JPH09204686A - 光デイスク及び光デイスクの製造方法 - Google Patents
光デイスク及び光デイスクの製造方法Info
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- JPH09204686A JPH09204686A JP8035523A JP3552396A JPH09204686A JP H09204686 A JPH09204686 A JP H09204686A JP 8035523 A JP8035523 A JP 8035523A JP 3552396 A JP3552396 A JP 3552396A JP H09204686 A JPH09204686 A JP H09204686A
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- region
- thickness
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- disc
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Abstract
(57)【要約】
【課題】デイスクの製造が可能なスキユーマージンを確
保し、かつデイスクの強度を確保しながらデイスクの記
録密度を向上させることが困難であつた。 【解決手段】一面（１１Ａ）に記録信号に応じた凹凸パ
ターンが形成されると共に一面（１１Ａ）に反射膜層
（１２）が形成されてなる光デイスク（１０）及び当該
光デイスク（１０）の製造方法において、記録信号に応
じた凹凸パターンが形成される第１の領域（１１Ａ1 ）
における厚み（ｈ1 ）が当該第１の領域（１１Ａ1 ）以
外の第２の領域（１１Ａ2 ）における厚み（ｈ2 ）より
薄くなるように基板（１１）を作成する。これにより、
光デイスク（１０）の強度と、デイスクの製造が可能な
スキユーマージンを確保することができ、かくして単一
基板で記録密度の高密度化に対応し得る光デイスク及び
光デイスクの製造方法を実現することができる。
保し、かつデイスクの強度を確保しながらデイスクの記
録密度を向上させることが困難であつた。 【解決手段】一面（１１Ａ）に記録信号に応じた凹凸パ
ターンが形成されると共に一面（１１Ａ）に反射膜層
（１２）が形成されてなる光デイスク（１０）及び当該
光デイスク（１０）の製造方法において、記録信号に応
じた凹凸パターンが形成される第１の領域（１１Ａ1 ）
における厚み（ｈ1 ）が当該第１の領域（１１Ａ1 ）以
外の第２の領域（１１Ａ2 ）における厚み（ｈ2 ）より
薄くなるように基板（１１）を作成する。これにより、
光デイスク（１０）の強度と、デイスクの製造が可能な
スキユーマージンを確保することができ、かくして単一
基板で記録密度の高密度化に対応し得る光デイスク及び
光デイスクの製造方法を実現することができる。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術（図４） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 発明の実施の形態（図１〜図３） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は光デイスク及び光デ
イスクの製造方法に関し、信号記録容量を従来の光デイ
スクよりも増大させようとするものである。
イスクの製造方法に関し、信号記録容量を従来の光デイ
スクよりも増大させようとするものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、図４に示すように、コンパクトデ
イスク等の読出し専用の光デイスク１は、ポリカーボネ
ートなどのプラスチツク材料を用いて射出成形等により
作成された基板２のピツト面２Ａ上に、スパツタリング
又は蒸着等により光の反射率の高い材料（一般的にはア
ルミニウム）を所定の厚みで塗布することにより反射膜
層３を形成し、この反射膜層３上にＵＶ（Ultra Viole
t）硬化樹脂等でなる保護膜層４を積層することにより
形成されている。
イスク等の読出し専用の光デイスク１は、ポリカーボネ
ートなどのプラスチツク材料を用いて射出成形等により
作成された基板２のピツト面２Ａ上に、スパツタリング
又は蒸着等により光の反射率の高い材料（一般的にはア
ルミニウム）を所定の厚みで塗布することにより反射膜
層３を形成し、この反射膜層３上にＵＶ（Ultra Viole
t）硬化樹脂等でなる保護膜層４を積層することにより
形成されている。
【０００４】この場合、基板２のピツト面２Ａには記録
した信号に応じた凹凸パターンが形成されており、この
信号の再生は基板２のピツト面２Ａと対向する面側から
レーザ光Ｌ１を照射し、当該レーザ光Ｌ１が反射膜層３
において反射（反射率は90〔％〕程度）することにより
得られる反射光Ｌ２に基づいて行つている。
した信号に応じた凹凸パターンが形成されており、この
信号の再生は基板２のピツト面２Ａと対向する面側から
レーザ光Ｌ１を照射し、当該レーザ光Ｌ１が反射膜層３
において反射（反射率は90〔％〕程度）することにより
得られる反射光Ｌ２に基づいて行つている。
【０００５】この種の光デイスク１の場合、上述のよう
に単一基板２の一面（ピツト面２Ａ）にのみ記録信号に
応じた凹凸パターンを形成しており、従つて１枚の光デ
イスク１に記録できる情報量はある程度限定されてい
た。このため、従来、基板２のピツト面２Ａに形成する
凹凸パターンの形状そのものを小さくする（すなわち記
録ピツトを小さくする）ことにより１枚の光デイスク１
に記録できる情報量を増加させるなどの方法が使用され
又は研究されている。
に単一基板２の一面（ピツト面２Ａ）にのみ記録信号に
応じた凹凸パターンを形成しており、従つて１枚の光デ
イスク１に記録できる情報量はある程度限定されてい
た。このため、従来、基板２のピツト面２Ａに形成する
凹凸パターンの形状そのものを小さくする（すなわち記
録ピツトを小さくする）ことにより１枚の光デイスク１
に記録できる情報量を増加させるなどの方法が使用され
又は研究されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ここで実際上、光デイ
スク１の記録密度を高めるためには、基板２の一面２Ａ
に形成する凹凸パターンの形状そのものを小さくする
（すなわち記録ピツトを小さくする）。この場合、光デ
イスクの再生装置におけるレーザ光のスポツト径も光デ
イスク１の記録ピツトに応じたスポツト径にする（すな
わち小さくする）必要がある。
スク１の記録密度を高めるためには、基板２の一面２Ａ
に形成する凹凸パターンの形状そのものを小さくする
（すなわち記録ピツトを小さくする）。この場合、光デ
イスクの再生装置におけるレーザ光のスポツト径も光デ
イスク１の記録ピツトに応じたスポツト径にする（すな
わち小さくする）必要がある。
【０００７】ここでスポツト径φはλ（レーザの波長）
／ＮＡ（レンズの開口率）に比例するので、レーザの波
長λを小さくするか又はレンズの開口率ＮＡを大きくす
ることによりスポツト径φを小さくすることができる。
またレンズの開口率ＮＡを大きくすることによりレーザ
光のスポツト径φを小さくする場合、再生装置と光デイ
スクとの間のスキユーマージンαが小さくなる。すなわ
ちスキユーマージンαはλ／ｔ・ＮＡ3 に比例する。こ
こでｔは光デイスクの厚みを表す。
／ＮＡ（レンズの開口率）に比例するので、レーザの波
長λを小さくするか又はレンズの開口率ＮＡを大きくす
ることによりスポツト径φを小さくすることができる。
またレンズの開口率ＮＡを大きくすることによりレーザ
光のスポツト径φを小さくする場合、再生装置と光デイ
スクとの間のスキユーマージンαが小さくなる。すなわ
ちスキユーマージンαはλ／ｔ・ＮＡ3 に比例する。こ
こでｔは光デイスクの厚みを表す。
【０００８】この関係より、レンズの開口率ＮＡを大き
くすると、レンズの開口率ＮＡの３乗に反比例してスキ
ユーマージンαが小さくなることが分かる。従つてレン
ズの開口率ＮＡを大きくすることで記録密度に応じてス
ポツト径φを小さくした場合、スキユーマージンαが小
さくなるため、デイスクの製造が困難になる。この問題
を解決する方法として、光デイスクの厚み、すなわち光
デイスクの厚みが薄い光デイスク形状とする方法が考え
られている。
くすると、レンズの開口率ＮＡの３乗に反比例してスキ
ユーマージンαが小さくなることが分かる。従つてレン
ズの開口率ＮＡを大きくすることで記録密度に応じてス
ポツト径φを小さくした場合、スキユーマージンαが小
さくなるため、デイスクの製造が困難になる。この問題
を解決する方法として、光デイスクの厚み、すなわち光
デイスクの厚みが薄い光デイスク形状とする方法が考え
られている。
【０００９】ところが光デイスク１の基板２の材料とし
ては、上述のようにポリカーボネート等のプラスチツク
材料を用いているため、光デイスク１の厚みをより薄く
製造した場合、強度の点で問題が生じ、また基板の平坦
性を確保することが非常に困難になる。
ては、上述のようにポリカーボネート等のプラスチツク
材料を用いているため、光デイスク１の厚みをより薄く
製造した場合、強度の点で問題が生じ、また基板の平坦
性を確保することが非常に困難になる。
【００１０】すなわち光デイスク１の再生時、光デイス
ク１のクランピングエリア（信号記録領域より内周側の
領域）がチヤツキング機構によつてチヤツキングされる
が、光デイスク１を薄く形成した場合、光デイスク１が
変形するおそれがある。従つて単一基板でなる光デイス
クにおいて、デイスクの製造が可能なスキユーマージン
とデイスクの強度を確保しながら光デイスクの記録密度
を向上させることは極めて困難であつた。
ク１のクランピングエリア（信号記録領域より内周側の
領域）がチヤツキング機構によつてチヤツキングされる
が、光デイスク１を薄く形成した場合、光デイスク１が
変形するおそれがある。従つて単一基板でなる光デイス
クにおいて、デイスクの製造が可能なスキユーマージン
とデイスクの強度を確保しながら光デイスクの記録密度
を向上させることは極めて困難であつた。
【００１１】このような問題を解決したものとして、信
号が記録された（すなわち一面に当該信号に応じた凹凸
パターンが形成された）厚み 0.6〔mm〕でなる基板の信
号記録面に反射膜層が形成されてなる光デイスクを製作
し、もう１枚の厚み 0.6〔mm〕のデイスクを製作し、こ
の２枚の光デイスクを接着剤によつて貼り合わせること
により強度と平坦性を確保したいわゆる貼合わせ型光デ
イスクが考えられている。
号が記録された（すなわち一面に当該信号に応じた凹凸
パターンが形成された）厚み 0.6〔mm〕でなる基板の信
号記録面に反射膜層が形成されてなる光デイスクを製作
し、もう１枚の厚み 0.6〔mm〕のデイスクを製作し、こ
の２枚の光デイスクを接着剤によつて貼り合わせること
により強度と平坦性を確保したいわゆる貼合わせ型光デ
イスクが考えられている。
【００１２】しかしながらこの種の貼合わせ型光デイス
クでは、製造コストが通常の光デイスク１を１枚作成す
る場合より上昇する問題がある。また２枚の光デイスク
を貼り合わせるための貼合わせ装置や貼合わせ対象とな
る光デイスクを成形するための成形機などが必要とな
り、光デイスクの製造コストが上昇し、しかも製造工程
数が増加するため歩留まりが低下する問題がある。
クでは、製造コストが通常の光デイスク１を１枚作成す
る場合より上昇する問題がある。また２枚の光デイスク
を貼り合わせるための貼合わせ装置や貼合わせ対象とな
る光デイスクを成形するための成形機などが必要とな
り、光デイスクの製造コストが上昇し、しかも製造工程
数が増加するため歩留まりが低下する問題がある。
【００１３】さらに貼合わせ型光デイスクの場合には、
既存のプレーヤを使用できないため、当該貼合わせ型光
デイスク用のプレーヤを新たに製造する必要があり、そ
の分コストが上昇する問題がある。
既存のプレーヤを使用できないため、当該貼合わせ型光
デイスク用のプレーヤを新たに製造する必要があり、そ
の分コストが上昇する問題がある。
【００１４】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、単一基板で記録密度の高密度化に対応し得る光デイ
スク及び光デイスクの製造方法を提案しようとするもの
である。
で、単一基板で記録密度の高密度化に対応し得る光デイ
スク及び光デイスクの製造方法を提案しようとするもの
である。
【００１５】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、一面に記録信号に応じた凹凸パタ
ーンが形成されると共に一面に反射膜層が形成されてな
る光デイスクにおいて、基板は、凹凸パターンが形成さ
れた第１の領域における厚みが当該第１の領域以外の第
２の領域における厚みよりも薄く形成されている。
め本発明においては、一面に記録信号に応じた凹凸パタ
ーンが形成されると共に一面に反射膜層が形成されてな
る光デイスクにおいて、基板は、凹凸パターンが形成さ
れた第１の領域における厚みが当該第１の領域以外の第
２の領域における厚みよりも薄く形成されている。
【００１６】基板の凹凸パターンが形成された第１の領
域における厚みが当該第１の領域以外の第２の領域にお
ける厚みよりも薄いので、光デイスクの強度とデイスク
の製造が可能なスキユーマージンを確保しながら光デイ
スクの高密度化を可能にしている。
域における厚みが当該第１の領域以外の第２の領域にお
ける厚みよりも薄いので、光デイスクの強度とデイスク
の製造が可能なスキユーマージンを確保しながら光デイ
スクの高密度化を可能にしている。
【００１７】また本発明においては、一面に記録信号に
応じた凹凸パターンが形成されると共に一面に反射膜層
が形成されてなる光デイスクを製造する光デイスクの製
造方法において、凹凸パターンが形成される第１の領域
における厚みが当該第１の領域以外の第２の領域におけ
る厚みより薄くなるように基板を作成する。
応じた凹凸パターンが形成されると共に一面に反射膜層
が形成されてなる光デイスクを製造する光デイスクの製
造方法において、凹凸パターンが形成される第１の領域
における厚みが当該第１の領域以外の第２の領域におけ
る厚みより薄くなるように基板を作成する。
【００１８】記録信号に応じた凹凸パターンが形成され
る第１の領域における厚みを当該第１の領域以外の第２
の領域における厚みよりも薄くなるように基板を作成し
たので、光デイスクの強度とデイスクの製造が可能なス
キユーマージンを確保しながら光デイスクの高密度化を
可能にしている。
る第１の領域における厚みを当該第１の領域以外の第２
の領域における厚みよりも薄くなるように基板を作成し
たので、光デイスクの強度とデイスクの製造が可能なス
キユーマージンを確保しながら光デイスクの高密度化を
可能にしている。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００２０】図１において、１０は全体として本発明の
実施例による光デイスクを示し、この光デイスク１０は
凸状に形成されている。すなわちポリカーボネート等の
プラスチツク材料でなる基板１１の一面１１Ａに記録信
号に応じた凹凸パターンが形成されており、この基板１
１の一面１１Ａにおける凹凸パターンが形成された領域
（以下、これを信号記録領域と呼ぶ）１１Ａ1 における
基板１１の厚みｈ1 は 0.6〔mm〕に形成されており、信
号記録領域１１Ａ1 以外の領域１１Ａ2 における基板１
１の厚みｈ2 は 1.2〔mm〕に形成されている。
実施例による光デイスクを示し、この光デイスク１０は
凸状に形成されている。すなわちポリカーボネート等の
プラスチツク材料でなる基板１１の一面１１Ａに記録信
号に応じた凹凸パターンが形成されており、この基板１
１の一面１１Ａにおける凹凸パターンが形成された領域
（以下、これを信号記録領域と呼ぶ）１１Ａ1 における
基板１１の厚みｈ1 は 0.6〔mm〕に形成されており、信
号記録領域１１Ａ1 以外の領域１１Ａ2 における基板１
１の厚みｈ2 は 1.2〔mm〕に形成されている。
【００２１】この場合、凹凸パターンの形状の大きさ
（すなわち記録ピツトの大きさ）は、信号記録領域１１
Ａ1 における基板１１の厚みｈ1 に応じたデイスクの製
造が可能なスキユーマージンを確保し得るように選定さ
れている。また基板１１の信号記録領域１１Ａ1 （すな
わち凹凸パターン）上には、アルミニウムでなる反射膜
層１２が所定の厚みで形成されていると共に、当該反射
膜層１２上にＵＶ樹脂等でなる保護膜層１３が形成され
ている。
（すなわち記録ピツトの大きさ）は、信号記録領域１１
Ａ1 における基板１１の厚みｈ1 に応じたデイスクの製
造が可能なスキユーマージンを確保し得るように選定さ
れている。また基板１１の信号記録領域１１Ａ1 （すな
わち凹凸パターン）上には、アルミニウムでなる反射膜
層１２が所定の厚みで形成されていると共に、当該反射
膜層１２上にＵＶ樹脂等でなる保護膜層１３が形成され
ている。
【００２２】これによりこの光デイスク１０では、信号
記録領域１１Ａ1 以外の領域１１Ａ2 における基板１１
の厚みｈ2 で光デイスク１０の強度を確保すると共に、
信号記録領域１１Ａ1 における基板１１の厚みｈ1 を薄
く形成することによつてデイスクの製造が可能なスキユ
ーマージンを確保して高密度化に対応し得るようになさ
れている。
記録領域１１Ａ1 以外の領域１１Ａ2 における基板１１
の厚みｈ2 で光デイスク１０の強度を確保すると共に、
信号記録領域１１Ａ1 における基板１１の厚みｈ1 を薄
く形成することによつてデイスクの製造が可能なスキユ
ーマージンを確保して高密度化に対応し得るようになさ
れている。
【００２３】かくしてこの光デイスク１０は、再生装置
の光ピツクアツプにおけるレンズの開口率ＮＡを大きく
することで記録密度に応じてスポツト系φを小さくした
場合には、従来の光デイスク１に対して光デイスクの厚
みが薄い分だけデイスクの製造が可能なスキユーマージ
ンαを確保しながら、光デイスクの高密度化が可能とな
る。
の光ピツクアツプにおけるレンズの開口率ＮＡを大きく
することで記録密度に応じてスポツト系φを小さくした
場合には、従来の光デイスク１に対して光デイスクの厚
みが薄い分だけデイスクの製造が可能なスキユーマージ
ンαを確保しながら、光デイスクの高密度化が可能とな
る。
【００２４】またこの光デイスク１０の場合、信号の再
生は、基板１１の一面１１Ａと対向する他面１１Ｂ側か
らレーザ光を凹凸パターン面に焦点を合わせて照射し、
当該レーザ光が反射膜層１２において反射することによ
り得られる反射光に基づいて当該基板１１の一面１１Ａ
に記録された記録信号を再生し得るようになされてい
る。
生は、基板１１の一面１１Ａと対向する他面１１Ｂ側か
らレーザ光を凹凸パターン面に焦点を合わせて照射し、
当該レーザ光が反射膜層１２において反射することによ
り得られる反射光に基づいて当該基板１１の一面１１Ａ
に記録された記録信号を再生し得るようになされてい
る。
【００２５】ここでこの光デイスク１０は、以下に示す
工程により製造することができる。すなわち、まず基板
１１の一面１１Ａに記録する記録信号に応じた凹凸パタ
ーンを有すると共に信号記録領域１１Ａ1 以外の領域１
１Ａ2 に応じた領域に深さ0.6〔mm〕の凹部を有する第
１のスタンパ及び基板１１の他面１１Ｂに応じた平坦面
を有する第２のスタンパを作成する。
工程により製造することができる。すなわち、まず基板
１１の一面１１Ａに記録する記録信号に応じた凹凸パタ
ーンを有すると共に信号記録領域１１Ａ1 以外の領域１
１Ａ2 に応じた領域に深さ0.6〔mm〕の凹部を有する第
１のスタンパ及び基板１１の他面１１Ｂに応じた平坦面
を有する第２のスタンパを作成する。
【００２６】続いて、第１及び第２のスタンパを 0.6
〔mm〕隔てて第１のスタンパの凹凸パターン及び凹部が
形成された面と第２のスタンパの平坦面同士が対向する
ように平行に配置してポリカーボネート等の樹脂を材料
として射出成形により基板１１を作成する。
〔mm〕隔てて第１のスタンパの凹凸パターン及び凹部が
形成された面と第２のスタンパの平坦面同士が対向する
ように平行に配置してポリカーボネート等の樹脂を材料
として射出成形により基板１１を作成する。
【００２７】続いて当該基板１１の信号記録領域１１Ａ
1 上にアルミニウムでなる材料を均一かつ所定の厚みで
塗布することにより反射膜層１２を形成し、さらにこの
反射膜層１２上にＵＶ樹脂を均一かつ所定の厚みで塗布
することにより保護膜層１３を形成する。これにより光
デイスク１０を得ることができる。
1 上にアルミニウムでなる材料を均一かつ所定の厚みで
塗布することにより反射膜層１２を形成し、さらにこの
反射膜層１２上にＵＶ樹脂を均一かつ所定の厚みで塗布
することにより保護膜層１３を形成する。これにより光
デイスク１０を得ることができる。
【００２８】以上の構成において、この光デイスク１０
では、信号記録領域１１Ａ1 における基板１１の厚みｈ
1 が 0.6〔mm〕の厚みに形成されていると共に、信号記
録領域１１Ａ1 以外の領域１１Ａ2 における基板１１の
厚みｈ2 が 1.2〔mm〕の厚みに形成されているため、光
デイスク１０の強度をと、デイスク製造が可能なスキユ
ーマージンを確保しながら光デイスクの高密度化を可能
にしている。
では、信号記録領域１１Ａ1 における基板１１の厚みｈ
1 が 0.6〔mm〕の厚みに形成されていると共に、信号記
録領域１１Ａ1 以外の領域１１Ａ2 における基板１１の
厚みｈ2 が 1.2〔mm〕の厚みに形成されているため、光
デイスク１０の強度をと、デイスク製造が可能なスキユ
ーマージンを確保しながら光デイスクの高密度化を可能
にしている。
【００２９】またこの光デイスク１０では、上述のよう
に基板１１の一面１１Ａに記録する記録信号に応じた凹
凸パターンを有すると共に信号記録領域１１Ａ1 以外の
領域１１Ａ2 に応じた領域に深さ 0.6〔mm〕の凹部を有
する第１のスタンパと、基板１１の他面１１Ｂに応じた
平坦面を有する第２のスタンパとを用いて基板１１の信
号記録領域１１Ａ1 及び領域１１Ａ2 にそれぞれ第１の
スタンパの凹凸パターン及び凹部を転写するだけで形成
することができるため、既存の技術及び製造装置で成形
良く作成することができる。
に基板１１の一面１１Ａに記録する記録信号に応じた凹
凸パターンを有すると共に信号記録領域１１Ａ1 以外の
領域１１Ａ2 に応じた領域に深さ 0.6〔mm〕の凹部を有
する第１のスタンパと、基板１１の他面１１Ｂに応じた
平坦面を有する第２のスタンパとを用いて基板１１の信
号記録領域１１Ａ1 及び領域１１Ａ2 にそれぞれ第１の
スタンパの凹凸パターン及び凹部を転写するだけで形成
することができるため、既存の技術及び製造装置で成形
良く作成することができる。
【００３０】さらにこの光デイスク１０は、２枚の光デ
イスクを作成して貼り合わせるような煩雑な作業工程を
必要とせず、また２枚の光デイスクを貼り合わせるため
の貼合わせ装置や貼合わせ対象となる光デイスクを成形
するための成形機などを必要としないため、光デイスク
の製造コストの上昇及び歩留まりの低下を回避すること
ができる。さらにこの光デイスク１０は、従来の光デイ
スク１に比べて基板１１の材料となるポリカーボネート
等のプラスチツク材料の使用量が信号記録領域１１Ａ1
における基板１１の厚みを薄くした分だけ少なくなるの
で、光デイスクの製造コストを低減することができる。
イスクを作成して貼り合わせるような煩雑な作業工程を
必要とせず、また２枚の光デイスクを貼り合わせるため
の貼合わせ装置や貼合わせ対象となる光デイスクを成形
するための成形機などを必要としないため、光デイスク
の製造コストの上昇及び歩留まりの低下を回避すること
ができる。さらにこの光デイスク１０は、従来の光デイ
スク１に比べて基板１１の材料となるポリカーボネート
等のプラスチツク材料の使用量が信号記録領域１１Ａ1
における基板１１の厚みを薄くした分だけ少なくなるの
で、光デイスクの製造コストを低減することができる。
【００３１】さらにこの光デイスク１０では、信号記録
領域１１Ａ1 以外の領域１１Ａ2 における基板１１の厚
みｈ2 及び形状をコンパクトデイスクの規格に合わせる
ことにより、光学系等を調整するだけでコンパクトデイ
スク用のプレーヤを共用することができ、従つて光デイ
スク１０用のプレーヤを別個に製造する必要がないの
で、その分コストの上昇を回避することができる。さら
にこの光デイスク１０では、記録密度に応じて信号記録
領域１１Ａ1 における基板１１の厚みｈ1 を変えても、
信号記録領域１１Ａ1 以外の領域１１Ａ2の厚みｈ2 及
び形状を既存の光デイスクに合わせることにより、光学
系等を調整するだけで当該光デイスク用のプレーヤを共
用することができる。
領域１１Ａ1 以外の領域１１Ａ2 における基板１１の厚
みｈ2 及び形状をコンパクトデイスクの規格に合わせる
ことにより、光学系等を調整するだけでコンパクトデイ
スク用のプレーヤを共用することができ、従つて光デイ
スク１０用のプレーヤを別個に製造する必要がないの
で、その分コストの上昇を回避することができる。さら
にこの光デイスク１０では、記録密度に応じて信号記録
領域１１Ａ1 における基板１１の厚みｈ1 を変えても、
信号記録領域１１Ａ1 以外の領域１１Ａ2の厚みｈ2 及
び形状を既存の光デイスクに合わせることにより、光学
系等を調整するだけで当該光デイスク用のプレーヤを共
用することができる。
【００３２】さらにこの光デイスク１０は、信号記録領
域１１Ａ1 における基板１１の厚みｈ1 次第では、上述
の貼合わせ型光デイスクより低コストでかつ同等以上の
高密度光デイスクを実現することができる。さらに光デ
イスク１０の場合には、貼合わせ型光デイスク用の再生
装置にも容易に適用することかできる。さらにこの光デ
イスク１０では、チヤツキング時に必要なサイズをコン
パクトデイスクと同じサイズだけ確保することができ
る。
域１１Ａ1 における基板１１の厚みｈ1 次第では、上述
の貼合わせ型光デイスクより低コストでかつ同等以上の
高密度光デイスクを実現することができる。さらに光デ
イスク１０の場合には、貼合わせ型光デイスク用の再生
装置にも容易に適用することかできる。さらにこの光デ
イスク１０では、チヤツキング時に必要なサイズをコン
パクトデイスクと同じサイズだけ確保することができ
る。
【００３３】以上の構成によれば、信号記録領域１１Ａ
1 における基板１１の厚みｈ1 を 0.6〔mm〕に形成し、
信号記録領域１１Ａ1 以外の領域１１Ａ2 における基板
１１の厚みｈ2 を 1.2〔mm〕に形成したことにより、光
デイスク１０の強度と、デイスク製造が可能なスキユー
マージンを確保することができ、かくして単一基板で記
録密度の高密度化に対応し得る光デイスク及び光デイス
クの製造方法を実現することができる。
1 における基板１１の厚みｈ1 を 0.6〔mm〕に形成し、
信号記録領域１１Ａ1 以外の領域１１Ａ2 における基板
１１の厚みｈ2 を 1.2〔mm〕に形成したことにより、光
デイスク１０の強度と、デイスク製造が可能なスキユー
マージンを確保することができ、かくして単一基板で記
録密度の高密度化に対応し得る光デイスク及び光デイス
クの製造方法を実現することができる。
【００３４】なお上述の実施例においては、基板１１の
一面１１Ａ側が凸状になるように、信号記録領域１１Ａ
1 における基板１１の厚みｈ1 を信号記録領域１１Ａ1
以外の領域１１Ａ2 における厚みｈ2 より薄く形成した
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図１と
の対応部分に同一符号を付して図２に示す光デイスク２
０のように、基板２１の他面２１Ｂ側が凸状になるよう
に、信号記録領域２１Ａ1 における基板２１の厚みｈ1
を信号記録領域２１Ａ1 以外の領域２１Ａ2 における基
板２１の厚みｈ2 より薄く形成するようにしてもよい。
一面１１Ａ側が凸状になるように、信号記録領域１１Ａ
1 における基板１１の厚みｈ1 を信号記録領域１１Ａ1
以外の領域１１Ａ2 における厚みｈ2 より薄く形成した
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図１と
の対応部分に同一符号を付して図２に示す光デイスク２
０のように、基板２１の他面２１Ｂ側が凸状になるよう
に、信号記録領域２１Ａ1 における基板２１の厚みｈ1
を信号記録領域２１Ａ1 以外の領域２１Ａ2 における基
板２１の厚みｈ2 より薄く形成するようにしてもよい。
【００３５】この光デイスク２０の場合、まず基板２１
の一面２１Ａに記録する記録信号に応じた凹凸パターン
を有する第１のスタンパ及び信号記録領域２１Ａ1 以外
の領域２１Ａ2 に応じた領域に深さ 0.6〔mm〕の凹部を
有する第２のスタンパを作成する。続いて、第１及び第
２のスタンパを 0.6〔mm〕隔てて第１のスタンパの凹凸
パターンが形成された面と第２のスタンパの凹部が形成
された面同士が対向するように平行に配置してポリカー
ボネート等の樹脂を材料として射出成形により基板２１
を作成する。続いて当該基板２１の信号記録領域２１Ａ
1 上にアルミニウムでなる材料を均一かつ所定の厚みで
塗布することにより反射膜層１２を形成し、さらにこの
反射膜層１２上にＵＶ樹脂を均一かつ所定の厚みで塗布
することにより保護膜層１３を形成する。これにより光
デイスク２０を得ることができる。
の一面２１Ａに記録する記録信号に応じた凹凸パターン
を有する第１のスタンパ及び信号記録領域２１Ａ1 以外
の領域２１Ａ2 に応じた領域に深さ 0.6〔mm〕の凹部を
有する第２のスタンパを作成する。続いて、第１及び第
２のスタンパを 0.6〔mm〕隔てて第１のスタンパの凹凸
パターンが形成された面と第２のスタンパの凹部が形成
された面同士が対向するように平行に配置してポリカー
ボネート等の樹脂を材料として射出成形により基板２１
を作成する。続いて当該基板２１の信号記録領域２１Ａ
1 上にアルミニウムでなる材料を均一かつ所定の厚みで
塗布することにより反射膜層１２を形成し、さらにこの
反射膜層１２上にＵＶ樹脂を均一かつ所定の厚みで塗布
することにより保護膜層１３を形成する。これにより光
デイスク２０を得ることができる。
【００３６】また図１との対応部分に同一符号を付して
図３に示す光デイスク３０のように、基板３１の一面３
１Ａ及び他面３１Ｂ側が共に凸状になるように、信号記
録領域３１Ａ1 における基板３１の厚みｈ1 を信号記録
領域３１Ａ1 以外の領域３１Ａ2 における厚みｈ2 より
薄くなるように形成してもよい。この光デイスク３０の
場合、まず基板３１の一面３１Ａに記録する記録信号に
応じた凹凸パターンを有すると共に信号記録領域３１Ａ
1 以外の領域３１Ａ2 に応じた領域に深さ 0.3〔mm〕の
凹部を有する第１のスタンパ及び信号記録領域３１Ａ1
以外の領域３１Ａ2 に応じた領域に深さ 0.3〔mm〕の凹
部を有する第２のスタンパを作成する。
図３に示す光デイスク３０のように、基板３１の一面３
１Ａ及び他面３１Ｂ側が共に凸状になるように、信号記
録領域３１Ａ1 における基板３１の厚みｈ1 を信号記録
領域３１Ａ1 以外の領域３１Ａ2 における厚みｈ2 より
薄くなるように形成してもよい。この光デイスク３０の
場合、まず基板３１の一面３１Ａに記録する記録信号に
応じた凹凸パターンを有すると共に信号記録領域３１Ａ
1 以外の領域３１Ａ2 に応じた領域に深さ 0.3〔mm〕の
凹部を有する第１のスタンパ及び信号記録領域３１Ａ1
以外の領域３１Ａ2 に応じた領域に深さ 0.3〔mm〕の凹
部を有する第２のスタンパを作成する。
【００３７】続いて、第１及び第２のスタンパを 0.6
〔mm〕隔てて第１のスタンパの凹凸パターン及び凹部が
形成された面と第２のスタンパの凹部が形成された面同
士が対向するように平行に配置してポリカーボネート等
の樹脂を材料として射出成形により基板３１を作成す
る。続いて当該基板３１の信号記録領域３１Ａ1 上にア
ルミニウムでなる材料を均一かつ所定の厚みで塗布する
ことにより反射膜層１２を形成し、さらにこの反射膜層
１２上にＵＶ樹脂を均一かつ所定の厚みで塗布すること
により保護膜層１３を形成する。これにより光デイスク
３０を得ることができる。
〔mm〕隔てて第１のスタンパの凹凸パターン及び凹部が
形成された面と第２のスタンパの凹部が形成された面同
士が対向するように平行に配置してポリカーボネート等
の樹脂を材料として射出成形により基板３１を作成す
る。続いて当該基板３１の信号記録領域３１Ａ1 上にア
ルミニウムでなる材料を均一かつ所定の厚みで塗布する
ことにより反射膜層１２を形成し、さらにこの反射膜層
１２上にＵＶ樹脂を均一かつ所定の厚みで塗布すること
により保護膜層１３を形成する。これにより光デイスク
３０を得ることができる。
【００３８】また上述の実施例においては、信号記録領
域１１Ａ1 、２１Ａ1 及び３１Ａ1における基板１１、
２１及び３１の厚みｈ1 をそれぞれ 0.6〔mm〕に形成
し、信号記録領域１１Ａ1 、２１Ａ1 及び３１Ａ1 以外
の領域１１Ａ2 、２１Ａ2 及び３１Ａ2 における基板１
１、２１及び３１の厚みｈ2 をそれぞれ 1.2〔mm〕に形
成した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
要は光デイスク１０、２０及び３０の強度を確保し、か
つデイスクの製造が可能なスキユーマージンを確保しな
がら高密度化に対応し得るように、信号記録領域１１Ａ
1 ２１Ａ1 及び３１Ａ1 における基板１１、２１及び３
１の厚みｈ1 がそれぞれ領域１１Ａ2 、２１Ａ2 及び３
１Ａ2 における基板１１、２１及び３１の厚みｈ2 より
薄くなるように形成すれば、信号記録領域１１Ａ1 ２１
Ａ1 及び３１Ａ1 における基板１１、２１及び３１の厚
みｈ1 及び領域１１Ａ2 、２１Ａ2 及び３１Ａ2 におけ
る基板１１、２１及び３１の厚みｈ2 としてこの他種々
の厚みで形成してもよい。
域１１Ａ1 、２１Ａ1 及び３１Ａ1における基板１１、
２１及び３１の厚みｈ1 をそれぞれ 0.6〔mm〕に形成
し、信号記録領域１１Ａ1 、２１Ａ1 及び３１Ａ1 以外
の領域１１Ａ2 、２１Ａ2 及び３１Ａ2 における基板１
１、２１及び３１の厚みｈ2 をそれぞれ 1.2〔mm〕に形
成した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
要は光デイスク１０、２０及び３０の強度を確保し、か
つデイスクの製造が可能なスキユーマージンを確保しな
がら高密度化に対応し得るように、信号記録領域１１Ａ
1 ２１Ａ1 及び３１Ａ1 における基板１１、２１及び３
１の厚みｈ1 がそれぞれ領域１１Ａ2 、２１Ａ2 及び３
１Ａ2 における基板１１、２１及び３１の厚みｈ2 より
薄くなるように形成すれば、信号記録領域１１Ａ1 ２１
Ａ1 及び３１Ａ1 における基板１１、２１及び３１の厚
みｈ1 及び領域１１Ａ2 、２１Ａ2 及び３１Ａ2 におけ
る基板１１、２１及び３１の厚みｈ2 としてこの他種々
の厚みで形成してもよい。
【００３９】さらに上述の実施例においては、基板の凹
凸パターンが形成される第１の領域上にアルミニウムで
なる反射膜層１２を形成した場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、要は良好な信号特性を有する再生
信号を得ることができれば、反射膜層の材料としてこの
他種々の材料で反射膜層を形成してもよい。さらに上述
の実施例においては、反射膜層１２上に保護膜層１３を
形成した場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、反射膜層１２に保護膜としての機能をもたせて反射
膜層１２上に保護膜層１３を形成しない構造としてもよ
い。
凸パターンが形成される第１の領域上にアルミニウムで
なる反射膜層１２を形成した場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、要は良好な信号特性を有する再生
信号を得ることができれば、反射膜層の材料としてこの
他種々の材料で反射膜層を形成してもよい。さらに上述
の実施例においては、反射膜層１２上に保護膜層１３を
形成した場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、反射膜層１２に保護膜としての機能をもたせて反射
膜層１２上に保護膜層１３を形成しない構造としてもよ
い。
【００４０】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、凹凸パタ
ーンが形成される第１の領域における厚みが当該第１の
領域以外の第２の領域における厚みより薄くなるように
基板を作成することにより、光デイスクの強度と、デイ
スクの製造が可能なスキユーマージンを確保することが
でき、かくして単一の基板で記録密度の高密度化に対応
し得る光デイスク及び光デイスクの製造方法を実現する
ことができる。
ーンが形成される第１の領域における厚みが当該第１の
領域以外の第２の領域における厚みより薄くなるように
基板を作成することにより、光デイスクの強度と、デイ
スクの製造が可能なスキユーマージンを確保することが
でき、かくして単一の基板で記録密度の高密度化に対応
し得る光デイスク及び光デイスクの製造方法を実現する
ことができる。
【図１】本発明の実施例による光デイスクの概略構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】他の実施例による光デイスクの概略構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】他の実施例による光デイスクの概略構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】従来の光デイスクの概略構成を示す断面図であ
る。
る。
１０、２０、３０……光デイスク、１１、２１、３１…
…基板、１１Ａ1 、２１Ａ1 、３１Ａ1 ……信号記録領
域、１１Ａ2 、２１Ａ2 、３１Ａ2 ……信号記録領域以
外の領域、１２……反射膜層、１３……保護膜層。
…基板、１１Ａ1 、２１Ａ1 、３１Ａ1 ……信号記録領
域、１１Ａ2 、２１Ａ2 、３１Ａ2 ……信号記録領域以
外の領域、１２……反射膜層、１３……保護膜層。
Claims (6)
- 【請求項１】一面に記録信号に応じた凹凸パターンが形
成されると共に上記一面に反射膜層が形成されてなる光
デイスクにおいて、 上記凹凸パターンが形成された第１の領域における厚み
が当該第１の領域以外の第２の領域における厚みよりも
薄く形成された基板を具えることを特徴とする光デイス
ク。 - 【請求項２】上記第１の領域における上記基板の厚み
は、レーザ光の波長及び対物レンズの開口率に応じた厚
みでなることを特徴とする請求項１に記載の光デイス
ク。 - 【請求項３】上記基板は、当該基板の形状が凸状になる
ように、上記第１の領域における厚みが上記第２の領域
における厚みより薄く形成されていることを特徴とする
請求項１に光デイスク。 - 【請求項４】一面に記録信号に応じた凹凸パターンが形
成されると共に上記一面に反射膜層が形成されてなる光
デイスクを製造する光デイスクの製造方法において、 上記凹凸パターンが形成される第１の領域における厚み
が当該第１の領域以外の第２の領域における厚みより薄
くなるように基板を作成することを特徴とする光デイス
クの製造方法。 - 【請求項５】上記第１の領域における上記基板の厚み
を、レーザ光の波長及び対物レンズの開口率に応じて形
成することを特徴とする請求項４に記載の光デイスクの
製造方法。 - 【請求項６】上記基板を、当該基板の形状が凸状になる
ように、上記第１の領域における厚みを上記第２の領域
における厚みより薄く形成することを特徴とする請求項
４に記載の光デイスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8035523A JPH09204686A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 光デイスク及び光デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8035523A JPH09204686A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 光デイスク及び光デイスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09204686A true JPH09204686A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=12444117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8035523A Pending JPH09204686A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 光デイスク及び光デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09204686A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6040030A (en) * | 1997-09-19 | 2000-03-21 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US6159572A (en) * | 1998-04-03 | 2000-12-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| JP2007026507A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
| JP2007502498A (ja) * | 2003-08-14 | 2007-02-08 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 記録媒体、その識別情報の記録方法およびその記録／再生方法 |
| US7515524B2 (en) | 2001-05-14 | 2009-04-07 | Lg Electronics, Inc. | High density disk recording medium and apparatus using the same |
| US7617507B2 (en) | 2003-06-03 | 2009-11-10 | Lg Electronics Inc. | High-density recording medium and recording and/or reproducing device therefor |
-
1996
- 1996-01-29 JP JP8035523A patent/JPH09204686A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6040030A (en) * | 1997-09-19 | 2000-03-21 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| USRE44154E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| USRE43968E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| US6159572A (en) * | 1998-04-03 | 2000-12-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| US6465069B1 (en) | 1998-04-03 | 2002-10-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| USRE43966E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| USRE44018E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| USRE43972E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| USRE43974E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| US6451401B1 (en) | 1998-04-03 | 2002-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| US6291047B1 (en) | 1998-04-03 | 2001-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrates for use in the recording medium |
| USRE43969E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| USRE43970E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| USRE43975E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| USRE43973E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| USRE43971E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| USRE43967E1 (en) | 1998-04-03 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing resinous substrate for use in the recording medium |
| US7515524B2 (en) | 2001-05-14 | 2009-04-07 | Lg Electronics, Inc. | High density disk recording medium and apparatus using the same |
| US7617507B2 (en) | 2003-06-03 | 2009-11-10 | Lg Electronics Inc. | High-density recording medium and recording and/or reproducing device therefor |
| US7831986B2 (en) | 2003-06-03 | 2010-11-09 | Lg Electronics Inc. | High-density recording medium and recording and/or reproducing device therefor |
| US7965605B2 (en) | 2003-08-14 | 2011-06-21 | Lg Electronics Inc. | Recording medium, method of recording identification information thereof, and recording/reproducing method thereof |
| JP2007502498A (ja) * | 2003-08-14 | 2007-02-08 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 記録媒体、その識別情報の記録方法およびその記録／再生方法 |
| JP2007026507A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
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