JPH10256676A - 半導体レーザデバイス - Google Patents
半導体レーザデバイスInfo
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- JPH10256676A JPH10256676A JP14755697A JP14755697A JPH10256676A JP H10256676 A JPH10256676 A JP H10256676A JP 14755697 A JP14755697 A JP 14755697A JP 14755697 A JP14755697 A JP 14755697A JP H10256676 A JPH10256676 A JP H10256676A
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- light emitting
- laser device
- control element
- emitting element
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ずれが少ない高精度な発振波長が得られる半
導体レーザデバイスを提供するにある。 【解決手段】 活性層と導波路を有し回折格子によりモ
ード安定化された半導体レーザデバイスにおいて、所定
の発振波長を発する発光エレメント部と、該発光エレメ
ント部に近接して設けられ該発光エレメント部の発振波
長より発振波長がずらされたあるいは発振が抑制された
構造からなる制御エレメント部と、前記該発光エレメン
ト部と制御エレメント部との合計の発熱量が常に所定温
度に保たれる様に該制御エレメント部を駆動する駆動回
路とを具備したことを特徴とする半導体レーザデバイス
である。
導体レーザデバイスを提供するにある。 【解決手段】 活性層と導波路を有し回折格子によりモ
ード安定化された半導体レーザデバイスにおいて、所定
の発振波長を発する発光エレメント部と、該発光エレメ
ント部に近接して設けられ該発光エレメント部の発振波
長より発振波長がずらされたあるいは発振が抑制された
構造からなる制御エレメント部と、前記該発光エレメン
ト部と制御エレメント部との合計の発熱量が常に所定温
度に保たれる様に該制御エレメント部を駆動する駆動回
路とを具備したことを特徴とする半導体レーザデバイス
である。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ずれが少ない高精
度な発振波長が得られる半導体レーザデバイスに関する
ものである。
度な発振波長が得られる半導体レーザデバイスに関する
ものである。
【０００２】更に詳述すれば、本発明は、ＷＤＭ（波長
多重）通信用のＤＦＢ−ＬＤ（分布帰還型−半導体レー
ザダイオード）あるいはＤＢＲ−ＬＤ（分布反射型−半
導体レーザダイオード）のように単一縦モード発振し、
発振波長の精度が要求される場合に、特に好適であっ
て、発振波長のずれを防止し得る半導体レーザデバイス
に関するものである。
多重）通信用のＤＦＢ−ＬＤ（分布帰還型−半導体レー
ザダイオード）あるいはＤＢＲ−ＬＤ（分布反射型−半
導体レーザダイオード）のように単一縦モード発振し、
発振波長の精度が要求される場合に、特に好適であっ
て、発振波長のずれを防止し得る半導体レーザデバイス
に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、ＬＤ（半導体レーザダイオード）
を用いて波長精度を持った単色光が要求される場合、Ｌ
Ｄ（半導体レーザダイオード）には波長選択性の高いＤ
ＦＢ−ＬＤやＤＢＲ−ＬＤが用いられる。
を用いて波長精度を持った単色光が要求される場合、Ｌ
Ｄ（半導体レーザダイオード）には波長選択性の高いＤ
ＦＢ−ＬＤやＤＢＲ−ＬＤが用いられる。
【０００４】それらは発振波長の安定化のため、ＬＤ
（半導体レーザダイオード）を駆動する電流の安定化お
よびＬＤ（半導体レーザダイオード）が実装されたヒー
トシンク温度の安定化が行われている。
（半導体レーザダイオード）を駆動する電流の安定化お
よびＬＤ（半導体レーザダイオード）が実装されたヒー
トシンク温度の安定化が行われている。
【０００５】図３は従来より一般に使用されている従来
例の構成説明図である。例えば、書名；1991年電子情報
通信学会春季全国大会論文集、タイトル名；Ｃ−２４９
１．５５μｍ帯バタフライ型ＤＦＢレーザーモジュー
ル Ｐ４−２６６ 図１、著者;竹中直樹等 に示され
ている。
例の構成説明図である。例えば、書名；1991年電子情報
通信学会春季全国大会論文集、タイトル名；Ｃ−２４９
１．５５μｍ帯バタフライ型ＤＦＢレーザーモジュー
ル Ｐ４−２６６ 図１、著者;竹中直樹等 に示され
ている。
【０００６】図において、ＤＦＢレーザ１、非球面レン
ズ２、光アイソレータ３、モニタ用ＰＩＮ−ＰＤ４、サ
ーミスタ５が、ベルチェクーラ６上に一体的に配置さ
れ、広い温度範囲にわたって安定な特性が得られる構成
となっている。７は光ファイバーである。
ズ２、光アイソレータ３、モニタ用ＰＩＮ−ＰＤ４、サ
ーミスタ５が、ベルチェクーラ６上に一体的に配置さ
れ、広い温度範囲にわたって安定な特性が得られる構成
となっている。７は光ファイバーである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらのＬＤ
（半導体レーザダイオード）の出力光を強度変調させる
場合、ＬＤ（半導体レーザダイオード）駆動電流を強度
変調するため、それによってＬＤ（半導体レーザダイオ
ード）単体の温度は変化し、発振波長もそれに伴い変化
してしまう。
（半導体レーザダイオード）の出力光を強度変調させる
場合、ＬＤ（半導体レーザダイオード）駆動電流を強度
変調するため、それによってＬＤ（半導体レーザダイオ
ード）単体の温度は変化し、発振波長もそれに伴い変化
してしまう。
【０００８】根本的な解決法としては、発振波長が温度
に無依存なＬＤ（半導体レーザダイオード）を使用でき
るのが理想的であるが、材料系の制約により実現は困難
である。
に無依存なＬＤ（半導体レーザダイオード）を使用でき
るのが理想的であるが、材料系の制約により実現は困難
である。
【０００９】本発明は、高精度の波長選択性が要求され
る用途において、ＤＦＢ−ＬＤおよびＤＢＲ−ＬＤを光
出力強度変調しても、それによるＬＤ（半導体レーザダ
イオード）の温度変化を隣接して集積したダミーのエレ
メント部への供給電流変化によって補償することで、Ｌ
Ｄ（半導体レーザダイオード）の発振波長変化を抑制す
ることを考案したものである。
る用途において、ＤＦＢ−ＬＤおよびＤＢＲ−ＬＤを光
出力強度変調しても、それによるＬＤ（半導体レーザダ
イオード）の温度変化を隣接して集積したダミーのエレ
メント部への供給電流変化によって補償することで、Ｌ
Ｄ（半導体レーザダイオード）の発振波長変化を抑制す
ることを考案したものである。
【００１０】以下、ここで説明したダミーのエレメント
を制御エレメント部、また、ＬＤ（半導体レーザダイオ
ード）の発光部分を発光エレメント部と呼ぶことにす
る。
を制御エレメント部、また、ＬＤ（半導体レーザダイオ
ード）の発光部分を発光エレメント部と呼ぶことにす
る。
【００１１】本発明は、上記の問題点を、解決するもの
である。本発明の目的は、ずれが少ない高精度な発振波
長が得られる半導体レーザデバイスを提供するにある。
である。本発明の目的は、ずれが少ない高精度な発振波
長が得られる半導体レーザデバイスを提供するにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、 （１）活性層と導波路を有し回折格子によりモード安定
化された半導体レーザデバイスにおいて、所定の発振波
長を発する発光エレメント部と、該発光エレメント部に
近接して設けられ該発光エレメント部の発振波長より発
振波長がずらされたあるいは発振が抑制された構造から
なる制御エレメント部と、前記該発光エレメント部と制
御エレメント部との合計の発熱量が常に所定温度に保た
れる様に該制御エレメント部を駆動する駆動回路とを具
備したことを特徴とする半導体レーザデバイス。 （２）前記発光エレメント部の発振波長に対して混信し
ない様に該発光エレメント部の回折格子とピッチが異な
る様にされた回折格子を有する制御エレメント部を具備
したことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザデバ
イス。 （３）前記発光エレメント部の発振波長に対して混信し
ない様に該発光エレメント部の前記導波路とは導波路の
厚さあるいは幅あるいは組成が異ならしめられて等価屈
折率が異なる様にされた導波路を有する制御エレメント
部を具備したことを特徴とする請求項１記載の半導体レ
ーザデバイス。 （４）発振しない様に前記回折格子を有せず且つ少なく
とも一方の端面は端面反射率が低減された制御エレメン
ト部を具備したことを特徴とする請求項１記載の半導体
レーザデバイス。 （５）ゲインピーク波長が該発光エレメント部と異なる
ように該発光エレメント部と活性層の組成あるいは量子
井戸活性層においては井戸層厚あるいは障壁層あるいは
組成を異ならしめられた制御エレメント部を具備したこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体レーザデバイス。 （６）前記エレメント部に量子井戸活性層を用いている
場合において、量子井戸活性層の無秩序化によってゲイ
ンピーク波長を異ならしめた制御エレメント部を具備し
たことを特徴とする請求項５記載の半導体レーザデバイ
ス。 （７）前記発光エレメント部の発光方向に対して混信し
ないように発光方向を異ならしめた制御エレメント部を
具備したことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ
デバイス。 （８）前記請求項１記載の半導体レーザデバイス又は前
記請求項２記載の半導体レーザデバイス又は前記請求項
３記載の半導体レーザデバイス又は前記請求項４記載の
半導体レーザデバイス又は前記請求項５記載の半導体レ
ーザデバイス又は前記請求項６記載の半導体レーザデバ
イス又は前記請求項７記載の半導体レーザデバイスがエ
レメントとしてアレイ状に複数並べて使用されたことを
特徴とする半導体レーザデバイス。 を構成したものである。
に、本発明は、 （１）活性層と導波路を有し回折格子によりモード安定
化された半導体レーザデバイスにおいて、所定の発振波
長を発する発光エレメント部と、該発光エレメント部に
近接して設けられ該発光エレメント部の発振波長より発
振波長がずらされたあるいは発振が抑制された構造から
なる制御エレメント部と、前記該発光エレメント部と制
御エレメント部との合計の発熱量が常に所定温度に保た
れる様に該制御エレメント部を駆動する駆動回路とを具
備したことを特徴とする半導体レーザデバイス。 （２）前記発光エレメント部の発振波長に対して混信し
ない様に該発光エレメント部の回折格子とピッチが異な
る様にされた回折格子を有する制御エレメント部を具備
したことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザデバ
イス。 （３）前記発光エレメント部の発振波長に対して混信し
ない様に該発光エレメント部の前記導波路とは導波路の
厚さあるいは幅あるいは組成が異ならしめられて等価屈
折率が異なる様にされた導波路を有する制御エレメント
部を具備したことを特徴とする請求項１記載の半導体レ
ーザデバイス。 （４）発振しない様に前記回折格子を有せず且つ少なく
とも一方の端面は端面反射率が低減された制御エレメン
ト部を具備したことを特徴とする請求項１記載の半導体
レーザデバイス。 （５）ゲインピーク波長が該発光エレメント部と異なる
ように該発光エレメント部と活性層の組成あるいは量子
井戸活性層においては井戸層厚あるいは障壁層あるいは
組成を異ならしめられた制御エレメント部を具備したこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体レーザデバイス。 （６）前記エレメント部に量子井戸活性層を用いている
場合において、量子井戸活性層の無秩序化によってゲイ
ンピーク波長を異ならしめた制御エレメント部を具備し
たことを特徴とする請求項５記載の半導体レーザデバイ
ス。 （７）前記発光エレメント部の発光方向に対して混信し
ないように発光方向を異ならしめた制御エレメント部を
具備したことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ
デバイス。 （８）前記請求項１記載の半導体レーザデバイス又は前
記請求項２記載の半導体レーザデバイス又は前記請求項
３記載の半導体レーザデバイス又は前記請求項４記載の
半導体レーザデバイス又は前記請求項５記載の半導体レ
ーザデバイス又は前記請求項６記載の半導体レーザデバ
イス又は前記請求項７記載の半導体レーザデバイスがエ
レメントとしてアレイ状に複数並べて使用されたことを
特徴とする半導体レーザデバイス。 を構成したものである。
【００１３】
【作用】以上の構成において、動作を説明する。動作の
説明を簡単にするために、発光エレメント部に注入する
電流が、所定電流とその所定電流の５０％の電流の間で
変調がかけられているとする。
説明を簡単にするために、発光エレメント部に注入する
電流が、所定電流とその所定電流の５０％の電流の間で
変調がかけられているとする。
【００１４】制御エレメント部がないＬＤ（半導体レー
ザダイオード）、あるいは制御エレメント部があって
も、そこに無変調の電流が注入されている場合、発光エ
レメント部に電流を注入したとき、所定電流に発振波長
を合わせておいても、注入電流をその所定電流の５０％
の電流に変化させると発光エレメント部内での発熱量が
減少し、ＬＤ（半導体レーザダイオード）の温度が下が
り、発振波長が短波長シフトしてしまう。
ザダイオード）、あるいは制御エレメント部があって
も、そこに無変調の電流が注入されている場合、発光エ
レメント部に電流を注入したとき、所定電流に発振波長
を合わせておいても、注入電流をその所定電流の５０％
の電流に変化させると発光エレメント部内での発熱量が
減少し、ＬＤ（半導体レーザダイオード）の温度が下が
り、発振波長が短波長シフトしてしまう。
【００１５】これに対し、本発明は、発光エレメント部
への注入電流を、所定電流から所定電流の５０％の電流
に変化させる時には、駆動回路により、制御エレメント
部に注入する電流を増やし、これら２つのエレメント部
での発熱量を常に一定にするよう駆動し、ＬＤ（半導体
レーザダイオード）の温度を安定に保つようにした。
への注入電流を、所定電流から所定電流の５０％の電流
に変化させる時には、駆動回路により、制御エレメント
部に注入する電流を増やし、これら２つのエレメント部
での発熱量を常に一定にするよう駆動し、ＬＤ（半導体
レーザダイオード）の温度を安定に保つようにした。
【００１６】もっとも単純な方法は、発光エレメント部
に注入する電流と制御エレメント部に注入する電流との
和が一定にするよう駆動する方法である。しかし、実際
には、それら２つのエレメント部の構造の違いから、高
精度に補償するには、発振波長を波長計などでモニター
して制御エレメント部の電流の値を設定する必要があ
る。
に注入する電流と制御エレメント部に注入する電流との
和が一定にするよう駆動する方法である。しかし、実際
には、それら２つのエレメント部の構造の違いから、高
精度に補償するには、発振波長を波長計などでモニター
して制御エレメント部の電流の値を設定する必要があ
る。
【００１７】発光エレメント部と制御エレメント部との
構造を、ほとんど同じにしていれば、簡単な目安として
は、発光エレメント部の電流と制御エレメント部の電流
は等しくなる。実際には、閾値の差が生じるので高精度
に補償するには波長計でモニタして電流値を設定する。
構造を、ほとんど同じにしていれば、簡単な目安として
は、発光エレメント部の電流と制御エレメント部の電流
は等しくなる。実際には、閾値の差が生じるので高精度
に補償するには波長計でモニタして電流値を設定する。
【００１８】発光エレメント部に対して、発光ー制御エ
レメント部間の間隔を小さく設定しておけば、このよう
な駆動方法で実質的に熱干渉の影響を無くすことができ
る。なお、制御エレメント部は発光エレメント部の共振
器軸上に配置されても、発光エレメント部と並行に配置
されても良い。
レメント部間の間隔を小さく設定しておけば、このよう
な駆動方法で実質的に熱干渉の影響を無くすことができ
る。なお、制御エレメント部は発光エレメント部の共振
器軸上に配置されても、発光エレメント部と並行に配置
されても良い。
【００１９】静的な動作について説明したが、エレメン
ト部の電極構成などを、高速変調可能にしておけば、直
接変調をかける場合にも同様の考え方で適用できる。以
下、実施例に基づき詳細に説明する。
ト部の電極構成などを、高速変調可能にしておけば、直
接変調をかける場合にも同様の考え方で適用できる。以
下、実施例に基づき詳細に説明する。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施例の要部
構成説明図で、３電極型ＤＢＲ−ＬＤが利用された場合
について説明する。図において、１１は、所定の発振波
長を発する発光エレメント部である。３電極型ＤＢＲ−
ＬＤでは、活性領域と言われているところに相当する。
構成説明図で、３電極型ＤＢＲ−ＬＤが利用された場合
について説明する。図において、１１は、所定の発振波
長を発する発光エレメント部である。３電極型ＤＢＲ−
ＬＤでは、活性領域と言われているところに相当する。
【００２１】１２は、発光エレメント部１１に近接して
設けられ、発光エレメント部１１の発振波長より発振波
長がずらされた、あるいは発振が抑制された構造からな
る制御エレメント部である。３電極型ＤＢＲ−ＬＤで
は、位相調整領域と言われているところに相当する。
設けられ、発光エレメント部１１の発振波長より発振波
長がずらされた、あるいは発振が抑制された構造からな
る制御エレメント部である。３電極型ＤＢＲ−ＬＤで
は、位相調整領域と言われているところに相当する。
【００２２】１３は、発光エレメント部１１と制御エレ
メント部１２との合計の発熱量が常に所定温度に保たれ
る様に、制御エレメント部１２を駆動する駆動回路であ
る。１４は、ＤＢＲ領域である。
メント部１２との合計の発熱量が常に所定温度に保たれ
る様に、制御エレメント部１２を駆動する駆動回路であ
る。１４は、ＤＢＲ領域である。
【００２３】このＬＤ（半導体レーザダイオード）を駆
動するため、発光エレメント部１１に駆動電流を注入す
るが、所要の光強度変調を得るためにその駆動電流を変
調しても、駆動回路１３は、常に発光エレメント部１１
と制御エレメント部１２での発熱量の合計が一定になる
ように制御エレメント部１２を駆動する。
動するため、発光エレメント部１１に駆動電流を注入す
るが、所要の光強度変調を得るためにその駆動電流を変
調しても、駆動回路１３は、常に発光エレメント部１１
と制御エレメント部１２での発熱量の合計が一定になる
ように制御エレメント部１２を駆動する。
【００２４】制御エレメント部１２は、発光エレメント
部１１と同じ層構造の量子井戸を有しているが、シリコ
ンSiのイオン注入により、無秩序化を行い、発光エレメ
ント部１１とはゲインピーク波長が異なっている。
部１１と同じ層構造の量子井戸を有しているが、シリコ
ンSiのイオン注入により、無秩序化を行い、発光エレメ
ント部１１とはゲインピーク波長が異なっている。
【００２５】また、ＤＢＲ領域１４の回折格子は、発光
エレメント部１１のゲインピーク波長に合うように作製
されており、制御エレメント部１２からのレーザ発振は
起こりにくい構造となっている。
エレメント部１１のゲインピーク波長に合うように作製
されており、制御エレメント部１２からのレーザ発振は
起こりにくい構造となっている。
【００２６】なお、前述の実施例では、発光エレメント
部１１と制御エレメント部１２とが、同じ導波路に集積
した場合を示したが、制御エレメント部１２は、発光エ
レメント部１１に隣接した位置に集積すれば、前述の実
施例と同様な動作が可能である。また、制御エレメント
部１２からの光は、発光エレメント部１１の発光と混信
しないように発振波長をずらしておく。
部１１と制御エレメント部１２とが、同じ導波路に集積
した場合を示したが、制御エレメント部１２は、発光エ
レメント部１１に隣接した位置に集積すれば、前述の実
施例と同様な動作が可能である。また、制御エレメント
部１２からの光は、発光エレメント部１１の発光と混信
しないように発振波長をずらしておく。
【００２７】波長をずらす方法としては、回折格子を作
製する時にピッチをかえておく方法や光ガイド層などの
厚さや幅や組成を変えて導波路の等価屈折率を変える方
法を用いればよい。
製する時にピッチをかえておく方法や光ガイド層などの
厚さや幅や組成を変えて導波路の等価屈折率を変える方
法を用いればよい。
【００２８】ただし、この場合には制御エレメント部１
２からの光が入射しないように、集光系を設定するか、
制御エレメント部１２で出射方向を変える構造にしてお
く、あるいは光が結合しても除去するようなフィルタを
挿入する必要がある。
２からの光が入射しないように、集光系を設定するか、
制御エレメント部１２で出射方向を変える構造にしてお
く、あるいは光が結合しても除去するようなフィルタを
挿入する必要がある。
【００２９】制御エレメント部１２の波長をずらす代わ
りに、回折格子を無くして端面に無反射コーティングを
することにより発振を起こさないようにすることもでき
る。特に、ＤＦＢ−ＬＤでは両端面に無反射コーティン
グを行なうのが一般的であるので、製造工程を増やす必
要が無く、フィルタの挿入なども省略して簡便に実施で
きる。
りに、回折格子を無くして端面に無反射コーティングを
することにより発振を起こさないようにすることもでき
る。特に、ＤＦＢ−ＬＤでは両端面に無反射コーティン
グを行なうのが一般的であるので、製造工程を増やす必
要が無く、フィルタの挿入なども省略して簡便に実施で
きる。
【００３０】以上の構成において、動作を説明する。動
作の説明を簡単にするために、発光エレメント部１１に
注入する電流Ieが、所定電流Iiとその５０％の０．５Ii
の間で変調がかけられているとする。
作の説明を簡単にするために、発光エレメント部１１に
注入する電流Ieが、所定電流Iiとその５０％の０．５Ii
の間で変調がかけられているとする。
【００３１】制御エレメント部１２がないＬＤ（半導体
レーザダイオード）、あるいは制御エレメント部１２が
あっても、そこに無変調の電流が注入されている場合、
発光エレメント部１１に電流Iiを注入したとき（Ie＝I
i）に発振波長を合わせておいても、注入電流を０．５I
iに変化させる（Ie＝0.5Ii）と発光エレメント部１１内
での発熱量が減少し、ＬＤ（半導体レーザダイオード）
の温度が下がり、発振波長が短波長シフトしてしまう。
レーザダイオード）、あるいは制御エレメント部１２が
あっても、そこに無変調の電流が注入されている場合、
発光エレメント部１１に電流Iiを注入したとき（Ie＝I
i）に発振波長を合わせておいても、注入電流を０．５I
iに変化させる（Ie＝0.5Ii）と発光エレメント部１１内
での発熱量が減少し、ＬＤ（半導体レーザダイオード）
の温度が下がり、発振波長が短波長シフトしてしまう。
【００３２】これに対し、本発明は、発光エレメント部
１１のへの注入電流Ieを所定電流Iiから所定電流の０．
５Iiに変化させる時には、駆動回路１３により、制御エ
レメント部１２に注入する電流Icを増やし（たとえば
０.５Ii増やす）、これら２つのエレメント部１１，１
２での発熱量を常に一定にするよう駆動し、ＬＤ（半導
体レーザダイオード）の温度を安定に保つようにした。
１１のへの注入電流Ieを所定電流Iiから所定電流の０．
５Iiに変化させる時には、駆動回路１３により、制御エ
レメント部１２に注入する電流Icを増やし（たとえば
０.５Ii増やす）、これら２つのエレメント部１１，１
２での発熱量を常に一定にするよう駆動し、ＬＤ（半導
体レーザダイオード）の温度を安定に保つようにした。
【００３３】もっとも単純な方法は、発光エレメント部
１１に注入する電流Ieと制御エレメント部１２に注入す
る電流Icとの和が一定にするよう駆動する方法である。
しかし、実際には、それら２つのエレメント部１１，１
２の構造の違いから、高精度に補償するには、発振波長
を波長計などでモニターして制御エレメント部１２の電
流Icの値を設定する必要がある。
１１に注入する電流Ieと制御エレメント部１２に注入す
る電流Icとの和が一定にするよう駆動する方法である。
しかし、実際には、それら２つのエレメント部１１，１
２の構造の違いから、高精度に補償するには、発振波長
を波長計などでモニターして制御エレメント部１２の電
流Icの値を設定する必要がある。
【００３４】静的な動作について説明したが、エレメン
ト部の電極構成などを、高速変調可能にしておけば、直
接変調をかける場合にも同様の考え方で適用できる。
ト部の電極構成などを、高速変調可能にしておけば、直
接変調をかける場合にも同様の考え方で適用できる。
【００３５】また、制御エレメント部１２の活性層にあ
たる部分の組成を変えたり、量子井戸構造なら膜厚ある
いは障壁層あるいは組成を変えたりして、ゲインピーク
を発光エレメント部１１とずらしておくこともできる。
これは制御エレメント部１２からの光のクロストークを
気にする場合には有効である。
たる部分の組成を変えたり、量子井戸構造なら膜厚ある
いは障壁層あるいは組成を変えたりして、ゲインピーク
を発光エレメント部１１とずらしておくこともできる。
これは制御エレメント部１２からの光のクロストークを
気にする場合には有効である。
【００３６】また、ファブリーぺローモードで制御エレ
メント１２部が発振しても構わなくできるので、無反射
コーティングを省略する構造の場合にも使える。
メント１２部が発振しても構わなくできるので、無反射
コーティングを省略する構造の場合にも使える。
【００３７】この結果、本発明によれば、 （１）一対の発光エレメント部１１と制御エレメント部
１２の合計の発熱量は、常に一定に保たれるように駆動
回路１３で駆動するようにしたので、半導体レーザデバ
イスの光強度変調のために、発光エレメント部１１への
注入電流を変調させても、半導体レーザデバイスの発振
波長に変化を与えることがなくなり、その結果として光
強度変調させても、ずれが少ない高精度な発振波長が得
られる半導体レーザデバイスが得られる。
１２の合計の発熱量は、常に一定に保たれるように駆動
回路１３で駆動するようにしたので、半導体レーザデバ
イスの光強度変調のために、発光エレメント部１１への
注入電流を変調させても、半導体レーザデバイスの発振
波長に変化を与えることがなくなり、その結果として光
強度変調させても、ずれが少ない高精度な発振波長が得
られる半導体レーザデバイスが得られる。
【００３８】（２）制御エレメント部１２の駆動回路１
３が新たに必要となるが、発振波長の変動あるいはＬＤ
（半導体レーザダイオード）の温度をモニターして、発
光エレメント部１１の駆動条件にフィードバックする必
要が無くなるため、全体のシステムで考えれば構成は簡
単になる半導体レーザデバイスが得られる。
３が新たに必要となるが、発振波長の変動あるいはＬＤ
（半導体レーザダイオード）の温度をモニターして、発
光エレメント部１１の駆動条件にフィードバックする必
要が無くなるため、全体のシステムで考えれば構成は簡
単になる半導体レーザデバイスが得られる。
【００３９】（３）発光エレメント部１１の製造ばらつ
きによる発振波長ばらつきを、制御エレメント部１２の
駆動電流にオフセットを持たせることによって補正する
ことも可能になり、高精度な半導体レーザデバイスが得
られる。
きによる発振波長ばらつきを、制御エレメント部１２の
駆動電流にオフセットを持たせることによって補正する
ことも可能になり、高精度な半導体レーザデバイスが得
られる。
【００４０】（４）本発明の半導体レーザデバイスの構
造は、図３従来例の製造方法と比べ、回折格子の作製工
程やマスクパターン等を若干変更するだけで容易に実施
でき、比較的安価で高精度な半導体レーザデバイスが得
られる。
造は、図３従来例の製造方法と比べ、回折格子の作製工
程やマスクパターン等を若干変更するだけで容易に実施
でき、比較的安価で高精度な半導体レーザデバイスが得
られる。
【００４１】（５）特に、ＤＢＲ−ＬＤの場合は、モー
ドホップを起こす駆動条件を避ける必要があるので、本
発明のように、発光エレメント１１の条件を一定に保て
る方法が有効である。
ドホップを起こす駆動条件を避ける必要があるので、本
発明のように、発光エレメント１１の条件を一定に保て
る方法が有効である。
【００４２】また、本発明のこの温度補償駆動方法は、
２つのエレメント部１１，１２がより接近しているほど
効果が大きい。
２つのエレメント部１１，１２がより接近しているほど
効果が大きい。
【００４３】制御エレメント部１２については、前述の
実施例で示した発光エレメント部１１とゲインピークが
異なるもの以外に、発光エレメント部１１と同様な層構
造で端面反射率低くするなどしてレーザ発振を抑制させ
たものや、レーザ発振しても発光方向が発光エレメント
部１１と異なるものなども効果がある。
実施例で示した発光エレメント部１１とゲインピークが
異なるもの以外に、発光エレメント部１１と同様な層構
造で端面反射率低くするなどしてレーザ発振を抑制させ
たものや、レーザ発振しても発光方向が発光エレメント
部１１と異なるものなども効果がある。
【００４４】また、制御エレメント部１２は、１つのエ
レメントだけでなく、複数のエレメントにその機能を分
割することも可能である。
レメントだけでなく、複数のエレメントにその機能を分
割することも可能である。
【００４５】また、前述の実施例では、ＤＢＲ−ＬＤの
場合について説明したが、これに限ることはなく、ＤＦ
Ｂ−ＬＤやその他の回折格子を用いた構造の場合でも同
様に構成できる事は勿論である。さらに、変調器などを
集積した場合にも同様に適用できる。
場合について説明したが、これに限ることはなく、ＤＦ
Ｂ−ＬＤやその他の回折格子を用いた構造の場合でも同
様に構成できる事は勿論である。さらに、変調器などを
集積した場合にも同様に適用できる。
【００４６】図２は本発明の他の実施例の要部構成説明
図で、ＬＤ（半導体レーザダイオード）アレイとして使
用された例で、多波長ＤＦＢ−ＬＤアレイの場合につい
て説明する。
図で、ＬＤ（半導体レーザダイオード）アレイとして使
用された例で、多波長ＤＦＢ−ＬＤアレイの場合につい
て説明する。
【００４７】従来のＬＤ（半導体レーザダイオード）ア
レイは必要な数のＬＤ（半導体レーザダイオード）エレ
メント（以下、本願中ではアレイ素子の中での単体ＬＤ
（半導体レーザダイオード）にあたる部分をエレメント
と称する）をウエハ上に並べて作製されたものである。
そして、全てのエレメントから有効な光を取り出してい
る。
レイは必要な数のＬＤ（半導体レーザダイオード）エレ
メント（以下、本願中ではアレイ素子の中での単体ＬＤ
（半導体レーザダイオード）にあたる部分をエレメント
と称する）をウエハ上に並べて作製されたものである。
そして、全てのエレメントから有効な光を取り出してい
る。
【００４８】アレイ素子は、放熱のためのヒートシンク
（あるいはその上のサブマウント）上に実装され、サー
ミスタ温度センサとペルチエ素子でこれら全体を温調さ
れているのが一般的である。各エレメントに対して個別
に温度調整を行なっているアレイの例も報告されてい
る。
（あるいはその上のサブマウント）上に実装され、サー
ミスタ温度センサとペルチエ素子でこれら全体を温調さ
れているのが一般的である。各エレメントに対して個別
に温度調整を行なっているアレイの例も報告されてい
る。
【００４９】ＷＤＭ（波長多重）通信用にＬＤ（半導体
レーザダイオード）アレイを用いる場合には熱干渉が問
題であった。すなわち、各エレメントのON/OFFの状態に
よって発熱による熱の分布が変化し、他のエレメントの
発振波長がその温度依存性によってシフトしてしまう。
レーザダイオード）アレイを用いる場合には熱干渉が問
題であった。すなわち、各エレメントのON/OFFの状態に
よって発熱による熱の分布が変化し、他のエレメントの
発振波長がその温度依存性によってシフトしてしまう。
【００５０】本実施例においては、従来通りの温度依存
性を有するＬＤ（半導体レーザダイオード）をエレメン
トとして用いても、各エレメントのON/OFFによる発熱量
の変化を、隣接して設けたダミーのエレメント部のON/O
FFによって補償することにより、他のエレメントへの影
響を抑制することを考えたものである。
性を有するＬＤ（半導体レーザダイオード）をエレメン
トとして用いても、各エレメントのON/OFFによる発熱量
の変化を、隣接して設けたダミーのエレメント部のON/O
FFによって補償することにより、他のエレメントへの影
響を抑制することを考えたものである。
【００５１】図において、２０はウエハである。２
１1，２１2…２１nは、それぞれ所定の発振波長λ1，λ
2…λnを発し、半導体レーザダイオードからなる複数の
発光エレメント部である。
１1，２１2…２１nは、それぞれ所定の発振波長λ1，λ
2…λnを発し、半導体レーザダイオードからなる複数の
発光エレメント部である。
【００５２】２２1，２２2…２２nは、それぞれの発光
エレメント部２１1，２１2…２１nに近接して設けら
れ、それぞれの発光エレメント部２１1，２１2…２１n
とそれぞれ対をなし、対応する発光エレメント部２
１1，２１2…２１nの発振波長より、発振波長λD1，λ
D2…λDnがずらされた半導体レーザダイオード、あるい
は発振が抑制された構造からなる半導体レーザダイオー
ドからなる複数の制御エレメント部である。
エレメント部２１1，２１2…２１nに近接して設けら
れ、それぞれの発光エレメント部２１1，２１2…２１n
とそれぞれ対をなし、対応する発光エレメント部２
１1，２１2…２１nの発振波長より、発振波長λD1，λ
D2…λDnがずらされた半導体レーザダイオード、あるい
は発振が抑制された構造からなる半導体レーザダイオー
ドからなる複数の制御エレメント部である。
【００５３】２３1，２３2…２３nは、一対の発光エレ
メント部と制御エレメント部２１1，２２1、２１2，２
２2、…２１n，２２n毎に、発光エレメント部と制御エ
レメント部の合計の発熱量が常に所定温度に保たれる様
に制御エレメント部２２1，２２2…２２nを駆動する駆
動回路である。
メント部と制御エレメント部２１1，２２1、２１2，２
２2、…２１n，２２n毎に、発光エレメント部と制御エ
レメント部の合計の発熱量が常に所定温度に保たれる様
に制御エレメント部２２1，２２2…２２nを駆動する駆
動回路である。
【００５４】すなわち、各波長について実際に必要な波
長λiを得る発光エレメント部２１iの他に、制御エレメ
ント部２２iを隣接して設けたものである。制御エレメ
ント部２２iは、発光エレメント部２１iと制御エレメン
ト部２２iの合計の発熱量が常に一定となるように駆動
回路２３iにより駆動される。
長λiを得る発光エレメント部２１iの他に、制御エレメ
ント部２２iを隣接して設けたものである。制御エレメ
ント部２２iは、発光エレメント部２１iと制御エレメン
ト部２２iの合計の発熱量が常に一定となるように駆動
回路２３iにより駆動される。
【００５５】制御エレメント部２２iからの光λDiは、発
光エレメント部２１iの発光λiと混信しないように発振
波長をずらしておく。
光エレメント部２１iの発光λiと混信しないように発振
波長をずらしておく。
【００５６】波長をずらす方法としては、回折格子を作
製する時にピッチをかえておく方法や、光ガイド層など
の厚さや幅や組成を変えて導波路の等価屈折率を変える
方法（これらは多波長アレイではλi自体を各発光エレ
メント部で変化させるためにも行われている）を用いれ
ばよい。
製する時にピッチをかえておく方法や、光ガイド層など
の厚さや幅や組成を変えて導波路の等価屈折率を変える
方法（これらは多波長アレイではλi自体を各発光エレ
メント部で変化させるためにも行われている）を用いれ
ばよい。
【００５７】ただし、この場合には制御エレメント部２
２iからのλD1光が入射しないように、集光系を設定す
るか、制御エレメント部２２i端で出射方向を変える構
造にしておく、あるいはλD1光が結合しても除去するよ
うなフィルタを挿入する必要がある。
２iからのλD1光が入射しないように、集光系を設定す
るか、制御エレメント部２２i端で出射方向を変える構
造にしておく、あるいはλD1光が結合しても除去するよ
うなフィルタを挿入する必要がある。
【００５８】制御エレメント部２２iの波長をずらす代
わりに、回折格子を無くして端面に無反射コーティング
をすることにより発振を起こさないようにすることもで
きる。特に、ＤＦＢアレイでは、両端面に無反射コーテ
ィングを行なうのが一般的であるので、製造工程を増や
す必要が無く、フィルタの挿入なども省略して簡便に実
施できる。
わりに、回折格子を無くして端面に無反射コーティング
をすることにより発振を起こさないようにすることもで
きる。特に、ＤＦＢアレイでは、両端面に無反射コーテ
ィングを行なうのが一般的であるので、製造工程を増や
す必要が無く、フィルタの挿入なども省略して簡便に実
施できる。
【００５９】以上の構成において、簡単のために各発光
エレメント部２１iに注入する電流I i一定とし、これをO
N/OFFしたとする。
エレメント部２１iに注入する電流I i一定とし、これをO
N/OFFしたとする。
【００６０】制御エレメント部２２iが無い従来のＬＤ
（半導体レーザダイオード）アレイでは、全てのエレメ
ント部がONで発振波長が希望値になっていた場合に、電
流I1をOFFした時には、発光エレメント部２１1での発熱
が減少し、近傍の発光エレメント部２１2、２１3・・・の
周囲温度がこの影響で低下する。
（半導体レーザダイオード）アレイでは、全てのエレメ
ント部がONで発振波長が希望値になっていた場合に、電
流I1をOFFした時には、発光エレメント部２１1での発熱
が減少し、近傍の発光エレメント部２１2、２１3・・・の
周囲温度がこの影響で低下する。
【００６１】このため、λ2、λ3、・・・が短波長シフト
（例えばInP系のDFBモードは0.1nm/deg程度の温度依存
性がある）するというように熱干渉による波長ドリフト
が発生する。
（例えばInP系のDFBモードは0.1nm/deg程度の温度依存
性がある）するというように熱干渉による波長ドリフト
が発生する。
【００６２】これに対し、本発明では、発光エレメント
部２１1の電流I1をOFFにした時には、制御エレメント部
２２1の電流ID1をON、発光エレメント部２１1の電流I1
ををONにした時には、制御エレメント部２２1の電流ID1
ををOFFのように、これら一対での発熱量を一定になる
ように駆動回路２３1で駆動する。
部２１1の電流I1をOFFにした時には、制御エレメント部
２２1の電流ID1をON、発光エレメント部２１1の電流I1
ををONにした時には、制御エレメント部２２1の電流ID1
ををOFFのように、これら一対での発熱量を一定になる
ように駆動回路２３1で駆動する。
【００６３】発光エレメント部２１iと制御エレメント
部２２iとの構造を、ほとんど同じにしていれば、簡単
な目安としてはIi＝IDiである。実際には閾値の差が生
じるので高精度に補償するには波長計でモニタして電流
値を設定する。
部２２iとの構造を、ほとんど同じにしていれば、簡単
な目安としてはIi＝IDiである。実際には閾値の差が生
じるので高精度に補償するには波長計でモニタして電流
値を設定する。
【００６４】発光エレメント部２１i同志の間隔に対し
て、対をなす発光ー制御エレメント部２１i−２２i間の
間隔を小さく設定しておけば、このような駆動方法で実
質的に熱干渉の影響を無くすことができる。
て、対をなす発光ー制御エレメント部２１i−２２i間の
間隔を小さく設定しておけば、このような駆動方法で実
質的に熱干渉の影響を無くすことができる。
【００６５】静的な動作について説明したが、エレメン
ト部の電極構成などを、高速変調可能にしておけば、直
接変調をかける場合にも同様の考え方で適用できる。
ト部の電極構成などを、高速変調可能にしておけば、直
接変調をかける場合にも同様の考え方で適用できる。
【００６６】また、制御エレメント部２２iの活性層に
あたる部分の組成を変えたり、量子井戸構造なら膜厚を
変えたりして、ゲインピークを発光エレメント部２１i
とずらしておくこともできる。これは、制御エレメント
部２２iからの光のクロストークを気にする場合には有
効である。
あたる部分の組成を変えたり、量子井戸構造なら膜厚を
変えたりして、ゲインピークを発光エレメント部２１i
とずらしておくこともできる。これは、制御エレメント
部２２iからの光のクロストークを気にする場合には有
効である。
【００６７】また、ファブリーぺローモードで制御エレ
メント部２２iが発振しても、構わなくできるので、無
反射コーティングを省略する構造のアレイ素子の場合に
も使える。
メント部２２iが発振しても、構わなくできるので、無
反射コーティングを省略する構造のアレイ素子の場合に
も使える。
【００６８】この結果、本実施例によれば、 （１）一対の発光エレメント部２１iと制御エレメント
部２２iの合計の発熱量は、常に一定に保たれるように
駆動回路２３iで駆動するようにしたので、発光エレメ
ント部２１iのON/OFFの状態によって、他の素子に熱変
動を与えることが無くなる。その結果として、前述の熱
干渉の問題を解消出来、発振波長のドリフトを防止する
事が出来る。
部２２iの合計の発熱量は、常に一定に保たれるように
駆動回路２３iで駆動するようにしたので、発光エレメ
ント部２１iのON/OFFの状態によって、他の素子に熱変
動を与えることが無くなる。その結果として、前述の熱
干渉の問題を解消出来、発振波長のドリフトを防止する
事が出来る。
【００６９】（２）本実施例の半導体レーザアレイの構
造は、従来の製造方法と比べ、回折格子の作製工程やマ
スクパターン等を若干変更するだけで容易に実施でき
る。
造は、従来の製造方法と比べ、回折格子の作製工程やマ
スクパターン等を若干変更するだけで容易に実施でき
る。
【００７０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の請
求項１によれば、 （１）一対の発光エレメント部と制御エレメント部との
合計の発熱量は、常に一定に保たれるように駆動回路で
駆動するようにしたので、半導体レーザデバイスの光強
度変調のために、発光エレメント部への注入電流を変調
させても、半導体レーザデバイスの発振波長に変化を与
えることがなくなり、その結果として、光強度変調させ
ても、ずれが少ない高精度な発振波長が得られる半導体
レーザデバイスが得られる。
求項１によれば、 （１）一対の発光エレメント部と制御エレメント部との
合計の発熱量は、常に一定に保たれるように駆動回路で
駆動するようにしたので、半導体レーザデバイスの光強
度変調のために、発光エレメント部への注入電流を変調
させても、半導体レーザデバイスの発振波長に変化を与
えることがなくなり、その結果として、光強度変調させ
ても、ずれが少ない高精度な発振波長が得られる半導体
レーザデバイスが得られる。
【００７１】（２）制御エレメント部の駆動回路が新た
に必要となるが、発振波長の変動あるいは半導体レーザ
デバイスの温度をモニターして、発光エレメント部の駆
動条件にフィードバックする必要が無くなるため、全体
のシステムで考えれば構成は簡単になる半導体レーザデ
バイスが得られる。
に必要となるが、発振波長の変動あるいは半導体レーザ
デバイスの温度をモニターして、発光エレメント部の駆
動条件にフィードバックする必要が無くなるため、全体
のシステムで考えれば構成は簡単になる半導体レーザデ
バイスが得られる。
【００７２】（３）発光エレメント部の製造ばらつきに
よる発振波長ばらつきを、制御エレメント部の駆動電流
にオフセットを持たせることによって補正することも可
能になり、高精度な半導体レーザデバイスが得られる。
よる発振波長ばらつきを、制御エレメント部の駆動電流
にオフセットを持たせることによって補正することも可
能になり、高精度な半導体レーザデバイスが得られる。
【００７３】（４） 本発明の半導体レーザデバイスの
構造は、従来例の製造方法と比べ、回折格子の作製工程
やマスクパターン等を若干変更するだけで容易に実施で
き、比較的安価で高精度な半導体レーザデバイスが得ら
れる。
構造は、従来例の製造方法と比べ、回折格子の作製工程
やマスクパターン等を若干変更するだけで容易に実施で
き、比較的安価で高精度な半導体レーザデバイスが得ら
れる。
【００７４】（５）特に、ＤＢＲ−ＬＤの場合は、モー
ドホップを起こす駆動条件を避ける必要があるので、本
発明のように、発光エレメント部の条件を一定に保てる
方法が有効である。
ドホップを起こす駆動条件を避ける必要があるので、本
発明のように、発光エレメント部の条件を一定に保てる
方法が有効である。
【００７５】本発明の請求項２によれば、発光エレメン
ト部の回折格子とピッチが異なる様にされた回折格子を
有する制御エレメント部が設けられたので、発光エレメ
ント部と制御エレメント部との発振波長をずらす事が出
来て、発光エレメント部と制御エレメント部との混信が
防止出来て、結果として、発振波長のドリフトを防止す
る事が出来る半導体レーザデバイスが得られる。
ト部の回折格子とピッチが異なる様にされた回折格子を
有する制御エレメント部が設けられたので、発光エレメ
ント部と制御エレメント部との発振波長をずらす事が出
来て、発光エレメント部と制御エレメント部との混信が
防止出来て、結果として、発振波長のドリフトを防止す
る事が出来る半導体レーザデバイスが得られる。
【００７６】本発明の請求項３によれば、発光エレメン
ト部の導波路とは導波路の厚さ、あるいは組成が異なら
しめられて等価屈折率が異なる様にされた導波路を有す
る制御エレメント部が設けられたので、発光エレメント
部と制御エレメント部との発振波長をずらす事が出来
て、発光エレメント部と制御エレメント部との混信が防
止出来て、結果として、発振波長のドリフトを防止する
事が出来る半導体レーザデバイスが得られる。
ト部の導波路とは導波路の厚さ、あるいは組成が異なら
しめられて等価屈折率が異なる様にされた導波路を有す
る制御エレメント部が設けられたので、発光エレメント
部と制御エレメント部との発振波長をずらす事が出来
て、発光エレメント部と制御エレメント部との混信が防
止出来て、結果として、発振波長のドリフトを防止する
事が出来る半導体レーザデバイスが得られる。
【００７７】本発明の請求項４によれば、回折格子を有
せず、且つ少なくとも一方の端面は端面反射率が低減さ
れた制御エレメント部が設けられたので、制御エレメン
ト部は発振せず、発光エレメント部と制御エレメント部
との混信が防止出来て、結果として、発振波長のドリフ
トを防止する事が出来る半導体レーザデバイスが得られ
る。
せず、且つ少なくとも一方の端面は端面反射率が低減さ
れた制御エレメント部が設けられたので、制御エレメン
ト部は発振せず、発光エレメント部と制御エレメント部
との混信が防止出来て、結果として、発振波長のドリフ
トを防止する事が出来る半導体レーザデバイスが得られ
る。
【００７８】本発明の請求項５によれば、発光エレメン
ト部と活性層の組成、あるいは量子井戸活性層において
は井戸層厚を異ならしめられた制御エレメント部が設け
られたので、発光エレメント部と制御エレメント部との
ゲインピーク波長をずらす事が出来て、発光エレメント
部と制御エレメント部との混信が防止出来て、結果とし
て、発振波長のドリフトを防止する事が出来る半導体レ
ーザデバイスが得られる。
ト部と活性層の組成、あるいは量子井戸活性層において
は井戸層厚を異ならしめられた制御エレメント部が設け
られたので、発光エレメント部と制御エレメント部との
ゲインピーク波長をずらす事が出来て、発光エレメント
部と制御エレメント部との混信が防止出来て、結果とし
て、発振波長のドリフトを防止する事が出来る半導体レ
ーザデバイスが得られる。
【００７９】本発明の請求項６によれば、発光エレメン
ト部とは、実効的な量子井戸活性層の井戸層厚さを異な
らしめた制御エレメント部が設けられたので、発光エレ
メント部と制御エレメント部とのゲインピーク波長をず
らす事が出来て、発光エレメント部と制御エレメント部
との混信が防止できて、結果として、発振波長のずれを
防止する事が出来る半導体レーザデバイスが得られる。
ト部とは、実効的な量子井戸活性層の井戸層厚さを異な
らしめた制御エレメント部が設けられたので、発光エレ
メント部と制御エレメント部とのゲインピーク波長をず
らす事が出来て、発光エレメント部と制御エレメント部
との混信が防止できて、結果として、発振波長のずれを
防止する事が出来る半導体レーザデバイスが得られる。
【００８０】本発明の請求項７によれば、発光エレメン
ト部とは、発光方向を異ならしめた制御エレメント部が
設けられたので、発光エレメント部と制御エレメント部
との混信が防止できて、結果として、発振波長のずれを
防止する事が出来る半導体レーザデバイスが得られる。
ト部とは、発光方向を異ならしめた制御エレメント部が
設けられたので、発光エレメント部と制御エレメント部
との混信が防止できて、結果として、発振波長のずれを
防止する事が出来る半導体レーザデバイスが得られる。
【００８１】本発明の請求項８によれば、 （１）一対の発光エレメント部と制御エレメント部の合
計の発熱量は、常に一定に保たれるように駆動回路で駆
動するようにしたので、発光エレメント部のON/OFFの状
態によって、他の素子に熱変動を与えることが無くな
り、その結果として、熱干渉の問題を解消でき、発振波
長のずれを防止する事が出来る。
計の発熱量は、常に一定に保たれるように駆動回路で駆
動するようにしたので、発光エレメント部のON/OFFの状
態によって、他の素子に熱変動を与えることが無くな
り、その結果として、熱干渉の問題を解消でき、発振波
長のずれを防止する事が出来る。
【００８２】（２）本発明の半導体レーザデバイスの構
造は、従来の製造方法と比べ、回折格子の作製工程やマ
スクパターン等を若干変更するだけで容易に実施でき
る。
造は、従来の製造方法と比べ、回折格子の作製工程やマ
スクパターン等を若干変更するだけで容易に実施でき
る。
【００８３】従って、本発明によれば、ずれが少ない高
精度な発振波長が得られる半導体レーザデバイスを実現
することが出来る。
精度な発振波長が得られる半導体レーザデバイスを実現
することが出来る。
【図１】本発明の一実施例の要部構成説明図である。
【図２】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
【図３】従来より一般に使用されている従来例の構成説
明図である。
明図である。
１１ 発光エレメント部 １2 制御エレメント部 １3 駆動回路 １4 ＤＢＲ領域 ２０ ウエハ ２１1，２１2…２１n 発光エレメント部 ２２1，２２2…２２n 制御エレメント部 ２３1，２３2…２３n 駆動回路 λ1，λ2…λn 発振波長 λD1，λD2…λDn 発振波長 Ｉ1，Ｉ2…Ｉn 電流 ＩD1，ＩD2…ＩDn 電流
Claims (8)
- 【請求項１】活性層と導波路を有し回折格子によりモー
ド安定化された半導体レーザデバイスにおいて、 所定の発振波長を発する発光エレメント部と、 該発光エレメント部に近接して設けられ該発光エレメン
ト部の発振波長より発振波長がずらされたあるいは発振
が抑制された構造からなる制御エレメント部と、 前記該発光エレメント部と制御エレメント部との合計の
発熱量が常に所定温度に保たれる様に該制御エレメント
部を駆動する駆動回路とを具備したことを特徴とする半
導体レーザデバイス。 - 【請求項２】前記発光エレメント部の発振波長に対して
混信しない様に該発光エレメント部の回折格子とピッチ
が異なる様にされた回折格子を有する制御エレメント部
を具備したことを特徴とする請求項１記載の半導体レー
ザデバイス。 - 【請求項３】前記発光エレメント部の発振波長に対して
混信しない様に該発光エレメント部の前記導波路とは導
波路の厚さあるいは幅あるいは組成が異ならしめられて
等価屈折率が異なる様にされた導波路を有する制御エレ
メント部を具備したことを特徴とする請求項１記載の半
導体レーザデバイス。 - 【請求項４】発振しない様に前記回折格子を有せず且つ
少なくとも一方の端面は端面反射率が低減された制御エ
レメント部を具備したことを特徴とする請求項１記載の
半導体レーザデバイス。 - 【請求項５】ゲインピーク波長が該発光エレメント部と
異なるように該発光エレメント部と活性層の組成あるい
は量子井戸活性層においては井戸層厚あるいは障壁層あ
るいは組成を異ならしめられた制御エレメント部を具備
したことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザデバ
イス。 - 【請求項６】前記エレメント部に量子井戸活性層を用い
ている場合において、量子井戸活性層の無秩序化によっ
てゲインピーク波長を異ならしめた制御エレメント部を
具備したことを特徴とする請求項５記載の半導体レーザ
デバイス。 - 【請求項７】前記発光エレメント部の発光方向に対して
混信しないように発光方向を異ならしめた制御エレメン
ト部を具備したことを特徴とする請求項１記載の半導体
レーザデバイス。 - 【請求項８】前記請求項１記載の半導体レーザデバイス
又は前記請求項２記載の半導体レーザデバイス又は前記
請求項３記載の半導体レーザデバイス又は前記請求項４
記載の半導体レーザデバイス又は前記請求項５記載の半
導体レーザデバイス又は前記請求項６記載の半導体レー
ザデバイス又は前記請求項７記載の半導体レーザデバイ
スがエレメントとしてアレイ状に複数並べて使用された
ことを特徴とする半導体レーザデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14755697A JPH10256676A (ja) | 1997-01-09 | 1997-06-05 | 半導体レーザデバイス |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP195197 | 1997-01-09 | ||
| JP9-1951 | 1997-01-09 | ||
| JP14755697A JPH10256676A (ja) | 1997-01-09 | 1997-06-05 | 半導体レーザデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256676A true JPH10256676A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=26335252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14755697A Pending JPH10256676A (ja) | 1997-01-09 | 1997-06-05 | 半導体レーザデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256676A (ja) |
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- 1997-06-05 JP JP14755697A patent/JPH10256676A/ja active Pending
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