JP3197010B2 - 間隔設定方法及び間隔設定装置 - Google Patents
間隔設定方法及び間隔設定装置Info
- Publication number
- JP3197010B2 JP3197010B2 JP05168190A JP5168190A JP3197010B2 JP 3197010 B2 JP3197010 B2 JP 3197010B2 JP 05168190 A JP05168190 A JP 05168190A JP 5168190 A JP5168190 A JP 5168190A JP 3197010 B2 JP3197010 B2 JP 3197010B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample surface
- distance
- displacement sensor
- interval
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q15/00—Automatic control or regulation of feed movement, cutting velocity or position of tool or work
- B23Q15/20—Automatic control or regulation of feed movement, cutting velocity or position of tool or work before or after the tool acts upon the workpiece
- B23Q15/22—Control or regulation of position of tool or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/703—Gap setting, e.g. in proximity printer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、第1及び第2の物体の間隔設定方法及び
装置に関し、具体的には、露光装置におけるマスクとウ
ェハとを互いに平行に且つ一定間隔に設定する間隔設定
方法及び装置に関する。
装置に関し、具体的には、露光装置におけるマスクとウ
ェハとを互いに平行に且つ一定間隔に設定する間隔設定
方法及び装置に関する。
(従来の技術) 超LSI等の半導体素子が製造される工程においては、
露光装置によってウェハに回路パターンが転写されてい
る。即ち、予めマスクに形成された回路パターンにX線
が照射され、回路パターンの像がウェハに転写される。
この回路パターンの転写の前に、マスクとウェハとが互
いに平行に且つ一定間隔(例えば、20〜50μm)に設定
される必要がある。
露光装置によってウェハに回路パターンが転写されてい
る。即ち、予めマスクに形成された回路パターンにX線
が照射され、回路パターンの像がウェハに転写される。
この回路パターンの転写の前に、マスクとウェハとが互
いに平行に且つ一定間隔(例えば、20〜50μm)に設定
される必要がある。
従来、例えば、第10図に示すように、レンズの結像作
用を利用して、この間隔設定が行われている。即ち、マ
スク1の膜2には、2つのマーク2A,2Bが設けられる一
方、ウェハ3には、2つのマーク3A,3Bが設けられてい
る。マスクチャック4の背後に、2つのCCDカメラ6A,6B
が設けられている。一方のCCDカメラが第10図6Aの位置
で静止した状態で、ウェハ3のマーク3Aに結像され、第
10図6A′の位置に移動されて、マスク1のマーク2Aに結
像される。この6Aと6A′との間の移動距離SAが測定され
ると、このSAがマスク1とウェハ3との間隔になる。同
様に、CCDカメラ6Bにより、他の箇所おけるマスク1と
ウェハ3との間隔SBが求められる。これらの間隔SA,SB
を調整することにより、マスク1とウェハ3とを平行に
且つ一定間隔に設定することができる(尚、図示しない
が、対向する2つの面の平行度を出すためには、3箇所
の間隔の測定が必要であるため、実際には、3つのCCD
カメラが設けられている)。
用を利用して、この間隔設定が行われている。即ち、マ
スク1の膜2には、2つのマーク2A,2Bが設けられる一
方、ウェハ3には、2つのマーク3A,3Bが設けられてい
る。マスクチャック4の背後に、2つのCCDカメラ6A,6B
が設けられている。一方のCCDカメラが第10図6Aの位置
で静止した状態で、ウェハ3のマーク3Aに結像され、第
10図6A′の位置に移動されて、マスク1のマーク2Aに結
像される。この6Aと6A′との間の移動距離SAが測定され
ると、このSAがマスク1とウェハ3との間隔になる。同
様に、CCDカメラ6Bにより、他の箇所おけるマスク1と
ウェハ3との間隔SBが求められる。これらの間隔SA,SB
を調整することにより、マスク1とウェハ3とを平行に
且つ一定間隔に設定することができる(尚、図示しない
が、対向する2つの面の平行度を出すためには、3箇所
の間隔の測定が必要であるため、実際には、3つのCCD
カメラが設けられている)。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記の間隔設定では、図示していない
が、結像作用のために複雑な光学系が必要とされるた
め、間隔設定の装置が複雑であるという問題がある。ま
た、結像位置の判別が比較的困難であるため、マスク1
とウェハ3との間隔を正確に検出できず、その結果、間
隔設定を正確に行えないという問題がある。さらに、間
隔方向に測定できる範囲が比較的狭いため、マスク及び
ウェハの厚さを精度良く管理する必要がある。
が、結像作用のために複雑な光学系が必要とされるた
め、間隔設定の装置が複雑であるという問題がある。ま
た、結像位置の判別が比較的困難であるため、マスク1
とウェハ3との間隔を正確に検出できず、その結果、間
隔設定を正確に行えないという問題がある。さらに、間
隔方向に測定できる範囲が比較的狭いため、マスク及び
ウェハの厚さを精度良く管理する必要がある。
また、この間隔設定には、従来、回折格子を用いる方
法もあるが、複雑な光学系が必要とされ、間隔設定の装
置が複雑であるという問題、及び検出信号にリップルが
重畳し正確に間隔を検出できないという問題がある。
法もあるが、複雑な光学系が必要とされ、間隔設定の装
置が複雑であるという問題、及び検出信号にリップルが
重畳し正確に間隔を検出できないという問題がある。
さらに、このように比較的精度の悪い間隔設定手段を
用いる場合、マスクとウェハとは、極めて微小な間隔で
対向しているため、これらが衝突する危険性があり、こ
のような手段を用いることは不適切であり、特に、第7
図に示されるように、マスク及びウェハの中央部の間隔
を検出している場合、この中央部では僅かの誤差であっ
ても、マスク及びウェハの周辺部での誤差は、大きくな
っており、衝突の危険性が極めて大である。
用いる場合、マスクとウェハとは、極めて微小な間隔で
対向しているため、これらが衝突する危険性があり、こ
のような手段を用いることは不適切であり、特に、第7
図に示されるように、マスク及びウェハの中央部の間隔
を検出している場合、この中央部では僅かの誤差であっ
ても、マスク及びウェハの周辺部での誤差は、大きくな
っており、衝突の危険性が極めて大である。
この発明の目的は、構造が簡易であり、マスク及びウ
ェハの取付け精度が悪くても、マスクとウェハとを互い
に平行に且つ所定間隔に設定することを極めて正確に行
える、間隔設定方法及び装置を提供することにある。
ェハの取付け精度が悪くても、マスクとウェハとを互い
に平行に且つ所定間隔に設定することを極めて正確に行
える、間隔設定方法及び装置を提供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) この発明に係る間隔設定方法は、 基準面上を移動し、第1の物体を支持し、前記第1の
物体を傾動させ、且つ、第1の変位センサを有する第1
の移動ステージと、 第2の物体を支持し、前記第2の物体を傾動させ、且
つ、2つの第2の変位センサと、前記第2の変位センサ
それぞれに対応して配置された2つのターゲットを有す
る第2の移動ステージと、を具備する装置により、前記
第1の物体の試料面と前記第2の物体の試料面とを平行
に且つ所定間隔に設定する間隔設定方法であって、 前記第1の移動ステージの前記基準面上の移動に対応
して、前記第1の変位センサにより前記第2の物体の試
料面を走査し、前記基準面に対する第2の物体の試料面
の第1の平行度の誤差を測定する工程と、 この第1の平行度の誤差をなくすように前記第2の物
体を傾動させ、前記第2の物体の試料面を前記基準面に
対して平行にする工程と、 前記第1の移動ステージの前記基準面上の移動に対応
して、前記第1の変位センサを用いて前記ターゲット及
び前記第2の物体の試料面を走査することにより、前記
ターゲットと前記第1の変位センサとの間隔(αA,
αB)、及び前記第2の物体の試料面と前記第1の変位
センサとの間隔(βA,βB)を測定する工程と、 前記間隔(αA,αB)と、前記間隔(βA,βB)との
差を求めることにより、前記ターゲットと前記第2の物
体の試料面との間隔(γA,γB)を得る工程と、 予め定められた前記ターゲットと前記第2の変位セン
サとの間隔(δA,δB)と、前記間隔(γA,γB)との
和又は差を求めることにより、前記第2の変位センサと
前記第2の試料面との間隔(εA,εB)を得る工程と、 前記第2の変位センサと前記第1の物体の試料面上の
2つの点に対する距離を測定する工程と、 前記距離から、前記第2の変位センサと前記第2の物
体の試料面との間隔を引算し、前記第1の物体の試料面
上の2つの点と前記第2の物体の試料面との間隔を得る
ことにより、前記第2の物体の試料面に対する前記第1
の物体の試料面の第2の平行度の誤差、及び前記第1及
び第2の物体の試料面の間隔を算出する工程と、 この第2の平行度の誤差をなくすように前記第1の物
体を傾動させて、前記第1及び第2の物体の試料面を平
行にするとともに、前記第1及び第2の物体の試料面の
間隔を調整して、前記第1の物体の試料面と第2の物体
の試料面との間隔を所定間隔に設定する工程とを具備し
ている。
物体を傾動させ、且つ、第1の変位センサを有する第1
の移動ステージと、 第2の物体を支持し、前記第2の物体を傾動させ、且
つ、2つの第2の変位センサと、前記第2の変位センサ
それぞれに対応して配置された2つのターゲットを有す
る第2の移動ステージと、を具備する装置により、前記
第1の物体の試料面と前記第2の物体の試料面とを平行
に且つ所定間隔に設定する間隔設定方法であって、 前記第1の移動ステージの前記基準面上の移動に対応
して、前記第1の変位センサにより前記第2の物体の試
料面を走査し、前記基準面に対する第2の物体の試料面
の第1の平行度の誤差を測定する工程と、 この第1の平行度の誤差をなくすように前記第2の物
体を傾動させ、前記第2の物体の試料面を前記基準面に
対して平行にする工程と、 前記第1の移動ステージの前記基準面上の移動に対応
して、前記第1の変位センサを用いて前記ターゲット及
び前記第2の物体の試料面を走査することにより、前記
ターゲットと前記第1の変位センサとの間隔(αA,
αB)、及び前記第2の物体の試料面と前記第1の変位
センサとの間隔(βA,βB)を測定する工程と、 前記間隔(αA,αB)と、前記間隔(βA,βB)との
差を求めることにより、前記ターゲットと前記第2の物
体の試料面との間隔(γA,γB)を得る工程と、 予め定められた前記ターゲットと前記第2の変位セン
サとの間隔(δA,δB)と、前記間隔(γA,γB)との
和又は差を求めることにより、前記第2の変位センサと
前記第2の試料面との間隔(εA,εB)を得る工程と、 前記第2の変位センサと前記第1の物体の試料面上の
2つの点に対する距離を測定する工程と、 前記距離から、前記第2の変位センサと前記第2の物
体の試料面との間隔を引算し、前記第1の物体の試料面
上の2つの点と前記第2の物体の試料面との間隔を得る
ことにより、前記第2の物体の試料面に対する前記第1
の物体の試料面の第2の平行度の誤差、及び前記第1及
び第2の物体の試料面の間隔を算出する工程と、 この第2の平行度の誤差をなくすように前記第1の物
体を傾動させて、前記第1及び第2の物体の試料面を平
行にするとともに、前記第1及び第2の物体の試料面の
間隔を調整して、前記第1の物体の試料面と第2の物体
の試料面との間隔を所定間隔に設定する工程とを具備し
ている。
(作用) この発明では、当初、基準面に対して、第2の物体
(マスク)の試料面を平行に設定し、次に、この第2の
物体の試料面に対して、第1の物体(ウェハ)の試料面
を平行に且つ所定間隔に設定している。このように、基
準面を元にして間隔設定しているため、間隔設定を比較
的正確に行うことができる。
(マスク)の試料面を平行に設定し、次に、この第2の
物体の試料面に対して、第1の物体(ウェハ)の試料面
を平行に且つ所定間隔に設定している。このように、基
準面を元にして間隔設定しているため、間隔設定を比較
的正確に行うことができる。
さらに、変位センサを用いて間隔を検出している。そ
のため、従来のように、複雑な光学系を必要とせず、ま
た、焦点を正確に合す必要もない。従って、簡易な構造
でありながら、マスク及びウェハの取付け精度が悪くて
も、又マスク及びウェハの厚さにばらつきがあっても、
マスクとウェハとを互いに平行に且つ所定間隔に設定す
ることを極めて正確に行うことができる。
のため、従来のように、複雑な光学系を必要とせず、ま
た、焦点を正確に合す必要もない。従って、簡易な構造
でありながら、マスク及びウェハの取付け精度が悪くて
も、又マスク及びウェハの厚さにばらつきがあっても、
マスクとウェハとを互いに平行に且つ所定間隔に設定す
ることを極めて正確に行うことができる。
(実施例) 第1図には、この発明の第1の実施例に係る間隔設定
装置が示されている。先ず、第1図に示されるように、
X軸、Y軸、及びZ軸、並びに、回転方向、θX、
θY、及びθZを規定する。この発明は、3次元空間に
おいて間隔設定可能であるが、説明の便宜のため、この
第1の実施例は、2次元空間において間隔設定するもの
とする。基準面11は、X−Y平面に平行な面として形成
されている。
装置が示されている。先ず、第1図に示されるように、
X軸、Y軸、及びZ軸、並びに、回転方向、θX、
θY、及びθZを規定する。この発明は、3次元空間に
おいて間隔設定可能であるが、説明の便宜のため、この
第1の実施例は、2次元空間において間隔設定するもの
とする。基準面11は、X−Y平面に平行な面として形成
されている。
ウェハステージ(第1の移動ステージ)20は、基準面
11を移動することができるXテーブル21と、このXテー
ブル21上に載置され且つθY方向に回転(傾動)するこ
とができるθYテーブル(傾動手段)22と、このθYテ
ーブル22に載置され且つZ方向に移動することができる
Zテーブル23とを備えている。このZテーブル23に、ウ
ェハ(第1の物体)25を真空作用又は静電作用等により
ロードするウェハチャック24が設けられている。
11を移動することができるXテーブル21と、このXテー
ブル21上に載置され且つθY方向に回転(傾動)するこ
とができるθYテーブル(傾動手段)22と、このθYテ
ーブル22に載置され且つZ方向に移動することができる
Zテーブル23とを備えている。このZテーブル23に、ウ
ェハ(第1の物体)25を真空作用又は静電作用等により
ロードするウェハチャック24が設けられている。
マスクステージ(第2の移動ステージ)30も、基準面
12を移動することができるXテーブル31と、θY方向に
傾動することができるθYテーブル(傾動手段)32と、
Z方向に移動することができるZテーブル33とを備えて
いる。このZテーブル33に、マスク(第2の物体)35を
ロードするマスクチャック34が設けられている。
12を移動することができるXテーブル31と、θY方向に
傾動することができるθYテーブル(傾動手段)32と、
Z方向に移動することができるZテーブル33とを備えて
いる。このZテーブル33に、マスク(第2の物体)35を
ロードするマスクチャック34が設けられている。
さらに、この第1の実施例では、ウェハチャック24の
周辺部に、1つの第1の変位センサ(例えば、静電容量
センサ)41が設けられている。一方、マスクチャック34
の周辺部には、2つのターゲット51A,51Bが設けられ、
各ターゲット51A,51Bに隣接して、2つの第2の変位セ
ンサ52A,52Bが設けられている。
周辺部に、1つの第1の変位センサ(例えば、静電容量
センサ)41が設けられている。一方、マスクチャック34
の周辺部には、2つのターゲット51A,51Bが設けられ、
各ターゲット51A,51Bに隣接して、2つの第2の変位セ
ンサ52A,52Bが設けられている。
次に、第1図乃至第3図を参照して、この第1の実施
例に係る間隔設定方法を説明する。
例に係る間隔設定方法を説明する。
第1図に示されるように、マスクチャック34に、マス
ク35をロードする。このとき、ウェハ25は、チャック24
にロードされていない。
ク35をロードする。このとき、ウェハ25は、チャック24
にロードされていない。
マスクがロードされたとき、マスク及びウェハは、第
4図に示されるように、その平面度は良いが、厚さに勾
配を持っている。そのため、マスクの上面は、マスクス
テージ30及びマスクチャック34の初期設定時におけるZ,
θY誤差と、マスク自身の厚さのばらつき(勾配)によ
るZ,θY誤差とを併せ持っている。そのため、マスクの
上面が、基準面11に対してどのような状態にあるのか不
明である。
4図に示されるように、その平面度は良いが、厚さに勾
配を持っている。そのため、マスクの上面は、マスクス
テージ30及びマスクチャック34の初期設定時におけるZ,
θY誤差と、マスク自身の厚さのばらつき(勾配)によ
るZ,θY誤差とを併せ持っている。そのため、マスクの
上面が、基準面11に対してどのような状態にあるのか不
明である。
そのため、先ず、第1の工程では、基準面11に対する
マスクの上面(試料面)の平行度の誤差(θY)を測定
する。即ち、この第1の実施例では、ウェハ側のXテー
ブル21を基準面11上でX軸方向に移動させ、その結果、
第1の変位センサ41により、マスク上面を走査させる。
これにより、基準面11に対するマスク上面の平行度の誤
差(θY誤差)を測定することができる。
マスクの上面(試料面)の平行度の誤差(θY)を測定
する。即ち、この第1の実施例では、ウェハ側のXテー
ブル21を基準面11上でX軸方向に移動させ、その結果、
第1の変位センサ41により、マスク上面を走査させる。
これにより、基準面11に対するマスク上面の平行度の誤
差(θY誤差)を測定することができる。
このとき、θY誤差だけでなく、Z誤差も検出され
る。しかしながら、第1の変位センサ41がウェハチャッ
ク24に載置されていると、ウェハステージの初期設定誤
差が第1の変位センサ41のZ位置に直接のってくる。そ
のため、検出されたZ誤差が正確であるか否か不明であ
る。そのため、Z誤差は、この段階では、検出されず
に、以後の段階で検出される。
る。しかしながら、第1の変位センサ41がウェハチャッ
ク24に載置されていると、ウェハステージの初期設定誤
差が第1の変位センサ41のZ位置に直接のってくる。そ
のため、検出されたZ誤差が正確であるか否か不明であ
る。そのため、Z誤差は、この段階では、検出されず
に、以後の段階で検出される。
次に、第2の工程では、このθY誤差をなくすよう
に、マスクをθYテーブル32により傾動させる。その結
果、第2図に示されるように、マスク上面を基準面11に
平行に維持することができる。
に、マスクをθYテーブル32により傾動させる。その結
果、第2図に示されるように、マスク上面を基準面11に
平行に維持することができる。
さらに、第3の工程では、各第2のセンサ52A,52Bと
マスク上面との間隔εA,εBが不明であるため、この間
隔を検出する。
マスク上面との間隔εA,εBが不明であるため、この間
隔を検出する。
即ち、再度、ウェハのXテーブル21を基準面11上でX
軸方向に移動させ、その結果、第1の変位センサ41によ
り、ターゲット51A,51B、及びマスク上面を走査させ
る。これにより、ターゲット51A,51Bと第1のセンサ41
との間隔αA,αBを測定でき、さらに、マスク上面と第
1のセンサ41との間隔βA,βBを測定できる。但し、マ
スク上面はθY方向に補正されているため、βA=βB
となっている。
軸方向に移動させ、その結果、第1の変位センサ41によ
り、ターゲット51A,51B、及びマスク上面を走査させ
る。これにより、ターゲット51A,51Bと第1のセンサ41
との間隔αA,αBを測定でき、さらに、マスク上面と第
1のセンサ41との間隔βA,βBを測定できる。但し、マ
スク上面はθY方向に補正されているため、βA=βB
となっている。
間隔αA,αBと、間隔βA,βBとの差を求めることに
より、ターゲット51A,51Bとマスク上面との間隔γA,γ
Bを求めることができる。一方、ターゲット51A,51Bと
第2のセンサ52A,52Bとの間隔δA,δBは、予め求めら
れている。そのため、間隔γA,γBと間隔δA,δBとの
和を求めることにより、各第2のセンサ52A,52Bとマス
ク上面との間隔εA,εBを求めることができる。これら
の演算は、具体的には、CPU等の演算手段によってなさ
れる。
より、ターゲット51A,51Bとマスク上面との間隔γA,γ
Bを求めることができる。一方、ターゲット51A,51Bと
第2のセンサ52A,52Bとの間隔δA,δBは、予め求めら
れている。そのため、間隔γA,γBと間隔δA,δBとの
和を求めることにより、各第2のセンサ52A,52Bとマス
ク上面との間隔εA,εBを求めることができる。これら
の演算は、具体的には、CPU等の演算手段によってなさ
れる。
これらの間隔γA,γBを求めた後、ウェハをウェハチ
ャック24にロードさせる。このとき、ウェハもマスクと
同様にθY,Z誤差を有している。
ャック24にロードさせる。このとき、ウェハもマスクと
同様にθY,Z誤差を有している。
そのため、第4の工程では、マスク上面に対するウェ
ハ上面の平行度の誤差(θY)、及びマスク上面とウェ
ハ上面との間隔(Z)を測定する。
ハ上面の平行度の誤差(θY)、及びマスク上面とウェ
ハ上面との間隔(Z)を測定する。
即ち、第2のセンサ52A,52Bにより、ウェハ上の2つ
のa点,b点と各第2のセンサ52A,52Bとの間隔DA,DBを測
定する。間隔εA,εBは、上述したようにして求めてい
るため、間隔DA,DBから、間隔εA,εBを引算すると、
ウェハ上の2つのa点,b点とマスク上面との間隔dA,dB
を求めることができる。この間隔dA,dBに基づいて、マ
スク上面に対するウェハ上面の平行度の誤差(θY)、
及びマスク上面とウェハ上面との間隔(Z)を得ること
ができる。
のa点,b点と各第2のセンサ52A,52Bとの間隔DA,DBを測
定する。間隔εA,εBは、上述したようにして求めてい
るため、間隔DA,DBから、間隔εA,εBを引算すると、
ウェハ上の2つのa点,b点とマスク上面との間隔dA,dB
を求めることができる。この間隔dA,dBに基づいて、マ
スク上面に対するウェハ上面の平行度の誤差(θY)、
及びマスク上面とウェハ上面との間隔(Z)を得ること
ができる。
さらに、第5の工程では、これら平行度の誤差
(θY)、及び間隔(Z)に基づいて、ウェハ側のθY
テーブル22、及びZテーブル23を調整することにより、
マスク上面とウェハ上面とが平行に且つ所定間隔に設定
することができる。
(θY)、及び間隔(Z)に基づいて、ウェハ側のθY
テーブル22、及びZテーブル23を調整することにより、
マスク上面とウェハ上面とが平行に且つ所定間隔に設定
することができる。
また、この第4及び第5の工程は、マスク上面に対し
てウェハ上面を平行に且つ所定間隔に設定することを、
第2の変位センサ52A,52Bに対してウェハを位置決めす
ることに置換えて把握することもできる。即ち、マスク
上面は、基準面11に平行になっており、各第2の変位セ
ンサ52A,52Bとマスク上面との間には、間隔εA,εBが
ある。そこで、マスクとウェハとの間隔設定値をdとす
ると、一方の第2の変位センサ52Aに対し、(εA+
d)、他方の第2の変位センサ52Bに対し、(εB+
d)となるように、Z、θY方向の補正を行うと、マス
クとウェハとの間隔をdに設定することができる。尚、
このように置換して把握する場合にも、実質的には、間
隔dA,dBが演算されているとともに、Z、θY方向の補
正の段階では、マスク上面に対するウェハ上面の平行度
の誤差(θY)、及びマスク上面とウェハ上面との間隔
(Z)が演算されている。
てウェハ上面を平行に且つ所定間隔に設定することを、
第2の変位センサ52A,52Bに対してウェハを位置決めす
ることに置換えて把握することもできる。即ち、マスク
上面は、基準面11に平行になっており、各第2の変位セ
ンサ52A,52Bとマスク上面との間には、間隔εA,εBが
ある。そこで、マスクとウェハとの間隔設定値をdとす
ると、一方の第2の変位センサ52Aに対し、(εA+
d)、他方の第2の変位センサ52Bに対し、(εB+
d)となるように、Z、θY方向の補正を行うと、マス
クとウェハとの間隔をdに設定することができる。尚、
このように置換して把握する場合にも、実質的には、間
隔dA,dBが演算されているとともに、Z、θY方向の補
正の段階では、マスク上面に対するウェハ上面の平行度
の誤差(θY)、及びマスク上面とウェハ上面との間隔
(Z)が演算されている。
以上から、この実施例では、変位センサを用いて間隔
を検出しているため、従来のように、複雑な光学系を必
要とせず、また、焦点を正確に合す必要がなく、従っ
て、簡易な構造でありながら、マスク及びウェハの取付
け精度が悪くても、又マスク及びウェハの厚さにばらつ
きがあっても、マスクとウェハとを互いに平行に且つ一
定間隔に設定することを極めて正確に行うことができ
る。さらに、この実施例では、マスク及びウェハの周辺
部において、これらの間隔を検出しているため、従来の
ように中央部で検出する場合に比べて、周辺部での誤差
が比較的小さくでき、その結果、マスクとウェハとが衝
突するといった危険性を回避することができる。
を検出しているため、従来のように、複雑な光学系を必
要とせず、また、焦点を正確に合す必要がなく、従っ
て、簡易な構造でありながら、マスク及びウェハの取付
け精度が悪くても、又マスク及びウェハの厚さにばらつ
きがあっても、マスクとウェハとを互いに平行に且つ一
定間隔に設定することを極めて正確に行うことができ
る。さらに、この実施例では、マスク及びウェハの周辺
部において、これらの間隔を検出しているため、従来の
ように中央部で検出する場合に比べて、周辺部での誤差
が比較的小さくでき、その結果、マスクとウェハとが衝
突するといった危険性を回避することができる。
尚、第5図に示されるように、ターゲット51Aと、第
2の変位センサ52Bとは、できるだけ近接して配置され
ている必要がある。第6図に示されるように、これらが
離間して配置されていると、マスクチャック34が回転し
た場合、第6図に仮想線で示すように、ターゲット51A
と第2の変位センサ52Aとの間に、不必要な誤差が生起
されるためである。
2の変位センサ52Bとは、できるだけ近接して配置され
ている必要がある。第6図に示されるように、これらが
離間して配置されていると、マスクチャック34が回転し
た場合、第6図に仮想線で示すように、ターゲット51A
と第2の変位センサ52Aとの間に、不必要な誤差が生起
されるためである。
上述した第1の実施例では、2次元空間において間隔
設定される場合を説明したが、以下の第2の実施例で
は、3次元空間において間隔設定される場合について説
明する。
設定される場合を説明したが、以下の第2の実施例で
は、3次元空間において間隔設定される場合について説
明する。
第7図において、ウェハステージ20は、基準面11上を
X軸方向に移動できるXテーブル61と、このXテーブル
上に載置されY方向に移動できるYテーブル62と、この
Yテーブル62上に載置されZ,θX,θY,θZ方向に移動
(傾動)できる移動機構63とを備えている。この移動機
構63の上に、ウェハチャック64が設けられている。マス
クステージ30も、同様に、簡略化して示されているが、
X−Yテーブル71と、Z,θX,θY,θZ方向に移動(傾
動)できる移動機構72とを備えている。マスクチャック
73に、これらX−Yテーブル71及び移動機構72が連結さ
れている。尚、X線がマスク35及びウェハ25に直角に照
射され、マスク35の回路パターンがウェハ25のレジスト
に転写される。
X軸方向に移動できるXテーブル61と、このXテーブル
上に載置されY方向に移動できるYテーブル62と、この
Yテーブル62上に載置されZ,θX,θY,θZ方向に移動
(傾動)できる移動機構63とを備えている。この移動機
構63の上に、ウェハチャック64が設けられている。マス
クステージ30も、同様に、簡略化して示されているが、
X−Yテーブル71と、Z,θX,θY,θZ方向に移動(傾
動)できる移動機構72とを備えている。マスクチャック
73に、これらX−Yテーブル71及び移動機構72が連結さ
れている。尚、X線がマスク35及びウェハ25に直角に照
射され、マスク35の回路パターンがウェハ25のレジスト
に転写される。
さらに、間隔設定のために、ウェハチャック64には、
先の実施例と同様に、1つの第1の変位センサ41が設け
られている。
先の実施例と同様に、1つの第1の変位センサ41が設け
られている。
一方、この実施例では、3次元空間において間隔設定
するため、マスクチャック73には、第8図に良く示され
るように、3つのターゲット51A,52B,52Cと、3つの第
3の変位センサ52A,52B,52Cとが設けられている。
するため、マスクチャック73には、第8図に良く示され
るように、3つのターゲット51A,52B,52Cと、3つの第
3の変位センサ52A,52B,52Cとが設けられている。
以下、この実施例における間隔設定方法について説明
するが、この実施例では、3次元空間での間隔設定であ
るため、第1の実施例と異なる点についてのみ説明す
る。
するが、この実施例では、3次元空間での間隔設定であ
るため、第1の実施例と異なる点についてのみ説明す
る。
先ず、マスク上面を、基準面11に平行に合せる工程で
は、ウェハチャック64をX方向だけでなくY方向にも移
動し、その結果、第1の変位センサ41により、マスク上
面がX方向及びY方向に走査させ、これに基づいて、マ
スクをθX及びθY方向に傾動させて、マスク上面を基
準面に平行に維持している。
は、ウェハチャック64をX方向だけでなくY方向にも移
動し、その結果、第1の変位センサ41により、マスク上
面がX方向及びY方向に走査させ、これに基づいて、マ
スクをθX及びθY方向に傾動させて、マスク上面を基
準面に平行に維持している。
次に、マスク上面と各第2の変位センサ52A,52B,52C
との間隔εA,εB,εCを測定する工程では、第1の変位
センサ41により3つのターゲット51A,51B,51Cを走査さ
せて、間隔γA,γB、γCを求めている。
との間隔εA,εB,εCを測定する工程では、第1の変位
センサ41により3つのターゲット51A,51B,51Cを走査さ
せて、間隔γA,γB、γCを求めている。
次に、マスク上面に対して、ウェハ上面を平行に合せ
る工程では、各第2の変位センサ52A,52B,52Cにより、
この各センサとウェハ上面の3つの点との間隔DA,DB,DC
を測定している。従って、これらの間隔から、間隔εA,
εB,εCを引算すると、マスク上面と、ウェハ上面の3
つの点との間隔dA,dB,dCを求めることができ、これによ
り、マスク上面に対するウェハ上面の平行度の誤差(θ
X,θY)、及びマスク上面とウェハ上面との間隔(Z)
を演算することができる。ウェハのZ方向、θX方向、
及びθY方向を調整することにより、マスクとウェハと
を平行に且つ所定間隔に設定することができる。
る工程では、各第2の変位センサ52A,52B,52Cにより、
この各センサとウェハ上面の3つの点との間隔DA,DB,DC
を測定している。従って、これらの間隔から、間隔εA,
εB,εCを引算すると、マスク上面と、ウェハ上面の3
つの点との間隔dA,dB,dCを求めることができ、これによ
り、マスク上面に対するウェハ上面の平行度の誤差(θ
X,θY)、及びマスク上面とウェハ上面との間隔(Z)
を演算することができる。ウェハのZ方向、θX方向、
及びθY方向を調整することにより、マスクとウェハと
を平行に且つ所定間隔に設定することができる。
第9図には、第2の実施例の変形例が示されている。
この例に示されるように、マスクの3つのターゲット51
A,51B,51Cと、3つの第2の変位センサ52A,52B,52Cとが
一体に形成されていても良い。
この例に示されるように、マスクの3つのターゲット51
A,51B,51Cと、3つの第2の変位センサ52A,52B,52Cとが
一体に形成されていても良い。
[発明の効果] この発明では、当初、基準面に対して、第2の物体
(マスタ)の試料面を平行に設定し、次に、この第2の
物体の試料面に対して、第1の物体(ウェハ)の試料面
を平行に且つ所定間隔に設定している。このように、基
準面を元にして間隔設定しているため、間隔設定を比較
的正確に行うことができる。
(マスタ)の試料面を平行に設定し、次に、この第2の
物体の試料面に対して、第1の物体(ウェハ)の試料面
を平行に且つ所定間隔に設定している。このように、基
準面を元にして間隔設定しているため、間隔設定を比較
的正確に行うことができる。
さらに、請求項2及び4に示されるように、変位セン
サを用いて間隔を検出している。そのため、従来のよう
に、複雑な光学系を必要とせず、また、焦点を正確に合
す必要もない。従って、簡易な構造でありながら、マス
ク及びウェハの取付け精度が悪くても、又マスク及びウ
ェハの厚さにばらつきがあっても、マスクとウェハとを
互いに平行に且つ所定間隔に設定することを極めて正確
に行うことができる。
サを用いて間隔を検出している。そのため、従来のよう
に、複雑な光学系を必要とせず、また、焦点を正確に合
す必要もない。従って、簡易な構造でありながら、マス
ク及びウェハの取付け精度が悪くても、又マスク及びウ
ェハの厚さにばらつきがあっても、マスクとウェハとを
互いに平行に且つ所定間隔に設定することを極めて正確
に行うことができる。
第1図は、この発明の第1の実施例に係る間隔設定装置
の模式図、第2図及び第3図は、第1図に示された間隔
設定装置の作用を説明する図、第4図は、マスク及びウ
ェハの勾配を示す模式図、第5図及び第6図は、マスク
チャックに装着されたターゲット及び第2の変位センサ
を示す図、第7図は、この発明の第2の実施例に係る間
隔設定装置の模式図、第8図は、第7図の矢視A−Aの
図、第9図は、第2の実施例の変形例を示す図、第10図
は、従来の間隔設定装置を示す模式図である。 20……第1の移動ステージ(ウェハステージ)、22,63
……傾動手段(ウェハ側のθYテーブル,移動機構)、
23……調整手段(ウェハ側のZテーブル)、25……第1
の物体(ウェハ)、30……第2の移動ステージ(マスク
ステージ)、32,72……傾動手段(マスク側のθYテー
ブル,移動機構)、35……第2の物体(マスク)、41…
…第1の変位センサ、52A,52B,52C……第2の変位セン
サ。
の模式図、第2図及び第3図は、第1図に示された間隔
設定装置の作用を説明する図、第4図は、マスク及びウ
ェハの勾配を示す模式図、第5図及び第6図は、マスク
チャックに装着されたターゲット及び第2の変位センサ
を示す図、第7図は、この発明の第2の実施例に係る間
隔設定装置の模式図、第8図は、第7図の矢視A−Aの
図、第9図は、第2の実施例の変形例を示す図、第10図
は、従来の間隔設定装置を示す模式図である。 20……第1の移動ステージ(ウェハステージ)、22,63
……傾動手段(ウェハ側のθYテーブル,移動機構)、
23……調整手段(ウェハ側のZテーブル)、25……第1
の物体(ウェハ)、30……第2の移動ステージ(マスク
ステージ)、32,72……傾動手段(マスク側のθYテー
ブル,移動機構)、35……第2の物体(マスク)、41…
…第1の変位センサ、52A,52B,52C……第2の変位セン
サ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−103136(JP,A) 特開 昭55−88332(JP,A) 特開 昭60−154618(JP,A) 特開 平1−238014(JP,A) 特開 昭53−64478(JP,A) 実開 昭57−78638(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G05D 3/00 G05D 3/12 H01L 21/30
Claims (2)
- 【請求項1】基準面上を移動し、第1の物体を支持し、
前記第1の物体を傾動させ、且つ、第1の変位センサを
有する第1の移動ステージと、 第2の物体を支持し、前記第2の物体を傾動させ、且
つ、2つの第2の変位センサと、前記第2の変位センサ
それぞれに対応して配置された2つのターゲットを有す
る第2の移動ステージと、を具備する装置により、前記
第1の物体の試料面と前記第2の物体の試料面とを平行
に且つ所定間隔に設定する間隔設定方法であって、 前記第1の移動ステージの前記基準面上の移動に対応し
て、前記第1の変位センサにより前記第2の物体の試料
面を走査し、前記基準面に対する第2の物体の試料面の
第1の平行度の誤差を測定する工程と、 この第1の平行度の誤差をなくすように前記第2の物体
を傾動させ、前記第2の物体の試料面を前記基準面に対
して平行にする工程と、 前記第1の移動ステージの前記基準面上の移動に対応し
て、前記第1の変位センサを用いて前記ターゲット及び
前記第2の物体の試料面を走査することにより、前記タ
ーゲットと前記第1の変位センサとの間隔(αA,
αB)、及び前記第2の物体の試料面と前記第1の変位
センサとの間隔(βA,βB)を測定する工程と、 前記間隔(αA,αB)と、前記間隔(βA,βB)との差
を求めることにより、前記ターゲットと前記第2の物体
の試料面との間隔(γA,γB)を得る工程と、 予め定められた前記ターゲットと前記第2の変位センサ
との間隔(δA,δB)と、前記間隔(γA,γB)との和
又は差を求めることにより、前記第2の変位センサと前
記第2の試料面との間隔(εA,εB)を得る工程と、 前記第2の変位センサと前記第1の物体の試料面上の2
つの点に対する距離を測定する工程と、 前記距離から、前記第2の変位センサと前記第2の物体
の試料面との間隔を引算し、前記第1の物体の試料面上
の2つの点と前記第2の物体の試料面との間隔を得るこ
とにより、前記第2の物体の試料面に対する前記第1の
物体の試料面の第2の平行度の誤差、及び前記第1及び
第2の物体の試料面の間隔を算出する工程と、 この第2の平行度の誤差をなくすように前記第1の物体
を傾動させて、前記第1及び第2の物体の試料面を平行
にするとともに、前記第1及び第2の物体の試料面の間
隔を調整して、前記第1の物体の試料面と第2の物体の
試料面との間隔を所定間隔に設定する工程とを具備する
間隔設定方法。 - 【請求項2】第1の物体の試料面と第2の物体の試料面
とを平行に且つ所定間隔に設定する間隔設定装置であっ
て、 基準面上を移動でき、前記第1の物体を支持する第1の
移動ステージと、 前記第2の物体を支持する第2の移動ステージと、 前記第1の移動ステージ上に配置され、前記第1の移動
ステージの前記基準面上の移動に対応して前記第2の物
体の試料面を走査して、前記基準面に対する前記第2の
物体の試料面の第1の平行度の誤差を測定する第1の変
位センサと、 前記第2の移動ステージに配置され、前記第1の平行度
の誤差をなくすように前記第2の物体を傾動させ、前記
第2の物体の試料面を前記基準面に平行にする傾動手段
と、 前記第2の移動ステージ上に配置され、前記第1の物体
の試料面上の2つの点に対する距離を測定する2つの第
2の変位センサと、 前記第2の移動ステージ上に配置され、前記第2の変位
センサそれぞれに対応して配置された2つのターゲット
と、 前記第1の移動ステージに配置され、前記第1の平行度
の誤差をなくすように前記第1の物体を傾動させて、前
記第1及び第2の物体の試料面を平行にする傾動手段
と、 前記第1及び第2の物体の試料面の間隔を調整して、前
記第1及び第2の物体の試料面の間隔を所定間隔に設定
する調整手段と、 前記ターゲットと前記第1の変位センサとの間隔(αA,
αB)と、前記第2の物体の試料面と前記第1の変位セ
ンサとの間隔(βA,βB)との差を求めることにより、
前記ターゲットと前記第2の物体の試料面との間隔(γ
A,γB)を算出し、 予め定められた前記ターゲットと前記第2の変位センサ
との間隔(δA,δB)と、前記間隔(γA,γB)との和
又は差を求めることにより、前記第2の変位センサと前
記第2の試料面との間隔(εA,εB)を算出し、前記第
2の変位センサで測定される前記距離から前記間隔(ε
A,εB)を引算し、前記第1の物体の試料面上の2つの
点と前記第2の物体の試料面との間隔を得ることによ
り、前記第2の物体の試料面に対する前記第1の物体の
試料面の第2の平行度の誤差、及び前記第1及び第2の
物体の試料面の間隔を算出する演算処理手段とを具備し
てなり、 前記間隔(αA,αB)、及び前記間隔(βA,βB)は、
前記第1の変位センサにより、前記第1の移動ステージ
の前記基準面上の移動に対応して2つの前記ターゲット
及び前記第2の物体の試料面を走査させて測定するもの
であることを特徴とする間隔設定装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05168190A JP3197010B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 間隔設定方法及び間隔設定装置 |
DE4106987A DE4106987C2 (de) | 1990-03-05 | 1991-03-05 | Verfahren und Vorrichtung zum Einstellen des Spaltabstands zwischen zwei Objekten auf eine vorbestimmte Größe |
US07/664,850 US5179863A (en) | 1990-03-05 | 1991-03-05 | Method and apparatus for setting the gap distance between a mask and a wafer at a predetermined distance |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05168190A JP3197010B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 間隔設定方法及び間隔設定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03253917A JPH03253917A (ja) | 1991-11-13 |
JP3197010B2 true JP3197010B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=12893629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05168190A Expired - Fee Related JP3197010B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 間隔設定方法及び間隔設定装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5179863A (ja) |
JP (1) | JP3197010B2 (ja) |
DE (1) | DE4106987C2 (ja) |
Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5546186A (en) * | 1991-06-08 | 1996-08-13 | Fuji Photo Optical Co., Ltd. | Apparatus for holographic interferometry suitable for inspection of cylindrical optical surfaces |
FR2692831B1 (fr) * | 1992-06-25 | 1996-10-25 | Hurel Dubois Avions | Procede et dispositif pour maintenir un ensemble d'outils dans une position relative constante par rapport a une surface non plane, notamment pour un controle sans contact. |
US5454170A (en) * | 1994-03-02 | 1995-10-03 | Vlsi Technology Inc. | Robot to pedestal alignment head |
US5970807A (en) * | 1996-08-26 | 1999-10-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Tweezer position checker |
JP4365908B2 (ja) | 1998-09-04 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 面位置検出装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
DE19860566C1 (de) * | 1998-12-22 | 2000-07-27 | Hertz Inst Heinrich | Verfahren und Vorrichtung zum Ausgleichen von Nichtparallelitäten zwischen benachbarten Flächen zweier Körper |
US7432634B2 (en) | 2000-10-27 | 2008-10-07 | Board Of Regents, University Of Texas System | Remote center compliant flexure device |
US6873087B1 (en) * | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
US6921615B2 (en) * | 2000-07-16 | 2005-07-26 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High-resolution overlay alignment methods for imprint lithography |
WO2002006902A2 (en) * | 2000-07-17 | 2002-01-24 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes |
US6954275B2 (en) * | 2000-08-01 | 2005-10-11 | Boards Of Regents, The University Of Texas System | Methods for high-precision gap and orientation sensing between a transparent template and substrate for imprint lithography |
US8016277B2 (en) * | 2000-08-21 | 2011-09-13 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Flexure based macro motion translation stage |
US20050274219A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing |
KR101031528B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2011-04-27 | 더 보드 오브 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 실온 저압 마이크로- 및 나노- 임프린트 리소그래피용템플릿 |
US6964793B2 (en) * | 2002-05-16 | 2005-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
US20030051364A1 (en) * | 2001-08-14 | 2003-03-20 | Bernardo Donoso | Method and apparatus for positioning a wafer chuck |
US6798513B2 (en) * | 2002-04-11 | 2004-09-28 | Nanophotonics Ab | Measuring module |
US7037639B2 (en) * | 2002-05-01 | 2006-05-02 | Molecular Imprints, Inc. | Methods of manufacturing a lithography template |
US20030235787A1 (en) * | 2002-06-24 | 2003-12-25 | Watts Michael P.C. | Low viscosity high resolution patterning material |
US6926929B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-08-09 | Molecular Imprints, Inc. | System and method for dispensing liquids |
US7077992B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
US6932934B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
US7019819B2 (en) | 2002-11-13 | 2006-03-28 | Molecular Imprints, Inc. | Chucking system for modulating shapes of substrates |
US6900881B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-05-31 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography systems |
US6908861B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-06-21 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography using an electric field |
US7070405B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment systems for imprint lithography |
US7027156B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-04-11 | Molecular Imprints, Inc. | Scatterometry alignment for imprint lithography |
US6916584B2 (en) | 2002-08-01 | 2005-07-12 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment methods for imprint lithography |
US7071088B2 (en) * | 2002-08-23 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Method for fabricating bulbous-shaped vias |
US8349241B2 (en) * | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
US6980282B2 (en) * | 2002-12-11 | 2005-12-27 | Molecular Imprints, Inc. | Method for modulating shapes of substrates |
US6929762B2 (en) * | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
US6871558B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
US20040168613A1 (en) * | 2003-02-27 | 2004-09-02 | Molecular Imprints, Inc. | Composition and method to form a release layer |
US7452574B2 (en) * | 2003-02-27 | 2008-11-18 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a polymerizable layer and a substrate employing a fluorine-containing layer |
US7179396B2 (en) * | 2003-03-25 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Positive tone bi-layer imprint lithography method |
US7122079B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
US7396475B2 (en) * | 2003-04-25 | 2008-07-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming stepped structures employing imprint lithography |
US20050160934A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Molecular Imprints, Inc. | Materials and methods for imprint lithography |
US7157036B2 (en) * | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
US7136150B2 (en) * | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
US8211214B2 (en) * | 2003-10-02 | 2012-07-03 | Molecular Imprints, Inc. | Single phase fluid imprint lithography method |
US7090716B2 (en) * | 2003-10-02 | 2006-08-15 | Molecular Imprints, Inc. | Single phase fluid imprint lithography method |
US20050084804A1 (en) * | 2003-10-16 | 2005-04-21 | Molecular Imprints, Inc. | Low surface energy templates |
US8076386B2 (en) * | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
US7906180B2 (en) | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
US20050276919A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for dispensing a fluid on a substrate |
US20050275311A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Molecular Imprints, Inc. | Compliant device for nano-scale manufacturing |
US20070228593A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Residual Layer Thickness Measurement and Correction |
US7785526B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-08-31 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint alignment method, system, and template |
US20070231421A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Enhanced Multi Channel Alignment |
US7630067B2 (en) | 2004-11-30 | 2009-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices |
US20060145398A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Release layer comprising diamond-like carbon (DLC) or doped DLC with tunable composition for imprint lithography templates and contact masks |
TW200720849A (en) * | 2005-11-29 | 2007-06-01 | Powerchip Semiconductor Corp | Method for measuring overlay error of exposure machine |
WO2007124007A2 (en) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Molecular Imprints, Inc. | Method for detecting a particle in a nanoimprint lithography system |
JP5614633B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2014-10-29 | 国立大学法人九州工業大学 | 回転工具と被加工物間の間隙長さ測定方法及びシステム |
EP2752870A1 (en) * | 2013-01-04 | 2014-07-09 | Süss Microtec Lithography GmbH | Chuck, in particular for use in a mask aligner |
KR102177060B1 (ko) * | 2018-04-03 | 2020-11-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판을 프로세싱하기 위한 장치, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템, 및 이를 위한 방법들 |
JP7177128B2 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-11-22 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、検知装置、検知方法、及び電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3218915A (en) * | 1961-07-25 | 1965-11-23 | Commw Scient Ind Res Org | Apparatus for automatically maintaining parallelism between two optically flat surfaces |
DE2722397C2 (de) * | 1977-05-17 | 1983-06-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Justierung einer Halbleiterscheibe relativ zu einer Belichtungsmaske bei der Röntgenstrahl- Fotolithografie und eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
US4265542A (en) * | 1977-11-04 | 1981-05-05 | Computervision Corporation | Apparatus and method for fine alignment of a photomask to a semiconductor wafer |
US4332473A (en) * | 1979-01-31 | 1982-06-01 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for detecting a mutual positional relationship of two sample members |
DE2942990A1 (de) * | 1979-10-24 | 1981-05-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur automatischen justierung von strukturen in zwei parallelen ebenen, insbesondere bei der herstellung von integrierten halbleiterschaltungen |
JPS5978533A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-07 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS61116837A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 回折格子によるギヤツプ・位置合せ制御法 |
US4750141A (en) * | 1985-11-26 | 1988-06-07 | Ade Corporation | Method and apparatus for separating fixture-induced error from measured object characteristics and for compensating the measured object characteristic with the error, and a bow/warp station implementing same |
DE3719538A1 (de) * | 1986-06-11 | 1987-12-17 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren und vorrichtung zum einstellen eines spalts zwischen zwei objekten auf eine vorbestimmte groesse |
US4815854A (en) * | 1987-01-19 | 1989-03-28 | Nec Corporation | Method of alignment between mask and semiconductor wafer |
US4746217A (en) * | 1987-05-22 | 1988-05-24 | Rockwell International Corporation | Interferometric tilt sensor |
US5017011A (en) * | 1987-10-13 | 1991-05-21 | Eastman Kodak Company | Assembly and method for monitoring the alignment of a workpiece |
US4914964A (en) * | 1988-08-04 | 1990-04-10 | Apquip Corporation | Alignment measuring system and method |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP05168190A patent/JP3197010B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-03-05 US US07/664,850 patent/US5179863A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-05 DE DE4106987A patent/DE4106987C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03253917A (ja) | 1991-11-13 |
DE4106987A1 (de) | 1991-09-12 |
DE4106987C2 (de) | 1994-06-30 |
US5179863A (en) | 1993-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3197010B2 (ja) | 間隔設定方法及び間隔設定装置 | |
US5124927A (en) | Latent-image control of lithography tools | |
KR100377887B1 (ko) | 정렬방법 | |
JP3203719B2 (ja) | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 | |
EP1253471A2 (en) | Method and system for improving focus accuracy in a lithography system | |
JP3393947B2 (ja) | 半導体回路パターンの評価方法と評価システム及び描画方法及び描画システム | |
JP2000121324A (ja) | 厚さ測定装置 | |
JPH0140492B2 (ja) | ||
JPH09223650A (ja) | 露光装置 | |
JPH0581046B2 (ja) | ||
JPH0669017B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
JP2010243413A (ja) | 測定装置、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JPH0353770B2 (ja) | ||
JPH10294257A (ja) | 基板の面位置制御方法及び制御装置、並びに露光方法及び露光装置 | |
JP2000012455A (ja) | 荷電粒子線転写露光装置及び荷電粒子線転写露光装置におけるマスクと感応基板の位置合わせ方法 | |
CN117957497A (zh) | 使用小目标的叠加误差的校准测量 | |
JPS62150106A (ja) | 位置検出装置 | |
JP6688330B2 (ja) | 露光方法、露光装置、決定方法および物品製造方法 | |
JP3286124B2 (ja) | 位置合せ装置および方法 | |
JP2868548B2 (ja) | アライメント装置 | |
CN113495433A (zh) | 曝光方法、曝光装置及半导体装置的制造方法 | |
JPH085767A (ja) | 駆動テーブル | |
JP3472553B2 (ja) | ギャップ調節装置及び調節方法 | |
JP2711582B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
JPS62114222A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |