする請求項１記載の半導体レー
ザ装置。 - 【請求項６】 前記樹脂逃がし手段が溝であることを特
徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の半
導体レーザ装置。 - 【請求項７】 前記電極が前記溝の内側面に接し、前記
溝を覆うように形成されていることを特徴とする請求項
６記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項８】 前記樹脂逃がし手段が溝であり、前記溝
の一部を覆うように前記半導体レーザ素子が形成されて
おり、前記半導体レーザ素子に覆われた前記溝の部分の
幅が、他の部分の前記溝の幅よりも狭いことを特徴とす
る請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項９】 前記樹脂逃がし手段が前記半導体レーザ
素子の後端面近傍に形成された段差であることを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１０】 基板と、前記基板上に形成された電極
と、前記電極上に形成された半導体レーザ素子と、前記
半導体レーザ素子の前端面側に形成され、無反射膜を形
成した端部が前記半導体レーザ素子の前端面に対向する
光ファイバと、前記半導体レーザ素子の後端面側に形成
された受光素子とを有することを特徴とする半導体レー
ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11190035A JP2001024268A (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11190035A JP2001024268A (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001024268A true JP2001024268A (ja) | 2001-01-26 |
Family
ID=16251288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11190035A Pending JP2001024268A (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001024268A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020077080A (ko) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | 주식회사일진 | 소형형상요소형 광모듈 |
| WO2006081606A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Redfern Integrated Optics Pty Ltd | Optical component and method of attachment |
| JP2009016594A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Nec Corp | 半導体光素子の実装構造 |
-
1999
- 1999-07-05 JP JP11190035A patent/JP2001024268A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020077080A (ko) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | 주식회사일진 | 소형형상요소형 광모듈 |
| WO2006081606A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Redfern Integrated Optics Pty Ltd | Optical component and method of attachment |
| JP2009016594A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Nec Corp | 半導体光素子の実装構造 |
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