JP4052061B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4052061B2
JP4052061B2 JP2002242814A JP2002242814A JP4052061B2 JP 4052061 B2 JP4052061 B2 JP 4052061B2 JP 2002242814 A JP2002242814 A JP 2002242814A JP 2002242814 A JP2002242814 A JP 2002242814A JP 4052061 B2 JP4052061 B2 JP 4052061B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal layer
resin body
wiring
insulating substrate
solder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002242814A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004087540A (ja
Inventor
誠一 早川
義彦 小池
雅人 三浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2002242814A priority Critical patent/JP4052061B2/ja
Publication of JP2004087540A publication Critical patent/JP2004087540A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4052061B2 publication Critical patent/JP4052061B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に係り、特に、内部絶縁型の半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のこの種の半導体装置の構造を図2に示す。
【0003】
この図において、1は半導体素子、2a,2b,2cはソルダー、3は絶縁基板、4a,4bは金属層、5a,5bはろう材、6は支持基板、7はゲル、8は金属ワイヤ、9a,9b,9cは配線端子、10cは樹脂体、11は空隙部、12は接着剤、13は外部冷却フィン、14a,14bはネジ、15は外部配線である。
【0004】
絶縁基板3は、アルミナなどの絶縁材で作られ、その一方の面には、配線パターンが形成された金属層4aがろう材5aにより接合され、他方の面には、半田などによる接合を可能とする為の金属層4bがろう材5bにより接合されている。そして、複数個の半導体素子1は、絶縁基板3の一方の面に形成されている金属層4aの所定の部分にソルダー2aにより接合され、絶縁基板3のもう一方の面に形成されている金属層4bが支持基板6にソルダー2bにより積層される。そして、これらの半導体素子1は、金属ワイヤ8により、金属層4aの所定の部分に対して配線が施されている。
【0005】
支持基板6は、半導体素子1で発生した熱を拡散させるヒートシンクを兼ねている。ゲル7は半導体素子1で発生した熱を拡散させるとともに、電位の異なる配線端子9aと配線端子9bとの絶縁を保つ役目もする。
【0006】
電流入出力用の電位の異なる配線端子9aおよび配線端子9bと電流制御用の信号入力用の配線端子9cは、支持基板6と接着剤12により固着されている樹脂体10c内部に埋め込まれており、金属層4aに形成されている配線パターンの所定の部分とソルダー2cにより接続され、外部装置(図示せず)との電流,電圧の入出力を行う。空隙部11は半導体素子1の通電時の発熱によるゲル7の膨張による応力を緩和するものである。樹脂体10cと支持基板6は、ネジ14aにより外部冷却フィン13へ取り付けられる。配線端子9a及び9bはネジ14bにより外部配線15へ取り付けられる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術では、複数個の配線端子を絶縁基板の金属層の配線パターンの所定部分に接続する際、ソルダーを配線端子の金属層側の面に確実に付着させる必要があるため、複数個の配線端子の金属層側の面と金属層との間隔を同じ高さにする必要があった。
【0008】
さらには、複数個の配線端子を外部配線に取り付ける際、配線端子に半導体素子の上方向に力が加わる為、配線端子が絶縁基板の金属層から剥離するという課題があった。
【0009】
本発明は、上記課題を解決するために成されたもので、その目的は配線端子と絶縁基板上の金属層との接続を容易とすることである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、上記課題を解決するために、絶縁基板と、該絶縁基板の一方の面にろう材を介して接合された配線パターンが形成されている第1の金属層と、前記絶縁基板の他方の面にろう材を介して接合された第2の金属層と、前記第1の金属層の所定の部分に第1のソルダーを介して接合された複数個の半導体素子と、前記第2の金属層を第2のソルダーを介して接合支持する支持基板と、前記各半導体素子と第1の金属層を接続する金属ワイヤと、前記支持基板の側面及び上面に配置された第1の樹脂体と、前記第1のソルダーに一端が接続され、他端が外部からの電流の入出力を行う外部配線に接続された複数個の配線端子とを備えた半導体装置において、前記複数個の配線端子の途中を第2の樹脂体に埋め込み一体に成形して端子ブロックを構成すると共に、前記第1の樹脂体に設けられ、かつ開口部が形成されている位置決め部を有し、該位置決め部の開口部には、前記端子ブロックが水平方向は位置決めされるが、垂直方向は固着されないように挿入され、該端子ブロックの自重により前記複数個の配線端子の一端が前記第1のソルダーに接するように構成されていることを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例である比較的大電流容量のパッケージ型パワー半導体モジュールに好的な半導体装置について説明する。
【0012】
本実施例は、半導体素子の固着された絶縁基板上の金属層に接続された複数個の電位の異なる配線端子を有する樹脂体が、半導体素子の側面を形成する樹脂体に形成された位置決め部に挿入されていることにより、配線端子を有する樹脂体の自重により絶縁基板上の金属層と配線端子とのソルダーによる接続を確実に行える。
【0013】
図1に本実施例の半導体装置を示す。1は半導体素子、2a,2b,2cはソルダー、3は絶縁基板、4a,4bは金属層、5a,5bはろう材、6は支持基板、7はゲル、8は金属ワイヤ、9a,9b,9cは配線端子、10a,10b,10cは樹脂体、10dは位置決め部、11は空隙部、12は接着剤、13は外部冷却フィン、14a,14bはネジ、15は外部配線、16は端子ブロックである。
【0014】
絶縁基板3は、アルミナなどの絶縁材で作られ、その一方の面には、配線パターンが形成された金属層4aがろう材5aにより接合され、他方の面には、半田などによる接合を可能とする為の金属層4bがろう材5bにより接合されている。
【0015】
そして、複数個の半導体素子1は、絶縁基板3の一方の面に形成されている金属層4aの所定の部分にソルダー2aにより接合され、絶縁基板3のもう一方の面に形成されている金属層4bが支持基板6にソルダー2bにより積層される。そして、これらの半導体素子1は、金属ワイヤ8により、金属層4aの所定の部分に対して配線が施されている。
【0016】
支持基板6は、半導体素子1で発生した熱を拡散させるヒートシンクを兼ねている。
【0017】
ゲル7は、半導体素子1で発生した熱を拡散させるとともに、電位の異なる配線端子9aと配線端子9bとの絶縁を保つ役目もする。
【0018】
空隙部11は、半導体素子1の通電時の発熱によるゲル7の膨張による応力を緩和するものである。
【0019】
樹脂体10cおよび支持基板6は、ネジ14aにより外部冷却フィン13へ取り付けられる。
【0020】
配線端子9aおよび9bは、外部と電流の入出力を行う配線端子で配線端子9aと9bの間には素子の耐圧が印加される。配線端子9aおよび9bは、樹脂体10a内部に埋め込み一体で成形して端子ブロック16を構成している。配線端子9aと9bと絶縁基板3上の金属層4aとの接続は金属層4aの所定部分にソルダー2cを置き、樹脂体10cの所定の位置に凸状に形成された位置決め部10dの開口部に端子ブロック16を挿入して行う。この場合、端子ブロック16と位置決め部10dは支持基板6の垂直方向の面で接するが固着されていない為、支持基板6の水平方向の位置決めが行われるととともに、高さ方向については、端子ブロック16の自重により配線端子9a,9bはソルダー2cに接するため、確実に金属層4aに固着することができる。
【0021】
また、半導体素子の電流容量が大きく1台の素子で複数の端子ブロックが必要な場合にも、各々の端子ブロックで同様の効果が出るとともに各端子ブロックの配線端子の高さを個別に揃えればよいので調整が容易になる。
【0022】
また、半導体素子の容量が大きく絶縁基板,配線端子を有する樹脂体が複数個ある場合も、単体の樹脂体内だけで配線端子の高さを揃えれば良いので調整が容易にできる。なお位置決め部10dは、樹脂体10cと一体に成形しても良いし、別体でも良い。
【0023】
次に、本発明の第2の実施例について説明する。
【0024】
本実施例は、電位の異なる配線端子を有する樹脂体と半導体素子の側面を形成する樹脂体に形成された取付け穴の絶縁基板の垂直方向の面について絶縁基板側が広がる角度で傾斜をつけたことにより、配線端子の外部配線への取付けの際、半導体装置上面方向に加わる力を半導体素子の側面を形成する樹脂体に形成された取付け穴で支えることができる。よって、配線端子が絶縁基板上の金属層から剥がれるのを防ぐことができる。
【0025】
以下、図3を用いて説明する。
【0026】
樹脂体10cの位置決め部10dは樹脂体10aを挿入する開口部を有しているが、位置決め部10dの開口部は樹脂体10b側よりも半導体素子1側に対して広がっており、また樹脂体10aの幅も半導体素子1側に広がっている。
【0027】
この場合、配線端子9aおよび9bを外部配線15にネジ14bにより取り付ける際、配線端子9aおよび9bに絶縁基板3と反対方向に引っ張る力が加わるが、端子ブロック16と位置決め部10dの接合面で力を受け、配線端子9aおよび9bと絶縁基板3上の金属層4aとを接続するソルダー2cに力が加わらない為、配線端子9aおよび9bが絶縁基板3上の金属層から剥離するのを防ぐことができる。なお位置決め部10dは、樹脂体10cと一体に成形しても良いし、別体でも良い。
【0028】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、絶縁基板上の金属層と配線端子とのソルダーによる接続を確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の一実施例を示す模式図である。
【図2】従来の半導体装置の模式図である。
【図3】本発明の半導体装置の他の実施例を示す模式図である。
【符号の説明】
1…半導体素子、2a,2b,2c…ソルダー、3…絶縁基板、4a,4b…金属層、5a,5b…ろう材、6…支持基板、7…ゲル、8…金属ワイヤ、9a,9b,9c…配線端子、10a,10b,10c…樹脂体、10d…位置決め部、11…空隙部、12…接着剤、13…外部冷却フィン、14a,14b…ネジ、15…外部配線、16…端子ブロック。

Claims (2)

  1. 絶縁基板と、該絶縁基板の一方の面にろう材を介して接合された配線パターンが形成されている第1の金属層と、前記絶縁基板の他方の面にろう材を介して接合された第2の金属層と、前記第1の金属層の所定の部分に第1のソルダーを介して接合された複数個の半導体素子と、前記第2の金属層を第2のソルダーを介して接合支持する支持基板と、前記各半導体素子と第1の金属層を接続する金属ワイヤと、前記支持基板の側面及び上面に配置された第1の樹脂体と、前記第1のソルダーに一端が接続され、他端が外部からの電流の入出力を行う外部配線に接続された複数個の配線端子とを備えた半導体装置において、
    前記複数個の配線端子の途中を第2の樹脂体に埋め込み一体に成形して端子ブロックを構成すると共に、前記第1の樹脂体に設けられ、かつ開口部が形成されている位置決め部を有し、該位置決め部の開口部には、前記端子ブロックが水平方向は位置決めされるが、垂直方向は固着されないように挿入され、該端子ブロックの自重により前記複数個の配線端子の一端が前記第1のソルダーに接するように構成されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記位置決め部の開口部は前記半導体素子側に向って広がっており、該位置決め部の開口部に挿入される前記端子ブロックの第2の樹脂体も前記半導体素子側に向って広がっていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
JP2002242814A 2002-08-23 2002-08-23 半導体装置 Expired - Lifetime JP4052061B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002242814A JP4052061B2 (ja) 2002-08-23 2002-08-23 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002242814A JP4052061B2 (ja) 2002-08-23 2002-08-23 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004087540A JP2004087540A (ja) 2004-03-18
JP4052061B2 true JP4052061B2 (ja) 2008-02-27

Family

ID=32051744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002242814A Expired - Lifetime JP4052061B2 (ja) 2002-08-23 2002-08-23 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4052061B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5113815B2 (ja) * 2009-09-18 2013-01-09 株式会社東芝 パワーモジュール

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3258428B2 (ja) * 1993-04-02 2002-02-18 日本インター株式会社 複合半導体装置の製造方法
JP3228839B2 (ja) * 1994-09-07 2001-11-12 株式会社日立製作所 電力用半導体装置
JPH0969603A (ja) * 1995-09-01 1997-03-11 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置、その外装ケースとその製造方法
JP3519300B2 (ja) * 1999-01-11 2004-04-12 富士電機デバイステクノロジー株式会社 パワーモジュールのパッケージ構造
JP2001168277A (ja) * 1999-12-10 2001-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置
JP4092071B2 (ja) * 2000-11-30 2008-05-28 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
JP2002217362A (ja) * 2001-01-12 2002-08-02 Yazaki Corp 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004087540A (ja) 2004-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4438489B2 (ja) 半導体装置
US6867484B2 (en) Semiconductor device
JP3206717B2 (ja) 電力用半導体モジュール
JP3466329B2 (ja) 半導体パワーモジュール
JP2000245170A (ja) 半導体モジュールとそれを用いた電力変換装置及びその製法
JP3333409B2 (ja) 半導体モジュール
JP2003243607A (ja) 電力用半導体モジュール
JP2007335632A (ja) 半導体装置
JP2010537397A (ja) 電気的回路装置及び電気的回路装置の製造方法
JP3898156B2 (ja) 半導体パワーモジュール
JP4052061B2 (ja) 半導体装置
KR100843734B1 (ko) 반도체 전력용 모듈 및 그 제조방법
JP4375299B2 (ja) パワー半導体装置
JP4461639B2 (ja) 半導体装置
JP2006165322A (ja) 半導体モジュール
JP4062191B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2006303375A (ja) 電力変換装置及びその製造方法
JP5145168B2 (ja) 半導体装置
JP4331993B2 (ja) 電力用半導体装置
JP2004281804A (ja) 回路基板
JP2000349231A (ja) パワー半導体モジュール
JP2003046211A (ja) 電子部品の実装構造
JP3172393B2 (ja) 混成集積回路装置
JPH09121018A (ja) 半導体装置
JP2000243883A (ja) 半導体ダイを実装するためのALN絶縁層を有するアルミニウム外装ALSiC基板

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040830

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060419

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060731

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060808

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061010

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070904

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071018

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071113

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071126

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4052061

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121214

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131214

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term