JP2003263799A - 円板状部材保持装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】中央部に貫通穴のない円板状部材であっても良
好に位置決め保持可能な円板状部材保持装置を提供する
こと。 【解決手段】基板１に係合部１Ｂを設け、基板１を保持
する側の当接部１１に係合部１１Ｂを設ける。これら係
合部を介して、基板１を保持装置１０に保持する。ま
た、メカニカルチャック１５により、基板１の外周部を
保持する。更に、基板１を凹面形状に変形させた状態で
保持するようにする。これにより、中央部に貫通穴のな
い基板１であっても良好に位置決め保持することができ
ると共に、スパッタ処理により形成される薄膜の品質の
均一化を促進できる。更に、基板１の当接面１Ａと当接
部１１の当接面１１Ａとの密着性を高めることができ、
スパッタ処理時等における基板１の冷却効率を改善する
ことができる。
好に位置決め保持可能な円板状部材保持装置を提供する
こと。 【解決手段】基板１に係合部１Ｂを設け、基板１を保持
する側の当接部１１に係合部１１Ｂを設ける。これら係
合部を介して、基板１を保持装置１０に保持する。ま
た、メカニカルチャック１５により、基板１の外周部を
保持する。更に、基板１を凹面形状に変形させた状態で
保持するようにする。これにより、中央部に貫通穴のな
い基板１であっても良好に位置決め保持することができ
ると共に、スパッタ処理により形成される薄膜の品質の
均一化を促進できる。更に、基板１の当接面１Ａと当接
部１１の当接面１１Ａとの密着性を高めることができ、
スパッタ処理時等における基板１の冷却効率を改善する
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術の分野】本発明は、円板状部材の保
持装置に関し、例えば、円板状部材に対して所定の処理
（例えば、薄膜形成など）を施す際に利用される保持装
置に関する。
持装置に関し、例えば、円板状部材に対して所定の処理
（例えば、薄膜形成など）を施す際に利用される保持装
置に関する。
【０００２】
【従来技術】従来より、円板状部材（ディスク状の基
板）に各種薄膜を形成して製造される記録媒体（以下、
単にディスクとも言う）として、例えば、ＣＤ、ＣＤ−
Ｒ、ＣＤ−ＲＷ等のＣＤ系ディスク、ＤＶＤ−ＲＯＭ、
ＤＶＤ−Ｒ等のＤＶＤ系ディスク等の光ディスク、また
はＭＯ、ＭＤ等の光磁気ディスク等、種々のものが存在
する。これらディスクは、例えばポリカーボネート等の
素材からなる基板に対して、スパッタ処理、スピンコー
ト処理等の種々の処理を用いて薄膜を積層することによ
って製造される。
板）に各種薄膜を形成して製造される記録媒体（以下、
単にディスクとも言う）として、例えば、ＣＤ、ＣＤ−
Ｒ、ＣＤ−ＲＷ等のＣＤ系ディスク、ＤＶＤ−ＲＯＭ、
ＤＶＤ−Ｒ等のＤＶＤ系ディスク等の光ディスク、また
はＭＯ、ＭＤ等の光磁気ディスク等、種々のものが存在
する。これらディスクは、例えばポリカーボネート等の
素材からなる基板に対して、スパッタ処理、スピンコー
ト処理等の種々の処理を用いて薄膜を積層することによ
って製造される。
【０００３】これらディスクの素材となる基板は、一般
に、その中央部に予め開口された貫通穴を利用してハン
ドリング（例えば、処理装置への搬入・搬出、薄膜形成
等の各種の処理時の位置決め・保持など）されていた。
に、その中央部に予め開口された貫通穴を利用してハン
ドリング（例えば、処理装置への搬入・搬出、薄膜形成
等の各種の処理時の位置決め・保持など）されていた。
【０００４】例えば、スピンコート処理を用いて紫外線
硬化樹脂等からなる薄膜を基板上表面に形成する場合、
基板中央部に開口された貫通穴を回転テーブル上の回転
軸に挿通すること等を介して、回転テーブルの略中央位
置に基板を位置決め・固定（保持）する。そして、回転
テーブルと伴に基板を回転させ、樹脂を付与（滴下な
ど）するための付与アームの先端部等に設けられた付与
口を、前記貫通穴の近傍から基板外周側へ向けて移動さ
せつつ基板表面に樹脂を付与し、該付与した樹脂を回転
テーブルの回転による遠心力等を利用して基板表面全体
に拡散させることで、均質な薄膜を形成するようにして
いる。
硬化樹脂等からなる薄膜を基板上表面に形成する場合、
基板中央部に開口された貫通穴を回転テーブル上の回転
軸に挿通すること等を介して、回転テーブルの略中央位
置に基板を位置決め・固定（保持）する。そして、回転
テーブルと伴に基板を回転させ、樹脂を付与（滴下な
ど）するための付与アームの先端部等に設けられた付与
口を、前記貫通穴の近傍から基板外周側へ向けて移動さ
せつつ基板表面に樹脂を付与し、該付与した樹脂を回転
テーブルの回転による遠心力等を利用して基板表面全体
に拡散させることで、均質な薄膜を形成するようにして
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、本願出願人
等は、上述したスピンコート処理において、形成される
薄膜の品質をより一層向上させるには、貫通穴のない基
板を採用して基板中央部近傍から樹脂の付与を開始する
ことが効果的であることを解明している。特に、光ディ
スクの記録密度をより高めるために、波長の短い例えば
青色レーザ光を用いてデータの記録・再生等を行うよう
にした場合には、従来における比較的波長の長い赤色レ
ーザ光を用いる場合に比べ、より一層薄く均質性の高い
薄膜が要求されることから、貫通穴のない基板を用いて
その中央部近傍を樹脂付与の始点とすることが一層強く
要請されることとなる。
等は、上述したスピンコート処理において、形成される
薄膜の品質をより一層向上させるには、貫通穴のない基
板を採用して基板中央部近傍から樹脂の付与を開始する
ことが効果的であることを解明している。特に、光ディ
スクの記録密度をより高めるために、波長の短い例えば
青色レーザ光を用いてデータの記録・再生等を行うよう
にした場合には、従来における比較的波長の長い赤色レ
ーザ光を用いる場合に比べ、より一層薄く均質性の高い
薄膜が要求されることから、貫通穴のない基板を用いて
その中央部近傍を樹脂付与の始点とすることが一層強く
要請されることとなる。
【０００６】これに伴い、本願出願人等は、スピンコー
ト処理において、中央部に貫通穴のない基板を容易かつ
高精度にハンドル及び処理できる装置、方法等を提案し
たが、スピンコート処理以外の処理（薄膜形成のための
一連の処理は勿論、薄膜形成のための一連の処理とは別
の処理も含む）においても、中央部分に貫通穴のない基
板を、容易かつ高品質にハンドル延いては処理できるよ
うにすることが要請される。即ち、生産性等を考慮する
と、中央部分に貫通穴のない基板と、中央部分に貫通穴
の有る基板と、を、ハンドル方法を変えることなく処理
できるようにすることが好ましいし、また、例えば、ス
ピンコート処理後に、貫通穴を開口する工程を以降の処
理のために別途設けることも考えられるが、これでは装
置の専用化等を招くと共に生産システム設計の自由度等
を狭めることとなり好ましくないからである。
ト処理において、中央部に貫通穴のない基板を容易かつ
高精度にハンドル及び処理できる装置、方法等を提案し
たが、スピンコート処理以外の処理（薄膜形成のための
一連の処理は勿論、薄膜形成のための一連の処理とは別
の処理も含む）においても、中央部分に貫通穴のない基
板を、容易かつ高品質にハンドル延いては処理できるよ
うにすることが要請される。即ち、生産性等を考慮する
と、中央部分に貫通穴のない基板と、中央部分に貫通穴
の有る基板と、を、ハンドル方法を変えることなく処理
できるようにすることが好ましいし、また、例えば、ス
ピンコート処理後に、貫通穴を開口する工程を以降の処
理のために別途設けることも考えられるが、これでは装
置の専用化等を招くと共に生産システム設計の自由度等
を狭めることとなり好ましくないからである。
【０００７】本発明は、上記の実情に鑑みなされたもの
で、比較的簡単かつ安価な構成でありながら、貫通穴の
有無に拘わらず、精度良く円板状部材を保持することが
できる保持装置を提供することを目的とする。
で、比較的簡単かつ安価な構成でありながら、貫通穴の
有無に拘わらず、精度良く円板状部材を保持することが
できる保持装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このため、請求項１に記
載の発明に係る円板状部材保持装置は、円板状部材を、
当該円板状部材の被処理面が所定の凹面形状となるよう
に変形させて保持する保持手段を含んで構成した。
載の発明に係る円板状部材保持装置は、円板状部材を、
当該円板状部材の被処理面が所定の凹面形状となるよう
に変形させて保持する保持手段を含んで構成した。
【０００９】このように、円板状部材の被処理面が所定
の凹面形状となるように変形させて保持するようにする
と、例えば、前記被処理面に対してスパッタ処理を行う
場合（薄膜形成物質の飛来方向に対して円板状部材の被
処理面が凹面形状となるようにしてスパッタ処理を行う
場合）において、従来のように薄膜形成物質の飛来方向
に対して略直交して平坦に基板表面を配設する場合に比
べ、円板状部材の秘書裏面に形成される薄膜の品質（例
えば、膜厚等）の均一化を促進することができることに
なる。
の凹面形状となるように変形させて保持するようにする
と、例えば、前記被処理面に対してスパッタ処理を行う
場合（薄膜形成物質の飛来方向に対して円板状部材の被
処理面が凹面形状となるようにしてスパッタ処理を行う
場合）において、従来のように薄膜形成物質の飛来方向
に対して略直交して平坦に基板表面を配設する場合に比
べ、円板状部材の秘書裏面に形成される薄膜の品質（例
えば、膜厚等）の均一化を促進することができることに
なる。
【００１０】更に、従来のような凹面形状に変形させな
い場合に比べ、円板状部材の被処理面と反対側の面（即
ち、円板状部材の裏面）と、これに当接する保持装置の
当接面と、の密着性を高めることができるので、スパッ
タ処理時等において、前記当接面を介して行われる円板
状部材の冷却の効率を改善することもできることとな
る。
い場合に比べ、円板状部材の被処理面と反対側の面（即
ち、円板状部材の裏面）と、これに当接する保持装置の
当接面と、の密着性を高めることができるので、スパッ
タ処理時等において、前記当接面を介して行われる円板
状部材の冷却の効率を改善することもできることとな
る。
【００１１】なお、前記保持手段は、円板状部材の被処
理面の反対側の面と当接して、円板状部材の被処理面を
所定の凹面形状に変形させるべく凹面形状に形成された
当接面と、前記当接面と、円板状部材の被処理面の反対
側の面と、を当接させて前記被処理面を所定の凹面形状
に変形させつつ、前記円板状部材に設けられる円板状部
材側係合部と、前記当接面に設けられる当接面側係合部
と、を介して円板状部材と前記当接面とを係合する係合
手段と、を含んで構成することができる。
理面の反対側の面と当接して、円板状部材の被処理面を
所定の凹面形状に変形させるべく凹面形状に形成された
当接面と、前記当接面と、円板状部材の被処理面の反対
側の面と、を当接させて前記被処理面を所定の凹面形状
に変形させつつ、前記円板状部材に設けられる円板状部
材側係合部と、前記当接面に設けられる当接面側係合部
と、を介して円板状部材と前記当接面とを係合する係合
手段と、を含んで構成することができる。
【００１２】また、前記保持手段は、円板状部材の被処
理面の反対側の面と当接して、円板状部材の被処理面を
所定の凹面形状に変形させるべく凹面形状に形成された
当接面と、前記当接面と、円板状部材の被処理面の反対
側の面と、を当接させて前記被処理面を所定の凹面形状
に変形させつつ、前記円板状部材の外周部を保持する外
周保持手段と、を含んで構成することができる。
理面の反対側の面と当接して、円板状部材の被処理面を
所定の凹面形状に変形させるべく凹面形状に形成された
当接面と、前記当接面と、円板状部材の被処理面の反対
側の面と、を当接させて前記被処理面を所定の凹面形状
に変形させつつ、前記円板状部材の外周部を保持する外
周保持手段と、を含んで構成することができる。
【００１３】上記のように、係合手段や外周保持手段を
介して、円板状部材を保持するようにすると、例え中央
部に貫通穴のない円板状部材であっても良好に位置決め
保持することが可能となる。
介して、円板状部材を保持するようにすると、例え中央
部に貫通穴のない円板状部材であっても良好に位置決め
保持することが可能となる。
【００１４】更に、外周保持手段を介して、円板状部材
の外周部を保持するようにすると、円板状部材の外周部
を良好に保持できるので、以下のような作用効果を奏す
ることも可能となる。
の外周部を保持するようにすると、円板状部材の外周部
を良好に保持できるので、以下のような作用効果を奏す
ることも可能となる。
【００１５】即ち、円板状部材の被処理面に反射膜とし
ての金属薄膜等をスパッタ処理を用いて形成等する際
に、円板状部材の外周部に金属薄膜等が形成されないよ
うに前記被処理面と所定間隙をもって配設されるマスク
と、円板状部材の被処理面と、の接触を確実に防止でき
るので、該接触により生じる異常放電を防止でき、以っ
て薄膜形成への悪影響（例えば、異常放電部或いはその
近傍における膜厚異常の発生等）を極力回避でき、延い
ては歩留まりが大幅に改善され生産性を向上させること
ができることになる。
ての金属薄膜等をスパッタ処理を用いて形成等する際
に、円板状部材の外周部に金属薄膜等が形成されないよ
うに前記被処理面と所定間隙をもって配設されるマスク
と、円板状部材の被処理面と、の接触を確実に防止でき
るので、該接触により生じる異常放電を防止でき、以っ
て薄膜形成への悪影響（例えば、異常放電部或いはその
近傍における膜厚異常の発生等）を極力回避でき、延い
ては歩留まりが大幅に改善され生産性を向上させること
ができることになる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施の形態
を、添付の図面に従って詳細に説明する。図１は、本発
明の一実施の形態において、円板状の基板（円板状部
材）１をスパッタ処理のために保持する保持装置１０を
含んで構成されるスパッタ装置側搬送アーム１２を示
す。
を、添付の図面に従って詳細に説明する。図１は、本発
明の一実施の形態において、円板状の基板（円板状部
材）１をスパッタ処理のために保持する保持装置１０を
含んで構成されるスパッタ装置側搬送アーム１２を示
す。
【００１７】保持装置１０は、中央部に貫通穴のない円
板状の基板１を保持（チャック）する際に基板１に当接
する当接部１１を備える。当接部１１の当接面１１Ａ
は、図１、図３等に示すように、基板１が当接部１１側
に押圧され基板１が当接面１１Ａに密着されたときに、
基板１が後述する大気側搬送アーム１３側から見て凹面
形状に変形するように、即ち、後述する吸着軸１４によ
る基板１への押圧力の作用方向ＡＡ（換言すれば、スパ
ッタ処理における基板１に対する薄膜形成物質の飛来方
向）に対して凹面形状に形成されている。前記凹面形状
は、球面形状とすることができる。
板状の基板１を保持（チャック）する際に基板１に当接
する当接部１１を備える。当接部１１の当接面１１Ａ
は、図１、図３等に示すように、基板１が当接部１１側
に押圧され基板１が当接面１１Ａに密着されたときに、
基板１が後述する大気側搬送アーム１３側から見て凹面
形状に変形するように、即ち、後述する吸着軸１４によ
る基板１への押圧力の作用方向ＡＡ（換言すれば、スパ
ッタ処理における基板１に対する薄膜形成物質の飛来方
向）に対して凹面形状に形成されている。前記凹面形状
は、球面形状とすることができる。
【００１８】また、図８に詳細に示すように、前記当接
部１１の当接面１１Ａには、基板１の当接面１Ａに刻設
（或いは突設）される係合部１Ｂと係合するための係合
部１１Ｂが突設（或いは刻設）される。なお、係合部１
Ｂ、係合部１１Ｂは、所定に係合及び脱退（係合の解
放）できるものであれば良く、従ってその形状、構造、
個数、配置、位置、大きさ等は、図面に示された一例に
限定されるものではない。
部１１の当接面１１Ａには、基板１の当接面１Ａに刻設
（或いは突設）される係合部１Ｂと係合するための係合
部１１Ｂが突設（或いは刻設）される。なお、係合部１
Ｂ、係合部１１Ｂは、所定に係合及び脱退（係合の解
放）できるものであれば良く、従ってその形状、構造、
個数、配置、位置、大きさ等は、図面に示された一例に
限定されるものではない。
【００１９】ここで、前記基板１の当接面１Ａが本発明
に係る「円板状部材の被処理面の反対側の面」に相当
し、前記係合部１Ｂが本発明に係る円板状部材側係合部
に相当し、前記係合部１１Ｂが本発明に係る当接面側係
合部に相当し、前記係合部１Ｂ、１１Ｂが本発明に係る
係合手段を構成する。保持装置１０はスパッタ装置側搬
送アーム１２に取り付けられており、保持装置１０は、
以下に述べるようにして、基板１の良好な位置決め保持
を達成しつつ大気側搬送アーム１３から基板１及びマス
ク４０を受け取る。
に係る「円板状部材の被処理面の反対側の面」に相当
し、前記係合部１Ｂが本発明に係る円板状部材側係合部
に相当し、前記係合部１１Ｂが本発明に係る当接面側係
合部に相当し、前記係合部１Ｂ、１１Ｂが本発明に係る
係合手段を構成する。保持装置１０はスパッタ装置側搬
送アーム１２に取り付けられており、保持装置１０は、
以下に述べるようにして、基板１の良好な位置決め保持
を達成しつつ大気側搬送アーム１３から基板１及びマス
ク４０を受け取る。
【００２０】即ち、
（１）大気側搬送アーム１３は、中央部に貫通穴のない
基板１の略中央部を、吸着軸１４により例えば負圧等を
介して吸着保持し、基板１を当接部１１近傍へ搬送し、
基板１の当接面１Ａを当接部１１の当接面１１Ａと対面
させるよう動作される（図４参照）。
基板１の略中央部を、吸着軸１４により例えば負圧等を
介して吸着保持し、基板１を当接部１１近傍へ搬送し、
基板１の当接面１Ａを当接部１１の当接面１１Ａと対面
させるよう動作される（図４参照）。
【００２１】（２）次に、大気側搬送アーム１３は、基
板１が当接部１１の当接面１１Ａに接近する方向に移動
され、ノックピン１３Ａとノック穴２０Ａとが係合する
ように動作される（図４、図５等参照）。
板１が当接部１１の当接面１１Ａに接近する方向に移動
され、ノックピン１３Ａとノック穴２０Ａとが係合する
ように動作される（図４、図５等参照）。
【００２２】（３）基板１の当接面１Ａと、当接部１１
の当接面１１Ａと、が所定に当接したら、基板１を吸着
保持している吸着軸１４により、基板１の中央部を当接
部１１側へ所定に押圧する（図５等参照）。
の当接面１１Ａと、が所定に当接したら、基板１を吸着
保持している吸着軸１４により、基板１の中央部を当接
部１１側へ所定に押圧する（図５等参照）。
【００２３】このとき、大気側搬送アーム１３のマグネ
ット部３０の磁力によって吸着保持され基板１と共に搬
送されて来るマスク４０は、スパッタ装置側搬送アーム
１２のマグネット部１２Ａに当接されて当該マグネット
部１２Ａの磁力によってスパッタ装置側搬送アーム１２
側にも吸着保持されることになる（図１、図４、図５等
参照）。
ット部３０の磁力によって吸着保持され基板１と共に搬
送されて来るマスク４０は、スパッタ装置側搬送アーム
１２のマグネット部１２Ａに当接されて当該マグネット
部１２Ａの磁力によってスパッタ装置側搬送アーム１２
側にも吸着保持されることになる（図１、図４、図５等
参照）。
【００２４】（４）前述のようにして、基板１の中央部
が、吸着軸１４によって当接部１１側へ所定に押圧され
ると、基板１の当接面１Ａに設けられた係合部１Ｂと、
保持装置１０の当接部１１の当接面１１Ａに設けられた
係合部１１Ｂと、が係合するようになり、保持装置１０
に対する基板１の位置決めと保持がなされることにな
る。
が、吸着軸１４によって当接部１１側へ所定に押圧され
ると、基板１の当接面１Ａに設けられた係合部１Ｂと、
保持装置１０の当接部１１の当接面１１Ａに設けられた
係合部１１Ｂと、が係合するようになり、保持装置１０
に対する基板１の位置決めと保持がなされることにな
る。
【００２５】なお、既述したように、基板１が当接する
保持装置１０の当接部１１の当接面１１Ａは、基板１へ
の吸着軸１４による押圧力の作用方向ＡＡに対して凹面
形状に形成されているため、本実施形態においては、基
板１は、当接面１１Ａの凹面形状に沿って押圧力の作用
方向ＡＡに対して凹面形状に変形された状態で、前記係
合部１Ｂ、１１Ｂにより位置決め保持されることとな
る。
保持装置１０の当接部１１の当接面１１Ａは、基板１へ
の吸着軸１４による押圧力の作用方向ＡＡに対して凹面
形状に形成されているため、本実施形態においては、基
板１は、当接面１１Ａの凹面形状に沿って押圧力の作用
方向ＡＡに対して凹面形状に変形された状態で、前記係
合部１Ｂ、１１Ｂにより位置決め保持されることとな
る。
【００２６】（５）次に、基板１の保持装置１０（当接
面１１Ａ）に対する位置決め保持を一層確かなものとす
るために、本実施形態においては、本発明に係る外周保
持手段として機能するメカニカルチャック１５により基
板１の外周を所定に保持する。なお、基板１が当接面１
１Ａの凹面形状に良好に密着するように、前記吸着軸１
４により基板１を所定に押圧しつつ、メカニカルチャッ
ク１５による保持動作を行うようにすることが好まし
い。
面１１Ａ）に対する位置決め保持を一層確かなものとす
るために、本実施形態においては、本発明に係る外周保
持手段として機能するメカニカルチャック１５により基
板１の外周を所定に保持する。なお、基板１が当接面１
１Ａの凹面形状に良好に密着するように、前記吸着軸１
４により基板１を所定に押圧しつつ、メカニカルチャッ
ク１５による保持動作を行うようにすることが好まし
い。
【００２７】具体的には、図１〜図５等に示すように、
メカニカルチャック１５の開閉（基板１の保持・解放）
のためのカム溝１６を備えたチャック開閉カムリング２
０が、保持装置１０の当接部１１の中心軸の廻りを当接
部１１に対して相対回転可能に、スパッタ装置側搬送ア
ーム１２に取り付けられている。カム溝１６には、カム
フォロワ１７が挿入されており、当該カムフォロワ１７
には軸１８を介してメカニカルチャック１５が取り付け
られている。なお、当接部１１及び支持部２１の中心軸
は、基板１の中心軸Ａと一致するよう配設されている。
メカニカルチャック１５の開閉（基板１の保持・解放）
のためのカム溝１６を備えたチャック開閉カムリング２
０が、保持装置１０の当接部１１の中心軸の廻りを当接
部１１に対して相対回転可能に、スパッタ装置側搬送ア
ーム１２に取り付けられている。カム溝１６には、カム
フォロワ１７が挿入されており、当該カムフォロワ１７
には軸１８を介してメカニカルチャック１５が取り付け
られている。なお、当接部１１及び支持部２１の中心軸
は、基板１の中心軸Ａと一致するよう配設されている。
【００２８】前記軸１８は、当該軸１８の中心軸Ｂと基
板１の中心軸Ａとを含む平面内（即ち、図３平面内）に
おいて基板１の中心軸Ａと略平行に延伸されている。
板１の中心軸Ａとを含む平面内（即ち、図３平面内）に
おいて基板１の中心軸Ａと略平行に延伸されている。
【００２９】また、軸１８と略直交し、軸１８の中心軸
Ｂと基板１の中心軸Ａとを含む平面（図３平面）に沿っ
て延在されるスライド溝１９が、保持装置１０の当接部
１１を支持する支持部２１に設けられている。
Ｂと基板１の中心軸Ａとを含む平面（図３平面）に沿っ
て延在されるスライド溝１９が、保持装置１０の当接部
１１を支持する支持部２１に設けられている。
【００３０】このスライド溝１９には、前記軸１８が当
該スライド溝１９の長手方向（図２、図３等においてＺ
方向）に移動自在に挿通されている。また、軸１８に取
り付けられるメカニカルチャック１５は、スライド溝１
９の長手方向（図２においてＺ方向）に移動自在にアリ
溝１５Ａに嵌挿されている。
該スライド溝１９の長手方向（図２、図３等においてＺ
方向）に移動自在に挿通されている。また、軸１８に取
り付けられるメカニカルチャック１５は、スライド溝１
９の長手方向（図２においてＺ方向）に移動自在にアリ
溝１５Ａに嵌挿されている。
【００３１】なお、前記カム溝１６は、図２に示すよう
に、チャック開閉カムリング２０の周方向（Ｘ方向）に
対して所定に交差する方向（Ｙ方向）に延在しており、
図２平面においてチャック開閉カムリング２０が、保持
装置１０、当接部１１延いては基板１に対して相対的に
Ｘ方向に回動されると、当該カム溝１６に移動自在に嵌
挿されている前記カムフォロワ１７は、カム溝１６から
の作用を受けることになる。このとき、カムフォロワ１
７に取り付けられている軸１８は、スライド溝１９に移
動自在に収容されているので、前記カム溝１６からの作
用を受けると、カムフォロワ１７延いては軸１８は、ス
ライド溝１９に沿って、図２、図３等に示すＺ方向に移
動されることになる。
に、チャック開閉カムリング２０の周方向（Ｘ方向）に
対して所定に交差する方向（Ｙ方向）に延在しており、
図２平面においてチャック開閉カムリング２０が、保持
装置１０、当接部１１延いては基板１に対して相対的に
Ｘ方向に回動されると、当該カム溝１６に移動自在に嵌
挿されている前記カムフォロワ１７は、カム溝１６から
の作用を受けることになる。このとき、カムフォロワ１
７に取り付けられている軸１８は、スライド溝１９に移
動自在に収容されているので、前記カム溝１６からの作
用を受けると、カムフォロワ１７延いては軸１８は、ス
ライド溝１９に沿って、図２、図３等に示すＺ方向に移
動されることになる。
【００３２】より詳細には、チャック開閉カムリング２
０が図２において時計方向に回動されると、各々のカム
フォロワ１７延いては軸１８がＺ方向において中心軸Ａ
に接近する方向に移動されることになるので、各々の軸
１８に取り付けられているメカニカルチャック１５も前
記アリ溝１５Ａに沿って同方向に移動されることにな
る。従って、メカニカルチャック１５が当接部１１に保
持されている基板１の外周部を所定に保持することにな
る。
０が図２において時計方向に回動されると、各々のカム
フォロワ１７延いては軸１８がＺ方向において中心軸Ａ
に接近する方向に移動されることになるので、各々の軸
１８に取り付けられているメカニカルチャック１５も前
記アリ溝１５Ａに沿って同方向に移動されることにな
る。従って、メカニカルチャック１５が当接部１１に保
持されている基板１の外周部を所定に保持することにな
る。
【００３３】この一方、チャック開閉カムリング２０が
図２において反時計方向に回動されると、各々のカム１
７延いては軸１８がＺ方向において中心軸Ａから離間す
る方向に移動されることになるので、各々の軸１８に取
り付けられているメカニカルチャック１５も前記アリ溝
１５Ａに沿って同方向に移動されることになる。従っ
て、メカニカルチャック１５は当接部１１に保持されて
いる基板１の外周部を解放することになる。
図２において反時計方向に回動されると、各々のカム１
７延いては軸１８がＺ方向において中心軸Ａから離間す
る方向に移動されることになるので、各々の軸１８に取
り付けられているメカニカルチャック１５も前記アリ溝
１５Ａに沿って同方向に移動されることになる。従っ
て、メカニカルチャック１５は当接部１１に保持されて
いる基板１の外周部を解放することになる。
【００３４】なお、チャック開閉カムリング２０のメカ
ニカルチャック１５の開閉のための回動は、当該チャッ
ク開閉カムリング２０に設けられるノック穴２０Ａに係
合する大気側搬送アーム１３のノックピン１３Ａの中心
軸Ａ廻りの回動動作によってなすことができる。
ニカルチャック１５の開閉のための回動は、当該チャッ
ク開閉カムリング２０に設けられるノック穴２０Ａに係
合する大気側搬送アーム１３のノックピン１３Ａの中心
軸Ａ廻りの回動動作によってなすことができる。
【００３５】（６）前述のようにして、メカニカルチャ
ック１５により基板１の外周部を保持する動作が行われ
ると、続いて、大気側搬送アーム１３のマグネット部３
０を支持するマグネットホルダ３１が、大気側搬送アー
ム１３の図５において右方向に後退して、マグネット部
３０の磁力によるマスク４０に対する吸着保持を解放す
る。
ック１５により基板１の外周部を保持する動作が行われ
ると、続いて、大気側搬送アーム１３のマグネット部３
０を支持するマグネットホルダ３１が、大気側搬送アー
ム１３の図５において右方向に後退して、マグネット部
３０の磁力によるマスク４０に対する吸着保持を解放す
る。
【００３６】本実施形態においては、図５に示すよう
に、大気側搬送アーム１３の構成要素であってマスク４
０とマグネット部３０との間に介装される押圧部材３２
が、マスク４０をスパッタ装置側搬送アーム１２側へ所
定に押圧するようになっているので、マグネットホルダ
３１延いてはマグネット部３０を図５の右方向へ後退さ
せる際に、マスク４０に対するマグネット部３０の吸着
保持力に抗して、マグネットホルダ３１延いてはマグネ
ット部３０を良好に図５の右方向へ後退させることがで
きるようになっている。
に、大気側搬送アーム１３の構成要素であってマスク４
０とマグネット部３０との間に介装される押圧部材３２
が、マスク４０をスパッタ装置側搬送アーム１２側へ所
定に押圧するようになっているので、マグネットホルダ
３１延いてはマグネット部３０を図５の右方向へ後退さ
せる際に、マスク４０に対するマグネット部３０の吸着
保持力に抗して、マグネットホルダ３１延いてはマグネ
ット部３０を良好に図５の右方向へ後退させることがで
きるようになっている。
【００３７】なお、マグネットホルダ３１延いてはマグ
ネット部３０が図５において右方向に移動してマグネッ
ト部３０がマスク４０から離間しても、既述したよう
に、マスク４０は、スパッタ装置側搬送アーム１２のマ
グネット部１２Ａの磁力により吸着保持されているの
で、マスク４０はスパッタ装置側搬送アーム１２の所定
位置に良好に保持されることとなる。
ネット部３０が図５において右方向に移動してマグネッ
ト部３０がマスク４０から離間しても、既述したよう
に、マスク４０は、スパッタ装置側搬送アーム１２のマ
グネット部１２Ａの磁力により吸着保持されているの
で、マスク４０はスパッタ装置側搬送アーム１２の所定
位置に良好に保持されることとなる。
【００３８】以上のようにして、本実施形態において、
大気側搬送アーム１３が保持していた基板１とマスク４
０とを、スパッタ装置側搬送アーム１２に受け渡すこと
ができ、かつスパッタ装置側搬送アーム１３に対して基
板１が所定に位置決め保持されることになる。
大気側搬送アーム１３が保持していた基板１とマスク４
０とを、スパッタ装置側搬送アーム１２に受け渡すこと
ができ、かつスパッタ装置側搬送アーム１３に対して基
板１が所定に位置決め保持されることになる。
【００３９】そして、スパッタ装置側搬送アーム１３
は、図示しないスパッタ処理部のハウジング等と接合部
５０を介して接続され、その後ハウジング内が真空排気
され、所定に基板１に対するスパッタ処理が実行され
る。
は、図示しないスパッタ処理部のハウジング等と接合部
５０を介して接続され、その後ハウジング内が真空排気
され、所定に基板１に対するスパッタ処理が実行され
る。
【００４０】スパッタ処理後において、スパッタ装置側
搬送アーム１２が保持する基板１とマスク４０とを、大
気側搬送アーム１３に受け渡すが、かかる動作は上記
（１）−（６）において記載した手順と逆の動作を行う
ことにより達成することができる。
搬送アーム１２が保持する基板１とマスク４０とを、大
気側搬送アーム１３に受け渡すが、かかる動作は上記
（１）−（６）において記載した手順と逆の動作を行う
ことにより達成することができる。
【００４１】なお、メカニカルチャック１５による基板
１の外周部の保持動作を解放する際に、基板１上に形成
された薄膜等への解放時に発生するショック等による悪
影響を極力排除するなどのために、前記吸着軸１４によ
り基板１の中央部を所定に押圧しつつメカニカルチャッ
ク１５による保持動作を解放するようにすることができ
る。即ち、メカニカルチャック１５を解放する際には、
予め吸着軸１４で基板１の中央部分を所定に押圧したう
えでメカニカルチャック１５を解放し、その後におい
て、徐々に前記吸着軸１４による基板１の中央部への押
圧を解放したうえで、吸着軸１４による基板１の吸着力
を介した前記係合部１Ｂ、１１Ｂの係合解放延いては所
定位置への基板１の搬送等を行わせるようにすることが
好ましい。
１の外周部の保持動作を解放する際に、基板１上に形成
された薄膜等への解放時に発生するショック等による悪
影響を極力排除するなどのために、前記吸着軸１４によ
り基板１の中央部を所定に押圧しつつメカニカルチャッ
ク１５による保持動作を解放するようにすることができ
る。即ち、メカニカルチャック１５を解放する際には、
予め吸着軸１４で基板１の中央部分を所定に押圧したう
えでメカニカルチャック１５を解放し、その後におい
て、徐々に前記吸着軸１４による基板１の中央部への押
圧を解放したうえで、吸着軸１４による基板１の吸着力
を介した前記係合部１Ｂ、１１Ｂの係合解放延いては所
定位置への基板１の搬送等を行わせるようにすることが
好ましい。
【００４２】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、基板１に係合部１Ｂを設け、基板１を保持する側の
当接部１１に係合部１１Ｂを設けるようにして、これら
係合部を介して、基板１を保持装置１０に保持するよう
にしたので、例え中央部に貫通穴のない基板１であって
も保持装置１０に対して良好に位置決め保持することが
できる。
ば、基板１に係合部１Ｂを設け、基板１を保持する側の
当接部１１に係合部１１Ｂを設けるようにして、これら
係合部を介して、基板１を保持装置１０に保持するよう
にしたので、例え中央部に貫通穴のない基板１であって
も保持装置１０に対して良好に位置決め保持することが
できる。
【００４３】また、本実施形態においては、当接部１１
の基板１との当接面１１Ａを凹面形状とし、保持される
基板１の被処理面が凹面形状となるように（例えば、ス
パッタ処理における薄膜形成物質の飛来方向に対して基
板１が凹面形状に変形されるように）し、かかる状態に
おいて基板１の被処理面１Ｃに対してスパッタ処理を行
うようにした。
の基板１との当接面１１Ａを凹面形状とし、保持される
基板１の被処理面が凹面形状となるように（例えば、ス
パッタ処理における薄膜形成物質の飛来方向に対して基
板１が凹面形状に変形されるように）し、かかる状態に
おいて基板１の被処理面１Ｃに対してスパッタ処理を行
うようにした。
【００４４】このように、基板１が、薄膜形成物質の飛
来方向に対して凹面形状に変形された状態で被処理面１
Ｃにスパッタ処理を行うようにすると、従来のように薄
膜形成物質の飛来方向に対して略直交して平坦に基板表
面を配設する場合に比べ、基板表面に形成される薄膜の
品質（例えば、膜厚等）の均一化を促進することができ
る。
来方向に対して凹面形状に変形された状態で被処理面１
Ｃにスパッタ処理を行うようにすると、従来のように薄
膜形成物質の飛来方向に対して略直交して平坦に基板表
面を配設する場合に比べ、基板表面に形成される薄膜の
品質（例えば、膜厚等）の均一化を促進することができ
る。
【００４５】更に、基板１は、薄膜形成物質の飛来方向
に対して凹面形状に変形された状態で当接部１１の当接
面１１Ａに当接されることになるので、従来のような凹
面形状に変形させない場合に比べ、基板１の当接面１Ａ
と、当接部１１の当接面１１Ａと、の密着性を高めるこ
とができ、スパッタ処理時等における冷却通路１１Ｃを
介した基板１の冷却効率を改善することができることと
なる。
に対して凹面形状に変形された状態で当接部１１の当接
面１１Ａに当接されることになるので、従来のような凹
面形状に変形させない場合に比べ、基板１の当接面１Ａ
と、当接部１１の当接面１１Ａと、の密着性を高めるこ
とができ、スパッタ処理時等における冷却通路１１Ｃを
介した基板１の冷却効率を改善することができることと
なる。
【００４６】加えて、本実施形態では、メカニカルチャ
ック１５により、基板１の外周部を保持するようにした
ので、例え中央部に貫通穴のない基板１であっても良好
に位置決め保持することができ、前記係合部１Ｂ、１１
Ｂによる位置決め保持と組み合わせることで、より一層
確実で高精度な基板１の位置決め保持を達成することが
可能となる。
ック１５により、基板１の外周部を保持するようにした
ので、例え中央部に貫通穴のない基板１であっても良好
に位置決め保持することができ、前記係合部１Ｂ、１１
Ｂによる位置決め保持と組み合わせることで、より一層
確実で高精度な基板１の位置決め保持を達成することが
可能となる。
【００４７】更に、メカニカルチャック１５により、基
板１の外周部を保持するようにすると、以下のような作
用効果を奏することも可能となる。
板１の外周部を保持するようにすると、以下のような作
用効果を奏することも可能となる。
【００４８】即ち、マスク４０は、基板１の被処理面１
Ｃに、反射膜としての金属薄膜等をスパッタ処理を用い
て形成する際に、基板１の外周部を覆うことで前記金属
薄膜が形成されないようにするために用いられるもので
あるが、かかるマスク４０が基板１の被処理面１Ｃと接
触すると、膜形成時に薄膜とマスク４０との間で異常放
電が発生する場合がある。このことは、薄膜形成に悪影
響（例えば、異常放電部或いはその近傍における膜厚異
常の発生等）を及ぼす惧れがあり好ましくない。このた
め、基板１の被処理面１Ｃとマスク４０とは微少間隔ｔ
（図３、図６、図７参照）を空けて保持されることが好
ましい。
Ｃに、反射膜としての金属薄膜等をスパッタ処理を用い
て形成する際に、基板１の外周部を覆うことで前記金属
薄膜が形成されないようにするために用いられるもので
あるが、かかるマスク４０が基板１の被処理面１Ｃと接
触すると、膜形成時に薄膜とマスク４０との間で異常放
電が発生する場合がある。このことは、薄膜形成に悪影
響（例えば、異常放電部或いはその近傍における膜厚異
常の発生等）を及ぼす惧れがあり好ましくない。このた
め、基板１の被処理面１Ｃとマスク４０とは微少間隔ｔ
（図３、図６、図７参照）を空けて保持されることが好
ましい。
【００４９】しかしながら、従来においては、基板中央
部に開口された貫通穴を位置決め基準として位置決め保
持が行われ、基板１の外周部における保持はなされてい
なかったため、種々の要因により（従来は、基板１の中
心部を保持していることから、加工精度や保持精度のバ
ラツキ、微小振動等の影響が基板１の外周部において大
きくなる傾向にある）、基板１の外周部においてマスク
４０が基板１の被処理面１Ｃと接触してしまう惧れが比
較的高かった。
部に開口された貫通穴を位置決め基準として位置決め保
持が行われ、基板１の外周部における保持はなされてい
なかったため、種々の要因により（従来は、基板１の中
心部を保持していることから、加工精度や保持精度のバ
ラツキ、微小振動等の影響が基板１の外周部において大
きくなる傾向にある）、基板１の外周部においてマスク
４０が基板１の被処理面１Ｃと接触してしまう惧れが比
較的高かった。
【００５０】この一方、本実施形態においては、既述し
たように、メカニカルチャック１５により基板１の外周
部を保持可能な構成としたので、基板１の外周部の保持
が極めて良好になされるので、基板１の外周部において
マスク４０が基板１の被処理面１Ｃと接触してしまう惧
れを極力回避することができ、以って異常放電による薄
膜形成への悪影響を最小にとどめることができ、延いて
は歩留まりを大幅に改善でき生産性を格段に向上させる
ことができることになる。
たように、メカニカルチャック１５により基板１の外周
部を保持可能な構成としたので、基板１の外周部の保持
が極めて良好になされるので、基板１の外周部において
マスク４０が基板１の被処理面１Ｃと接触してしまう惧
れを極力回避することができ、以って異常放電による薄
膜形成への悪影響を最小にとどめることができ、延いて
は歩留まりを大幅に改善でき生産性を格段に向上させる
ことができることになる。
【００５１】なお、本実施形態では、基板１の中央部に
係合部１Ｂを設け、当接部１１に係合部１１Ｂを設ける
こととして説明したが、本発明は、これに限定されるも
のではない。つまり、例えば、係合部１Ｂ、１１Ｂを省
略して、メカニカルチャック１５と、凹面形状に形成さ
れた当接面１１Ａと、を介して、被処理面が凹面形状と
なるように基板１を変形させて保持装置１０に位置決め
保持する構成とすることもできる。かかる場合でも、上
述した各種の効果を奏することができるのは勿論であ
る。また、これにより、従来の中央部に貫通穴のある基
板であっても、中央部に貫通穴のない基板であっても、
両者を区別することなくハンドル（位置決め保持）でき
ることとなり、装置の専用化等を回避できると共に生産
システム設計の自由度等を高く維持することができる。
係合部１Ｂを設け、当接部１１に係合部１１Ｂを設ける
こととして説明したが、本発明は、これに限定されるも
のではない。つまり、例えば、係合部１Ｂ、１１Ｂを省
略して、メカニカルチャック１５と、凹面形状に形成さ
れた当接面１１Ａと、を介して、被処理面が凹面形状と
なるように基板１を変形させて保持装置１０に位置決め
保持する構成とすることもできる。かかる場合でも、上
述した各種の効果を奏することができるのは勿論であ
る。また、これにより、従来の中央部に貫通穴のある基
板であっても、中央部に貫通穴のない基板であっても、
両者を区別することなくハンドル（位置決め保持）でき
ることとなり、装置の専用化等を回避できると共に生産
システム設計の自由度等を高く維持することができる。
【００５２】また、例えば、従来の中央部に貫通穴のあ
る基板の該貫通穴を、本実施形態で説明した中央部に貫
通のない基板１の係合部１Ｂとして利用することも可能
である。かかる場合において、当接面１１Ａの係合部１
１Ｂは、保持される基板側に向けて凸形状となるように
形成されるべきことは勿論である。
る基板の該貫通穴を、本実施形態で説明した中央部に貫
通のない基板１の係合部１Ｂとして利用することも可能
である。かかる場合において、当接面１１Ａの係合部１
１Ｂは、保持される基板側に向けて凸形状となるように
形成されるべきことは勿論である。
【００５３】上記実施の形態では、円板状部材に対する
処理の一例としてスパッタ処理について説明したが、本
発明はこれに限定されるものではない。
処理の一例としてスパッタ処理について説明したが、本
発明はこれに限定されるものではない。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
円板状部材の被処理面が所定の凹面形状となるように変
形させて保持するようにしたので、例えば、前記被処理
面に対してスパッタ処理を行う場合（薄膜形成物質の飛
来方向に対して円板状部材の被処理面が凹面形状となる
ようにしてスパッタ処理を行う場合）において、従来の
ように薄膜形成物質の飛来方向に対して略直交して平坦
に基板表面を配設する場合に比べ、円板状部材の秘書裏
面に形成される薄膜の品質（例えば、膜厚等）の均一化
を促進することができる。
円板状部材の被処理面が所定の凹面形状となるように変
形させて保持するようにしたので、例えば、前記被処理
面に対してスパッタ処理を行う場合（薄膜形成物質の飛
来方向に対して円板状部材の被処理面が凹面形状となる
ようにしてスパッタ処理を行う場合）において、従来の
ように薄膜形成物質の飛来方向に対して略直交して平坦
に基板表面を配設する場合に比べ、円板状部材の秘書裏
面に形成される薄膜の品質（例えば、膜厚等）の均一化
を促進することができる。
【００５５】更に、従来のように凹面形状に変形させな
い場合に比べ、円板状部材の被処理面と反対側の面（即
ち、円板状部材の裏面）と、これに当接する保持装置の
当接面と、の密着性を高めることができるので、スパッ
タ処理時等において、前記当接面を介して行われる円板
状部材の冷却の効率を高めることもできる。
い場合に比べ、円板状部材の被処理面と反対側の面（即
ち、円板状部材の裏面）と、これに当接する保持装置の
当接面と、の密着性を高めることができるので、スパッ
タ処理時等において、前記当接面を介して行われる円板
状部材の冷却の効率を高めることもできる。
【００５６】また、係合手段や外周保持手段を介して、
円板状部材を保持するようにしたので、例え中央部に貫
通穴のない円板状部材であっても良好に位置決め保持す
ることが可能となる。
円板状部材を保持するようにしたので、例え中央部に貫
通穴のない円板状部材であっても良好に位置決め保持す
ることが可能となる。
【００５７】更に、外周保持手段を介して、円板状部材
の外周部を保持するようにすれば、円板状部材の外周部
を良好に保持できるので、円板状部材の被処理面に反射
膜としての金属薄膜等をスパッタ処理を用いて形成等す
る際に、円板状部材の外周部に金属薄膜等が形成されな
いように前記被処理面と所定間隙をもって配設されるマ
スクと、円板状部材の被処理面と、の接触を確実に防止
できるので、該接触により生じる異常放電を防止でき、
以って薄膜形成への悪影響を極力回避でき、延いては歩
留まりが大幅に改善され生産性を大幅に向上させること
ができる。
の外周部を保持するようにすれば、円板状部材の外周部
を良好に保持できるので、円板状部材の被処理面に反射
膜としての金属薄膜等をスパッタ処理を用いて形成等す
る際に、円板状部材の外周部に金属薄膜等が形成されな
いように前記被処理面と所定間隙をもって配設されるマ
スクと、円板状部材の被処理面と、の接触を確実に防止
できるので、該接触により生じる異常放電を防止でき、
以って薄膜形成への悪影響を極力回避でき、延いては歩
留まりが大幅に改善され生産性を大幅に向上させること
ができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る円板状部材の保持
装置を含んで構成されるスパッタ装置側搬送アームの一
例を示す断面図である。
装置を含んで構成されるスパッタ装置側搬送アームの一
例を示す断面図である。
【図２】図１に示すスパッタ装置側搬送アームの上面図
である。
である。
【図３】図１におけるＣ部の拡大図である。
【図４】大気側搬送アームとスパッタ装置側搬送アーム
との間で行われる円板状部材（基板）の受け渡し動作
（受け渡し前の状態）を説明する図である。
との間で行われる円板状部材（基板）の受け渡し動作
（受け渡し前の状態）を説明する図である。
【図５】大気側搬送アームとスパッタ装置側搬送アーム
との間で行われる円板状部材（基板）の受け渡し動作
（受け渡し後の状態）を説明する図である。
との間で行われる円板状部材（基板）の受け渡し動作
（受け渡し後の状態）を説明する図である。
【図６】図５におけるａ部の拡大図である。
【図７】図５におけるｂ部の拡大図である。
【図８】図５におけるｃ部の拡大図である。
１ 基板（円板状部材）
１Ａ 当接面
１Ｂ 係合部（円板状部材側係合部）
１Ｃ 被処理面
１０ 保持装置
１１ 当接部
１１Ａ 当接面
１１Ｂ 係合部（当接面側係合部）
１５ メカニカルチャック（外周保持手段）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 江本 淳
東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ
ーディーケイ株式会社内
Ｆターム(参考） 5D121 AA03 JJ02 JJ09
5F031 CA01 GA07 HA24 HA27 HA28
HA59 HA80 MA26 MA29
Claims (3)
- 【請求項１】円板状部材を、当該円板状部材の被処理面
が所定の凹面形状となるように変形させて保持する保持
手段を含んで構成されたことを特徴とする円板状部材保
持装置。 - 【請求項２】前記保持手段は、 円板状部材の被処理面の反対側の面と当接して、円板状
部材の被処理面を所定の凹面形状に変形させるべく凹面
形状に形成された当接面と、 前記当接面と、円板状部材の被処理面の反対側の面と、
を当接させて前記被処理面を所定の凹面形状に変形させ
つつ、前記円板状部材に設けられる円板状部材側係合部
と、前記当接面に設けられる当接面側係合部と、を介し
て円板状部材と前記当接面とを係合する係合手段と、 を含んで構成されたことを特徴とする請求項１に記載の
円板状部材保持装置。 - 【請求項３】前記保持手段は、円板状部材の被処理面の
反対側の面と当接して、円板状部材の被処理面を所定の
凹面形状に変形させるべく凹面形状に形成された当接面
と、 前記当接面と、円板状部材の被処理面の反対側の面と、
を当接させて前記被処理面を所定の凹面形状に変形させ
つつ、前記円板状部材の外周部を保持する外周保持手段
と、 を含んで構成されたことを特徴とする請求項１又は請求
項２に記載の円板状部材保持装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002061624A JP4082566B2 (ja) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 円板状部材保持装置 |
| TW092104966A TWI256046B (en) | 2002-03-07 | 2003-03-07 | Disk-like member holding device |
| CNB038054345A CN1327029C (zh) | 2002-03-07 | 2003-03-07 | 圆盘状元件保持装置 |
| KR1020047013885A KR100606314B1 (ko) | 2002-03-07 | 2003-03-07 | 원판형 부재 보유 지지 장치 |
| PCT/JP2003/002692 WO2003074756A1 (fr) | 2002-03-07 | 2003-03-07 | Dispositif de retenue d'element de type disque |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002061624A JP4082566B2 (ja) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 円板状部材保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003263799A true JP2003263799A (ja) | 2003-09-19 |
| JP4082566B2 JP4082566B2 (ja) | 2008-04-30 |
Family
ID=27784862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002061624A Expired - Fee Related JP4082566B2 (ja) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 円板状部材保持装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4082566B2 (ja) |
| KR (1) | KR100606314B1 (ja) |
| CN (1) | CN1327029C (ja) |
| TW (1) | TWI256046B (ja) |
| WO (1) | WO2003074756A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014132103A (ja) * | 2013-01-07 | 2014-07-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 蒸着用基板保持トレイ、及び蒸着用基板保持トレイを備える真空蒸着装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102443776B (zh) * | 2011-06-10 | 2013-06-26 | 星弧涂层科技(苏州工业园区)有限公司 | 聚焦反射镜的镀膜夹具 |
| CN114434242B (zh) * | 2022-02-21 | 2023-02-17 | 无锡芯坤电子科技有限公司 | 一种晶圆打磨设备及其使用方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04280969A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Fujitsu Ltd | スパッタリング方法 |
| JP2756639B2 (ja) * | 1994-04-07 | 1998-05-25 | 東京応化工業株式会社 | 回転カップ式処理装置 |
| JP3443757B2 (ja) * | 1995-02-22 | 2003-09-08 | 石川島播磨重工業株式会社 | イオンシャワードーピング装置 |
| JPH09217173A (ja) * | 1996-02-14 | 1997-08-19 | Nissin Electric Co Ltd | 基板保持装置およびそれへの基板装着方法 |
| FR2746115B1 (fr) * | 1996-03-15 | 1998-05-22 | Support de substrats pour installation d'evaporation | |
| JPH09320799A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2002170871A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Kyocera Corp | 静電チャック |
-
2002
- 2002-03-07 JP JP2002061624A patent/JP4082566B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-07 KR KR1020047013885A patent/KR100606314B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-03-07 WO PCT/JP2003/002692 patent/WO2003074756A1/ja active IP Right Grant
- 2003-03-07 TW TW092104966A patent/TWI256046B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-03-07 CN CNB038054345A patent/CN1327029C/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014132103A (ja) * | 2013-01-07 | 2014-07-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 蒸着用基板保持トレイ、及び蒸着用基板保持トレイを備える真空蒸着装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200304138A (en) | 2003-09-16 |
| TWI256046B (en) | 2006-06-01 |
| KR20040091104A (ko) | 2004-10-27 |
| JP4082566B2 (ja) | 2008-04-30 |
| CN1327029C (zh) | 2007-07-18 |
| WO2003074756A1 (fr) | 2003-09-12 |
| KR100606314B1 (ko) | 2006-07-31 |
| CN1639382A (zh) | 2005-07-13 |
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