JP2003293132A - 薄膜形成装置に対する基板の交換ユニットおよび基板交換方法 - Google Patents

薄膜形成装置に対する基板の交換ユニットおよび基板交換方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 成膜時に基板を保持するキャリアを用いる薄
膜形成プロセスにおいて、基板の温度上昇を抑えるため
に、キャリアの温度管理を可能とする。 【解決手段】 成膜装置から基板およびキャリアを受け
取る基板交換ヘッドと基板を載置するステージとの間で
基板を授受する際に、基板交換ヘッドから成膜済みの基
板と同時にキャリアを受け取り、キャリアを保持したま
ま当該基板のみをステージに受け渡し、当該保持したキ
ャリアをその保持状態にて冷却することとし、その後、
ステージ上に載置された成膜前の基板を当該保持したキ
ャリアを用いて受け取り、基板交換ヘッドを介して当該
機板およびキャリアを成膜装置に受け渡すこととした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術の分野】本発明は、薄膜形成装置に
対して基板の授受を行う基板交換ユニットおよび基板交
換方法に関する。より詳細には、本発明は、スパッタリ
ング法により薄膜を形成するスパッタリング装置等、薄
膜形成装置との間で成膜済みの基板等を受け取り且つ成
膜前の基板等を供給するユニットおよび方法に関するも
のである。
【0002】
【従来技術】円板状の基板に対して各種薄膜を形成して
製造される記録媒体、特にディスク状の形状を有するも
のとして、例えば、CD、CD−R、CD−RW等のC
D系ディスク、あるいはDVD−ROM、DVD−R、
等のDVD系ディスク等の光ディスク、あるいはMO、
MD等の光磁気ディスク等、種々のディスクが存在す
る。
【0003】これらディスクは、例えばポリカーボネー
ト等の素材からなる基板に対して、スパッタリング法、
スピンコート法等の種々の方法を用いて薄膜を積層する
ことによって製造されている。なお、一般的に、基板に
は、実際に当該ディスクをドライブに搭載する際等に基
板のハンドリングに用いるため、その中央部に貫通穴が
設けられている。
【0004】積層される薄膜の内、例えば反射膜等に用
いられる金属薄膜は、スパッタリング法を用いて形成さ
れる。当該方法においては、円板状基板は、アルゴン等
の放電用のガスによって所定圧力とされた真空容器中
で、ターゲット正面に対向して、固定、保持される。一
般的には、この状態で、ターゲットに対してある電圧が
与えられ、これによってターゲットと基板との間に放電
が発生し、プラズマが生じる。当該プラズマ中のイオン
によってターゲット表面のターゲット構成元素がスパッ
タされ、このスパッタ粒子が基板表面に付着することに
よって膜形成が行われる。
【0005】ディスクにおける膜構成によっては、スパ
ッタリング装置を用いて複数の薄膜の形成を行う場合も
考えられる。このような場合、スパッタリング装置とし
ては、円周上に複数の成膜室を配置し、その中央に基板
搬送用のロボットを配置し、各々の成膜室で順次薄膜を
基板上に形成してゆく、いわゆる多元型のタイプのもの
が用いられる。なお、光ディスク等においては、基板に
設けられた中央穴部分周囲および外周部に膜形成が為さ
れていない非成膜領域を設ける必要があり、スパッタリ
ングによる成膜時においては、インナーマスクおよびア
ウターマスクと呼ばれる治具によって、非成膜領域上を
覆った状態で、実際の成膜工程が行われる。
【0006】このため、従来のスパッタリング装置にお
いては、アウターマスク等を基板に対して固定すること
とし、これらを一体として各成膜装置間、あるいは上述
の多元型のスパッタリングにおける各成膜室間での基板
搬送が行われる。具体的には、多元型のスパッタリング
装置においては、キャリアと呼ばれる保持治具上に基板
およびマスクが保持、固定され、これらはキャリアによ
り保持された状態で各成膜室間を搬送されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】光ディスク等におい
て、保護膜として例えば酸化膜、窒化膜等の非金属膜を
用いる場合がある。これら薄膜は、酸化物、窒化物等か
らなるターゲットをスパッタリングすることによって基
板上に成膜される。しかしながら、これらターゲットを
用いた場合、一般的に放電発生あるいはその維持に要す
る印可電圧は大きく、また良好な膜特性を得ようとした
場合、その成膜速度は低いものとなる。このため、所定
の厚さを有する膜を得るためには、成膜に要する時間が
長くなり、密度の高いプラズマに基板を長時間晒す必要
がある。
【0008】光ディスク等の基板には、一般的にはポリ
カーボネート等の材料より構成されるため、熱に対する
耐性は低く、スパッタリングによる成膜中においても、
その温度を基板の耐熱温度以下に保つ必要がある。しか
しながら、上述の酸化膜とを形成する場合には、成膜に
要する時間が長く且つ高密度のプラズマに基板を晒すこ
とから、プラズマからの輻射熱あるいは基板に達するス
パッタ粒子のエネルギー等によって、基板温度は容易に
耐熱温度以上に達してしまう恐れがある。
【0009】この対策として、基板に密着するキャリア
の熱容量をある程度大きくし、基板に与えられる熱エネ
ルギーをキャリアに伝えることで、基板の温度上昇に要
する時間を遅くすることが考えられる。また、酸化膜等
を一つの成膜室のみで形成するのではなく、複数の成膜
室で時間をかけ、且つ成膜室間で基板等の冷却を行うな
がら膜形成を行うことで基板の温度上昇を抑える等の方
法が考えられる。しかし、キャリア自体にある程度以上
の熱量が蓄積されてしまった場合、基板がキャリアから
熱せられてしまい、その結果、基板温度がその耐熱温度
以上になる恐れもある。
【0010】このため、冷却専用の処理室をこれら複数
の成膜室間に設けることも考えられる。しかし、キャリ
ア単体を冷却する場合、いわゆる真空中にキャリア等を
保持しても、熱を伝える空気等の媒体が存在しないため
に、キャリアに蓄積された熱は容易に発散せず、キャリ
アの温度を効果的に下げることはできなかった。また、
成膜室の増加あるいは冷却専用室の構築によって、成膜
工程に要する時間が長くなり、当該工程の処理効率が低
下してしまう恐れもあった。
【0011】本発明は上記課題を鑑みて為されたもので
あり、キャリアの温度上昇の抑制が可能となるスパッタ
リング装置の提供を目的とするものである。また、キャ
リアの温度上昇の抑制が可能となるキャリアの供給方法
および前述のスパッタリング装置を用いたディスク状記
録媒体の製造方法の提供を目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係る基板交換ユニットは、基板と、基板の
所定部分を覆う磁性体からなるマスクと、磁性体を有し
且つ磁性体を用いて基板およびマスクを保持するキャリ
アとを保持する、成膜装置におけるキャリアホルダ、と
の間で基板、マスクおよびキャリアを授受する基板交換
ユニットであって、キャリアホルダから、基板およびマ
スクと共にキャリアを受け取る際、および基板、マスク
およびキャリアを保持する際に用いされるキャリア脱着
手段を有する基板交換ハンドと、基板交換ハンドと正対
し、基板交換ハンドとの間で、磁力を用いて基板、マス
ク、およびキャリアを授受するヘッド部と、マスクをそ
の表面に固定するマスク固定手段を有し、基板交換ハン
ドとは異なる位置においてヘッド部と正対して、マスク
固定手段を用いてヘッド部との間でマスクおよび基板の
授受を行うステージと、基板交換ハンドとステージとの
間に存在し、基板およびマスクをステージに受け渡した
後のヘッド部に保持されたキャリアを冷却する待機位置
とを有することを特徴としている。
【0013】なお、前述の基板交換ユニットにおいて
は、基板交換ハンドにおけるキャリア脱着手段は、キャ
リアに設けられた、所定の幅からなるキャリアの表面よ
り裏面に貫通する小径部分である長穴、およびその端部
に設けられた幅より大きな直径を有する貫通穴からなる
大径部分とからなるキャリア脱着穴と協動するものであ
って、基板交換ハンドにおいて基板、マスクおよびキャ
リアを固定する基板に対して垂直な方向に回転可能な基
板固定部と、基板固定部のキャリア脱着穴に対応する位
置に設けられた、その先端部に大径部分の直径より小さ
く且つ長穴の幅より大きな直径を有する大径部を有し、
長穴の幅よりも小さな直径を有すると共に長穴の深さよ
りも大きな長さを有するキャリア固定ピンとからなるこ
とが好ましい。
【0014】また、上記課題を解決するために、本発明
に係る基板交換ユニットは、成膜装置における、基板
と、基板の所定部分を覆うマスクと、基板およびマスク
を保持するキャリアとを保持する、成膜装置におけるキ
ャリアホルダとの間で、成膜前および成膜後の基板、マ
スクおよびキャリアを授受する基板交換ユニットであっ
て、キャリアホルダに対して成膜前および成膜後の基
板、マスクおよびキャリアを授受する基板交換ハンド
と、成膜前および成膜後の基板およびマスクが載置され
るステージと、基板交換ハンドより成膜後の基板、マス
クおよびキャリアを受け取り、ステージに対して成膜後
の基板およびマスクを受け渡し、キャリアを保持した状
態にて所定時間待機した後、成膜前の基板およびマスク
をステージより受け取るアームヘッドとを有することを
特徴としている。
【0015】また、上記課題を解決するために、本発明
に係る基板交換方法は、成膜装置における、基板と、基
板の所定部分を覆う磁性体からなるマスクと、磁性体を
有し且つ磁性体を用いて基板およびマスクを保持するキ
ャリアとを保持する、成膜装置におけるキャリアホル
ダ、との間で基板、マスクおよびキャリアを授受する基
板交換方法であって、基板交換ハンドによって、キャリ
アホルダから、基板、マスクおよびキャリアを受け取る
工程と、アームヘッドによって、基板交換ハンドから、
基板、マスクおよびキャリアを受け取る工程と、アーム
ヘッドからステージ上に基板およびマスクを載置する工
程と、ステージ上の基板およびマスクを、新たな基板お
よびマスクに交換する工程と、アームヘッドによって、
ステージ上の新たな基板およびマスクをキャリアと共に
保持し、基板交換ハンドに受け渡す工程と、基板交換ハ
ンドによって、キャリアホルダに新たな基板およびマス
クおよびキャリアを受け渡す工程とからなり、ステージ
上の基板およびマスクを交換する際に、アームヘッドに
保持されたキャリアの冷却が行われることを特徴として
いる。
【0016】
【実施例】本発明に係る実施の形態である基板交換ユニ
ットおよびスパッタリング装置について、上方より見た
場合の概略構成を図1に示す。本実施の形態において
は、13の成膜室102および基板の供給および取出し
室103の、14室からなるスパッタリング装置100
を例として述べる。なお、14角形の各辺上に配置され
た成膜室102には、各々放電空間をターゲット近傍の
特定領域に限定するため等に用いられるいわゆるアース
シールドと呼ばれる構成、装置内部へのよけいなスパッ
タ粒子の付着を防止するためのいわゆる防着シールドと
呼ばれる構成、放電に用いるアルゴンガス等の導入系、
および真空排気系等の種々の構成が配置されている。し
かしながら、これら構成は本発明と直接の関係はないた
めに、図示およびここでの説明は省略することとする。
【0017】各成膜室102が円周上に配置された中央
部には、キャリアホルダ搬送ユニット105が配置され
ている。キャリアホルダ搬送ユニット105には、基板
1、マスク2およびキャリア10を同時に保持するキャ
リアホルダ70が、キャリアホルダ搬送ユニット105
の回転中心を中心として放射状に14個保持されてい
る。本発明においては、キャリア10は、キャリアホル
ダ70とは独立して取り扱うことを可能としている。各
キャリアホルダ70は、キャリアホルダ搬送ユニット1
05によって、各成膜室102に対して各々が正対する
ように回転駆動される。
【0018】図に示す装置においては、供給および取出
し室103において、キャリアホルダ70が基板1、マ
スク2およびキャリア10を受け取り、連続する各成膜
室102の前で所定時間停止して薄膜の形成を行うとい
う工程を、時計回りに回転しながら各順次行っていく。
13の成膜室102の前を通過し、当該装置100にお
ける成膜工程が終了した基板1は、マスク2、およびキ
ャリア10と共に供給および取出し室103より取り出
される。供給および取出し室103の前に配置された基
板交換ユニット6は、基板交換ハンド20によって、成
膜工程が終了した基板1、マスク2およびキャリア10
をキャリアホルダ70から受け取る。
【0019】基板交換ユニット6は、基板交換ハンド2
0と、第1および第2のアームヘッド30、40と、第
1および第2のステージ50、60とから構成されてい
る。第1および第2のアームヘッ30、40ドは、その
先端部にそれぞれ第および第2のヘッド部31、41を
有しており、その他端部において略90゜の夾角を保つ
ように連結され、その連結部を中心として、不図示のア
ームヘッド駆動機構によって、回動可能に支持されてい
る。第1および第2のステージ50、60は、当該連結
部を中心として180゜対称となり且つ当該連結部から
の距離が当該連結部からヘッド部31、41中心までの
距離と等しくなる位置にそれぞれ配置されている。
【0020】また、後述する基板交換ハンド20の水平
位置は、第1および第2のステージ50、60の中間で
あって当該回転中心からの距離が当該連結中心からヘッ
ド部31、41中心までの距離と等しくなる位置に配置
されている。また、アームヘッド30、40が待機位置
80にある時、第1および第2のヘッド部31、41
は、第1のステージ50と基板交換ハンド20との水平
位置との中間、および第2のステージ60と基板交換ハ
ンド20との水平位置との中間にそれぞれ位置すること
となる。当該構成により、第1のヘッド部31が第1の
ステージ50上にある場合には第2のヘッド部41は水
平状態にある基板交換ハンド20上にあり、第2のヘッ
ド部41が第2のステージ60上にある場合には、第1
のヘッド部31が水平状態にある基板交換ハンド20上
にあることとなる。
【0021】基板交換ユニット6における、基板交換ハ
ンド20に対する基板1、マスク2およびキャリア10
の受け渡し等の手順について述べる。なお、以下の説明
の参照として、キャリア10を正面から見た状態を図2
に、基板交換ハンド20と第1および第2のアームヘッ
ド30、40との間で基板1、マスク2およびキャリア
10を授受する際の状態の断面概略を図3に、キャリア
ホルダ70と基板交換ハンド20との間で基板1、マス
ク2およびキャリア10を授受する際の状態の断面概略
を図4に、第1および第2のステージ50、60上に基
板1およびマスク2が保持された状態の断面概略を図5
に、第1および第2のアームヘッド30、40がキャリ
ア10を保持した状態の断面概略を図6にそれぞれ示
す。なお、本実施例においては中央部に貫通孔を形成し
ていない基板1を用いることとし、従ってインナーマス
クを用いない構成となっている。
【0022】本実施例において、キャリア10は、基板
保持面に、アウターマスク2の裏面凸部3を収容する環
状の溝部11と、当該溝部11の底面に配置された小マ
グネット12とを有している。また、環状溝部11の外
周には、キャリア表面から裏面に貫通するキャリア固定
用穴13およびキャリア脱着用穴14が、キャリア中心
から等距離で配置されている。
【0023】キャリア固定用穴13およびキャリア脱着
用穴14は、円形の通し穴が円周方向に延在された長穴
からなる小径部分15と、その一端部において当該円形
の内径より径の大きい大径部分16が連続することによ
って構成されている。なお、円周方向にキャリア固定用
穴13は90゜づつ位置をずらして配置されており、キ
ャリア脱着用穴14はキャリア固定用穴13同士の中間
に位置するように配置されている。また、キャリア固定
用穴13とキャリア脱着用穴14とは、長穴に対する大
径部分16の構成位置が、円周方向で逆の位置となるよ
うに配置されている。
【0024】まず、成膜終了後の基板1が存在する供給
および取出し室103に対し、乾燥窒素等が導入されて
当該室の大気中への開放がなされる。スパッタリング装
置100内において、基板1、マスク2およびキャリア
10は、図4に示すように、キャリアホルダ70によっ
て支持されている。キャリアホルダ70におけるキャリ
ア固定部71は、キャリアホルダ回転モータ72に連結
されており、ベアリング73によって回転可能に支持さ
れている。なお、キャリア10に設けられた小マグネッ
ト12の磁力によってマスク2がキャリア10に密着、
固定されており、略円板形状を有する基板1は、このマ
スク2とキャリア10とによって挟持された状態で、キ
ャリア10によって保持されている。
【0025】当該キャリアホルダ70は、不図示のマグ
ネットと、キャリア固定用穴13に対応した位置に配置
された、キャリア固定部71に設けられたキャリア固定
ピン74とを有している。キャリア固定ピン74は、小
径部75と先端部に設けられた大径部76とからなり、
小径部75はキャリア固定用穴13の小径部分15を挿
嵌可能な径からなり、大径部76はキャリア固定用穴1
3の大径部分16を挿嵌可能であり且つ小径部分15を
挿嵌不可能な径からなる。また、キャリア固定ピン74
の小径部75の長さは、キャリア固定用穴13の小径部
分15の深さより大きくなうように設定されている。
【0026】不図示のマグネットの磁力によって、2マ
スク、キャリア10はキャリアホルダ70によって吸
着、保持されている。キャリア固定用穴13の大径部分
16にキャリア固定ピン74を挿嵌した後、キャリアホ
ルダ回転用モータ72を用いて、キャリア固定部71と
共にキャリア固定ピン74をキャリア固定用穴13の小
径部分15方向に回転させる。この操作によって、キャ
リア固定ピン74の大径部76とキャリア固定用穴13
の小径部分15とが係合し、キャリアホルダ70に対す
るキャリア10の固定が為されている。
【0027】基板交換ハンド20は、キャリア脱着用モ
ータ22に接続され、且つベアリング23によって回転
可能に支持されたキャリア支持部21を有する。キャリ
ア支持部21は、キャリア支持面においてキャリア10
を固定、保持し、当該支持面には、キャリア10に設け
られたキャリア脱着用穴14と対応する配置に、前述の
キャリア固定ピン74と同形状のキャリア脱着ピン24
が設けられている。
【0028】なお、キャリア脱着ピン24もキャリア固
定ピン74と同様に小径部25とその先端の大径部26
とを有し、小径部25の長さがキャリア脱着用穴14の
小径部分15の深さより長くなるように設定されてい
る。これらキャリア脱着用ピン24は、キャリア脱着用
穴14と協動するキャリア脱着手段を構成する。当該基
板交換ハンド20が前述の基板1等を保持した状態にあ
るキャリアホルダ70に接近し、キャリア脱着ピン24
をキャリア脱着用穴14の大径部分16に挿嵌する。続
いて、キャリア脱着用回転モータ22を用いて、大径部
分16にあるキャリア脱着ピン24を小径部分15方向
に回転移動させ、キャリア10を基板交換ハンド20に
対して固定する。
【0029】略同時に、キャリアホルダ回転モータ72
を用いて、キャリア固定部71と共にキャリア固定ピン
74をキャリア固定用穴13の大径部分16に回転移動
させる。これにより当該基板1、マスク2およびキャリ
ア10は、キャリアホルダ70から離脱可能となり、基
板1等のキャリアホルダ70から基板交換ハンド20へ
の受け渡しが終了する。その後、不図示の基板交換ハン
ド駆動機構により、基板交換ハンド20は後退し、キャ
リアホルダ70に対して正対する基板を略垂直に支持す
る垂直姿勢から、基板1を上方にて略水平方向に支持す
る水平姿勢となるように駆動される。
【0030】基板交換ハンド20が基板1、マスク2お
よびキャリア10をキャリアホルダー70から受け取
り、水平方向にその姿勢を変える操作が行われる間、第
1および第2のアームヘッド30、40はそれぞれの待
機位置80にてその動作を停止している。その際、次に
キャリアホルダ70に受け渡されるべきキャリア10
は、図6に示す状態で、第1のアームヘッド30におけ
る第1のヘッド部31に保持されており、当該待機位置
80において窒素ガス等により冷却されている。また、
第2のアームヘッド40における第2のヘッド部41
は、成膜済みの基板1等を受け取るために、キャリア1
0等を何ら保持しない状態で当該待機位置80において
待機している。
【0031】第1のヘッド部31が有するキャリア10
に対して受け渡されるべき成膜前の基板1は、図5に示
す状態で、第1のステージ50上に準備されている。成
膜前の基板1は、第1のステージ50上に成膜面を下方
(ステージ表面)に向けた状態でマスク2と一体化され
て載置されている。当該ステージ50は、その内部に、
ステージ用マグネットアーム53に支持されたステージ
用マグネット52を有しており、当該マグネットアーム
53はステージ用エアシリンダ54に接続されている。
これらステージ用マグネット52、ステージ用マグネッ
トアーム53およびステージ用エアシリンダ54は、マ
スク固定手段を構成する。
【0032】当該シリンダ54の駆動によって、ステー
ジ用マグネット52は、ステージ用マグネットアーム5
3を介して、ステージ表面であるマスク支持面51に対
して最も近い位置と遠い位置との間を移動する。ステー
ジ用マグネット52がステージ表面51に最も近づいた
図5の状態で、磁性体により構成されたアウターマスク
2は、ステージ表面に対して固定、保持される。当該ア
ウターマスク2が、ステージ用マグネット52により所
定位置に固定されることにより、基板1もマスク2に応
じた所定位置に保持されることとなる。
【0033】図6に示すように、第1および第2のヘッ
ド部31、41はその内部に、ヘッド用マグネットアー
ム34に支持されたヘッド用マグネット33を有してお
り、当該マグネットアーム34はヘッド用エアシリンダ
35に接続されている。当該シリンダ35の駆動によっ
て、ヘッド用マグネット33は、ヘッド用マグネットア
ーム34を介して、ヘッド部31におけるキャリア支持
面32に対して最も近い位置と遠い位置との間を移動す
る。ヘッド用マグネット33がキャリア支持面32に最
も近づいた図6の状態で、内部に小マグネット12を有
するキャリア10は、当該マグネット33の磁力によっ
てキャリア支持面32に対して固定、保持される。当該
状態が、現時点における第1のヘッド部31の待機状態
となる。
【0034】次に、不図示のアームヘッド駆動機構によ
り、第1および第2のアームヘッド30、40が連結部
を中心として回動され、第1のヘッド部31が第1のス
テージ50上に、また第2のヘッド41部が水平状態の
基板交換ハンド20上に移動後、その回動が停止され
る。ここで、各々のヘッド部31、41は、第1のステ
ージ50の表面、および水平状態の基板交換ハンド20
のキャリア支持部21に向かって降下される。第1のヘ
ッド部31が保持するキャリア10が、第1のステージ
50上のマスク2および基板1と接触し、同時に第2の
ヘッド部41が、基板交換ハンド20が保持するキャリ
ア10と接触した時点で、この降下を停止する。これら
の接触状態は、不図示の通常のタッチセンサにより確認
している。
【0035】この状態で、第1のステージ50において
は、ステージ用エアシリンダ54の操作によってステー
ジ用マグネット52がステージ表面とは最も遠い位置に
移動する。このため、当該マグネット52がマスク2に
及ぼす磁力より、キャリアに配置された小マグネット1
2および第1のヘッド部31におけるヘッド用マグネッ
ト33がマスク2におよぼす磁力が大きくなる。その結
果、基板1およびマスク2がキャリア10に密着し、こ
れらが一体として第1のヘッド部31に保持されること
となる。
【0036】前述の如く、第2のヘッド部41は、第1
のヘッド部31と共に降下され、キャリア10等を何ら
保持しない第2のヘッド部41は、そのキャリア支持部
21が基板交換ハンド20上のキャリア10の裏面と接
触して、その降下が停止される。次に、ヘッド用エアシ
リンダ35の操作によってヘッド用マグネット33をキ
ャリア支持面32に最も近い状態とし、当該マグネット
33の磁力によって、マスク2、およびキャリア10
を、これらが基板1を挟持した状態でキャリア支持面に
吸着させる。その後、キャリア脱着用回転モータ22に
よって基板交換ハンド20におけるキャリア支持部21
およびキャリア脱着ピン24が回転され、キャリア脱着
用穴14とキャリア脱着ピン24との係合が解除され
る。
【0037】以上の手順を経て、第1のヘッド部31
は、成膜前の基板1を挟持したマスク2およびキャリア
10を保持し、第2のヘッド部41は、成膜後の基板1
を挟持したマスク2およびキャリア10を保持した状態
となる。この状態で、不図示のアームヘッド駆動機構に
より第1および第2のアームヘッド30、40は所定高
さまで上昇され、続いて、第1のヘッド部31が基板交
換ハンド20上に位置し、且つ第2のヘッド部41が第
2のステージ60上に位置するまで回転駆動される。
【0038】その後、第1および第2のアームヘッド3
0、40は降下し、第1のヘッド部31が保持するキャ
リア10に設けられているキャリア脱着用穴14に対し
て、基板交換ハンド20のキャリア脱着ピン24が挿嵌
して、その降下が停止される。その際、同時に、第2の
ヘッド部41に保持されたマスク2も、第2のステージ
60におけるマスク支持面51に接触する。ここで、基
板交換ハンド20におけるキャリア支持部21およびキ
ャリア脱着ピン24がキャリア脱着用モータ22によっ
て回転移動される。これにより、キャリア脱着ピン24
がキャリア脱着用穴14の小径部分15に移動し、キャ
リア脱着用ピン24の大径部26とキャリア脱着用穴1
4の小径部分15が係合して、基板交換ハンド20に対
する成膜前基板1、およびこれを挟持するマスク2およ
びキャリア10の固定が為される。
【0039】その後、第1のヘッド部31におけるヘッ
ド用マグネット33が、ヘッド用エアシリンダ35によ
って、第1のヘッド部31におけるキャリア支持面32
から最も遠い位置に移動される。これら第1のヘッド部
31から基板交換ハンド20への基板1等の受け渡しが
行われると同時に、第2のヘッド部41から第2のステ
ージ60へのマスク2および基板1の受け渡しが行われ
る。なお、第2のステージ60は、上述の第1のステー
ジ50と同じ構造を有している。
【0040】第2のステージ60にマスク2が接触した
状態で、第2のステージ60に設けられたステージ用マ
グネット52が、ステージ用マグネットアーム53を介
して、ステージ用エアシリンダ54によってステージ表
面であるマスク支持面51に対して最も近い位置まで駆
動される。この状態において、第2のヘッド部41にお
けるヘッド用マグネット33および当該ヘッド部41に
保持されたキャリア10における小マグネット12によ
ってマスク2におよぼされる磁力より、ステージ用マグ
ネット52によってマスク2におよぼされる磁力の方が
強くなる。
【0041】しかしながら、ヘッド用マグネット33が
キャリア10の小マグネット12におよぼす磁力は、ス
テージ用マグネット52が当該小マグネット12におよ
ぼす磁力よりも強くなるように設定されている。このた
め、この状態で第2のヘッド部41が上昇すると、基板
1およびマスク2は第2のステージ60によって吸着保
持され、キャリア10は第2のヘッド部41によって吸
着保持されることとなる。その際、基板1、マスク2お
よびキャリア10を基板交換ハンド20に受け渡した第
1のヘッド部31も同時に上昇する。
【0042】その後、第1および第2のアームヘッド3
0、40は、アームヘッド駆動機構によってそれぞれ待
機位置80上に位置するように回転駆動される。この状
態で、前述のキャリアホルダ70から基板交換ハンド2
0への基板1、マスク2およびキャリア10の受け渡し
とは逆の手順で、基板交換ハンド20からキャリアホル
ダ70への基板1、マスク2およびキャリア10の受け
渡しが行われる。第2のステージ60上に載置された成
膜済みの基板1およびマスク2は、不図示の基板移載ロ
ボットによって成膜前の新たな基板1およびマスク2と
交換される。同時に、成膜前の基板1等を保持したキャ
リアホルダ70が存在する仕込み取出し室が排気され、
当該基板1に対する成膜工程が開始される。
【0043】その後、新たな成膜済み基板1、マスク2
およびこれらを保持するキャリア10を保持するキャリ
アホルダ70が基板供給および取出し室103に移動
し、且つ当該室の大気開放が為される。成膜前基板1お
よびマスク2が第2のステージ60載置され、第2のヘ
ッド部41にキャリア10が保持され、第1のステージ
50に何ら載置されておらず、且つ第1のヘッド部31
が何ら保持しないこの状態は、これまで述べた基板1、
マスク2およびキャリア10の受け渡し手順において、
各ステージおよび各ヘッド部がそれぞれ入れ替わった状
態となっている。以下、基板の受け渡し手順がステージ
およびヘッド部を入れ替えた以外は前述の通り繰り返さ
れる。
【0044】基板の受け渡し工程を以上の手順とするこ
とにより、ヘッド部が待機位置にある際に、ヘッド部が
保持するキャリアを徐冷あるいは強制的に冷却すること
が可能となる。これにより、常に一定の温度、あるいは
所定の温度以下に管理されたキャリア上に基板を載置し
て、スパッタリング装置における薄膜形成を行うことが
可能となる。従って、ある程度以上の時間、基板をプラ
ズマに晒すような成膜プロセスが必要となった場合にお
いても、当該キャリアの熱容量を適当なものとすること
によって、基板の温度上昇を抑えることが可能となる。
【0045】なお、本実施例においては、中央部に貫通
穴が設けられていない基板を用いることとしている。し
かし本発明はこれに限定されず、中央部に貫通穴を有す
る基板を用いても良い。また、ステージにおけるマスク
固定手段として、マグネットによる磁力を用いることと
しているが、真空吸着等、種々の固定方法を用いること
が可能である。また、キャリア脱着手段としてキャリア
脱着ピン等を用いることとしているが、この部分にも真
空吸着等の種々の固定方法を適応することが可能であ
る。また、基板中央部を覆う、いわゆる内マスクと呼ば
れる更なるマスクを用いることとしても良い。この場
合、当該内マスクの基板に対する固定は、キャリア内部
に埋設したマグネットによることとしても良く、内マス
ク固定用に別個のマグネットを用いることとしても良
い。
【0046】また、基板交換ハンド、アームヘッドおよ
びステージにおいて、基板等を水平に保持して各構成間
での受け渡しを行うこととしているが、基板等を略垂直
に保持して各構成間での受け渡しを行う構成としても良
い。また、本実施例においては、待機位置においてキャ
リアを冷却する際に乾燥窒素等を吹きかけることとして
いるが、キャリアの冷却方法はこれに限定されない。具
体的には、水冷等された板状の冷却機構等を、待機位置
におけるヘッド部の下方に配置し、大気中に当該冷却機
構をキャリアに押し付ける操作を行っても良い。また、
ヘッド部自身に水冷機構等を設け、これによってキャリ
アの温度管理を行うこととしても良い。
【0047】また、本発明を用いる際に対象となる薄膜
形成装置としてスッパタリング装置を挙げたが、本発明
の適応はこれに限られず、蒸着装置、CVD装置等、種
々の薄膜形成装置に対して適応することが可能である。
また、本発明は、単に光ディスク等の製造方法として用
いられるだけでなく、中央部の除去工程が後に施される
製品、例えばハードディスク等、円盤状の部材全ての製
造工程に対しても適応可能である。
【0048】
【本発明の効果】本発明の実施により、キャリアの温度
を一定あるいは所定温度以下に保った状態で、基板等を
保持させることが可能となる。これにより、長時間基板
をプラズマに晒すことを要する成膜プロセスを実施する
場合であっても、基板に与えられた熱エネルギーを冷却
されたキャリアに逃がすことが可能となり、より広範な
成膜条件にて基板上への薄膜形成を行うことが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板交換ユニットおよびスパッタ
リング装置の平面上での概略構成を示す図である。
【図2】キャリアを正面から見た状態の概略構成を示す
図である。
【図3】基板交換ハンドと第1および第2のアームヘッ
ドとの間で基板、マスクおよびキャリアを授受する際の
状態の断面概略を示す図である。
【図4】キャリアホルダと基板交換ハンドとの間で基
板、マスクおよびキャリアを授受する際の状態の断面概
略を示す図である。
【図5】第1および第2のステージ上に基板およびマス
クが保持された状態の断面概略を示す図である。
【図6】第1および第2のアームヘッドがキャリアを保
持した状態の断面概略を示す図である。
【符号の説明】
1: 基板 2: マスク(アウターマスク) 3: マスク裏面凸部 6: 基板交換ユニット 10: キャリア 11: 環状溝部 12: 小マグネット 13: キャリア固定用穴 14: キャリア脱着用穴 15: 小径部分 16: 大径部分 20: 基板交換ハンド 21: キャリア支持部 22: キャリア脱着用モータ 23: ベアリング 24: キャリア脱着用ピン 25: 脱着ピン小径部 26: 脱着ピン大径部 30: 第1のアームヘッド 31: 第1のヘッド部 32: キャリア支持面 33: ヘッド用マグネット 34: ヘッド用マグネットアーム 35: ヘッド用エアシリンダ 40: 第2のアームヘッド 41: 第2のヘッド部 50: 第1のステージ 51: マスク支持面 52: ステージ用マグネット 53: ステージ用マグネットアーム 54: ステージ用エアシリンダ 60: 第2のステージ 70: キャリアホルダ 71: キャリア固定部 72: キャリアホルダ回転モータ 73: ベアリング 74: キャリア固定ピン 75: 固定ピン小径部 76: 固定ピン大径部 80: 待機位置 100: スパッタリング装置 102: 成膜室 103: 基板供給および取出し室 105: キャリアホルダ搬送ユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石崎 秀樹 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 宇佐美 守 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 4K029 AA24 BD11 HA02 HA04 KA02 5D121 AA01 AA03 EE03 EE19 EE20 EE29 JJ02 JJ03 JJ04 5F031 CA01 DA13 FA02 FA03 FA07 FA14 GA10 GA15 GA30 GA50 HA25 HA46 HA60 MA28 MA29

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、前記基板の所定部分を覆う磁性
    体からなるマスクと、磁性体を有し且つ前記磁性体を用
    いて前記基板およびマスクを保持するキャリアとを保持
    する、成膜装置におけるキャリアホルダ、との間で前記
    基板、マスクおよびキャリアを授受する基板交換ユニッ
    トであって、 前記キャリアホルダから、前記基板およびマスクと共に
    前記キャリアを受け取る際、および前記基板、マスクお
    よびキャリアを保持する際に用いされるキャリア脱着手
    段を有する基板交換ハンドと、 前記基板交換ハンドと正対し、前記基板交換ハンドとの
    間で、磁力を用いて前記基板、マスク、およびキャリア
    を授受するヘッド部と、 前記マスクをその表面に固定するマスク固定手段を有
    し、前記基板交換ハンドとは異なる位置において前記ヘ
    ッド部と正対して、前記マスク固定手段を用いて前記ヘ
    ッド部との間で前記マスクおよび基板の授受を行うステ
    ージと、 前記基板交換ハンドと前記ステージとの間に存在し、前
    記基板およびマスクを前記ステージに受け渡した後の前
    記ヘッド部に保持された前記キャリアを冷却する待機位
    置とを有することを特徴とする基板交換ユニット。
  2. 【請求項2】 前記基板交換ハンドにおける前記キャリ
    ア脱着手段は、前記キャリアに設けられた、所定の幅か
    らなる前記キャリアの表面より裏面に貫通する小径部分
    である長穴、およびその端部に設けられた前記幅より大
    きな直径を有する貫通穴からなる大径部分とからなるキ
    ャリア脱着穴と協動するものであって、前記基板交換ハ
    ンドにおいて前記基板、マスクおよびキャリアを固定す
    る前記基板に対して垂直な方向に回転可能な基板固定部
    と、前記基板固定部の前記キャリア脱着穴に対応する位
    置に設けられた、その先端部に前記大径部分の直径より
    小さく且つ前記長穴の幅より大きな直径を有する大径部
    を有し、前記長穴の幅よりも小さな直径を有すると共に
    前記長穴の深さよりも大きな長さを有するキャリア固定
    ピンとからなることを特徴とする請求項1記載のユニッ
    ト。
  3. 【請求項3】 基板と、前記基板の所定部分を覆うマス
    クと、前記基板および前記マスクを保持するキャリアと
    を保持する、成膜装置におけるキャリアホルダ、との間
    で、成膜前および成膜後の前記基板、マスクおよびキャ
    リアを授受する基板交換ユニットであって、 前記キャリアホルダに対して前記成膜前および成膜後の
    基板、マスクおよびキャリアを授受する基板交換ハンド
    と、 前記成膜前および成膜後の基板およびマスクが載置され
    るステージと、 前記基板交換ハンドより前記成膜後の基板、マスクおよ
    びキャリアを受け取り、前記ステージに対して前記成膜
    後の基板およびマスクを受け渡し、前記キャリアを保持
    した状態にて所定時間待機した後、前記成膜前の基板お
    よびマスクを前記ステージより受け取るアームヘッドと
    を有することを特徴とする基板交換ユニット。
  4. 【請求項4】 基板と、前記基板の所定部分を覆う磁性
    体からなるマスクと、磁性体を有し、且つ前記磁性体を
    用いて前記基板およびマスクを保持するキャリアとを保
    持する、成膜装置におけるキャリアホルダ、との間で前
    記基板、マスクおよびキャリアを授受する基板交換方法
    であって、 基板交換ハンドによって、前記キャリアホルダから、前
    記基板、マスクおよびキャリアを受け取る工程と、 アームヘッドによって、前記基板交換ハンドから、前記
    基板、マスクおよびキャリアを受け取る工程と、 前記アームヘッドからステージ上に前記基板およびマス
    クを載置する工程と、 前記ステージ上の前記基板およびマスクを、新たな基板
    およびマスクに交換する工程と、 前記アームヘッドによって、前記ステージ上の前記新た
    な基板およびマスクを前記キャリアと共に保持し、前記
    基板交換ハンドに受け渡す工程と、 前記基板交換ハンドによって、前記キャリアホルダに前
    記新たな基板およびマスクおよび前記キャリアを受け渡
    す工程とからなり、 前記ステージ上の基板およびマスクを交換する際に、前
    記アームヘッドに保持された前記キャリアの冷却が行わ
    れることを特徴とする基板交換方法。
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KR1020047015937A KR100589552B1 (ko) 2002-04-08 2003-04-01 박막 형성 장치에 대한 기판의 교환 유닛 및 기판 교환 방법
CNA03807866XA CN1646724A (zh) 2002-04-08 2003-04-01 用于薄膜形成装置的基片交换单元和基片交换的方法
PCT/JP2003/004169 WO2003085159A1 (fr) 2002-04-08 2003-04-01 Unite et procede de remplacement de substrat dans un dispositif de formation de couche mince
EP03715703A EP1493838A1 (en) 2002-04-08 2003-04-01 Replacement unit and replacement method for substrate in thin-film forming device
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721056B1 (ko) 2006-01-06 2007-05-25 한국원자력연구원 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치 및 방법
JP2022057675A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、検知装置、検知方法、及び電子デバイスの製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101341537B (zh) * 2006-03-01 2011-04-06 芝浦机械电子装置股份有限公司 基板处理装置
TWI541615B (zh) 2007-07-13 2016-07-11 瑪波微影Ip公司 在微影裝置中交換晶圓的方法
US8705010B2 (en) 2007-07-13 2014-04-22 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of clamping and wafer table
CN101882449B (zh) * 2010-03-01 2011-11-09 东莞宏威数码机械有限公司 精准定位光盘生产线组件和定位方法
JP5873251B2 (ja) * 2011-04-28 2016-03-01 キヤノンアネルバ株式会社 基板トレイ及び該トレイを用いた基板処理装置
DE102012010794A1 (de) 2011-09-02 2013-03-07 Leybold Optics Gmbh Testglaswechseln
CN104213086B (zh) * 2014-09-12 2017-03-22 光驰科技(上海)有限公司 一种双臂自动装片式溅射镀膜方法及其装置
CN105887030B (zh) * 2016-06-30 2018-07-31 光驰科技(上海)有限公司 堆栈式溅射镀膜装置及其镀膜方法
JP7141989B2 (ja) * 2018-09-28 2022-09-26 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4647266A (en) * 1979-12-21 1987-03-03 Varian Associates, Inc. Wafer coating system
JPS61159572A (ja) * 1985-01-07 1986-07-19 Hitachi Ltd 連続スパツタ装置
JPH04141587A (ja) * 1990-10-01 1992-05-15 Nec Corp スパッタリング装置
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721056B1 (ko) 2006-01-06 2007-05-25 한국원자력연구원 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치 및 방법
JP2022057675A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、検知装置、検知方法、及び電子デバイスの製造方法
JP7177128B2 (ja) 2020-09-30 2022-11-22 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、検知装置、検知方法、及び電子デバイスの製造方法

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