JP3943272B2

JP3943272B2 - カーボンナノチューブのフイルム化方法

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Publication number: JP3943272B2
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Inventors: 利行坪井
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Filing date: 1999-01-18
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上にカーボンナノチューブの被膜を形成するカーボンナノチューブのフイルム化方法、その方法によりフィルム化されたカーボンナノチューブ及びこれを用いた電界電子放出源に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電界電子放出源は、熱エネルギを利用する電子源（熱電子放出源）に比べ、省エネルギで長寿命化が可能など、優れた点が多い。現在、このような電界電子放出源の材料としては、タングステン、シリコン、モリブデン等が知られている。
【０００３】
電界電子放出源は、その先端に電界を集中させるため、鋭利な先端を持たなければならない。しかしながら、タングステン等の金属材料の先端を鋭利に加工することは容易ではない。また、使用中に電界電子放出源の先端の鋭利さを保つためには、電子管内を１０^−８Ｔｏｒｒ台以上の高真空にする必要もある。このように、金属材料を用いた電界電子放出源は、その製造が非常に困難であるとともに、その後の電子管の製造も困難にする。
【０００４】
最近、上記の様な欠点を持たない電界電子放出源の材料として、カーボンナノチューブが注目されている。カーボンナノチューブは、それ自体が電界を集中させるのに充分な鋭利さを持ち、化学的に安定で、機械的にも強靱であるという特徴を持つため、電界電子放出源として非常に有望視されている。
【０００５】
カーボンナノチューブは、多層カーボンナノチューブ（ＭＷＮＴ）と単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）とに大別できる。多層カーボンナノチューブは、その名の通り、２層以上の同心円筒からなり、その先端は閉じている。また、単層カーボンナノチューブは、１層の円筒からなり、その先端は開口している。このうち、電界電子放出源としては、主に多層カーボンナノチューブが用いられる。
【０００６】
多層カーボンナノチューブは、一対の純粋炭素電極を用いて、ガス雰囲気下で直流アーク放電を行えば得ることができる。即ち、アーク放電により陽極炭素電極が蒸発して、煤と陰極堆積物となるが、多層カーボンナノチューブは、その陰極堆積物中に含まれている。
【０００７】
得られた多層カーボンナノチューブは、分離精製することなくエポキシ樹脂で固めたものが、良好な電界電子放出源になり得ることがコリンズ等によって報告されている（P.G.Collins等、Appl.Phys.Lett69(13)23,Sep.(1996).,p1969）。
しかしながら、分離精製を行って、その先端を開口させた多層カーボンナノチューブのほうが、電界電子放出源としては、しきい値が低い、電流密度が大きいなどの有利な結果が得られることがスモーリー等によって確認されている（Smally等、Sciepce vol.269,1550(1995)）。分離精製の方法は、以下のようにして行われる。
【０００８】
まず、粗多層カーボンナノチューブを、すり鉢で粉砕する。次に、粉砕した粗多層カーボンナノチューブをエタノールで分散させ、超音波をかける。そして、粗多層カーボンナノチューブを分散させた工タノールを濾過し、濾過液を乾燥させる。現出した物質を篩に掛け、篩を通過したものだけ石英ガラス上でバーナにより加熱燃焼させる。
【０００９】
以上のようにして分離精製された多層カーボンナノチューブは、純度が高められるだけでなく、その先端が開口しており、電界電子放出源として良好な特性を示す。
【００１０】
また、多層カーボンナノチューブを電界電子放出源として利用するには、多層カーボンナノチューブをフィルム化することが好ましく、その方法は、スイスの原子クラスター研究者、ド・ヘール等によって開発されている（SCIENCE 268(1995)845）。その方法は、分離、精製した多層カーボンナノチューブを０．２μｍ径の多孔セラミックフィルタに通し、それをテフロンやアルミホイルに転写するというものである。そして、このようにして得られたフィルム化された多層カーボンナノチューブを用いて、電界電子放出評価を行なった結果が、SICENCE 270(1995)1179に報告されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
多層カーボンナノチューブの回収率は、原料の消費量に対して十数パーセントにしかならない。また、多層カーボンナノチューブの分離精製は、手間がかかる。したがって、多層カーボンナノチューブを用いた電界電子放出源は、コストがかかり、量産には向かないという問題がある。
【００１２】
また、ド・ヘール等によるカーボンナノチューブのフィルム化方法は、単層ナノチューブが、多層ナノチューブとは異なり、柔軟性に富んでおり、互いに絡みやすく束になりやすいという特徴を有するために、セラミックフィルタの小孔に捕らえられず、転写が困難であるという理由により、単層ナノチューブのフィルム化には利用できないという問題もある。
また、種々の用途の電界電子放出源を形成するためには、用途に応じた所定パターンのフィルム化が必要であるが、カーボンナノチューブを所定パターンにフィルム化することが困難という問題がある。
【００１３】
本発明は、カーボンナノチューブの分離精製の手間を省き、所定パターンに形成された安価な電界電子放出源を提供できるカーボンナノチューブのフィルム化方法を提供することを課題とする。
【００１４】
また、本発明は、単層カーボンナノチューブを所定パターンにフイルム化するに適したカーボンナノチューブのフィルム化方法を提供することを課題とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、粗カーボンナノチューブを溶媒中に分散させた溶液の前記溶媒を蒸発させることにより、前記溶液中に配設され所定パターンの露出部を有する基板の前記露出部上にカーボンナノチューブを堆積させることを特徴とするカーボンナノチューブのフィルム化方法が得られる。
【００１６】
ここで、前記粗カーボンナノチューブを前記溶媒中に分散させた後沈殿物を除去して得られる上澄みを用いて、前記基板の露出部上にカーボンナノチューブを堆積させるようにすることが好ましい。あるいは、前記粗カーボンナノチューブを前記溶媒に分散させた溶液または前記上澄みを濾過して得られた濾液を用いて、前記基板の露出部上にカーボンナノチューブを堆積させるようにすることもできる。
【００１７】
また、前記粗カーボンナノチューブを粉砕処理した後前記溶媒中に分散させた溶液を用いるようにしてもよい。
【００１８】
また、本発明によれば、粗カーボンナノチューブを溶媒中に分散させることにより溶液を得、散布手段により、所定パターンの露出部を有する基板の前記露出部上に前記溶液を散布し、前記溶媒を蒸発させることにより前記基板の露出部上にカーボンナノチューブを堆積させることを特徴とするカーボンナノチューブのフィルム化方法が得られる。
前記溶液の散布及び溶媒の蒸発を複数回繰り返して行うようにしてもよい。
【００１９】
ここで、前記溶液は、前記粗カーボンナノチューブを前記溶媒中に分散させた後、沈殿物を除去して得られる上澄みであることが好ましい。あるいは、前記溶液は、前記粗カーボンナノチューブを溶媒に分散させた溶液または前記上澄みを濾過して得られた濾液を使用してもよい。
【００２０】
また、前記溶液は、前記粗カーボンナノチューブを粉砕処理した後、前記溶媒中に分散させることにより得られる溶液を使用してもよい。
尚、前記基板としては、金属板や炭素シートなどの導電板が使用できる。
【００２１】
上記方法により得られたフィルム化されたカーボンナノチューブは、電界電子放出源として利用できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００２３】
はじめに、一般的な単層カーボンナノチューブの製造方法について説明する。単層カーボンナノチューブを製造する場合にも、多層カーボンナノチューブを製造する場合と同様、一対の炭素電極を用い、ガス雰囲気下で直流アーク放電を行う。ただし、単層カーボンナノチューブを製造する場合は、多層カーボンナノチューブを製造する場合と異なり、陽極電極として、触媒となり得るニッケル、イットリウムなどの金属が添加された炭素電極を用いる。このようなアーク放電により、煤と、陰極堆積物が生成するが、単層カーボンナノチューブは、煤中に存在する。
【００２４】
発明者等は、先に、特願平１０−８２４０９号において、粗単層カーボンナノチューブの回収率を飛躍的に向上させる製造方法を提案した。この方法によれば、従来の方法よりも、また、多層カーボンナノチューブを製造するよりも、安価に大量の単層カーボンナノチューブを得ることができる。したがって、単層カーボンナノチューブを電界電子放出源として利用することができれば、カーボンナノチューブを用いた電界電子放出源を、安価に提供することができるはずである。
【００２５】
そこで、発明者等は、未処理の粗単層カーボンナノチューブを用いて、電界電子放出実験を行った結果、未処理の粗単層カーボンナノチューブを用いて電界電子放出が生じることを確認した。その結果を図１に示す。
【００２６】
図１のＩ−Ｖ特性に示すように、印加電圧が５００Ｖを超えるあたりから、電流が検出され、また、ＦＮプロットが、負の傾きを有する直線であることから、電界電子放出が生じていることは明らかである。
【００２７】
しかしながら、未処理の粗単層カーボンナノチューブは、そのままでは扱いにくく、また、特性的に多層カーボンナノチューブを用いた電界電子放出源に対抗できないので、処理及び基板への堆積（フィルム化）を行うこととした。尚、単層カーボンナノチューブは、基板に密着させないと、電圧を印加したときに、対極板に引き寄せられ、特性の変化や短絡の原因となる。
【００２８】
粗単層カーボンナノチューブの処理及び基板への堆積方法を概略説明すると、先ず、ビーカ等の容器を用意し、その内底に金属板または炭素シート等の導電性の基板（導電板）をセットする。そこへ、粗単層カーボンナノチューブと溶媒、例えば、アセトンを入れる。そして、容器に超音波をかけた後、ドラフトチャンバ内で溶媒を自然蒸発させる。すると、基板の表面に粗単層カーボンナノチューブが、均一に密着、堆積する。尚、以上のようにして得られた、フィルム化したカーボンナノチューブは、例えば、基板の裏側から指ではじくような、強い振動を与えても脱落しない程度に、強固に密着していた。
【００２９】
次に、基板上に、所定パターンにフィルム化されたカーボンナノチューブを形成する方法を詳細に説明する。
図２は、所定パターンにフィルム化されたカーボンナノチューブを基板上に作製する方法に係る実施の形態を示す図である。
【００３０】
図２において、２１は容器であるビーカ、２２は、別途粗カーボンナノチューブをアセトン等の溶媒に分散、静止せた後に得られたカーボンナノチューブが分散した溶液、２３は銅等の導電性の基板（導電板）、２４は基板２３に被着したマスク部としての粘着テープである。基板２３上面の一部が粘着テープ２４に覆われることにより、基板２３の上面には、所定パターンの露出部２５が形成されている。
【００３１】
所定パターンのフィルム化されたカーボンナノチューブを作製する場合には、先ず、ビーカ２１の内底に、粘着テープ２４が所定パターンに被着された基板２３をセットする。一方、カーボンナノチューブが分散した上澄み液を作るべく、別途用意されたビーカ（図示せず）に粗カーボンナノチューブと溶媒、例えばアセトンを入れ、前記ビーカに超音波をかけた後、１０分間程度静止してその上澄み液を回収する。そして、得られた上澄み液の溶液２２をビーカ２１に移し替え、例えば、ドラフトチャンバ内で溶液２２の溶媒を自然蒸発させる。すると、基板２３及び粘着テープ２４の表面に粗単層カーボンナノチューブが、均一に密着、堆積する。その後、粘着テープ２４を剥離し除去することにより、露出部２５にのみフィルム化されたカーボンナノチューブが形成される。
【００３２】
露出部２５のパターンを記号や文字等の種々の形状に形成することにより、記号や文字等の種々の所定パターンのフィルム化されたカーボンナノチューブを形成することが可能になる。尚、カーボンナノチューブフィルムを所定パターンに形成することが可能であるため、電界電子放出源として利用する場合に、基板２３の導電パターンを所定形状に加工する必要が無く、ベタ状の電極を使用することが可能になる。
【００３３】
図３は、所定パターンにフィルム化されたカーボンナノチューブを基板上に作製する方法に係る他の実施の形態を示す図である。
図３において、３１は銅等の導電性の基板（導電板）、３３はセラミック等によって形成されたマスク部である。マスク部３３には、所定パターンの貫通孔３４（図３では９個の四角形状の貫通孔）が形成されている。
【００３４】
所定パターンのフィルム化されたカーボンナノチューブを作製する場合には、先ず、基板３１上にマスク部３３を重ね、これをビーカ（図示せず）の内底にセットする。このとき、貫通孔３４に対応する基板３１の上面部分は、マスク部３３で覆われず、破線で示すように９個の四角形状の露出部３２が形成される。
【００３５】
そこへ、別途、粗単層カーボンナノチューブと溶媒（図示せず）、例えば、アセトンをビーカ（図示せず）に入れて超音波をかけた後に静止して得られた上澄み液を、基板３１及びマスク部が配設されたビーカ内に注ぎ込んで自然蒸発させる。すると、基板３１の露出部３２及びマスク部３３の表面に粗単層カーボンナノチューブが、均一に密着、堆積する。その後、マスク部３３を除去することにより、基板３１の露出部３２にのみフィルム化されたカーボンナノチューブが得られる。
【００３６】
貫通孔３４のパターンを記号や文字等の種々の形状に形成することにより、記号や文字等の種々の所定パターンのフィルム化されたカーボンナノチューブを形成することが可能になる。また、微細な貫通孔３４を規則正しく配置することにより、点状で規則正しく配列した、規格の揃ったカーボンナノチューブ（電界電子放出源）を得ることが可能になる。尚、カーボンナノチューブフィルムを所定パターンに形成することが可能であるため、電界電子放出源として利用する場合に、基板３１の導電パターンを所定形状に加工する必要が無く、ベタ状の電極を使用することが可能になる。
【００３７】
前述した各実施の形態に係る方法は、非常に簡易であり、大量生産に向いている。また、この方法は、一度粗単層カーボンナノチューブの固まりをほぐした（溶媒中に分散させた）後、基板上で再び固まりとしているので、ロット内の均一性が確保される。よって、スケールアップに有利である。
【００３８】
尚、粗単層カーボンナノチューブは、予め、すり鉢やミキサで粉砕（数十秒から数分程度）してから上記処理、堆積の工程を行うようにしてもよい。また、容器に超音波をかけて、粗単層カーボンナノチューブを溶媒中に分散させた後、沈殿物を取り除いてから、上澄みの溶媒を自然蒸発させるようにしてもよい。このようにすることで、単層カーボンナノチューブの先端部分が表面に現れ易くなり、しきい値電圧を下げ、大きな電流密度を得ることができる。
【００３９】
あるいは、単に粗カーボンナノチューブの分散した上澄み液を用いるのではなく、これを濾過し、粗単層カーボンナノチューブを分散させた溶液から沈殿物を取り除いた濾液を用いて、基板への堆積を行なうようにしてもよい。この際、適切な穴径の濾過フィルタを用いることにより、濾液に含まれる単層カーボンナノチューブの純度を高めることができる。
【００４０】
また、上記方法を用いると、高純度の粗単層カーボンナノチューブは、ビーカの側面へほとんど付着することなく、基板に密着して堆積する。これに対し、低純度の粗単層カーボンナノチューブは、ビーカの側面に付着し易く、基板への密着性も弱く崩れ易い。このことから、上記方法は、粗単層カーボンナノチューブの純度を検査することなく、その純度を知ることができ、製品の品質検査を容易にするという効果も有る。
【００４１】
前記各実施の形態により得られる、単層カーボンナノチューブを表面に堆積させた導電性の基板（フィルム化されたカーボンナノチューブ）は、２極管や３極管（発光デバイス）等の電子管のカソード、即ち電界電子放出源として利用することができる。特に、フラットディスプレイパネルに用いられる表示管の電界電子放出源として期待される。しかしながら、その用途はこれらに限られるものではない。
【００４２】
尚、上記各実施の形態では、単層カーボンナノチューブを導電性の基板に堆積させたが、多層カーボンナノチューブを堆積させる方法、あるいは、絶縁基板上に単層または多層カーボンナノチューブを堆積させる方法としても利用できることは言うまでもない。ここで、分離精製された多層カーボンナノチューブを基板に堆積させた場合、単層カーボンナノチューブの場合と同様に基板に密着することが発明者等により確認されている。また、基板の両面に単層または多層カーボンナノチューブを堆積させる方法としても利用できる。これらの方法により得られるフィルム化されたカーボンナノチューブは、水素の貯蔵や、電池の電極としての利用が考えられる。
【００４３】
また、上記各実施の形態では、溶媒として、アセトンを例示したが、ジエチルエーテルや、水、エタノール等の液体が使用できる。
また、金属基板としては、銅、銀、ニッケル、あるいは、チタン等が使用できる。
【００４４】
さらにまた、上記各実施の形態では、溶媒を自然乾燥させるものとしたが、溶媒を加熱したり、減圧雰囲気下に置いたりすることにより、急速乾燥させても同様の結果が得られる。また、溶媒を完全に蒸発させずに、蒸発途中で基板を溶液中から引き上げ、その後、基板を乾燥させるようにしてもよい。
【００４５】
尚、上記各実施の形態では、ビーカ等の容器中に溶液及び基板を配設した状態で、前記基板上にカーボンナノチューブを堆積させるようにしたが、スポイトあるいはディスペンサ等の散布手段を用いて、露出部を形成した基板の露出部に粗カーボンナノチューブを溶媒中に分散させた溶液を滴下することにより散布し、前記溶媒を蒸発させるようにしてフィルム化する方法であってもよい。
【００４６】
即ち、粗カーボンナノチューブをアセトン等の溶媒中に分散させて超音波をかけることにより溶液を得、図２及び図３と同じようにマスク部を基板に重ねることにより、前記基板に所定パターンの露出部を形成し、前記露出部上にスポイトあるいはディスペンサ等の散布手段を用いて前記溶液を散布した後、前記溶媒を蒸発させ、その後、前記マスク部を除去することにより前記基板の露出部上にカーボンナノチューブを堆積させるようにして、フィルム化することもできる。
【００４７】
この方法では、ほぼ基板の露出部にのみカーボンナノチューブを堆積することができるため、マスク部上に堆積するカーボンナノチューブを最小化でき、カーボンナノチューブ等の材料の有効利用を図ることができる。また、基板の露出部分に、滴下することにより散布するカーボンナノチューブの量を調整すれば、カーボンナノチューブ層の膜厚制御が可能になるという利点もある。
この場合、カーボンナノチューブを含む溶液の散布、溶媒の蒸発という工程を繰り返すことにより、カーボンナノチューブ層を所望の厚さに形成するようにしてもよい。
また、マスク部の厚みを適宜変更することにより、所望の厚さのカーボンナノチューブを形成するようにしてもよい。
これにより、例えば、電界電子放出源に用いる場合に、電子放出に最適な厚さのカーボンナノチューブ層を形成することが可能になる。
【００４８】
前記溶液は、前記の如くして粗カーボンナノチューブを溶媒中に分散させることにより得られる各種溶液や、前記溶液を濃縮して得られる溶液を使用することができる。例えば、前述したように、前記粗カーボンナノチューブを前記溶媒中に分散させた後、沈殿物を除去して得られる上澄み液、または、前記粗カーボンナノチューブを溶媒中に分散させた溶液または前記上澄みを濾過して得られた濾液が使用できるだけでなく、前記粗カーボンナノチューブを粉砕処理した後、前記溶媒中に分散させることにより得られる溶液等も使用することができる。
【００４９】
【実施例】
以下、実際に単層カーボンナノチューブを用いる電界電子放出源を作製し、その特性等を測定した結果を示す。
【００５０】
電界電子放出源の作製は、次のように行った。まず、１００ｍｌのビーカを用意し、粗単層カーボンナノチューブを５０ｍｇとアセトンを１００ｃｃ入れる。そして、ビーカに超音波(１００Ｗ、２０分)をかけ、粗単層カーボンナノチューブをアセトン中に分散させる。上澄みと沈殿物とを分離し、４０×４０×０．３ｍｍの銅板を底にセットした２つのビーカに、それぞれ上澄みと沈殿物を入れ、ドラフトチャンバ内に静置してアセトンを自然蒸発させる。これにより、表面に粗単層カーボンナノチューブを堆積させた銅板が得られる。
【００５１】
この後、得られた銅板を５ｍｍ角に切り取り、図４に示すような２極管構造物のカソードとした。即ち、粗単層カーボンナノチューブ４１を堆積させた銅板４２を、スペーサ４３を介してアノード電極４４に対向させ、アノード電極４４と銅板４２との間に電源４５から電圧を印加するようにした。
【００５２】
評価は、この２極管構造物を評価用チャンバ内に導入し、前記チャンバ内部を真空にして行った。このときの背圧は、２×１０^−７Ｔｏｒｒ以下とした。尚、使用した粗単層カーボンナノチューブは、Ｎｉ及びＹの混合物を添加した一対の炭素電極を用いて、発明者等により提案された交流アーク放電（ＡＣ１８０Ａ、Ｈｅ圧：５００Ｔｏｒｒ）により得たものを用いた。測定の結果を図５に示す。
【００５３】
図５の結果から、沈殿物には、触媒金属や、アモルファス状の炭素等の不純物が多く含まれており、電子放出の効率が非常に悪く、上澄みは、不純物が少ないので、効率よく電子放出が行われていることが分かる。そこで、以下では、上澄みのみを用いて、上述した方法で電界電子放出源を作製し、その特性を測定した。
【００５４】
図６に、粗単層カーボンナノチューブとして、従来の直流アーク放電（陽極に、Ｎｉ及びＹを添加した炭素電極を用い、ＤＣ１５０Ａの電流を流した）により得たものを用いた場合の測定結果を示す。
【００５５】
図６のＩ−Ｖ特性から明らかなように、印加電圧が２００Ｖを超えると、電流が流れ始める。また、図６のＦＮプロットは、傾きが負のほぼ直線となっている。これらのことから、単層カーボンナノチューブを電界電子放出源として利用できることが分かる。
【００５６】
また、図７には、単層カーボンナノチューブ（交流アーク放電（ＡＣ１８０Ａ、Ｈｅ圧：５００Ｔｏｒｒ）により得たもの）を用いた電界電子放出源の電流時間変化を測定した結果を示す。
【００５７】
図７から明らかな通り、単層カーボンナノチューブは、電界電子放出源として、長時間安定した特性を示す。
【００５８】
また、図８に示す３極構造物を作製し、チャンバ内で電圧を印可したところ、蛍光体を発光させることができた。即ち、単層カーボンナノチューブ８１を堆積させた銅板８２をスペーサ８３を介して金属メッシュであるグリッド電極８４に対向させ、さらに、ガラス板８５に金属メッシュであるアノード電極８６を設けて、その表面に蛍光体８７を塗布した三極構造物に、電源８８からの電圧を印加するようにして、その蛍光体８７を発光させることができた。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、粗カーボンナノチューブが分散した溶液中に、所定パターンの露出部を有する基板を配設して溶媒を蒸発させ、カーボンナノチューブの層を前記基板の露出部上に堆積させるようにしたことで、容易に所定パターンのカーボンナノチューブのフィルム化が実現できる。
また、粗カーボンナノチューブを溶媒中に分散させた溶液を、散布手段により、所定パターンの露出部を有する基板の前記露出部上に散布し、前記溶媒を蒸発させることにより前記基板の露出部上にカーボンナノチューブを堆積させるようにしているので、容易に所定パターンのカーボンナノチューブのフィルム化が実現できると共に、材料の有効利用を図ることが可能になる。
【００６０】
また、本発明の方法により得られるフィルム化されたカーボンナノチューブを、電界電子放出源として利用するようにしたことで、所定パターンに形成された安価な電界電子放出源を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】未処理の粗単層カーボンナノチューブを用いた２極管構造物の特性を示すグラフである。
【図２】所定パターンに形成されフィルム化されたカーボンナノチューブの作製方法に係る本発明の実施の形態を示す図である。
【図３】所定パターンに形成されフィルム化されたカーボンナノチューブの作製方法に係る本発明の他の実施の形態を示す図である。
【図４】２極管構造物の構成を示す概略図である。
【図５】上澄みと沈殿物とを用い、本発明の製造方法により作製した電界電子放出源の特性を示すグラフである。
【図６】本発明により作製した電界電子放出源の特性を示すグラフである。
【図７】本発明により作製した電界電子放出源の放出電流の時間変化を示すグラフである。
【図８】３極管構造の構成を示す概略図である。
【符号の説明】
２１・・・容器としてのビーカ
２２・・・溶液
２３・・・基板
２４・・・マスク部としての粘着テープ
２５、３２・・・露出部
３３・・・マスク部
４１、８１・・・単層カーボンナノチューブ
４２、８２・・・銅板
４３、８３・・・スペーサ
４４、８６・・・アノード電極
４５、８８・・・電源
８４・・・グリッド電極
８５・・・ガラス板
８７・・・蛍光体

Claims

粗カーボンナノチューブを溶媒中に分散させた溶液の前記溶媒を蒸発させることにより、前記溶液中に配設され所定パターンの露出部を有する基板の前記露出部上にカーボンナノチューブを堆積させることを特徴とするカーボンナノチューブのフィルム化方法。
前記粗カーボンナノチューブを前記溶媒中に分散させた後沈殿物を除去して得られる上澄みを用いて、前記基板の露出部上にカーボンナノチューブを堆積させることを特徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブのフィルム化方法。
前記粗カーボンナノチューブを前記溶媒に分散させた溶液または前記上澄みを濾過して得られた濾液を用いて、前記基板の露出部上にカーボンナノチューブを堆積させることを特徴とする請求項１又は２記載のカーボンナノチューブのフィルム化方法。
前記粗カーボンナノチューブを粉砕処理した後前記溶媒中に分散させた溶液を用いて、前記基板の露出部上にカーボンナノチューブを堆積させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載のカーボンナノチューブのフィルム化方法。
粗カーボンナノチューブを溶媒中に分散させることにより溶液を得、散布手段により、所定パターンの露出部を有する基板の前記露出部上に前記溶液を散布し、前記溶媒を蒸発させることにより前記基板の露出部上にカーボンナノチューブを堆積させることを特徴とするカーボンナノチューブのフィルム化方法。
前記溶液の散布及び溶媒の蒸発を複数回繰り返して行うことを特徴とする請求項５記載のカーボンナノチューブのフィルム化方法。
前記溶液は、前記粗カーボンナノチューブを前記溶媒中に分散させた後、沈殿物を除去して得られる上澄みであることを特徴とする請求項５又は６記載のカーボンナノチューブのフィルム化方法。
前記溶液は、前記粗カーボンナノチューブを溶媒に分散させた溶液または前記上澄みを濾過して得られた濾液であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一に記載のカーボンナノチューブのフィルム化方法。
前記溶液は、前記粗カーボンナノチューブを粉砕処理した後、前記溶媒中に分散させることにより得られる溶液であることを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一に記載のカーボンナノチューブのフィルム化方法。
前記基板が、導電板であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一に記載のカーボンナノチューブのフィルム化方法。