JP3443757B2 - イオンシャワードーピング装置 - Google Patents
イオンシャワードーピング装置Info
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- JP3443757B2 JP3443757B2 JP03325395A JP3325395A JP3443757B2 JP 3443757 B2 JP3443757 B2 JP 3443757B2 JP 03325395 A JP03325395 A JP 03325395A JP 3325395 A JP3325395 A JP 3325395A JP 3443757 B2 JP3443757 B2 JP 3443757B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオンシャワードーピ
ング装置に関する。
ング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイ等の製造工程では、反
応性ガスをプラズマ化して得られたイオンビームを大面
積（３００ｍｍ角以上）のガラス基板上の薄膜シリコン
層に照射して所望の不純物をドーピングする処理が行わ
れる。
応性ガスをプラズマ化して得られたイオンビームを大面
積（３００ｍｍ角以上）のガラス基板上の薄膜シリコン
層に照射して所望の不純物をドーピングする処理が行わ
れる。
【０００３】図６は従来のイオンシャワードーピング装
置の概念図である。
置の概念図である。
【０００４】同図において、１はイオン源であり、チャ
ンバ２内に導入された作動ガスにフィラメント３から放
出される電子を作用させてプラズマを生成し、これを複
数のリング状の永久磁石４によってチャンバ２内に閉じ
込めつつ、ビーム引出し電極５によって電界を印加する
ことでプラズマ中のイオンをイオン閉込め電極６を通し
て引出し、これを加速電極７の電界で加速してイオンビ
ームＩＢを発生させる。イオン源１で発生したイオンビ
ームＩＢは、イオン源１に接続された注入室８内に配置
された基板９に照射される。
ンバ２内に導入された作動ガスにフィラメント３から放
出される電子を作用させてプラズマを生成し、これを複
数のリング状の永久磁石４によってチャンバ２内に閉じ
込めつつ、ビーム引出し電極５によって電界を印加する
ことでプラズマ中のイオンをイオン閉込め電極６を通し
て引出し、これを加速電極７の電界で加速してイオンビ
ームＩＢを発生させる。イオン源１で発生したイオンビ
ームＩＢは、イオン源１に接続された注入室８内に配置
された基板９に照射される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板９にイ
オンを注入するとイオンのエネルギーによって基板９が
発熱して歪クラック等が発生することがあるので冷却す
る必要がある。このため基板９を保持する基板ホルダ１
０を冷却することにより基板９を冷却することが考えら
れる。注入室内は通常真空のため基板ホルダ１０に基板
９を密着させて熱伝導によって冷却する必要がある。半
導体用のイオン注入装置ではシリコンウエハーを基板ホ
ルダに密着させるために、基板ホルダ全体を高速で回転
させ、その際生じる遠心力でシリコンウエハーを基板ホ
ルダに密着させることが行われていた。
オンを注入するとイオンのエネルギーによって基板９が
発熱して歪クラック等が発生することがあるので冷却す
る必要がある。このため基板９を保持する基板ホルダ１
０を冷却することにより基板９を冷却することが考えら
れる。注入室内は通常真空のため基板ホルダ１０に基板
９を密着させて熱伝導によって冷却する必要がある。半
導体用のイオン注入装置ではシリコンウエハーを基板ホ
ルダに密着させるために、基板ホルダ全体を高速で回転
させ、その際生じる遠心力でシリコンウエハーを基板ホ
ルダに密着させることが行われていた。
【０００６】しかし大型の基板９を高速で回転させるの
は困難であり、基板ホルダ１０を回転させない場合には
イオン注入による発熱で基板９が膨張して基板ホルダ１
０から浮いたり反ったりしてしまう。
は困難であり、基板ホルダ１０を回転させない場合には
イオン注入による発熱で基板９が膨張して基板ホルダ１
０から浮いたり反ったりしてしまう。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、大型の基板を基板ホルダに密着させることができる
イオンシャワードーピング装置を提供することにある。
し、大型の基板を基板ホルダに密着させることができる
イオンシャワードーピング装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、イオン源からのイオンビームを基板に照射
してイオンを注入するイオンシャワードーピング装置に
おいて、基板を保持すると共にその保持面が略凹面状に
形成された基板ホルダと、基板ホルダの両端にそれぞれ
設けられ基板を基板ホルダの内方に押付けるための基板
押さえとを備えたイオンシャワードーピング装置であっ
て、基板押さえを、基板ホルダの凹面の両端部で斜めに
移動自在な複数のピンと、各ピンを基板側へ押圧するバ
ネと、基板押さえを基板ホルダ側に移動させる移動手段
とで構成したものである。
に本発明は、イオン源からのイオンビームを基板に照射
してイオンを注入するイオンシャワードーピング装置に
おいて、基板を保持すると共にその保持面が略凹面状に
形成された基板ホルダと、基板ホルダの両端にそれぞれ
設けられ基板を基板ホルダの内方に押付けるための基板
押さえとを備えたイオンシャワードーピング装置であっ
て、基板押さえを、基板ホルダの凹面の両端部で斜めに
移動自在な複数のピンと、各ピンを基板側へ押圧するバ
ネと、基板押さえを基板ホルダ側に移動させる移動手段
とで構成したものである。
【０００９】また、本発明は、イオン源からのイオンビ
ームを基板に照射してイオンを注入するイオンシャワー
ドーピング装置において、基板を保持すると共にその保
持面が略凹面状に形成された基板ホルダと、基板ホルダ
の両端にそれぞれ設けられ基板を基板ホルダの内方に押
付けるための基板押さえとを備えたイオンシャワードー
ピング装置であって、基板押さえを、基板ホルダの両端
部に配置され基板を凹面に押付けるための押付け部材
と、押し付け部材を基板に垂直な方向に移動させる移動
手段と、基板に垂直に配置され両端面から挟んで内方に
湾曲させるための板状部材と、板状部材を略基板の面方
向に平行に移動させる他の移動手段とで構成したもので
ある。
ームを基板に照射してイオンを注入するイオンシャワー
ドーピング装置において、基板を保持すると共にその保
持面が略凹面状に形成された基板ホルダと、基板ホルダ
の両端にそれぞれ設けられ基板を基板ホルダの内方に押
付けるための基板押さえとを備えたイオンシャワードー
ピング装置であって、基板押さえを、基板ホルダの両端
部に配置され基板を凹面に押付けるための押付け部材
と、押し付け部材を基板に垂直な方向に移動させる移動
手段と、基板に垂直に配置され両端面から挟んで内方に
湾曲させるための板状部材と、板状部材を略基板の面方
向に平行に移動させる他の移動手段とで構成したもので
ある。
【００１０】
【００１１】
【作用】上記構成によれば、基板が基板押さえによって
基板ホルダの内方に押し付けられており、かつ、基板ホ
ルダが凹面状に形成されているので、大型の基板が内方
に湾曲して凹面に密着する。このような基板にイオン注
入を行うと基板が発熱して膨脹するが、基板押さえで膨
脹分が吸収されるので大型の基板が基板ホルダに密着す
る。このためイオン注入時の基板の温度上昇が押さえら
れる。
基板ホルダの内方に押し付けられており、かつ、基板ホ
ルダが凹面状に形成されているので、大型の基板が内方
に湾曲して凹面に密着する。このような基板にイオン注
入を行うと基板が発熱して膨脹するが、基板押さえで膨
脹分が吸収されるので大型の基板が基板ホルダに密着す
る。このためイオン注入時の基板の温度上昇が押さえら
れる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。尚、図６に示した従来例と同様の部材には
共通の符号を用いた。
て詳述する。尚、図６に示した従来例と同様の部材には
共通の符号を用いた。
【００１３】図１は本発明のイオンシャワードーピング
装置の一実施例の概念図である。
装置の一実施例の概念図である。
【００１４】同図において、１はイオン源であり、チャ
ンバ２内に導入された作動ガスにフィラメント３から放
出される電子を作用させてプラズマを生成し、これを複
数のリング状の永久磁石４によってチャンバ２内に閉じ
込めつつ、ビーム引出し電極５によって電界を印加する
ことでプラズマ中のイオンをイオン閉込め電極６を通し
て引出し、これを加速電極７の電界で加速してイオンビ
ームＩＢを発生させる。
ンバ２内に導入された作動ガスにフィラメント３から放
出される電子を作用させてプラズマを生成し、これを複
数のリング状の永久磁石４によってチャンバ２内に閉じ
込めつつ、ビーム引出し電極５によって電界を印加する
ことでプラズマ中のイオンをイオン閉込め電極６を通し
て引出し、これを加速電極７の電界で加速してイオンビ
ームＩＢを発生させる。
【００１５】８はイオン源１に接続され、基板９ａにイ
オン注入を行うための注入室である。基板９ａは基板ホ
ルダ２０にその周辺部で基板押さえ２１ａ、２１ｂによ
って基板ホルダ２０に押し付けられている。基板ホルダ
２０の表面（保持面）２０ａは略凹面状に形成されてい
る。この凹面は、基板９を破壊しない程度に内方に湾曲
させたときの基板９ａが形成する曲面に等しくなってい
る。
オン注入を行うための注入室である。基板９ａは基板ホ
ルダ２０にその周辺部で基板押さえ２１ａ、２１ｂによ
って基板ホルダ２０に押し付けられている。基板ホルダ
２０の表面（保持面）２０ａは略凹面状に形成されてい
る。この凹面は、基板９を破壊しない程度に内方に湾曲
させたときの基板９ａが形成する曲面に等しくなってい
る。
【００１６】図２は図１に示した基板ホルダ周辺の拡大
図である。
図である。
【００１７】同図に示すように基板ホルダ２０の両側下
部には移動手段としてのエアシリンダ２３、２４が互い
に平行かつ基板ホルダ２０の裏面２０ｂに垂直になるよ
うに配置されている。各エアシリンダ２３、２４のピス
トンロッド２５、２６の先端には、断面略Ｌ字形状の平
面押さえピン２７、２８が互いに向き合うように、か
つ、凸部２７ａ、２８ａが下向きになるように取り付け
られている。凸部２７ａ、２８ａの下端は基板９ａ
（９）を傷めないように丸みを帯びている。
部には移動手段としてのエアシリンダ２３、２４が互い
に平行かつ基板ホルダ２０の裏面２０ｂに垂直になるよ
うに配置されている。各エアシリンダ２３、２４のピス
トンロッド２５、２６の先端には、断面略Ｌ字形状の平
面押さえピン２７、２８が互いに向き合うように、か
つ、凸部２７ａ、２８ａが下向きになるように取り付け
られている。凸部２７ａ、２８ａの下端は基板９ａ
（９）を傷めないように丸みを帯びている。
【００１８】平面押さえピン２７、２８の基部２７ｂ、
２８ｂには斜め下側に（基板の内方に向かって）所定の
距離だけ移動自在なピン２９、３０が設けられている。
ピン２９、３０には基板圧力調整バネ（以下「バネ」と
いう。）３１、３２が取り付けられている。
２８ｂには斜め下側に（基板の内方に向かって）所定の
距離だけ移動自在なピン２９、３０が設けられている。
ピン２９、３０には基板圧力調整バネ（以下「バネ」と
いう。）３１、３２が取り付けられている。
【００１９】ピストンロッド２５、２６のピン２９、３
０の下側には、基板９を両端で保持するためのピン３
３、３４が、ピストンロッド２５、２６に垂直、かつ、
互いに向き合うように取り付けられている。平面押さえ
ピン２７、２８の凸部２７ａ、２８ａの下端とピン３
３、３４とは基板９が挿入できるような間隔Ｐｔが設け
られている。また、平面押さえピン２８の下端と平面押
さえピン２９の下端との間隔は基板９の一辺の長さＷｐ
に等しくなっている。
０の下側には、基板９を両端で保持するためのピン３
３、３４が、ピストンロッド２５、２６に垂直、かつ、
互いに向き合うように取り付けられている。平面押さえ
ピン２７、２８の凸部２７ａ、２８ａの下端とピン３
３、３４とは基板９が挿入できるような間隔Ｐｔが設け
られている。また、平面押さえピン２８の下端と平面押
さえピン２９の下端との間隔は基板９の一辺の長さＷｐ
に等しくなっている。
【００２０】基板ホルダ２０の端部には、ピストンロッ
ド２５、２６が下降する時にピン３３、３４が基板ホル
ダ２０と接触しないような溝３５、３６がそれぞれ形成
されている。
ド２５、２６が下降する時にピン３３、３４が基板ホル
ダ２０と接触しないような溝３５、３６がそれぞれ形成
されている。
【００２１】これらピン２９、３０、３３、３４、平面
押さえピン２７、２８、バネ３１、３２及びエアシリン
ダ２３、２４で基板押さえ２１ａ、２１ｂが構成されて
いる。尚、図では基板押さえ２１ａ、２１ｂの数は２つ
であるが、これに限定されるものではなく、紙面に垂直
な方向に複数個設けてもよいのはいうまでもない。
押さえピン２７、２８、バネ３１、３２及びエアシリン
ダ２３、２４で基板押さえ２１ａ、２１ｂが構成されて
いる。尚、図では基板押さえ２１ａ、２１ｂの数は２つ
であるが、これに限定されるものではなく、紙面に垂直
な方向に複数個設けてもよいのはいうまでもない。
【００２２】次に実施例の作用を述べる。
【００２３】図示しない搬送手段で基板９を、平面押さ
えピン２７、２８とピン３３、３４との間に（紙面に垂
直な方向に）挿入する。基板９が挿入された後エアシリ
ンダ２３、２４を駆動して両ピストンロッド２５、２６
を下げてエアシリンダ側に移動させると、基板９には平
面押さえピン２７、２８によって基板ホルダ２０の凹面
２０ａ側に向かう力が生じて内方に湾曲し、凹面２０ａ
に押し付けられる。
えピン２７、２８とピン３３、３４との間に（紙面に垂
直な方向に）挿入する。基板９が挿入された後エアシリ
ンダ２３、２４を駆動して両ピストンロッド２５、２６
を下げてエアシリンダ側に移動させると、基板９には平
面押さえピン２７、２８によって基板ホルダ２０の凹面
２０ａ側に向かう力が生じて内方に湾曲し、凹面２０ａ
に押し付けられる。
【００２４】このような基板９ａにイオン注入を行うと
基板９ａが発熱して膨脹するが、基板９ａの端部ではバ
ネ３１、３２によって外方に向かう伸びが吸収され、基
板９ａは基板ホルダ２０に密着した状態が保持される。
このためイオン注入ときの基板９ａの温度上昇が押さえ
られる。また、基板９ａのクラックや反りや浮きが防止
される。
基板９ａが発熱して膨脹するが、基板９ａの端部ではバ
ネ３１、３２によって外方に向かう伸びが吸収され、基
板９ａは基板ホルダ２０に密着した状態が保持される。
このためイオン注入ときの基板９ａの温度上昇が押さえ
られる。また、基板９ａのクラックや反りや浮きが防止
される。
【００２５】図３は本発明のイオンシャワードーピング
装置に用いられる基板ホルダの他の実施例の平面図であ
る。図４は図３のＡ−Ａ線断面図、図５は図３のＢ−Ｂ
線断面図である。
装置に用いられる基板ホルダの他の実施例の平面図であ
る。図４は図３のＡ−Ａ線断面図、図５は図３のＢ−Ｂ
線断面図である。
【００２６】図２に示した実施例との相違点は、基板に
対して基板の表面に垂直な方向の力と水平な方向の力と
を同時に加えることにより基板を基板ホルダの凹面に密
着させる点である。
対して基板の表面に垂直な方向の力と水平な方向の力と
を同時に加えることにより基板を基板ホルダの凹面に密
着させる点である。
【００２７】図３に示すように、基板ホルダ４０の四隅
の近傍には４つの溝４１、４２、４３、４４が形成され
ている。溝４１、４２は互いに平行であり、溝４３、４
４は溝４１、４２に対向して形成されている。各溝４
１、４２、４３、４４内には板状の基板圧力調整板（以
下「ロッド」という。）４５、４６、４７、４８が基板
ホルダ４０に垂直に配置されている。溝４１、４２の間
には平面押さえピン４９、５０が設けられ、溝４３、４
４の間には平面押さえピン５１、５２が設けられてい
る。
の近傍には４つの溝４１、４２、４３、４４が形成され
ている。溝４１、４２は互いに平行であり、溝４３、４
４は溝４１、４２に対向して形成されている。各溝４
１、４２、４３、４４内には板状の基板圧力調整板（以
下「ロッド」という。）４５、４６、４７、４８が基板
ホルダ４０に垂直に配置されている。溝４１、４２の間
には平面押さえピン４９、５０が設けられ、溝４３、４
４の間には平面押さえピン５１、５２が設けられてい
る。
【００２８】図４に示すように保持面（表面）４０ａに
凹面が形成された基板ホルダ４０の下部両側には２つの
基板圧力調整アクチュエータ（以下「エアシリンダ」と
いう。）５３、５４が同軸かつ互いに向き合うように水
平に配置されている。エアシリンダ５３、５４のピスト
ンロッド５５、５６の先端にはピストンロッド５５、５
６の長手方向に沿った基板圧力調整バネ（以下「バネ」
という。）５７、５８の一端が取り付けられており、そ
のバネ５７、５８の他端には、基板ホルダ４０の裏面４
０ｂに垂直に配置された板状のロッド４５、４７の下端
が取り付けられている。これらのバネ５７、５８は基板
９ａがイオン注入時の熱による膨張を吸収する機能を有
している。
凹面が形成された基板ホルダ４０の下部両側には２つの
基板圧力調整アクチュエータ（以下「エアシリンダ」と
いう。）５３、５４が同軸かつ互いに向き合うように水
平に配置されている。エアシリンダ５３、５４のピスト
ンロッド５５、５６の先端にはピストンロッド５５、５
６の長手方向に沿った基板圧力調整バネ（以下「バネ」
という。）５７、５８の一端が取り付けられており、そ
のバネ５７、５８の他端には、基板ホルダ４０の裏面４
０ｂに垂直に配置された板状のロッド４５、４７の下端
が取り付けられている。これらのバネ５７、５８は基板
９ａがイオン注入時の熱による膨張を吸収する機能を有
している。
【００２９】ロッド４５、４７は基板ホルダ４０の端部
に形成された溝４１、４３内を水平方向に移動できるよ
うになっており、ロッド４５、４７の中央部は基板９ａ
と接触して、基板９ａを両端面から挟んで内方（図４で
は下側）に湾曲させるようになっている。ロッド４６、
４８も同様に構成されており基板９を両側から挟んで湾
曲させて保持面４０ａに押し付けるようになっている。
に形成された溝４１、４３内を水平方向に移動できるよ
うになっており、ロッド４５、４７の中央部は基板９ａ
と接触して、基板９ａを両端面から挟んで内方（図４で
は下側）に湾曲させるようになっている。ロッド４６、
４８も同様に構成されており基板９を両側から挟んで湾
曲させて保持面４０ａに押し付けるようになっている。
【００３０】図３及び図５に示すように、基板ホルダ４
０の両側下部には２つの基板リフト用アクチュエータ
（以下「エアシリンダ」という。）６０、６１が基板ホ
ルダ４０の裏面４０ｂに対して垂直かつ互いに平行に配
置されている。エアシリンダ６０、６１の基板リフト棒
（以下「ピストンロッド」という。）６２、６３は基板
ホルダ４０の端部を摺動自在に貫通しており、ピストン
ロッド６２、６３の先端には断面略Ｌ字形状の押し付け
部材としての平面押さえピン５０、５２が互いに向き合
うように、かつ、凸部５０ａ、５２ａが下向きになるよ
うに取り付けられている。ピストンロッド６２、６３の
平面押さえピン５０、５２の下部には基板の両端を保持
するためのピン６４、６５がピストンロッド６２、６３
に垂直、かつ対向して設けられている。尚、エアシリン
ダ５３、５４と、エアシリンダ６０、６１とで移動手段
が構成されている。
０の両側下部には２つの基板リフト用アクチュエータ
（以下「エアシリンダ」という。）６０、６１が基板ホ
ルダ４０の裏面４０ｂに対して垂直かつ互いに平行に配
置されている。エアシリンダ６０、６１の基板リフト棒
（以下「ピストンロッド」という。）６２、６３は基板
ホルダ４０の端部を摺動自在に貫通しており、ピストン
ロッド６２、６３の先端には断面略Ｌ字形状の押し付け
部材としての平面押さえピン５０、５２が互いに向き合
うように、かつ、凸部５０ａ、５２ａが下向きになるよ
うに取り付けられている。ピストンロッド６２、６３の
平面押さえピン５０、５２の下部には基板の両端を保持
するためのピン６４、６５がピストンロッド６２、６３
に垂直、かつ対向して設けられている。尚、エアシリン
ダ５３、５４と、エアシリンダ６０、６１とで移動手段
が構成されている。
【００３１】基板ホルダ４０の端部には溝６６、６７が
形成されており、ピストンロッド６２、６３が下降する
時にピン６４、６５が基板ホルダ４０と接触しないよう
になっている。
形成されており、ピストンロッド６２、６３が下降する
時にピン６４、６５が基板ホルダ４０と接触しないよう
になっている。
【００３２】これらロッド４５、４６、４７、４８、平
面押さえピン５０、５２、ピストンロッド５５、５６、
６２、６３及びエアシリンダ６０、６１で基板押さえ２
１ａ、２１ｂが構成されている。
面押さえピン５０、５２、ピストンロッド５５、５６、
６２、６３及びエアシリンダ６０、６１で基板押さえ２
１ａ、２１ｂが構成されている。
【００３３】このような基板ホルダ４０においても図２
に示した実施例と同様に、イオン注入時においても基板
９が基板ホルダ４０に密着するので、イオン注入時の基
板の温度上昇が押さえられる。また、基板９ａのクラッ
クや反りや浮きが防止される。
に示した実施例と同様に、イオン注入時においても基板
９が基板ホルダ４０に密着するので、イオン注入時の基
板の温度上昇が押さえられる。また、基板９ａのクラッ
クや反りや浮きが防止される。
【００３４】以上において本実施例によれば、基板が基
板押さえによって内方に湾曲して基板ホルダの凹面に押
し付けられ、かつ、基板押さえが基板の熱膨張を吸収す
るので、大型の基板を基板ホルダに密着させることがで
き、基板にクラックや反りや浮きが生じることなく、均
一なイオン注入を行うことができる。
板押さえによって内方に湾曲して基板ホルダの凹面に押
し付けられ、かつ、基板押さえが基板の熱膨張を吸収す
るので、大型の基板を基板ホルダに密着させることがで
き、基板にクラックや反りや浮きが生じることなく、均
一なイオン注入を行うことができる。
【００３５】尚、本実施例ではイオン源からのビームの
出射方向が垂直下向きの場合で説明したが、これに限定
されずイオン源からのビームの出射方向が水平、特に大
型の場合には、基板押さえと基板ホルダとを図示しない
筐体に取り付けて一体的に回動できるようにしてもよ
い。この場合基板押さえがイオン源側とイオン源側に対
向する側になるように構成すると、基板が垂直になった
ときに落下することがない。また本実施例ではエアシリ
ンダを用いて基板押さえ駆動した場合で説明したが、こ
れに限定されるものではなく、ソレノイドコイル等他の
手段を用いてもよい。
出射方向が垂直下向きの場合で説明したが、これに限定
されずイオン源からのビームの出射方向が水平、特に大
型の場合には、基板押さえと基板ホルダとを図示しない
筐体に取り付けて一体的に回動できるようにしてもよ
い。この場合基板押さえがイオン源側とイオン源側に対
向する側になるように構成すると、基板が垂直になった
ときに落下することがない。また本実施例ではエアシリ
ンダを用いて基板押さえ駆動した場合で説明したが、こ
れに限定されるものではなく、ソレノイドコイル等他の
手段を用いてもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３７】基板を保持すると共にその保持面が略凹面
状に形成された基板ホルダと、基板ホルダの両端にそれ
ぞれ設けられ基板を基板ホルダの内方に押付けるための
基板押さえとを備えたので、大型の基板を基板ホルダに
密着させることができ、イオン注入時の基板の温度上昇
が押さえられる。
状に形成された基板ホルダと、基板ホルダの両端にそれ
ぞれ設けられ基板を基板ホルダの内方に押付けるための
基板押さえとを備えたので、大型の基板を基板ホルダに
密着させることができ、イオン注入時の基板の温度上昇
が押さえられる。
【図１】本発明のイオンシャワードーピング装置の一実
施例の概念図である。
施例の概念図である。
【図２】図１に示した基板ホルダ周辺の拡大図である。
【図３】本発明のイオンシャワードーピング装置に用い
られる基板ホルダの他の実施例の平面図である。
られる基板ホルダの他の実施例の平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図３のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】従来のイオンシャワードーピング装置の概念図
である。
である。
１ イオン源
８ 注入室
９、９ａ 基板
２０、４０ 基板ホルダ
２０ａ、４０ａ 保持面（表面）
２１ａ、２１ｂ 基板押さえ
ＩＢ イオンビーム
─────────────────────────────────────────────────────
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 21/265 Ｆ
(72)発明者 上野 光
東京都江東区豊洲三丁目１番15号 石川
島播磨重工業株式会社 東二テクニカル
センター内
(72)発明者 高部 正幸
東京都千代田区丸の内一丁目６番２号
石川島播磨重工業株式会社 本社別館内
(56)参考文献 特開 平１−132033（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−105347（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−6753（ＪＰ，Ａ)
実開 平２−731（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭61−123459（ＪＰ，Ｕ)
実開 平４−103643（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 37/317
H01J 37/20
H01L 21/265
Claims (2)
- 【請求項１】 イオン源からのイオンビームを基板に照
射してイオンを注入するイオンシャワードーピング装置
において、基板を保持すると共にその保持面が略凹面状
に形成された基板ホルダと、該基板ホルダの両端にそれ
ぞれ設けられ上記基板を基板ホルダの内方に押付けるた
めの基板押さえとを備えたイオンシャワードーピング装
置であって、上記基板押さえを、基板ホルダの凹面の両
端部で斜めに移動自在な複数のピンと、各ピンを基板側
へ押圧するバネと、基板押さえを基板ホルダ側に移動さ
せる移動手段とで構成したことを特徴とするイオンシャ
ワードーピング装置。 - 【請求項２】 イオン源からのイオンビームを基板に照
射してイオンを注入するイオンシャワードーピング装置
において、基板を保持すると共にその保持面が略凹面状
に形成された基板ホルダと、該基板ホルダの両端にそれ
ぞれ設けられ上記基板を基板ホルダの内方に押付けるた
めの基板押さえとを備えたイオンシャワードーピング装
置であって、上記基板押さえを、基板ホルダの両端部に
配置され基板を凹面に押付けるための押付け部材と、押
し付け部材を基板に垂直な方向に移動させる移動手段
と、上記基板に垂直に配置され両端面から挟んで内方に
湾曲させるための板状部材と、該板状部材を略基板の面
方向に平行に移動させる他の移動手段とで構成したこと
を特徴とするイオンシャワードーピング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03325395A JP3443757B2 (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | イオンシャワードーピング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03325395A JP3443757B2 (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | イオンシャワードーピング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227687A JPH08227687A (ja) | 1996-09-03 |
| JP3443757B2 true JP3443757B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=12381345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03325395A Expired - Fee Related JP3443757B2 (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | イオンシャワードーピング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3443757B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6956324B2 (en) | 2000-08-04 | 2005-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| JP2002329677A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ドーピング装置 |
| JP4082566B2 (ja) * | 2002-03-07 | 2008-04-30 | Ｔｄｋ株式会社 | 円板状部材保持装置 |
-
1995
- 1995-02-22 JP JP03325395A patent/JP3443757B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08227687A (ja) | 1996-09-03 |
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