JP2000203821A - カ―ボンナノチュ―ブのフイルム化方法、その方法によりフィルム化されたカ―ボンナノチュ―ブ及びこれを用いた電界電子放出源 - Google Patents
カ―ボンナノチュ―ブのフイルム化方法、その方法によりフィルム化されたカ―ボンナノチュ―ブ及びこれを用いた電界電子放出源Info
- Publication number
- JP2000203821A JP2000203821A JP869099A JP869099A JP2000203821A JP 2000203821 A JP2000203821 A JP 2000203821A JP 869099 A JP869099 A JP 869099A JP 869099 A JP869099 A JP 869099A JP 2000203821 A JP2000203821 A JP 2000203821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon nanotubes
- carbon nanotube
- solution
- solvent
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/842—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
に形成された安価な電界電子放出源を得るためのカーボ
ンナノチューブのフィルム化方法を提供すること。 【解決手段】 所定パターンに粘着テープ24が被着さ
れた銅板23を、粗単層カーボンナノチューブを分散さ
せた溶液22とともにビーカ21に入れ、溶液22を自
然蒸発させることにより、銅板23上に単層カーボンナ
ノチューブを堆積させる。単層カーボンナノチューブが
堆積した銅板23から粘着テープ24を剥離させること
により、銅板23上に所定パターンに密着堆積した単層
カーボンナノチューブが得られ、これを電子管の電子放
出源として用いる。
Description
ナノチューブの被膜を形成するカーボンナノチューブの
フイルム化方法、その方法によりフィルム化されたカー
ボンナノチューブ及びこれを用いた電界電子放出源に関
する。
る電子源(熱電子放出源)に比べ、省エネルギで長寿命
化が可能など、優れた点が多い。現在、このような電界
電子放出源の材料としては、タングステン、シリコン、
モリブデン等が知られている。
させるため、鋭利な先端を持たなければならない。しか
しながら、タングステン等の金属材料の先端を鋭利に加
工することは容易ではない。また、使用中に電界電子放
出源の先端の鋭利さを保つためには、電子管内を10
−8Torr台以上の高真空にする必要もある。このよ
うに、金属材料を用いた電界電子放出源は、その製造が
非常に困難であるとともに、その後の電子管の製造も困
難にする。
放出源の材料として、カーボンナノチューブが注目され
ている。カーボンナノチューブは、それ自体が電界を集
中させるのに充分な鋭利さを持ち、化学的に安定で、機
械的にも強靱であるという特徴を持つため、電界電子放
出源として非常に有望視されている。
ノチューブ(MWNT)と単層カーボンナノチューブ
(SWNT)とに大別できる。多層カーボンナノチュー
ブは、その名の通り、2層以上の同心円筒からなり、そ
の先端は閉じている。また、単層カーボンナノチューブ
は、1層の円筒からなり、その先端は開口している。こ
のうち、電界電子放出源としては、主に多層カーボンナ
ノチューブが用いられる。
炭素電極を用いて、ガス雰囲気下で直流アーク放電を行
えば得ることができる。即ち、アーク放電により陽極炭
素電極が蒸発して、煤と陰極堆積物となるが、多層カー
ボンナノチューブは、その陰極堆積物中に含まれてい
る。
離精製することなくエポキシ樹脂で固めたものが、良好
な電界電子放出源になり得ることがコリンズ等によって
報告されている(P.G.Collins等、Appl.Phys.Lett69(1
3)23,Sep.(1996).,p1969)。しかしながら、分離精製を
行って、その先端を開口させた多層カーボンナノチュー
ブのほうが、電界電子放出源としては、しきい値が低
い、電流密度が大きいなどの有利な結果が得られること
がスモーリー等によって確認されている(Smally等、Sc
iepce vol.269,1550(1995))。分離精製の方法は、以下
のようにして行われる。
り鉢で粉砕する。次に、粉砕した粗多層カーボンナノチ
ューブをエタノールで分散させ、超音波をかける。そし
て、粗多層カーボンナノチューブを分散させた工タノー
ルを濾過し、濾過液を乾燥させる。現出した物質を篩に
掛け、篩を通過したものだけ石英ガラス上でバーナによ
り加熱燃焼させる。
ボンナノチューブは、純度が高められるだけでなく、そ
の先端が開口しており、電界電子放出源として良好な特
性を示す。
子放出源として利用するには、多層カーボンナノチュー
ブをフィルム化することが好ましく、その方法は、スイ
スの原子クラスター研究者、ド・ヘール等によって開発
されている(SCIENCE 268(1995)845)。その方法は、分
離、精製した多層カーボンナノチューブを0.2μm径
の多孔セラミックフィルタに通し、それをテフロンやア
ルミホイルに転写するというものである。そして、この
ようにして得られたフィルム化された多層カーボンナノ
チューブを用いて、電界電子放出評価を行なった結果
が、SICENCE 270(1995)1179に報告されている。
ーブの回収率は、原料の消費量に対して十数パーセント
にしかならない。また、多層カーボンナノチューブの分
離精製は、手間がかかる。したがって、多層カーボンナ
ノチューブを用いた電界電子放出源は、コストがかか
り、量産には向かないという問題がある。
ューブのフィルム化方法は、単層ナノチューブが、多層
ナノチューブとは異なり、柔軟性に富んでおり、互いに
絡みやすく束になりやすいという特徴を有するために、
セラミックフィルタの小孔に捕らえられず、転写が困難
であるという理由により、単層ナノチューブのフィルム
化には利用できないという問題もある。また、種々の用
途の電界電子放出源を形成するためには、用途に応じた
所定パターンのフィルム化が必要であるが、カーボンナ
ノチューブを所定パターンにフィルム化することが困難
という問題がある。
製の手間を省き、所定パターンに形成された安価な電界
電子放出源を提供できるカーボンナノチューブのフィル
ム化方法を提供することを課題とする。
ブを所定パターンにフイルム化するに適したカーボンナ
ノチューブのフィルム化方法を提供することを課題とす
る。
ボンナノチューブを溶媒中に分散させた溶液の前記溶媒
を蒸発させることにより、前記溶液中に配設され所定パ
ターンの露出部を有する基板の前記露出部上にカーボン
ナノチューブを堆積させることを特徴とするカーボンナ
ノチューブのフィルム化方法が得られる。
記溶媒中に分散させた後沈殿物を除去して得られる上澄
みを用いて、前記基板の露出部上にカーボンナノチュー
ブを堆積させるようにすることが好ましい。あるいは、
前記粗カーボンナノチューブを前記溶媒に分散させた溶
液または前記上澄みを濾過して得られた濾液を用いて、
前記基板の露出部上にカーボンナノチューブを堆積させ
るようにすることもできる。
処理した後前記溶媒中に分散させた溶液を用いるように
してもよい。
ューブを溶媒中に分散させることにより溶液を得、散布
手段により、所定パターンの露出部を有する基板の前記
露出部上に前記溶液を散布し、前記溶媒を蒸発させるこ
とにより前記基板の露出部上にカーボンナノチューブを
堆積させることを特徴とするカーボンナノチューブのフ
ィルム化方法が得られる。前記溶液の散布及び溶媒の蒸
発を複数回繰り返して行うようにしてもよい。
チューブを前記溶媒中に分散させた後、沈殿物を除去し
て得られる上澄みであることが好ましい。あるいは、前
記溶液は、前記粗カーボンナノチューブを溶媒に分散さ
せた溶液または前記上澄みを濾過して得られた濾液を使
用してもよい。
ューブを粉砕処理した後、前記溶媒中に分散させること
により得られる溶液を使用してもよい。尚、前記基板と
しては、金属板や炭素シートなどの導電板が使用でき
る。
カーボンナノチューブは、電界電子放出源として利用で
きる。
施の形態について説明する。
ーブの製造方法について説明する。単層カーボンナノチ
ューブを製造する場合にも、多層カーボンナノチューブ
を製造する場合と同様、一対の炭素電極を用い、ガス雰
囲気下で直流アーク放電を行う。ただし、単層カーボン
ナノチューブを製造する場合は、多層カーボンナノチュ
ーブを製造する場合と異なり、陽極電極として、触媒と
なり得るニッケル、イットリウムなどの金属が添加され
た炭素電極を用いる。このようなアーク放電により、煤
と、陰極堆積物が生成するが、単層カーボンナノチュー
ブは、煤中に存在する。
9号において、粗単層カーボンナノチューブの回収率を
飛躍的に向上させる製造方法を提案した。この方法によ
れば、従来の方法よりも、また、多層カーボンナノチュ
ーブを製造するよりも、安価に大量の単層カーボンナノ
チューブを得ることができる。したがって、単層カーボ
ンナノチューブを電界電子放出源として利用することが
できれば、カーボンナノチューブを用いた電界電子放出
源を、安価に提供することができるはずである。
ボンナノチューブを用いて、電界電子放出実験を行った
結果、未処理の粗単層カーボンナノチューブを用いて電
界電子放出が生じることを確認した。その結果を図1に
示す。
が500Vを超えるあたりから、電流が検出され、ま
た、FNプロットが、負の傾きを有する直線であること
から、電界電子放出が生じていることは明らかである。
ノチューブは、そのままでは扱いにくく、また、特性的
に多層カーボンナノチューブを用いた電界電子放出源に
対抗できないので、処理及び基板への堆積(フィルム
化)を行うこととした。尚、単層カーボンナノチューブ
は、基板に密着させないと、電圧を印加したときに、対
極板に引き寄せられ、特性の変化や短絡の原因となる。
板への堆積方法を概略説明すると、先ず、ビーカ等の容
器を用意し、その内底に金属板または炭素シート等の導
電性の基板(導電板)をセットする。そこへ、粗単層カ
ーボンナノチューブと溶媒、例えば、アセトンを入れ
る。そして、容器に超音波をかけた後、ドラフトチャン
バ内で溶媒を自然蒸発させる。すると、基板の表面に粗
単層カーボンナノチューブが、均一に密着、堆積する。
尚、以上のようにして得られた、フィルム化したカーボ
ンナノチューブは、例えば、基板の裏側から指ではじく
ような、強い振動を与えても脱落しない程度に、強固に
密着していた。
化されたカーボンナノチューブを形成する方法を詳細に
説明する。図2は、所定パターンにフィルム化されたカ
ーボンナノチューブを基板上に作製する方法に係る実施
の形態を示す図である。
22は、別途粗カーボンナノチューブをアセトン等の溶
媒に分散、静止せた後に得られたカーボンナノチューブ
が分散した溶液、23は銅等の導電性の基板(導電
板)、24は基板23に被着したマスク部としての粘着
テープである。基板23上面の一部が粘着テープ24に
覆われることにより、基板23の上面には、所定パター
ンの露出部25が形成されている。
ナノチューブを作製する場合には、先ず、ビーカ21の
内底に、粘着テープ24が所定パターンに被着された基
板23をセットする。一方、カーボンナノチューブが分
散した上澄み液を作るべく、別途用意されたビーカ(図
示せず)に粗カーボンナノチューブと溶媒、例えばアセ
トンを入れ、前記ビーカに超音波をかけた後、10分間
程度静止してその上澄み液を回収する。そして、得られ
た上澄み液の溶液22をビーカ21に移し替え、例え
ば、ドラフトチャンバ内で溶液22の溶媒を自然蒸発さ
せる。すると、基板23及び粘着テープ24の表面に粗
単層カーボンナノチューブが、均一に密着、堆積する。
その後、粘着テープ24を剥離し除去することにより、
露出部25にのみフィルム化されたカーボンナノチュー
ブが形成される。
々の形状に形成することにより、記号や文字等の種々の
所定パターンのフィルム化されたカーボンナノチューブ
を形成することが可能になる。尚、カーボンナノチュー
ブフィルムを所定パターンに形成することが可能である
ため、電界電子放出源として利用する場合に、基板23
の導電パターンを所定形状に加工する必要が無く、ベタ
状の電極を使用することが可能になる。
カーボンナノチューブを基板上に作製する方法に係る他
の実施の形態を示す図である。図3において、31は銅
等の導電性の基板(導電板)、33はセラミック等によ
って形成されたマスク部である。マスク部33には、所
定パターンの貫通孔34(図3では9個の四角形状の貫
通孔)が形成されている。
ナノチューブを作製する場合には、先ず、基板31上に
マスク部33を重ね、これをビーカ(図示せず)の内底
にセットする。このとき、貫通孔34に対応する基板3
1の上面部分は、マスク部33で覆われず、破線で示す
ように9個の四角形状の露出部32が形成される。
ブと溶媒(図示せず)、例えば、アセトンをビーカ(図
示せず)に入れて超音波をかけた後に静止して得られた
上澄み液を、基板31及びマスク部が配設されたビーカ
内に注ぎ込んで自然蒸発させる。すると、基板31の露
出部32及びマスク部33の表面に粗単層カーボンナノ
チューブが、均一に密着、堆積する。その後、マスク部
33を除去することにより、基板31の露出部32にの
みフィルム化されたカーボンナノチューブが得られる。
々の形状に形成することにより、記号や文字等の種々の
所定パターンのフィルム化されたカーボンナノチューブ
を形成することが可能になる。また、微細な貫通孔34
を規則正しく配置することにより、点状で規則正しく配
列した、規格の揃ったカーボンナノチューブ(電界電子
放出源)を得ることが可能になる。尚、カーボンナノチ
ューブフィルムを所定パターンに形成することが可能で
あるため、電界電子放出源として利用する場合に、基板
31の導電パターンを所定形状に加工する必要が無く、
ベタ状の電極を使用することが可能になる。
に簡易であり、大量生産に向いている。また、この方法
は、一度粗単層カーボンナノチューブの固まりをほぐし
た(溶媒中に分散させた)後、基板上で再び固まりとし
ているので、ロット内の均一性が確保される。よって、
スケールアップに有利である。
め、すり鉢やミキサで粉砕(数十秒から数分程度)して
から上記処理、堆積の工程を行うようにしてもよい。ま
た、容器に超音波をかけて、粗単層カーボンナノチュー
ブを溶媒中に分散させた後、沈殿物を取り除いてから、
上澄みの溶媒を自然蒸発させるようにしてもよい。この
ようにすることで、単層カーボンナノチューブの先端部
分が表面に現れ易くなり、しきい値電圧を下げ、大きな
電流密度を得ることができる。
分散した上澄み液を用いるのではなく、これを濾過し、
粗単層カーボンナノチューブを分散させた溶液から沈殿
物を取り除いた濾液を用いて、基板への堆積を行なうよ
うにしてもよい。この際、適切な穴径の濾過フィルタを
用いることにより、濾液に含まれる単層カーボンナノチ
ューブの純度を高めることができる。
層カーボンナノチューブは、ビーカの側面へほとんど付
着することなく、基板に密着して堆積する。これに対
し、低純度の粗単層カーボンナノチューブは、ビーカの
側面に付着し易く、基板への密着性も弱く崩れ易い。こ
のことから、上記方法は、粗単層カーボンナノチューブ
の純度を検査することなく、その純度を知ることがで
き、製品の品質検査を容易にするという効果も有る。
ーボンナノチューブを表面に堆積させた導電性の基板
(フィルム化されたカーボンナノチューブ)は、2極管
や3極管(発光デバイス)等の電子管のカソード、即ち
電界電子放出源として利用することができる。特に、フ
ラットディスプレイパネルに用いられる表示管の電界電
子放出源として期待される。しかしながら、その用途は
これらに限られるものではない。
ナノチューブを導電性の基板に堆積させたが、多層カー
ボンナノチューブを堆積させる方法、あるいは、絶縁基
板上に単層または多層カーボンナノチューブを堆積させ
る方法としても利用できることは言うまでもない。ここ
で、分離精製された多層カーボンナノチューブを基板に
堆積させた場合、単層カーボンナノチューブの場合と同
様に基板に密着することが発明者等により確認されてい
る。また、基板の両面に単層または多層カーボンナノチ
ューブを堆積させる方法としても利用できる。これらの
方法により得られるフィルム化されたカーボンナノチュ
ーブは、水素の貯蔵や、電池の電極としての利用が考え
られる。
て、アセトンを例示したが、ジエチルエーテルや、水、
エタノール等の液体が使用できる。また、金属基板とし
ては、銅、銀、ニッケル、あるいは、チタン等が使用で
きる。
を自然乾燥させるものとしたが、溶媒を加熱したり、減
圧雰囲気下に置いたりすることにより、急速乾燥させて
も同様の結果が得られる。また、溶媒を完全に蒸発させ
ずに、蒸発途中で基板を溶液中から引き上げ、その後、
基板を乾燥させるようにしてもよい。
器中に溶液及び基板を配設した状態で、前記基板上にカ
ーボンナノチューブを堆積させるようにしたが、スポイ
トあるいはディスペンサ等の散布手段を用いて、露出部
を形成した基板の露出部に粗カーボンナノチューブを溶
媒中に分散させた溶液を滴下することにより散布し、前
記溶媒を蒸発させるようにしてフィルム化する方法であ
ってもよい。
等の溶媒中に分散させて超音波をかけることにより溶液
を得、図2及び図3と同じようにマスク部を基板に重ね
ることにより、前記基板に所定パターンの露出部を形成
し、前記露出部上にスポイトあるいはディスペンサ等の
散布手段を用いて前記溶液を散布した後、前記溶媒を蒸
発させ、その後、前記マスク部を除去することにより前
記基板の露出部上にカーボンナノチューブを堆積させる
ようにして、フィルム化することもできる。
ーボンナノチューブを堆積することができるため、マス
ク部上に堆積するカーボンナノチューブを最小化でき、
カーボンナノチューブ等の材料の有効利用を図ることが
できる。また、基板の露出部分に、滴下することにより
散布するカーボンナノチューブの量を調整すれば、カー
ボンナノチューブ層の膜厚制御が可能になるという利点
もある。この場合、カーボンナノチューブを含む溶液の
散布、溶媒の蒸発という工程を繰り返すことにより、カ
ーボンナノチューブ層を所望の厚さに形成するようにし
てもよい。また、マスク部の厚みを適宜変更することに
より、所望の厚さのカーボンナノチューブを形成するよ
うにしてもよい。これにより、例えば、電界電子放出源
に用いる場合に、電子放出に最適な厚さのカーボンナノ
チューブ層を形成することが可能になる。
ノチューブを溶媒中に分散させることにより得られる各
種溶液や、前記溶液を濃縮して得られる溶液を使用する
ことができる。例えば、前述したように、前記粗カーボ
ンナノチューブを前記溶媒中に分散させた後、沈殿物を
除去して得られる上澄み液、または、前記粗カーボンナ
ノチューブを溶媒中に分散させた溶液または前記上澄み
を濾過して得られた濾液が使用できるだけでなく、前記
粗カーボンナノチューブを粉砕処理した後、前記溶媒中
に分散させることにより得られる溶液等も使用すること
ができる。
いる電界電子放出源を作製し、その特性等を測定した結
果を示す。
た。まず、100mlのビーカを用意し、粗単層カーボ
ンナノチューブを50mgとアセトンを100cc入れ
る。そして、ビーカに超音波(100W、20分)をか
け、粗単層カーボンナノチューブをアセトン中に分散さ
せる。上澄みと沈殿物とを分離し、40×40×0.3
mmの銅板を底にセットした2つのビーカに、それぞれ
上澄みと沈殿物を入れ、ドラフトチャンバ内に静置して
アセトンを自然蒸発させる。これにより、表面に粗単層
カーボンナノチューブを堆積させた銅板が得られる。
り、図4に示すような2極管構造物のカソードとした。
即ち、粗単層カーボンナノチューブ41を堆積させた銅
板42を、スペーサ43を介してアノード電極44に対
向させ、アノード電極44と銅板42との間に電源45
から電圧を印加するようにした。
バ内に導入し、前記チャンバ内部を真空にして行った。
このときの背圧は、2×10−7Torr以下とした。
尚、使用した粗単層カーボンナノチューブは、Ni及び
Yの混合物を添加した一対の炭素電極を用いて、発明者
等により提案された交流アーク放電(AC180A、H
e圧:500Torr)により得たものを用いた。測定
の結果を図5に示す。
や、アモルファス状の炭素等の不純物が多く含まれてお
り、電子放出の効率が非常に悪く、上澄みは、不純物が
少ないので、効率よく電子放出が行われていることが分
かる。そこで、以下では、上澄みのみを用いて、上述し
た方法で電界電子放出源を作製し、その特性を測定し
た。
て、従来の直流アーク放電(陽極に、Ni及びYを添加
した炭素電極を用い、DC150Aの電流を流した)に
より得たものを用いた場合の測定結果を示す。
加電圧が200Vを超えると、電流が流れ始める。ま
た、図6のFNプロットは、傾きが負のほぼ直線となっ
ている。これらのことから、単層カーボンナノチューブ
を電界電子放出源として利用できることが分かる。
ブ(交流アーク放電(AC180A、He圧:500T
orr)により得たもの)を用いた電界電子放出源の電
流時間変化を測定した結果を示す。
チューブは、電界電子放出源として、長時間安定した特
性を示す。
ャンバ内で電圧を印可したところ、蛍光体を発光させる
ことができた。即ち、単層カーボンナノチューブ81を
堆積させた銅板82をスペーサ83を介して金属メッシ
ュであるグリッド電極84に対向させ、さらに、ガラス
板85に金属メッシュであるアノード電極86を設け
て、その表面に蛍光体87を塗布した三極構造物に、電
源88からの電圧を印加するようにして、その蛍光体8
7を発光させることができた。
ブが分散した溶液中に、所定パターンの露出部を有する
基板を配設して溶媒を蒸発させ、カーボンナノチューブ
の層を前記基板の露出部上に堆積させるようにしたこと
で、容易に所定パターンのカーボンナノチューブのフィ
ルム化が実現できる。また、粗カーボンナノチューブを
溶媒中に分散させた溶液を、散布手段により、所定パタ
ーンの露出部を有する基板の前記露出部上に散布し、前
記溶媒を蒸発させることにより前記基板の露出部上にカ
ーボンナノチューブを堆積させるようにしているので、
容易に所定パターンのカーボンナノチューブのフィルム
化が実現できると共に、材料の有効利用を図ることが可
能になる。
ム化されたカーボンナノチューブを、電界電子放出源と
して利用するようにしたことで、所定パターンに形成さ
れた安価な電界電子放出源を提供することができる。
た2極管構造物の特性を示すグラフである。
ーボンナノチューブの作製方法に係る本発明の実施の形
態を示す図である。
ーボンナノチューブの作製方法に係る本発明の他の実施
の形態を示す図である。
により作製した電界電子放出源の特性を示すグラフであ
る。
を示すグラフである。
電流の時間変化を示すグラフである。
Claims (12)
- 【請求項1】 粗カーボンナノチューブを溶媒中に分散
させた溶液の前記溶媒を蒸発させることにより、前記溶
液中に配設され所定パターンの露出部を有する基板の前
記露出部上にカーボンナノチューブを堆積させることを
特徴とするカーボンナノチューブのフィルム化方法。 - 【請求項2】 前記粗カーボンナノチューブを前記溶媒
中に分散させた後沈殿物を除去して得られる上澄みを用
いて、前記基板の露出部上にカーボンナノチューブを堆
積させることを特徴とする請求項1記載のカーボンナノ
チューブのフィルム化方法。 - 【請求項3】 前記粗カーボンナノチューブを前記溶媒
に分散させた溶液または前記上澄みを濾過して得られた
濾液を用いて、前記基板の露出部上にカーボンナノチュ
ーブを堆積させることを特徴とする請求項1又は2記載
のカーボンナノチューブのフィルム化方法。 - 【請求項4】 前記粗カーボンナノチューブを粉砕処理
した後前記溶媒中に分散させた溶液を用いて、前記基板
の露出部上にカーボンナノチューブを堆積させることを
特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載のカーボ
ンナノチューブのフィルム化方法。 - 【請求項5】 粗カーボンナノチューブを溶媒中に分散
させることにより溶液を得、散布手段により、所定パタ
ーンの露出部を有する基板の前記露出部上に前記溶液を
散布し、前記溶媒を蒸発させることにより前記基板の露
出部上にカーボンナノチューブを堆積させることを特徴
とするカーボンナノチューブのフィルム化方法。 - 【請求項6】 前記溶液の散布及び溶媒の蒸発を複数回
繰り返して行うことを特徴とする請求項5記載のカーボ
ンナノチューブのフィルム化方法。 - 【請求項7】 前記溶液は、前記粗カーボンナノチュー
ブを前記溶媒中に分散させた後、沈殿物を除去して得ら
れる上澄みであることを特徴とする請求項5又は6記載
のカーボンナノチューブのフィルム化方法。 - 【請求項8】 前記溶液は、前記粗カーボンナノチュー
ブを溶媒に分散させた溶液または前記上澄みを濾過して
得られた濾液であることを特徴とする請求項5乃至7の
いずれか一に記載のカーボンナノチューブのフィルム化
方法。 - 【請求項9】 前記溶液は、前記粗カーボンナノチュー
ブを粉砕処理した後、前記溶媒中に分散させることによ
り得られる溶液であることを特徴とする請求項5乃至8
のいずれか一に記載のカーボンナノチューブのフィルム
化方法。 - 【請求項10】 前記基板が、導電板であることを特徴
とする請求項1乃至9のいずれか一に記載のカーボンナ
ノチューブのフィルム化方法。 - 【請求項11】 請求項1乃至10のいずれか一に記載
の方法用いてフィルム化されたカーボンナノチューブ。 - 【請求項12】 請求項1乃至10のいずれか一に記載
の方法を用いてフィルム化されたカーボンナノチューブ
を用いることを特徴とする電界電子放出源。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP869099A JP3943272B2 (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | カーボンナノチューブのフイルム化方法 |
KR1020000002011A KR100364563B1 (ko) | 1999-01-18 | 2000-01-17 | 카본 나노튜브의 필름화 방법, 그 방법에 의해 필름화된카본 나노튜브 및 이것을 이용한 전계 전자 방출원 |
US09/484,693 US6616495B1 (en) | 1999-01-18 | 2000-01-18 | Filming method of carbon nanotube and the field emission source using the film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP869099A JP3943272B2 (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | カーボンナノチューブのフイルム化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000203821A true JP2000203821A (ja) | 2000-07-25 |
JP3943272B2 JP3943272B2 (ja) | 2007-07-11 |
Family
ID=11699927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP869099A Expired - Fee Related JP3943272B2 (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | カーボンナノチューブのフイルム化方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6616495B1 (ja) |
JP (1) | JP3943272B2 (ja) |
KR (1) | KR100364563B1 (ja) |
Cited By (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001030200A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-06 | Nec Corp | フィルムおよびこれを用いた積層体の製造方法 |
WO2003027003A2 (en) | 2001-07-25 | 2003-04-03 | Nantero, Inc. | Methods of nanotube films and articles |
JP2005521563A (ja) * | 2002-03-25 | 2005-07-21 | ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ アット チャペル ヒル | ナノ物体を集める方法 |
WO2006011655A1 (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-02 | National Institute Of Advanced Industrial Scienceand Technology | 単層カーボンナノチューブおよび配向単層カーボンナノチューブ・バルク構造体ならびにそれらの製造方法・装置および用途 |
US7060241B2 (en) | 2001-03-26 | 2006-06-13 | Eikos, Inc. | Coatings comprising carbon nanotubes and methods for forming same |
CN1332270C (zh) * | 2003-06-05 | 2007-08-15 | 韩国科学技术院 | 利用超分子的自组装和金属化合物着色制备碳纳米管芯片和生物芯片的方法 |
JP2009509358A (ja) * | 2005-09-21 | 2009-03-05 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファンデーション インコーポレーティッド | パターン化導電性薄膜を形成するための低温法およびそれに由来するパターン化物品 |
US7538400B2 (en) | 2003-05-14 | 2009-05-26 | Nantero, Inc. | Sensor platform using a non-horizontally oriented nanotube element |
US7563711B1 (en) | 2001-07-25 | 2009-07-21 | Nantero, Inc. | Method of forming a carbon nanotube-based contact to semiconductor |
US7598127B2 (en) | 2005-05-12 | 2009-10-06 | Nantero, Inc. | Nanotube fuse structure |
US7619291B2 (en) | 2001-07-25 | 2009-11-17 | Nantero, Inc. | Devices having horizontally-disposed nanofabric articles and methods of making the same |
US7666382B2 (en) | 2004-12-16 | 2010-02-23 | Nantero, Inc. | Aqueous carbon nanotube applicator liquids and methods for producing applicator liquids thereof |
US7709880B2 (en) | 2004-06-09 | 2010-05-04 | Nantero, Inc. | Field effect devices having a gate controlled via a nanotube switching element |
US7719067B2 (en) | 2001-07-25 | 2010-05-18 | Nantero, Inc. | Devices having vertically-disposed nanofabric articles and methods of making the same |
US7745810B2 (en) | 2001-07-25 | 2010-06-29 | Nantero, Inc. | Nanotube films and articles |
US7750071B2 (en) | 2001-03-22 | 2010-07-06 | Clemson University | Halogen containing-polymer nanocomposite compositions, methods, and products employing such compositions |
US7781862B2 (en) | 2005-05-09 | 2010-08-24 | Nantero, Inc. | Two-terminal nanotube devices and systems and methods of making same |
US7782650B2 (en) | 2005-05-09 | 2010-08-24 | Nantero, Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US7835170B2 (en) | 2005-05-09 | 2010-11-16 | Nantero, Inc. | Memory elements and cross point switches and arrays of same using nonvolatile nanotube blocks |
US7858185B2 (en) | 2003-09-08 | 2010-12-28 | Nantero, Inc. | High purity nanotube fabrics and films |
US7859385B2 (en) | 2004-09-21 | 2010-12-28 | Nantero, Inc. | Resistive elements using carbon nanotubes |
US7915122B2 (en) | 2005-06-08 | 2011-03-29 | Nantero, Inc. | Self-aligned cell integration scheme |
US7915637B2 (en) | 2008-11-19 | 2011-03-29 | Nantero, Inc. | Switching materials comprising mixed nanoscopic particles and carbon nanotubes and method of making and using the same |
US7927992B2 (en) | 2005-09-06 | 2011-04-19 | Nantero, Inc. | Carbon nanotubes for the selective transfer of heat from electronics |
US7948082B2 (en) | 2003-09-08 | 2011-05-24 | Nantero, Inc. | Method of fabricating a patterned nanoscopic article |
JP2011157270A (ja) * | 2011-04-25 | 2011-08-18 | Nec Corp | Cnt膜及びその製造方法並びにcnt膜を用いた電界放出型冷陰極及び画像表示装置 |
US8013363B2 (en) | 2005-05-09 | 2011-09-06 | Nantero, Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US8110883B2 (en) | 2007-03-12 | 2012-02-07 | Nantero Inc. | Electromagnetic and thermal sensors using carbon nanotubes and methods of making same |
US8115187B2 (en) | 2007-05-22 | 2012-02-14 | Nantero, Inc. | Triodes using nanofabric articles and methods of making the same |
US8128993B2 (en) | 2009-07-31 | 2012-03-06 | Nantero Inc. | Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same |
US8147722B2 (en) | 2003-09-08 | 2012-04-03 | Nantero Inc. | Spin-coatable liquid for formation of high purity nanotube films |
US8183665B2 (en) | 2005-11-15 | 2012-05-22 | Nantero Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US8217490B2 (en) | 2005-05-09 | 2012-07-10 | Nantero Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US8222704B2 (en) | 2009-12-31 | 2012-07-17 | Nantero, Inc. | Compact electrical switching devices with nanotube elements, and methods of making same |
US8351239B2 (en) | 2009-10-23 | 2013-01-08 | Nantero Inc. | Dynamic sense current supply circuit and associated method for reading and characterizing a resistive memory array |
US8366999B2 (en) | 2005-09-06 | 2013-02-05 | Nantero Inc. | Nanotube fabric-based sensor systems and methods of making same |
US8471238B2 (en) | 2004-09-16 | 2013-06-25 | Nantero Inc. | Light emitters using nanotubes and methods of making same |
US8513768B2 (en) | 2005-05-09 | 2013-08-20 | Nantero Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US8525143B2 (en) | 2005-09-06 | 2013-09-03 | Nantero Inc. | Method and system of using nanotube fabrics as joule heating elements for memories and other applications |
US8562937B2 (en) | 2005-12-19 | 2013-10-22 | Nantero Inc. | Production of carbon nanotubes |
US8574673B2 (en) | 2009-07-31 | 2013-11-05 | Nantero Inc. | Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same |
US8587989B2 (en) | 2008-06-20 | 2013-11-19 | Nantero Inc. | NRAM arrays with nanotube blocks, nanotube traces, and nanotube planes and methods of making same |
US8631562B2 (en) | 2004-11-02 | 2014-01-21 | Nantero Inc. | Methods of making nanotube switches |
US8937575B2 (en) | 2009-07-31 | 2015-01-20 | Nantero Inc. | Microstrip antenna elements and arrays comprising a shaped nanotube fabric layer and integrated two terminal nanotube select devices |
US8941094B2 (en) | 2010-09-02 | 2015-01-27 | Nantero Inc. | Methods for adjusting the conductivity range of a nanotube fabric layer |
US9196615B2 (en) | 2005-05-09 | 2015-11-24 | Nantero Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US9287356B2 (en) | 2005-05-09 | 2016-03-15 | Nantero Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US9502675B2 (en) | 2009-10-23 | 2016-11-22 | Nantero Inc. | Methods for passivating a carbonic nanolayer |
US9574290B2 (en) | 2003-01-13 | 2017-02-21 | Nantero Inc. | Methods for arranging nanotube elements within nanotube fabrics and films |
US9642252B2 (en) | 2011-04-04 | 2017-05-02 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Nanotube dispersants and dispersant free nanotube films therefrom |
US9715927B2 (en) | 2015-01-22 | 2017-07-25 | Nantero, Inc. | 1-R resistive change element arrays using resistive reference elements |
US9742018B2 (en) | 2010-12-17 | 2017-08-22 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Hydrogen oxidation and generation over carbon films |
US9911743B2 (en) | 2005-05-09 | 2018-03-06 | Nantero, Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US9934848B2 (en) | 2016-06-07 | 2018-04-03 | Nantero, Inc. | Methods for determining the resistive states of resistive change elements |
US9941001B2 (en) | 2016-06-07 | 2018-04-10 | Nantero, Inc. | Circuits for determining the resistive states of resistive change elements |
US10115972B2 (en) | 2009-04-30 | 2018-10-30 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Single wall carbon nanotube based air cathodes |
US10124367B2 (en) | 2003-01-13 | 2018-11-13 | Nantero, Inc. | Methods for arranging nanoscopic elements within networks, fabrics and films |
US10654718B2 (en) | 2013-09-20 | 2020-05-19 | Nantero, Inc. | Scalable nanotube fabrics and methods for making same |
US10661304B2 (en) | 2010-03-30 | 2020-05-26 | Nantero, Inc. | Microfluidic control surfaces using ordered nanotube fabrics |
US10773960B2 (en) | 2010-02-12 | 2020-09-15 | Nantero, Inc. | Low porosity nanotube fabric articles |
US10815576B2 (en) | 2013-11-20 | 2020-10-27 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Carbon dioxide reduction over carbon-containing materials |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002041348A1 (fr) * | 2000-11-20 | 2002-05-23 | Nec Corporation | Film cnt et cathode froide a emission de champ comportant ce film |
US6885022B2 (en) * | 2000-12-08 | 2005-04-26 | Si Diamond Technology, Inc. | Low work function material |
US20060252163A1 (en) * | 2001-10-19 | 2006-11-09 | Nano-Proprietary, Inc. | Peelable photoresist for carbon nanotube cathode |
US7854861B2 (en) * | 2001-10-19 | 2010-12-21 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Well formation |
US7195938B2 (en) * | 2001-10-19 | 2007-03-27 | Nano-Proprietary, Inc. | Activation effect on carbon nanotubes |
US8062697B2 (en) * | 2001-10-19 | 2011-11-22 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Ink jet application for carbon nanotubes |
US7452735B2 (en) * | 2003-09-12 | 2008-11-18 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Carbon nanotube deposition with a stencil |
JP2005235728A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-09-02 | Fuji Xerox Co Ltd | 電気部材及び電気装置、並びにこれらの製造方法 |
US7125308B2 (en) * | 2003-12-18 | 2006-10-24 | Nano-Proprietary, Inc. | Bead blast activation of carbon nanotube cathode |
CN100543907C (zh) * | 2004-04-22 | 2009-09-23 | 清华大学 | 一种碳纳米管场发射阴极的制备方法 |
CN1313364C (zh) * | 2004-06-16 | 2007-05-02 | 东元奈米应材股份有限公司 | 纳米碳管悬浮液及其制造方法 |
US20060292297A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-12-28 | Nano-Proprietary, Inc. | Patterning CNT emitters |
US7736209B2 (en) * | 2004-09-10 | 2010-06-15 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Enhanced electron field emission from carbon nanotubes without activation |
US20080012461A1 (en) * | 2004-11-09 | 2008-01-17 | Nano-Proprietary, Inc. | Carbon nanotube cold cathode |
KR100700638B1 (ko) * | 2005-05-11 | 2007-03-27 | 한국기초과학지원연구원 | 발광성 실리카 나노튜브 |
CN101284661B (zh) | 2007-04-13 | 2011-03-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 碳纳米管薄片的制备方法 |
CN101284662B (zh) | 2007-04-13 | 2011-01-05 | 清华大学 | 碳纳米管薄膜的制备方法 |
CN101388447B (zh) * | 2007-09-14 | 2011-08-24 | 清华大学 | 锂离子电池负极及其制备方法 |
CN101409337B (zh) * | 2007-10-10 | 2011-07-27 | 清华大学 | 锂离子电池负极,其制备方法和应用该负极的锂离子电池 |
CN101409338A (zh) * | 2007-10-10 | 2009-04-15 | 清华大学 | 锂离子电池负极,其制备方法和应用该负极的锂离子电池 |
TWI474544B (zh) * | 2007-10-26 | 2015-02-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 鋰離子電池負極,其製備方法和應用該負極的鋰離子電池 |
CN101420021B (zh) * | 2007-10-26 | 2011-07-27 | 清华大学 | 锂离子电池正极及其制备方法 |
CN101465434B (zh) * | 2007-12-19 | 2010-09-29 | 清华大学 | 燃料电池膜电极及其制备方法 |
CN101635362B (zh) * | 2008-07-25 | 2012-03-28 | 清华大学 | 膜电极及采用该膜电极的燃料电池 |
CN101425584B (zh) * | 2007-11-02 | 2011-05-04 | 清华大学 | 燃料电池膜电极及其制备方法 |
CN101425583B (zh) * | 2007-11-02 | 2011-06-08 | 清华大学 | 燃料电池膜电极及其制备方法 |
TWI455398B (zh) * | 2007-11-16 | 2014-10-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 燃料電池膜電極及其製備方法 |
CN101752568B (zh) * | 2008-12-17 | 2012-06-20 | 清华大学 | 膜电极及采用该膜电极的生物燃料电池 |
CN101752567B (zh) * | 2008-12-17 | 2012-09-19 | 清华大学 | 膜电极及采用该膜电极的燃料电池 |
US9077042B2 (en) * | 2008-07-25 | 2015-07-07 | Tsinghua University | Membrane electrode assembly and biofuel cell using the same |
KR101165809B1 (ko) | 2011-01-11 | 2012-07-16 | 고려대학교 산학협력단 | 횡형 전계 방출 소자 |
KR101239395B1 (ko) * | 2011-07-11 | 2013-03-05 | 고려대학교 산학협력단 | 전계 방출원 및 이를 적용하는 소자 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0822733B2 (ja) * | 1993-08-04 | 1996-03-06 | 工業技術院長 | カーボンナノチューブの分離精製方法 |
KR100365444B1 (ko) * | 1996-09-18 | 2004-01-24 | 가부시끼가이샤 도시바 | 진공마이크로장치와이를이용한화상표시장치 |
JP3017161B2 (ja) * | 1998-03-16 | 2000-03-06 | 双葉電子工業株式会社 | 単層カーボンナノチューブの製造方法 |
US6232706B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-05-15 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Self-oriented bundles of carbon nanotubes and method of making same |
-
1999
- 1999-01-18 JP JP869099A patent/JP3943272B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-01-17 KR KR1020000002011A patent/KR100364563B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-01-18 US US09/484,693 patent/US6616495B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (85)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001030200A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-06 | Nec Corp | フィルムおよびこれを用いた積層体の製造方法 |
US7750071B2 (en) | 2001-03-22 | 2010-07-06 | Clemson University | Halogen containing-polymer nanocomposite compositions, methods, and products employing such compositions |
US7060241B2 (en) | 2001-03-26 | 2006-06-13 | Eikos, Inc. | Coatings comprising carbon nanotubes and methods for forming same |
US8058089B2 (en) | 2001-07-25 | 2011-11-15 | Nantero Inc. | Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same |
EP1409156A2 (en) * | 2001-07-25 | 2004-04-21 | Nantero, Inc. | Methods of nanotube films and articles |
US8400053B2 (en) | 2001-07-25 | 2013-03-19 | Nantero Inc. | Carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles |
EP1409156A4 (en) * | 2001-07-25 | 2007-08-29 | Nantero Inc | METHOD FOR NANOTUBE FILMS AND ARTICLES |
EP2286929A1 (en) * | 2001-07-25 | 2011-02-23 | Nantero, Inc. | Methods of nanotube films and articles |
US7719067B2 (en) | 2001-07-25 | 2010-05-18 | Nantero, Inc. | Devices having vertically-disposed nanofabric articles and methods of making the same |
EP2343709A3 (en) * | 2001-07-25 | 2013-12-04 | Nantero, Inc. | Nanotube films and articles |
US7563711B1 (en) | 2001-07-25 | 2009-07-21 | Nantero, Inc. | Method of forming a carbon nanotube-based contact to semiconductor |
WO2003027003A2 (en) | 2001-07-25 | 2003-04-03 | Nantero, Inc. | Methods of nanotube films and articles |
US7619291B2 (en) | 2001-07-25 | 2009-11-17 | Nantero, Inc. | Devices having horizontally-disposed nanofabric articles and methods of making the same |
US7745810B2 (en) | 2001-07-25 | 2010-06-29 | Nantero, Inc. | Nanotube films and articles |
JP2005521563A (ja) * | 2002-03-25 | 2005-07-21 | ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ アット チャペル ヒル | ナノ物体を集める方法 |
US10124367B2 (en) | 2003-01-13 | 2018-11-13 | Nantero, Inc. | Methods for arranging nanoscopic elements within networks, fabrics and films |
US9574290B2 (en) | 2003-01-13 | 2017-02-21 | Nantero Inc. | Methods for arranging nanotube elements within nanotube fabrics and films |
US8310015B2 (en) | 2003-05-14 | 2012-11-13 | Nantero Inc. | Sensor platform using a horizontally oriented nanotube element |
US7538400B2 (en) | 2003-05-14 | 2009-05-26 | Nantero, Inc. | Sensor platform using a non-horizontally oriented nanotube element |
US7780918B2 (en) | 2003-05-14 | 2010-08-24 | Nantero, Inc. | Sensor platform using a horizontally oriented nanotube element |
CN1332270C (zh) * | 2003-06-05 | 2007-08-15 | 韩国科学技术院 | 利用超分子的自组装和金属化合物着色制备碳纳米管芯片和生物芯片的方法 |
US7858185B2 (en) | 2003-09-08 | 2010-12-28 | Nantero, Inc. | High purity nanotube fabrics and films |
US8187502B2 (en) | 2003-09-08 | 2012-05-29 | Nantero Inc. | Spin-coatable liquid for formation of high purity nanotube films |
US8147722B2 (en) | 2003-09-08 | 2012-04-03 | Nantero Inc. | Spin-coatable liquid for formation of high purity nanotube films |
US7948082B2 (en) | 2003-09-08 | 2011-05-24 | Nantero, Inc. | Method of fabricating a patterned nanoscopic article |
US7709880B2 (en) | 2004-06-09 | 2010-05-04 | Nantero, Inc. | Field effect devices having a gate controlled via a nanotube switching element |
WO2006011655A1 (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-02 | National Institute Of Advanced Industrial Scienceand Technology | 単層カーボンナノチューブおよび配向単層カーボンナノチューブ・バルク構造体ならびにそれらの製造方法・装置および用途 |
CN101010260B (zh) * | 2004-07-27 | 2010-09-29 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 单层碳纳米管以及取向单层碳纳米管块结构体以及它们的制造方法、装置以及用途 |
JP2010159209A (ja) * | 2004-07-27 | 2010-07-22 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 配向単層カーボンナノチューブ・バルク構造体およびその製造方法 |
JP4621900B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2011-01-26 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 配向単層カーボンナノチューブ・バルク構造体およびその製造方法 |
JP4621896B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2011-01-26 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 単層カーボンナノチューブおよびその製造方法 |
JPWO2006011655A1 (ja) * | 2004-07-27 | 2008-05-01 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 単層カーボンナノチューブおよび配向単層カーボンナノチューブ・バルク構造体ならびにそれらの製造方法・装置および用途 |
US8471238B2 (en) | 2004-09-16 | 2013-06-25 | Nantero Inc. | Light emitters using nanotubes and methods of making same |
US7859385B2 (en) | 2004-09-21 | 2010-12-28 | Nantero, Inc. | Resistive elements using carbon nanotubes |
US8631562B2 (en) | 2004-11-02 | 2014-01-21 | Nantero Inc. | Methods of making nanotube switches |
US7666382B2 (en) | 2004-12-16 | 2010-02-23 | Nantero, Inc. | Aqueous carbon nanotube applicator liquids and methods for producing applicator liquids thereof |
US8217490B2 (en) | 2005-05-09 | 2012-07-10 | Nantero Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US9287356B2 (en) | 2005-05-09 | 2016-03-15 | Nantero Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US10339982B2 (en) | 2005-05-09 | 2019-07-02 | Nantero, Inc. | Memory elements and cross point switches and arrays of same using nonvolatile nanotube blocks |
US9911743B2 (en) | 2005-05-09 | 2018-03-06 | Nantero, Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US8013363B2 (en) | 2005-05-09 | 2011-09-06 | Nantero, Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US9767902B2 (en) | 2005-05-09 | 2017-09-19 | Nantero, Inc. | Non-volatile composite nanoscopic fabric NAND memory arrays and methods of making same |
US9196615B2 (en) | 2005-05-09 | 2015-11-24 | Nantero Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US8809917B2 (en) | 2005-05-09 | 2014-08-19 | Nantero Inc. | Memory elements and cross point switches and arrays of same using nonvolatile nanotube blocks |
US7781862B2 (en) | 2005-05-09 | 2010-08-24 | Nantero, Inc. | Two-terminal nanotube devices and systems and methods of making same |
US7782650B2 (en) | 2005-05-09 | 2010-08-24 | Nantero, Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US8513768B2 (en) | 2005-05-09 | 2013-08-20 | Nantero Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US7835170B2 (en) | 2005-05-09 | 2010-11-16 | Nantero, Inc. | Memory elements and cross point switches and arrays of same using nonvolatile nanotube blocks |
US7598127B2 (en) | 2005-05-12 | 2009-10-06 | Nantero, Inc. | Nanotube fuse structure |
US7915122B2 (en) | 2005-06-08 | 2011-03-29 | Nantero, Inc. | Self-aligned cell integration scheme |
US8366999B2 (en) | 2005-09-06 | 2013-02-05 | Nantero Inc. | Nanotube fabric-based sensor systems and methods of making same |
US8525143B2 (en) | 2005-09-06 | 2013-09-03 | Nantero Inc. | Method and system of using nanotube fabrics as joule heating elements for memories and other applications |
US7927992B2 (en) | 2005-09-06 | 2011-04-19 | Nantero, Inc. | Carbon nanotubes for the selective transfer of heat from electronics |
JP2009509358A (ja) * | 2005-09-21 | 2009-03-05 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファンデーション インコーポレーティッド | パターン化導電性薄膜を形成するための低温法およびそれに由来するパターン化物品 |
US8183665B2 (en) | 2005-11-15 | 2012-05-22 | Nantero Inc. | Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same |
US8562937B2 (en) | 2005-12-19 | 2013-10-22 | Nantero Inc. | Production of carbon nanotubes |
US8110883B2 (en) | 2007-03-12 | 2012-02-07 | Nantero Inc. | Electromagnetic and thermal sensors using carbon nanotubes and methods of making same |
US8115187B2 (en) | 2007-05-22 | 2012-02-14 | Nantero, Inc. | Triodes using nanofabric articles and methods of making the same |
US8587989B2 (en) | 2008-06-20 | 2013-11-19 | Nantero Inc. | NRAM arrays with nanotube blocks, nanotube traces, and nanotube planes and methods of making same |
US10181569B2 (en) | 2008-11-19 | 2019-01-15 | Nantero, Inc. | Two-terminal switching devices comprising coated nanotube elements |
US9755170B2 (en) | 2008-11-19 | 2017-09-05 | Nantero, Inc. | Resistive materials comprising mixed nanoscopic particles and carbon nanotubes |
US7915637B2 (en) | 2008-11-19 | 2011-03-29 | Nantero, Inc. | Switching materials comprising mixed nanoscopic particles and carbon nanotubes and method of making and using the same |
US10115972B2 (en) | 2009-04-30 | 2018-10-30 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Single wall carbon nanotube based air cathodes |
US8937575B2 (en) | 2009-07-31 | 2015-01-20 | Nantero Inc. | Microstrip antenna elements and arrays comprising a shaped nanotube fabric layer and integrated two terminal nanotube select devices |
US8128993B2 (en) | 2009-07-31 | 2012-03-06 | Nantero Inc. | Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same |
US8574673B2 (en) | 2009-07-31 | 2013-11-05 | Nantero Inc. | Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same |
US10084138B2 (en) | 2009-10-23 | 2018-09-25 | Nantero, Inc. | Methods for forming nanotube fabric layers with increased density |
US9502675B2 (en) | 2009-10-23 | 2016-11-22 | Nantero Inc. | Methods for passivating a carbonic nanolayer |
US8351239B2 (en) | 2009-10-23 | 2013-01-08 | Nantero Inc. | Dynamic sense current supply circuit and associated method for reading and characterizing a resistive memory array |
US8222704B2 (en) | 2009-12-31 | 2012-07-17 | Nantero, Inc. | Compact electrical switching devices with nanotube elements, and methods of making same |
US10773960B2 (en) | 2010-02-12 | 2020-09-15 | Nantero, Inc. | Low porosity nanotube fabric articles |
US10661304B2 (en) | 2010-03-30 | 2020-05-26 | Nantero, Inc. | Microfluidic control surfaces using ordered nanotube fabrics |
US8941094B2 (en) | 2010-09-02 | 2015-01-27 | Nantero Inc. | Methods for adjusting the conductivity range of a nanotube fabric layer |
US10181614B2 (en) | 2010-12-17 | 2019-01-15 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Hydrogen oxidation and generation over carbon films |
US9742018B2 (en) | 2010-12-17 | 2017-08-22 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Hydrogen oxidation and generation over carbon films |
US9768460B2 (en) | 2010-12-17 | 2017-09-19 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Hydrogen oxidation and generation over carbon films |
US9642252B2 (en) | 2011-04-04 | 2017-05-02 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Nanotube dispersants and dispersant free nanotube films therefrom |
US9775241B2 (en) | 2011-04-04 | 2017-09-26 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Nanotube dispersants and dispersant free nanotube films therefrom |
US9642253B2 (en) | 2011-04-04 | 2017-05-02 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Nanotube dispersants and dispersant free nanotube films therefrom |
JP2011157270A (ja) * | 2011-04-25 | 2011-08-18 | Nec Corp | Cnt膜及びその製造方法並びにcnt膜を用いた電界放出型冷陰極及び画像表示装置 |
US10654718B2 (en) | 2013-09-20 | 2020-05-19 | Nantero, Inc. | Scalable nanotube fabrics and methods for making same |
US10815576B2 (en) | 2013-11-20 | 2020-10-27 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Carbon dioxide reduction over carbon-containing materials |
US9715927B2 (en) | 2015-01-22 | 2017-07-25 | Nantero, Inc. | 1-R resistive change element arrays using resistive reference elements |
US9941001B2 (en) | 2016-06-07 | 2018-04-10 | Nantero, Inc. | Circuits for determining the resistive states of resistive change elements |
US9934848B2 (en) | 2016-06-07 | 2018-04-03 | Nantero, Inc. | Methods for determining the resistive states of resistive change elements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100364563B1 (ko) | 2002-12-18 |
JP3943272B2 (ja) | 2007-07-11 |
KR20000071254A (ko) | 2000-11-25 |
US6616495B1 (en) | 2003-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3943272B2 (ja) | カーボンナノチューブのフイルム化方法 | |
JP3049019B2 (ja) | 単層カーボンナノチューブの皮膜を形成する方法及びその方法により皮膜を形成された単層カーボンナノチューブ | |
JP5698982B2 (ja) | 照明ランプ及びナノ炭素材料複合基板とその製造方法 | |
KR101005754B1 (ko) | 단층 카본 나노튜브 및 배향 단층 카본 나노튜브·벌크구조체 및 그들의 제조방법·장치 및 용도 | |
JP3768908B2 (ja) | 電子放出素子、電子源、画像形成装置 | |
KR100560244B1 (ko) | 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 이용한 전계 방출어레이 및 그 제조 방법 | |
US20030129305A1 (en) | Two-dimensional nano-sized structures and apparatus and methods for their preparation | |
KR100734684B1 (ko) | 카본 나노튜브를 함유하는 테이프상 물질, 카본나노튜브의 제조 방법, 그 테이프상 물질을 함유하는 전계방출형 전극 및 그 제조 방법 | |
JP2000277003A (ja) | 電子放出源の製造方法及び電子放出源 | |
US20010024078A1 (en) | Diamond/carbon nanotube structures for efficient electron field emission | |
JPH11194134A (ja) | カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子 | |
JPH08241665A (ja) | 活性化ダイヤモンド粒子放出体を有する電界放出デバイスおよびその製造方法 | |
JP2006114494A (ja) | カーボンナノチューブエミッタ及びその製造方法とそれを応用した電界放出素子及びその製造方法 | |
JP3764651B2 (ja) | カーボンナノチューブ接合体の製造方法 | |
JP3913583B2 (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
WO2001092150A1 (fr) | Procede de fixation de nanotubes de carbone | |
JP2004362919A (ja) | カーボンナノチューブを用いた電子放出素子の製造方法 | |
JP5055655B2 (ja) | エミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置 | |
JP2969503B2 (ja) | 炭素質ファイバーの作成方法 | |
JP4579372B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出素子の製造方法、および画像表示素子 | |
JP2003115255A (ja) | 電界電子放出電極およびその製造方法 | |
JPH09270227A (ja) | 電界電子放出素子およびその作製方法 | |
JP5549028B2 (ja) | フレーク状ナノ炭素材料の製造方法及び電子放出素子並びに面発光素子 | |
JP2005001942A (ja) | 配向性カーボンナノチューブ膜の精製方法 | |
JP5549027B2 (ja) | 粒子状ナノ炭素材料の製造方法及び電子放出素子並びに面発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061031 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070403 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070405 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100413 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110413 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |