JP2986781B1

JP2986781B1 - 光ディスクおよびその製造方法

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Publication number: JP2986781B1
Application number: JP10214778A
Authority: JP
Inventors: 治朗池田
Original assignee: SONII MYUUJITSUKU ENTATEINMENTO KK
Current assignee: SONII MYUUJITSUKU ENTATEINMENTO KK
Priority date: 1998-07-15
Filing date: 1998-07-15
Publication date: 1999-12-06
Anticipated expiration: 2018-07-15
Also published as: JP2000030301A

Abstract

【要約】【課題】均一な膜分布を可能とする光ディスクの構造
およびその製造方法を提供すること。【解決手段】透明な光ディスク基板１３、１４内にそ
の表面と平行に第１の情報記録ピット層１３−１が配置
形成され、この第１の情報記録ピット層１３−１の表面
を被覆するように金属膜からなる高反射膜層１５が形成
される。前記第１の情報記録ピット層と離間しこれと平
行に第２の情報記録ピット層が配置形成され、この第２
の情報記録ピット層の表面を被覆するように低反射膜層
１６が形成される。この低反射膜層１６は前記光ディス
ク基板の外周部を含む部分に形成され、前記高反射膜層
１６は前記光ディスク基板の内周部および外周部を除く
部分に形成される

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は２層構造の貼合せ光
ディスクおよびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の光ディスクは、透明な光
ディスク基板の表面にスタンパーにより情報記録ピット
を形成し、その表面に、スパッタ装置により酸化ケイ素
あるいはチッ化ケイ素のようなケイ素化合物（ＳｉＸ）
あるいは金（Ａｕ）からなる低反射膜を形成し、他方、
同じく透明な光ディスク基板の表面にスタンパーにより
情報記録ピットを形成し、その表面に、Ａｌ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ等の金属からなる高反射膜を形成し、これらの
透明な光ディスク基板をそれぞれの前記情報記録ピット
が所定間隔を置いて向かい合うように透明接着剤を介し
て接着した構造の光ディスクが知られている。

【０００３】ところで、このような光ディスク基板への
反射膜の形成には、スパッタ装置が用いられ、図７に示
されるように、透明な光ディスク基板７１はスパッタ装
置内のプッシャ７２のディスク受皿７２−１上に載置さ
れ、光ディスク基板７１の上面中心部および外周部を覆
うセンターマスク７３および外周マスク７４を介して反
射膜形成物質のスパッタが行われる。図８はこのような
スパッタ装置によりそれぞれ成膜された２枚の光ディス
ク基板７１−１、７１−２を貼合せて製造された光ディ
スクの断面図である。光ディスク基板７１−１の情報記
録ピット８１が形成された表面には高反射膜８２がスパ
ッタにより被着されている。また、透明接着剤８８を介
して接着された光ディスク基板７１−２の情報記録ピッ
ト８４が形成された表面には低反射膜８５がスパッタに
より被着されている。これらの反射膜８２、８５は光デ
ィスクの中心部８６および外周部８７においては、スパ
ッタによる成膜の際、センターマスク７３および外周マ
スク７４により膜形成が阻止されるため、存在しない。
したがって、光ディスクはそれらの中心部および外周部
分は反射膜が形成されないため透明であり、それ以外の
部分は反射膜により不透明となっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の光デ
ィスクは、その中心部８６および外周部８７には金属な
どの反射膜８２、８５が被着されていないため、２枚の
光ディスク基板７１−１、７１−２を接着剤８８により
貼合せる場合、反射膜８２、８５が形成されている部分
に比較して、プラスチック系の同質材料のため、接着性
が良好となり、特に情報記録ピット８１、８４が近傍に
形成されている外周部８７からの外気や水分の侵入を防
止するために、耐蝕性が向上する。また、光ディスクの
中心部８６および外周部８７が透明になるため、ディス
ク内周縁部および外周縁部に製造上不可避的に形成され
る細かなバリや凹凸が認識されないため、外観状見栄え
が良くなる等の利点がある。

【０００５】しかしながら、このような従来の光ディス
クにおいては、２層構造の一方の光ディスク基板７１−
２に形成される低反射膜８５が、光ディスクの中心部８
６および外周部８７において、その膜分布が不均一にな
り、特に外周部における膜分布の不均一性が透過率ある
いは反射率の不均一性を生じ、情報記録ピット８１、８
４に記録された情報の正確な読み出しができないという
問題点がある。本発明者はこの原因を究明した結果、ス
パッタ装置内における成膜工程におけるセンターマスク
７３および外周マスク７４の使用にその原因があること
が判明した。

【０００６】すなわち、図７により説明したように、成
膜材料のスパッタの際に、センターマスク７３および外
周マスク７４を使用するため、スパッタ粒子がマスクに
より遮断されたり、導電性のマスクの尖鋭な縁部への電
解集中により、スパッタ粒子がマスク側に引き込まれる
等の理由から、本来マスクによりカバーされる光ディス
ク基板７１−１、７１−２の表面領域のみならず、マス
クにカバーされない、マスク近傍の基板表面へのスパッ
タ粒子の付着が減少するするため、この部分に膜分布の
不均一が生ずる。さらに、これらのマスクの使用により
それぞれ低反射膜８２および高反射膜８５が形成された
２枚の光ディスク基板７１−１、７１−２を貼合せる
際、位置ずれにより、反射膜８２、８５の外周側の端部
がずれ、これによっても情報記録ピット８１、８４に記
録された情報の正確な読み出しができない場合が生ず
る。本発明の目的は、これらの問題点を解決するため、
均一な膜分布を可能とする光ディスクの構造およびその
製造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の光ディスクは、
透明な光ディスク基板と、この基板内にその表面と平行
に配置形成された第1の情報記録ピット層と、この第1の
情報記録ピット層の表面を被覆するように形成された金
属からなる高反射膜層と、この高反射膜が形成された前
記第1の情報記録ピット層と離間しこれと平行に配置形
成された第2の情報記録ピット層と、この第2の情報記録
ピット層の表面を被覆するように形成された光透過性の
低反射膜層とを備え、この低反射膜層は前記光ディスク
基板の外周部の全面を含む部分に形成され、前記高反射
膜層は前記光ディスク基板の内周部および前記外周部を
除く部分に形成されることを特徴とするものである。

【０００８】本発明の光ディスクの製造方法は、第1の
透明な光ディスク基板の表面にスタンパーにより情報記
録ピットを形成する工程と、この工程により形成された
前記ピット表面に、前記第1の透明な光ディスク基板の
内周面および外周面を覆うマスクを介して、スパッター
により高反射膜層を形成する工程と、第2の透明な光デ
ィスク基板の表面にスタンパーにより情報記録ピットを
形成する工程と、この工程により形成された前記ピット
表面に、前記第2の透明な光ディスク基板の外周部の全
面を含めてスパッタにより、光透過性の低反射膜層を形
成する工程と、前記第1および第2の透明な光ディスク基
板をそれぞれの前記情報記録ピットが所定間隔を置いて
配置されるように透明接着剤を介して接着する工程とを
備えたことを特徴とするものである。

【０００９】また、本発明の光ディスクの製造方法にお
いては、前記低反射膜層は読出し用レーザービームに対
する反射率が、２０〜４０％であり、前記高反射膜層の
前記読出し用レーザービームに対する反射率は７０％以
上となるように形成することを特徴とするものである。

【００１０】また、本発明の光ディスクの製造方法にお
いては、前記第２の透明な光ディスク基板の表面へのス
パッタによる低反射膜層は、前記第２の透明な光ディス
ク基板の外周部側面に端部が配置され、前記第２の透明
な光ディスク基板の周囲に延在するマスクを用いて形成
することを特徴とするものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態を図面を用
いて説明する。図１は本発明の光ディスクの製造工程を
示す図である。まず、それぞれ異なるディジタル情報を
ピット配列により記録するための第１および第２のスタ
ンパ１１、１２が用意される。これらのスタンパは次の
ようにして作成される。最初に原盤が作製されるが、こ
の工程は、表面研磨されたガラス円板（図示せず）上に
ホトレジストを塗布し、このガラス円板を回転させ、そ
こにレーザー光を絞り込み、電気光学素子によって光を
変調させながら信号を記録（露光）した後、現像するこ
とにより２枚のディスク原盤を得る。これらの２枚のデ
ィスク原盤は、互いに逆回転で露光している。露光に使
用するレーザ光源は、従来のＣＤ、ＬＤの露光に用いら
れていた青色レーザや、集光スポット径がより小さくな
る紫外線レーザを用いている。次に、このようにして作
成された原盤表面に導電性膜を形成した後、Ｎｉめっき
し、信号面を転写した金属板であるスタンパを作製す
る。このようにして作製された第１および第２のディス
ク原盤１１、１２は、次の複製工程で「型」として用い
られる。

【００１２】複製工程では、成型機（図示せず）を用
い、これらのスタンパ１１、１２に熱可塑性樹脂を流し
込みインジェクション成型により、ディジタル情報がピ
ット配列により記録された第１および第２のプラスチッ
ク基板１３、１４が形成される。すなわち、第１のプラ
スチック基板１３の表面にはスタンパ１１のピット配列
が転写されてなる第１の情報記録ピット層１３−１が形
成される。また、同様に、第２のプラスチック基板１４
の表面にはスタンパ１２のピット配列が転写されてなる
第２の情報記録ピット層１４−１が形成される。第１お
よび第２のプラスチック基板１３、１４を構成するプラ
スチック基板材料としてはＰＣ（ポリカーボネート），
ＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレート）などが用いら
れ、それぞれの厚さは例えば、０．６ｍｍとする。これ
らの第１および第２のプラスチック基板１３、１４の第
１、第２の情報記録ピット層１３−１、１４−１の表面
にはそれぞれ以下に示すように、高反射膜層１５および
光透過性の低反射膜１６が形成される。

【００１３】図２は第１のプラスチック基板１３の情報
記録ピット層１３−１表面に高反射膜層１５を形成する
ための第１の真空スパッター装置の構成を示す断面図で
ある。同図のスパッター装置はマグネトロン方式のスパ
ッター装置であり、ハウジング２１の内部にスパッタリ
ングを行うための空間領域であるスパッタ室２２が設け
られ、このスパッタ室２２内にはガス導入部２３を介し
てアルゴンガス（Ａｒ）が導入される。

【００１４】このハウジング２１の上部には、スパッタ
室２２を上方から閉塞するように絶縁材２４を介してバ
ッキングプレート２５が固定されており、パッキングプ
レート２５の下面には高反射膜形成用のＡｌ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ等の金属材料からなるターゲット２６が取り付
けられている。

【００１５】また、円盤状のディスク受皿２７上には第
１のプラスチック基板１３が載置され、この基板１３の
センター部に反射膜が形成されるのを防止するために、
ターゲット２６の中央部には、棒状のセンターマスク２
８が取り付けられている。そして、ハウジング２１の内
部下端には第１のプラスチック基板１３の外周部に反射
膜が形成されるのを防止するためのリング状の外周マス
ク２９が取り付けられている。

【００１６】さらにターゲット２６はバッキングプレー
ト２５および絶縁体３０に埋め込まれたボルト３１を順
次介して陽極電源（図示せず）に接続される一方、ハウ
ジング２１はボルト３２を介してアース設置されてい
る。

【００１７】他方、ハウジング２１の下方には搬送テー
ブル３３、プッシャ部３４、プッシャ部３４の先端にと
りつけられた円盤状のディスク受皿３５が配置されるデ
ィスク搬送室３６が設けられている。搬送テーブル３３
は第１のプラスチック基板１３をスパッタ室２２の中央
下方部に搬送し、これをテーブル受部３５により支持す
る。ディスク受皿３５をプッシャ部３４により押し上げ
ることにより、第１のプラスチック基板１３をターゲッ
ト２６の下面と平行で、かつその情報ピット形成面がセ
ンターマスク２８および外周マスク２９の各下面にそれ
ぞれ密着するような所定位置、すなわち、スパッタリン
グ位置に配置されるようになっている。

【００１８】さらにハウジング２１の上部に配置された
ターゲット２６およびバッキングプレート２５の上方に
は、板状のヨーク４０の下面にリング状の第１の磁石４
１と円柱状の第２の磁石４２とが同心状に固定されてな
る磁界装置４３がモータ（図示せず）の出力軸４４に偏
心的に連結されている。

【００１９】このように構成されたスパッタ装置はその
動作状態においては、ターゲット２６およびセンターマ
スク２８がアノードとして作動し、その他のスパッタ室
２２の周囲がカソードとして作動することにより、アノ
ードとカソード間に放電を生じさせて、スパッタ室２２
内にプラズマを発生させる。この結果、スパッタ室２２
内に導入されているＡｒガス中のＡｒ原子がイオン化し
てターゲット２６に衝突することにより、ターゲット２
６の表面からアルミニウム等の金属原子が放出し、これ
がスパッタリング位置に配置された第１のプラスチック
基板１３の情報ピットが形成された面上に滞積して高反
射膜１５を形成する。この高反射膜層１５の膜厚は５０
０オングストローム程度で成膜され、第１のプラスチッ
ク基板１３単体におけるこの高反射膜層１５による情報
読出し用レーザービームに対する反射率は、７０％以上
が望ましい。

【００２０】他方、第２のプラスチック基板１４に対し
ては第２の真空スパッター装置により第２の情報記録ピ
ット層１４−１の表面にＡｕあるいはＳｉなどの光透過
性の低反射膜層１６が成膜される。この場合、Ａｕある
いはＳｉなどの金属反射膜の膜厚を１００〜２００オン
グストローム程度と薄くすることにより、光透過性の低
反射膜すなわち、半透明膜を形成する。第２のプラスチ
ック基板１４単体におけるこの低反射膜層１６による情
報読出し用レーザービームに対する反射率は、２０〜４
０％が望ましい。

【００２１】図３（Ａ）は第２のプラスチック基板１４
に対して低反射膜層１６を形成するための第２の真空ス
パッター装置の要部の構成を示す断面図である。同図に
示されるように、第２のプラスチック基板１４はプッシ
ャ５１の上端部のディスク受皿５２上に載置され、第２
のプラスチック基板１４の中心部を覆うようにセンター
マスク５３が第２のプラスチック基板１４上部に設けら
れている。第２のプラスチック基板１４の外周部には、
この基板１４の上面は覆わないが、その側面に近接し
て、基板１４の周囲の空間を上下に隔離する隔離板５４
が設けられている。すなわちこの隔離板５４はプラスチ
ック基板１４の上方のスパッタ室５５に配置されたター
ゲット（図示せず）から放出されるＡｕあるいはＳｉな
どの金属原子がプラスチック基板１４の下方に配置され
るディスク搬送室５６内に飛散しないようにスパッタ室
５５とディスク搬送室５６とを隔離するために設けられ
る。隔離板５４はスパッタ室５５を形成する内壁（図示
せず）から第２のプラスチック基板１４の外周側面に向
かって延長された断面楔形に構成されている。第２の真
空スパッター装置のその他の部分はターゲットの材料が
異なる点を除いて前述した第１の真空スパッター装置と
同一であるため、詳細な説明は省略する。

【００２２】このような構造の第２の真空スパッター装
置によるスパッタリング動作も基本的には第１の真空ス
パッター装置のそれと同一であるが、第２の真空スパッ
ター装置においては、スパッタリング動作中、第２のプ
ラスチック基板１４の外周部が外周マスクにより覆われ
ない点が異なっている。このため、第２のプラスチック
基板１４の表面には、その外周端部に至るまでＡｕある
いはＳｉなどの低反射膜層１６が形成される。

【００２３】なお、図３（Ｂ）および（Ｃ）は図３
（Ａ）のディスク受皿５２の径を変化させた変形例を示
す図で、同図（Ｂ）においては、ディスク受皿５２´の
径はプラスチック基板１４の径とほぼ同一であり、同図
（Ｃ）においては、ディスク受皿５２´´の径はプラス
チック基板１４の径より大きく、隔離板５４の内縁はデ
ィスク受皿５２´´上に配置されている。

【００２４】図４はこのようにして製造された第１およ
び第２のプラスチック基板１３、１４をそれらの情報記
録ピット層１３−１、１４−１が互いに対向するように
透明接着剤６１を介して接着して完成された光ディスク
の構造を示す断面図である。同図から明らかなように、
第１のプラスチック基板１３表面の情報記録ピット層１
３−１を被覆する高反射膜層１５はプラスチック基板１
３の外周部近傍においては外周マスクの利用により膜が
形成されていない。しかし、第２のプラスチック基板１
４表面の情報記録ピット層１４−１を被覆する低反射膜
層１６はプラスチック基板１４の外周部を含む全表面に
形成されている。なお、同図の光ディスクの中心孔６２
が形成されている内周部は、センターマスク２８の利用
により、高反射膜層１５および低反射膜層１６はともに
形成されていない。通常、この種の光ディスクにおいて
は、内周部の情報記録密度は外周部に比べて低いため、
低反射膜層１６の内周近傍の膜厚の不均一性の影響は外
周部に比べて低くなる傾向がある。

【００２５】このような構造の光ディスクは、上方から
レーザービーム（図示せず）を照射して、情報記録ピッ
ト層１３−１、１４−１に記録された情報信号を読み出
す場合、図示しない光学レンズにより情報記録ピット層
１３−１、１４−１のそれぞれにレーザービームの焦点
を合わせ、これらの層１３−１、１４−１の表面に形成
された高反射膜層１５あるいは低反射膜層１６により反
射され、図示しない受光部に読み取られる。すなわち、
レーザービームの焦点が情報記録ピット層１３−１に合
わせられる場合には、レーザービームは情報記録ピット
層１４−１の表面に形成された低反射膜層１６を透過し
て高反射膜層１５で反射され、再び低反射膜層１６を透
過して受光部に読み取られる。他方、レーザービームの
焦点が情報記録ピット層１４−１に合わせられる場合に
は、レーザービームは情報記録ピット層１４−１の表面
に形成された低反射膜層１６で反射され受光部に読み取
られる。一般にこの種の光ディスクにおいては、上方の
記録密度を高めるため、情報記録ピット層１３−１、１
４−１はディスクを構成する透明基板の外周部近傍まで
形成されている。本発明の光ディスクにおいては、上述
したように、高反射膜層１５が外周マスクの利用により
外周部近傍では形成されていないのに対して、低反射膜
層１６は外周マスクの不使用により外周端まで形成され
ているため、少なくも情報記録ピット層１３−１、１４
−１が形成されている部分における膜厚は半径方向およ
び円周方向のいずれの方向に対しても均一となる。した
がって記録情報を高い精度で再生することができ、ノイ
ズも減少する。

【００２６】なお、２枚のプラスチック基板１３、１４
を接着剤により貼合せる場合、第２のプラスチック基板
１４は外周部も低反射膜層１６で覆われているが、低反
射膜層１６は高反射膜１５に比べて膜厚が薄いため、溶
剤を含む浸透性の接着剤を用いることにより、透明接着
剤６１は低反射膜層１６を浸透して下地の第２のプラス
チック基板１４に到達して２枚のプラスチック基板１
３、１４を十分な強度で接着することができ、十分な耐
蝕性を得ることができる。また、低反射膜層１６は膜厚
が薄く半透明であるため、光ディスクの外周部はその全
周に亘って半透明となり、光ディスク外周部のバリや微
細な凹凸は目立つことはなく、外観状の問題もない。

【００２７】本発明の実施形態は上記の形態に限られる
ものではなく、種々の変形が可能である。例えば、図３
に示した隔離板５４は断面楔形に構成する代わりに図５
（Ａ）に符号６５で示すように、断面が平行な平面で形
成される板状でもよい。同図の他の構成部分は図３と同
じであるため、同一構成部分には同一の符号を付し、詳
細な説明は省略する。なお、図５（Ｂ）および（Ｃ）は
図５（Ａ）のディスク受皿５２の径を変化させた変形例
を示す図で、同図（Ｂ）においては、ディスク受皿５２
´の径はプラスチック基板１４の径とほぼ同一であり、
同図（Ｃ）においては、ディスク受皿５２´´の径はプ
ラスチック基板１４の径より大きく、隔離板５４の内縁
はディスク受皿５２´´上に配置されている。

【００２８】図６は、本発明に使用する第２の真空スパ
ッタ装置のさらに他の実施形態を示す要部断面図であ
る。このスパッタ装置においては、第２のプラスチック
基板１４が載置されるプッシャ５１の上端部のディスク
受部５２´´´は第２のプラスチック基板１４の半径よ
り大きな半径を有するように形成され、これによって図
３あるいは図５に示した隔離板５４、６５の役割を兼ね
させるように構成されている。したがってこの実施形態
においては図３あるいは図５に示した隔離板５４、６５
は省略されている。

【００２９】なお、以上の実施形態においては、第２の
プラスチック基板１４表面への低反射膜１６の形成に際
しては、プラスチック基板１４の中心部を覆うセンター
マスク５３を用いたが、このセンターマスク５３を第２
のプラスチック基板１４表面から離れた位置に配置する
か、あるいはこのセンターマスク５３を用いることなく
スパッタリングを行うことも可能である。この場合低反
射膜１６は、高反射膜層１５に比べてプラスチック基板
１４の内周部までより長く延長され、外周部と同様な効
果が得られる。また、この場合、低反射膜１６は半透明
であるため、光ディスクの中心部はほぼ透明状態に保つ
ことができる。

【００３０】また、本発明の光ディスクの構造は、図４
に示すように、第１および第２のプラスチック基板１
３、１４をそれらの情報記録ピット層１３−１、１４−
１が互いに対向するように透明接着剤６１を介して接着
した構造としたが、第１のプラスチック基板１３をその
情報記録ピット層１３−１が形成された表面を第２のプ
ラスチック基板１４と同様に上方に向けた状態で相互に
透明接着剤を介して接着させる構造としてもよい。

【００３１】

【発明の効果】以上説明した本発明によれば、光ディス
クを構成する低反射膜を光ディスク基板の外周部を含む
部分に形成することにより、少なくも情報記録ピット層
が形成された部分の膜分布を均一にすることができ、こ
れによって記録情報を高い精度で再生することができ、
ノイズを減少することができる。また、光ディスクの外
周部における耐蝕性あるいは外観状の美観も維持するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ディスクの製造工程を示す図であ
る。

【図２】本発明の光ディスクの表面に高反射膜層を形成
するための第１の真空スパッター装置の構成を示す断面
図である。

【図３】本発明の光ディスクの表面に低射膜層を形成す
るための第２の真空スパッター装置の構成を示す要部断
面図である。

【図４】本発明の光ディスクの構造を示す断面図であ
る。

【図５】本発明の光ディスクの製造に使用する第２の真
空スパッタ装置の他の実施形態を示す要部断面図であ
る。

【図６】本発明の光ディスクの製造に使用する第２の真
空スパッタ装置のさらに他の実施形態を示す要部断面図
である。

【図７】従来の光ディスクの製造に使用するスパッタ装
置の構造を示す要部断面図である。

【図８】従来の光ディスクの構造を示す断面図である。

【符号の説明】

１３第１のプラスチック基板１３−１第１の情報記録ピット層１４第２のプラスチック基板１４−１第２の情報記録ピット層１５高反射膜層１６低反射膜２１ハウジング２２スパッタ室２６ターゲット２７ディスク受皿２８センターマスク２９外周マスク３３搬送テーブル３４プッシャ部３５ディスク受皿３６ディスク搬送室５１プッシャ５２ディスク受皿５３センターマスク５４隔離板５５スパッタ室５６ディスク搬送室

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】透明な光ディスク基板と、この基板内にそ
の表面と平行に配置形成された第1の情報記録ピット層
と、この第1の情報記録ピット層の表面を被覆するよう
に形成された金属からなる高反射膜層と、この高反射膜
が形成された前記第1の情報記録ピット層と離間しこれ
と平行に配置形成された第2の情報記録ピット層と、こ
の第2の情報記録ピット層の表面を被覆するように形成
された光透過性の低反射膜層とを備え、この低反射膜層
は前記光ディスク基板の外周部の全面を含む部分に形成
され、前記高反射膜層は前記光ディスク基板の内周部お
よび前記外周部を除く部分に形成されることを特徴とす
る光ディスク。
【請求項２】前記低反射膜層は読出し用レーザービー
ムに対する反射率が、２０〜４０％であり、前記高反射
膜層の前記読出し用レーザービームに対する反射率は７
０％以上であることを特徴とする請求項１記載の光ディ
スク。
【請求項３】第1の透明な光ディスク基板の表面にスタ
ンパーにより情報記録ピットを形成する工程と、この工
程により形成された前記ピット表面に、前記第1の透明
な光ディスク基板の内周面および外周面を覆うマスクを
介して、スパッターにより高反射膜層を形成する工程
と、第2の透明な光ディスク基板の表面にスタンパーに
より情報記録ピットを形成する工程と、この工程により
形成された前記ピット表面に、前記第2の透明な光ディ
スク基板の外周部の全面を含めてスパッタにより、光透
過性の低反射膜層を形成する工程と、前記第1および第2
の透明な光ディスク基板をそれぞれの前記情報記録ピッ
トが所定間隔を置いて配置されるように透明接着剤を介
して接着する工程とを備えたことを特徴とする光ディス
クの製造方法。
【請求項４】前記低反射膜層は読出し用レーザービー
ムに対する反射率が、２０〜４０％であり、前記高反射
膜層の前記読出し用レーザービームに対する反射率は７
０％以上となるように形成することを特徴とする請求項
３記載の光ディスクの製造方法。
【請求項５】前記第２の透明な光ディスク基板の表面
へのスパッタによる低反射膜層は、前記第２の透明な光
ディスク基板の外周部側面に端部が配置され、前記第２
の透明な光ディスク基板の周囲に延在するマスクを用い
て形成することを特徴とする請求項４記載の光ディスク
の製造方法。