JP4064005B2 - 半導体メモリ装置の製造方法及びその構造 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法及びその構造に関するものであり、より詳しくは半導体メモリ装置の製造方法及びその構造に関するものである。特に、限界解像力以下のパターン(pattern)を構成すると同時に多層配線のための象嵌(以下‘ダマシン(damascene)'と称する)技法を利用した半導体メモリ装置の製造方法及びその構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置が高集積化されることによって、露光技術に対する要求が非常に深く議論されている。露光技術は、一貫して波長(wave length)を短くする方向に展開されている。具体的には、g-ライン(line)(水銀ランプ波長;436nm)及びi-ライン(波長:365nm)に続いて、最近にはKrFエキサイマレーザー(excimer laser)(波長:248nm)が用いられており、今後は、ArFエキサイマレーザー(波長:193nm)が有力である。このように、露光技術が短波長化されていることはこれが微細パターンに非常に決定的な役割をするためである。すなわち、微細パターンは集積回路の性能を向上させるだけでなく、生産性向上を通したコスト節減効果を提供することになる。
【0003】
しかし、微細パターン形成に必要な解像力は光源の波長と係数K1に比例し、露光光学系の開口数NAに反比例する。係数K1はレジスト(resist)の性能と超解像技術の有無で決定される。現在の開口数とレジストの性能、そして超解像技術から見て、i-ラインに対しては0.3μmを限界とみており、KrFに対しては0.15μmを限界とみている。ArFの場合においては現在明確に知られていないが、0.10μm程度が可能とする予測が支配的である。
【0004】
限界解像力に対する条件は、大体最適の条件から抽出されるものである。しかし、実際に工程を進行する場合に、最適の条件を維持することは非常に難しいことである。変化可能なトポロジイ(topology)があり、これによるフォトレジストの厚さの変化、そしてパターニング物質(patterning material)の反射率の変化等多くの問題点を持っているためである。
【0005】
また、実際工程特に、工程集積(process integration)において、実質的な限界として台頭されるのがパターン上の限界よりもっと深刻な問題点として現れている。実質的な影響を最も大きく及ぼすものは、工程の安全性を持たせるものとして、フォト進行時に生じる他の層(other layer)との誤整列マージン(misalign margin)と、広い工程ウィンドウ(process window)、例えば、優れた平坦化及び低い縦横比(low aspect ratio)等である。
【0006】
フォト工程進行時誤整列マージンはパターン形成に準じており、これはパターン技術の能力の向上に比べて不足した状態で進められている。これは素子が高集積化されて行くことによってクリティカル層(critical layer)であってもなくてもすべてに該当されている。また、高集積化は大口径化、もっと大きいチップサイズ(chip size)、そしてもっと大きい基板を意味するとも言える。これはすなわちフォト進行時の誤整列マージンと直結され、これに対する安全性が要求される。
【0007】
これを克服するための一つの方法としてダマシン(damascene)が採用されている。ダマシン(damascene)とは、美術工芸で金乃至銀などを象嵌することを意味する。このような理由で、配線用グルーブ(groove)にメタルを埋め込んで形成するグルーブ配線をダマシン(damascene)配線と呼ぶ。
【0008】
ダマシン(damascene)配線が半導体配線技術分野で脚光を浴びるようになった理由は、銅Cu配線が今後配線技術として活発に研究開発されているためである。銅は抵抗が低くて配線としての信頼性が高い材料として注目されているが、エッチング(etching)が難しくて通常のアルミニウムAl配線のように膜を形成した後、エッチングして配線を形成することがむずかしい。したがって、配線用グルーブをあらかじめ形成した後、グルーブを化学気相蒸着(chemical vapor deposition;以下‘CVD’と称する)またはスパッタリング/リフロー(sputtering/reflow)方式を通して埋め込む。次に、グルーブ両側の表面に残っている銅をCMP(chemical mechanical polishing)方法で取り除いてグルーブ配線を完成するダマシン(damascene)配線が試みられてきた。
【0009】
最近にはダマシン(damascene)配線が当初局所配線であるタングステンW配線で始まったが、タングステンに対しては既にCVD技術が確立され、銅及びアルミニウム等に展開されており、CMP技術もまた最近急成長して一般に用いられている。
【0010】
ダマシン(damascene)配線技術は上述のような理由で始まったが、最近には非常に多くの検討が行なわれている。最近素子が高集積化されて行くことによって、パターンサイズ(pattern size)が非常に小さくなっており、また素子の特性上の損害を最小化するために垂直スケーリング(vertical scaling)は用いられていない。これは配線として用いられる物質の種類、物質の厚さ、そしてパターンサイズ等は変わらなく、むしろ変化の反対方向に逆行しようとするためである。
【0011】
このような問題点を克服するためにダマシン(damascene)配線技術が積極的に導入されている。これは導電層をパターニングする場合において、高い反射率のためフォトレジストパターン形成が難しく、導電層の高い厚さに対するエッチングが難しくて(選択比及びゆがみ(skew)等)、後続工程すなわち平坦化工程が非常に難しいという弱点を克服できるためである。
【0012】
しかし、通常的に用いられるダマシン(damascene)配線技術はパターンサイズが0.5μm以下である配線及びコンタクトホールを持っている場合、多くの問題点を持っている。特に、ダマシン(damascene)技術の問題点は既に形成しておいたコンタクトホールがダマシン(damascene)配線のためのグルーブ形成時そのサイズが大きくなることである。これを防止するためコンタクトホールのサイズを小さくすることは素子が高集積化されて行くことによってもっと難しくなるのが実情である。
【0013】
他の方法で、ダマシン(damascene)配線のためのグルーブ形成後コンタクトホールを形成する場合、コンタクトホール形成のためのフォトレジストパターンがグルーブパターンのなかで形成可能でなければできない。しかし、この方法はグルーブの深さが深くなるほど、またグルーブパターンのサイズが小さくなるほどもっと難しくなる問題点がある。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の諸般問題点を解決するため提案されたものとして、ダマシン(damascene)配線技術を用いる時生じるコンタクトホールを形成する難しさを解決でき、フォト工程時誤整列マージンを確保することができる半導体メモリ装置の製造方法及びその構造を提供する。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するための本発明によると、半導体メモリ装置の製造方法は、セルアレー領域と周辺回路領域を有する半導体基板上に活性領域と非活性領域を定義するための素子隔離膜を形成する段階と、半導体基板全面に第1絶縁層、ビットライン、そして第2絶縁層を順に形成する段階と、第2絶縁層上にセルアレー領域のストレージ電極コンタクトホール領域と、周辺回路領域の配線コンタクトホール領域がオープンされた物質層パターンを形成する段階と、物質層パターン及び第2絶縁層上に第3絶縁層を形成する段階と、グルーブマスクを用いて周辺回路領域の第3絶縁層、第2絶縁層、そして第1絶縁層を順にエッチングして第1配線用オープニングを形成し、同時に第3絶縁層をエッチングして第2配線用オープニングを形成し、物質層パターンをエッチング停止層として用いて形成する段階と、第1配線用オープニング及び第2配線用オープニングに各々導電物質を充填して第1配線及び第2配線を形成する段階とを含む。
【0016】
この方法の望ましい実施形態において、第1及び第2配線、そして第3絶縁層上に第4絶縁層を形成する段階と、ストレージ電極形成用マスクを用いてセルアレー領域の第4絶縁層、第3絶縁層、第2絶縁層、そして第1絶縁層を順にエッチングしてストレージ電極用オープニングを形成し、物質層パターンを第3絶縁層に対するエッチング停止層として用いて形成する段階を付加的に含むことができる。
【0017】
上述の目的を達成するための本発明によると、半導体メモリ装置の製造方法は、セルアレー領域と周辺回路領域を有する半導体基板上に活性領域と非活性領域を定義するための素子隔離膜を形成する段階と、半導体基板全面に第1絶縁層、ビットライン、そして第2絶縁層を順に形成する段階と、第2絶縁層上にセルアレー領域のストレージ電極コンタクトホール領域と、周辺回路領域の配線コンタクトホール領域がオープンされた物質層パターンを形成する段階と、物質層パターンをマスクとして用いてセルアレー領域の第2絶縁層及び第1絶縁層を順にエッチングしてストレージ電極コンタクトホールを形成する段階と、ストレージ電極コンタクトホールを通して半導体基板と電気的に接続されるストレージ電極、誘電層、そしてプレート電極を順に形成してキャパシタを形成する段階と、半導体基板全面に第3絶縁層を形成する段階と、グルーブマスクを用いて周辺回路領域の第3絶縁層、第2絶縁層、そして第1絶縁層を順にエッチングして第1配線用オープニングを形成し、同時に第3絶縁層をエッチングして第2配線用オープニングを形成し、物質層パターンをエッチング停止層として用いて形成する段階と、第1配線用オープニング及び第2配線用オープニングを導電物質で充填して各々第1配線及び第2配線を形成する段階とを含む。
【0018】
上述の目的を達成するための本発明によると、半導体メモリ装置は、セルアレー領域と周辺回路領域を有する半導体基板上に活性領域と非活性領域を定義するために形成された素子隔離膜と、半導体基板全面にビットラインを間に置いて形成された絶縁層と、絶縁層上に形成されており、セルアレー領域のストレージ電極コンタクトホール領域及び周辺回路領域の配線コンタクトホール領域がオープンされるように形成された物質層パターンと、物質層パターン上に形成されており、絶縁層を貫通してセルアレー領域及び周辺回路領域の半導体基板と各々電気的に接続されるように形成されたキャパシタ及び配線とを含む。
【0019】
図13及び図14を参照すると、本発明の実施形態による新規な半導体メモリ装置の製造方法及びその構造は、絶縁層上にセルアレー領域のストレージ電極コンタクトホール領域と、周辺回路領域の配線コンタクトホール領域がオープンされた物質層パターンが形成される。物質層パターン及び絶縁層上に厚い層間絶縁膜が蒸着される。グルーブマスクを用いて周辺回路領域の層間絶縁膜及び絶縁層が順にエッチングされて第1配線用オープニングが形成され、同時に層間絶縁膜がエッチングされて第2配線用オープニングが形成される。
【0020】
この際、物質層パターンがエッチング停止層として用いられる。このような半導体装置の製造方法及びその構造により、層間絶縁膜上に層間絶縁膜とエッチング選択比を有する物質でコンタクトホール領域がオープンされた物質層パターンを形成することによって、ダマシン(damascene)グルーブ形成時コンタクトホールの形成を容易にでき、フォト工程数を減らすことによって工程を単純化させることができ、コンタクトホール形成のためのフォト工程の誤整列マージンを確保することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図1乃至図15を参照して本発明の実施形態を詳しく説明する。
図6乃至図10そして図11乃至図15において、図1乃至図5に示された半導体メモリ装置の構成要素と同一な機能を有する構成要素に対しては同一な参照番号を明記する。
図1乃至図5は本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次的に示す図であり、ワードラインの延長方向に切取った断面図であり、図6乃至図10は本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次的に示す図であり、ビットラインの延長方向に切取った断面図である。また、図11乃至図15は本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次的に示す図であり、周辺回路領域を切取った断面図である。
【0022】
まず、図5、図10及び図15を参照して本発明の実施形態による半導体メモリ装置の構造を説明する。
図5、図10及び図15において、本発明の実施形態による半導体メモリ装置は、セルアレー領域と周辺回路領域を有する半導体基板10上に活性領域と非活性領域を定義するため素子隔離膜12が形成されている。半導体基板10上にゲート電極層13a、13b、13cが形成されており、セルアレー領域のゲート電極層13a間の活性領域と電気的に接続されるようにコンタクトパッド16a、16bが形成されている。コンタクトパッド16a、16bの両側には絶縁層14が形成されている。コンタクトパッド16a、16b及び絶縁層14上に絶縁層18、ビットライン20、21、そして層間絶縁膜22が順に形成されている。
【0023】
層間絶縁膜22上にセルアレー領域のストレージ電極コンタクトホール領域25a及び周辺回路領域の配線コンタクトホール領域25bがオープンされるように物質層パターン24が形成されている。セルアレー領域の物質層パターン24上に、層間絶縁膜22及び絶縁層18を貫通してコンタクトパッド16aと電気的に接続されるようにキャパシタ43が形成されている。キャパシタ43はストレージ電極40、ストレージ電極40を含んで物質層パターン24上に形成されたキャパシタ誘電膜41、そしてキャパシタ誘電膜41上に形成されたプレート電極(plate electrode)42を含む。
【0024】
ストレージ電極40は例えば、ダマシン(damascene)工程で形成され、ドーピングされたポリシリコン、タングステンW、TiW、そしてTiSixなどの導電物質中いずれか一つで形成される。
【0025】
周辺回路領域の物質層パターン24上に厚い層間絶縁膜26が形成されており、層間絶縁膜26、22及び絶縁層18、14を貫通て半導体基板10と電気的に接続されるように第1配線28aが形成されている。また、層間絶縁膜26を貫通して物質層パターン24と接触するように第2配線28bが形成されている。ここで、物質層パターン24は層間絶縁膜26、22及び絶縁層18、14と少なくとも1:5以上のエッチング選択比を有する物質で形成される。例えば、層間絶縁膜26、22及び絶縁層18、14は酸化物質、窒化物質、そしてこれらの複合物質中いずれか一つで形成され、物質層パターン24はドーピングされていないポリシリコン、窒化物質、SiON、そしてAl2O3中いずれか一つで形成される。
【0026】
層間絶縁膜26、第1配線28a、そして第2配線28b上に第3配線31を間に置いて絶縁層30、32が形成されている。
第1配線28a及び第2配線28bは例えば、ダマシン(damascene)工程で形成され、タングステンW、TiN、WN、Al、そしてCuなどのメタル物質中いずれか一つで形成される。
セルアレー領域のストレージ電極40の高さと、周辺回路領域の第1配線28a及び絶縁層30の高さがほぼ同じく形成されている。これは、セルアレー領域と周辺回路領域の段差がほぼないことを示す。
【0027】
上述のような半導体メモリ装置の製造方法は次の通りである。
図1、図6、そして図11において、半導体メモリ装置の製造方法は、まず、セルアレー領域と周辺回路領域を有する半導体基板10上に活性領域と非活性領域を定義するために素子隔離膜12が形成される。素子隔離膜12は、例えば、LOCOS及び浅いトレンチ隔離(shallow trench isolation)などの方法中いずれか一つで形成される。半導体基板10上にゲート電極層13a、13b、13c及びソース/ドレーン領域(図示せず)を含むトランジスタ(transistor)と、コンタクトパッド16a、16bが形成される。ゲート電極層13a、13b、13cは活性領域上にゲート酸化膜(図示せず)を間に置いて形成されており、例えば、ポリシリコン膜及びシリサイド膜が順に積層された導電層及びこの導電層を包むように形成されたシリコン窒化膜を含む。
【0028】
コンタクトパッド16a、16bは、例えば、自己整列コンタクト形成方法で形成される。もっと具体的に、ゲート電極層13a、13b、13cが形成された後、ゲート電極層13a、13b、13cを含んで半導体基板10上に絶縁層14が形成される。次に、ゲート電極層13a、13b、13c間の活性領域の一部が露出されるように絶縁層14がエッチングされてコンタクトパッド形成用コンタクトホールが形成される。コンタクトホールが導電層で充填された後、CMPなどの平坦化エッチング工程が遂行されるとコンタクトパッド16a、16bが完成される。
【0029】
コンタクトパッド16a、16bはストレージ電極コンタクトパッド16a及びビットラインコンタクトパッド16bを含む。
図2、図7、そして図12を参照すると、コンタクトパッド16a、16bを含んで絶縁層14上に絶縁層18、ビットライン(bit line)20、21、層間絶縁膜22が順に形成される。ビットライン20、21は一般的な導電層蒸着及びパターニング工程により形成され、層間絶縁膜22は平らな上部表面を有するように形成される。
【0030】
図2、図7、そして図12と同じように、層間絶縁膜22上に本発明による核心パターン(key pattern)である物質層パターン24が形成される。物質層パターン24は層間絶縁膜22上に物質層が形成された後、この分野でよく知られたフォトエッチング工程(photo lithography)でセルアレー領域のストレージ電極コンタクトホール領域25aと、周辺回路領域の配線コンタクトホール領域25bがオープンされるようにパターニングされる。
【0031】
パターニング工程時物質層下部の層間絶縁膜22が過度にエッチングされないようにする。このため、物質層パターン24は絶縁層14、18、層間絶縁膜22、そして後続層間絶縁膜26と少なくとも1:5以上のエッチング選択比を有する物質であり、反射率が導電物質に比べて非常に低い物質で形成される。例えば、絶縁層14、18及び層間絶縁膜22、26は酸化物質、窒化物質そしてこれらの複合物質中いずれか一つで形成され、物質層パターン24はドーピングされていないポリシリコン、窒化物質(nitride)SiONそしてAl2O3中いずれか一つで形成される。
【0032】
したがって、物質層パターン24はセルアレー領域のストレージNODEコンタクトホール形成のためのエッチング工程及び周辺回路領域の配線コンタクトホール形成のためのエッチング工程時コンタクトホールのサイズが大きくなることを防止するようになる。
【0033】
図4、図9、そして図14において、物質層パターン24及び層間絶縁膜22上に厚い他の層間絶縁膜26が蒸着される。層間絶縁膜26は少なくとも0.4μm以上の厚さを有するように形成される。層間絶縁膜26は平らな上部表面を有するように形成されて例えば、5000Å乃至6000Åの厚さを有するように形成される。一方、層間絶縁膜26の厚さは第2配線28bの厚さにより決定できる。
【0034】
再び、図14を参照すると、層間絶縁膜26上に形成されたグルーブ(groove)マスク(図示せず)を用いて周辺回路領域の層間絶縁膜26、配線コンタクトホール領域25bの層間絶縁膜22、そして絶縁層18、14が順にエッチングされて第1配線用オープニング27aが形成される。この際、物質層パターン24が層間絶縁膜26に対するエッチング停止層として用いられ、また、層間絶縁膜22及び絶縁層18、14エッチング時エッチングマスクとして用いられる。第1配線用オープニング27a形成と同時に、物質層パターン24をエッチング停止層として用いて層間絶縁膜26がエッチングされて第2配線用オープニング27bが形成される。
【0035】
最後に、第1及び第2配線用オープニング27a、27bを完全に充填するように層間絶縁膜26上に導電層が形成される。導電層をCMP等に第1及び第2配線用オープニング27a、27b両側の層間絶縁膜26の上部表面が露出される時まで平坦化エッチングすると図15に示されたように、第1配線28a及び第2配線28bなどのダマシン(damascene)配線が形成される。この際、第2配線28bはダミーパターン(dummy pattern)で用いられることができる。上述のように、第1配線28a及び第2配線28bがダマシン(damascene)工程で形成されることによって、従来反射率が高いメタル物質がパターニングされる時生じる誤整列問題がなくなる。
【0036】
導電層は、タングステンW、TiN、WN、Al、そしてCuなどのダマシン(damascene)メタル物質中いずれか一つで形成される。第1配線28a、第2配線28b、そして層間絶縁膜26上に絶縁層30が形成された後、後続工程で第3配線31及び絶縁層32が順に形成される。絶縁層30は層間絶縁膜26の厚さを含んで10000Å乃至12000Å程度の厚さを有するように形成される。その結果、層間絶縁膜26と絶縁層30の各厚さの合計は後続工程で形成されるストレージ電極40の高さとほぼ同じくなる。
【0037】
次に、セルアレー領域にキャパシタ43が形成された後、キャパシタ43上に絶縁層44が蒸着される。例えば、キャパシタ43は、望ましくは、周辺回路領域と同様に同一なダマシン(damascene)方法で形成される。もっと具体的に、ストレージ電極形成用マスク(図示せず)を用いてセルアレー領域の絶縁層30、層間絶縁膜26、22、そして絶縁層18が順にエッチングされてストレージ電極用オープニングが形成される。この際、物質層パターン24がやはり層間絶縁膜26に対するエッチング停止層として用いられ、また層間絶縁膜22及び絶縁層18に対するエッチングマスクとして用いられる。
【0038】
ストレージ電極用オープニングの内壁すなわち、オープニングの下部及び両側壁を含んで絶縁層30上にストレージ電極用導電層が形成された後、これをCMP等で平坦化エッチングするとストレージ電極40が形成される。ストレージ電極40はシリンダ型(cylinder type)乃至スタック型(stack type)中いずれの形態でも可能である。ストレージ電極40両側の絶縁層30及び層間絶縁膜26が湿式エッチングなどの等方性エッチングで除去される。
【0039】
ストレージ電極40及び物質層パターン24上にキャパシタ誘電膜41及びプレート電極(plate electrode)42が順に形成されると図5及び図10に示されたように、キャパシタ43が完成される。プレート電極42は、例えば、平らな上部表面を有するように形成される。プレート電極42上に絶縁層44が形成される。
スタック型のストレージ電極の場合、ダマシン(damascene)技術でない一般的な導電層パターン方法で形成されることができるが、フォト工程数が増えるだけでなく、工程が複雑でコストが増える問題点がある。
【0040】
一方、周辺回路領域の第1配線28a及び第2配線28b形成工程とセルアレー領域のキャパシタ43形成工程順序を変えて形成することも可能である。すなわち、セルアレー領域にダマシン(damascene)方法乃至導電層パターン方法等でキャパシタ43が形成された後、キャパシタ43上に絶縁層44が蒸着される。続けて、周辺回路領域の層間絶縁膜26、22及び絶縁層18、14が順にエッチングされて第1配線用オープニング27a及び第2配線用オープニング27bが各々形成される。
【0041】
第1配線用オープニング27a及び第2配線用オープニング27bが導電物質で充填されて各々第1配線28a及び第2配線28bが形成される。この際、第2配線28bはダミーパターン(dummy pattern)として用いられることができる。第1配線28a及び第2配線28b、そして層間絶縁膜26上に第3配線31を間に置いて絶縁層30、32が順に形成される。
キャパシタ43のストレージ電極40、第1配線28a、そして第2配線28bがダマシン(damascene)方法で形成される場合、物質層パターン24がこれら工程に同一に適用されてエッチング停止層及びエッチングマスクとして用いられる。
【0042】
【発明の効果】
本発明は層間絶縁膜上に層間絶縁膜とエッチング選択比を有する物質でコンタクトホール領域がオープンされた物質層パターンを形成することによって、セルアレー領域と周辺回路領域にダマシン(damascene)グルーブ形成時コンタクトホールの形成を容易にでき、フォト工程数を減らすことによって工程を単純化させることができ、フォト工程の誤整列マージンを確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、ワードラインの延長方向に切取った断面図である。
【図2】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、ワードラインの延長方向に切取った断面図である。
【図3】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、ワードラインの延長方向に切取った断面図である。
【図4】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、ワードラインの延長方向に切取った断面図である。
【図5】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、ワードラインの延長方向に切取った断面図である。
【図6】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、ビットラインの延長方向に切取った断面図である。
【図7】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、ビットラインの延長方向に切取った断面図である。
【図8】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、ビットラインの延長方向に切取った断面図である。
【図9】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、ビットラインの延長方向に切取った断面図である。
【図10】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、ビットラインの延長方向に切取った断面図である。
【図11】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、周辺回路領域を切取った断面図である。
【図12】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、周辺回路領域を切取った断面図である。
【図13】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、周辺回路領域を切取った断面図である。
【図14】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、周辺回路領域を切取った断面図である。
【図15】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置の製造方法の工程の流れを順次に示す図であり、周辺回路領域を切取った断面図である。
【符号の説明】
10 半導体基板
12 素子隔離膜
13a−13c ゲート電極
14,18,30,32,44 絶縁層
16a,16b コンタクトパッド
20,21 ビットライン
22,26 層間絶縁膜
24 物質層パターン
25a ストレージ電極コンタクトホール領域
25b 配線コンタクトホール領域
27a,27b 配線用オープニング
28a,28b,31 配線
40 ストレージ電極
41 キャパシタ誘電膜
42 プレート電極
43 キャパシタ
Claims (11)
- セルアレー領域と周辺回路領域を有する半導体基板上に活性領域と非活性領域を定義するための素子隔離膜を形成する段階と、
前記半導体基板の全面に第1絶縁層を形成し、前記第1絶縁層上にビットラインを形成し、次いで、前記第1絶縁層の全面に第2絶縁層を形成する段階と、
前記第2絶縁層上にセルアレー領域のストレージ電極コンタクトホール領域と、周辺回路領域の配線コンタクトホール領域とがオープンされた物質層パターンを形成する段階と、
前記物質層パターン及び第2絶縁層上に第3絶縁層を形成する段階と、
グルーブマスクを用いて前記周辺回路領域の第3絶縁層、第2絶縁層、そして第1絶縁層を順にエッチングして第1配線用オープニングを形成すると同時に前記物質層パターンをエッチング停止層として用いて前記第3絶縁層をエッチングして第2配線用オープニングを形成する段階と、
前記第1配線用オープニング及び第2配線用オープニングに各々導電物質を充填して第1配線及び第2配線を形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体メモリ装置の製造方法。 - 前記物質層パターンは、前記第1配線用オープニング形成のための前記第2絶縁層及び第1絶縁層のエッチング時にマスクとして用いられることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置の製造方法。
- 前記物質層パターンは、ドーピングされていないポリシリコン、窒化物質、SiONそしてAl2O3中いずれか一つで形成され、前記第1絶縁層、第2絶縁層、そして第3絶縁層は各々酸化物質、窒化物質、そしてこれらの複合物質中いずれか一つで形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置の製造方法。
- 前記第3絶縁層は、少なくとも0.4μm以上の厚さで形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置の製造方法。
- 前記導電物質は、W、TiN、WN、Al、そしてCu中いずれか一つであることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置の製造方法。
- 前記第1及び第2配線、そして第3絶縁層上に第4絶縁層を形成する段階と、
ストレージ電極形成用マスクを用いて前記セルアレー領域の第4絶縁層、第3絶縁層、第2絶縁層、そして第1絶縁層を順にエッチングしてストレージ電極用オープニングを形成する段階であって、前記物質層パターンを前記第3絶縁層に対するエッチング停止層として用いて形成する段階と、を付加的に含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置の製造方法。 - セルアレー領域と周辺回路領域を有する半導体基板上に活性領域と非活性領域を定義するための素子隔離膜を形成する段階と、
前記半導体基板の全面に第1絶縁層を形成し、前記第1絶縁層上にビットラインを形成し、次いで、前記第1絶縁層の全面に第2絶縁層を形成する段階と、
前記第2絶縁層上にセルアレー領域のストレージ電極コンタクトホール領域と、周辺回路領域の配線コンタクトホール領域とがオープンされた物質層パターンを形成する段階と、
前記物質層パターンをマスクとして用いて前記セルアレー領域の第2絶縁層及び第1絶縁層を順にエッチングしてストレージ電極コンタクトホールを形成する段階と、
前記ストレージ電極コンタクトホールを通して前記半導体基板と電気的に接続されるストレージ電極、誘電層、そしてプレート電極を順に形成してキャパシタを形成する段階と、
前記半導体基板の全面に第3絶縁層を形成する段階と、
グルーブマスクを用いて前記周辺回路領域の第3絶縁層、第2絶縁層、そして第1絶縁層を順にエッチングして第1配線用オープニングを形成すると同時に前記物質層パターンをエッチング停止層として用いて前記第3絶縁層をエッチングして第2配線用オープニングを形成する段階と、
前記第1配線用オープニング及び第2配線用オープニングに各々導電物質を充填して第1配線及び第2配線を形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体メモリ装置の製造方法。 - 前記物質層パターンは、前記第1配線用オープニング形成のための前記第2絶縁層及び第1絶縁層のエッチング時にマスクとして用いることを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置の製造方法。
- 前記物質層パターンは、ドーピングされていないポリシリコン、窒化物質、SiONそしてAl2O3中いずれか一つで形成され、前記第1絶縁層、第2絶縁層、そして第3絶縁層は各々酸化物質、窒化物質、そしてこれらの複合物質中いずれか一つで形成されることを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置の製造方法。
- 前記第3絶縁層は、少なくとも0.4μm以上の厚さで形成されることを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置の製造方法。
- 前記導電物質は、W、TiN、WN、Al、そしてCu中いずれか一つであることを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置の製造方法。
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