JP2006093551A - チタン含有膜の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】TDEATまたはTDMATなどの金属原料ガスと還元性ガスとを用いて、CVD法によりチタン含有膜を形成する。還元性ガスは、乖離してH*ラジカルや、H+イオンを放出することができるガスであり、例えばターシャリーブチルヒドラジン、NH3、H2などから選ばれたガスである。金属原料ガスと還元性ガスとの反応は、成膜速度が基板温度に依存する温度領域で行われる。
【選択図】図6
Description
次に、上記CVD装置を用いて行う本発明の実施例について説明する。
有機金属原料としてTDEAT(テトラキスジエチルアミノチタン:Ti[N(C2H5)2]4)を用いた場合:
TDEAT供給量:84mg/min
TDEAT用キャリアN2:400sccm
還元性ガス(TBH、NH3)流量:22sccm
有機金属原料に対する還元性ガスの供給モル比:4
キャリアN2:1500sccm
基板温度:225〜550℃
成膜圧力:340Pa
成膜時間:1〜60min
有機金属原料としてTDMAT(テトラキスジメチルアミノチタン:Ti[N(CH3)2]4)を用いた場合:
TDMAT供給量:56mg/min
TDMAT用キャリアN2:400sccm
還元性ガス(TBH、NH3)流量:22sccm
有機金属原料に対する還元性ガスの供給モル比:4
キャリアN2:1500sccm
基板温度:200〜500℃
成膜圧力:340Pa
成膜時間:1〜60min
表面反応律速温度範囲が狭くなる。
TDEAT供給量:84mg/min
TDEAT用キャリアN2:400sccm
キャリアN2:1500sccm
還元性ガス(TBH、NH3、H2)流量:80sccm
成膜圧力:340Pa
成膜時間:2〜30min
成膜温度:300℃
膜厚:100nm
TDEAT供給量:84mg/min
TDEAT用キャリアN2:400sccm
キャリアN2:1580sccm
成膜圧力:340Pa
成膜時間:30min
成膜温度:300℃
膜厚:100nm
TDMAT供給量:56mg/min
TDMAT用キャリアN2:400sccm
還元性ガス(TBH、NH3、H2)流量:80sccm
キャリアN2:1580sccm
成膜圧力:340Pa
成膜時間:1〜60min
成膜温度:250℃
膜厚:100nm
TDMAT供給量:56mg/min
TDMAT用キャリアN2:400sccm
キャリアN2:1580sccm
成膜圧力:340Pa
成膜時間:60min
成膜温度:250℃
膜厚:100nm
(適用例1)
201 原料容器 202 原料
203 気化装置 3 反応装置
301 反応室 302 シャワープレート
303 基板設置台 304 仕切りバルブ
4 排出装置 401 排出バルブ
402 圧力コントロールバルブ 403 原料トラップ
404 真空ポンプ
Claims (7)
- 4価のアミド系チタン有機金属原料ガスと還元性ガスとを用いて、CVD法によりチタン含有膜を成膜対象物上に形成することを特徴とするチタン含有膜の形成方法。
- 前記4価のアミド系チタン有機金属原料が、テトラキスジエチルアミノチタン、テトラキスジメチルアミノチタンまたはテトラキスエチルメチルアミノチタンであることを特徴とする請求項1記載のチタン含有膜の形成方法。
- 前記還元性ガスが、乖離してH*ラジカルや、H+イオンを放出することができるガスであることを特徴とする請求項1または2記載のチタン含有膜の形成方法。
- 前記還元性ガスが、ヒドラジン誘導体、NH3、H2、SiH4およびSi2H6から選ばれたガスであることを特徴とする請求項3記載のチタン含有膜の形成方法。
- 前記ヒドラジン誘導体が、ヒドラジンの水素原子の1つまたは2つをメチル基、エチル基、直鎖または分枝のブチル基で置換したものである請求項4記載のチタン含有膜の形成方法。
- 前記ヒドラジン誘導体が、ターシャリーブチルヒドラジンであることを特徴とする請求項4記載のチタン含有膜の形成方法。
- 前記4価のアミド系チタン有機金属原料ガスと還元性ガスとの反応を、成膜速度が成膜対象物の温度に依存する温度領域で行い、チタン含有膜を形成することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のチタン含有膜の形成方法。
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2004
- 2004-09-27 JP JP2004279364A patent/JP2006093551A/ja active Pending
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