JPH10102250A - 成膜方法および成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＤなどのドーナツ状円盤型基体の表面にス
パッタリング等により被膜を形成するに際し、円盤型基
体の中心に対して同心度の低下をより少なく、かつ、同
心度の調整作業が容易にできる成膜方法および成膜装置
を提供することを目的とする。 【解決手段】 減圧装置に接続したチャンバー４１内で
ドーナツ状円盤型基体１１の表面に被膜材料を飛散させ
てドーナツ状の被膜１３を形成する成膜方法において、
円盤型基体１１をセンターマスク６７によりセンターリ
ングするとともに周縁部１５をアウターマスク７１に当
接して円盤型基体１１の表面に被膜材料を被着させる成
膜方法および成膜装置である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
ク等のドーナツ状円盤型基体の表面にアルミニウム等の
被膜をスパッタリングなどにより形成する成膜方法およ
びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、デジタル化された音声信号や画像
情報を大量に記録するのに、広く使用されているコンパ
クトディスク（以下、ＣＤと称する。）やデジタルビデ
オディスク（以下、ＤＶＤと称する。）等は、ポリカー
ボネイト等の透明な合成樹脂板製のドーナツ状円盤型基
体の表面にたとえばスパッタリング等などにより光反射
率の高いアルミニウム等の薄膜を形成したものからな
る。

【０００３】そして、たとえばＣＤは、この基体表面の
アルミニウム等の膜に、情報を「１」、「０」からなる
デジタル信号に変えたビットと称する小さな孔を開けて
記録させてあり、これにレーザ光を当て反射波の有無
（孔の有無) を検出して、記録情報を読み出すようにし
ている。

【０００４】そして、現在の１２ｃｍ型のＣＤ１は、図
５に示すように円盤型基体１１の外径が１２０ｍｍ、厚
さ１．２ｍｍ、機器への装着に使用される中心部の孔１
２径が１５ｍｍ、透明部が基体１１の中心から約２０ｍ
ｍの間に、アルミニウム等の被膜１３が基体１１の中心
から約２０ｍｍ〜約５９ｍｍの孔１２周辺の内端側１４
および外端側（周縁部）１５を除く間に形成してある。

【０００５】従来、このドーナツ状円盤型基体の表面に
たとえばスパッタリングにより被膜を形成するのは図６
に示すような設備を用い行なわれていた。チャンバー等
の真空室内のホルダーの段部上に保持して移送されてき
た円盤型基体１１は、その状態のままスパッターを行う
と全面に被膜が形成されてしまうので、マスキングをし
て作業が行われている。

【０００６】すなわち、ホルダーの内部には進退自在に
挿通して、プッシャーヘッド８１が配設されている。こ
のプッシャーヘッド８１は、シャフト８２の先端にコイ
ル状ばね８６を介して弾性的に軸方向へ自由度を有して
取着され、先端がドーナツ状円盤型基体１１の中心孔１
２内に容易に挿入されるようテーパー面を有する裁頭円
錐状の先頭部８９が形成してある。また、シャフト８２
の下端にはシリンダ装置（図示しない。）が連結してあ
る。また、上方の仕切壁４６にはスパッター源となるマ
グネトロンスパッタリング装置（図示しない。）と、先
端が円形状のセンターマスク６７および円形状の孔を備
えたアウターマスク７１が配設されている。

【０００７】そして、スパッター作業は、シリンダ装置
を作動してシャフト８２を上昇させると、プッシャーヘ
ッド８１先端の先頭部８９が円盤型基体１１の中心孔１
２内に侵入する。この先頭部８９はテーパー状であるた
め中心孔１２内に容易に侵入し、円盤型基体１１が平坦
部に達したところで円盤型基体１１はホルダーの段部か
ら押し上げられる。さらに押し上げがすすむと、円盤型
基体１１の中心孔１２近傍の中央部がシャフト６４に支
持されたセンターマスク６７の当接部６８に当たるとと
もに円盤型基体１１の周縁部１５もアウターマスク７１
の当接部７２に当たる。なお、このとき上記突出した先
頭部８９は、センターマスク６７中央の凹部６９内に入
る。

【０００８】そして、この状態でチャンバー内が所定の
真空度に達したら、マグネトロンスパッター装置を作動
してアルミニウムの微粒子を放出させ、円盤型基体１１
の表面にアルミニウム被膜１３を形成する。この被膜１
３の形成が終了したら、シリンダ装置を作動してシャフ
ト８２を下降させると、円盤型基体１１を保持している
プッシャーヘッド８１が下降し、途中のホルダー部を通
過のとき円盤型基体１１の周縁部１５が段部に引っ掛か
って、円盤型基体１１はこの段部上に載置される。

【０００９】この後、チャンバー内に窒素等を封入して
ホルダーから円盤型基体１１を取り出すことによって作
業は終了する。

【００１０】そして、このような構成の装置では、装置
の調整に非常に手間を要することがある。すなわち、こ
の装置におけるドーナツ状円盤型基体１１の位置決め
は、たとえばプッシャーヘッド８１を基とした場合は、
このプッシャーヘッド８１に対しセンターマスク６７の
円形状の外周面Ａ位置を合せ、つぎにこのセンターマス
ク６７の円形状の外周面Ａに対しアウターマスク７１の
円形状の内周面Ｂ位置を合せる２部材の同心度の調整を
要していた。このため調整時間が多く掛かるとともに調
整箇所が多いことは、それぞれにおける公差が加算され
る結果、同心度が悪くなっていた。この同心度の低下
は、円盤型基体１１の中心孔１２を基として、機器に装
着されるＣＤ１等にあっては、外観的に見栄えが悪くな
ったり製造規格から外れる等、品質の低下を招いてい
た。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情に鑑みなされたもので、ＣＤなどのドーナツ状円盤型
基体の表面にスパッタリング等により被膜を形成するに
際し、円盤型基体の中心に対して同心度の低下をより少
なく、かつ、同心度の調整作業が容易にできる成膜方法
および成膜装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の成膜方法は、減圧装置に接続したチャンバー内でドー
ナツ状円盤型基体の表面に被膜材料を飛散させてドーナ
ツ状の被膜を形成する成膜方法において、円盤型基体を
センターマスクによりセンターリングするとともに周縁
部をアウターマスクに当接して円盤型基体の表面に被膜
材料を被着させることを特徴とする。

【００１３】ドーナツ状円盤型基体のセンターリングを
センターマスクにより行うことから、このセンターマス
クの外周面とアウターマスクの内周面との間隔を所定に
保つようセンターマスクまたはアウターマスクの少なく
とも一方の配設位置を調整すればよい。

【００１４】そして、上記センターマスクの外周面とア
ウターマスクの内周面との間にスパッター等により被膜
を形成すれば、ほぼ均一幅の被膜が得られる。

【００１５】本発明の請求項２に記載の成膜方法は、減
圧装置に接続したチャンバー内のホルダーにドーナツ状
円盤型基体を保持させる工程と、このホルダー内を上昇
させたプッシャーヘッド上にドーナツ状円盤型基体を載
置させる工程と、このプッシャーヘッドを上昇させてド
ーナツ状円盤型基体の中心孔をセンターマスクの中央凸
部に案内して円盤型基体のセンターリングを行う工程
と、上記プッシャーヘッドをさらに上昇させて、上記円
盤型基体の中央部をセンターマスクに、また、周縁部を
アウターマスクに当接させる工程と、排気した上記チャ
ンバー内において被膜材料を飛散させてドーナツ状円盤
型基体の上面に被膜を形成する工程と、上記プッシャー
ヘッドを下降させてドーナツ状円盤型基体上面を両マス
クから外す工程と、さらに、プッシャーヘッドを下降さ
せてドーナツ状円盤型基体をプッシャーヘッドから離し
ホルダー上に載置する工程と、上記ホルダー上に載置さ
れたドーナツ状円盤型基体を取り出す工程とを具備して
いることを特徴とする。

【００１６】円形状のマスク部と予め同心円で形成およ
び調整してあるセンターマスク中央に設けた凸部をドー
ナツ状円盤型基体の中心孔に挿通させることにより円盤
型基体のセンターリングが行われる。また、このセンタ
ーマスクの外周面とアウターマスクの内周面との間隔を
所定に保つよう調整することによって、被膜形成範囲を
調整でき、上記請求項１に記載したと同様な作用を奏す
る。

【００１７】また、このときプッシャーヘッド側とセン
ターマスク側のテーパー状凸部とのセンターが少々ずれ
ていても、押し上げられた円盤型基体の中心孔がテーパ
ー状の凸部に当接して案内され、円盤型基体とセンター
マスクとのセンターを精度高く合わせることができる。

【００１８】本発明の請求項３に記載の成膜装置は、減
圧装置に接続したチャンバーと、このチャンバー内に設
けられたドーナツ状円盤型基体を保持するホルダーと、
このホルダー内に進退自在に挿通され、上記ドーナツ状
円盤型基体を載置して上下動するプッシャーヘッドと、
このプッシャーヘッドに対向して設けられドーナツ状円
盤型基体の中心孔内に挿入されてこの円盤型基体のセン
ターリングを行うとともに基体の中央部を覆うセンター
マスクと、このセンターマスクと所定の間隔を隔てて設
けられた、ドーナツ状円盤型基体の端縁部に当接するア
ウターブラケットと、上記センターマスクおよびアウタ
ーマスクの配設側に設けられた被膜材料を飛散させる装
置とを具備していることを特徴とする。

【００１９】ドーナツ状円盤型基体のセンターリングを
センターマスクにより行うことにより、このセンターマ
スクの外周面とアウターマスクの内周面との間隔を所定
に保つようセンターマスクまたはアウターマスクの少な
くとも一方の配設位置を移動して調整すればよい。

【００２０】そして、上記センターマスクの外周面とア
ウターマスクの内周面との間にスパッター等により被膜
を形成すれば、ほぼ均一幅の被膜が得られる。

【００２１】本発明の請求項４に記載の成膜装置は、セ
ンターマスクにドーナツ状円盤型基体の中心孔内に挿通
される凸部が備けられるとともに、プッシャーヘッドに
はこの凸部を受容する凹部が設けられていることを特徴
とする。

【００２２】センターマスクの凸部に円盤型基体の中心
孔を挿通することにより、円盤型基体のセンターリング
ができ、上記請求項３に記載したと同様な作用を奏す
る。

【００２３】そして、上記センターマスクの凸部は、基
部が円盤型基体の中心孔と嵌合する外径を有していて、
先端側は円錐状や半球状等をなし中心孔に挿通し易い形
状にしているのが好ましい。

【００２４】また、円盤型基体の中心孔は押圧により強
制的にセンターマスクの凸部と嵌合されるので、プッシ
ャーヘッドのセンターのずれが多少あっても差支えな
い。

【００２５】本発明の請求項５に記載の成膜装置は、セ
ンターマスクの外周面とアウターマスクの内周面とは所
定の間隔を隔て対峙センターリングされていることを特
徴とする。

【００２６】上記請求項４に記載したと同様な作用を奏
する。

【００２７】本発明の請求項６に記載の成膜装置は、プ
ッシャーヘッドが、ばね部材を備えドーナツ状円盤型基
体を介しセンターマスクと弾性的に当接することを特徴
とする。

【００２８】円盤型基体の厚さ等にばらつきがあったり
品種が変わり厚さが異なったりしてもばね部材が伸縮し
て円盤型基体を平板状に保持することができ、上記請求
項３に記載と同様な作用を奏する。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１はＣＤの製造工程であるスパ
ッタリングによる成膜装置の一例を示す説明図、図２は
図１の要部を拡大して示す一部断面正面図、図３はセン
ターマスクの取付けを下方から見た部分断面図、図４は
アウターマスクおよびプッシャーヘッド部分の上面図で
ある。図１において２はトランスファー装置で、上下動
（矢印）可能な回転軸２１を中央にして相対方向に伸び
る後述するチャンバー４１の窓孔４２を塞ぐ円盤状のブ
ラケット２２，２２が取付けられ、各ブラケット２２，
２２の下面には真空ポンプ等の減圧装置（図示しな
い。）に接続されたゴムパッド（吸口）２３，２３が設
けられている。なお、このゴムパッド２３，２３の先端
部は円盤型基体１１の中心孔１２より外周辺で被膜１３
が形成されない内端側１４に位置するのが、被膜１３を
傷付けることがないので好ましい。

【００３０】また、３はＣＤ１のドーナツ状円盤型基体
１１を載置搬送するベルトコンベヤー、４はスパッタリ
ング装置で、上方にスパッタするドーナツ状円盤型基体
１１より大径の円形窓孔４２，４３が設けられたチャン
バー４１を備え、このチャンバー４１内には回転軸５１
を中央にして相対方向に伸びるブラケット５２，５２が
取付けられ、各ブラケット５２，５２には円盤型基体１
１の周縁部１５を載置して保持する段部５３を備えたリ
ング状のホルダー５４，５４が設けられている。また、
４４は窓孔４３に連接したスパッターが行われる成膜室
で、上記チャンバー４１と成膜室４４とで真空室４５を
構成している。この成膜室４４内にはマグネトロンスパ
ッタリング装置９０および円盤型基体１１の中央部を覆
うセンターマスク構成部材６が設けられている。

【００３１】このセンターマスク構成部材６は、上部の
固定部材４９にボルト６１，６１でもって取付けられた
ベース６２と、このベース６２にねじ部材６３を介し固
定されたシャフト６４と、このシャフト６４の下方側を
径大な真円形状部６５と底部の中央部に突出して形成し
たテーパー状の凸部６６を有するセンターマスク６７と
からなっている。

【００３２】そして、このセンターマスク６７は、図示
のようにシャフト６４の下方側をフレヤ状にしその最大
外径部６５の外周面を真円形状にするとともに最大外径
部６５において円盤型基体１１との接触面６８を形成し
ている。また、凸部６６は底部中央の基部が円盤型基体
１１の中心孔１２と嵌合する外径を有するとともに先端
側が小径をなす裁頭円錐状や半球状等をしたここでは裁
頭円錐状をなすテーパー状面としてある。たとえば、１
２ｃｍ型のＣＤ１の場合、センターマスク６７の最大外
径部６５の直径は４０ｍｍ、凸部６６の基部の直径は１
５ｍｍである。また、７１は円盤型基体１１の周縁部１
５との当接部７２を有する段付きリング状のアウターマ
スクで、チャンバー４１壁の窓孔４３内に嵌合して設け
られ複数本のボルト７３，…（図２では１本のみ記載）
で固定されている。なお、１２ｃｍ型のＣＤ１の場合
で、上記リング状の当接部７２の内径は５９〜５８ｍｍ
である。

【００３３】なお、図中４７は真空ポンプなどの減圧装
置および窒素ボンベ等（図示しない。）に接続された給
排通路、９５等の黒点は当接部気密保持用のパッキング
である。

【００３４】また、８はプッシャーで、ドーナツ状円盤
型基体１１の中央部を下方から載置して保持するプッシ
ャーヘッド８１と、このプッシャーヘッド８１を支持固
定しているシャフト８２と、ボルト８４，…を介しチャ
ンバー４１の底壁に気密取着された電磁作動または気体
圧作動して上記シャフト８２を上下動させるシリンダ装
置８３とからなる。なお、上記シャフト８２は回転しな
い。

【００３５】上記シリンダ装置８３に連接したシャフト
８２先端に設けられたプッシャーヘッド８１は、このシ
ャフト８２に対しコイル状のばね部材８６が嵌合してあ
って弾性的に上下軸方向へ自由度を有し取着されてい
る。図２中、８５はプッシャーヘッド８１の頂部に形成
された凹部であって上記センターマスク６７下端部の裁
頭円錐状の凸部６６を受容する。なお、８７はコイル状
のばね部材８６のストッパー、８８はねじである。

【００３６】また、図３および図４に示すようにセンタ
ーマスク６７とアウターマスク７１とプッシャーヘッド
８１との各中心は同一垂直線上にある。

【００３７】そして、このスパッタリング装置４におい
て、ドーナツ状円盤型基体１１へのスパッター作業に先
立つ、センターマスク６７、アウターマスク７１および
プッシャーヘッド８１のセンター出しの調整は下記のよ
うにして行われる。まず、アウターマスク７１側を固定
してあるアウターマスク７１側を中心とする場合は、セ
ンターマスク６７を支持しているベース６２の４本のボ
ルト６１，６１，…を緩め、センターマスク６７の外周
面とアウターマスク７１の内周面との間隔がどの円周位
置においても所定寸法にあるように調整した後、ボルト
６１，６１，…を締めて固定部材４９に固定する。ま
た、プッシャー８側の調整は、プッシャーヘッド８１を
支持固定しているシャフト８２と連結したシリンダ装置
８３のボルト８４，…を緩め位置調整後に締めることに
よって行なう。なお、このプッシャー８側は、チャンバ
ー４１との気密接続があるので、調整のための移動はで
きるだけ抑えることが望ましい。

【００３８】また、センターマスク６７側を固定してあ
るセンターマスク６７側を中心とする場合は、アウター
マスク７１側の４本のボルト７３，７３，…を緩め、こ
のセンターマスク６７を中心としてアウターマスク６７
側を移動し、センターマスク６７の外周面とアウターマ
スク７１の内周面との間隔がどの円周位置においても所
定寸法にあるように調整した後、ボルト７３，…を締め
てアウターマスク７１を固定すればよい。

【００３９】なお、この調整の場合、センターマスク６
７の下面（凸部６６ではない。）とアウターマスク７１
の下面とは、同一水平面にあることはいうまでもない。

【００４０】また、このスパッタリング装置４における
スパッター作業は次のようにして行われる。

【００４１】ベルトコンベヤー３で搬送されてきたドー
ナツ状円盤型基体１１は、下降してきたトランスファー
装置２の円盤状のブラケット２２に設けられているゴム
パッド２３，２３によって吸引される。（真空ポンプな
どの減圧装置は図示されていない。） そして、トランスファー装置２の回転軸２１を上昇さ
せ、たとえば図１の仮想線の位置まで来たら回転軸２１
を１８０度回転し、つぎに、回転軸２１を下降して、円
盤状のブラケット２２をスパッタリング装置４のチャン
バー４１の円形窓孔４２上に移動させる。この状態は円
盤状のブラケット２２がチャンバー４１の円形窓孔４２
を閉塞するとともに、チャンバー４１内のリング状のホ
ルダー５４上に円盤型基体１１を位置させることにな
る。そして、ゴムパッド２３，２３の吸引を解くと（吸
引ラインに窒素等を封入）円盤型基体１１はホルダー５
４の段部５３上に載置される。

【００４２】つぎに、チャンバー４１内の回転軸５１を
１８０度回転して、円盤型基体１１の載ったホルダー５
４を成膜室４４と対面する位置に移動する。なお、上記
ブラケット２２により円形窓孔４２を閉塞した後、チャ
ンバー４１内および成膜室４４内は給排通路４７を通じ
排気し減圧させる。ついで、シリンダ装置８３を動作し
てシャフト８２を上昇させると、シャフト８２先端のプ
ッシャーヘッド８１の頂部がホルダー５４上のドーナツ
状円盤型基体１１の中央部分を載置して押し上げる。

【００４３】そして、押し上げ保持された円盤型基体１
１の中心孔１２内には、反対面の上方にあるセンターマ
スク６７の凸部６６の先端が入ってくるとともに、さら
に押し上げが進むと円盤型基体１１は、テーパー状の凸
部６６に中心孔１２が案内されて基部にまで達し、円盤
型基体１１の中心孔１２の近傍には当接部６８が、ま
た、周縁部１５にはアウターマスク７１の当接部７２が
押し付けられる。すなわち、円盤型基体１１はその中央
部および周縁部１５が両マスク６７，７１に接し押圧さ
れ湾曲することなく水平状態に保持される。このとき、
プッシャーヘッド８１は、ばね部材８６を介し設けられ
ているので、弾性をもった適宜の押圧力で水平に保持さ
せることができる。また、このときプッシャーヘッド８
１側とセンターマスク６７側の凸部６６とのセンターが
少々ずれていても、押し上げられた円盤型基体１１の中
心孔１２がテーパー状の凸部６６に当接して案内され、
円盤型基体１１とセンターマスク６７とのセンターを精
度高く合わせることができる。

【００４４】この状態でチャンバー４１内および成膜室
４４内の排気がすすみ所定の真空度に達したら、マグネ
トロンスパッタリング装置９０を作動して被膜材料であ
るアルミニウムをスパッターさせる。このスパッターに
より飛散したアルミニウム粒子は、主として円盤型基体
１１の表面、センターマスク６７の外表面やアウターマ
スク７１の表面に被着され、これらに所定膜厚のアルミ
ニウム被膜１３が形成できる。

【００４５】このスパッタリングが終了したら、シリン
ダ装置８３を動作してシャフト８２を下降させると、円
盤型基体１１を保持しているプッシャーヘッド８１が下
降し、途中のホルダー５４部を通過のとき円盤型基体１
１の周縁部１５が段部５３に引っ掛かって、円盤型基体
１１はこの段部５３上に載置される。

【００４６】そして、回転軸５１を１８０度回転して、
円盤型基体１１の載ったホルダー５４を図１において左
方に移動するとともに排気を止め給排通路４７を通じて
チャンバー４１内に窒素などを封入する。このチャンバ
ー４１内が大気圧状態になったら、チャンバー４１の円
形窓孔４２上にあるブラケット２２のゴムパッド２３，
２３を真空系につなぎホルダー５４上にある円盤型基体
１１を吸引させる。

【００４７】つぎに、トランスファー装置２の回転軸２
１を上昇させ、たとえば図１の仮想線の位置まで来たら
回転軸２１を１８０度回転し、ここでゴムパッド２３，
２３の真空状態を大気圧に切替えると円盤型基体１１の
保持が解かれ、アルミニウム被膜１３を形成した円盤型
基体１１を取出すことができる。

【００４８】なお、この後トランスファー装置２を下降
させてコンベヤー３上の新たな円盤型基体１１をゴムパ
ッド２３，２３で吸引して、スパッタリング装置４に送
り上述した作業を繰り返し行う。

【００４９】上述した装置および方法でスパッタリング
が行われたドーナツ状円盤型基体１１は、センターマス
ク６７によってセンターリングされ、被膜形成範囲の調
整がこのセンターマスク６７およびアウターマスク７１
間のみでよいので、スパッター作業に先立つ調整作業が
簡単で手間を要さず生産性の向上がはかれる。また、水
平状態に保持された状態でスパッターされるので、円盤
型基体１１の所定位置に高い精度で被膜１３の形成がで
きる結果、特性的にも外観的にも向上したＣＤ１を作り
出すことができた。

【００５０】なお、本発明は上記実施の形態に限らな
い。たとえば、被膜形成の対象物はＣＤに限らず、ＬＤ
（レーザーディスク）、ＤＶＤ（デジタルビデオディス
ク）、ＭＤ（ミニディスク）やＭＯ（マグネットオプチ
カル）などの製造にも適用が可能である。

【００５１】また、上記実施の形態では被膜の形成をス
パッタリングによる場合について述べたが、スパッタリ
ングに限らず、真空中で被膜形成を行なう真空蒸着やイ
オンプレーティングによる方法や装置を適用することが
できる。その他、装置各部の詳細構成、たとえばセンタ
ーマスクやアウターマスク等の固定構造や調整方法等も
実施の形態に記載したものに限らない。また、作業は円
盤型基体を水平に保持して被膜の形成を上方より行った
が、上方からに限らず下方からでもよく、さらに、円盤
型基体を垂直に保持して被膜の形成を行ってもよい。

【００５２】さらに、被膜材料もアルミニウム（Ａｌ）
のほか金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ケイ素
（Ｓｉ）などの被膜形成を行うことができる。

【００５３】

【発明の効果】本発明の請求項１ないし請求項３の発明
によれば、円盤型基体の表面の所定範囲内にスパッタリ
ング等によりドーナツ状に被膜を形成するに先立ち、マ
スク位置の調整箇所を従来より減らすことができ、精度
の向上および調整時間の節減がはかれる生産性を高めら
れる成膜方法および成膜装置を提供することができる。
また、上記に伴い円盤型基体に形成された被膜は同心度
が高くなる結果、ＣＤ等の品質および外観を向上できる
利点を有する。

【００５４】本発明の請求項４の発明によれば、センタ
ーマスク側に確実に円盤型基体を保持してセンターリン
グができ、上記請求項１ないし請求項３の発明に記載し
たと同様な効果を奏する。

【００５５】本発明の請求項５の発明によれば、センタ
ーリングはセンターマスクの外周面とアウターマスクの
内周面との間のみで容易に行わせることができる。

【００５６】さらに、本発明の請求項６の発明によれ
ば、ＣＤ（基体の厚さ１．２ｍｍ）やＤＶＤ（基体の厚
さ０．６ｍｍ）を、装置の切り替えなく、また、あって
も簡単な調整で容易に行わせることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のスパッタリング装置の実施の形態を示
す説明図である。

【図２】図１の要部を拡大して示す一部断面正面図であ
る。

【図３】本発明装置の要部（センターマスクおよびアウ
ターマスク）を下方から見た説明図である。

【図４】本発明装置の要部（アウターマスクおよびプッ
シャーヘッド）を上方から見た説明図である。

【図５】コンパクトディスク（ＣＤ）の正面図である。

【図６】従来のスパッタリング装置の一部を示す一部断
面正面図である。

【符号の説明】

１：コンパクトディスク（ＣＤ） １１：ドーナツ状円盤型基体 １２：中心孔 １３：被膜（アルミニウム膜） １５：周縁部 ４：スパッタリング装置 ４１：チャンバー ４４：成膜室 ４５：真空室 ５３：段部 ５４：ホルダー ６：センターマスク機構 ６６：凸部 ６７：センターマスク ６８：当接部 ７１：アウターマスク ７２：当接部 ８：プッシャー ８１：プッシャーヘッド ８２：シャフト ８３：シリンダ装置

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 減圧装置に接続したチャンバー内でドー
   ナツ状円盤型基体の表面に被膜材料を飛散させてドーナ
   ツ状の被膜を形成する成膜方法において、円盤型基体を
   センターマスクによりセンターリングするとともに周縁
   部をアウターマスクに当接して円盤型基体の表面に被膜
   材料を被着させることを特徴とする成膜方法。
2. 【請求項２】 減圧装置に接続したチャンバー内のホル
   ダーにドーナツ状円盤型基体を保持させる工程と；この
   ホルダー内を上昇させたプッシャーヘッド上にドーナツ
   状円盤型基体を載置させる工程と；このプッシャーヘッ
   ドを上昇させてドーナツ状円盤型基体の中心孔をセンタ
   ーマスクの中央凸部に案内して円盤型基体のセンターリ
   ングを行う工程と；上記プッシャーヘッドをさらに上昇
   させて、上記円盤型基体の中央部をセンターマスクに、
   また、周縁部をアウターマスクに当接させる工程と；排
   気した上記チャンバー内において被膜材料を飛散させて
   ドーナツ状円盤型基体の上面に被膜を形成する工程と；
   上記プッシャーヘッドを下降させてドーナツ状円盤型基
   体上面を両マスクから外す工程と；さらに、プッシャー
   ヘッドを下降させてドーナツ状円盤型基体をプッシャー
   ヘッドから離しホルダー上に載置する工程と；上記ホル
   ダー上に載置されたドーナツ状円盤型基体を取り出す工
   程；とを具備していることを特徴とする成膜方法。
3. 【請求項３】 減圧装置に接続したチャンバーと；この
   チャンバー内に設けられたドーナツ状円盤型基体を保持
   するホルダーと；このホルダー内に進退自在に挿通さ
   れ、上記ドーナツ状円盤型基体を載置して上下動するプ
   ッシャーヘッドと；このプッシャーヘッドに対向して設
   けられドーナツ状円盤型基体の中心孔内に挿入されてこ
   の円盤型基体のセンターリングを行うとともに基体の中
   央部を覆うセンターマスクと；このセンターマスクと所
   定の間隔を隔てて設けられた、ドーナツ状円盤型基体の
   端縁部に当接するアウターブラケットと；上記センター
   マスクおよびアウターマスクの配設側に設けられた被膜
   材料を飛散させる装置と；を具備していることを特徴と
   する成膜装置。
4. 【請求項４】 センターマスクにはドーナツ状円盤型基
   体の中心孔内に挿通される凸部が備けられるとともに、
   プッシャーヘッドにはこの凸部を受容する凹部が設けら
   れていることを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
5. 【請求項５】 センターマスクの外周面とアウターマス
   クの内周面とは所定の間隔を隔て対峙センターリングさ
   れていることを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
6. 【請求項６】 プッシャーヘッドは、ばね部材を備えド
   ーナツ状円盤型基体を介しセンターマスクと弾性的に当
   接することを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。