JP4082566B2 - 円板状部材保持装置 - Google Patents

円板状部材保持装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4082566B2
JP4082566B2 JP2002061624A JP2002061624A JP4082566B2 JP 4082566 B2 JP4082566 B2 JP 4082566B2 JP 2002061624 A JP2002061624 A JP 2002061624A JP 2002061624 A JP2002061624 A JP 2002061624A JP 4082566 B2 JP4082566 B2 JP 4082566B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
disk
substrate
shaped member
contact
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002061624A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003263799A (ja
Inventor
政人 越川
秀樹 石崎
淳 江本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2002061624A priority Critical patent/JP4082566B2/ja
Priority to CNB038054345A priority patent/CN1327029C/zh
Priority to KR1020047013885A priority patent/KR100606314B1/ko
Priority to PCT/JP2003/002692 priority patent/WO2003074756A1/ja
Priority to TW092104966A priority patent/TWI256046B/zh
Publication of JP2003263799A publication Critical patent/JP2003263799A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4082566B2 publication Critical patent/JP4082566B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541Heating or cooling of the substrates
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B17/00Guiding record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor
    • G11B17/02Details
    • G11B17/022Positioning or locking of single discs
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術の分野】
本発明は、円板状部材の保持装置に関し、例えば、円板状部材に対して所定の処理(例えば、薄膜形成など)を施す際に利用される保持装置に関する。
【0002】
【従来技術】
従来より、円板状部材(ディスク状の基板)に各種薄膜を形成して製造される記録媒体(以下、単にディスクとも言う)として、例えば、CD、CD−R、CD−RW等のCD系ディスク、DVD−ROM、DVD−R等のDVD系ディスク等の光ディスク、またはMO、MD等の光磁気ディスク等、種々のものが存在する。これらディスクは、例えばポリカーボネート等の素材からなる基板に対して、スパッタ処理、スピンコート処理等の種々の処理を用いて薄膜を積層することによって製造される。
【0003】
これらディスクの素材となる基板は、一般に、その中央部に予め開口された貫通穴を利用してハンドリング(例えば、処理装置への搬入・搬出、薄膜形成等の各種の処理時の位置決め・保持など)されていた。
【0004】
例えば、スピンコート処理を用いて紫外線硬化樹脂等からなる薄膜を基板上表面に形成する場合、基板中央部に開口された貫通穴を回転テーブル上の回転軸に挿通すること等を介して、回転テーブルの略中央位置に基板を位置決め・固定(保持)する。そして、回転テーブルと伴に基板を回転させ、樹脂を付与(滴下など)するための付与アームの先端部等に設けられた付与口を、前記貫通穴の近傍から基板外周側へ向けて移動させつつ基板表面に樹脂を付与し、該付与した樹脂を回転テーブルの回転による遠心力等を利用して基板表面全体に拡散させることで、均質な薄膜を形成するようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、本願出願人等は、上述したスピンコート処理において、形成される薄膜の品質をより一層向上させるには、貫通穴のない基板を採用して基板中央部近傍から樹脂の付与を開始することが効果的であることを解明している。特に、光ディスクの記録密度をより高めるために、波長の短い例えば青色レーザ光を用いてデータの記録・再生等を行うようにした場合には、従来における比較的波長の長い赤色レーザ光を用いる場合に比べ、より一層薄く均質性の高い薄膜が要求されることから、貫通穴のない基板を用いてその中央部近傍を樹脂付与の始点とすることが一層強く要請されることとなる。
【0006】
これに伴い、本願出願人等は、スピンコート処理において、中央部に貫通穴のない基板を容易かつ高精度にハンドル及び処理できる装置、方法等を提案したが、スピンコート処理以外の処理(薄膜形成のための一連の処理は勿論、薄膜形成のための一連の処理とは別の処理も含む)においても、中央部分に貫通穴のない基板を、容易かつ高品質にハンドル延いては処理できるようにすることが要請される。即ち、生産性等を考慮すると、中央部分に貫通穴のない基板と、中央部分に貫通穴の有る基板と、を、ハンドル方法を変えることなく処理できるようにすることが好ましいし、また、例えば、スピンコート処理後に、貫通穴を開口する工程を以降の処理のために別途設けることも考えられるが、これでは装置の専用化等を招くと共に生産システム設計の自由度等を狭めることとなり好ましくないからである。
【0007】
本発明は、上記の実情に鑑みなされたもので、比較的簡単かつ安価な構成でありながら、貫通穴の有無に拘わらず、精度良く円板状部材を保持することができる保持装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
このため、請求項1に記載の発明に係る円板状部材保持装置は、円板状部材を、当該円板状部材の被処理面が所定の凹面形状となるように変形させて保持する保持手段を含んで構成した。
【0009】
このように、円板状部材の被処理面が所定の凹面形状となるように変形させて保持するようにすると、例えば、前記被処理面に対してスパッタ処理を行う場合(薄膜形成物質の飛来方向に対して円板状部材の被処理面が凹面形状となるようにしてスパッタ処理を行う場合)において、従来のように薄膜形成物質の飛来方向に対して略直交して平坦に基板表面を配設する場合に比べ、円板状部材の秘書裏面に形成される薄膜の品質(例えば、膜厚等)の均一化を促進することができることになる。
【0010】
更に、従来のような凹面形状に変形させない場合に比べ、円板状部材の被処理面と反対側の面(即ち、円板状部材の裏面)と、これに当接する保持装置の当接面と、の密着性を高めることができるので、スパッタ処理時等において、前記当接面を介して行われる円板状部材の冷却の効率を改善することもできることとなる。
【0011】
なお、前記保持手段は、
円板状部材の被処理面の反対側の面と当接して、円板状部材の被処理面を所定の凹面形状に変形させるべく凹面形状に形成された当接面と、
前記当接面と、円板状部材の被処理面の反対側の面と、を当接させて前記被処理面を所定の凹面形状に変形させつつ、前記円板状部材に設けられる円板状部材側係合部と、前記当接面に設けられる当接面側係合部と、を介して円板状部材と前記当接面とを係合する係合手段と、
を含んで構成することができる。
【0012】
また、前記保持手段は、
円板状部材の被処理面の反対側の面と当接して、円板状部材の被処理面を所定の凹面形状に変形させるべく凹面形状に形成された当接面と、
前記当接面と、円板状部材の被処理面の反対側の面と、を当接させて前記被処理面を所定の凹面形状に変形させつつ、前記円板状部材の外周部を保持する外周保持手段と、
を含んで構成することができる。
【0013】
上記のように、係合手段や外周保持手段を介して、円板状部材を保持するようにすると、例え中央部に貫通穴のない円板状部材であっても良好に位置決め保持することが可能となる。
【0014】
更に、外周保持手段を介して、円板状部材の外周部を保持するようにすると、円板状部材の外周部を良好に保持できるので、以下のような作用効果を奏することも可能となる。
【0015】
即ち、円板状部材の被処理面に反射膜としての金属薄膜等をスパッタ処理を用いて形成等する際に、円板状部材の外周部に金属薄膜等が形成されないように前記被処理面と所定間隙をもって配設されるマスクと、円板状部材の被処理面と、の接触を確実に防止できるので、該接触により生じる異常放電を防止でき、以って薄膜形成への悪影響(例えば、異常放電部或いはその近傍における膜厚異常の発生等)を極力回避でき、延いては歩留まりが大幅に改善され生産性を向上させることができることになる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の一実施の形態を、添付の図面に従って詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施の形態において、円板状の基板(円板状部材)1をスパッタ処理のために保持する保持装置10を含んで構成されるスパッタ装置側搬送アーム12を示す。
【0017】
保持装置10は、中央部に貫通穴のない円板状の基板1を保持(チャック)する際に基板1に当接する当接部11を備える。当接部11の当接面11Aは、図1、図3等に示すように、基板1が当接部11側に押圧され基板1が当接面11Aに密着されたときに、基板1が後述する大気側搬送アーム13側から見て凹面形状に変形するように、即ち、後述する吸着軸14による基板1への押圧力の作用方向AA(換言すれば、スパッタ処理における基板1に対する薄膜形成物質の飛来方向)に対して凹面形状に形成されている。前記凹面形状は、球面形状とすることができる。
【0018】
また、図8に詳細に示すように、前記当接部11の当接面11Aには、基板1の当接面1Aに刻設(或いは突設)される係合部1Bと係合するための係合部11Bが突設(或いは刻設)される。なお、係合部1B、係合部11Bは、所定に係合及び脱退(係合の解放)できるものであれば良く、従ってその形状、構造、個数、配置、位置、大きさ等は、図面に示された一例に限定されるものではない。
【0019】
ここで、前記基板1の当接面1Aが本発明に係る「円板状部材の被処理面の反対側の面」に相当し、前記係合部1Bが本発明に係る円板状部材側係合部に相当し、前記係合部11Bが本発明に係る当接面側係合部に相当し、前記係合部1B、11Bが本発明に係る係合手段を構成する。
保持装置10はスパッタ装置側搬送アーム12に取り付けられており、保持装置10は、以下に述べるようにして、基板1の良好な位置決め保持を達成しつつ大気側搬送アーム13から基板1及びマスク40を受け取る。
【0020】
即ち、
(1)大気側搬送アーム13は、中央部に貫通穴のない基板1の略中央部を、吸着軸14により例えば負圧等を介して吸着保持し、基板1を当接部11近傍へ搬送し、基板1の当接面1Aを当接部11の当接面11Aと対面させるよう動作される(図4参照)。
【0021】
(2)次に、大気側搬送アーム13は、基板1が当接部11の当接面11Aに接近する方向に移動され、ノックピン13Aとノック穴20Aとが係合するように動作される(図4、図5等参照)。
【0022】
(3)基板1の当接面1Aと、当接部11の当接面11Aと、が所定に当接したら、基板1を吸着保持している吸着軸14により、基板1の中央部を当接部11側へ所定に押圧する(図5等参照)。
【0023】
このとき、大気側搬送アーム13のマグネット部30の磁力によって吸着保持され基板1と共に搬送されて来るマスク40は、スパッタ装置側搬送アーム12のマグネット部12Aに当接されて当該マグネット部12Aの磁力によってスパッタ装置側搬送アーム12側にも吸着保持されることになる(図1、図4、図5等参照)。
【0024】
(4)前述のようにして、基板1の中央部が、吸着軸14によって当接部11側へ所定に押圧されると、基板1の当接面1Aに設けられた係合部1Bと、保持装置10の当接部11の当接面11Aに設けられた係合部11Bと、が係合するようになり、保持装置10に対する基板1の位置決めと保持がなされることになる。
【0025】
なお、既述したように、基板1が当接する保持装置10の当接部11の当接面11Aは、基板1への吸着軸14による押圧力の作用方向AAに対して凹面形状に形成されているため、本実施形態においては、基板1は、当接面11Aの凹面形状に沿って押圧力の作用方向AAに対して凹面形状に変形された状態で、前記係合部1B、11Bにより位置決め保持されることとなる。
【0026】
(5)次に、基板1の保持装置10(当接面11A)に対する位置決め保持を一層確かなものとするために、本実施形態においては、本発明に係る外周保持手段として機能するメカニカルチャック15により基板1の外周を所定に保持する。なお、基板1が当接面11Aの凹面形状に良好に密着するように、前記吸着軸14により基板1を所定に押圧しつつ、メカニカルチャック15による保持動作を行うようにすることが好ましい。
【0027】
具体的には、図1〜図5等に示すように、メカニカルチャック15の開閉(基板1の保持・解放)のためのカム溝16を備えたチャック開閉カムリング20が、保持装置10の当接部11の中心軸の廻りを当接部11に対して相対回転可能に、スパッタ装置側搬送アーム12に取り付けられている。カム溝16には、カムフォロワ17が挿入されており、当該カムフォロワ17には軸18を介してメカニカルチャック15が取り付けられている。なお、当接部11及び支持部21の中心軸は、基板1の中心軸Aと一致するよう配設されている。
【0028】
前記軸18は、当該軸18の中心軸Bと基板1の中心軸Aとを含む平面内(即ち、図3平面内)において基板1の中心軸Aと略平行に延伸されている。
【0029】
また、軸18と略直交し、軸18の中心軸Bと基板1の中心軸Aとを含む平面(図3平面)に沿って延在されるスライド溝19が、保持装置10の当接部11を支持する支持部21に設けられている。
【0030】
このスライド溝19には、前記軸18が当該スライド溝19の長手方向(図2、図3等においてZ方向)に移動自在に挿通されている。また、軸18に取り付けられるメカニカルチャック15は、スライド溝19の長手方向(図2においてZ方向)に移動自在にアリ溝15Aに嵌挿されている。
【0031】
なお、前記カム溝16は、図2に示すように、チャック開閉カムリング20の周方向(X方向)に対して所定に交差する方向(Y方向)に延在しており、図2平面においてチャック開閉カムリング20が、保持装置10、当接部11延いては基板1に対して相対的にX方向に回動されると、当該カム溝16に移動自在に嵌挿されている前記カムフォロワ17は、カム溝16からの作用を受けることになる。このとき、カムフォロワ17に取り付けられている軸18は、スライド溝19に移動自在に収容されているので、前記カム溝16からの作用を受けると、カムフォロワ17延いては軸18は、スライド溝19に沿って、図2、図3等に示すZ方向に移動されることになる。
【0032】
より詳細には、チャック開閉カムリング20が図2において時計方向に回動されると、各々のカムフォロワ17延いては軸18がZ方向において中心軸Aに接近する方向に移動されることになるので、各々の軸18に取り付けられているメカニカルチャック15も前記アリ溝15Aに沿って同方向に移動されることになる。従って、メカニカルチャック15が当接部11に保持されている基板1の外周部を所定に保持することになる。
【0033】
この一方、チャック開閉カムリング20が図2において反時計方向に回動されると、各々のカム17延いては軸18がZ方向において中心軸Aから離間する方向に移動されることになるので、各々の軸18に取り付けられているメカニカルチャック15も前記アリ溝15Aに沿って同方向に移動されることになる。従って、メカニカルチャック15は当接部11に保持されている基板1の外周部を解放することになる。
【0034】
なお、チャック開閉カムリング20のメカニカルチャック15の開閉のための回動は、当該チャック開閉カムリング20に設けられるノック穴20Aに係合する大気側搬送アーム13のノックピン13Aの中心軸A廻りの回動動作によってなすことができる。
【0035】
(6)前述のようにして、メカニカルチャック15により基板1の外周部を保持する動作が行われると、続いて、大気側搬送アーム13のマグネット部30を支持するマグネットホルダ31が、大気側搬送アーム13の図5において右方向に後退して、マグネット部30の磁力によるマスク40に対する吸着保持を解放する。
【0036】
本実施形態においては、図5に示すように、大気側搬送アーム13の構成要素であってマスク40とマグネット部30との間に介装される押圧部材32が、マスク40をスパッタ装置側搬送アーム12側へ所定に押圧するようになっているので、マグネットホルダ31延いてはマグネット部30を図5の右方向へ後退させる際に、マスク40に対するマグネット部30の吸着保持力に抗して、マグネットホルダ31延いてはマグネット部30を良好に図5の右方向へ後退させることができるようになっている。
【0037】
なお、マグネットホルダ31延いてはマグネット部30が図5において右方向に移動してマグネット部30がマスク40から離間しても、既述したように、マスク40は、スパッタ装置側搬送アーム12のマグネット部12Aの磁力により吸着保持されているので、マスク40はスパッタ装置側搬送アーム12の所定位置に良好に保持されることとなる。
【0038】
以上のようにして、本実施形態において、大気側搬送アーム13が保持していた基板1とマスク40とを、スパッタ装置側搬送アーム12に受け渡すことができ、かつスパッタ装置側搬送アーム13に対して基板1が所定に位置決め保持されることになる。
【0039】
そして、スパッタ装置側搬送アーム13は、図示しないスパッタ処理部のハウジング等と接合部50を介して接続され、その後ハウジング内が真空排気され、所定に基板1に対するスパッタ処理が実行される。
【0040】
スパッタ処理後において、スパッタ装置側搬送アーム12が保持する基板1とマスク40とを、大気側搬送アーム13に受け渡すが、かかる動作は上記(1)−(6)において記載した手順と逆の動作を行うことにより達成することができる。
【0041】
なお、メカニカルチャック15による基板1の外周部の保持動作を解放する際に、基板1上に形成された薄膜等への解放時に発生するショック等による悪影響を極力排除するなどのために、前記吸着軸14により基板1の中央部を所定に押圧しつつメカニカルチャック15による保持動作を解放するようにすることができる。即ち、メカニカルチャック15を解放する際には、予め吸着軸14で基板1の中央部分を所定に押圧したうえでメカニカルチャック15を解放し、その後において、徐々に前記吸着軸14による基板1の中央部への押圧を解放したうえで、吸着軸14による基板1の吸着力を介した前記係合部1B、11Bの係合解放延いては所定位置への基板1の搬送等を行わせるようにすることが好ましい。
【0042】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板1に係合部1Bを設け、基板1を保持する側の当接部11に係合部11Bを設けるようにして、これら係合部を介して、基板1を保持装置10に保持するようにしたので、例え中央部に貫通穴のない基板1であっても保持装置10に対して良好に位置決め保持することができる。
【0043】
また、本実施形態においては、当接部11の基板1との当接面11Aを凹面形状とし、保持される基板1の被処理面が凹面形状となるように(例えば、スパッタ処理における薄膜形成物質の飛来方向に対して基板1が凹面形状に変形されるように)し、かかる状態において基板1の被処理面1Cに対してスパッタ処理を行うようにした。
【0044】
このように、基板1が、薄膜形成物質の飛来方向に対して凹面形状に変形された状態で被処理面1Cにスパッタ処理を行うようにすると、従来のように薄膜形成物質の飛来方向に対して略直交して平坦に基板表面を配設する場合に比べ、基板表面に形成される薄膜の品質(例えば、膜厚等)の均一化を促進することができる。
【0045】
更に、基板1は、薄膜形成物質の飛来方向に対して凹面形状に変形された状態で当接部11の当接面11Aに当接されることになるので、従来のような凹面形状に変形させない場合に比べ、基板1の当接面1Aと、当接部11の当接面11Aと、の密着性を高めることができ、スパッタ処理時等における冷却通路11Cを介した基板1の冷却効率を改善することができることとなる。
【0046】
加えて、本実施形態では、メカニカルチャック15により、基板1の外周部を保持するようにしたので、例え中央部に貫通穴のない基板1であっても良好に位置決め保持することができ、前記係合部1B、11Bによる位置決め保持と組み合わせることで、より一層確実で高精度な基板1の位置決め保持を達成することが可能となる。
【0047】
更に、メカニカルチャック15により、基板1の外周部を保持するようにすると、以下のような作用効果を奏することも可能となる。
【0048】
即ち、
マスク40は、基板1の被処理面1Cに、反射膜としての金属薄膜等をスパッタ処理を用いて形成する際に、基板1の外周部を覆うことで前記金属薄膜が形成されないようにするために用いられるものであるが、かかるマスク40が基板1の被処理面1Cと接触すると、膜形成時に薄膜とマスク40との間で異常放電が発生する場合がある。このことは、薄膜形成に悪影響(例えば、異常放電部或いはその近傍における膜厚異常の発生等)を及ぼす惧れがあり好ましくない。このため、基板1の被処理面1Cとマスク40とは微少間隔t(図3、図6、図7参照)を空けて保持されることが好ましい。
【0049】
しかしながら、従来においては、基板中央部に開口された貫通穴を位置決め基準として位置決め保持が行われ、基板1の外周部における保持はなされていなかったため、種々の要因により(従来は、基板1の中心部を保持していることから、加工精度や保持精度のバラツキ、微小振動等の影響が基板1の外周部において大きくなる傾向にある)、基板1の外周部においてマスク40が基板1の被処理面1Cと接触してしまう惧れが比較的高かった。
【0050】
この一方、本実施形態においては、既述したように、メカニカルチャック15により基板1の外周部を保持可能な構成としたので、基板1の外周部の保持が極めて良好になされるので、基板1の外周部においてマスク40が基板1の被処理面1Cと接触してしまう惧れを極力回避することができ、以って異常放電による薄膜形成への悪影響を最小にとどめることができ、延いては歩留まりを大幅に改善でき生産性を格段に向上させることができることになる。
【0051】
なお、本実施形態では、基板1の中央部に係合部1Bを設け、当接部11に係合部11Bを設けることとして説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。つまり、例えば、係合部1B、11Bを省略して、メカニカルチャック15と、凹面形状に形成された当接面11Aと、を介して、被処理面が凹面形状となるように基板1を変形させて保持装置10に位置決め保持する構成とすることもできる。かかる場合でも、上述した各種の効果を奏することができるのは勿論である。また、これにより、従来の中央部に貫通穴のある基板であっても、中央部に貫通穴のない基板であっても、両者を区別することなくハンドル(位置決め保持)できることとなり、装置の専用化等を回避できると共に生産システム設計の自由度等を高く維持することができる。
【0052】
また、例えば、従来の中央部に貫通穴のある基板の該貫通穴を、本実施形態で説明した中央部に貫通のない基板1の係合部1Bとして利用することも可能である。かかる場合において、当接面11Aの係合部11Bは、保持される基板側に向けて凸形状となるように形成されるべきことは勿論である。
【0053】
上記実施の形態では、円板状部材に対する処理の一例としてスパッタ処理について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0054】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、円板状部材の被処理面が所定の凹面形状となるように変形させて保持するようにしたので、例えば、前記被処理面に対してスパッタ処理を行う場合(薄膜形成物質の飛来方向に対して円板状部材の被処理面が凹面形状となるようにしてスパッタ処理を行う場合)において、従来のように薄膜形成物質の飛来方向に対して略直交して平坦に基板表面を配設する場合に比べ、円板状部材の秘書裏面に形成される薄膜の品質(例えば、膜厚等)の均一化を促進することができる。
【0055】
更に、従来のように凹面形状に変形させない場合に比べ、円板状部材の被処理面と反対側の面(即ち、円板状部材の裏面)と、これに当接する保持装置の当接面と、の密着性を高めることができるので、スパッタ処理時等において、前記当接面を介して行われる円板状部材の冷却の効率を高めることもできる。
【0056】
また、係合手段や外周保持手段を介して、円板状部材を保持するようにしたので、例え中央部に貫通穴のない円板状部材であっても良好に位置決め保持することが可能となる。
【0057】
更に、外周保持手段を介して、円板状部材の外周部を保持するようにすれば、円板状部材の外周部を良好に保持できるので、円板状部材の被処理面に反射膜としての金属薄膜等をスパッタ処理を用いて形成等する際に、円板状部材の外周部に金属薄膜等が形成されないように前記被処理面と所定間隙をもって配設されるマスクと、円板状部材の被処理面と、の接触を確実に防止できるので、該接触により生じる異常放電を防止でき、以って薄膜形成への悪影響を極力回避でき、延いては歩留まりが大幅に改善され生産性を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る円板状部材の保持装置を含んで構成されるスパッタ装置側搬送アームの一例を示す断面図である。
【図2】図1に示すスパッタ装置側搬送アームの上面図である。
【図3】図1におけるC部の拡大図である。
【図4】大気側搬送アームとスパッタ装置側搬送アームとの間で行われる円板状部材(基板)の受け渡し動作(受け渡し前の状態)を説明する図である。
【図5】大気側搬送アームとスパッタ装置側搬送アームとの間で行われる円板状部材(基板)の受け渡し動作(受け渡し後の状態)を説明する図である。
【図6】図5におけるa部の拡大図である。
【図7】図5におけるb部の拡大図である。
【図8】図5におけるc部の拡大図である。
【符号の説明】
1 基板(円板状部材)
1A 当接面
1B 係合部(円板状部材側係合部)
1C 被処理面
10 保持装置
11 当接部
11A 当接面
11B 係合部(当接面側係合部)
15 メカニカルチャック(外周保持手段)

Claims (3)

  1. 円板状部材を、当該円板状部材の被処理面が所定の凹面形状となるように変形させて保持する保持手段を有する円板状部材保持装置であって、前記保持手段は、
    前記被処理面の反対側の面と当接して、前記被処理面を所定の凹面形状に変形させる凹面形状に形成された当接面と、
    前記円板状部材を前記保持装置に受け渡す吸着軸とを備え、
    該吸着軸は、前記反対側の面を前記当接面に当接させる際に、前記被処理面の中央部をその厚さ方向に押圧して前記反対側の面を前記当接面に当接させることを特徴とする円板状部材保持装置
  2. 請求項1に記載の円板状部材保持装置であって、
    前記保持手段は、
    前記当接面と、前記被処理面の反対側の面とを当接させて前記被処理面を所定の凹面形状に変形させつつ、前記円板状部材に設けられる円板状部材側係合部と、前記当接面に設けられる当接面側係合部と、を介して前記円板状部材と前記当接面とを係合する係合手段をさらに有していることを特徴とする円板状部材保持装置。
  3. 請求項1または2のいずれか一項に記載の円板状部材保持装置であって,
    前記保持手段は、
    前記当接面と、前記被処理面の反対側の面と、を当按させて前記被処理面を所定の凹面形状に変形させ、前記円板状部材の外周部を保持する外周保持手段をさらに有していることを特徴とする円板状部材保持装置。
JP2002061624A 2002-03-07 2002-03-07 円板状部材保持装置 Expired - Fee Related JP4082566B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002061624A JP4082566B2 (ja) 2002-03-07 2002-03-07 円板状部材保持装置
CNB038054345A CN1327029C (zh) 2002-03-07 2003-03-07 圆盘状元件保持装置
KR1020047013885A KR100606314B1 (ko) 2002-03-07 2003-03-07 원판형 부재 보유 지지 장치
PCT/JP2003/002692 WO2003074756A1 (fr) 2002-03-07 2003-03-07 Dispositif de retenue d'element de type disque
TW092104966A TWI256046B (en) 2002-03-07 2003-03-07 Disk-like member holding device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002061624A JP4082566B2 (ja) 2002-03-07 2002-03-07 円板状部材保持装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003263799A JP2003263799A (ja) 2003-09-19
JP4082566B2 true JP4082566B2 (ja) 2008-04-30

Family

ID=27784862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002061624A Expired - Fee Related JP4082566B2 (ja) 2002-03-07 2002-03-07 円板状部材保持装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP4082566B2 (ja)
KR (1) KR100606314B1 (ja)
CN (1) CN1327029C (ja)
TW (1) TWI256046B (ja)
WO (1) WO2003074756A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102443776B (zh) * 2011-06-10 2013-06-26 星弧涂层科技(苏州工业园区)有限公司 聚焦反射镜的镀膜夹具
JP6110664B2 (ja) * 2013-01-07 2017-04-05 三菱重工業株式会社 蒸着用基板保持トレイを備える真空蒸着装置
CN114434242B (zh) * 2022-02-21 2023-02-17 无锡芯坤电子科技有限公司 一种晶圆打磨设备及其使用方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04280969A (ja) * 1991-03-08 1992-10-06 Fujitsu Ltd スパッタリング方法
JP2756639B2 (ja) * 1994-04-07 1998-05-25 東京応化工業株式会社 回転カップ式処理装置
JP3443757B2 (ja) * 1995-02-22 2003-09-08 石川島播磨重工業株式会社 イオンシャワードーピング装置
JPH09217173A (ja) * 1996-02-14 1997-08-19 Nissin Electric Co Ltd 基板保持装置およびそれへの基板装着方法
FR2746115B1 (fr) * 1996-03-15 1998-05-22 Support de substrats pour installation d'evaporation
JPH09320799A (ja) * 1996-05-27 1997-12-12 Hitachi Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2002170871A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Kyocera Corp 静電チャック

Also Published As

Publication number Publication date
CN1639382A (zh) 2005-07-13
TWI256046B (en) 2006-06-01
KR20040091104A (ko) 2004-10-27
TW200304138A (en) 2003-09-16
CN1327029C (zh) 2007-07-18
JP2003263799A (ja) 2003-09-19
KR100606314B1 (ko) 2006-07-31
WO2003074756A1 (fr) 2003-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4082566B2 (ja) 円板状部材保持装置
JP3957173B2 (ja) 円板状基板用成膜装置に対する基板の受け渡し方法、当該方法に用いられる基板受け渡し機構および基板ホルダ、および当該方法を用いたディスク状記録媒体の製造方法
JP2003293132A (ja) 薄膜形成装置に対する基板の交換ユニットおよび基板交換方法
JP3983113B2 (ja) 円板状基板用成膜装置に対する基板の受け渡し方法、基板受け渡しシステム、および当該方法を用いたディスク状記録媒体の製造方法
WO2003085659A1 (fr) Procede de distribution de substrats dans un dispositif de formation de film pour la formation de substrats en forme de disque, mecanisme de distribution de substrat et masque utilises dans ce procede et procede de production de support d'enregistrement en forme de disque au moyen de ce procede
JP3949473B2 (ja) 円板状基板用スパッタ装置、当該装置における基板チャッキング方法、当該装置を用いたディスク状記録媒体の製造方法
JP4114799B2 (ja) Dvdカードおよび非円形の形状を有するその他のディスクの製作
WO2011091651A1 (zh) 精准定位溅镀装置及其定位方法
JP3911326B2 (ja) 被処理基板用インナーマスク
JP3466387B2 (ja) 成膜方法および成膜装置
JP3411326B2 (ja) スパッタリング装置
JP4601565B2 (ja) シート剥離方法及びシート剥離装置
JP2005018814A (ja) 円板状基板用内マスク、成膜装置に対する内マスク、外マスクおよび基板の受け渡し方法、および当該方法を用いた円板状記録媒体の製造方法
KR100697164B1 (ko) 원판형 기판용 성막 장치에 대한 기판의 교환 방법, 상기방법에 이용되는 기판 교환 기구 및 기판 홀더, 및 상기방법을 이용한 디스크형 기록 매체의 제조 방법
JP2000207785A (ja) 光ディスク用スタンパ剥離装置および剥離方法
JPH04214866A (ja) スパッタリング装置
JPH0729218A (ja) 光ディスク用マスク
KR20050021020A (ko) 원판형 기판용 성막 장치에 대한 기판의 교환 방법, 상기방법에 이용되는 기판 교환 기구 및 기판 홀더 및 상기방법을 이용한 디스크형 기록 매체의 제조 방법
JP2006134512A (ja) 磁気転写装置のディスクホルダ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070207

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070404

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080207

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees