JP3865599B2 - アモルファス導電性拡散バリアを形成する方法 - Google Patents
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims description 111
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 59
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 42
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 35
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 23
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 68
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 33
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 25
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N tetrakis(dimethylamido)titanium Chemical group CN(C)[Ti](N(C)C)(N(C)C)N(C)C MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910008482 TiSiN Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- LNKYFCABELSPAN-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C LNKYFCABELSPAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910011208 Ti—N Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008807 WSiN Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VJDVOZLYDLHLSM-UHFFFAOYSA-N diethylazanide;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC VJDVOZLYDLHLSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
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- H01L21/76861—Post-treatment or after-treatment not introducing additional chemical elements into the layer
- H01L21/76864—Thermal treatment
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
- H01L2221/1068—Formation and after-treatment of conductors
- H01L2221/1073—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L2221/1078—Multiple stacked thin films not being formed in openings in dielectrics
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に、半導体技術に関し、より詳細には半導体デバイスのための導電性拡散バリアを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
拡散バリアは、通常、金属の相互拡散を防ぐために、集積回路（ＩＣ）の製造において用いられる。例えば、コンタクト領域で金属線に沿ってＡｌがＳｉに拡散することを防ぐために、ＴｉＮ膜が用いられる。ＩＣ、特にコンタクト領域および金属線の寸法が縮小し続けるにつれて、導電性バリアの必要条件もさらに厳しくなる。実質的に抵抗率を上げないさらに薄いバリアが必要とされる。バリアはまた、製造プロセスに導入されている各種の新たな金属の拡散に対して、さらに抵抗性を有する必要がある。導入されている金属の１つが銅である。効果的に銅の拡散を遮る拡散バリア材料は少数しかないが、金属窒化物および窒化シリコンが、銅の拡散に対して良好なバリアとして作用することを示してきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
効果的な導電性拡散バリアを生成するためには、バリアは、好ましくは、隣接する構造への金属の拡散を妨げるように作用する一方で、同時に、適切な導電体として作用するべきである。導電性拡散バリアは、拡散バリア特性と導電特性の適切なバランスを提供すべきである。
【０００４】
銅、または他の金属に対して良好なバリアとして作用する一方で、適切な導電体として作用する導電性拡散バリアが利用できれば有利である。
【０００５】
所望の特徴を備えた拡散バリアを形成する方法を提供することができれば有利である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の方法は、導電性拡散バリアを形成する方法であって、ａ）半導体基板を作製する工程と、ｂ）該半導体基板の上にバリア層を形成する工程であって、化学蒸着（ＣＶＤ）を用いて、耐熱性金属と窒素の第１の比率ＭaＮbを有する耐熱性金属（Ｍ）窒化物（Ｎ）を堆積して、ＣＶＤを用いて、耐熱性金属と窒素の第２の比率ＭxＮyを有する同じ耐熱性金属窒化物を堆積する工程と、ｃ）該バリア層の上に金属層を堆積する工程とを包含する。
【０００７】
本発明の方法は、工程ｂ）が複数回繰り返されてもよい。
【０００８】
本発明の方法は、前記化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスが、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスであってもよい。
【０００９】
本発明の方法は、前記化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスが、原子層化学蒸着（ＡＬＣＶＤ）プロセスであってもよい。
【００１０】
本発明の方法は、前記耐熱性金属（Ｍ）が、Ｔｉ、Ｔａ、およびＷから成る群より選択されてもよい。
【００１１】
本発明の方法は、前記金属層が、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、およびＡｕから成る群より選択される金属の層であってもよい。
【００１２】
本発明の方法は、導電性拡散バリアを形成する方法であって、ａ）半導体基板を作製する工程と、ｂ）該半導体基板の上にバリア層を形成する工程であって、化学蒸着（ＣＶＤ）を用いて、耐熱性金属とシリコンと窒素の第１の比率ＭaＳｉbＮcを有する耐熱性金属（Ｍ）窒化（Ｎ）シリコン（Ｓｉ）を堆積して、ＣＶＤを用いて、耐熱性金属とシリコンと窒素の第２の比率ＭxＳｉyＮzを有する同じ耐熱性金属窒化シリコンを堆積する工程と、ｃ）該バリア層の上に金属層を堆積する工程とを包含する。
【００１３】
本発明の方法は、前記化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスが、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスであってもよい。
【００１４】
本発明の方法は、前記化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスが、原子層化学蒸着（ＡＬＣＶＤ）プロセスであってもよい。
【００１５】
本発明の方法は、前記耐熱性金属（Ｍ）が、Ｔｉ、Ｔａ、およびＷから成る群より選択されてもよい。
【００１６】
本発明の方法は、前記金属層が、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、およびＡｕから成る群より選択される金属の層であってもよい。
【００１７】
本発明の方法は、導電性拡散バリアを形成する方法であって、ａ）半導体基板を作製する工程と、ｂ）該半導体基板を化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバ内に配置する工程と、ｃ）ＴｉＮ前駆体および窒素前駆体を該チャンバ内に導入する工程であって、該窒素前駆体が第１の窒素前駆体流量で導入されることによって、第１の比率の元素を有するＴｉＮ材料が堆積される工程と、ｄ）ＴｉＮ前駆体および窒素前駆体を該チャンバ内に導入する工程であって、該窒素前駆体が第２の窒素前駆体流量で導入されることによって、第２の比率の元素を有するＴｉＮ材料が堆積される工程と、ｅ）該材料をアニーリングする工程と、ｆ）該材料の上に金属の層を堆積する工程とを包含する。
【００１８】
本発明の方法は、前記工程ｃ）およびｄ）が、所望の厚さの実質的にアモルファスである導電性拡散バリアを形成するために、必要に応じて複数回繰り返されてもよい。
【００１９】
本発明の方法は、前記ＴｉＮ前駆体が、テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（Ｔｉ（Ｎ（ＣＨ3）2）4）（ＴＤＭＡＴ）、テトラキス（ジエチルアミノ）チタン（Ｔｉ（Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2）4）（ＴＤＥＡＴ）、またはテトラキス（エチルメチルアミノ）チタン（ＴＥＭＡＴ）であってもよい。
【００２０】
本発明の方法は、前記窒素前駆体が、アンモニア（ＮＨ3）、ジメチルアミン（ＮＨ（ＣＨ3）2）、またはジエチルアミン（ＮＨ（Ｃ2Ｈ5）2）であってもよい。
【００２１】
本発明の方法は、前記窒素前駆体が、０〜５０ｓｃｃｍの速度で前記ＣＶＤチャンバに導入されてもよい。
【００２２】
従って、実質的にアモルファスである導電性拡散バリアを生成する方法が提供されるので、バリアを通る金属の拡散を可能にするバウンダリー領域が、層を通って延びない。本発明の方法は、半導体基板、またはウエハを作製する工程、および第１の比率の元素を有する耐熱性金属と窒素を含む材料を堆積し、第２の比率の元素を有する同じ材料を堆積することによって、半導体基板の上にバリア層を形成する工程を含む。材料は、同じ基礎的な所望の元素を有する場合には、たとえその元素の比率が変わったとしても、同じ材料であると見なされる。別の好適な実施形態において、材料は耐熱性金属、シリコン、および窒素を含む。好ましくは、耐熱性金属は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、またはタングステン（Ｗ）から成る群より選択される。
【００２３】
半導体基板は、作製されて、堆積チャンバ内に配置される。堆積チャンバは、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバ、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）チャンバ、または原子層化学蒸着（ＡＬＣＶＤ）チャンバのいずれかである。金属窒化物前駆体は、窒素前駆体と共に、チャンバに導入される。窒素前駆体は、拡散バリア材料内の金属と窒素の全体の比率を変えるために、金属窒化物前駆体と相対的に変えることができる。材料の層が堆積されるときに、異なる比率の元素を堆積するように窒素前駆体の量が変更される。拡散バリア全体に渡って元素の比率を変えることにより、バリア全体に渡って密度が変わるアモルファス拡散バリアを生じる。アモルファス構造によって、そのままでは銅または他の金属の拡散経路を提供するかもしれないバウンダリー領域を防ぐ。
【００２４】
堆積プロセスに続いて、拡散バリア材料がアニーリングされ、金属の層が堆積されて半導体基板上に導電経路が形成される。
【００２５】
【発明の実施の形態】
次に、例示目的のための図面（一定の縮尺で示したものではない）を参照する。図１は、本発明の方法により生成された半導体デバイス構造１０を示す。半導体デバイス構造１０は、半導体基板１４と金属層１６の間に挿入された導電性拡散バリア層１２を含む。導電性拡散バリア層１２は、金属層１６から半導体基板１４への金属の拡散を低減または除去する一方で、金属層１６から半導体基板１４への電流の通過を可能にする。
【００２６】
拡散バリア層１２は電流を伝えるので、好ましい導電性を有する。しかしながら、拡散バリア層１２は、金属層１６ほど導電性を有さないので、バリア層１２は、できる限り薄くなる一方で、半導体基板１４への金属の拡散を継続して妨げるべきである。適切な拡散バリアを形成することが、銅に関してはさらに困難であるが、これは、銅がほとんどの金属を介して、アルミニウムよりも容易に拡散するからである。従来の拡散バリア材料は、窒化チタン（ＴｉＮ）および窒化タンタル（ＴａＮ）等の多結晶材料を含む。しかしながら、銅はバリアグレインバウンダリーに沿って拡散することが可能である。図２（従来技術）に示すように、多結晶材料が、２つの隣接する結晶構造２０が接触する場所にバウンダリー１８を形成する。銅は、バウンダリー１８に沿って通過し、下側の構造へと拡散することが可能である。
【００２７】
図３（従来技術）は、この問題に対する１つの提案された解決策を示す。拡散バリア層１２は、異なる材料からなる複数の層で構成される。例えば、第１のサブレイヤー２２は窒化チタン（ＴｉＮ）であり、第２のサブレイヤー２４はオキシ窒化チタン（ＴｉＯＮ）である。窒化チタンは、ＴｉＯＮよりも良好な電気導電体であるが、ＴｉＯＮは、おそらくより良好な拡散バリアである。ＴｉＮ層の間に薄いＴｉＯＮのサブレイヤーを設けることによって折衷が達成される。多結晶ＴｉＮはなおも、銅が多結晶ＴｉＮを通ってＴｉＯＮ層へと拡散することを可能にするグレインバウンダリー１８を有する。この解決策に従って、ＴｉＯＮ層が改善されたバリア層を提供する。これは、基板１４まで延びる途切れのないグレインバウンダリーがないからである。グレインバウンダリーがＴｉＯＮ層内に存在したとしても、一般には、複数の層を通る途切れのないグレインバウンダリーは存在しない。この解決策により、導電性拡散バリアの電気特性と拡散バリア特性とが折衷される。
【００２８】
図１を参照して、本発明の方法に従って製造されたデバイスにおいて、拡散バリア層１２は、耐熱性金属窒化物、または耐熱性金属窒化シリコンのいずれかである、完全に単一の材料から構成される。上述のグレインバウンダリーに関する問題を克服するために、拡散バリア層１２はアモルファスである。拡散バリア層１２は多結晶ではないので、層を通って延びるグレインバウンダリーは存在しない。
【００２９】
また、ＴｉＯＮ等の抵抗率が低いオキシ窒化物層が存在しないので、全体の抵抗率が、ＴｉＮ／ＴｉＯＮ／ＴｉＮ等の多層拡散バリアよりも低い。
【００３０】
図４〜６は、本発明の方法による拡散バリアの形成を示す。半導体基板１４が作製される。簡潔にするために、基板１４は単純で平坦な構造として示す。本発明の方法は、より複雑な構造にも同様に適用され得る。デバイスとの電気的接触を提供するために開いた単純な接触を本発明を用いて形成することができる。また、多層相互接続およびバイアも本発明により生成することができる。当業者は、本発明の教示を各種の適切なデバイス構造に適用することが可能である。
【００３１】
図４に示すとおり、基板１４が作製された後、拡散バリア材料３０が堆積される。拡散バリア材料３０は、好ましくは、耐熱性金属窒化物、または耐熱性金属窒化シリコンである。拡散バリア材料３０は、好ましくは、５〜２０オングストロームの厚さである。
【００３２】
拡散バリア材料３０は、好ましくは、化学蒸着（ＣＶＤ）によって堆積される。プラズマ強化化学蒸着（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＰＥＣＶＤ）も、拡散バリア３０を堆積するために用いることができる。極端に薄い拡散バリア材料３０を堆積するときには、原子層化学蒸着（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＡＬＣＶＤ）が好ましい。
【００３３】
拡散バリア材料３０は、好ましくは、耐熱性金属窒化物（ＭＮ）であり、ここでＭは、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、またはタングステン（Ｗ）等の耐熱性金属を表わす。拡散バリア材料３０は、適切な前駆体を選択することにより、耐熱性金属と窒素をある比率（ＭaＮb）で有する材料を生成し、堆積することができる。
【００３４】
図５に示すとおり、拡散バリア材料３０を堆積した後、好ましくは、拡散バリア材料３０を堆積するために用いられる方法と同じ堆積方法により、さらなる拡散バリア材料３２が堆積される。例えば、拡散バリア材料３０を堆積するためにＣＶＤが用いられる場合、さらなる拡散バリア材料３２を堆積するためにＣＶＤが用いられる。さらなる拡散バリア材料３２は、拡散バリア材料３０と同じ材料であるが、耐熱性金属と窒素の比率（ＭxＮy）が異なる。両方の耐熱金属（Ｍ）が同じである場合、拡散バリア材料３０およびさらなる拡散バリア材料３２が、同じ材料であると見なされる。例えば、耐熱性金属（Ｍ）がチタン（Ｔｉ）である場合、拡散バリア材料３０はＴｉaＮbであり、さらなる拡散バリア材料３２はＴｉxＮyである。ここで、ａ：ｂの比率はｘ：ｙの比率とは等しくない。
【００３５】
連続する工程において、異なる比率の元素を有する少量の同じ材料を堆積することによって、薄い領域のそれぞれが、導電性拡散バリア層１２全体に渡って、実質的にアモルファスのままである。元素の比率を変えることにより、そのままであれば導電性拡散バリア層１２全体を通る拡散経路を提供する、バウンダリー層を備えた多結晶構造の形成を防ぐ。例えば、窒素の量が導電性拡散バリア層１２の全体に渡って変化するにつれて、密度も変化する。このように密度を変えることは、導電性拡散バリア層の実質的にアモルファスである性質を維持することによって、導電性拡散バリア層を通る銅、または他の金属の拡散を低減すると考えられる。実質的にアモルファスであるとは、微結晶が導電性拡散バリア層１２内で形成され得るが、結晶構造が層全体に渡って延びず、大部分の材料がアモルファスであることを意味する。
【００３６】
耐熱性金属窒化物（ＭＮ）が好ましいが、本発明の方法はまた、耐熱性金属シリコン窒化物（ＭＳｉＮ）拡散バリアを形成するためにも用いられる。上述のとおり、耐熱性金属は、チタン、タンタル、またはタングステンであり得る。拡散バリア材料３０がＴｉaＳｉbＮcである場合には、さらなる拡散バリア材料３２はＴｉxＳｉyＮzであり、ここで、元素の割合が異なり、ａ：ｂ：ｃがｘ：ｙ：ｚと等しくない。
【００３７】
図６で示すとおり、拡散バリア材料３０およびさらなる拡散バリア材料３２は、交互に、何度も堆積することができる。この堆積プロセスは、２〜２０の間の異なる密度領域を提供するために繰り返すことができる。好ましくは、４〜５の領域が形成される（ＴｉaＮb／ＴｉxＮy／ＴｉaＮb／ＴｉxＮy）。導電性拡散バリア１２の全体の厚さは、好ましくは、２０〜２００オングストロームである。また、拡散バリア材料３０、またはさらなる拡散バリア材料３２と異なる元素の比率を有する１以上のさらなる領域４０を形成することは、本発明の範囲内である。
【００３８】
拡散バリア層が、調製のため、および適切な組成を得るためにアニーリングされる。従来の熱処理または急速熱アニーリングプロセスが、導電性拡散バリア層１２をアニーリングするために用いられる。
【００３９】
本発明の方法の工程を図７に概略的に示す。第１の工程５１０では、半導体基板を作製する。半導体基板は、プロセス後の最終的なデバイス全体に渡って接続を提供するために、必要に応じて、下側のデバイスまたは複数の金属層、および相互接続に対して開いた、トレンチまたはコンタクト、もしくはバイアを有する。
【００４０】
工程５２０は、拡散バリア材料３０（図４〜６を参照）を５０Å未満の厚さに堆積する。拡散バリア材料３０は、好ましくは、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＳｉＮ、ＷＳｉＮである。好適な実施形態において、初期材料は、約５Å〜２０Åの間であるが、好ましくは、１０Åである。
【００４１】
本発明の好適な実施形態において、化学蒸着（ＣＶＤ）が、初期材料を堆積するために用いられる。低温ＣＶＤが好ましい。例えば、Ｔｉ−Ｎの層を形成するためには、ＴＤＭＡＴとも呼ばれるテトラキス（ジメチルアミノ）チタン（Ｔｉ（Ｎ（ＣＨ3）2）4）の前駆体が用いられる。基板は、３５０〜４５０℃の温度で前駆体に曝される。ＴＤＥＡＴとも呼ばれるテトラキス（ジエチルアミノ）チタン（Ｔｉ（Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2）4）、またはＴＥＭＡＴとも呼ばれるテトラキス（エチルメチルアミノ）チタンも、Ｔｉ−Ｎを形成するための前駆体として用いられる。ＴｉとＮの比率は、およそ１：１である。ＴｉＮの異なる所望の比率を有する材料を生成するために、窒素のさらなる前駆体が追加される。好ましくは、窒素前駆体は、アンモニア（ＮＨ3）、ジメチルアミン（ＮＨ（ＣＨ3）2）、またはジエチルアミン（ＮＨ（Ｃ2Ｈ5）2）である。窒素前駆体を導入するとき、窒素前駆体は、望ましくない気相反応が起こらないように選択されるべきである。例えば、ウエハ上に堆積する前に、気体内で形成されているＴｉ：Ｎを生じる気相反応を起こすので、アンモニアは、ＴＤＭＡＴとともに用いられるべきではない。好ましくは、所望の反応が、所望の材料を堆積しているウエハの上面で起こる。窒素前駆体の量は、およそ１．５：１〜０．８：１の間のＴｉ：Ｎの比率を生じるように変更することができる。
【００４２】
ＴｉＮ前駆体が、蒸発前駆体材料を堆積チャンバに運ぶキャリアーガスを用いて導入される。この窒素前駆体はまた、チャンバにも導入される。好ましくは、１００〜２００ｓｃｃｍのアルゴン等の不活性キャリアーガスが、ＴｉＮ前駆体を運ぶために用いられる。窒素前駆体は、導電性拡散バリア内の窒素の相対量を変えるために、０〜５０ｓｃｃｍで導入される。
【００４３】
ＴｉＳｉＮを堆積するために、シランをＴｉＮの堆積物の間に導入することができる。最終的な材料内のシリコンの量は、シランの露出量および露出時間を制御することによって制御することができる。
【００４４】
上記はＴｉＮおよびＴｉＳｉＮ材料に関するが、このプロセスはまた、適切な前駆体を選択し、且つ窒素を変えることによって、ＴａＮ、ＷＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＳｉＮ、ＷＳｉＮを形成することにも適用することができる。
【００４５】
工程５３０は、拡散バリア材料と同じ材料であるが、構成元素の割合が異なるさらなる拡散バリア材料を堆積する工程である。このプロセスは、好ましくは、工程５２０に関連して上述したプロセスと同じプロセスであるが、窒素前駆体の量が異なる。所望の厚さの拡散バリア材料３０（図４〜６を参照）が一旦堆積されると、さらなる拡散材料３２（図４〜６を参照）が、さらなる拡散バリア材料３２の１以上の領域を堆積することによって形成することができる。
【００４６】
工程５４０は、所望の数の領域が堆積されて、全体が所望の厚さになるまで、工程５２０および５３０を繰り返す。工程５２０、５３０および５４０は、別々の異なる工程として述べているが、窒素前駆体を続けて変える一方で、ＴｉＮ材料を連続して堆積することも、本発明の範囲内である。
【００４７】
工程５５０は、導電性拡散バリア層のアニーリング工程である。導電性拡散バリア層を含むウエハが、導電性拡散バリア層を調製するために、炉または急速熱アニーリングプロセスを用いて熱処理される。好ましくは、ウエハは、約３５０℃〜５００℃の間の温度で、約１〜６０分間アニーリングされる。
【００４８】
工程５６０は、任意の最新の方法による金属膜の堆積、およびそれに続く処理工程である。金属膜は、アルミニウム、銅、銀、金、または任意の他の所望の金属である。
【００４９】
ＣＶＤプロセス以外にも、ＰＥＣＶＤプロセス、またはＡＬＣＶＤプロセスを用いる方法を実行することが可能である。
【００５０】
本発明の比較的に単純な構造への適用を例示したが、本発明はまた、トレンチ、複数の導電性層、およびバイアを含む、より複雑な構造の形成にもよく適する。
【００５１】
別の実施形態が、本発明の範囲内で可能である。例示的説明により明らかであるとおり、本発明は、各種の材料および堆積技術を用いて実行することができる。当業者には、本発明の範囲内の方法の他の変形例を考えられる。従って、前述の開示およびその説明は、例示的目的のみであり、本発明を制限するためのものではない。本発明は、請求の範囲によって規定される。
【００５２】
拡散バリア全体で比率が変わる元素を有する材料を堆積することによって、実質的にアモルファスである導電性拡散バリアを生成する。金属窒化物、金属窒化シリコンの拡散バリアが、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、またはＡＬＣＶＤを用いて、第１の比率の元素を有する材料を堆積し、異なる比率の元素を有する実質的に同一の金属を堆積することにより堆積される。実際に用いられる元素は同じであるが、比率が変更される。同じ拡散バリア内の元素の比率を変更することによって、密度の変化が生じ、その材料が、望ましくない多結晶構造を形成することは不可能である。
【００５３】
【発明の効果】
本発明の方法によって、複数のアモルファス導電性拡散バリア膜を積層するために、従来の薄膜バリアのようにバウンダリー表面から下面に連続的に貫通することがなく、バリアを通って金属の拡散を可能にするバウンダリー領域が延びない。従って、金属配線を構成する金属のシリコン基板への拡散を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、導電性拡散バリアを示す概略断面図である。
【図２】図２は、従来技術による導電性拡散バリアを示す概略断面図である。
【図３】図３は、従来技術による導電性拡散バリアを示す概略断面図である。
【図４】図４は、導電性拡散バリアの形成の中間工程を示す概略断面図である。
【図５】図５は、導電性拡散バリアの形 成の中間工程を示す概略断面図である。
【図６】図６は、複数の密度領域が、導電性拡散バリア内で形成され得ることを示す概略断面図である。
【図７】図７は、本発明の方法の工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１４ 半導体基板
１６ 金属層
３０ 拡散バリア材料
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に、半導体技術に関し、より詳細には半導体デバイスのための導電性拡散バリアを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
拡散バリアは、通常、金属の相互拡散を防ぐために、集積回路（ＩＣ）の製造において用いられる。例えば、コンタクト領域で金属線に沿ってＡｌがＳｉに拡散することを防ぐために、ＴｉＮ膜が用いられる。ＩＣ、特にコンタクト領域および金属線の寸法が縮小し続けるにつれて、導電性バリアの必要条件もさらに厳しくなる。実質的に抵抗率を上げないさらに薄いバリアが必要とされる。バリアはまた、製造プロセスに導入されている各種の新たな金属の拡散に対して、さらに抵抗性を有する必要がある。導入されている金属の１つが銅である。効果的に銅の拡散を遮る拡散バリア材料は少数しかないが、金属窒化物および窒化シリコンが、銅の拡散に対して良好なバリアとして作用することを示してきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
効果的な導電性拡散バリアを生成するためには、バリアは、好ましくは、隣接する構造への金属の拡散を妨げるように作用する一方で、同時に、適切な導電体として作用するべきである。導電性拡散バリアは、拡散バリア特性と導電特性の適切なバランスを提供すべきである。
【０００４】
銅、または他の金属に対して良好なバリアとして作用する一方で、適切な導電体として作用する導電性拡散バリアが利用できれば有利である。
【０００５】
所望の特徴を備えた拡散バリアを形成する方法を提供することができれば有利である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の方法は、導電性拡散バリアを形成する方法であって、ａ）半導体基板を作製する工程と、ｂ）該半導体基板の上にバリア層を形成する工程であって、化学蒸着（ＣＶＤ）を用いて、耐熱性金属と窒素の第１の比率ＭaＮbを有する耐熱性金属（Ｍ）窒化物（Ｎ）を堆積して、ＣＶＤを用いて、耐熱性金属と窒素の第２の比率ＭxＮyを有する同じ耐熱性金属窒化物を堆積する工程と、ｃ）該バリア層の上に金属層を堆積する工程とを包含する。
【０００７】
本発明の方法は、工程ｂ）が複数回繰り返されてもよい。
【０００８】
本発明の方法は、前記化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスが、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスであってもよい。
【０００９】
本発明の方法は、前記化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスが、原子層化学蒸着（ＡＬＣＶＤ）プロセスであってもよい。
【００１０】
本発明の方法は、前記耐熱性金属（Ｍ）が、Ｔｉ、Ｔａ、およびＷから成る群より選択されてもよい。
【００１１】
本発明の方法は、前記金属層が、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、およびＡｕから成る群より選択される金属の層であってもよい。
【００１２】
本発明の方法は、導電性拡散バリアを形成する方法であって、ａ）半導体基板を作製する工程と、ｂ）該半導体基板の上にバリア層を形成する工程であって、化学蒸着（ＣＶＤ）を用いて、耐熱性金属とシリコンと窒素の第１の比率ＭaＳｉbＮcを有する耐熱性金属（Ｍ）窒化（Ｎ）シリコン（Ｓｉ）を堆積して、ＣＶＤを用いて、耐熱性金属とシリコンと窒素の第２の比率ＭxＳｉyＮzを有する同じ耐熱性金属窒化シリコンを堆積する工程と、ｃ）該バリア層の上に金属層を堆積する工程とを包含する。
【００１３】
本発明の方法は、前記化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスが、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスであってもよい。
【００１４】
本発明の方法は、前記化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスが、原子層化学蒸着（ＡＬＣＶＤ）プロセスであってもよい。
【００１５】
本発明の方法は、前記耐熱性金属（Ｍ）が、Ｔｉ、Ｔａ、およびＷから成る群より選択されてもよい。
【００１６】
本発明の方法は、前記金属層が、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、およびＡｕから成る群より選択される金属の層であってもよい。
【００１７】
本発明の方法は、導電性拡散バリアを形成する方法であって、ａ）半導体基板を作製する工程と、ｂ）該半導体基板を化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバ内に配置する工程と、ｃ）ＴｉＮ前駆体および窒素前駆体を該チャンバ内に導入する工程であって、該窒素前駆体が第１の窒素前駆体流量で導入されることによって、第１の比率の元素を有するＴｉＮ材料が堆積される工程と、ｄ）ＴｉＮ前駆体および窒素前駆体を該チャンバ内に導入する工程であって、該窒素前駆体が第２の窒素前駆体流量で導入されることによって、第２の比率の元素を有するＴｉＮ材料が堆積される工程と、ｅ）該材料をアニーリングする工程と、ｆ）該材料の上に金属の層を堆積する工程とを包含する。
【００１８】
本発明の方法は、前記工程ｃ）およびｄ）が、所望の厚さの実質的にアモルファスである導電性拡散バリアを形成するために、必要に応じて複数回繰り返されてもよい。
【００１９】
本発明の方法は、前記ＴｉＮ前駆体が、テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（Ｔｉ（Ｎ（ＣＨ3）2）4）（ＴＤＭＡＴ）、テトラキス（ジエチルアミノ）チタン（Ｔｉ（Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2）4）（ＴＤＥＡＴ）、またはテトラキス（エチルメチルアミノ）チタン（ＴＥＭＡＴ）であってもよい。
【００２０】
本発明の方法は、前記窒素前駆体が、アンモニア（ＮＨ3）、ジメチルアミン（ＮＨ（ＣＨ3）2）、またはジエチルアミン（ＮＨ（Ｃ2Ｈ5）2）であってもよい。
【００２１】
本発明の方法は、前記窒素前駆体が、０〜５０ｓｃｃｍの速度で前記ＣＶＤチャンバに導入されてもよい。
【００２２】
従って、実質的にアモルファスである導電性拡散バリアを生成する方法が提供されるので、バリアを通る金属の拡散を可能にするバウンダリー領域が、層を通って延びない。本発明の方法は、半導体基板、またはウエハを作製する工程、および第１の比率の元素を有する耐熱性金属と窒素を含む材料を堆積し、第２の比率の元素を有する同じ材料を堆積することによって、半導体基板の上にバリア層を形成する工程を含む。材料は、同じ基礎的な所望の元素を有する場合には、たとえその元素の比率が変わったとしても、同じ材料であると見なされる。別の好適な実施形態において、材料は耐熱性金属、シリコン、および窒素を含む。好ましくは、耐熱性金属は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、またはタングステン（Ｗ）から成る群より選択される。
【００２３】
半導体基板は、作製されて、堆積チャンバ内に配置される。堆積チャンバは、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバ、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）チャンバ、または原子層化学蒸着（ＡＬＣＶＤ）チャンバのいずれかである。金属窒化物前駆体は、窒素前駆体と共に、チャンバに導入される。窒素前駆体は、拡散バリア材料内の金属と窒素の全体の比率を変えるために、金属窒化物前駆体と相対的に変えることができる。材料の層が堆積されるときに、異なる比率の元素を堆積するように窒素前駆体の量が変更される。拡散バリア全体に渡って元素の比率を変えることにより、バリア全体に渡って密度が変わるアモルファス拡散バリアを生じる。アモルファス構造によって、そのままでは銅または他の金属の拡散経路を提供するかもしれないバウンダリー領域を防ぐ。
【００２４】
堆積プロセスに続いて、拡散バリア材料がアニーリングされ、金属の層が堆積されて半導体基板上に導電経路が形成される。
【００２５】
【発明の実施の形態】
次に、例示目的のための図面（一定の縮尺で示したものではない）を参照する。図１は、本発明の方法により生成された半導体デバイス構造１０を示す。半導体デバイス構造１０は、半導体基板１４と金属層１６の間に挿入された導電性拡散バリア層１２を含む。導電性拡散バリア層１２は、金属層１６から半導体基板１４への金属の拡散を低減または除去する一方で、金属層１６から半導体基板１４への電流の通過を可能にする。
【００２６】
拡散バリア層１２は電流を伝えるので、好ましい導電性を有する。しかしながら、拡散バリア層１２は、金属層１６ほど導電性を有さないので、バリア層１２は、できる限り薄くなる一方で、半導体基板１４への金属の拡散を継続して妨げるべきである。適切な拡散バリアを形成することが、銅に関してはさらに困難であるが、これは、銅がほとんどの金属を介して、アルミニウムよりも容易に拡散するからである。従来の拡散バリア材料は、窒化チタン（ＴｉＮ）および窒化タンタル（ＴａＮ）等の多結晶材料を含む。しかしながら、銅はバリアグレインバウンダリーに沿って拡散することが可能である。図２（従来技術）に示すように、多結晶材料が、２つの隣接する結晶構造２０が接触する場所にバウンダリー１８を形成する。銅は、バウンダリー１８に沿って通過し、下側の構造へと拡散することが可能である。
【００２７】
図３（従来技術）は、この問題に対する１つの提案された解決策を示す。拡散バリア層１２は、異なる材料からなる複数の層で構成される。例えば、第１のサブレイヤー２２は窒化チタン（ＴｉＮ）であり、第２のサブレイヤー２４はオキシ窒化チタン（ＴｉＯＮ）である。窒化チタンは、ＴｉＯＮよりも良好な電気導電体であるが、ＴｉＯＮは、おそらくより良好な拡散バリアである。ＴｉＮ層の間に薄いＴｉＯＮのサブレイヤーを設けることによって折衷が達成される。多結晶ＴｉＮはなおも、銅が多結晶ＴｉＮを通ってＴｉＯＮ層へと拡散することを可能にするグレインバウンダリー１８を有する。この解決策に従って、ＴｉＯＮ層が改善されたバリア層を提供する。これは、基板１４まで延びる途切れのないグレインバウンダリーがないからである。グレインバウンダリーがＴｉＯＮ層内に存在したとしても、一般には、複数の層を通る途切れのないグレインバウンダリーは存在しない。この解決策により、導電性拡散バリアの電気特性と拡散バリア特性とが折衷される。
【００２８】
図１を参照して、本発明の方法に従って製造されたデバイスにおいて、拡散バリア層１２は、耐熱性金属窒化物、または耐熱性金属窒化シリコンのいずれかである、完全に単一の材料から構成される。上述のグレインバウンダリーに関する問題を克服するために、拡散バリア層１２はアモルファスである。拡散バリア層１２は多結晶ではないので、層を通って延びるグレインバウンダリーは存在しない。
【００２９】
また、ＴｉＯＮ等の抵抗率が低いオキシ窒化物層が存在しないので、全体の抵抗率が、ＴｉＮ／ＴｉＯＮ／ＴｉＮ等の多層拡散バリアよりも低い。
【００３０】
図４〜６は、本発明の方法による拡散バリアの形成を示す。半導体基板１４が作製される。簡潔にするために、基板１４は単純で平坦な構造として示す。本発明の方法は、より複雑な構造にも同様に適用され得る。デバイスとの電気的接触を提供するために開いた単純な接触を本発明を用いて形成することができる。また、多層相互接続およびバイアも本発明により生成することができる。当業者は、本発明の教示を各種の適切なデバイス構造に適用することが可能である。
【００３１】
図４に示すとおり、基板１４が作製された後、拡散バリア材料３０が堆積される。拡散バリア材料３０は、好ましくは、耐熱性金属窒化物、または耐熱性金属窒化シリコンである。拡散バリア材料３０は、好ましくは、５〜２０オングストロームの厚さである。
【００３２】
拡散バリア材料３０は、好ましくは、化学蒸着（ＣＶＤ）によって堆積される。プラズマ強化化学蒸着（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＰＥＣＶＤ）も、拡散バリア３０を堆積するために用いることができる。極端に薄い拡散バリア材料３０を堆積するときには、原子層化学蒸着（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＡＬＣＶＤ）が好ましい。
【００３３】
拡散バリア材料３０は、好ましくは、耐熱性金属窒化物（ＭＮ）であり、ここでＭは、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、またはタングステン（Ｗ）等の耐熱性金属を表わす。拡散バリア材料３０は、適切な前駆体を選択することにより、耐熱性金属と窒素をある比率（ＭaＮb）で有する材料を生成し、堆積することができる。
【００３４】
図５に示すとおり、拡散バリア材料３０を堆積した後、好ましくは、拡散バリア材料３０を堆積するために用いられる方法と同じ堆積方法により、さらなる拡散バリア材料３２が堆積される。例えば、拡散バリア材料３０を堆積するためにＣＶＤが用いられる場合、さらなる拡散バリア材料３２を堆積するためにＣＶＤが用いられる。さらなる拡散バリア材料３２は、拡散バリア材料３０と同じ材料であるが、耐熱性金属と窒素の比率（ＭxＮy）が異なる。両方の耐熱金属（Ｍ）が同じである場合、拡散バリア材料３０およびさらなる拡散バリア材料３２が、同じ材料であると見なされる。例えば、耐熱性金属（Ｍ）がチタン（Ｔｉ）である場合、拡散バリア材料３０はＴｉaＮbであり、さらなる拡散バリア材料３２はＴｉxＮyである。ここで、ａ：ｂの比率はｘ：ｙの比率とは等しくない。
【００３５】
連続する工程において、異なる比率の元素を有する少量の同じ材料を堆積することによって、薄い領域のそれぞれが、導電性拡散バリア層１２全体に渡って、実質的にアモルファスのままである。元素の比率を変えることにより、そのままであれば導電性拡散バリア層１２全体を通る拡散経路を提供する、バウンダリー層を備えた多結晶構造の形成を防ぐ。例えば、窒素の量が導電性拡散バリア層１２の全体に渡って変化するにつれて、密度も変化する。このように密度を変えることは、導電性拡散バリア層の実質的にアモルファスである性質を維持することによって、導電性拡散バリア層を通る銅、または他の金属の拡散を低減すると考えられる。実質的にアモルファスであるとは、微結晶が導電性拡散バリア層１２内で形成され得るが、結晶構造が層全体に渡って延びず、大部分の材料がアモルファスであることを意味する。
【００３６】
耐熱性金属窒化物（ＭＮ）が好ましいが、本発明の方法はまた、耐熱性金属シリコン窒化物（ＭＳｉＮ）拡散バリアを形成するためにも用いられる。上述のとおり、耐熱性金属は、チタン、タンタル、またはタングステンであり得る。拡散バリア材料３０がＴｉaＳｉbＮcである場合には、さらなる拡散バリア材料３２はＴｉxＳｉyＮzであり、ここで、元素の割合が異なり、ａ：ｂ：ｃがｘ：ｙ：ｚと等しくない。
【００３７】
図６で示すとおり、拡散バリア材料３０およびさらなる拡散バリア材料３２は、交互に、何度も堆積することができる。この堆積プロセスは、２〜２０の間の異なる密度領域を提供するために繰り返すことができる。好ましくは、４〜５の領域が形成される（ＴｉaＮb／ＴｉxＮy／ＴｉaＮb／ＴｉxＮy）。導電性拡散バリア１２の全体の厚さは、好ましくは、２０〜２００オングストロームである。また、拡散バリア材料３０、またはさらなる拡散バリア材料３２と異なる元素の比率を有する１以上のさらなる領域４０を形成することは、本発明の範囲内である。
【００３８】
拡散バリア層が、調製のため、および適切な組成を得るためにアニーリングされる。従来の熱処理または急速熱アニーリングプロセスが、導電性拡散バリア層１２をアニーリングするために用いられる。
【００３９】
本発明の方法の工程を図７に概略的に示す。第１の工程５１０では、半導体基板を作製する。半導体基板は、プロセス後の最終的なデバイス全体に渡って接続を提供するために、必要に応じて、下側のデバイスまたは複数の金属層、および相互接続に対して開いた、トレンチまたはコンタクト、もしくはバイアを有する。
【００４０】
工程５２０は、拡散バリア材料３０（図４〜６を参照）を５０Å未満の厚さに堆積する。拡散バリア材料３０は、好ましくは、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＳｉＮ、ＷＳｉＮである。好適な実施形態において、初期材料は、約５Å〜２０Åの間であるが、好ましくは、１０Åである。
【００４１】
本発明の好適な実施形態において、化学蒸着（ＣＶＤ）が、初期材料を堆積するために用いられる。低温ＣＶＤが好ましい。例えば、Ｔｉ−Ｎの層を形成するためには、ＴＤＭＡＴとも呼ばれるテトラキス（ジメチルアミノ）チタン（Ｔｉ（Ｎ（ＣＨ3）2）4）の前駆体が用いられる。基板は、３５０〜４５０℃の温度で前駆体に曝される。ＴＤＥＡＴとも呼ばれるテトラキス（ジエチルアミノ）チタン（Ｔｉ（Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2）4）、またはＴＥＭＡＴとも呼ばれるテトラキス（エチルメチルアミノ）チタンも、Ｔｉ−Ｎを形成するための前駆体として用いられる。ＴｉとＮの比率は、およそ１：１である。ＴｉＮの異なる所望の比率を有する材料を生成するために、窒素のさらなる前駆体が追加される。好ましくは、窒素前駆体は、アンモニア（ＮＨ3）、ジメチルアミン（ＮＨ（ＣＨ3）2）、またはジエチルアミン（ＮＨ（Ｃ2Ｈ5）2）である。窒素前駆体を導入するとき、窒素前駆体は、望ましくない気相反応が起こらないように選択されるべきである。例えば、ウエハ上に堆積する前に、気体内で形成されているＴｉ：Ｎを生じる気相反応を起こすので、アンモニアは、ＴＤＭＡＴとともに用いられるべきではない。好ましくは、所望の反応が、所望の材料を堆積しているウエハの上面で起こる。窒素前駆体の量は、およそ１．５：１〜０．８：１の間のＴｉ：Ｎの比率を生じるように変更することができる。
【００４２】
ＴｉＮ前駆体が、蒸発前駆体材料を堆積チャンバに運ぶキャリアーガスを用いて導入される。この窒素前駆体はまた、チャンバにも導入される。好ましくは、１００〜２００ｓｃｃｍのアルゴン等の不活性キャリアーガスが、ＴｉＮ前駆体を運ぶために用いられる。窒素前駆体は、導電性拡散バリア内の窒素の相対量を変えるために、０〜５０ｓｃｃｍで導入される。
【００４３】
ＴｉＳｉＮを堆積するために、シランをＴｉＮの堆積物の間に導入することができる。最終的な材料内のシリコンの量は、シランの露出量および露出時間を制御することによって制御することができる。
【００４４】
上記はＴｉＮおよびＴｉＳｉＮ材料に関するが、このプロセスはまた、適切な前駆体を選択し、且つ窒素を変えることによって、ＴａＮ、ＷＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＳｉＮ、ＷＳｉＮを形成することにも適用することができる。
【００４５】
工程５３０は、拡散バリア材料と同じ材料であるが、構成元素の割合が異なるさらなる拡散バリア材料を堆積する工程である。このプロセスは、好ましくは、工程５２０に関連して上述したプロセスと同じプロセスであるが、窒素前駆体の量が異なる。所望の厚さの拡散バリア材料３０（図４〜６を参照）が一旦堆積されると、さらなる拡散材料３２（図４〜６を参照）が、さらなる拡散バリア材料３２の１以上の領域を堆積することによって形成することができる。
【００４６】
工程５４０は、所望の数の領域が堆積されて、全体が所望の厚さになるまで、工程５２０および５３０を繰り返す。工程５２０、５３０および５４０は、別々の異なる工程として述べているが、窒素前駆体を続けて変える一方で、ＴｉＮ材料を連続して堆積することも、本発明の範囲内である。
【００４７】
工程５５０は、導電性拡散バリア層のアニーリング工程である。導電性拡散バリア層を含むウエハが、導電性拡散バリア層を調製するために、炉または急速熱アニーリングプロセスを用いて熱処理される。好ましくは、ウエハは、約３５０℃〜５００℃の間の温度で、約１〜６０分間アニーリングされる。
【００４８】
工程５６０は、任意の最新の方法による金属膜の堆積、およびそれに続く処理工程である。金属膜は、アルミニウム、銅、銀、金、または任意の他の所望の金属である。
【００４９】
ＣＶＤプロセス以外にも、ＰＥＣＶＤプロセス、またはＡＬＣＶＤプロセスを用いる方法を実行することが可能である。
【００５０】
本発明の比較的に単純な構造への適用を例示したが、本発明はまた、トレンチ、複数の導電性層、およびバイアを含む、より複雑な構造の形成にもよく適する。
【００５１】
別の実施形態が、本発明の範囲内で可能である。例示的説明により明らかであるとおり、本発明は、各種の材料および堆積技術を用いて実行することができる。当業者には、本発明の範囲内の方法の他の変形例を考えられる。従って、前述の開示およびその説明は、例示的目的のみであり、本発明を制限するためのものではない。本発明は、請求の範囲によって規定される。
【００５２】
拡散バリア全体で比率が変わる元素を有する材料を堆積することによって、実質的にアモルファスである導電性拡散バリアを生成する。金属窒化物、金属窒化シリコンの拡散バリアが、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、またはＡＬＣＶＤを用いて、第１の比率の元素を有する材料を堆積し、異なる比率の元素を有する実質的に同一の金属を堆積することにより堆積される。実際に用いられる元素は同じであるが、比率が変更される。同じ拡散バリア内の元素の比率を変更することによって、密度の変化が生じ、その材料が、望ましくない多結晶構造を形成することは不可能である。
【００５３】
【発明の効果】
本発明の方法によって、複数のアモルファス導電性拡散バリア膜を積層するために、従来の薄膜バリアのようにバウンダリー表面から下面に連続的に貫通することがなく、バリアを通って金属の拡散を可能にするバウンダリー領域が延びない。従って、金属配線を構成する金属のシリコン基板への拡散を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、導電性拡散バリアを示す概略断面図である。
【図２】図２は、従来技術による導電性拡散バリアを示す概略断面図である。
【図３】図３は、従来技術による導電性拡散バリアを示す概略断面図である。
【図４】図４は、導電性拡散バリアの形成の中間工程を示す概略断面図である。
【図５】図５は、導電性拡散バリアの形 成の中間工程を示す概略断面図である。
【図６】図６は、複数の密度領域が、導電性拡散バリア内で形成され得ることを示す概略断面図である。
【図７】図７は、本発明の方法の工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１４ 半導体基板
１６ 金属層
３０ 拡散バリア材料
Claims (4)
- 導電性拡散バリアを形成する方法であって、
ａ）半導体基板を作製する工程と、
ｂ）該半導体基板の上に、化学蒸着（ＣＶＤ）を用いて、耐熱性金属とシリコンと窒素とが第１の比率ＭaＳｉbＮcを有する耐熱性金属（Ｍ）窒化（Ｎ）シリコン（Ｓｉ）層を堆積して、該耐熱性金属窒化シリコン層上に、ＣＶＤを用いて、窒素の比率を異ならせることによって耐熱性金属とシリコン層と窒素とが前記第１の比率と異なる第２の比率ＭxＳｉyＮzを有する同じ耐熱性金属窒化シリコン層を堆積して全体がアモルファスのバリア層を形成する工程と、
ｃ）該バリア層の上にＣｕ層を堆積する工程と、
を包含する方法。 - 前記化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスが、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスである、請求項１に記載の方法。
- 前記化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスが、原子層化学蒸着（ＡＬＣＶＤ）プロセスである、請求項１に記載の方法。
- 前記耐熱性金属（Ｍ）が、Ｔｉ、Ｔａ、およびＷから成る群より選択される、請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/585.680 | 2000-06-01 | ||
| US09/585,680 US6194310B1 (en) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | Method of forming amorphous conducting diffusion barriers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002050588A JP2002050588A (ja) | 2002-02-15 |
| JP3865599B2 true JP3865599B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=24342497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001161493A Expired - Fee Related JP3865599B2 (ja) | 2000-06-01 | 2001-05-29 | アモルファス導電性拡散バリアを形成する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6194310B1 (ja) |
| JP (1) | JP3865599B2 (ja) |
| KR (1) | KR100429522B1 (ja) |
| TW (1) | TW522476B (ja) |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI119941B (fi) * | 1999-10-15 | 2009-05-15 | Asm Int | Menetelmä nanolaminaattien valmistamiseksi |
| KR20000022003A (ko) * | 1998-09-10 | 2000-04-25 | 이경수 | 금속과규소를포함한3성분질화물막의형성방법 |
| JP4014738B2 (ja) * | 1998-09-15 | 2007-11-28 | 株式会社東芝 | 半導体ウェーハの製造方法 |
| EP1221178A1 (en) | 1999-10-15 | 2002-07-10 | ASM America, Inc. | Method for depositing nanolaminate thin films on sensitive surfaces |
| US6534404B1 (en) * | 1999-11-24 | 2003-03-18 | Novellus Systems, Inc. | Method of depositing diffusion barrier for copper interconnect in integrated circuit |
| US6797608B1 (en) | 2000-06-05 | 2004-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of forming multilayer diffusion barrier for copper interconnections |
| US7732327B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition of tungsten materials |
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| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US6969539B2 (en) | 2000-09-28 | 2005-11-29 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor deposition of metal oxides, silicates and phosphates, and silicon dioxide |
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| US9786492B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US9786491B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
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| US10355139B2 (en) * | 2016-06-28 | 2019-07-16 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device with amorphous barrier layer and method of making thereof |
| US10186420B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-01-22 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of silicon-containing thin films |
| US10847529B2 (en) | 2017-04-13 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by the same |
| US10504901B2 (en) | 2017-04-26 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured using the same |
| JP7249952B2 (ja) | 2017-05-05 | 2023-03-31 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 酸素含有薄膜の制御された形成のためのプラズマ増強堆積プロセス |
| US10991573B2 (en) | 2017-12-04 | 2021-04-27 | Asm Ip Holding B.V. | Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces |
| US11217532B2 (en) | 2018-03-14 | 2022-01-04 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device containing compositionally graded word line diffusion barrier layer for and methods of forming the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW520072U (en) * | 1991-07-08 | 2003-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | A semiconductor device having a multi-layer metal contact |
| KR960010056B1 (ko) * | 1992-12-10 | 1996-07-25 | 삼성전자 주식회사 | 반도체장치 및 그 제조 방법 |
| KR100240649B1 (ko) * | 1996-11-07 | 2000-02-01 | 정선종 | 삼원계 확산 방지막 형성 방법 |
| KR100243286B1 (ko) * | 1997-03-05 | 2000-03-02 | 윤종용 | 반도체 장치의 제조방법 |
| US5962904A (en) * | 1997-09-16 | 1999-10-05 | Micron Technology, Inc. | Gate electrode stack with diffusion barrier |
| US5942799A (en) | 1997-11-20 | 1999-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Multilayer diffusion barriers |
-
2000
- 2000-06-01 US US09/585,680 patent/US6194310B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-05-29 JP JP2001161493A patent/JP3865599B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-30 TW TW090113044A patent/TW522476B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-06-01 KR KR10-2001-0030811A patent/KR100429522B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6194310B1 (en) | 2001-02-27 |
| KR20010109219A (ko) | 2001-12-08 |
| JP2002050588A (ja) | 2002-02-15 |
| KR100429522B1 (ko) | 2004-05-04 |
| TW522476B (en) | 2003-03-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060203 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060601 |
|
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