JP2001115264A

JP2001115264A - 成膜方法及び装置

Info

Publication number: JP2001115264A
Application number: JP2000057729A
Authority: JP
Inventors: Kuniaki Horie; 邦明堀江; Tsutomu Nakada; 勉中田; Hidenao Suzuki; 秀直鈴木; Yukio Fukunaga; 由紀夫福永; Yuji Araki; 裕二荒木; Yuji Abe; 祐士阿部; Kiwamu Tsukamoto; 究塚本
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 1999-08-11
Filing date: 2000-03-02
Publication date: 2001-04-24

Abstract

(57)【要約】【課題】高い成膜速度を維持したまま、カバレージ特
性を向上させることができる成膜方法及び装置を提供す
る。【解決手段】成膜ガスを含む２種以上のガスを成膜室
内に導入して基板上に薄膜を成長させる成膜方法におい
て、２種以上のガスの内の成膜ガスを除く少なくとも１
種のガスを成膜ガスの温度以下で成膜室内に導入する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、成膜方法及び装置
に関し、特に、チタン酸バリウム／ストロンチウム等の
高誘電体又は強誘電体薄膜や配線用の銅膜等を基板上に
形成するのに使用される成膜方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体産業における集積回路の集
積度の向上はめざましく、現状のメガビットオーダか
ら、将来のギガビットオーダを睨んだＤＲＡＭの研究開
発が行われている。かかるＤＲＡＭの製造のためには、
小さな面積で大容量が得られるキャパシタ素子が必要で
ある。このような大容量素子の製造に用いる誘電体薄膜
として、誘電率が１０以下であるシリコン酸化膜やシリ
コン窒化膜に替えて、誘電率が２０程度である五酸化タ
ンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）薄膜、あるいは誘電率が３００程
度であるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、チタン酸
ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）又はチタン酸バリウム
ストロンチウム等の金属酸化物薄膜材料が有望視されて
いる。また、さらに誘電率が高いＰＺＴ、ＰＬＺＴ、Ｙ
１等の強誘電体の薄膜材料も有望視されている。

【０００３】上記の他、配線材料として、アルミニウム
に比べ配線抵抗が小さく、エレクトロマイグレーション
耐性に優れた銅も有望視されている。更に、ゲート絶縁
膜の材料として、ＢｉＶＯ，Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２，ＹＭ
ｎＯ_３，ＺｎＯ，（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ等が、ペロブスカイ
ト構造の電極材料として、ＳｒＲｕＯ_３，ＢａＲｕ
Ｏ _３，ＩｒＯ，ＣａＲｕＯ_３等が、バリア層やバッファ
層の材料として、ＭｇＯ，Ｙ_２Ｏ_３，ＹＳＺ，ＴａＮ
が、超伝導材料として、Ｌａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ，Ｌａ−
Ｓｒ−Ｃｕ−Ｏ，Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ，Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−Ｏ，Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ，Ｈｇ−Ｂ
ａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ等が有望視されている。

【０００４】このような素材の成膜を行う方法として
は、めっき法、スパッタ法、化学気相成長法（ＣＶＤ）
等があるが、配線幅の小さいところでは、ＣＶＤ法が最
も有望とされている。図５は、この種のチタン酸バリウ
ム／ストロンチウム等の高誘電体又は強誘電体薄膜を形
成するための成膜装置の全体構成を示す図であり、液体
原料を気化させる気化器（ガス発生装置）１１０の下流
側に原料ガス搬送流路１１２を介して密閉可能な成膜室
１１４が設けられ、さらにその下流側の排気流路１１８
に真空ポンプ１１６が配置されている。成膜室１１４に
は、酸素等の酸化ガスを供給する酸化ガス配管１２０が
接続されている。

【０００５】このような構成の成膜装置により、基板Ｗ
を基板保持台１２４上に載置し、基板Ｗを所定温度に維
持しつつガス噴射ヘッド１２８のノズル穴１２６から原
料ガスと酸化ガスとの混合ガスを基板Ｗに向けて噴射し
て、基板Ｗの表面に薄膜を成長させる。この場合、原料
ガスを成膜室内の被成膜基板に向けて安定的に供給する
必要がある。原料ガスは、常温で固体のＢａ（ＤＰＭ）
_２、Ｓｒ（ＤＰＭ）_２などを溶解し、さらに気化特性を
安定化させるためにテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）など
の有機溶剤を混合した液体原料を気化器で加熱して気化
させることによって生成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】半導体デバイスの高集
積化が進むに従い、デバイス構造が微細化し、細かい凹
凸構造部の表面により均一に成膜することが要求され
る。例えば、図６に示すように、半導体基板１３０の表
面に形成された配線用の微細な溝１３２の内部に、高誘
電体または強誘電体薄膜１３４を成長させた時、半導体
基板１３０の表面の膜厚Ａに対する溝１３２の底面の膜
厚Ｂの比：Ｂ／Ａ（ボトムカバレージ）、同じく膜厚Ａ
に対する溝１３２の側面の膜厚Ｃの比：Ｃ／Ａ（サイド
カバレージ）、及び溝１３２の側面の下部の膜厚Ｃ_１に
対する上部の膜厚Ｃ_２の比：Ｃ_２／Ｃ _１（サイドカバレ
ージの均一性）等のカバレージ特性を向上させることが
要求されている。

【０００７】この特性を向上させるためには、図７に示
す成膜速度と成膜温度の逆数との関係を表すアレニウス
カーブ上の反応律速の領域で成膜を行えば良いとされて
いる。つまり、供給律速の領域で成膜を行うと、図８
（ａ）に示すように、成膜ガスの粒子（分子）１３６の
供給が反応に追いつかず、成膜ガスの粒子（分子）１３
６は初めに到達した面で反応して成膜してしまう。その
ため、溝１３２の内部は成膜ガスの粒子（分子）１３６
が希薄化して、成膜の進行が基板１３０の表面に比べて
遅れ、カバレージ特性が悪くなる。これに対して、反応
律速の領域で成膜を行うと、図８（ｂ）に示すように、
成膜ガスの粒子（分子）１３６の反応が供給に追いつか
ず、成膜ガス粒子（分子）の付着確率が小さくなる。こ
のため、例えば成膜ガスの粒子（分子）１３６は先に到
達したＸ地点では成膜に寄与せず、Ｙ地点で始めて成膜
されるというプロセスとなる。従って、溝１３２の内部
で基板１３０の表面と変わらない成膜特性を得ることが
でき、この結果、カバレージ特性が良くなる。

【０００８】しかしながら、反応律速（供給が充分）
は、成膜温度の上昇に伴って反応速度が速くなる過程の
現象で、供給律速（供給が不足）は、成膜温度の上昇に
拘わらず反応速度がほぼ一定となる現象である。このた
め、反応律速の領域で成膜を行うと、成膜速度が低下し
てしまう。つまり、反応速度とカバレージ特性との間に
は、一方を良くしようとすると他方が悪くなるという相
関関係がある。

【０００９】本発明は、上述した事情に鑑みて為された
もので、高い成膜速度を維持したまま、カバレージ特性
を向上させることができる成膜方法及び装置を提供する
ことを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、成膜ガスを含む２種以上のガスを成膜室内に導入し
て基板上に薄膜を成長させる成膜方法において、前記２
種以上のガスの内の成膜ガスを除く少なくとも１種のガ
スを成膜ガスの温度以下で成膜室内に導入することを特
徴とする成膜方法である。

【００１１】これにより、比較的凝縮し易い不安定な成
膜ガスの温度を変えずに、成膜ガス以外の、例えば酸化
ガスや水素ガス等の添加ガスの温度を低くし、反応に寄
与する２種以上のガスの少なくともひとつのガスの反応
性を落とすことによりカバレージ特性を上げ、かつ、基
板の温度を高く維持することで高い成膜速度を維持する
ことを可能としたものである。

【００１２】請求項２に記載の発明は、前記成膜ガスと
該成膜ガスの温度以下で成膜室内に導入するガスを互い
に混合させることなく搬送して、成膜室内、或いは成膜
室に入る直前で両者を混合させることを特徴とする請求
項１に記載の成膜方法である。これにより、成膜ガスと
他の酸化ガス等が搬送の過程で早期に混合して析出物を
生成したり成膜ガスが凝縮してしまうことを防止するこ
とができる。

【００１３】請求項３に記載の発明は、前記成膜ガスの
温度以下で成膜室内に導入するガスの温度が前記成膜ガ
スの凝縮温度以下であることを特徴とする請求項１に記
載の成膜方法である。

【００１４】請求項４に記載の発明は、チタンの有機金
属原料を含む原料ガスと他の有機金属原料を含む原料ガ
スを成膜室内に導入して基板上に薄膜を成長させる成膜
方法において、前記チタンの有機金属原料を含む原料ガ
スを前記他の有機金属原料を含む原料ガスの温度以下で
成膜室内に導入することを特徴とする成膜方法である。

【００１５】チタン（Ｔｉ）の有機金属原料は、例えば
バリウム（Ｂａ）やストロンチウム（Ｓｒ）等の他の有
機金属原料よりも気化温度が低く、他の有機金属原料と
分けて個別に温度を下げて気化しても、凝縮することな
く搬送することができ、チタン原料のみを他の原料より
低い温度にすることにより、チタンの反応が遅れてカバ
レージ特性が向上する。ＢＳＴはＢＴＯとＳＴＯの固溶
体であり、ＴｉとＢａ、ＴｉとＳｒの反応により成膜が
起こる。そのため、Ｔｉ原料の反応時をコントロールす
ることによりカバレージ特性をコントロールできる。

【００１６】請求項５に記載の発明は、前記チタンの有
機金属原料を含む原料ガスと前記他の有機金属原料を含
む原料ガスを互いに混合させることなく搬送して、成膜
室内、或いは成膜室に入る直前で両者を混合させること
を特徴とする請求項４に記載の成膜方法である。

【００１７】請求項６に記載の発明は、個別に温度制御
された少なくとも２種のガスを下方に向けて同時に噴射
するガス噴射ヘッドを有する成膜室と、該ガス噴射ヘッ
ドにガスを供給するガス供給源と、前記成膜室内に前記
ガス噴射ヘッドに対向して配置された基板保持台とを有
することを特徴とする成膜装置である。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図１乃至図４を参照して、
本発明の実施の形態を説明する。図１及び図２は、本発
明の実施の形態の成膜装置を示すもので、これは、気密
な成膜室（処理室）１０を構成する容器本体１２と、容
器底部１４の中央に開口する筒状部１６内を昇降可能な
基板保持台（サセプタ）１８と、容器本体１２の頂部に
取り付けられたガス噴射ヘッド（シャワーヘッド）２０
とを備えている。

【００１９】これら容器本体１２、容器底部１４及び筒
状部１６には、オイルのような熱媒体を流通させる熱媒
体流路２２，２４，２６が形成され、これらの流路２
２，２４，２６は、外部配管３０を介して、ポンプ等の
抽送手段３２、及びヒータ等の加熱手段３４からなる主
熱媒体ユニット３６に流通している。また、必要箇所を
冷却するために冷却水循環ユニットが設けられている
（図示せず）。容器底部１４には、生成ガスを排気する
排気孔３８が開口し、これは図示しない真空ポンプに連
結している。

【００２０】基板保持台１８は、支持軸４０を介して成
膜室１０の下方に配置された昇降装置４２に連結され、
これにより筒状部１６の中を昇降する。筒状部１６の所
定高さには、搬送用のロボット４４を有するロボット室
４６に向かう位置に基板搬送口４８が開口しており、こ
れは通路５０を介してロボット室４６のゲート５２に接
続されている。この基板搬送口４８にはパージガス供給
口５４が開口している。基板保持台１８には、基板Ｗを
加熱するためのヒータ５６が設けられ、このヒータ５６
への電力を調整して基板温度を一定に維持するようにし
ている。

【００２１】ガス噴射ヘッド２０は、図２に示すよう
に、成膜対象の基板Ｗに対向して配置されるノズル盤６
０を下端に一体に連接して上方に延びる外胴６２と、こ
の外胴６２の内側に所定間隔離間して配置された中間胴
６４とを有し、この外胴６２と中間胴６４との間に第１
ガス通路６６が形成されている。中間胴６４の内側に
は、内胴６８が配置され、この内胴６８の内部に第２ガ
ス通路７０が形成されている。

【００２２】外胴６２及び中間胴６４の周壁内部には、
第１熱媒体ユニット７２に流通する第１熱媒体流路７４
が形成され、内胴６８の周壁内部には、第２熱媒体ユニ
ット７６に流通する第２熱媒体流路７８が形成されてい
る。更に、中間胴６４と内胴６８との間には、例えば断
熱材からなる断熱層８０が設けられている。これによ
り、第１ガス通路６６と第２ガス通路７０内に個別に導
入されてこの内部を流れるガスは第１熱媒体流路７４内
を流れる加熱媒体によって、第２ガス通路７０内を流れ
るガスは第２熱媒体流路７８内を流れる加熱媒体によっ
て、個別に温度制御されるように構成されている。な
お、断熱層８０は、真空空間によって構成することもで
きる。

【００２３】ノズル盤６０には所定の間隔をおいて多数
のガス噴射孔（外側ノズル孔）８２が設けられている。
中間胴６４及び内胴６８の底部には、ノズル盤６０の各
ガス噴射孔８２と対向する位置にそれぞれ開口が形成さ
れ、これには筒状のノズル部材（内側ノズル）８４の上
端が固着されて、ガス噴射孔８２とノズル部材８４の外
面の間に第１ガス通路６６につながる管状流路８６が形
成されている。各ノズル部材８４は、上側が大径となる
ように形成され、これによって、このノズル部材８４の
内部を流れる処理ガスが流速を速めて第１ガス通路６６
内を迅速に通過できるように構成されている。このノズ
ル部材８４としては、外胴６２及び中間胴６４による熱
の影響を極力防止するため、熱伝導性の小さい材料で構
成することが望ましい。

【００２４】次に、このように構成された成膜装置を用
いて成膜を行なうプロセスについて説明する。先ず、第
１の成膜プロセス例は、第２ガス通路７０内を有機金属
原料ガスを含む成膜ガスが、第１ガス通路６６内を酸化
ガスがそれぞれ流れるようにしたものである。例えば、
強誘電体であるチタン酸バリウムストロンチウムを成膜
する場合は、成膜ガスとして、Ｂａ（ＤＰＭ）_２、Ｓr
（ＤＰＭ）_２及びＴｉ（ｉ−ＯＣ_３Ｈ_７）_４等の有機金
属化合物を溶剤に溶解して気化し、Ａr等のキャリアガ
スと混合したものが用いられる。また、酸化ガスは、例
えば、Ｏ_２，Ｎ _２Ｏ，Ｈ_２Ｏ等の酸素含有ガス、あるい
はこれにオゾナイザにより生成されたオゾン（Ｏ_３）を
添加したものが用いられる。

【００２５】第２ガス通路７０においては、第２熱媒体
流路７８内を流れる加熱媒体によって、この内部を流れ
るＳｒ、Ｂａ及びＴｉ原料の気化温度以上であって分解
温度以下である、例えば２４０〜２５０℃で成膜ガスを
流し、第１ガス通路６６においては、第１熱媒体流路７
４内を流れる加熱媒体によって、成膜ガスの温度以下で
ある、例えば、１００〜２００℃程度で酸化ガスを流す
ように個別に制御する。この酸化ガスの温度は、成膜ガ
スの凝縮温度よりやや低い温度であっても、成膜ガスと
混合後に例えば直ちに成膜室内に送れば、直ちに高温の
基板に触れて成膜される。基板ヒータからの輻射熱を受
けることで凝縮することはない。

【００２６】なお、この例では、酸化ガス自体を１００
〜２００℃程度にした例を示しているが、この酸化ガス
の代わりに、酸化ガスに不活性ガスやＮ_２ガスを加えて
１００〜２００℃程度にしたガスを使用しても良い。こ
のことは、以下同様である。

【００２７】すると、第１ガス通路６６内を流れた酸化
ガスは、ガス噴射孔８２とノズル部材８４の間の管状流
路８６を経由して、また、第２ガス通路７０内を流れた
成膜ガスはノズル部材８４から、それぞれ成膜室１０内
に同時に噴射される。そして、両者は、ノズル部材８４
より下の領域（混合領域）をさらに下降する過程で均一
に混合され、ガス噴射孔８２を出て成膜室１０内部の空
間をさらに基板Ｗに向けて下降する。基板保持台１８上
に保持した基板Ｗは、例えば４５０℃程度に加熱されて
おり、基板Ｗの表面に薄膜が形成される。

【００２８】ここで、成膜速度は、前述のように、反応
律速の領域においては、成膜温度の下降に伴って低下
し、この温度の下降に伴ってカバレージ特性が向上する
が、図３に示すように、供給律速から反応律速に遷移す
る温度Ｔ_１付近では、高いカバレージ特性を有してい
る。そこで、成膜温度が供給律速から反応律速に遷移す
る温度Ｔ_１よりやや高い温度となるように、成膜ガスの
温度を変えることなく、酸化ガスの温度を成膜ガスの温
度よりも低くするように調整することにより、高い成膜
速度を維持したまま、カバレージ特性を向上させること
ができる。

【００２９】第２の成膜プロセス例は、ガス通路６６，
７０内を有機金属原料を含む原料ガスがそれぞれ流れる
ようにしたものである。例えば、高誘電体のＢＳＴ原料
系においては、Ｂａ、Ｓｒ及びＴｉの原料が使用される
が、第１ガス通路６６内をＢａ、Ｓｒの原料ガスの混合
ガスが、第２ガス通路７０内をＴｉ原料ガスと酸化ガス
との混合ガスがそれぞれ流れるようにする。すなわち、
Ｂａ、Ｓｒの原料を気化器で気化したものを第１ガス通
路６６内に導入し、Ｔｉの原料を気化器で気化し、この
後に酸化ガスを混合したものを第２ガス通路７０内に導
入する。

【００３０】そして、第２ガス通路７０においては、第
２熱媒体流路７８内を流れる加熱媒体によって、この内
部を流れるＳｒとＢａの気化温度以上で分解温度以下
の、例えば２４０〜２５０℃で混合ガスが流れるように
制御し、第１ガス通路６６においては、第１熱媒体流路
７４内を流れる加熱媒体によって、この内部を流れるＴ
ｉの気化温度以上で分解温度以下、かつ第２ガス通路７
０内を流れる混合ガスの温度以下の、例えば１５０〜２
００℃程度の温度で混合ガスが流れるように個別に制御
する。これらの混合ガスをガス噴射ヘッド２０から成膜
室１０内に供給することにより、基板保持台１８上に保
持した基板Ｗの表面に薄膜を形成する。

【００３１】なお、ＢＳＴ或いはＳＴＯ、ＢＴＯ等の成
膜では、このプロセスがＴｉを仲介して行われるため、
Ｔｉ原料がカバレージ特性に大きく起因しているといわ
れている。また、Ｔｉの有機金属原料は、例えばＢａや
Ｓｒ等の他の有機金属原料よりも気化温度が低く、他の
有機金属原料と分けて個別に温度を下げて気化しても、
凝縮することなく搬送できる。そこで、チタン原料のみ
を他の原料より低い温度にすることにより、チタンの反
応を遅らせてカバレージ特性を向上させることができ
る。

【００３２】上記各成膜プロセスは、酸化ガス雰囲気、
即ち成膜される膜が酸化物である成膜プロセスについて
説明したが、還元ガス雰囲気、例えば成膜される膜が金
属であるプロセスについて、Ｃｕ配線用のＣｕシード層
を例にして図４を参照して説明する。

【００３３】先ず、Ｃｕ（hfac（ヘキサフルオルアセチ
ルアセトン））tmvs（トリメチルビニシラン），tmvs
（５％）及びＨ(hfac)を混合し、容器２００内に貯蔵し
た液体原料２０２を、例えばＨｅ等で液面を加圧して液
用流量調整器２０４から気化器２０６に送り、同時にＨ
ｅ，Ｈ_２又はＡｒ等のキャリアガスをガス用流量調整器
２０８から気化器２０６に送り、この気化器２０６で、
例えば５０〜７０℃に加熱し気化させて原料ガスを生成
する。

【００３４】そして、この原料ガスをガス噴射ヘッド２
０の第１ガス通路６６（図２参照）内に、Ｈ（hfac），
Ｈ_２，Ａｒ，Ｎ_２，Ｈｅ，Ｏ_２，Ｈ_２Ｏ等の添加ガスを
第２ガス通路７０（図２参照）内にそれぞれ個別に温度
制御して流し、これらのガスを、例えば１４０〜２００
℃に加熱した基板保持台１８上に載置した基板Ｗに向け
て噴射する。なお、成膜後の排ガス及び原料ガスの一部
は、トラップ２１０ａ，２１０ｂにより一部の成分がト
ラップされ、真空ポンプ２１２を経て除害装置２１４か
ら排気される。これにより、下記の反応式（１）及び
（２）により、基板Ｗの表面に銅が成膜される。Ｃｕ（hfac）tmvs→Ｃｕ（hfac）＋tmvs （１）２Ｃｕ(hfac)→Ｃｕ(hfac)_２＋Ｃｕ↓ （２）ここで、添加ガスとして、例えばＯ_２やＨ_２Ｏ等の反応
促進用のガスを使用した場合には、この温度を原料ガス
の温度より少し低くして反応を遅らせることで、カバレ
ージ特性を向上させることができる。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、凝縮等の問題のない酸化ガスやチタンの有機金属を
含む原料ガス等の温度を低下させて、成膜温度を、例え
ば反応律速から供給律速に遷移する付近の温度に低下さ
せることにより、成膜速度を落とすことなく、成膜のカ
バレージ特性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の成膜装置の概略を示す断
面図である。

【図２】図１のガス噴射ヘッドの断面図である。

【図３】成膜速度及びカバレージ特性と成膜温度の関係
を示すグラフである。

【図４】Ｃｕ配線用のＣｕシード層を形成する成膜プロ
セスの説明に付する図である。

【図５】成膜装置の全体構成を示す図である。

【図６】溝を有する基板の表面に成膜を施した状態の断
面図である。

【図７】アレニウスカーブを示す図である。

【図８】（ａ）は供給律速の領域における成膜プロセス
の説明に付する図で、（ｂ）は反応律速の領域における
成膜プロセスの説明に付する図である。

【符号の説明】

１０成膜室（処理室）１６筒状部１８基板保持台２０ガス噴射ヘッド６０ノズル盤６６，７０ガス通路７４，７８熱媒体流路８０断熱層８２ガス噴射孔８４ノズル部材Ｗ基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鈴木秀直東京都大田区羽田旭町11番１号株式会社荏原製作所内 (72)発明者福永由紀夫東京都大田区羽田旭町11番１号株式会社荏原製作所内 (72)発明者荒木裕二東京都大田区羽田旭町11番１号株式会社荏原製作所内 (72)発明者阿部祐士東京都大田区羽田旭町11番１号株式会社荏原製作所内 (72)発明者塚本究東京都大田区羽田旭町11番１号株式会社荏原製作所内Ｆターム(参考） 4K030 AA11 AA14 AA16 BA01 BA18 BA42 BA46 EA01 EA05 EA06 FA10 JA10 KA25 LA01 LA15 4M104 BB04 DD44 DD45 HH13 5F033 HH11 PP02 PP11 XX02 5F045 AB40 AC07 AC11 AC16 AD08 BB09 BB19 DP03 EE01 EE11 EF05 EK24 EM10 5F058 BA11 BC03 BF06 BF27 BG02 BG10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】成膜ガスを含む２種以上のガスを成膜室
内に導入して基板上に薄膜を成長させる成膜方法におい
て、前記２種以上のガスの内の成膜ガスを除く少なくとも１
種のガスを成膜ガスの温度以下で成膜室内に導入するこ
とを特徴とする成膜方法。
【請求項２】前記成膜ガスと該成膜ガスの温度以下で
成膜室内に導入するガスを互いに混合させることなく搬
送して、成膜室内、或いは成膜室に入る直前で両者を混
合させることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】前記成膜ガスの温度以下で成膜室内に導
入するガスの温度が前記成膜ガスの凝縮温度以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項４】チタンの有機金属原料を含む原料ガスと
他の有機金属原料を含む原料ガスを成膜室内に導入して
基板上に薄膜を成長させる成膜方法において、前記チタンの有機金属原料を含む原料ガスを前記他の有
機金属原料を含む原料ガスの温度以下で成膜室内に導入
することを特徴とする成膜方法。
【請求項５】前記チタンの有機金属原料を含む原料ガ
スと前記他の有機金属原料を含む原料ガスを互いに混合
させることなく搬送して、成膜室内、或いは成膜室に入
る直前で両者を混合させることを特徴とする請求項４に
記載の成膜方法。
【請求項６】個別に温度制御された少なくとも２種の
ガスを下方に向けて同時に噴射するガス噴射ヘッドを有
する成膜室と、該ガス噴射ヘッドにガスを供給するガス供給源と、前記成膜室内に前記ガス噴射ヘッドに対向して配置され
た基板保持台とを有することを特徴とする成膜装置。