CN101284661B - 碳纳米管薄片的制备方法 - Google Patents

碳纳米管薄片的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101284661B
CN101284661B CN 200710074026 CN200710074026A CN101284661B CN 101284661 B CN101284661 B CN 101284661B CN 200710074026 CN200710074026 CN 200710074026 CN 200710074026 A CN200710074026 A CN 200710074026A CN 101284661 B CN101284661 B CN 101284661B
Authority
CN
China
Prior art keywords
carbon nano
tube sheets
carbon nanotube
carbon
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN 200710074026
Other languages
English (en)
Other versions
CN101284661A (zh
Inventor
王鼎
宋鹏程
刘长洪
范守善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd filed Critical Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority to CN 200710074026 priority Critical patent/CN101284661B/zh
Priority to US12/004,671 priority patent/US8846144B1/en
Publication of CN101284661A publication Critical patent/CN101284661A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101284661B publication Critical patent/CN101284661B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

本发明涉及一种碳纳米管薄片的制备方法，包括：将碳纳米管原料加入到含有金属离子的溶液中并进行絮化处理获得碳纳米管絮状结构；添加还原剂于溶液中；以及将上述碳纳米管絮状结构从溶液中分离，并对该碳纳米管絮状结构定型处理以获得碳纳米管薄片。

Description

碳纳米管薄片的制备方法
技术领域
本发明涉及一种碳纳米管薄片的制备方法，尤其涉及一种复合金属的碳纳米管薄片的制备方法。
背景技术
从1991年日本科学家Iijima首次发现碳纳米管(Carbon Nanotube，CNT)以来，以碳纳米管为代表的纳米材料以其独特的结构和性质引起了人们极大的关注。近几年来，随着碳纳米管及纳米材料研究的不断深入，其广阔应用前景不断显现出来。例如，由于碳纳米管所具有的独特的电磁学、光学、力学、化学性能等，大量有关其在场发射电子源、传感器、新型光学材料、软铁磁材料等领域的应用研究不断被报道。
碳纳米管薄膜是碳纳米管实际应用的一种重要形式。具体地，碳纳米管薄膜已被研究用作场发射源、光电和生物传感器、透明导电体、电池电极、吸波材料、水净化材料、发光材料等。随着碳纳米管的制备技术的发展，将金属复合在碳纳米管中形成薄片有利于进一步利用碳纳米管的导电、导热性。
现有技术中，复合金属的碳纳米管薄片的制备方法一般先制备得到碳纳米管薄膜，然后通过溅射填充或蒸发填充的方式将金属复合在碳纳米管薄膜中形成薄片。然而，上述复合金属的碳纳米管薄片的制备方法一般工序较为复杂、制备效率较低；同时，所制备的碳纳米管薄片中金属复合的比例小、不易控制，且复合不均匀。
因此，确有必要提供一种碳纳米管薄片的制备方法，该制备方法较为简单、效率较高且制备的碳纳米管薄片中金属复合的比例可以控制，且复合均匀。
发明内容
下面将以实施例说明一种碳纳米管薄片的制备方法，该制备方法较为简单、效率较高且制备的碳纳米管薄片中金属复合的比例可以控制，且复合均匀。
一种碳纳米管薄片的制备方法，包括：将碳纳米管原料加入到含有金属离子的溶液中并进行絮化处理获得碳纳米管絮状结构；添加还原剂于溶液中；以及将上述碳纳米管絮状结构从溶液中分离，并对该碳纳米管絮状结构定型处理以获得碳纳米管薄片。
所述的碳纳米管原料的制备包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列；以及使碳纳米管阵列脱离基底，获得碳纳米管原料。
所述的絮化处理的方法包括超声波分散处理或高强度搅拌。
所述的金属包括金、银、铜、铝或铟。
所述的含有金属离子的溶液为银氨溶液。
所述的还原剂包括乙醛、葡萄糖或甲醛。
所述的分离碳纳米管絮状结构的方法具体包括以下步骤：将上述含有碳纳米管絮状结构的溶液倒入放有滤纸的漏斗中；并通过抽气装置从漏斗嘴抽气从而获得分离的碳纳米管絮状结构。
所述的定型处理具体包括以下步骤：将上述碳纳米管絮状结构置于一容器中；将碳纳米管絮状结构按照预定形状摊开；施加一定压力于摊开的碳纳米管絮状结构；以及，将溶剂烘干或等溶剂自然挥发后获得碳纳米管薄片。
所述的碳纳米管薄片为1微米至2毫米。
与现有技术相比较，所述的碳纳米管薄片的制备方法具有以下优点：其一，采用原位还原的方法使得金属能够均匀且紧密的复合在碳纳米管表面，且制备的碳纳米管薄片中金属复合的比例可以控制，工序简单，易于实际应用；其二，通过将碳纳米管原料进行絮化处理后使碳纳米管相互缠绕，形成的碳纳米管薄片具有很好的韧性。
附图说明
图1是本发明实施例碳纳米管薄片的制备方法的流程示意图。
图2是本发明实施例获得的复合金属的碳纳米管絮状结构的照片。
图3是本发明实施例获得的碳纳米管薄片的照片。
具体实施方式
以下将结合附图详细说明本实施例碳纳米管薄片的制备方法。
请参阅图1，本实施例碳纳米管薄片的制备方法主要包括以下步骤：
步骤一：提供一碳纳米管阵列，优选地，该阵列为超顺排碳纳米管阵列。
本实施例中，碳纳米管阵列的制备方法采用化学气相沉积法，其具体步骤包括：(a)提供一平整基底，该基底可选用P型或N型硅基底，或选用形成有氧化层的硅基底，本实施例优选为采用4英寸的硅基底；(b)在基底表面均匀形成一催化剂层，该催化剂层材料可选用铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)或其任意组合的合金之一；(c)将上述形成有催化剂层的基底在700～900℃的空气中退火约30分钟～90分钟；(d)将处理过的基底置于反应炉中，在保护气体环境下加热到500～740℃，然后通入碳源气体反应约5～30分钟，生长得到碳纳米管阵列，其高度大于100微米。该碳纳米管阵列为多个彼此平行且垂直于基底生长的碳纳米管形成的纯碳纳米管阵列，由于生成的碳纳米管长度较长，部分碳纳米管会相互缠绕。通过上述控制生长条件，该超顺排碳纳米管阵列中基本不含有杂质，如无定型碳或残留的催化剂金属颗粒等。本实施例中碳源气可选用乙炔等化学性质较活泼的碳氢化合物，保护气体可选用氮气、氨气或惰性气体。可以理解的是，本实施例提供的碳纳米管阵列不限于上述制备方法。
步骤二：使碳纳米管阵列脱离基底，获得碳纳米管原料。
本实施例优选采用刀片或其他工具将碳纳米管从基底刮落，获得碳纳米管原料，其中碳纳米管一定程度上保持相互缠绕的状态。
步骤三：将上述碳纳米管原料添加到含有金属离子的溶剂中并进行絮化处理获得含有碳纳米管絮状结构的溶液，金属离子分散在碳纳米管絮状结构中。
溶剂可选用任何含有金属离子、纳米金属颗粒或金属络离子的溶液，如金、银、铜、铝或铟等。本实施例优选采用含有银离子的银氨溶液。该银氨溶液的制备可通过在硝酸银溶液中逐滴加入氨水，边滴边振荡，至最初产生的沉淀溶解为止得到溶液。该银氨溶液中含有弱氧化性的银氨络离子(Ag(NH3)2 +)。
絮化处理可通过采用超声波分散处理或高强度搅拌等方法。优选地，本实施例采用超声波分散10～30分钟。由于碳纳米管具有极大的比表面积，碳纳米管之间具有较大的范德华力。上述絮化处理并不会将碳纳米管原料中的碳纳米管完全分散在溶剂中，碳纳米管之间通过范德华力相互吸引、缠绕，形成网络状结构，进而形成碳纳米管絮状结构。银氨溶液中的银氨络离子在絮化处理后均匀分散在碳纳米管絮状结构中。
步骤四：往上述溶液中添加还原剂，反应过程中不停搅拌，使金属离子还原成金属附着在碳纳米管上获得复合有金属的碳纳米管絮状结构。
还原剂的选择与上述金属离子溶液相对应，本实施例中，还原剂包括乙醛、葡萄糖或甲醛等。利用还原剂的还原作用使银氨络离子中的银离子被还原成金属附着在碳纳米管上。优选地，本实施例采用将乙醛溶液逐滴加入还原银氨络离子。可以理解，加入还原剂的量与溶液中金属离子的浓度有关。如果金属离子的浓度越高，则加入还原剂的量越多。
请参阅图2，为本实施例中附着有金属的碳纳米管絮状结构示意图。由于本实施例采用原位还原反应的方法，金属不是直接通过机械搅拌的方法加入，而是通过金属离子还原成金属的方式可使金属与碳纳米管的结合非常紧密，且分散均匀，金属包覆在碳纳米管表面或填充在碳纳米管之间的空隙中。可以理解，本实施例中可通过控制溶液中金属离子的浓度来控制碳纳米管絮状结构中复合金属的比例。当金属离子的浓度越高，则碳纳米管絮状结构中复合金属的比例越大。
步骤五：将上述复合有金属的碳纳米管絮状结构从溶剂中分离，并对该碳纳米管絮状结构定型处理以获得碳纳米管薄片。
本实施例中，分离碳纳米管絮状结构的方法具体包括以下步骤：将上述含有碳纳米管絮状结构的溶剂倒入放有滤纸的漏斗中；静置干燥一段时间从而获得分离的碳纳米管絮状结构。
定型处理具体包括以下步骤：将上述碳纳米管絮状结构置于一容器中；将碳纳米管絮状结构按照预定形状摊开；施加一定压力于摊开的碳纳米管絮状结构；以及，将碳纳米管絮状结构中残留的溶剂烘干或等溶剂自然挥发后获得碳纳米管薄片。可以理解，本实施例可通过控制碳纳米管絮状结构摊片的面积来控制碳纳米管薄片的厚度和面密度。摊片的面积越大，则碳纳米管薄片的厚度和面密度就越小。本实施例中获得的碳纳米管薄片的厚度为1微米至2毫米。
另外，上述分离与定型处理步骤也可直接通过抽滤的方式获得碳纳米管薄片，具体包括以下步骤：提供一微孔滤膜及一抽气漏斗；将上述含有碳纳米管絮状结构的溶剂经过微孔滤膜倒入抽气漏斗中；抽滤并干燥后获得碳纳米管薄片。该微孔滤膜为一表面光滑、孔径为0.22微米的滤膜。由于抽滤方式本身将提供一较大的气压作用于碳纳米管絮状结构，该碳纳米管絮状结构经过抽滤会直接形成一均匀的碳纳米管薄片。且，由于微孔滤膜表面光滑，该碳纳米管薄片容易剥离。
请参阅图3，为本实施例制备的复合金属的碳纳米管薄片。可以理解，本实施例可通过控制复合金属的碳纳米管絮状结构摊片的面积来控制碳纳米管薄片的厚度和面密度。摊片的面积越大，则碳纳米管薄片的厚度和面密度就越小。本实施例中获得的碳纳米管薄片的厚度为1微米至2毫米。
本实施例中碳纳米管薄片的制备方法具有以下优点：其一，采用原位还原的方法使得金属能够均匀且紧密的复合在碳纳米管表面，且制备的碳纳米管薄片中金属复合的比例可以控制，工序简单，易于实际应用；其二，通过将碳纳米管原料进行絮化处理后使碳纳米管相互缠绕，形成的碳纳米管薄片具有很好的韧性。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内作其它变化，当然这些依据本发明精神所作的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围内。

Claims (9)

1.一种碳纳米管薄片的制备方法，包括：提供一碳纳米管阵列；使碳纳米管阵列脱离，获得碳纳米管原料，将该碳纳米管原料加入到含有金属离子的溶液中并进行絮化处理获得碳纳米管絮状结构；添加还原剂于溶液中；以及将上述碳纳米管絮状结构从溶液中分离，并对该碳纳米管絮状结构定型处理以获得碳纳米管薄片。
2.如权利要求1所述的碳纳米管薄片的制备方法，其特征在于：所述的絮化处理的方法包括超声波分散处理或高强度搅拌。
3.如权利要求1所述的碳纳米管薄片的制备方法，其特征在于：所述的金属包括金、银、铜、铝或铟。
4.如权利要求3所述的碳纳米管薄片的制备方法，其特征在于：所述的含有金属离子的溶液为银氨溶液。
5.如权利要求4所述的碳纳米管薄片的制备方法，其特征在于：所述的还原剂包括乙醛、葡萄糖或甲醛。
6.如权利要求1所述的碳纳米管薄片的制备方法，其特征在于：所述的分离碳纳米管絮状结构的方法具体包括以下步骤：将添加还原剂后的含有碳纳米管絮状结构的溶液倒入放有滤纸的漏斗中；静置干燥一段时间从而获得分离的碳纳米管絮状结构。
7.如权利要求1所述的碳纳米管薄片的制备方法，其特征在于：所述的定型处理具体包括以下步骤：将从溶液中分离的碳纳米管絮状结构置于一容器中；将碳纳米管絮状结构按照预定形状摊开；施加一定压力于摊开的碳纳米管絮状结构；以及，将碳纳米管絮状结构中残留的溶剂烘干或等溶剂自然挥发后获得碳纳米管薄片。
8.如权利要求1所述的碳纳米管薄片的制备方法，其特征在于：所述的分离和定型处理具体包括以下步骤：提供一微孔滤膜及一抽气漏斗；将经絮化处理获得的含有碳纳米管絮状结构的溶液经过微孔滤膜倒入抽气漏斗中；抽滤并干燥后获得碳纳米管薄片。
9.如权利要求1所述的碳纳米管薄片的制备方法，其特征在于：所述的碳纳米管薄片的厚度为1微米至2毫米。
CN 200710074026 2007-04-13 2007-04-13 碳纳米管薄片的制备方法 Active CN101284661B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200710074026 CN101284661B (zh) 2007-04-13 2007-04-13 碳纳米管薄片的制备方法
US12/004,671 US8846144B1 (en) 2007-04-13 2007-12-20 Method for making a carbon nanotube film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200710074026 CN101284661B (zh) 2007-04-13 2007-04-13 碳纳米管薄片的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101284661A CN101284661A (zh) 2008-10-15
CN101284661B true CN101284661B (zh) 2011-03-23

Family

ID=40057108

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200710074026 Active CN101284661B (zh) 2007-04-13 2007-04-13 碳纳米管薄片的制备方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8846144B1 (zh)
CN (1) CN101284661B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101425583B (zh) * 2007-11-02 2011-06-08 清华大学 燃料电池膜电极及其制备方法
CN102092670B (zh) * 2010-12-27 2013-04-17 清华大学 碳纳米管复合结构及其制备方法
US20130157001A1 (en) 2011-12-19 2013-06-20 E I Du Pont De Nemours And Company Structural core
US9434142B2 (en) 2012-01-26 2016-09-06 E I Du Pont De Nemours And Company Method of making a sandwich panel
CN204147696U (zh) * 2014-07-16 2015-02-11 北京富纳特创新科技有限公司 空气净化器
CN108666532B (zh) * 2017-04-01 2021-12-03 清华大学 锂离子电池阳极的制备方法
CN107541186B (zh) * 2017-08-08 2020-04-10 天津师范大学 一种碳纳米管薄膜和铁氧体复合吸波材料及其制备方法
CN109137524A (zh) * 2018-07-18 2019-01-04 开封大学 一种Ag掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法
CN110473670B (zh) * 2019-07-09 2021-03-09 广东工业大学 一种纳米导电膜的制造方法
CN115233198B (zh) * 2022-07-29 2023-08-01 东莞市正为精密塑胶有限公司 一种手机天线用表面金属化材料及其表面金属化方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1475437A (zh) * 2003-07-31 2004-02-18 清华大学 一种碳纳米管纸的制备方法
CN1493711A (zh) * 2002-11-01 2004-05-05 中国科学院理化技术研究所 碳纳米管/银复合功能材料的制备方法
CN1699283A (zh) * 2005-05-27 2005-11-23 上海大学 多壁纳米碳管开关接触器件导电材料的制备方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6767892B1 (en) * 1997-11-07 2004-07-27 Chrion Corporation Compositions providing for increased IGF-I solubility
JP3943272B2 (ja) 1999-01-18 2007-07-11 双葉電子工業株式会社 カーボンナノチューブのフイルム化方法
CN100366528C (zh) * 1999-10-27 2008-02-06 威廉马歇莱思大学 碳质毫微管的宏观有序集合体
US7125502B2 (en) * 2001-07-06 2006-10-24 William Marsh Rice University Fibers of aligned single-wall carbon nanotubes and process for making the same
KR20050009997A (ko) * 2002-05-08 2005-01-26 더 보드 오브 트러스티스 오브 더 리랜드 스탠포드 주니어 유니버시티 관이 배열되어 있는 나노튜브 매트
CN1281982C (zh) * 2002-09-10 2006-10-25 清华大学 一种偏光元件及其制造方法
JP4908846B2 (ja) * 2002-10-31 2012-04-04 三星電子株式会社 炭素ナノチューブ含有燃料電池電極
CN1290763C (zh) * 2002-11-29 2006-12-20 清华大学 一种生产碳纳米管的方法
US7858185B2 (en) 2003-09-08 2010-12-28 Nantero, Inc. High purity nanotube fabrics and films
CN1244491C (zh) * 2003-03-25 2006-03-08 清华大学 一种碳纳米管阵列结构及其制备方法
TW200600452A (en) 2004-06-28 2006-01-01 Wen-Jauh Chen A powder containing carbon nanotubes or carbon nano-fibers and its manufacturing method
CN100467367C (zh) * 2004-08-11 2009-03-11 清华大学 碳纳米管阵列结构及其制备方法
US20060090598A1 (en) * 2004-11-03 2006-05-04 Goia Dan V Aqueous-based method for producing ultra-fine silver powders
TWI300010B (en) 2004-12-03 2008-08-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Method and apparatus for dispersing particles
CN100572260C (zh) * 2005-03-31 2009-12-23 清华大学 一维纳米材料器件的制造方法
TWI288027B (en) 2005-10-14 2007-10-11 Atomic Energy Council Manufacturing method of platinum alloy electrochemical catalyst carried by carbon nanotube

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1493711A (zh) * 2002-11-01 2004-05-05 中国科学院理化技术研究所 碳纳米管/银复合功能材料的制备方法
CN1475437A (zh) * 2003-07-31 2004-02-18 清华大学 一种碳纳米管纸的制备方法
CN1699283A (zh) * 2005-05-27 2005-11-23 上海大学 多壁纳米碳管开关接触器件导电材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101284661A (zh) 2008-10-15
US20140299819A1 (en) 2014-10-09
US8846144B1 (en) 2014-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101284661B (zh) 碳纳米管薄片的制备方法
CN101284662B (zh) 碳纳米管薄膜的制备方法
CN101314464B (zh) 碳纳米管薄膜的制备方法
US7794797B2 (en) Synthesis of carbon nanotubes by selectively heating catalyst
US20100104808A1 (en) Carbon nanotube composite and method for fabricating the same
US8663591B2 (en) Method of preparing graphene shell and graphene shell prepared using the method
TW572846B (en) Carbon nanotube, carbon nanohorn coposite and process
Balci et al. Electroless synthesis of 3 nm wide alloy nanowires inside tobacco mosaic virus
CN101837287B (zh) 碳纳米管纳米颗粒复合材料的制备方法
WO2005116306A1 (ja) ナノクリスタルダイヤモンド膜、その製造方法、及びナノクリスタルダイヤモンド膜を用いた装置
CN103058172A (zh) 一种碳纳米管-石墨烯复合材料的制备方法
CN101450288A (zh) 过滤膜及其制备方法
Terashima et al. Fabrication of vertically aligned diamond whiskers from highly boron-doped diamond by oxygen plasma etching
JP2009184906A (ja) カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法
EP2402285B1 (en) Method for fabricating composite material comprising nano carbon and metal or ceramic
Liu et al. Growth of carbon nanocoils from K and Ag cooperative bicatalyst assisted thermal decomposition of acetylene
CN101559939B (zh) 碳纳米管制备方法
CN115403029B (zh) 一种单壁碳纳米管的制备方法
AU2003207030B2 (en) Fibrous solid carbon manifold assembly and method for producing the same
Wen et al. Gold nanoparticles deposited on mesoporous carbon as a solid-phase sorbent with enhanced extraction capacity and selectivity for anilines
TWI342864B (en) Method for making a carbon nanotube film
CN105209660A (zh) 涂覆碳纳米材料的方法
Liu et al. Preparation and characterization of size-controlled silver nanoparticles decorated multi-walled carbon nanotubes and their electrocatalytic reduction properties for hydrogen peroxide
Karmakar et al. Tubular Diamond as an Efficient Electron Field Emitter
CN101880040B (zh) 一步反应制备γ-Fe2O3纳米线填充碳氮多壁纳米管的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CI01 Publication of corrected invention patent application

Correction item: Patentee|Address|Co-patentee

Correct: Tsinghua University|100084 Tsinghua Foxconn nanometer science and technology research center, Tsinghua University, Beijing, Haidian District 310|Hongfujin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd.

False: Hongfujin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd.|518109 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Longhua Town Industrial Zone tabulaeformis tenth East Ring Road No. 2 two

Number: 12

Volume: 27

CI03 Correction of invention patent

Correction item: Patentee|Address|Co-patentee

Correct: Tsinghua University|100084 Tsinghua Foxconn nanometer science and technology research center, Tsinghua University, Beijing, Haidian District 310|Hongfujin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd.

False: Hongfujin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd.|518109 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Longhua Town Industrial Zone tabulaeformis tenth East Ring Road No. 2 two

Number: 12

Page: The title page

Volume: 27

ERR Gazette correction

Free format text: CORRECT: PATENTEE; ADDRESS; CO-PATENTEE; FROM: HONGFUJIN PRECISION INDUSTRY (SHENZHEN) CO., LTD.;518109 NO. 2, EAST RING 2ND ROAD, YOUSONG 10TH INDUSTRIAL ZONE, LONGHUA TOWN, BAOAN DISTRICT, SHENZHEN CITY, GUANGDONG PROVINCE TO: TSINGHUA UNIVERSITY;100084 310#, TSINGHUA-FOXCONN NANOTECHNOLOGY RESEARCH CENTER, TSINGHUA UNIVERSITY, HAIDIAN DISTRICT, BEIJING; HONGFUJIN PRECISION INDUSTRY (SHENZHEN) CO., LTD.