JP2002243989A - 光半導体モジュール - Google Patents
光半導体モジュールInfo
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12083—Constructional arrangements
- G02B2006/12126—Light absorber
Abstract
子の実装設備を簡略化することで、モジュールの生産性
を高める。 【解決手段】 発光素子2で発光された送信信号光は、
光導波路4に結合されて伝送路に導かれ、クラッド層5
の上に形成された電極7上に実装されたモニタ用受光素
子3は、発光素子2で発光された光のうち、光導波路4
に結合されない漏れ光の一部を受光し、発光素子2の光
出力の制御に利用される。光学系全体が透明樹脂で覆わ
れて屈折率の整合が図られているため、クラッド層5の
内部に漏れてきた光がクラッド層5の上面で反射される
ことなく、モニタ用受光素子3の受光面8で受光され
る。
Description
クにおける光半導体モジュール関し、特に光導波路上に
モニタ用受光素子を実装した光半導体モジュールに関す
る。
レーザなどの発光素子から出射される光出力レベルを一
定に保つ等の目的から、発光素子から出力される信号光
の一部を受光素子により受光してモニタする。従来は、
このモニタを行うために、半導体レーザの後方にモニタ
用受光素子を配置して、半導体レーザの後方から出射さ
れる光を受光して光出力レベルを検出し、これをフィー
ドバック制御することにより光出力制御をしている。
出射する発光素子と、送信されてきた信号光を受信する
受光素子の双方を備え、さらに両信号光を結合させる結
合部を備えた光半導体モジュールが開発、実用化されて
いる。双方向通信用光半導体モジュールとして、例え
ば、特開平11−38279号公報に示されるものが知
られている。このモジュールは、信号光送信時に半導体
レーザの後方から出射される光が、送信されてきた信号
光を受光するための受信用受光素子に入射されることの
ないように構成されている。
示す構成図である。光半導体モジュールは光導波路基
板、発光素子、モニタ用受光素子、受信用受光素子から
構成されており、発光素子は第1の光導波路と光学的に
結合するように基板上に実装されている。受信用受光素
子は第2光導波路と結合するように基板上に実装されて
いる。発光素子と受信用受光素子を並列に配置すること
により発光素子からの後方光を受信用受光素子に入射さ
れないように構成されている。
うな光半導体モジュールでは、発光素子の後方光を直接
モニタ用受光素子で受光するため、モニタ用受光素子に
は導波路入射型の受光素子を使用しなければならない。
すなわち、導波路入射型の受光素子は、現在一般に使用
されている表面入射型の受光素子よりも高価なため、モ
ジュールの低コスト化が困難なこと、および受光径が小
さいため、非常に精密な実装精度が要求されるという欠
点がある。
使用しているので、発光素子の後面の反射率を大きくし
て前方光の光出力アップを図るには制限もある。
容易にし、受光素子の実装設備を大幅に簡略すること
で、モジュールの低コスト化を図ることにある。
モニタ光として利用せずに、発光素子の後面の反射率を
制限なく大きくすることで前方光の光出力の向上させ、
温度特性を改善させつつモニタできる光半導体モジュー
ルを提供することにある。
ールは信号光を出射する発光素子と、発光素子から出射
された前記信号光が入射される光導波路が形成された基
板と、信号光の一部を受光するモニタ用受光素子とを備
えた光半導体モジュールであって、受光素子は基板に対
して受光面を下向きにして光導波路の上に配置されてい
ることを特徴としている。
素子から出射された信号光が入射される光ファイバが配
置された基板と、信号光の一部を受光するモニタ用受光
素子とを備えた光半導体モジュールであって、受光素子
は基板に対して受光面を下向きにして光ファイバの上部
に配置されていることを特徴としている。
ッド層が形成されている。さらに、クラッド層の底部ま
たは光ファイバが配置される領域に該光導波路から漏洩
した信号光の一部を受光素子に反射させる反射膜が形成
されるようにしてもよい。
号光が光学的に結合される位置に光ファイバを位置決め
する光ファイバ位置決め用の溝と、光ファイバ突き当て
用の溝が形成されていることを特徴としている。
出射する発光素子と、光半導体モジュールに入力された
信号光を受光する受信用受光素子と、基板上に形成され
信号光を導波させる第1の光導波路と、基板に対して受
光面を下向きにして第1の光導波路の上に配置されるモ
ニタ用受光素子と、基板上に形成された光半導体モジュ
ールに入力された信号光を受信用受光素子に導波する第
2の光導波路と、第1の光導波路および第2の光導波路
を導波する光をお互いに結合させる分岐導波路とを備え
ていることを特徴としている。
された信号光を受光する受信用受光素子と、基板上に形
成され信号光を導波させる第1の光導波路と、基板に対
して受光面を下向きにして第1の光導波路の上に配置さ
れるモニタ用受光素子と、基板上に形成され、光半導体
モジュールに入力された信号光を入力および発光素子の
信号光を出力する第2の光導波路と、第1の光導波路か
らの出力信号光を反射して第2の光導波路の信号光を透
過するフィルタと、フィルタを透過した入力信号光を受
光用受光素子へ導波させる第3の光導波路から構成され
ることを特徴としている。
うにしてもよい。
ド層の上にモニタ用受光素子の受光面が下向きになるよ
うに実装することにより、発光素子で発光された前方光
のうち、光導波路に結合されない上記の漏れ光の一部を
モニタ用受光素子で受光することを特徴としている。
合効率が10〜20%であるとすれば、残りの80〜9
0%は漏れ光となるため、クラッド層5の上にモニタ用
受光素子3を実装して漏れ光の一部を受光することで十
分な受光電流を得ることができる。
受光素子の受光面側の表面に第1の電極を形成し、基板
の表面に第2の電極を形成し、第1および第2の電極を
電気的に接続することにより行うことができる。
々実施形態について詳細に説明する。
成図である。図1において、本願発明の光半導体モジュ
ールは、光導波路基板1、発光素子2、モニタ用受光素
子3から構成され、光導波路基板1には、光導波路4、
クラッド層5、発光素子2を実装するための電極6、モ
ニタ用受光素子3を実装するための電極7が形成されて
いる。
導波路4に結合されて伝送路に導かれ、クラッド層5の
上に形成された電極7上に実装されたモニタ用受光素子
3は、発光素子2で発光された光のうち、光導波路4に
結合されない漏れ光の一部を受光し、発光素子2の光出
力の制御に利用される。光学系全体が透明樹脂で覆われ
て屈折率の整合が図られているため、クラッド層5の内
部に漏れてきた光がクラッド層5の上面で反射されるこ
となく、モニタ用受光素子3の受光面8で受光される。
に電極6上に実装される。発光素子2を駆動するため、
電極6と発光素子2の上面にはそれぞれワイヤ配線9、
10が接続される。光導波路4とクラッド層5は、主に
石英ガラスで形成されているがポリマーなどの有機材
料、半導体、シリコンで構成することも可能である。
て利用しないため、発光素子の後面の反射率を無制限に
大きくすることができ、前方光の光出力の向上、温度特
性の改善など発光素子の特性改善を図ることができる。
また、後方にモニタ用受光素子を実装するスペースを必
要としないので、光導波路基板の小型化が可能となる。
された光のうち、光導波路4に結合されない漏れ光の一
部を受光するように、クラッド層5の上に形成された電
極7上にモニタ用受光素子3の受光面8が下向きになる
ように実装されている。モニタ用受光素子3は、主に表
面入射型の受光素子が使用されるが、裏面入射型の受光
素子を使用することも可能である。クラッド層5の内部
に漏れてきた光がクラッド層5の上面で反射されるのを
防ぐため、光学系全体を透明樹脂で覆い、屈折率の整合
を図っている。モニタ用受光素子3の受光電流を取り出
すため、電極7とモニタ用受光素子3の上面にはそれぞ
れワイヤ配線11、12が接続されている。
素子に比べて大きな受光面を有しており、これにより受
光素子の実装の精度を緩くすることができる。
本実施の形態は、モニタ用受光素子3の受光電流を表と
裏の両面に形成された電極から取り出すのではなく、受
光面側の表面に受光電流取り出し用の2つの電極を形成
した構造のモニタ用受光素子3が実装されている点に特
徴を有する。
された光のうち、光導波路4に結合されない漏れ光の一
部を受光するように、モニタ用受光素子3の受光面8が
下向きになるように実装される。モニタ用受光素子3の
電極とクラッド層5の上に形成された電極7、電極13
は、モニタ用受光素子3を実装する際に同時に接続され
る。モニタ用受光素子3の受光電流を取り出すため、電
極7と電極13にはそれぞれワイヤ配線11、12が接
続される。
光導波路基板1の上面とクラッド層5の間に、光導波路
から漏れた光を反射させる金属層14を反射膜として形
成することにより、発光素子2で発光された光のうち、
クラッド層の下方向に漏れた光は金属層14で上方向に
反射される。このため、クラッド層の下方向に漏れた光
もモニタ用受光素子の受光面で受光することができ、よ
り大きな受光電流を得ることができる。
光導波路ではなく、光ファイバの上方にモニタ用受光素
子が実装されている点に特徴を有する。
の溝16、光ファイバ15の突き当て用の溝17が形成
される。光ファイバ15の位置決めは、光軸に垂直方向
については溝16によって、光軸方向については溝17
に突き当てることによって光軸無調整で行われる。
ように電極6上に実装される。モニタ用受光素子3は、
発光素子2で発光された光のうち、光ファイバ15に結
合されない漏れ光の一部を受光するように、光ファイバ
15の上方にモニタ用受光素子3の受光面8が下向きに
なるように実装されている。
たらないようにするために、モニタ用受光素子3は半田
バンプ18を介して基板1上に形成された電極7と接合
される。また、光ファイバ15のクラッドに漏れてきた
光が光ファイバ15の外周部で反射されるのを防ぐた
め、光学系全体を透明樹脂で覆い、屈折率の整合を図っ
ている。
光導波路基板にY分岐導波路を形成し、光導波路基板上
に受信用受光素子も実装した構造の光送受信機能を有す
る光半導体モジュールの一例である。
第2の光導波路19、Y分岐導波路20、発光素子2を
実装・配線するための電極6、モニタ用受光素子3を実
装・配線するための電極7、受信用受光素子21を実装
・配線するための電極22が形成されている。
るように電極6上に実装される。モニタ用受光素子3
は、発光素子2で発光された光のうち、光導波路4に結
合されない漏れ光の一部を受光するように、クラッド層
5の上に形成された電極7上にモニタ用受光素子3の受
光面8が下向きになるように実装されている。
9と結合するように電極22上に実装される。受信用受
光素子21の受光電流を取り出すため、電極22と受信
用受光素子21の上面にはそれぞれワイヤ配線23、2
4が接続される。また、クラッド層5の内部に漏れてき
た光がクラッド層5の上面で反射されるのを防ぐため、
光学系全体を透明樹脂で覆い、屈折率の整合を図ってい
る。このような構成から本発明のモニタ用受光素子を用
いて、発光素子と受光素子が配置されている基板上にモ
ニタ用受光素子も配置することができる。
る。波長λ1の光を送信し、波長λ2の光を受信する光
送受信機能を有する光半導体モジュールの一例である。
2の光導波路19、第3の光導波路25、フィルタ挿入
用の溝26、発光素子2を実装・配線するための電極
6、モニタ用受光素子3を実装・配線するための電極
7、受信用受光素子21を実装・配線するための電極2
2が形成されている。発光素子2は、第1の光導波路4
と結合するように電極6上に実装される。
された光のうち、光導波路4に結合されない漏れ光の一
部を受光するように、クラッド層5の上に形成された電
極7上にモニタ用受光素子3の受光面8が下向きになる
ように実装されている。
5と結合するように電極22上に実装される。波長λ1
の光を反射し、波長λ2の光を透過するフィルタ27
は、第1の光導波路4から入射された光が反射されて第
2の光導波路19に結合するように溝26に挿入されて
いる。
号光は、第1の光導波路4を導波し、フィルタ27で反
射され、第2の光導波路19から伝送路に導かれる。伝
送路から第2の光導波路19に入射された波長λ2の受
信信号光は、フィルタ27を透過して第3の光導波路2
5に結合され、受信用受光素子21で受光される。
光素子3は、発光素子2で発光された光のうち、第1の
光導波路4に結合されない漏れ光の一部を受光し、発光
素子2の光出力の制御に用いている。
えば受光素子の受光面側の表面に第1の電極を形成し、
基板の表面に第2の電極を形成し、第1および第2の電
極を電気的に接続することにより行うことができる。
ラッド層の上にモニタ用受光素子の受光面が下向きにな
るように実装することにより、発光素子で発光された前
方光のうち、光導波路に結合されない上記の漏れ光の一
部をモニタ用受光素子で受光することで、モニタ用受光
素子の実装を容易にし、受光素子の実装設備を大幅に簡
略することで、モジュールの低コスト化を図ることがで
きる。これにより、発光素子の後方光をモニタ光として
利用せずに、発光素子の後面の反射率を制限なく大きく
することで前方光の光出力の向上や温度特性の改善する
ことが可能となる。
態の構成を示す図である。
態の構成を示す図である。
態の構成を示す図である。
態の構成を示す図である。
態の構成を示す図である。
態の構成を示す図である。
である。
Claims (10)
- 【請求項1】 信号光を出射する発光素子と、 前記発光素子から出射された前記信号光が入射される光
導波路が形成された基板と、 前記信号光の一部を受光するモニタ用受光素子とを備え
た光半導体モジュールであって、 前記受光素子は前記基板に対して受光面を下向きにして
前記光導波路の上に配置されていることを特徴とする光
半導体モジュール。 - 【請求項2】 信号光を出射する発光素子と、 前記発光素子から出射された前記信号光が入射される光
ファイバが配置された基板と、 前記信号光の一部を受光するモニタ用受光素子とを備え
た光半導体モジュールであって、 前記受光素子は前記基板に対して受光面を下向きにして
前記光ファイバの上部に配置されていることを特徴とす
る光半導体モジュール。 - 【請求項3】 前記基板は、前記光導波路の周囲にクラ
ッド層が形成されていることを特徴とする請求項1記載
の光半導体モジュール。 - 【請求項4】 請求項1または請求項3記載の前記光半
導体モジュールであって、さらに、 前記クラッド層の底部に該光導波路から漏洩した前記信
号光の一部を前記受光素子に反射させる反射膜が形成さ
れていることを特徴とする光半導体モジュール。 - 【請求項5】 前記基板は、前記光ファイバが配置され
る領域の少なくとも一部に、前記光ファイバから漏洩し
た前記信号光の一部を前記受光素子に反射させる反射膜
が形成されていることを特徴とする請求項2記載の光半
導体モジュール。 - 【請求項6】 前記基板は、前記発光素子から出射され
た前記信号光が光学的に結合される位置に前記光ファイ
バを位置決めする光ファイバ位置決め用の溝と、光ファ
イバ突き当て用溝が形成されていることを特徴とする請
求項2または請求項5記載の光半導体モジュール。 - 【請求項7】 信号光を出射する発光素子と、光半導体
モジュールに入力された信号光を受光する受信用受光素
子と、前記基板上に形成され、前記信号光を導波させる
第1の光導波路と、前記基板に対して受光面を下向きに
して前記第1の光導波路の上に配置されるモニタ用受光
素子と、 前記基板上に形成された前記光半導体モジュールに入力
された信号光を前記受信用受光素子に導波する第2の光
導波路と、 第1の光導波路および第2の光導波路を導波する光をお
互いに結合させる分岐導波路とを備えていることを特徴
とする光半導体モジュール。 - 【請求項8】 前記光導波路基板は透明樹脂で覆われて
いることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか
に記載の光半導体モジュール。 - 【請求項9】 信号光を出射する発光素子と、 入力された信号光を受光する受信用受光素子と、 前記基板上に形成され、前記信号光を導波させる第1の
光導波路と、 前記基板に対して受光面を下向きにして前記第1の光導
波路の上に配置されるもモニタ用受光素子と、 前記基板上に形成され、前記光半導体モジュールに入力
された信号光を入力および発光素子の信号光を出力する
第2の光導波路と、 前記第1の光導波路からの出力信号光を反射して第2の
光導波路からの入力信号光を透過するフィルタと、 前記フィルタを透過した前記入力信号光を前記受信用受
光素子へ導波させる第3の光導波路から構成されること
を特徴とする光半導体モジュール。 - 【請求項10】 前記受光素子の前記受光面側の表面に
第1の電極が形成されており、前記基板の表面に形成さ
れた第2の電極が電気的に接続されていることを特徴と
する請求項1から請求項9までのいずれかの請求項に記
載の光半導体モジュール。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001036324A JP4094237B2 (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 光半導体モジュール |
US10/067,337 US6973239B2 (en) | 2001-02-14 | 2002-02-07 | Optical semiconductor module equipped with a light monitor for monitoring signal light emitted from a light emitting element |
DE60202542T DE60202542T2 (de) | 2001-02-14 | 2002-02-13 | Optisches Halbleitermodul mit Lichtüberwachungseinrichtung zur Detektion von Signallicht eines lichtemittierenden Elements |
EP02003123A EP1233487B1 (en) | 2001-02-14 | 2002-02-13 | Optical semiconductor module equipped with a light monitor for monitoring signal light emitted from a light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001036324A JP4094237B2 (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 光半導体モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002243989A true JP2002243989A (ja) | 2002-08-28 |
JP4094237B2 JP4094237B2 (ja) | 2008-06-04 |
Family
ID=18899612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001036324A Expired - Lifetime JP4094237B2 (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 光半導体モジュール |
Country Status (4)
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---|---|
US (1) | US6973239B2 (ja) |
EP (1) | EP1233487B1 (ja) |
JP (1) | JP4094237B2 (ja) |
DE (1) | DE60202542T2 (ja) |
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