JP3922257B2 - セラミック積層体の製造方法 - Google Patents
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Description
【技術分野】
【０００１】
本発明は、切り込み溝に沿ってセラミック積層体を分割する工程を有する、セラミック積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開平８−３７２５０号公報に記載されているように、セラミック多層基板を量産する際には、未焼成のセラミック積層体を切り込み溝に沿って分割する方法が知られている。この方法は、図５（ａ）に示すように、複数の未焼成セラミック層４１を積層してなる未焼成のセラミック積層体４２の一方主面上に切り込み溝４３を形成し、未焼成のセラミック積層体４２を焼成した後、図５（ｂ）に示すように、焼成後のセラミック積層体４２を、切り込み溝４３に沿って、複数のセラミック積層体４２ａに分割するものである。
【０００３】
しかしながら、未焼成のセラミック層４１において、各セラミック層が同系色（例えば、白色）で構成される場合、セラミック層４１の境界を判別しづらく、そのため適切な深さの切り込み溝４３を均一に形成することは困難であった。
【０００４】
すなわち、切り込み溝４３が目的の深さよりも浅くなると、焼成後のセラミック積層体４２ａを分割することができない場合がある。他方、切り込み溝４３が目的の深さよりも深くなると、たとえば、焼成後のセラミック積層体４２上の配線パターンにめっきを施す際、焼成後のセラミック積層体４２上に実装部品を実装する際、あるいは、切り込み溝４３に沿って焼成後のセラミック積層体４２を分割する際などに加わる応力によって、焼成後のセラミック積層体４２や分割後のセラミック積層体４２ａに割れや欠けが生じてしまう場合がある。
【０００５】
あらかじめ未焼成のセラミック層４１の厚みを測定しておけば、切り込み溝４３の深さ位置を求めることは可能であるが、未焼成のセラミック積層体４２を圧着した場合、各セラミック層４１の厚みが変化するため、この方法を採用することは好ましくない。
【０００６】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、セラミック積層体に適切な深さの切り込み溝を形成し、変形、割れ、欠けの少ないセラミック積層体を作製することができるセラミック積層体の製造方法を提供することにある。
【発明の開示】
【０００７】
すなわち、本発明は、第１のセラミック材料を含む未焼成の第１のセラミック層と、第２のセラミック材料および着色剤を含み、前記第１のセラミック層とは異なる色に着色された未焼成の第２のセラミック層と、が積層されてなる未焼成のセラミック積層体を準備する第１工程と、未焼成の前記セラミック積層体の端部を積層方向に切断し、それにより得られた未焼成の前記セラミック積層体の断片を観察し、次に、前記第２のセラミック層を基準として切り込み溝の深さを求め、その後、未焼成の前記セラミック積層体表面から前記深さまで切り込み溝を形成する第２工程と、未焼成の前記セラミック積層体を焼成する第３工程と、焼成後の前記セラミック積層体をその表面に形成された切り込み溝に沿って分割する第４工程と、を備えるセラミック積層体の製造方法に係るものである。
【０００８】
本発明のセラミック積層体の製造方法において、第２工程において形成される切り込み溝は、その先端が第２のセラミック層にとどまるように形成されていてもよい。また、切り込み溝は、その先端が第２のセラミック層を貫通するように形成されていてもよい。あるいは、その先端が前記セラミック積層体の前記切り込み溝を形成し始める表面側の第１のセラミック層にとどまるように形成されていてもよい。
【０００９】
また、本発明のセラミック積層体の製造方法は、第１工程における未焼成のセラミック積層体が、未焼成の第１のセラミック層が積層されてなる未焼成の基板用セラミック積層体と、第１のセラミック材料の焼結温度では焼結しない第２のセラミック材料を含み、未焼成の基板用セラミック積層体の上下面に積層された未焼成の第２のセラミック層と、からなり、第２工程における切り込み溝は、第２のセラミック層を貫通して基板用セラミック積層体に達するように形成されており、第３工程において、第１のセラミック材料が焼結し第２のセラミック材料が焼結しない温度で、未焼成のセラミック積層体を焼成し、第４工程は、焼成後の前記セラミック積層体から第２のセラミック層を除去し、焼成後の基板用セラミック積層体を取り出す工程をさらに備え、第４工程において、焼成後の基板用セラミック積層体をその表面に形成された切り込み溝に沿って分割する、といったセラミック積層体の製造方法にも向けられる。
【００１０】
また、本発明に係るセラミック積層体の製造方法は、第１工程における未焼成のセラミック積層体は、未焼成の第２のセラミック層が積層されてなる未焼成の基板用セラミック積層体と、第２のセラミック材料の焼結温度では焼結しない第１のセラミック材料を含み、未焼成の基板用セラミック積層体の上下面に積層された未焼成の第１のセラミック層と、からなり、第２工程における切り込み溝は、第１のセラミック層を貫通して基板用セラミック積層体に達するように形成され、第３工程において、第２のセラミック材料が焼結し第１のセラミック材料が焼結しない温度で、未焼成の前記セラミック積層体を焼成し、第４工程は、焼成後のセラミック積層体から第１のセラミック層を除去し、焼成後の基板用セラミック積層体を取り出す工程をさらに備え、第４工程において、焼成後の基板用セラミック積層体をその表面に形成された切り込み溝に沿って分割する、といったセラミック積層体の製造方法にも向けられる。
【００１１】
本発明のセラミック積層体の製造方法において、着色剤は、第３工程において焼失するものであることが好ましい。
【００１２】
また、本発明のセラミック積層体の製造方法においては、焼成後の基板用セラミック積層体の主面上に実装部品を実装する工程を、さらに備えることが好ましい。また、セラミック積層体は、その内部に内部電極を有し、外部に外部電極を有する、いわゆるセラミック電子部品であってよい。
【００１３】
本発明のセラミック積層体の製造方法によれば、着色された未焼成の第２のセラミック層を基準として、未焼成のセラミック積層体に適切な深さの切り込み溝を形成することができる。したがって、切り込み溝が目的の深さよりも浅くなってセラミック積層体を分割できなかったり、切り込み溝が目的の深さよりも深くなってセラミック積層体に割れや欠けが生じたりするのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（実施形態１）
以下、本発明に係るセラミック積層体の製造方法の一実施形態を説明する。
【００１５】
＜第１工程＞
まず、第１工程にて、図１（ａ）に示すように、未焼成の第１のセラミック層１１と、第１のセラミック層１１とは異なる色に着色された未焼成の第２のセラミック層１２と、を積層してなる未焼成のセラミック積層体１３を準備する。
【００１６】
ここで、未焼成の第１のセラミック層１１は、第１のセラミック材料を含む。
第１のセラミック材料としては、銀や銅などの高導電率、低融点の金属配線パターンと一体焼成（同時焼成）できるように、焼結温度の低いもの、具体的には１０００℃以下で焼成可能なものを用いることが好ましい。また、第１のセラミック材料としては、内部に形成される内部電極間を伝播する信号に遅延が生じないように、比誘電率の低いものを用いることが好ましい。このような条件を満たすセラミック材料としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックとＣａＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラスとを混合したガラスセラミック材料が挙げられる。
【００１７】
未焼成の第１のセラミック層１１の色は、主に第１のセラミック材料固有の色に支配される。例えば、第１のセラミック材料として、Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックとＣａＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラスとを混合したガラスセラミック材料を用いた場合、第１のセラミック層１１の色は白色となる。
【００１８】
未焼成の第２のセラミック層１２は、第２のセラミック材料を含む。本実施形態において、第２のセラミック材料は第１のセラミック材料と同じものを用いても構わない。また、未焼成の第２のセラミック層１２は着色剤を含み、第１のセラミック層１１とは異なる色に着色されている。
【００１９】
着色剤としては、各色の顔料や染料などを用いることができる。また、着色剤は、未焼成のセラミック積層体１３を焼成する際に焼失するものであることが好ましい。これは、焼成時に着色剤が残留するとセラミック積層体１３の焼結性が低下したり、焼成後に着色剤が残留すると焼成後のセラミック積層体１３の商品価値が下がってしまうことがあるからである。例えば、未焼成のセラミック積層体１３を１０００℃で焼成する場合、着色剤は１０００℃以下で焼失するものが好ましい。このような着色剤としては、アゾ系染料などが挙げられる。なお、着色剤は、未焼成の第２のセラミック層１２において０．００１重量％程度含まれていれば、十分に未焼成の第２のセラミック層１２を着色することができるが、その含有量は、未焼成のセラミック層において０．０１重量％以下、さらには０．００５重量％以下が好ましい。
【００２０】
なお、未焼成の第１のセラミック層１１と未焼成の第２のセラミック層１２とが異なる色に着色されている限り、第１のセラミック層１１に着色剤が添加されていてもよい。
【００２１】
未焼成の第１のセラミック層１１または未焼成の第２のセラミック層１２は、例えば、第１のセラミック材料または第２のセラミック材料に、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤を加えて混練し、得られたセラミックスラリーをドクターブレード法によりシート状に成形したセラミックグリーンシートにより構成される。なお、セラミックグリーンシートを積層する際には、メカプレスや静水圧プレスにより、セラミックグリーンシートを積層方向に圧着してもよい。
【００２２】
また、必要に応じて、未焼成の第１のセラミック層１１または未焼成の第２のセラミック層１２上には、配線パターンが形成される。配線パターンは、例えば、金属粉末に、適当量のバインダ、ガラス粉末、分散剤を混合して導電性ペーストを作製し、この導電性ペーストをスクリーン印刷によりセラミックグリーンシートに印刷することにより形成される。
【００２３】
また、必要に応じて、未焼成の第１のセラミック層１１または未焼成の第２のセラミック層１２にはビアホールが形成され、このビアホール内部に導電性ペーストが充填されてビア導体が形成される。ビアホールを形成する方法としては、グリーンシートの一部をパンチャーにより打ち抜く方法や、レーザーで穴を開ける方法などが挙げられる。
【００２４】
なお、第１のセラミック材料または第２のセラミック材料は１種類に限定されるものではなく、未焼成の第１のセラミック層１１ごとに第１のセラミック材料の種類を異ならせてもよいし、未焼成の第２のセラミック層１２ごとに第２のセラミック材料の種類を異ならせてもよい。
【００２５】
＜第２工程＞
第２工程では、図１（ｂ）に示すように、第２のセラミック層１２を基準として、未焼成のセラミック積層体１３表面から切り込み溝１４を形成する。本実施形態においては、切り込み溝１４は、その先端が第２のセラミック層１２にとどまるように形成されている。このように着色された第２のセラミック層１２を基準とすることにより、未焼成のセラミック積層体１３に適切な深さの切り込み溝１４を確実に形成することができる。特に、切り込み溝を複数形成した場合でも、各々の切り込み溝が均一な深さとなるように確実に形成することができる。なお、図１（ｂ）では、未焼成のセラミック積層体１３の一方主面に切り込み溝１４が形成されているが、未焼成のセラミック積層体１３の両主面に切り込み溝１４が形成されていてもよい。
【００２６】
また、切り込み溝１４は、着色された第２のセラミック層を基準として形成される限り、その他の態様で形成されていても構わない。例えば、図２（ａ）に示すように、切り込み溝１４が、第２のセラミック層１２を貫通し、第２のセラミック層１２の切り込み溝１４先端側主面と隣接する第１のセラミック層１１ａにとどまるように形成されていてもよい。この場合、着色された第２のセラミック層が切り込み溝内に露出しているため、着色剤の焼失がより円滑に行われる。また、図２（ｂ）に示すように、切り込み溝１４が、第２のセラミック層１２を貫通せず、第２のセラミック層１２の切り込み溝１４開口側主面と隣接する第１のセラミック層１１ｂにとどまるように形成されていてもよい。
【００２７】
＜第３工程＞
第３工程では、切り込み溝１４が形成された未焼成のセラミック積層体１３を焼成することにより、図１（ｃ）に示すように、切り込み溝１４が形成された焼成後のセラミック積層体１３ａが得られる。なお、本実施形態は、未焼成の第２のセラミック層１２に含まれる着色剤として、焼成時に焼失するものを用いた場合を説明するものであり、図１（ａ）、（ｂ）に示す未焼成の第２のセラミック層１２と、図１（ｃ）に示す焼成後の第２のセラミック層１２ａとで、意図的に図示（ハッチング）を異ならせている。
【００２８】
＜第４工程＞
第４工程では、焼成後のセラミック積層体１３ａを切り込み溝１４に沿って分割することにより、図１（ｄ）に示すように、複数のセラミック積層体１３ｂが得られる。
【００２９】
なお、セラミック積層体１３ｂの主面上に実装部品を実装したモジュールを作製する場合は、焼成後のセラミック積層体１３ａの主面上に実装部品を実装してから、セラミック積層体１３ａを分割してもよいし、分割されたセラミック積層体１３ｂの主面上に実装部品を実装してもよい。
【００３０】
（実施形態２）
以下、本発明に係るセラミック積層体の製造方法について、その他の実施形態を説明する。
【００３１】
＜第１工程＞
第１工程では、図３（ａ）に示すように、未焼成の第１のセラミック層２１が積層されてなる未焼成の基板用セラミック積層体２５と、未焼成の基板用セラミック積層体２５の上下面に積層された第２のセラミック層２２と、からなる未焼成のセラミック積層体２３を準備する。
【００３２】
本実施形態においては、着色された第２のセラミック層２２が、第１のセラミック材料の焼結温度では焼結しない第２のセラミック材料を含むとともに、未焼成のセラミック積層体２３の最外層に積層されている。
【００３３】
第２のセラミック材料としては、例えば、第１のセラミック材料として１０００℃以下で焼成できるものを用いた場合、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２などのセラミック材料を用いることができる。なお、複数種類の第１のセラミック材料が存在する場合、「第１のセラミック材料の焼結温度」とは、その中でも最も高い焼結温度のことを指す。
【００３４】
なお、本実施形態において、未焼成の第２のセラミック層２２は単一の層で構成されているが、複数の層で構成されていてもよい。また、図３（ａ）において、第１のセラミック材料の焼結温度では焼結しない第２のセラミック材料を含み着色剤を含まない未焼成のセラミック層を、未焼成の第２のセラミック層２２上にさらに積層してもよい。
【００３５】
＜第２工程＞
第２工程では、図３（ｂ）に示すように、第２のセラミック層２２を貫通して碁板用セラミック積層体２５に達するように、切り込み溝２４が形成される。
【００３６】
＜第３工程＞
第３工程では、切り込み溝２４が形成された未焼成のセラミック積層体２３を焼成することにより、図３（ｃ）に示すように、切り込み溝２４が形成された焼成後のセラミック積層体２３ａが得られる。なお、本実施形態は、第２のセラミック層２２に含まれる着色剤として、焼成時に焼失するものを用いた場合を説明するものであり、図３（ａ）、（ｂ）に示す未焼成の第２のセラミック層２２と、図３（ｃ）に示す焼成後の第２のセラミック層２２ａとで、意図的に図示（ハッチング）を異ならせている。
【００３７】
焼成時には、第１のセラミック材料が焼結し、第２のセラミック材料が実質的に焼結しない温度で焼成を行う。このため、焼成時には、焼結による収縮をほとんど起こさない第２のセラミック層２２が、第１のセラミック層２１の焼結による平面方向における収縮を抑制するように作用する。これにより、焼成後の基板用セラミック積層体２５ａにおいては、反りや変形が生じにくくなる。
【００３８】
＜第４工程＞
第４工程では、まず、焼成後のセラミック積層体２３ａから焼成後の第２のセラミック層２２ａを除去し、図３（ｄ）に示すように、切り込み溝２４ａが形成された基板用セラミック積層体２５ａを取り出す。
【００３９】
次に、焼成後の基板用セラミック積層体２５ａを切り込み溝２４ａに沿って分割することにより、図３（ｅ）に示すように、複数のセラミック積層体２５ｂが得られる。
【００４０】
なお、その他の各構成の詳細、および各工程の詳細については、実施形態１と同様であり、説明を省略する。
【００４１】
（実施形態３）
以下、本発明に係るセラミック積層体の製造方法について、その他の実施形態を説明する。
【００４２】
＜第１工程＞
第１工程では、図４（ａ）に示すように、未焼成の第２のセラミック層３２が積層されてなる未焼成の基板用セラミック積層体３５と、未焼成の基板用セラミック積層体３５の上下面に積層された第１のセラミック層３１と、からなる未焼成のセラミック積層体３３を準備する。
【００４３】
本実施形態においては、第１のセラミック層３１が、第２のセラミック材料の焼結温度では焼結しない第１のセラミック材料を含むとともに、未焼成のセラミック積層体３３の最外層に積層されている。また、着色された第２のセラミック層３２により、基板用セラミック積層体３５が構成されている。
【００４４】
＜第２工程＞
第２工程では、図４（ｂ）に示すように、第１のセラミック層３１を貫通して基板用セラミック積層体３５に達するように、切り込み溝３４が形成される。
【００４５】
＜第３工程＞
第３工程では、切り込み溝３４が形成された未焼成のセラミック積層体３３を焼成することにより、図４（ｃ）に示すように、切り込み溝３４が形成された焼成後のセラミック積層体３３ａが得られる。なお、本実施形態は、第２のセラミック層３２に含まれる着色剤として、焼成時に焼失するものを用いた場合を説明するものであり、図４（ａ）、（ｂ）に示す未焼成の第２のセラミック層３２と、図４（ｃ）に示す焼成後の第２のセラミック層３２ａとで、意図的に図示（ハッチング）を異ならせている。
【００４６】
焼成時には、第２のセラミック材料が焼結し、第１のセラミック材料が焼結しない温度で焼成を行う。このため、焼成時には、焼結による収縮をほとんど起こさない第１のセラミック層３１が、第２のセラミック層３２の焼結による平面方向における収縮を抑制するように作用する。これにより、焼成後の基板用セラミック積層体３５ａにおいては、反りや変形が生じにくくなる。
【００４７】
＜第４工程＞
第４工程では、まず、焼成後のセラミック積層体３３ａから焼成後の第１のセラミック層３１ａを除去し、図４（ｄ）に示すように、切り込み溝３４ａが形成された基板用セラミック積層体３５ａを取り出す。
【００４８】
次に、焼成後の基板用セラミック積層体３５ａを切り込み溝３４ａに沿って分割することにより、図４（ｅ）に示すように、複数のセラミック積層体３５ｂが得られる。
【００４９】
なお、その他の各構成の詳細、および各工程の詳細については、実施形態１と同様であり、説明を省略する。
【００５０】
（実験例）
実施形態２で説明したセラミック積層体の製造方法により、実際にセラミック積層体を作製し、これを評価した。以下、その様子を記載する。
【００５１】
まず、Ａｌ２Ｏ３粉末およびＣａＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス粉末を準備し、それぞれが５０重量％の割合となるように混合し、第１のセラミック材料を準備した。次に、この第１のセラミック材料に、溶剤としてトルエン、バインダとしてポリビニルブチラール、可塑剤としてジオクチルフタレートを、それぞれ適当量加えて混練し、スラリーを作製した。次に、このスラリーをドクターブレード法により厚さ１００μｍのセラミックグリーンシートに成形し、これを第１のセラミックグリーンシートとした。この第１のセラミックグリーンシートは白色であった。
【００５２】
一方、Ａｌ２Ｏ３粉末を第２のセラミック材料とし、この第２のセラミック材料に、溶剤としてトルエン、バインダとしてポリビニルブチラール、可塑剤としてジオクチルフタレート、着色剤としてアゾ系染料（日本化薬製Ｋａｙａｓｅｔ Ｒｅｄ Ｂ）をそれぞれ適当量加えて混練し、スラリーを作製した。次に、このスラリーをドクターブレード法により厚さ１００μｍのセラミックグリーンシートに成形し、これを第２のセラミックグリーンシートとした。この第２のセラミックグリーンシートは赤色であった。
【００５３】
次に、第１のセラミックグリーンシートを１３枚積層して、未焼成の基板用セラミック積層体を作製した。なお、未焼成の基板用セラミック積層体の最上層には、一方主面上にＡｇペーストからなる配線パターンが形成された第１のセラミックグリーンシートを積層した。次に、未焼成の基板用セラミック積層体の上下面に第２のセラミックグリーンシートを４枚ずつ積層し、厚さ２．１ｍｍの未焼成のセラミック積層体を作製した。次に、静水圧プレスにより未焼成のセラミック積層体を圧着した。
【００５４】
次に、カット機により未焼成のセラミック積層体の端部を積層方向に切断した。次に、得られた断片を顕微鏡で観察し、赤色の第２のセラミックグリーンシートを基準として切り込み溝の深さを求めた。次に、その深さをカット機に設定し、未焼成のセラミック積層体の一方主面に複数の切り込み溝を形成した。未焼成のセラミック積層体の一方主面において、切り込み溝の間隔は縦方向に９ｍｍ、横方向に１０ｍｍであった。
【００５５】
次に、切り込み溝が形成された未焼成のセラミック積層体を、空気中、９００℃で焼成した。次に、焼成後のセラミック積層体から第２のセラミックグリーンシートを除去し、焼成後の基板用セラミック積層体を取り出した。このとき、基板用セラミック積層体の外観を観察した結果、特に色むらなどは観察されず、第２のセラミックグリーンシートに含まれる着色剤はきれいに焼失したことが確認された。上記のようにして、切り込み溝が形成された基板用セラミック積層体を５０個作製し、これらを試料グループＡとした。
【００５６】
一方、これらとは別に、第２のセラミックグリーンシートに着色剤を添加しない点以外は、上記の方法と同様にして、未焼成のセラミック積層体を５０個作製した。次に、第１、第２のセラミックグリーンシートの厚みから計算により切り込み溝の深さを求め、その深さをカット機に設定し、未焼成のセラミック積層体の一方主面に複数の切り込み溝を形成した。未焼成のセラミック積層体の一方主面において、切り込み溝の間隔は縦方向に９ｍｍ、横方向に１０ｍｍであった。
【００５７】
次に、切り込み溝が形成された未焼成のセラミック積層体を、空気中、９００℃で焼成した。次に、焼成後のセラミック積層体から第２のセラミックグリーンシートを除去し、焼成後の基板用セラミック積層体を取り出した。上記のようにして、切り込み溝が形成された基板用セラミック積層体を５０個作製し、これらを試料グループＢとした。
【００５８】
次に、試料グループＡ，Ｂについて、基板用セラミック積層体に形成された配線パターンに、Ｎｉめっきを施し、さらにＡｕめっきを施した。次に、めっき後の配線パターンにチップコンデンサを搭載した。最後に、チップコンデンサが搭載されて基板用セラミック積層体を、切り込み溝に沿って分割した。
【００５９】
このとき、試料グループＡ，Ｂについて、（１）基板用セラミック積層体作製後の割れ、（２）めっき処理後の割れ、（３）チップコンデンサ搭載後の割れ、（４）基板用セラミック積層体分割後の割れ、（５）基板用セラミック積層体分割後の欠け、が生じた個数を調べた。その結果を、表１に示す。なお、割れや欠けが確認されたものについては、その都度、各試料グループから除外している。
【００６０】
【表１】
【００６１】
表１に示すように、試料グループＡについては、どの時点においてもセラミック積層体に割れや欠けは確認されなかった。一方、試料グループＢについては、各時点においてセラミック積層体に割れや欠けが生じ、最終的に使用できるセラミック積層体が２２個しか残らなかった。この結果から、第２のセラミックグリーンシートを着色した試料グループＡについては、適切な深さの切り込み溝が形成されていたことがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
以上のように、本発明のセラミック積層体の製造方法は、たとえば、積層セラミックコンデンサ、セラミック多層基板などのセラミック積層体を製造する方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
図１は、本発明に係るセラミック積層体の製造方法の一実施形態を示す工程断面図である。
図２は、図１（ｂ）の変形例を示す工程断面図である。
図３は、本発明に係るセラミック積層体の製造方法のその他の実施形態を示す工程断面図である。
図４は、本発明に係るセラミック積層体の製造方法のその他の実施形態を示す工程断面図である。
図５は、従来のセラミック積層体の製造方法を示す工程断面図である。
【０００１】
本発明は、切り込み溝に沿ってセラミック積層体を分割する工程を有する、セラミック積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開平８−３７２５０号公報に記載されているように、セラミック多層基板を量産する際には、未焼成のセラミック積層体を切り込み溝に沿って分割する方法が知られている。この方法は、図５（ａ）に示すように、複数の未焼成セラミック層４１を積層してなる未焼成のセラミック積層体４２の一方主面上に切り込み溝４３を形成し、未焼成のセラミック積層体４２を焼成した後、図５（ｂ）に示すように、焼成後のセラミック積層体４２を、切り込み溝４３に沿って、複数のセラミック積層体４２ａに分割するものである。
【０００３】
しかしながら、未焼成のセラミック層４１において、各セラミック層が同系色（例えば、白色）で構成される場合、セラミック層４１の境界を判別しづらく、そのため適切な深さの切り込み溝４３を均一に形成することは困難であった。
【０００４】
すなわち、切り込み溝４３が目的の深さよりも浅くなると、焼成後のセラミック積層体４２ａを分割することができない場合がある。他方、切り込み溝４３が目的の深さよりも深くなると、たとえば、焼成後のセラミック積層体４２上の配線パターンにめっきを施す際、焼成後のセラミック積層体４２上に実装部品を実装する際、あるいは、切り込み溝４３に沿って焼成後のセラミック積層体４２を分割する際などに加わる応力によって、焼成後のセラミック積層体４２や分割後のセラミック積層体４２ａに割れや欠けが生じてしまう場合がある。
【０００５】
あらかじめ未焼成のセラミック層４１の厚みを測定しておけば、切り込み溝４３の深さ位置を求めることは可能であるが、未焼成のセラミック積層体４２を圧着した場合、各セラミック層４１の厚みが変化するため、この方法を採用することは好ましくない。
【０００６】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、セラミック積層体に適切な深さの切り込み溝を形成し、変形、割れ、欠けの少ないセラミック積層体を作製することができるセラミック積層体の製造方法を提供することにある。
【発明の開示】
【０００７】
すなわち、本発明は、第１のセラミック材料を含む未焼成の第１のセラミック層と、第２のセラミック材料および着色剤を含み、前記第１のセラミック層とは異なる色に着色された未焼成の第２のセラミック層と、が積層されてなる未焼成のセラミック積層体を準備する第１工程と、未焼成の前記セラミック積層体の端部を積層方向に切断し、それにより得られた未焼成の前記セラミック積層体の断片を観察し、次に、前記第２のセラミック層を基準として切り込み溝の深さを求め、その後、未焼成の前記セラミック積層体表面から前記深さまで切り込み溝を形成する第２工程と、未焼成の前記セラミック積層体を焼成する第３工程と、焼成後の前記セラミック積層体をその表面に形成された切り込み溝に沿って分割する第４工程と、を備えるセラミック積層体の製造方法に係るものである。
【０００８】
本発明のセラミック積層体の製造方法において、第２工程において形成される切り込み溝は、その先端が第２のセラミック層にとどまるように形成されていてもよい。また、切り込み溝は、その先端が第２のセラミック層を貫通するように形成されていてもよい。あるいは、その先端が前記セラミック積層体の前記切り込み溝を形成し始める表面側の第１のセラミック層にとどまるように形成されていてもよい。
【０００９】
また、本発明のセラミック積層体の製造方法は、第１工程における未焼成のセラミック積層体が、未焼成の第１のセラミック層が積層されてなる未焼成の基板用セラミック積層体と、第１のセラミック材料の焼結温度では焼結しない第２のセラミック材料を含み、未焼成の基板用セラミック積層体の上下面に積層された未焼成の第２のセラミック層と、からなり、第２工程における切り込み溝は、第２のセラミック層を貫通して基板用セラミック積層体に達するように形成されており、第３工程において、第１のセラミック材料が焼結し第２のセラミック材料が焼結しない温度で、未焼成のセラミック積層体を焼成し、第４工程は、焼成後の前記セラミック積層体から第２のセラミック層を除去し、焼成後の基板用セラミック積層体を取り出す工程をさらに備え、第４工程において、焼成後の基板用セラミック積層体をその表面に形成された切り込み溝に沿って分割する、といったセラミック積層体の製造方法にも向けられる。
【００１０】
また、本発明に係るセラミック積層体の製造方法は、第１工程における未焼成のセラミック積層体は、未焼成の第２のセラミック層が積層されてなる未焼成の基板用セラミック積層体と、第２のセラミック材料の焼結温度では焼結しない第１のセラミック材料を含み、未焼成の基板用セラミック積層体の上下面に積層された未焼成の第１のセラミック層と、からなり、第２工程における切り込み溝は、第１のセラミック層を貫通して基板用セラミック積層体に達するように形成され、第３工程において、第２のセラミック材料が焼結し第１のセラミック材料が焼結しない温度で、未焼成の前記セラミック積層体を焼成し、第４工程は、焼成後のセラミック積層体から第１のセラミック層を除去し、焼成後の基板用セラミック積層体を取り出す工程をさらに備え、第４工程において、焼成後の基板用セラミック積層体をその表面に形成された切り込み溝に沿って分割する、といったセラミック積層体の製造方法にも向けられる。
【００１１】
本発明のセラミック積層体の製造方法において、着色剤は、第３工程において焼失するものであることが好ましい。
【００１２】
また、本発明のセラミック積層体の製造方法においては、焼成後の基板用セラミック積層体の主面上に実装部品を実装する工程を、さらに備えることが好ましい。また、セラミック積層体は、その内部に内部電極を有し、外部に外部電極を有する、いわゆるセラミック電子部品であってよい。
【００１３】
本発明のセラミック積層体の製造方法によれば、着色された未焼成の第２のセラミック層を基準として、未焼成のセラミック積層体に適切な深さの切り込み溝を形成することができる。したがって、切り込み溝が目的の深さよりも浅くなってセラミック積層体を分割できなかったり、切り込み溝が目的の深さよりも深くなってセラミック積層体に割れや欠けが生じたりするのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（実施形態１）
以下、本発明に係るセラミック積層体の製造方法の一実施形態を説明する。
【００１５】
＜第１工程＞
まず、第１工程にて、図１（ａ）に示すように、未焼成の第１のセラミック層１１と、第１のセラミック層１１とは異なる色に着色された未焼成の第２のセラミック層１２と、を積層してなる未焼成のセラミック積層体１３を準備する。
【００１６】
ここで、未焼成の第１のセラミック層１１は、第１のセラミック材料を含む。
第１のセラミック材料としては、銀や銅などの高導電率、低融点の金属配線パターンと一体焼成（同時焼成）できるように、焼結温度の低いもの、具体的には１０００℃以下で焼成可能なものを用いることが好ましい。また、第１のセラミック材料としては、内部に形成される内部電極間を伝播する信号に遅延が生じないように、比誘電率の低いものを用いることが好ましい。このような条件を満たすセラミック材料としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックとＣａＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラスとを混合したガラスセラミック材料が挙げられる。
【００１７】
未焼成の第１のセラミック層１１の色は、主に第１のセラミック材料固有の色に支配される。例えば、第１のセラミック材料として、Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックとＣａＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラスとを混合したガラスセラミック材料を用いた場合、第１のセラミック層１１の色は白色となる。
【００１８】
未焼成の第２のセラミック層１２は、第２のセラミック材料を含む。本実施形態において、第２のセラミック材料は第１のセラミック材料と同じものを用いても構わない。また、未焼成の第２のセラミック層１２は着色剤を含み、第１のセラミック層１１とは異なる色に着色されている。
【００１９】
着色剤としては、各色の顔料や染料などを用いることができる。また、着色剤は、未焼成のセラミック積層体１３を焼成する際に焼失するものであることが好ましい。これは、焼成時に着色剤が残留するとセラミック積層体１３の焼結性が低下したり、焼成後に着色剤が残留すると焼成後のセラミック積層体１３の商品価値が下がってしまうことがあるからである。例えば、未焼成のセラミック積層体１３を１０００℃で焼成する場合、着色剤は１０００℃以下で焼失するものが好ましい。このような着色剤としては、アゾ系染料などが挙げられる。なお、着色剤は、未焼成の第２のセラミック層１２において０．００１重量％程度含まれていれば、十分に未焼成の第２のセラミック層１２を着色することができるが、その含有量は、未焼成のセラミック層において０．０１重量％以下、さらには０．００５重量％以下が好ましい。
【００２０】
なお、未焼成の第１のセラミック層１１と未焼成の第２のセラミック層１２とが異なる色に着色されている限り、第１のセラミック層１１に着色剤が添加されていてもよい。
【００２１】
未焼成の第１のセラミック層１１または未焼成の第２のセラミック層１２は、例えば、第１のセラミック材料または第２のセラミック材料に、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤を加えて混練し、得られたセラミックスラリーをドクターブレード法によりシート状に成形したセラミックグリーンシートにより構成される。なお、セラミックグリーンシートを積層する際には、メカプレスや静水圧プレスにより、セラミックグリーンシートを積層方向に圧着してもよい。
【００２２】
また、必要に応じて、未焼成の第１のセラミック層１１または未焼成の第２のセラミック層１２上には、配線パターンが形成される。配線パターンは、例えば、金属粉末に、適当量のバインダ、ガラス粉末、分散剤を混合して導電性ペーストを作製し、この導電性ペーストをスクリーン印刷によりセラミックグリーンシートに印刷することにより形成される。
【００２３】
また、必要に応じて、未焼成の第１のセラミック層１１または未焼成の第２のセラミック層１２にはビアホールが形成され、このビアホール内部に導電性ペーストが充填されてビア導体が形成される。ビアホールを形成する方法としては、グリーンシートの一部をパンチャーにより打ち抜く方法や、レーザーで穴を開ける方法などが挙げられる。
【００２４】
なお、第１のセラミック材料または第２のセラミック材料は１種類に限定されるものではなく、未焼成の第１のセラミック層１１ごとに第１のセラミック材料の種類を異ならせてもよいし、未焼成の第２のセラミック層１２ごとに第２のセラミック材料の種類を異ならせてもよい。
【００２５】
＜第２工程＞
第２工程では、図１（ｂ）に示すように、第２のセラミック層１２を基準として、未焼成のセラミック積層体１３表面から切り込み溝１４を形成する。本実施形態においては、切り込み溝１４は、その先端が第２のセラミック層１２にとどまるように形成されている。このように着色された第２のセラミック層１２を基準とすることにより、未焼成のセラミック積層体１３に適切な深さの切り込み溝１４を確実に形成することができる。特に、切り込み溝を複数形成した場合でも、各々の切り込み溝が均一な深さとなるように確実に形成することができる。なお、図１（ｂ）では、未焼成のセラミック積層体１３の一方主面に切り込み溝１４が形成されているが、未焼成のセラミック積層体１３の両主面に切り込み溝１４が形成されていてもよい。
【００２６】
また、切り込み溝１４は、着色された第２のセラミック層を基準として形成される限り、その他の態様で形成されていても構わない。例えば、図２（ａ）に示すように、切り込み溝１４が、第２のセラミック層１２を貫通し、第２のセラミック層１２の切り込み溝１４先端側主面と隣接する第１のセラミック層１１ａにとどまるように形成されていてもよい。この場合、着色された第２のセラミック層が切り込み溝内に露出しているため、着色剤の焼失がより円滑に行われる。また、図２（ｂ）に示すように、切り込み溝１４が、第２のセラミック層１２を貫通せず、第２のセラミック層１２の切り込み溝１４開口側主面と隣接する第１のセラミック層１１ｂにとどまるように形成されていてもよい。
【００２７】
＜第３工程＞
第３工程では、切り込み溝１４が形成された未焼成のセラミック積層体１３を焼成することにより、図１（ｃ）に示すように、切り込み溝１４が形成された焼成後のセラミック積層体１３ａが得られる。なお、本実施形態は、未焼成の第２のセラミック層１２に含まれる着色剤として、焼成時に焼失するものを用いた場合を説明するものであり、図１（ａ）、（ｂ）に示す未焼成の第２のセラミック層１２と、図１（ｃ）に示す焼成後の第２のセラミック層１２ａとで、意図的に図示（ハッチング）を異ならせている。
【００２８】
＜第４工程＞
第４工程では、焼成後のセラミック積層体１３ａを切り込み溝１４に沿って分割することにより、図１（ｄ）に示すように、複数のセラミック積層体１３ｂが得られる。
【００２９】
なお、セラミック積層体１３ｂの主面上に実装部品を実装したモジュールを作製する場合は、焼成後のセラミック積層体１３ａの主面上に実装部品を実装してから、セラミック積層体１３ａを分割してもよいし、分割されたセラミック積層体１３ｂの主面上に実装部品を実装してもよい。
【００３０】
（実施形態２）
以下、本発明に係るセラミック積層体の製造方法について、その他の実施形態を説明する。
【００３１】
＜第１工程＞
第１工程では、図３（ａ）に示すように、未焼成の第１のセラミック層２１が積層されてなる未焼成の基板用セラミック積層体２５と、未焼成の基板用セラミック積層体２５の上下面に積層された第２のセラミック層２２と、からなる未焼成のセラミック積層体２３を準備する。
【００３２】
本実施形態においては、着色された第２のセラミック層２２が、第１のセラミック材料の焼結温度では焼結しない第２のセラミック材料を含むとともに、未焼成のセラミック積層体２３の最外層に積層されている。
【００３３】
第２のセラミック材料としては、例えば、第１のセラミック材料として１０００℃以下で焼成できるものを用いた場合、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２などのセラミック材料を用いることができる。なお、複数種類の第１のセラミック材料が存在する場合、「第１のセラミック材料の焼結温度」とは、その中でも最も高い焼結温度のことを指す。
【００３４】
なお、本実施形態において、未焼成の第２のセラミック層２２は単一の層で構成されているが、複数の層で構成されていてもよい。また、図３（ａ）において、第１のセラミック材料の焼結温度では焼結しない第２のセラミック材料を含み着色剤を含まない未焼成のセラミック層を、未焼成の第２のセラミック層２２上にさらに積層してもよい。
【００３５】
＜第２工程＞
第２工程では、図３（ｂ）に示すように、第２のセラミック層２２を貫通して碁板用セラミック積層体２５に達するように、切り込み溝２４が形成される。
【００３６】
＜第３工程＞
第３工程では、切り込み溝２４が形成された未焼成のセラミック積層体２３を焼成することにより、図３（ｃ）に示すように、切り込み溝２４が形成された焼成後のセラミック積層体２３ａが得られる。なお、本実施形態は、第２のセラミック層２２に含まれる着色剤として、焼成時に焼失するものを用いた場合を説明するものであり、図３（ａ）、（ｂ）に示す未焼成の第２のセラミック層２２と、図３（ｃ）に示す焼成後の第２のセラミック層２２ａとで、意図的に図示（ハッチング）を異ならせている。
【００３７】
焼成時には、第１のセラミック材料が焼結し、第２のセラミック材料が実質的に焼結しない温度で焼成を行う。このため、焼成時には、焼結による収縮をほとんど起こさない第２のセラミック層２２が、第１のセラミック層２１の焼結による平面方向における収縮を抑制するように作用する。これにより、焼成後の基板用セラミック積層体２５ａにおいては、反りや変形が生じにくくなる。
【００３８】
＜第４工程＞
第４工程では、まず、焼成後のセラミック積層体２３ａから焼成後の第２のセラミック層２２ａを除去し、図３（ｄ）に示すように、切り込み溝２４ａが形成された基板用セラミック積層体２５ａを取り出す。
【００３９】
次に、焼成後の基板用セラミック積層体２５ａを切り込み溝２４ａに沿って分割することにより、図３（ｅ）に示すように、複数のセラミック積層体２５ｂが得られる。
【００４０】
なお、その他の各構成の詳細、および各工程の詳細については、実施形態１と同様であり、説明を省略する。
【００４１】
（実施形態３）
以下、本発明に係るセラミック積層体の製造方法について、その他の実施形態を説明する。
【００４２】
＜第１工程＞
第１工程では、図４（ａ）に示すように、未焼成の第２のセラミック層３２が積層されてなる未焼成の基板用セラミック積層体３５と、未焼成の基板用セラミック積層体３５の上下面に積層された第１のセラミック層３１と、からなる未焼成のセラミック積層体３３を準備する。
【００４３】
本実施形態においては、第１のセラミック層３１が、第２のセラミック材料の焼結温度では焼結しない第１のセラミック材料を含むとともに、未焼成のセラミック積層体３３の最外層に積層されている。また、着色された第２のセラミック層３２により、基板用セラミック積層体３５が構成されている。
【００４４】
＜第２工程＞
第２工程では、図４（ｂ）に示すように、第１のセラミック層３１を貫通して基板用セラミック積層体３５に達するように、切り込み溝３４が形成される。
【００４５】
＜第３工程＞
第３工程では、切り込み溝３４が形成された未焼成のセラミック積層体３３を焼成することにより、図４（ｃ）に示すように、切り込み溝３４が形成された焼成後のセラミック積層体３３ａが得られる。なお、本実施形態は、第２のセラミック層３２に含まれる着色剤として、焼成時に焼失するものを用いた場合を説明するものであり、図４（ａ）、（ｂ）に示す未焼成の第２のセラミック層３２と、図４（ｃ）に示す焼成後の第２のセラミック層３２ａとで、意図的に図示（ハッチング）を異ならせている。
【００４６】
焼成時には、第２のセラミック材料が焼結し、第１のセラミック材料が焼結しない温度で焼成を行う。このため、焼成時には、焼結による収縮をほとんど起こさない第１のセラミック層３１が、第２のセラミック層３２の焼結による平面方向における収縮を抑制するように作用する。これにより、焼成後の基板用セラミック積層体３５ａにおいては、反りや変形が生じにくくなる。
【００４７】
＜第４工程＞
第４工程では、まず、焼成後のセラミック積層体３３ａから焼成後の第１のセラミック層３１ａを除去し、図４（ｄ）に示すように、切り込み溝３４ａが形成された基板用セラミック積層体３５ａを取り出す。
【００４８】
次に、焼成後の基板用セラミック積層体３５ａを切り込み溝３４ａに沿って分割することにより、図４（ｅ）に示すように、複数のセラミック積層体３５ｂが得られる。
【００４９】
なお、その他の各構成の詳細、および各工程の詳細については、実施形態１と同様であり、説明を省略する。
【００５０】
（実験例）
実施形態２で説明したセラミック積層体の製造方法により、実際にセラミック積層体を作製し、これを評価した。以下、その様子を記載する。
【００５１】
まず、Ａｌ２Ｏ３粉末およびＣａＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス粉末を準備し、それぞれが５０重量％の割合となるように混合し、第１のセラミック材料を準備した。次に、この第１のセラミック材料に、溶剤としてトルエン、バインダとしてポリビニルブチラール、可塑剤としてジオクチルフタレートを、それぞれ適当量加えて混練し、スラリーを作製した。次に、このスラリーをドクターブレード法により厚さ１００μｍのセラミックグリーンシートに成形し、これを第１のセラミックグリーンシートとした。この第１のセラミックグリーンシートは白色であった。
【００５２】
一方、Ａｌ２Ｏ３粉末を第２のセラミック材料とし、この第２のセラミック材料に、溶剤としてトルエン、バインダとしてポリビニルブチラール、可塑剤としてジオクチルフタレート、着色剤としてアゾ系染料（日本化薬製Ｋａｙａｓｅｔ Ｒｅｄ Ｂ）をそれぞれ適当量加えて混練し、スラリーを作製した。次に、このスラリーをドクターブレード法により厚さ１００μｍのセラミックグリーンシートに成形し、これを第２のセラミックグリーンシートとした。この第２のセラミックグリーンシートは赤色であった。
【００５３】
次に、第１のセラミックグリーンシートを１３枚積層して、未焼成の基板用セラミック積層体を作製した。なお、未焼成の基板用セラミック積層体の最上層には、一方主面上にＡｇペーストからなる配線パターンが形成された第１のセラミックグリーンシートを積層した。次に、未焼成の基板用セラミック積層体の上下面に第２のセラミックグリーンシートを４枚ずつ積層し、厚さ２．１ｍｍの未焼成のセラミック積層体を作製した。次に、静水圧プレスにより未焼成のセラミック積層体を圧着した。
【００５４】
次に、カット機により未焼成のセラミック積層体の端部を積層方向に切断した。次に、得られた断片を顕微鏡で観察し、赤色の第２のセラミックグリーンシートを基準として切り込み溝の深さを求めた。次に、その深さをカット機に設定し、未焼成のセラミック積層体の一方主面に複数の切り込み溝を形成した。未焼成のセラミック積層体の一方主面において、切り込み溝の間隔は縦方向に９ｍｍ、横方向に１０ｍｍであった。
【００５５】
次に、切り込み溝が形成された未焼成のセラミック積層体を、空気中、９００℃で焼成した。次に、焼成後のセラミック積層体から第２のセラミックグリーンシートを除去し、焼成後の基板用セラミック積層体を取り出した。このとき、基板用セラミック積層体の外観を観察した結果、特に色むらなどは観察されず、第２のセラミックグリーンシートに含まれる着色剤はきれいに焼失したことが確認された。上記のようにして、切り込み溝が形成された基板用セラミック積層体を５０個作製し、これらを試料グループＡとした。
【００５６】
一方、これらとは別に、第２のセラミックグリーンシートに着色剤を添加しない点以外は、上記の方法と同様にして、未焼成のセラミック積層体を５０個作製した。次に、第１、第２のセラミックグリーンシートの厚みから計算により切り込み溝の深さを求め、その深さをカット機に設定し、未焼成のセラミック積層体の一方主面に複数の切り込み溝を形成した。未焼成のセラミック積層体の一方主面において、切り込み溝の間隔は縦方向に９ｍｍ、横方向に１０ｍｍであった。
【００５７】
次に、切り込み溝が形成された未焼成のセラミック積層体を、空気中、９００℃で焼成した。次に、焼成後のセラミック積層体から第２のセラミックグリーンシートを除去し、焼成後の基板用セラミック積層体を取り出した。上記のようにして、切り込み溝が形成された基板用セラミック積層体を５０個作製し、これらを試料グループＢとした。
【００５８】
次に、試料グループＡ，Ｂについて、基板用セラミック積層体に形成された配線パターンに、Ｎｉめっきを施し、さらにＡｕめっきを施した。次に、めっき後の配線パターンにチップコンデンサを搭載した。最後に、チップコンデンサが搭載されて基板用セラミック積層体を、切り込み溝に沿って分割した。
【００５９】
このとき、試料グループＡ，Ｂについて、（１）基板用セラミック積層体作製後の割れ、（２）めっき処理後の割れ、（３）チップコンデンサ搭載後の割れ、（４）基板用セラミック積層体分割後の割れ、（５）基板用セラミック積層体分割後の欠け、が生じた個数を調べた。その結果を、表１に示す。なお、割れや欠けが確認されたものについては、その都度、各試料グループから除外している。
【００６０】
【表１】
【００６１】
表１に示すように、試料グループＡについては、どの時点においてもセラミック積層体に割れや欠けは確認されなかった。一方、試料グループＢについては、各時点においてセラミック積層体に割れや欠けが生じ、最終的に使用できるセラミック積層体が２２個しか残らなかった。この結果から、第２のセラミックグリーンシートを着色した試料グループＡについては、適切な深さの切り込み溝が形成されていたことがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
以上のように、本発明のセラミック積層体の製造方法は、たとえば、積層セラミックコンデンサ、セラミック多層基板などのセラミック積層体を製造する方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
図１は、本発明に係るセラミック積層体の製造方法の一実施形態を示す工程断面図である。
図２は、図１（ｂ）の変形例を示す工程断面図である。
図３は、本発明に係るセラミック積層体の製造方法のその他の実施形態を示す工程断面図である。
図４は、本発明に係るセラミック積層体の製造方法のその他の実施形態を示す工程断面図である。
図５は、従来のセラミック積層体の製造方法を示す工程断面図である。
Claims (8)
- 第１のセラミック材料を含む未焼成の第１のセラミック層と、第２のセラミック材料および着色剤を含み、前記第１のセラミック層とは異なる色に着色された未焼成の第２のセラミック層と、が積層されてなる未焼成のセラミック積層体を準備する第１工程と、
未焼成の前記セラミック積層体の端部を積層方向に切断し、それにより得られた未焼成の前記セラミック積層体の断片を観察し、次に、前記第２のセラミック層を基準として切り込み溝の深さを求め、その後、未焼成の前記セラミック積層体表面から前記深さまで切り込み溝を形成する第２工程と、
未焼成の前記セラミック積層体を焼成する第３工程と、
焼成後の前記セラミック積層体をその表面に形成された切り込み溝に沿って分割する第４工程と、
を備える、セラミック積層体の製造方法。 - 前記第２工程において、前記切り込み溝を、その先端が前記第２のセラミック層にとどまるように形成する、請求の範囲第１項に記載のセラミック積層体の製造方法。
- 前記第２工程において、前記切り込み溝を、その先端が前記第２のセラミック層を貫通するように形成する、請求の範囲第１項に記載のセラミック積層体の製造方法。
- 前記第２工程において、前記切り込み溝を、その先端が前記セラミック積層体の前記切り込み溝を形成し始める表面側の第１のセラミック層にとどまるように形成する、請求の範囲第１項に記載のセラミック積層体の製造方法。
- 前記第１工程において、前記未焼成のセラミック積層体は、未焼成の前記第１のセラミック層が積層されてなる未焼成の基板用セラミック積層体と、前記第１のセラミック材料の焼結温度では焼結しない前記第２のセラミック材料を含み、未焼成の前記基板用セラミック積層体の上下面に積層された未焼成の前記第２のセラミック層と、からなり、
前記第２工程において、前記切り込み溝を、その先端が前記第２のセラミック層を貫通して前記基板用セラミック積層体に達するように形成し、
前記第３工程において、前記第１のセラミック材料が焼結し、前記第２のセラミック材料が焼結しない温度で、未焼成の前記セラミック積層体を焼成し、
前記第４工程は、焼成後の前記セラミック積層体から前記第２のセラミック層を除去し、焼成後の前記基板用セラミック積層体を取り出す工程をさらに備え、前記第４工程において、焼成後の前記基板用セラミック積層体をその表面に形成された切り込み溝に沿って分割する、
請求の範囲第１項に記載のセラミック積層体の製造方法。 - 前記第１工程において、未焼成の前記セラミック積層体は、未焼成の前記第２のセラミック層が積層されてなる未焼成の基板用セラミック積層体と、前記第２のセラミック材料の焼結温度では焼結しない前記第１のセラミック材料を含み、未焼成の前記基板用セラミック積層体の上下面に積層された未焼成の前記第１のセラミック層と、からなり、
前記第２工程において、前記切り込み溝を、その先端が前記第１のセラミック層を貫通して前記基板用セラミック積層体に達するように形成し、
前記第３工程において、前記第２のセラミック材料が焼結し、前記第１のセラミック材料が焼結しない温度で、未焼成の前記セラミック積層体を焼成し、
前記第４工程は、焼成後の前記セラミック積層体から前記第１のセラミック層を除去し、焼成後の前記基板用セラミック積層体を取り出す工程をさらに備え、前記第４工程において、焼成後の前記基板用セラミック積層体をその表面に形成された切り込み溝に沿って分割する、
請求の範囲第１項に記載のセラミック積層体の製造方法。 - 前記着色剤は、前記第３工程において焼失するものである、請求の範囲第１項から第６項のいずれかに記載のセラミック積層体の製造方法。
- 焼成後の前記基板用セラミック積層体の主面上に実装部品を実装する工程をさらに備える、請求の範囲第１項から第６項のいずれかに記載のセラミック積層体の製造方法。
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