JP3466387B2 - 成膜方法および成膜装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
ク等のドーナツ状円盤型基体の表面にアルミニウム等の
被膜をスパッタリング等で形成する成膜方法およびその
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、デジタル化された音声信号や画像
情報を大量に記録するのに、広く使用されているコンパ
クトディスク（以下、ＣＤと称する。）やデジタルビデ
オディスク（以下、ＤＶＤと称する。）は、ポリカーボ
ネイト等の透明な合成樹脂板製のドーナツ状円盤型基体
の表面にたとえばスパッタリング等により光反射率の高
いアルミニウム等の薄膜を形成したものからなる。

【０００３】そして、たとえばＣＤは、この基体表面の
アルミニウム等の膜に、情報を「１」、「０」からなる
デジタル信号に変えたビットと称する小さな孔を開けて
記録させてあり、これにレーザ光を当て反射波の有無
（孔の有無) を検出して、記録情報を読み出すようにし
ている。

【０００４】そして、図４に示すように現在の１２ｃｍ
型のＣＤ１は、円盤型基体１１の外径が１２０ｍｍ、厚
さ１．２ｍｍ、中心部の孔１２径が１５ｍｍ、透明部が
基体１１の中心から約２０ｍｍの間に、アルミニウム等
の被膜２が基体１１の中心から約２０ｍｍ〜約５９ｍｍ
の孔１２周辺（中央部）の内端側１３および外端側（周
縁部）１４を除く間に形成してある。

【０００５】従来、このドーナツ状円盤型基体の表面に
たとえばスパッタリングにより被膜を形成するのは図５
に示すような設備を用い行なわれていた。チャンバー等
の真空室内のホルダー６４の段部６３上に載置して移送
されてきた円盤型基体１１は、その状態のままスパッタ
ーを行うと全面に被膜２が形成されてしまうので、マス
キングをして作業が行われている。

【０００６】すなわち、ホルダー６４の内部には進退自
在に挿通して、センターブラケット８１が配設されてい
る。このセンターブラケット８１は、シャフト８３の先
端にコイル状ばね８５を介して弾性的に軸方向へ自由度
を有して取着され、先端がドーナツ状円盤型基体１１の
中央の孔１２内に容易に挿入されるようテーパー状の先
端部８７が形成されている。また、シャフト８３の下端
にはシリンダ装置８４が連結してある。また、上方には
スパッター源となるマグネトロンスパッタリング装置
（図示しない。）や先端が円状のセンターマスク７１お
よびリング状のアウターマスク７３等が配設されてい
る。

【０００７】そして、スパッター作業は、シリンダ装置
８４を作動してシャフト８３を上昇させると、センター
ブラケット８１先端の先端部８７が円盤型基体１１の中
央の孔１２内に侵入する。この先端部８７はテーパー状
であるため中央の孔１２内に容易に侵入し、円盤型基体
１１の平坦部に達したところで円盤型基体１１はホルダ
ー６４の段部６３から押し上げられる。さらに押し上げ
がすすむと、円盤型基体１１表面側の中央部がセンター
マスク７１の当接部７２に当たるとともに円盤型基体１
１表面側の周縁部１４もアウターマスク７３の当接部７
４に当たる。このとき、円盤型基体１１は弾性変形して
その反力により表面側の周縁部１４がアウターマスク７
３に確実に押し当てられる。

【０００８】そして、この状態でチャンバー内が所定の
真空度に達したら、マグネトロンスパッター装置を作動
してアルミニウムの微粒子を放出させ、円盤型基体１１
の表面にアルミニウム被膜２を形成する。この被膜２の
形成が終了したら、シリンダ装置８４を作動してシャフ
ト８３を下降させると、円盤型基体１１を保持している
センターブラケット８１が下降し、途中のホルダー６４
部を通過のとき円盤型基体１１裏面側の周縁部１４が段
部６３に引っ掛かって、円盤型基体１１はこの段部６３
上に載置される。

【０００９】この後、チャンバー内に窒素等を封入して
ホルダー６４から円盤型基体１１を取り出すことによっ
て作業は終了する。

【００１０】しかし、このような装置によるスパッター
作業では、形成された被膜２に欠陥の生じることがあっ
た。これは、円盤型基体１１の種類、材質、厚さ等によ
るもののほか、同一の部品でもばらつきがあり、上記作
業においてセンターブラケット８１の押し上げ時に、円
盤型基体１１の周縁部１４に加わるアウターマスク７３
の押圧力が変わったり、被着される被膜材料によっても
円盤型基体１１にかかる応力が変わるため、円盤型基体
１１とセンターマスク７１やアウターマスク７３との間
に変形による隙間を生じ被膜材料が入り込むことがあっ
た。（なお、図５はこの円盤型基体１１が変形した状態
を誇張して示してある。）この被膜の非形成部への被着
は、境界部が不明確で被膜がはみでるぼけ等の発生があ
り、特性的にも外観的にも改善の必要があった。また、
円盤型基体１１がそり等湾曲するときおよび湾曲から元
に戻るときに周縁部１４を擦っていくので、この周縁部
１４付近には擦り傷の発生があった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情に鑑みなされたもので、ＣＤ等のドーナツ状円盤型基
体の表面に被膜を形成するに際し、被膜境界部にぼけ等
の発生がないスパッタリング等による成膜方法および成
膜装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の成膜方法は、減圧装置に接続したチャンバー内でドー
ナツ状円盤型基体の表面中央部をセンターマスクによ
り、また、周縁部をアウターマスクにより覆い、被膜材
料を飛散させてドーナツ状の被膜を形成する成膜方法に
おいて、上記ドーナツ状円盤型基体裏面の中央部をばね
部材を介してシャフトに取着されたセンターブラケット
により押圧するとともに、上記ドーナツ状円盤型基体裏
面の周縁部を上記ばね部材とは独立して作用するばね部
材を介して上記シャフトに同軸的に取着されたアウター
ブラケットにより押圧した、上記ドーナツ状円盤型基体
を表裏両面から押圧保持して被膜材料を被着させること
を特徴とする。

【００１３】円盤型基体は中央部および周縁部を表裏両
面からそれぞれ独立して作用するばね部材を介し弾性的
に押圧させるので、円盤型基体の厚さが変わったり、被
膜形成材料が変わったとき等にも、基体をほぼ一直線の
状態で保持して被膜が形成され、被膜形成の境界部を明
確にだすことができる。また、円盤型基体にそり等の変
形が発生しないので基体の周縁部がずれることがなく擦
り傷の発生もない。

【００１４】本発明の請求項２に記載の成膜方法は、減
圧装置に接続したチャンバー内に設けられたリング状の
ホルダーにドーナツ状円盤型基体の周縁部を保持させる
工程と、シャフトにそれぞればね部材を介して単独で作
用するよう同軸的に設けられたセンターブラケットおよ
びアウターブラケットとを上記ホルダーのリング状部内
を通過させ、上記センターブラケットの先端部を上記ド
ーナツ状円盤型基体中央部の孔内に挿入するとともにこ
のドーナツ状円盤型基体の中央部を上記センターブラケ
ット上に、また、周縁部を上記アウターブラケット上に
載置させる工程と、上記両ブラケットを上昇させて上記
ドーナツ状円盤型基体表面の中央部をセンターマスク
に、また、周縁部をアウターマスクに当接させ、上記ド
ーナツ状円盤型基体裏面を上記センターブラケットおよ
びアウターブラケットによりそれぞれ独立して作用する
ばね部材を介して押圧する工程と、上記減圧したチャン
バー内において被膜材料を飛散させて上記ドーナツ状円
盤型基体の表面に被膜を形成する工程と、上記両ブラケ
ットを下降して上記ドーナツ状円盤型基体表面をマスク
から外す工程と、上記両ブラケットをさらに下降させて
上記ドーナツ状円盤型基体をブラケットから離しホルダ
ー上に載置する工程と、上記ホルダー上に載置された上
記ドーナツ状円盤型基体を取り出す工程とを具備してい
ることを特徴とする。

【００１５】この発明によれば、リング状のホルダーに
周縁部を保持させたドーナツ状円盤型基体を、リング状
のホルダー内を上昇させたばね部材を有するセンターブ
ラケットの先端部上に載置させるとともに、このセンタ
ーブラケットのシャフトにばね部材を介し同軸的に設け
たアウターブラケットを円盤型基体の周縁部に当接して
上昇させ、円盤型基体表面の中央部をセンターマスク
に、また、周縁部をアウターマスクに弾性的に当接させ
て、排気したチャンバー内において被膜材料を飛散させ
てドーナツ状円盤型基体の表面に被膜を形成するように
している。

【００１６】すなわち、円盤型基体の中央部と周縁部と
をそれぞれ別個の独立して弾性作用をするセンターブラ
ケットおよびアウターブラケットで押圧して、センター
マスクおよびアウターマスクに当接させるようにしたも
のである。したがって、円盤型基体にそり等の変形が生
じる無理な応力を加えずに確実な保持とマスキングが行
えて、上記請求項１に記載したと同様な作用を奏する。

【００１７】本発明の請求項３に記載の成膜装置は、減
圧装置に接続したチャンバーと、このチャンバー内に設
けられたドーナツ状円盤型基体を保持するリング状のホ
ルダーと、シャフトにばね部材を介して設けられ、上記
ホルダーのリング状部内に進退自在に挿通されるととも
に先端部を上記ドーナツ状円盤型基体中央部の孔内に挿
入してこのドーナツ状円盤型基体裏面の中央部に当接す
るセンターブラケットと、上記シャフトにばね部材を介
して上記センターブラケットと同軸的に設けられ、上記
ホルダーのリング状部内に進退自在に挿通されるととも
に上記ドーナツ状円盤型基体裏面の周縁部に当接するア
ウターブラケットと、上記センターブラケットに対応し
て設けられた上記ドーナツ状円盤型基体表面の中央部を
覆うセンターマスクと、上記アウターブラケットに対応
して設けられた上記ドーナツ状円盤型基体表面の周縁部
を覆うアウターマスクと、上記センターマスクおよびア
ウターマスクの配設側に設けられ、上記ドーナツ状円盤
型基体表面に被膜材料を飛散させる装置とを具備してい
ることを特徴とする。

【００１８】成膜装置に適用して、上記請求項２に記載
したと同様な作用を奏する。

【００１９】本発明の請求項４に記載の成膜装置は、上
記リング状のホルダーの内周縁部には、上記ドーナツ状
円盤型基体の周縁部を載置する複数個の凸部が形成さ
れ、上記アウターブラケットの円形状の外周縁部には、
複数個の凹部が形成されており、上記凸部と凹部とが互
いに接触することなく通過できるように構成されている
ことを特徴とする。

【００２０】同軸に中心が設けられたホルダーおよびア
ウターブラケットが、円盤型基体を保持して接触や衝突
をすることなく入り違いできる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１はＣＤの製造工程であるスパ
ッタリングによる成膜装置の一例を示す説明図、図２は
図１の要部を拡大して示す正面断面図である。

【００２２】図１において３はＣＤ１のドーナツ状円盤
型基体１１を載置搬送するベルトコンベヤー、４はトラ
ンスファー装置で、上下動（矢印）可能な回転軸４１
に、この回転軸４１を中央にして相対方向に伸びる後述
するチャンバー５１の窓孔５２を塞ぐ円盤状のブラケッ
ト４２，４２が取付けられ、各ブラケット４２，４２の
下面には真空ポンプ等の減圧装置（図示しない。）に接
続されたゴムパッド４３，４３が設けられている。な
お、このゴムパッド４３，４３の先端部は円盤型基体１
１中心の孔１２より外周辺で被膜２が形成されない内端
側１３に位置するのが、被膜２を傷付けることがないの
で好ましい。

【００２３】また、５はスパッタリング装置で、上方に
スパッタするドーナツ状円盤型基体１１より大径の円形
窓孔５２，５３が設けられたチャンバー５１を備え、こ
のチャンバー５１内には回転軸６１を中央にして反対方
向に伸びるブラケット６２，６２が取付けられ、各ブラ
ケット６２，６２には円盤型基体１１の周縁部１４を載
置して保持する段部６３を備えたリング状のホルダー６
４，６４が設けられている。また、５４は窓孔５３に連
接したスパッターが行われる成膜室で、上記チャンバー
５１と成膜室５４とで真空室を構成している。

【００２４】この成膜室５４内にはマグネトロンスパッ
タリング装置７および円盤型基体１１の中央部を覆うセ
ンターマスク７１が設けられている。また、７２はセン
ターマスク７１先端の円盤型基体１１の中央孔１２近傍
との当接部である。また、７３は窓孔５３の内周に設け
られたアウターマスク、７４は円盤型基体１１の周縁部
１４との当接部、５５は真空ポンプ等の減圧装置（図示
しない。）に接続された排気通路、９５等の黒点は気密
保持用のパッキングである。

【００２５】また、８はプッシャーで、ドーナツ状円盤
型基体１１の中心の孔１２に挿通して、この円盤型基体
１１を保持する円形状のセンターブラケット８１および
円盤型基体１１の周縁部１４を載置して保持する円形状
のアウターブラケット８２がシャフト８３に固定してあ
る。また、成膜室５４側下方のチャンバー５１の底壁に
は電磁作動または気体圧作動して上記シャフト８３を上
下動させるシリンダ装置８４が気密取着されている。な
お、このシャフト８３は回転しない。

【００２６】また、本発明の主要部を構成する部分を図
２および図３を参照してさらに説明する。図２中、図１
と同一部分には同一の符号を付してその説明は省略す
る。

【００２７】上記シリンダ装置８４に連接したシャフト
８３先端にねじ等で固定されたセンターブラケット８１
および中間部にストッパー８８ａで固定された後側のア
ウターブラケット８２は、このシャフト８３に対しそれ
ぞれコイル状のばね部材８５，８６が嵌合してあって、
それぞれ独立して弾性的に軸方向へ自由度を有して取着
されている。

【００２８】図２中、８７はセンターブラケット８１の
テーパー状をなす先端部、８８ｂはアウターブラケット
８２のコイル状ばね８６のストッパー、８９はアウター
ブラケット８２先端に形成された円盤型基体１１裏面側
の周縁部１４との当接部である。

【００２９】また、図３（ａ）は、ドーナツ状円盤型基
体１１の保持部がリング状をなすホルダー６４の上面図
であって、その内周径は円盤型基体１１の外径より大き
く、内周縁部に複数個の突出したドーナツ状円盤型基体
１１載置用の段部６３，６３，…が形成されている。ま
た、図３（ｂ）は、アウターブラケット８２の上面図で
あって、その外周径は円盤型基体１１の外径より大き
く、周縁部に複数個の上記ドーナツ状円盤型基体１１の
外周径より小さい凹部９０，９０，…が形成されてい
る。そして、両者の関係はホルダー６４の内側にアウタ
ーブラケット８２が入った二重の状態になるが、それぞ
れの内外周縁部は凸部６５と凹部９０とが合致して互い
に接触することなく隙間を通過できる。

【００３０】そして、このスパッタリング装置５におけ
るスパッター作業は次のようにして行われる。

【００３１】ベルトコンベヤー３で搬送されてきたドー
ナツ状円盤型基体１１を、下降してきたトランスファー
装置４の円盤状のブラケット４２に設けられているゴム
パッド４３，４３によって吸引する。（真空ポンプ等の
減圧装置は図示されていない。）そして、トランスファ
ー装置４の回転軸４１を上昇させ、たとえば図１の仮想
線の位置まで来たら回転軸４１を１８０度回転し、つぎ
に、回転軸４１を下降して、円盤状のブラケット４２を
スパッタリング装置５のチャンバー５１の円形窓孔５２
上に移動させる。この状態は円盤状のブラケット４２が
チャンバー５１の円形窓孔５２を閉塞するとともに、チ
ャンバー５１内のリング状のホルダー６４上に円盤型基
体１１を位置させることになる。そして、ゴムパッド４
３，４３の吸引を停止し吸引ラインに窒素等を封入する
と、円盤型基体１１は解放されホルダー６４の段部６３
上に載置される。

【００３２】つぎに、チャンバー５１内の回転軸６１を
１８０度回転して、円盤型基体１１の載ったホルダー６
４を成膜室５４と対面する位置に移動する。なお、上記
ブラケット４２により円形窓孔５２を閉塞した後、チャ
ンバー５１内および成膜室５４内は排気通路５５を通じ
排気し減圧させる。

【００３３】ついで、シリンダ装置８４を動作してシャ
フト８３を上昇させると、シャフト８３先端のセンター
ブラケット８１のテーパー状の先端部８７がホルダー６
４上のドーナツ状円盤型基体１１の裏面側から中央部の
孔１２内に侵入していくとともに後ろ側のアウターブラ
ケット８２も上昇してホルダー６４の孔１２を通過し、
先端の当接部８９が円盤型基体１１裏面の周縁部１４と
当接し、両ブラケット８１，８２が共働して円盤型基体
１１をホルダー６４上から押し上げる。

【００３４】そして、この両ブラケット８１，８２によ
って中央部の孔１２および周縁部１４に接して押し上げ
裏面側から保持された円盤型基体１１は、反対面（表面
側）の中央部が上方にあるセンターマスク７１の当接部
７２に、また、周縁部１４がアウターマスク７３の当接
部７４に押し付けられる。すなわち、円盤型基体１１は
その中央部および周縁部１４が両側面から挟み押圧され
湾曲することなくほぼ一直線の平板状態に保持される。

【００３５】このとき、両ブラケット８１，８２は、シ
ャフト８３にそれぞれ独立したばね部材８５，８６を介
し設けられているので、円盤型基体１１を中央部および
周縁部１４でそれぞれの状況に応じ弾性的に押圧して、
円盤型基体１１を水平に保持させることができる。

【００３６】この状態でチャンバー５１内および成膜室
５４内の排気がすすみ所定の真空度に達したら、マグネ
トロンスパッタリング装置７を作動して被膜材料である
アルミニウムをスパッターさせる。このスパッターによ
り飛散したアルミニウム粒子は、主として円盤型基体１
１の表面、センターマスク７１やアウターマスク７３の
表面に被着され、円盤型基体１１の表面に所定膜厚のア
ルミニウム被膜２が形成できる。

【００３７】このスパッタリングが終了したら、シリン
ダ装置８４を動作してシャフト８３を下降させると、円
盤型基体１１を保持しているセンターブラケット８１お
よびアウターブラケット８２も下降し、途中のホルダー
６４部を通過のとき円盤型基体１１の周縁部１４が段部
６３に引っ掛かって、円盤型基体１１はこの段部６３上
に載置される。

【００３８】そして、回転軸６１を１８０度回転して、
円盤型基体１１の載ったホルダー６４を図１において右
方に移動するとともに排気を止め排気通路５５を通じて
チャンバー５１内に窒素等を封入する。このチャンバー
５１内が大気圧状態になったら、チャンバー５１の円形
窓孔５２上にあるブラケット４２のゴムパッド４３，４
３を真空系につなぎホルダー６４上にある円盤型基体１
１を吸引させる。

【００３９】つぎに、トランスファー装置４の回転軸４
１を上昇させ、たとえば図１の仮想線の位置まで来たら
回転軸４１を１８０度回転し、ここでゴムパッド４３，
４３の真空状態を大気圧に切替えると円盤型基体１１の
保持が解かれ、アルミニウム被膜２を形成した円盤型基
体１１を取出すことができる。

【００４０】なお、この後トランスファー装置４を下降
させてコンベヤー３上の新たな円盤型基体１１をゴムパ
ッド４３，４３で吸引して、スパッタリング装置５に送
り上述した作業を繰り返し行う。

【００４１】上述した装置および方法でスパッタリング
が行われたドーナツ状円盤型基体１１は、その中央部お
よび周縁部１４が両側面からマスク７１，７２等で挟み
押圧されて、そり等の湾曲することなく水平状態に保持
された状態でスパッターされるので、被膜２形成の境界
部が明確になり、被膜２がはみでるぼけ等の発生がない
とともに基体１の湾曲がないので擦り傷の発生もなく、
特性的にも外観的にも向上したＣＤ１を作り出すことが
できた。

【００４２】上記のセンターブラケット８１、アウター
ブラケット８２、センターマスク７１およびアウターマ
スク７３を用いてアルミニウム被膜２を形成した図４に
示すＣＤ１は、中央部の被膜非形成部の直径Ｄが４０ｍ
ｍ、周縁部１４の端面からの被膜非形成部幅Ｗが１ｍｍ
で、境界がはっきりしていて被膜２にぼけ等の発生は見
られなかった。

【００４３】なお、本発明は上記実施の形態に限らな
い。たとえば、被膜形成の対象物はＣＤに限らず、ＬＤ
（レーザーディスク）、ＤＶＤ（デジタルビデオディス
ク）、ＭＤ（ミニディスク）やＭＯ（マグネットオプチ
カル）等の製造にも適用が可能である。

【００４４】また、上記実施の形態では被膜の形成をス
パッタリングによる場合について述べたが、スパッタリ
ングに限らず、真空中で被膜形成を行なう真空蒸着やイ
オンプレーティングによる方法や装置を適用することが
できる。その他、装置各部の詳細構成も実施の形態に記
載したものに限らない。また、作業は円盤型基体を水平
に保持して被膜の形成を上方より行ったが、上方からに
限らず下方からでもよく、さらに、円盤型基体を垂直に
保持して被膜の形成を行ってもよい。

【００４５】さらに、被膜材料もアルミニウム（Ａｌ）
のほか金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ケイ素
（Ｓｉ）等の被膜形成を行うことができる。

【００４６】

【発明の効果】本発明の請求項１ないし請求項３の発明
によれば、円盤型基体を中央部および周縁部で真直（水
平や垂直）の状態に保持して被膜が形成されるので、被
膜形成の境界部が明確なはみでるぼけ等の発生がない、
均一な被膜を所定範囲に高精度で形成できる。

【００４７】また、基体を弾性的に保持しているので基
体の厚さや被膜形成材料が変わっも真直な保持が可能で
あり、円盤型基体がそり等湾曲したり湾曲から元に戻る
過程で起こる擦り傷の発生を防止できる。

【００４８】また、本発明によれば、ＣＤ（基体の厚さ
１．２ｍｍ）やＤＶＤ（基体の厚さ０．６ｍｍ）の被膜
形成を、装置の切り替えなく、また、あっても簡単な調
整で容易に行わせることができる。

【００４９】また、本発明の請求項４の発明によれば、
簡単な構成で円盤型基体の移し変えを容易に行うことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のスパッタリング装置の実施の形態を示
す説明図である。

【図２】本発明の要部を拡大して示す一部断面正面図で
ある。

【図３】本発明の要部を上面から見た説明図で、（ａ）
はホルダー、（ｂ）はアウターマスクを示す。

【図４】コンパクトディスク（ＣＤ）の正面図である。

【図５】従来のスパッタリング装置の一部を示す一部断
面正面図である。

【符号の説明】

１：コンパクトディスク（ＣＤ） １１：ドーナツ状円盤型基体 １２：中央部の孔 １４：周縁部 ２：被膜 ５：スパッタリング装置 ５１：チャンバー ５４：成膜室 ６３：段部 ６４：ホルダー ７１：センターマスク ７３：アウターマスク ８１：センターブラケット ８２：アウターブラケット ８３：シャフト ８４：シリンダ装置 ８５，８６：ばね部材

フロントページの続き (72)発明者 池田 治朗 東京都新宿区市谷田町１丁目４番地 株 式会社ソニー・ミュージックエンタテイ ンメント内 (56)参考文献 特開 平６−293965（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−122975（ＪＰ，Ａ)

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 減圧装置に接続したチャンバー内でドー
   ナツ状円盤型基体の表面中央部をセンターマスクによ
   り、また、周縁部をアウターマスクにより覆い、被膜材
   料を飛散させてドーナツ状の被膜を形成する成膜方法に
   おいて、上記ドーナツ状 円盤型基体裏面の中央部をばね部材を介
   してシャフトに取着されたセンターブラケットにより押
   圧するとともに、上記ドーナツ状円盤型基体裏面の周縁
   部を上記ばね部材とは独立して作用するばね部材を介し
   て上記シャフトに同軸的に取着されたアウターブラケッ
   トにより押圧した、上記ドーナツ状円盤型基体を表裏両
   面から押圧保持して被膜材料を被着させることを特徴と
   する成膜方法。
2. 【請求項２】 減圧装置に接続したチャンバー内に設け
   られたリング状のホルダーにドーナツ状円盤型基体の周
   縁部を保持させる工程と；シャフトにそれぞればね部材を介して単独で作用するよ
   う同軸的に設けられたセンターブラケットおよびアウタ
   ーブラケットとを上記ホルダーのリング状部内を通過さ
   せ、上記 センターブラケットの先端部を上記ドーナツ状
   円盤型基体中央部の孔内に挿入するとともにこのドーナ
   ツ状円盤型基体の中央部を上記センターブラケット上
   に、また、周縁部を上記アウターブラケット上に載置さ
   せる工程と； 上記両ブラケットを上昇させて上記ドーナツ状円盤型基
   体表面の中央部をセンターマスクに、また、周縁部をア
   ウターマスクに当接させ、上記ドーナツ状円盤型基体裏
   面を上記センターブラケットおよびアウターブラケット
   によりそれぞれ独立して作用するばね部材を介して押圧
   する工程と；上記減圧した チャンバー内において被膜材料を飛散させ
   て上記ドーナツ状円盤型基体の表面に被膜を形成する工
   程と； 上記両ブラケットを下降して上記ドーナツ状円盤型基体
   表面をマスクから外す工程と；上記 両ブラケットをさらに下降させて上記ドーナツ状円
   盤型基体をブラケットから離しホルダー上に載置する工
   程と； 上記ホルダー上に載置された上記ドーナツ状円盤型基体
   を取り出す工程と；を具備していることを特徴とする成
   膜方法。
3. 【請求項３】 減圧装置に接続したチャンバーと； このチャンバー内に設けられたドーナツ状円盤型基体を
   保持するリング状のホルダーと；シャフトにばね部材を介して設けられ、上記 ホルダーの
   リング状部内に進退自在に挿通されるとともに先端部を
   上記ドーナツ状円盤型基体中央部の孔内に挿入してこの
   ドーナツ状円盤型基体裏面の中央部に当接するセンター
   ブラケットと；上記シャフトにばね部材を介して上記 センターブラケッ
   トと同軸的に設けられ、上記ホルダーのリング状部内に
   進退自在に挿通されるとともに上記ドーナツ状円盤型基
   体裏面の周縁部に当接するアウターブラケットと； 上記センターブラケットに対応して設けられた上記ドー
   ナツ状円盤型基体表面の中央部を覆うセンターマスク
   と； 上記アウターブラケットに対応して設けられた上記ドー
   ナツ状円盤型基体表面の周縁部を覆うアウターマスク
   と； 上記センターマスクおよびアウターマスクの配設側に設
   けられ、上記ドーナツ状円盤型基体表面に被膜材料を飛
   散させる装置と；を具備していることを特徴とする成膜
   装置。
4. 【請求項４】 上記リング状のホルダーの内周縁部に
   は、上記ドーナツ状円盤型基体の周縁部を載置する複数
   個の凸部が形成され、上記アウターブラケットの円形状
   の外周縁部には、複数個の凹部が形成されており、上記
   凸部と凹部とが互いに接触することなく通過できるよう
   に構成されていることを特徴とする請求項３に記載の成
   膜装置。