JPS60257584A - 光検出器内蔵型半導体レ−ザ - Google Patents

光検出器内蔵型半導体レ−ザ

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JPS60257584A
JPS60257584A JP59116309A JP11630984A JPS60257584A JP S60257584 A JPS60257584 A JP S60257584A JP 59116309 A JP59116309 A JP 59116309A JP 11630984 A JP11630984 A JP 11630984A JP S60257584 A JPS60257584 A JP S60257584A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
beams
semiconductor laser
light
window glass
photodetector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59116309A
Other languages
English (en)
Inventor
Yorifumi Inada
順史 稲田
Kazuhisa Murata
和久 村田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP59116309A priority Critical patent/JPS60257584A/ja
Publication of JPS60257584A publication Critical patent/JPS60257584A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、光出力を一定に保つだめの光検出器を内蔵し
た半導体レーザに関するものである。
〈従来技術〉 第３図に従来のＰＩＮフォト・ダイオード内蔵型半導体
レーザの構成を示す。図に於て、１は半導体レーザ・チ
ップ、２はＰＩＮフォト・ダイオ−１＝゛、３はステム
、４はキャップ、５は窓ガラス、６は前面光、７は裏面
光である。このタイプでは一般に半導体レーザ・チップ
の裏共振面から出る光をＰＩＮフォト・ダイオードが受
けている。この構造は、従来の半導体レーザのように、
前面光と裏面光の比率が同じような場合は都合がよかっ
たが、第４図にそのチップ構造を示す最近のハイ・パワ
ー半導体レーザに見られるように、半導体レーザ・チッ
プ８の裏共振面に反射膜９（９１：厚さλ／４のアルミ
ナ膜、９２：厚さλ／４のアモーファス・シリコン膜）
を、前共振面に透過膜（厚さλ／４のアルミナ膜）１０
をコートしたような非対称レーザには適さない。第４図
に示す半導体レーザの裏共振面から出る光（裏面光）１
１は、前共振面から出る光（前面光）１２の１／３０程
度である。したがって、裏面光か弱すぎるため内蔵フォ
ト・ダイオードの光電流が大変小さいという欠点がある
。また、前共振面から出た光の一部が、もとの共振器に
戻ってきた場合、前面光と裏面光の比率が変化するため
、裏面光では前面光の光出力を制御できない欠点がある
。
〈発明の目的〉 それ故に、本発明の目的は、上記欠点を除去した光検出
器内蔵型半導体レーザを提供することにある。
〈発明の構成〉 本発明の光検出器内蔵型半導体レーザは、その窓ガラス
に、中心部の光取り出し部を除いて反射膜を設け、該反
射膜による反射光を光検出器に導く構成とすることによ
り、上記従来の欠点を除去したことを特徴とするもので
ある。
〈実施例〉 第１図に本発明による光検出器内蔵型半導体レーザの構
成を示す。図に於て、２１は半導体レーザ・チップ、２
２は光検出器（ＰＩＮフォト・ダイオード）、２３はス
テム、２４はキャップ、２５は窓ガラス、２６は中心の
光取り出し部以外の窓ガラス部分に付けられた反射膜、
２７は前面光、２８は前面反射光である。半導体レーザ
は光の広がり角が非常に大きいため、中心部の光はレン
ズで集光することができるが、周囲光は一般には捨、Ｑ
　てられている。本発明の特娠は、この捨てられて：１
　いる光を利用することにある。すなわち、半導体レー
ザ・チップの前面に出る光のうち±３０程度の光は、窓
ガラスを通し、出射されるが、残りの光は、窓ガラスに
反射膜をコートすることにより、内部に反射させる。そ
して、この反射光を光検出器（ＰＩＮフォト・ダイオー
ド）で受けることにより、Ａ２６回路（図示せず）でレ
ーザ・チップの駆動電流にフィード・バンクをかけ、前
面光出力を安定化させる。この方法によれば、Ｐ■Ｎフ
ォト・ダイオードの光電流は従来の数倍になり、また、
第２図に示すように、戻り光があった場合の前面光と裏
面光のアンバランスからくる、光出力の不安定性もなく
なるものである（Ａ：本発明、Ｂ：従来）。
〈発明の効果〉 以上詳細に説明したように、本発明によれば、従来の問
題点を解決した、きわめて有用な光検出器内蔵型半導体
レーザを得ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による光検出器内蔵型半導体レーザの構
成図、第２図は、本発明による光検出器内蔵型半導体レ
ーザ及び従来の光検出器内蔵型半導体レーザに於ける、
戻り光量と前面光出力との関係を示す図、第３図は従来
のＰＩＮフォト・ダイオード内蔵型半導体レーザの構成
図、第４図はハイ・パワー半導体レーザのチップ構造図
である。 符号の説明 に半導体レーザ・チップ、２：ＰＩＮフォト・ダイオー
ド、３：ステム、４：キャップ、５：窓ガラス、６：前
面光、７：裏面光、８：半導体レーザ・チップ、９：反
射膜、９１：厚さλ／４のアルミナ膜、９２：厚さ２７
．のアモーファス・シリコン膜、１０：透過膜（厚さλ
／４のアルミナ膜）、１１：裏面光、１２：前面光、２
１：半導体レーザ・チップ、２２：光検出器（ＰＩＮフ
ォト・ダイオード）、２３：ステム、２４：キャップ、
２５：窓ガラス、２６二反射膜、２７：前面光、２８：
前面反射光。 代理人　弁理士　福　士　愛　彦（他２名）１ 第１図 ０．０１　０．１　／　１０

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、半導体レーザの窓ガラスに、中心部の光取り出し部
    を除いて反射膜を設け、該反射膜による反射光を光検出
    器に導く構成としたことを特徴とする光検出器内蔵型半
    導体レーザ。
JP59116309A 1984-06-04 1984-06-04 光検出器内蔵型半導体レ−ザ Pending JPS60257584A (ja)

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