JP3982082B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、小型化および高密度化されたパッケージ形態を有する半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年のVLSIなどの半導体装置においては、3年で7割の縮小化を実現し、高集積化及び高性能化を達成してきた。これに伴い、半導体装置のパッケージ形態も小型化、高密度化が達成されてきた。
【0003】
従来、半導体装置のパッケージ形態としては、DIP(Dual Inline Package )あるいはPGA(Pin Grid Array)などのプリント基板に設けたスルーホールにリード線を挿入して実装するリード挿入型(THD:Through Hall Mount Device )や、QFP(Quad Flat (L-Leaded) Package)あるいはTCP(Tape Carrier Package)などのリード線を基板の表面にハンダ付けして実装する表面実装型(SMD:Surface Mount Device)が用いられてきた。さらに、出力端子をエリア化したBGA(Ball Grid Array )パッケージに代表されるパッケージ形態に移行してきている。
【0004】
一方で、半導体装置の小型化、高密度化に対する要求はさらに高まりつつあり、上記のQFPなどのパッケージ形態では対応できなくなってきている。このため、半導体チップにパッケージサイズを限りなく近づけてさらなる小型化、高密度化を実現するチップサイズパッケージ(CSP:Chip Size Package 、FBGA(Fine-Pitch BGA)とも呼ばれる)と呼ばれるパッケージ形態が注目を集めており、現在活発に研究がなされ、多くの提案が示されている。
【0005】
上記のCSP形態の半導体装置と、これを実装する方法について説明する。例えば図8(a)の断面図に示すように、半導体チップ10aの図示しないパッド電極とベースボード(インタポーザ)11とが、はんだなどのバンプ12により機械的、電気的に接続されている。さらに、半導体チップ10aとベースボード11の間隙部には、バンプ12による接合を保護するための封止樹脂13が充填され、封止されている。さらに、ベースボード11の半導体チップ10aと接続している面の反対側の面には、実装基板と接続するためのはんだなどのバンプ14が形成されている。バンプ14は、半導体チップ10aのパッド電極とベースボード11とを接続しているバンプ12に対して、ベースボード11中に形成された図示しないスルーホールなどの配線部を介して接続されている。これらにより、CSP形態の半導体装置100が形成されている。
【0006】
上記の半導体装置100を実装するための実装基板2は、例えばガラスエポキシ系材料よりなる基板20の上面において、実装する半導体装置100のバンプ14の形成位置に対応する位置に形成されたランド(電極)21と、ランド21に接続して、基板20の表面上あるいは裏面上、もしくは両面上に形成されている図示しないプリント配線部を有している。上記の半導体装置100を上記の実装基板2に実装するには、実装基板2のランド21形成面に対して、半導体装置100のバンプ14の形成面から、それぞれ対応するランド21とバンプ14を位置合わせしてマウントし、図8(b)に示すように、バンプ14をリフローさせるなどの方法により、半導体装置100と実装基板2のランド21とをバンプ14を介して機械的、電気的に接続する。
【0007】
上記の半導体装置100は、半導体チップ10aと実装基板2の間に緩衝材となるベースボード(インタポーザ)11を有しているが、さらなる小型化、低コスト化および電子回路の処理速度の向上のために、上記のベースボード(インタポーザ)を用いず、ウェーハレベルでパッケージ化処理を施す形態のCSPについての研究開発が現在活発になされている。
【0008】
上記のベースボード(インタポーザ)を用いないCSP形態の半導体装置と、これを実装する方法について説明する。例えば図9(a)の断面図に示すように、半導体チップ10aの図示しないパッド電極に接続してはんだなどのバンプ12が形成されている。バンプ12の間隙部における半導体チップ10a表面は、樹脂被膜15により封止されている。これらにより、CSP形態の半導体装置1が形成されている。一方、上記の半導体装置1を実装するための実装基板2は、上記と同様に、例えばガラスエポキシ系材料よりなる基板20の上面にランド(電極)21と、図示しないプリント配線部を有している。上記の半導体装置1を上記の実装基板2に実装するには、実装基板2のランド21形成面に対して、半導体装置1のバンプ12の形成面から、それぞれ対応するランド21とバンプ12を位置合わせしてマウントし、図9(b)に示すように、バンプ12をリフローさせるなどの方法により、半導体装置1と実装基板2のランド21とをバンプ12を介して機械的、電気的に接続する。
【0009】
上記のCSP形態の半導体装置1の製造方法について図面を参照して説明する。まず、図10(a)に示すように、半導体チップの回路パターンが形成された半導体ウェーハ10上に、半導体チップの回路パターンに接続するようにはんだなどのバンプ12aを形成する。
【0010】
次に、図10(b)に示すように、上記の半導体ウェーハ10全体を溶融樹脂中に浸漬し、バンプ12aの間隙部を封止しながら、バンプ12aを完全に埋める膜厚で、半導体ウェーハ10のバンプ12a形成面上に樹脂被膜15を形成する。ここで、溶融樹脂中に浸漬する方法(ディッピング法)では、半導体ウェーハ10の両面に樹脂被膜15が形成される。
【0011】
次に、図11(c)に示すように、半導体ウェーハ10のバンプ12a形成面上から、バンプ12aの一部が露出するまで樹脂被膜15を研削して薄膜化する。
【0012】
次に、図11(d)に示すように、バンプ12aに接続させてはんだボール12bを転写する。バンプ12aとはんだボール12bとから、バンプ12が構成されている。
【0013】
次に、図11(e)に示すように、半導体ウェーハ10上に形成された半導体チップの回路パターンの間の領域であり、半導体ウェーハ10の切り代となる領域である切断ラインに沿って、半導体ウェーハ10を切断し(ダイシング工程)、個々に切断された半導体チップ10aを有するCSP形態の各半導体装置1と、半導体ウェーハ10の外周部分であり、完全な回路パターンを有していない不要な部分3とに分割する。
【0014】
上記の製造方法により製造する半導体装置1は、半導体ウェーハ10をダイシング処理して、そのまま実装基板に実装することが可能であり、従来のベースボード(インタポーザ)を用いた半導体装置に比べて、コストの削減および納期の短縮が可能である。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の半導体装置の製造方法においては、半導体ウェーハ上の切り代となる切断ラインに沿って、正確に位置を合わせて半導体ウェーハを切断することが難しい。これは、例えば図12(a)に示すような回路パターンと、各パターンに接続するバンプ12を有し、各回路パターンの間の領域が切断ライン16となる半導体ウェーハ10に対して、樹脂被膜を形成すると、図12(b)に示すように、半導体ウェーハ10上の全領域で各回路パターンの間の領域である切断ライン16が覆われてしまうために、この状態でX1 〜X6 およびY1 〜Y6 の各切断ラインに沿って切断しようとしても、切断ラインの位置を確認することができなくなるためである。また、切断した位置が実際に上記の切断ラインに沿っているか確認することも困難であり、半導体装置の製造工程の品質管理上でも正確な管理が困難となっていた。
【0016】
本発明は上記の問題を鑑みなされたものであり、本発明は、表面にバンプを有する半導体チップのバンプ形成面上のバンプの間隙部が樹脂で封止されたパッケージ形態の半導体装置を製造するためのダイシング工程において、半導体ウェーハ上の切り代となる切断ラインに正確に位置を合わせて半導体ウェーハを切断することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、表面にバンプを有する半導体チップのバンプ形成面上において、前記バンプの間隙部が樹脂で封止されたパッケージ形態の半導体装置の製造方法であって、半導体ウェーハの中央部の領域を第1領域とし、前記半導体ウェーハの外周側の領域を第2領域として、少なくとも前記第1領域において複数個の前記半導体チップの回路パターンを形成し、前記第1領域と前記第2領域にわたって前記半導体チップ間の切断ラインを形成する工程と、前記半導体ウェーハ上に、少なくとも前記第1領域において、前記半導体チップの回路パターンに接続するようにバンプを形成する工程と、前記第1領域においては前記バンプの間隙部を封止しながら所定の膜厚で、前記第2領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域においては前記切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚で、前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程と、前記第2領域の前記切断ラインの一部を含む領域において確認される切断ラインを基準位置とし、前記切断ラインに沿って前記半導体ウェーハを切断する工程とを有する。
【0018】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハの中央部の領域を第1領域とし、半導体ウェーハの外周側の領域を第2領域として、少なくとも第1領域において複数個の半導体チップの回路パターンを形成し、第1領域と第2領域にわたって半導体チップ間の切断ラインを形成し、次に、少なくとも第1領域において、半導体チップの回路パターンに接続するようにバンプを形成する。次に、第1領域においてはバンプの間隙部を封止しながら所定の膜厚で、第2領域の少なくとも切断ラインの一部を含む領域においては切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚で、半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する。次に、第2領域の前記切断ラインの一部を含む領域において確認される切断ラインを基準位置とし、切断ラインに沿って半導体ウェーハを切断する。
【0019】
上記の本発明の半導体装置の製造方法によれば、第1領域においてはバンプの間隙部を封止しながら所定の膜厚で、第2領域の少なくとも切断ラインの一部を含む領域においては切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚で、半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成するので、後工程で半導体ウェーハを切断するときに、第2領域の少なくとも切断ラインの一部を含む領域において切断ラインの位置を確認することが可能であり、半導体ウェーハ上の切り代となる切断ラインに正確に位置を合わせて半導体ウェーハを切断することができる。
【0020】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハの中央部の領域を第1領域とし、半導体ウェーハの外周側の領域を第2領域として、少なくとも第1領域において複数個の半導体チップの回路パターンを形成し、第1領域と第2領域にわたって半導体チップ間の切断ラインを形成する。
第2領域の少なくとも一部上では樹脂被膜の膜厚を薄く形成してしまうので、半導体装置としては使えない領域となってしまうが、半導体ウェーハの外周側の領域は元々完全な回路パターンを有していない不要な部分であるので、この領域を利用して第2領域とすることができる。
【0021】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程が、前記第1領域および前記第2領域において所定の膜厚で樹脂被膜を形成する工程と、前記第2領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域において前記切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚となるまで前記樹脂被膜を薄膜化する工程とを含む。第2領域において厚膜に形成してしまっても、薄膜化することで切断ラインの一部の位置を確認できるようにすることができる。
【0022】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記第1領域および前記第2領域において所定の膜厚で樹脂被膜を形成する工程においては、前記半導体ウェーハを溶融樹脂中に浸漬して前記樹脂被膜を形成する。これにより、1領域および第2領域において所定の膜厚で樹脂被膜を形成することができる。
【0023】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程においては、前記第1領域においては所定の膜厚となり、前記第2領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域においては前記切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚となるような型を用いて前記樹脂被膜を形成する。これにより、第2領域において切断ラインの一部の位置を確認できるように薄膜に形成することができる。
【0024】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程においては、前記第2領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域において膜厚が30μm以下となるように前記樹脂被膜を形成する。これにより、切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚とすることができる。
【0025】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程においては、前記第1領域において前記バンプを完全に埋める膜厚で前記樹脂被膜を形成し、前記半導体ウェーハを切断する工程の前に、前記第1領域において、少なくとも前記バンプの一部を露出させるまで前記樹脂被膜を薄膜化する工程をさらに有する。これにより、バンプの一部が露出して、実装基板に実装するときに電気的に接続することが可能となる。
【0026】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記半導体ウェーハを切断する工程においては、前記半導体ウェーハの画像を撮影し、コンピュータ上で画像処理して前記切断ラインの位置を確認する。半導体装置の設計ルールが、例えば0.35μmから0.25μmあるいは0.18μmとますます微細化されるに従い、上記の半導体チップ間に切断ラインも幅が狭められていき、目視で確認することが困難となっても、コンピュータ上で画像処理を行うことにより確実に切断ラインの位置を確認することができる。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【0028】
第1実施形態
本実施形態にかかる半導体装置は、図1(a)の断面図に示すように、半導体チップ10aの図示しないパッド電極に接続してはんだなどのバンプ12が形成されており、バンプ12の間隙部における半導体チップ10a表面は、樹脂被膜15により封止されている。半導体チップ10aのバンプ12形成面と反対側の表面上も樹脂被膜で被覆されていてもよい。これらにより、CSP形態の半導体装置1が形成されている。
【0029】
上記の半導体装置1を実装するための実装基板2としては、図1(a)中に示すように、例えばガラスエポキシ系材料よりなる基板20の上面にランド(電極)21と、図示しないプリント配線部を有している。上記の半導体装置1を上記の実装基板2に実装するには、実装基板2のランド21形成面に対して、半導体装置1のバンプ12の形成面から、それぞれ対応するランド21とバンプ12を位置合わせしてマウントし、図1(b)に示すように、バンプ12をリフローさせるなどの方法により、半導体装置1と実装基板2のランド21とをバンプ12を介して機械的、電気的に接続する。
【0030】
上記のCSP形態の半導体装置1の製造方法について図面を参照して説明する。まず、図2(a)に示すように、半導体ウェーハ10上に半導体チップの回路パターン(不図示)と、半導体チップ間の切断ライン(不図示)を形成する。ここで、半導体チップの完全な回路パターンが形成されている半導体ウェーハ10の中央部の領域を第1領域Aとし、完全な回路パターンを有しておらず、不要な領域となる半導体ウェーハ10の外周側の領域を第2領域Bとする。半導体チップ間の切断ラインは、第1領域Aから第2領域Bにわたって形成する。次に、少なくとも第1領域Aにおいて、半導体チップの回路パターンに接続するように、蒸着法あるいは転写法などにより、はんだあるいは金などからなるバンプ12aを形成する。
【0031】
次に、図2(b)に示すように、上記の半導体ウェーハ10全体を溶融樹脂中に浸漬し、第1領域Aにおいてバンプ12aの間隙部を封止しながら、バンプ12aを完全に埋める膜厚で、第1領域Aおよび第2領域Bにおいて、半導体ウェーハ10のバンプ12a形成面上に樹脂被膜15を形成する。ここで、溶融樹脂中に浸漬する方法(ディッピング法)では、半導体ウェーハ10の両面に樹脂被膜15が形成されるが、バンプ12a形成面の裏面側の樹脂被膜は必ずしも形成しなくてもよい。
【0032】
次に、図2(c)に示すように、第2領域Bの少なくとも切断ラインの一部を含む領域において、切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚となるまで樹脂被膜15を薄膜化する。第2領域Bの一部である薄膜領域16aにおいては、樹脂被膜15の膜厚が例えば20〜30μmとなっており、樹脂被膜の下層のパターンが透けて見えるため、切断ラインの一部の位置を確認することができる。
【0033】
次に、図3(d)に示すように、第1領域Aにおいて、少なくともバンプ12aの一部を露出させるまで樹脂被膜15を研削して薄膜化する.
【0034】
次に、図3(e)に示すように、第1領域Aにおいて、バンプ12aに接続させてはんだボール12bを転写する。バンプ12aとはんだボール12bとから、バンプ12が構成されている。
【0035】
次に、図3(f)に示すように、第1領域Aおよび第2領域Bにおいて半導体ウェーハ10上に形成された半導体チップの回路パターンの間の領域であり、半導体ウェーハ10の切り代となる領域である切断ラインに沿って、半導体ウェーハ10を切断し(ダイシング工程)、個々に切断された半導体チップ10aを有するCSP形態の各半導体装置1と、半導体ウェーハ10の外周部分であり、完全な回路パターンを有していない不要な部分3とに分割する。ここで、切断ラインに沿って半導体ウェーハ10を切断するにあたっては、第2領域B中に形成された薄膜領域16aにおいて、薄い樹脂被膜15を通して透けて見える下層のパターンから切断ラインの位置を目視によって確認し、あるいは、半導体ウェーハ10の画像をCCDカメラなどで撮影し、得られた画像をコンピュータ上で画像処理して、切断ラインの位置を確認し、確認された切断ラインを基準位置として切断ラインに沿って半導体ウェーハ10を切断する。
【0036】
上記の半導体装置の製造方法においては、例えば図4に示すような回路パターンと、各パターンに接続するバンプ12を有し、各回路パターンの間の領域が切断ライン16となる半導体ウェーハ10に対して、樹脂被膜15を形成するが、図5(a)あるいは図5(b)に示すように、半導体ウェーハ10上の完全な回路パターンを有していない不要な部分となる領域中の切断ラインの一部を含む領域(例えば図5(a)および(b)に示すように、半導体ウェーハ上から4か所選択する)において、切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚となるまで樹脂被膜15を薄膜化して形成することにより、この薄膜領域16aにおいては、樹脂被膜の下層のパターンが透けて見えるため、切断ライン16の位置を確認することができ、X1 〜X6 およびY1 〜Y6 の各切断ラインに沿って半導体ウェーハ10を切断するときに、半導体ウェーハ10上の切り代となる切断ライン16に正確に位置を合わせて半導体ウェーハ10を切断することができる。
【0037】
第2実施形態
本実施形態にかかる半導体装置は、第1実施形態にかかる半導体装置と実質的に同一であり、説明を省略する。
【0038】
本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。まず、図6(a)に示すように、半導体ウェーハ10上に半導体チップの回路パターン(不図示)と、半導体チップ間の切断ライン(不図示)を形成する。ここで、半導体チップの完全な回路パターンが形成されている半導体ウェーハ10の中央部の領域を第1領域Aとし、完全な回路パターンを有しておらず、不要な領域となる半導体ウェーハ10の外周側の領域を第2領域Bとする。半導体チップ間の切断ラインは、第1領域Aから第2領域Bにわたって形成する。次に、少なくとも第1領域Aにおいて、半導体チップの回路パターンに接続するように、蒸着法あるいは転写法などにより、はんだあるいは金などからなるバンプ12aを形成する。
【0039】
次に、図6(b)に示すように、第1金型30の上に上記の半導体ウェーハを戴置し、その上に樹脂タブレット15aを戴置する。その上方から第2金型31を押しつけ、タブレット状の樹脂を溶融し、第1領域Aにおいてバンプ12aの間隙部を封止しながら再固化させ、半導体ウェーハ10のバンプ12a形成面上に樹脂被膜15を形成する。ここで、上記の半導体ウェーハ10の第1領域Aにおいてはバンプ12aを完全に埋める膜厚で、第2領域Bの少なくとも切断ラインの一部を含む領域においては、切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚となるような第1金型30および第2金型31の対を用いることで、図6(c)に示すように、第2領域Bの一部である薄膜領域16aにおける樹脂被膜15の膜厚を20〜30μmとすることができ、樹脂被膜の下層のパターンが透けて見えるために、切断ラインの一部の位置を確認することができる。
【0040】
次に、図7(d)に示すように、第1領域Aにおいて、少なくともバンプ12aの一部を露出させるまで樹脂被膜15を研削して薄膜化する.
【0041】
次に、図7(e)に示すように、第1領域Aにおいて、バンプ12aに接続させてはんだボール12bを転写する。バンプ12aとはんだボール12bとから、バンプ12が構成されている。
【0042】
次に、図7(f)に示すように、第1領域Aおよび第2領域Bにおいて半導体ウェーハ10上に形成された半導体チップの回路パターンの間の領域であり、半導体ウェーハ10の切り代となる領域である切断ラインに沿って、半導体ウェーハ10を切断し(ダイシング工程)、個々に切断された半導体チップ10aを有するCSP形態の各半導体装置1と、半導体ウェーハ10の外周部分であり、完全な回路パターンを有していない不要な部分3とに分割する。ここで、切断ラインに沿って半導体ウェーハ10を切断するにあたっては、第2領域B中に形成された薄膜領域16aにおいて、薄い樹脂被膜15を通して透けて見える下層のパターンから切断ラインの位置を確認し、あるいは、半導体ウェーハ10の画像をCCDカメラなどで撮影し、得られた画像をコンピュータ上で画像処理して、確認された切断ラインを基準位置として切断ラインに沿って半導体ウェーハ10を切断する。
【0043】
上記の半導体装置の製造方法においては、第1実施形態と同様に、上記の薄膜領域16aにおいて、樹脂被膜の下層のパターンが透けて見えるため、切断ライン16の位置を確認することができ、X1 〜X6 およびY1 〜Y6 の各切断ラインに沿って半導体ウェーハ10を切断するときに、半導体ウェーハ10上の切り代となる切断ライン16に正確に位置を合わせて半導体ウェーハ10を切断することができる。金型を用いて形成する薄膜領域としては、図5(a)あるいは図5(b)に示すようなパターンとすることができる。
【0044】
本発明の半導体装置としては、MOSトランジスタ系半導体装置、バイポーラ系半導体装置、BiCMOS系半導体装置、ロジックとメモリを搭載した半導体装置など、半導体装置であれば何にでも適用可能である。
【0045】
本発明の半導体装置は上記の実施の形態に限定されない。例えば、第2領域において、切断ラインが確認できるように樹脂被膜を薄膜化する際に、薄膜領域においては樹脂被膜を完全に除去してしまってもかまわない。樹脂被膜は最初からバンプの一部が露出する膜厚で形成することも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【0046】
【発明の効果】
上記のように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、第1領域においてはバンプの間隙部を封止しながら所定の膜厚で、第2領域の少なくとも切断ラインの一部を含む領域においては切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚で、半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成するので、後工程で半導体ウェーハを切断するときに、第2領域の少なくとも切断ラインの一部を含む領域において切断ラインの位置を確認することが可能であり、半導体ウェーハ上の切り代となる切断ラインに正確に位置を合わせて半導体ウェーハを切断することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は第1実施形態にかかる半導体装置と、その実装基板への実装方法を説明する断面図であり、(a)は実装基板への半導体装置のマウント工程まで、(b)はリフロー工程までをそれぞれ示す。
【図2】図2は第1実施形態にかかる半導体装置の製造方法の製造工程を示す断面図であり、(a)はバンプの形成工程まで、(b)は樹脂被膜の形成工程まで、(c)は第2領域の一部における樹脂被膜の薄膜化工程までを示す。
【図3】図3は図2の続きの工程を示し、(d)は第1領域における樹脂被膜の薄膜化工程まで、(e)はバンプへのはんだボールの転写工程まで、(f)は切断ラインに沿って半導体ウェーハを切断する工程までを示す。
【図4】図4は第1実施形態にかかる半導体装置の製造方法の製造工程のバンプの形成工程後の半導体ウェーハの斜視図である。
【図5】図5は第1実施形態にかかる半導体装置の製造方法の製造工程の第2領域の一部に薄膜領域を形成する工程後の半導体ウェーハの斜視図である。
【図6】図6は第2実施形態にかかる半導体装置の製造方法の製造工程を示す断面図であり、(a)はバンプの形成工程まで、(b)は金型への半導体ウェーハの戴置工程まで、(c)は樹脂被膜の形成工程までを示す。
【図7】図7は図6の続きの工程を示し、(d)は第1領域における樹脂被膜の薄膜化工程まで、(e)はバンプへのはんだボールの転写工程まで、(f)は切断ラインに沿って半導体ウェーハを切断する工程までを示す。
【図8】図8は第1従来例にかかる半導体装置と、その実装基板への実装方法を説明する断面図であり、(a)は実装基板への半導体装置のマウント工程まで、(b)はリフロー工程までをそれぞれ示す。
【図9】図9は第2従来例にかかる半導体装置と、その実装基板への実装方法を説明する断面図であり、(a)は実装基板への半導体装置のマウント工程まで、(b)はリフロー工程までをそれぞれ示す。
【図10】図10は第2従来例にかかる半導体装置の製造方法の製造工程を示す断面図であり、(a)はバンプの形成工程まで、(b)は樹脂被膜の形成工程までを示す。
【図11】図11は図10の続きの工程を示し、(c)は樹脂被膜の薄膜化工程まで、(d)はバンプへのはんだボールの転写工程まで、(e)は切断ラインに沿って半導体ウェーハを切断する工程までを示す。
【図12】図12は第2従来例にかかる半導体装置の製造方法の製造工程における(a)はバンプの形成工程後、(b)は樹脂被膜形成後の半導体ウェーハの斜視図である。
【符号の説明】
1,100…半導体装置、2…実装基板、3…不要な部分、10…半導体ウェーハ、10a…半導体チップ、11…ベースボード(インタポーザ)、12,12a…バンプ、12b…はんだボール、13…封止樹脂、14…バンプ、15…樹脂被膜、15a…樹脂タブレット、16…切断ライン、16a…薄膜領域、20…基板、21…ランド(電極)、30…第1金型、31…第2金型。
Claims (7)
- 表面にバンプを有する半導体チップのバンプ形成面上において、前記バンプの間隙部が樹脂で封止されたパッケージ形態の半導体装置の製造方法であって、
半導体ウェーハの中央部の領域を第1領域とし、前記半導体ウェーハの外周側の領域を第2領域として、少なくとも前記第1領域において複数個の前記半導体チップの回路パターンを形成し、前記第1領域と前記第2領域にわたって前記半導体チップ間の切断ラインを形成する工程と、
前記半導体ウェーハ上に、少なくとも前記第1領域において、前記半導体チップの回路パターンに接続するようにバンプを形成する工程と、
前記第1領域においては前記バンプの間隙部を封止しながら所定の膜厚で、前記第2領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域においては前記切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚で、前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程と、
前記第2領域の前記切断ラインの一部を含む領域において確認される切断ラインを基準位置とし、前記切断ラインに沿って前記半導体ウェーハを切断する工程と
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程が、
前記第1領域および前記第2領域において所定の膜厚で樹脂被膜を形成する工程と、
前記第2領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域において前記切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚となるまで前記樹脂被膜を薄膜化する工程と
を含む請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1領域および前記第2領域において所定の膜厚で樹脂被膜を形成する工程においては、前記半導体ウェーハを溶融樹脂中に浸漬して前記樹脂被膜を形成する
請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程においては、前記第1領域においては所定の膜厚となり、前記第2領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域においては前記切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚となるような型を用いて前記樹脂被膜を形成する
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程においては、前記第2領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域において膜厚が30μm以下となるように前記樹脂被膜を形成する
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程においては、前記第1領域において前記バンプを完全に埋める膜厚で前記樹脂被膜を形成し、
前記半導体ウェーハを切断する工程の前に、前記第1領域において、少なくとも前記バンプの一部を露出させるまで前記樹脂被膜を薄膜化する工程をさらに有する
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体ウェーハを切断する工程においては、前記半導体ウェーハの画像を撮影し、コンピュータ上で画像処理して前記切断ラインの位置を確認する
請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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