JP2022057675A - 成膜装置、検知装置、検知方法、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記チャンバの内部に設けられ、基板を吸着する吸着板と、
前記チャンバの内部に設けられ、マスクが載置されるマスク台と、
前記吸着板に吸着された前記基板と前記マスク台に載置された前記マスクとの、前記基板の被成膜面に沿った平面における相対位置を調整することでアライメントを行うアライメント手段と、
前記吸着板を前記マスク台に対して前記平面と交差する交差方向に相対的に移動させる移動手段と、
前記マスク台に載置された前記マスクの前記交差方向における位置を検知する検知手段と、
を備えることを特徴とする成膜装置が提供される。
図1は、本発明の成膜装置が適用可能な電子デバイスの製造ラインの構成の一部を示す模式図である。図1の製造ラインは、例えば、スマートフォン用の有機EL表示装置の表示パネルの製造に用いられるもので、基板100が成膜ブロック301に順次搬送され、基板100に有機ELの成膜が行われる。
図2は一実施形態に係る成膜装置1の概略図である。成膜室303に設けられる成膜装置1は、基板100に蒸着物質を成膜する装置であり、マスク101を用いて所定のパターンの蒸着物質の薄膜を形成する。成膜装置1で成膜が行われる基板100の材質は、ガラス、樹脂、金属等の材料を適宜選択可能であり、ガラス上にポリイミド等の樹脂層が形成されたものが好適に用いられる。蒸着物質としては、有機材料、無機材料(金属、金属酸化物など)などの物質である。成膜装置1は、例えば表示装置(フラットパネルディスプレイなど)や薄膜太陽電池、有機光電変換素子(有機薄膜撮像素子)等の電子デバイスや、光学部材等を製造する製造装置に適用可能であり、特に、有機ELパネルを製造する製造装置に適用可能である。以下の説明においては成膜装置1が真空蒸着によって基板100に成膜を行う例について説明するが、本発明はこれに限定はされず、スパッタやCVD等の各種成膜方法を適用可能である。なお、各図において矢印Zは上下方向(重力方向)を示し、矢印X及び矢印Yは互いに直交する水平方向を示す。
成膜装置1は、基板100とマスク101とのアライメントを行うアライメント装置2を備える。アライメント装置2は、基板支持ユニット6、吸着板15、位置調整ユニット20、距離調整ユニット22、プレートユニット昇降ユニット13、計測ユニット7、8、調整ユニット17、フローティング部19、検出ユニット16を備える。以下、アライメント装置の各構成について説明する。
アライメント装置2は、基板100の周縁部を支持する基板支持ユニット6を備える。図2に加えて図3を参照して説明する。図3は基板支持ユニット6及び吸着板15の説明図であり、これらを下側から見た図である。
引き続き図2及び3を参照する。アライメント装置2は、真空チャンバ3の内部に設けられ、基板100を吸着可能な吸着板15を備える。本実施形態では、吸着板15は、基板支持ユニット6とプレートユニット9との間に設けられ、1つまたは複数の支持軸R1により支持されている。本実施形態では、吸着板15は、4つの支持軸R1により支持されている。一実施形態において、支持軸R1は円柱形状のシャフトである。
アライメント装置2は、基板支持ユニット6により周縁部が支持された基板100、あるいは、吸着板15によって吸着された基板100と、マスク101との相対位置を調整する位置調整ユニット20を備える。位置調整ユニット20は、基板支持ユニット6または吸着板15をX-Y平面上で変位することにより、マスク101に対する基板100の相対位置を調整する。すなわち、位置調整ユニット20は、マスク101と基板100の水平位置を調整するユニットであるとも言える。例えば、位置調整ユニット20は、基板支持ユニット6をX方向、Y方向及びZ方向の軸周りの回転方向に変位することができる。本実施形態では、マスク101の位置を固定し、基板100を変位してこれらの相対位置を調整するが、マスク101を変位させて調整してもよく、或いは、基板100とマスク101の双方を変位させてもよい。基板100またはマスク101の変位するX-Y平面は、基板100の被成膜面(図2において基板100の下を向く面)に沿った平面の一例である。基板100は自重によって撓むことがあるため、基板100の被成膜面がX-Y平面と平行ではないことがある。その場合でも、被成膜面に沿った平面として、位置調整ユニット20による調整が行われる平面が適宜設定される。また、平面における相対位置の調整や、水平位置の調整とは、ある平面に基板100とマスク101とを射影したときに、各射影の当該平面での位置を調整することを意味し、同一平面に基板100とマスク101とが配置されることを意味するものではない。
距離調整ユニット22は、吸着板15及び基板支持ユニット6を昇降することで、それらとマスク台5との距離を調整し、基板100とマスク101とを基板100の厚み方向(Z方向)に接近及び離隔(離間)させる。換言すれば、距離調整ユニット22は、基板100とマスク101とを重ね合わせる方向に接近させたり、その逆方向に離隔させたりする。なお、距離調整ユニット22によって調整する「距離」はいわゆる垂直距離(又は鉛直距離)であり、距離調整ユニットは、マスク101と基板100の垂直位置を調整するユニットであるとも言える。Z方向は、基板100の被成膜面に沿った平面(本実施形態ではX-Y平面)に交差する交差方向の一例である。被成膜面に沿った平面がX-Y平面である場合、Z方向の成分を含んでいれば、吸着板15の移動する方向はX-Y平面に垂直でなくてもよい。すなわち、距離調整ユニット22は、基板100の被成膜面に沿った平面に交差する任意の交差方向に、吸着板15を昇降する。
プレートユニット昇降ユニット13は、真空チャンバ3の外部に配置された第2昇降プレート12を昇降させることで、第2昇降プレート12に連結され、真空チャンバ3の内部に配置されたプレートユニット9を昇降する。プレートユニット9は1つまたは複数の支持軸R2を介して第2昇降プレート12と連結されている。本実施形態では、プレートユニット9は2つの支持軸R2により支持されている。支持軸R2は、磁石プレート11から上方に延設されており上壁部30の開口部、固定プレート20a及び可動プレート20bの各開口部、及び、第1昇降プレート220の開口部を通過して第2昇降プレート12に連結されている。
アライメント装置2は、基板支持ユニット6により周縁部が支持された基板100とマスク101の位置ずれを計測する計測ユニット(第1計測ユニット7及び第2計測ユニット8)を備える。図2に加えて図5を参照して説明する。図5は第1計測ユニット7及び第2計測ユニット8の説明図であり、基板100とマスク101の位置ずれの計測態様を示している。本実施形態の第1計測ユニット7及び第2計測ユニット8はいずれも画像を撮像する撮像装置(カメラ)である。第1計測ユニット7及び第2計測ユニット8は、上壁部30の上方に配置され、上壁部30に形成された窓部(不図示)を介して真空チャンバ3内の画像を撮像可能である。
アライメント装置2は、調整ユニット17を備える。図6は、調整ユニット17(調整装置)の説明図である。調整ユニット17は、吸着板15とマスク台5との相対的な傾きを調整するユニットである。本実施形態では、調整ユニット17は、吸着板15を動かすことにより、吸着板15とマスク台5との相対的な傾きを調整する。さらに言えば、複数の支持軸R1のうち少なくとも一部の支持軸R1の軸方向の位置を調整することにより、吸着板15とマスク台5との相対的な傾きを調整する。
アライメント装置2は、フローティング部19を備える。フローティング部19は、屈曲部18と吸着板15との間に設けられている。フローティング部19は、弾性部材191と、ブッシュ192と、軸部材193と、吸着板支持部194と、フランジ195とを含む。軸部材193は、屈曲部18から下方に延びて設けられる。ブッシュ192は、軸部材193と吸着板支持部194との間に介在するように設けられ、これらの間の摩擦を軽減したり、ガタツキを低減したりする。例えば、ブッシュ192は滑り性のよい金属焼結材等により形成される。吸着板支持部194は、吸着板15を支持する。弾性部材191は、吸着板支持部194と、軸部材193に設けられたフランジ195との間に設けられ、吸着板15の荷重を受けるように構成される。すなわち、フローティング部19は屈曲部18を介して支持軸R1に接続され、フローティング部19の弾性部材191が吸着板15を支持している。このように、支持軸R1がフローティング部19の弾性部材191を介して吸着板15を支持することにより、吸着板15がマスク101に接触する際にマスク101に加えられる荷重を軽減するともに、吸着板15とマスク101とが接触した際の吸着板15の逃げを確保することができる。
アライメント装置2は、検出ユニット16を備える。再び図2及び図3を参照する。検出ユニット16は、吸着板15及びマスク台5の間の平行度を検出する。平行度は、吸着板15とマスク台5との相対的な傾きの程度を示す度合いである。本実施形態では、検出ユニット16は、吸着板15の側に設けられている、前述した複数のタッチセンサ1621を含んで構成される。複数のタッチセンサ1621は、先端部の吸着面150から突出する長さが互いに略等しくなるように、吸着板15に取り付けられる。タッチセンサ1621が吸着板15に取り付けられることで、大気圧によって真空チャンバ3が変形しても、吸着板15とタッチセンサ1621との相対位置に生じる変化を小さくすることができる。すなわち、真空状態となっても、タッチセンサ1621の先端部の突出長さはほとんど変化せず、互いに略等しいままに維持される。したがって、吸着板15が移動したときに、複数のタッチセンサ1621の全部がほぼ同時に反応すれば、平行度が高い、換言すると、吸着板15とマスク台5との相対的な傾きが小さいと判断することができる。先端部の吸着面150から突出する長さを適当に変えることで、平行ではない所定の傾きを目標値として設定することもできる。検出ユニット16を用いた吸着板15の平行度の検出動作については後述する。また、本実施形態では、タッチセンサ1621が、吸着板15と基板100との接触の検出、及び、吸着板15及びマスク台5の間の平行度を検出の両方を実行する。これにより、これらを検出するセンサを別々に設ける場合と比べてセンサの数を削減することができる。
制御装置14は、成膜装置1の全体を制御する。制御装置14は、処理部141、記憶部142、入出力インタフェース(I/O)143、通信部144、表示部145及び入力部146を備える。処理部141は、CPUに代表されるプロセッサであり、記憶部142に記憶されたプログラムを実行して成膜装置1を制御する。記憶部142は、ROM、RAM、HDD等の記憶デバイスであり、処理部141が実行するプログラムの他、各種の制御情報を記憶する。I/O143は、処理部141と外部デバイスとの間の信号を送受信するインタフェースである。通信部144は通信回線300aを介して上位装置300又は他の制御装置14、309、310等と通信を行う通信デバイスであり、処理部141は通信部144を介して上位装置300から情報を受信し、或いは、上位装置300へ情報を送信する。表示部145は、例えば液晶ディスプレイであり、各種情報を表示する。入力部146は、例えばキーボードやポインティングデバイスであり、ユーザからの各種入力を受け付ける。なお、制御装置14、309、310や上位装置300の全部又は一部がPLCやASIC、FPGAで構成されてもよい。
図7は、吸着板15を用いた基板100とマスク101との重ね合わせのプロセスの説明図である。図7は、プロセスの各状態を示している。
図9は、処理部141の制御処理例を示すフローチャートであり、調整ユニット17による傾きの調整動作を行う際の処理を示している。例えば、本フローチャートは、大気圧環境下にあった真空チャンバ3の内部空間3aの空気が不図示の真空ポンプ等により排気され、内部空間3aが真空状態となった場合に実行される。また例えば、本フローチャートは、内部空間3aが真空状態となっている間、所定の周期で実行される。また例えば、本フローチャートは、マスク台5にマスク101が載置されておらず、吸着板15に基板100が吸着されておらず、基板支持ユニット6に基板100が支持されていない状態で実行される。
次に、電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。この例の場合、図1に例示した成膜ブロック301が、製造ライン上に、例えば、3か所、設けられる。
ここで、複数の基板100に対して蒸着処理を行う間に、マスク101が交換される場合がある。例えば、異なる種類の基板100に対して蒸着処理を行うために、異なるマスク101を使用することや、蒸着処理によってマスク101が汚損した場合に、マスク101が交換されることがある。マスク101やマスク台5の厚みには個体差があり、交換前後のマスク101またはマスク台5の厚みの違いによってアライメントの精度が低下し得る。基板100とマスク101との距離を近づけてアライメントを行うことで、アライメントの精度を高めることができる。しかし、マスク101やマスク台5の個体差によって、基板100の一部がマスク101に接触する可能性があり、それによって基板100に傷等が生じるおそれが生じる。基板100の保護のために基板100とマスク101との距離を大きくすると、その分だけアライメントの精度が低下し得る。
上記実施形態では、真空チャンバ3の内部が真空に保持された状態においてマスクの位置を検知する処理を説明したが、真空チャンバ3の内部が真空に保たれていない状態においてマスクの位置を測定してもよい。
Claims (23)
- 内部を真空に保持するチャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、基板を吸着する吸着板と、
前記チャンバの内部に設けられ、マスクが載置されるマスク台と、
前記吸着板に吸着された前記基板と前記マスク台に載置された前記マスクとの、前記基板の被成膜面に沿った平面における相対位置を調整することでアライメントを行うアライメント手段と、
前記吸着板を前記マスク台に対して前記平面と交差する交差方向に相対的に移動させる移動手段と、
前記マスク台に載置された前記マスクの前記交差方向における位置を検知する検知手段と、
を備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記検知手段の検知結果に基づいて、前記アライメントを行う時の前記交差方向における前記吸着板の位置を決定する制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記検知手段の検知結果に基づいて、前記マスク台に載置された前記マスクから所定の距離となる前記交差方向における前記吸着板の位置を決定する制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記制御手段は、前記検知手段による検知を開始するための前記交差方向における前記吸着板の検知開始位置を決定することを特徴とする請求項2または3に記載の成膜装置。
- 前記制御手段は、前記検知手段による過去の検知結果に基づいて、前記検知開始位置を決定することを特徴とする請求項4に記載の成膜装置。
- 前記マスク台に載置された前記マスクの種類を特定する特定手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記特定手段で特定した前記マスクの前記種類に基づいて、前記検知開始位置を設定することを特徴とする請求項4または5に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記吸着板を、前記検知開始位置から前記マスク台に近接するように、前記交差方向において相対的に移動し、
前記検知手段は、前記検知開始位置から、前記吸着板が前記マスク台に載置された前記マスクに接触する接触位置までの、前記吸着板の変位量に基づいて、前記交差方向における前記マスクの位置を検知することを特徴とする請求項4から6のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記吸着板が基板を吸着していない状態で、前記吸着板を前記検知開始位置に移動することを特徴とする請求項4から7のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記移動手段は、前記チャンバの内部が真空に保持されている状態で、前記吸着板を前記検知開始位置に移動することを特徴とする請求項4から8のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記検知手段は、前記吸着板が基板を吸着していない状態で、前記交差方向における前記マスクの位置を検知することを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記検知手段は、前記チャンバの内部が真空に保持されている状態で、前記交差方向における前記マスクの位置を検知することを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記検知手段は、前記吸着板の側に設けられ、前記マスクとの接触を検出するタッチセンサを含むことを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記タッチセンサは、前記吸着板の吸着面に前記基板が接触したことを検出することを特徴とする請求項12に記載の成膜装置。
- 前記検知手段は、前記交差方向における前記吸着板と前記マスク台との距離を測定する測距センサを含むことを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記検知手段は、前記吸着板の側に設けられ、前記マスクとの接触を検出するタッチセンサを含み、
前記移動手段は、前記吸着板が基板を吸着していない状態で、前記吸着板を第1位置に移動し、
前記移動手段は、前記交差方向において前記吸着板が前記マスク台に近接するように、前記第1位置から少なくとも前記タッチセンサが接触を検出する第2位置まで、前記吸着板を相対的に移動し、
前記検知手段は、前記第1位置から前記第2位置までの前記吸着板の変位量に基づいて、前記交差方向における前記マスクの位置を検知する
ことを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。 - 前記検知手段の検知結果に基づいて、前記吸着板と前記マスク台との平行度を判定する判定手段を備えることを特徴とする請求項1から15のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記チャンバの内部が真空に保持されている状態で、前記吸着板と前記マスク台との相対的な傾きを調整する調整手段をさらに備えることを特徴とする請求項16に記載の成膜装置。
- 前記吸着板は静電チャックであることを特徴とする請求項1から17のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記マスクを介して前記基板の前記被成膜面に成膜する成膜手段を備えることを特徴とする請求項1から18のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 内部を真空に保持するチャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、基板を吸着可能な吸着板と、
前記チャンバの内部に設けられ、マスクが載置されるマスク台と、
前記吸着板に吸着された前記基板と前記マスク台に載置された前記マスクとの、前記基板の被成膜面に沿った平面における相対位置を調整することでアライメントを行うアライメント手段と、
前記吸着板を前記マスク台に対して前記平面と交差する交差方向に相対的に移動させる移動手段と、
を備える成膜装置に取り付けられる検知装置であって、
前記マスク台に載置された前記マスクの前記交差方向における位置を検知する検知手段、
を備えることを特徴とする検知装置。 - 内部を真空に保持するチャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、基板を吸着可能な吸着板と、
前記チャンバの内部に設けられ、マスクが載置されるマスク台と、
記吸着板に吸着された前記基板と前記マスク台に載置された前記マスクとの、前記基板の被成膜面に沿った平面における相対位置を調整することでアライメントを行うアライメント手段と、
を備える成膜装置の検知方法であって、
前記吸着板を前記マスク台に対して前記平面と交差する交差方向に相対的に移動させる移動工程と、
前記マスク台に載置された前記マスクの前記交差方向における位置を検知する検知工程と、
を含むことを特徴とする検知方法。 - 前記移動工程は、
前記吸着板が基板を吸着していない状態で、前記吸着板を第1位置に移動する第1移動工程と、
前記交差方向において前記吸着板が前記マスク台に近接するように、前記第1位置から少なくとも前記吸着板が前記マスクに接触する第2位置まで、前記吸着板を相対的に移動する第2移動工程と、を含み、
前記検知工程は、前記第1位置から前記第2位置までの前記吸着板の変位量に基づいて、前記交差方向における前記マスクの位置を検知することを特徴とする請求項21に記載の検知方法。 - 請求項21または22に記載の検知方法によって前記交差方向における前記マスクの位置を検知する工程と、
前記検知工程における検知結果に基づいて決定される前記交差方向におけるアライメント位置に前記吸着板を移動させて、前記吸着板に吸着された前記基板と前記マスク台に載置された前記マスクとのアライメントを行うアライメント工程と、
前記マスクを介して前記基板上に成膜する成膜工程と、を有する、
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020166057A JP7177128B2 (ja) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 成膜装置、検知装置、検知方法、及び電子デバイスの製造方法 |
CN202111113206.1A CN114318219A (zh) | 2020-09-30 | 2021-09-23 | 成膜装置、检测装置、检测方法及电子器件的制造方法 |
KR1020210128079A KR102549990B1 (ko) | 2020-09-30 | 2021-09-28 | 성막 장치, 검지 장치, 검지 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020166057A JP7177128B2 (ja) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 成膜装置、検知装置、検知方法、及び電子デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022057675A true JP2022057675A (ja) | 2022-04-11 |
JP7177128B2 JP7177128B2 (ja) | 2022-11-22 |
Family
ID=81044588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020166057A Active JP7177128B2 (ja) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 成膜装置、検知装置、検知方法、及び電子デバイスの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7177128B2 (ja) |
KR (1) | KR102549990B1 (ja) |
CN (1) | CN114318219A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024053192A1 (ja) * | 2022-09-07 | 2024-03-14 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜装置の駆動方法及び成膜方法 |
JP7462696B2 (ja) | 2022-04-25 | 2024-04-05 | キヤノントッキ株式会社 | ワーク保持装置、アライメント装置及び成膜装置 |
WO2024162776A1 (ko) * | 2023-01-31 | 2024-08-08 | 주식회사 선익시스템 | 갭센서가 구비된 기판 증착 장치 및 그 제어방법 |
WO2024162773A1 (ko) * | 2023-01-31 | 2024-08-08 | 주식회사 선익시스템 | 기판 증착 장치 및 그 제어방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003293132A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-15 | Tdk Corp | 薄膜形成装置に対する基板の交換ユニットおよび基板交換方法 |
JP2013147715A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | V Technology Co Ltd | マスク成膜装置及びマスク成膜方法 |
JP2018003143A (ja) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | キヤノントッキ株式会社 | 基板処理装置及びアライメント方法 |
JP2020070493A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | キヤノントッキ株式会社 | アライメントシステム、成膜装置、アライメント方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP2020520549A (ja) * | 2018-04-03 | 2020-07-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板をアライメントする装置、システム及び方法 |
JP2020141121A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | キヤノントッキ株式会社 | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法、記録媒体、及びプログラム |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3197010B2 (ja) * | 1990-03-05 | 2001-08-13 | 株式会社東芝 | 間隔設定方法及び間隔設定装置 |
JP2004095419A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Kiko Kenji Kagi Kofun Yugenkoshi | アライメント機構を備えた真空成膜装置 |
KR101821926B1 (ko) * | 2017-06-02 | 2018-01-24 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 진공 증착 장치 및 이를 사용한 디바이스 제조방법 |
JP7001381B2 (ja) * | 2017-07-14 | 2022-01-19 | キヤノントッキ株式会社 | アライメント方法、成膜方法、それを用いた電子デバイスの製造方法、アライメント装置、及び、それを備えた電子デバイスの製造装置 |
KR101893309B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2018-08-29 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 성막장치, 성막방법, 및 전자 디스바이스 제조방법 |
KR101993532B1 (ko) | 2017-11-29 | 2019-06-26 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법 |
-
2020
- 2020-09-30 JP JP2020166057A patent/JP7177128B2/ja active Active
-
2021
- 2021-09-23 CN CN202111113206.1A patent/CN114318219A/zh active Pending
- 2021-09-28 KR KR1020210128079A patent/KR102549990B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003293132A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-15 | Tdk Corp | 薄膜形成装置に対する基板の交換ユニットおよび基板交換方法 |
JP2013147715A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | V Technology Co Ltd | マスク成膜装置及びマスク成膜方法 |
JP2018003143A (ja) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | キヤノントッキ株式会社 | 基板処理装置及びアライメント方法 |
JP2020520549A (ja) * | 2018-04-03 | 2020-07-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板をアライメントする装置、システム及び方法 |
JP2020070493A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | キヤノントッキ株式会社 | アライメントシステム、成膜装置、アライメント方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP2020141121A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | キヤノントッキ株式会社 | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法、記録媒体、及びプログラム |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7462696B2 (ja) | 2022-04-25 | 2024-04-05 | キヤノントッキ株式会社 | ワーク保持装置、アライメント装置及び成膜装置 |
WO2024053192A1 (ja) * | 2022-09-07 | 2024-03-14 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜装置の駆動方法及び成膜方法 |
WO2024162776A1 (ko) * | 2023-01-31 | 2024-08-08 | 주식회사 선익시스템 | 갭센서가 구비된 기판 증착 장치 및 그 제어방법 |
WO2024162773A1 (ko) * | 2023-01-31 | 2024-08-08 | 주식회사 선익시스템 | 기판 증착 장치 및 그 제어방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7177128B2 (ja) | 2022-11-22 |
CN114318219A (zh) | 2022-04-12 |
KR102549990B1 (ko) | 2023-06-29 |
KR20220044133A (ko) | 2022-04-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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