JP3829240B2 - 銅酸化物を選択的にエッチングするための組成物及び方法 - Google Patents
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Description
【発明の技術分野】
本発明は、マイクロエレクトロニクスの用途で使用するための組成物に関する。より詳しくは、本発明は、低誘電率(低k)中間層を有する金属基板をプラズマエッチングおよび/または化学機械研摩(CMP)した後に残っている酸化物を選択的にエッチングするための組成物に関する。
【0002】
【発明の背景】
ウエハー上のフォトリトグラフパターンの寸法は縮小し続けて0.18ミクロン未満になっており、リトグラフの装置と材料にはより大きな要求が課せられている。この難題に対処するため、半導体業界では、チップの製造にあたって銅および低誘電率(低k)材料に方向転換している。銅は抵抗を40%も減少することが知られている。さらに、低k材料を使用するときはキャパシタンスが減少し、これは集積回路の性能を改善するため、特により高密度の記憶チップにとって重要である。そしてさらに、金属基板および中間誘電層材料は、アルミニウムベースの合金および二酸化ケイ素から銅金属および新たな低k誘電体に変わってきている。
【0003】
低k材料は、2つの種類に分類することができる。第一の種類は、無機低k材料、例えば水素シルセスキオキサン(HSQ)、フッ素化シリコンガラス(FSG)、または他のカーボンを含有しないシリコンベースの材料が含まれる。第二の種類には、有機低k材料、例えばDow Chemicalから入手可能なビスベンゾシクロブテン(BCB)およびAllied SignalからFLARE、そしてDow ChemicalからSiLKの商品名で販売されているポリ(アリーレンエーテル)が含まれる。
【0004】
銅および低k材料を利用するために、新たな製造法が使用される。一つの方法はDamascene法であり、それはいくつかの基本的な工程に従う。最初に絶縁体を付着させる。次に、金属と逆のイメージのフォトレジストパターンを加える。この後に、所望の金属の厚さと等しい深さで酸化物中にトラフをエッチングする。次いでライナーおよび銅を付着させる。この後に化学機械的に平滑化( planarization)して過剰の銅を除去する。
【0005】
製造プロセスにおける必須工程は、ウエハー表面からの残留物の除去である。シリコンまたはアルミニウムウエハー表面を洗浄するための洗浄組成物は、当分野でよく知られている。しかし、低k中間層を含む金属基板から酸化物残留物を選択的にエッチングするのに有効な組成物は、容易に入手可能でない。銅および低いk材料に対する業界の動きに伴って、低k中間層を傷つけることなく金属基板すなわち銅から残留物を除去するために特別に処方されたこのような組成物の必要性が生じてきた。
【0006】
【発明の概要】
本発明は、プラズマエッチングおよび/または化学機械研摩の後に残っている酸化物残留物を、金属基板、例えば低k中間層を有する銅から選択的にエッチングするための組成物に関する。組成物は、水、ヒドロキシルアンモニウム塩、カルボン酸、フッ素含有化合物および場合により塩基を含む。組成物のpHは約2〜6である。
【0007】
【発明の詳述】
本発明は、低k中間層を含む金属基板をプラズマエッチングおよび/または化学機械研摩した後に残っている酸化物残留物を選択的にエッチングするのに有用性を有する組成物である。金属基板は、例えば銅、アルミニウム、タンタルまたはタングステンであることができる。本発明では、金属基板および基板中に含まれている低k中間層を傷つけることなく残留物を除去する。
【0008】
本発明においては、組成物は、水、ヒドロキシルアンモニウム塩、カルボン酸およびフッ素含有化合物からなる。さらに、塩基が含まれていてもよい。
【0009】
本発明は、エッチ後の残留物を除去する有機または無機酸の水溶性ヒドロキシルアンモニウム塩を含む。二酸化ケイ素/窒化チタン/アルミニウム-銅基板に形成されたエッチ後残留物を溶解する際には、ヒドロキシルアンモニウム塩、例えばヒドロキシルアンモニウムスルフェート(HAS)がその酸性度および物理的/化学的性質のため効果的である。例えばHASはArch Chemicals, Inc.から商業的に入手可能な商品、MICROSTRIP 5002の主成分であり、それはアルミニウムラインエッチングの後に残っているエッチ後残留物を除去する際に有用である。ヒドロキシルアンモニウム塩は、例えばヒドロキシルアンモニウムスルフェート、ヒドロキシルアンモニウムニトレート、ヒドロキシルアンモニウムホスフェート、ヒドロキシルアンモニウムクロリド、ヒドロキシルアンモニウムオキサレート、ヒドロキシルアンモニウムシトレート、ヒドロキシルアンモニウムラクテートまたはそれらの混合物であることができる。好ましいヒドロキシルアンモニウム塩は、ヒドロキシルアンモニウムスルフェートである。
【0010】
本発明の組成物は、ヒドロキシルアンモニウム塩約0.01〜5.0重量%を含む。好ましくは約、0.05〜1.0重量%、そして最も好ましくは約0.1〜0.5重量%のヒドロキシルアンモニウム塩が含まれる。
【0011】
本発明の組成物にはカルボン酸が含まれなければならない。カルボン酸は腐食防止剤として役立つ。カルボン酸、特にヒドロキシル基を含むものは、アルミニウム、銅およびそれらの合金の金属腐食を効果的に抑制することができる。カルボン酸は、それらの金属上でキレート効果を有する。適切なカルボン酸には、モノカルボン酸およびポリカルボン酸が含まれる。例えば、カルボン酸は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、イソ吉草酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マイレン酸、フマル酸、フタル酸、1,2,3−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、クエン酸、サリチル酸、酒石酸、グルコン酸およびそれらの混合物でありうるが、これらに限定されるわけではない。好ましいカルボン酸は、クエン酸である。
【0012】
カルボン酸は、約0.01〜5.0重量%の量で都合よく加えられる。好ましくは約0.05〜3.0重量%、そして最も好ましくは約0.1〜1.0重量%のカルボン酸が加えられる。
【0013】
本発明では、有機または無機でありうる水溶性のフッ素含有化合物の存在が必要である。フッ素含有化合物は、金属に対する酸化物の選択的なエッチ液として作用する。例えば、フッ素含有化合物、特にフッ化水素(HF)のようなフッ化物塩はSi−O−Si結合を開裂するため、シリコンに対して選択的に二酸化ケイ素を腐食することが知られている。いくつかのフッ素含有化合物はCu−O-Cu結合を切断することができるので、CuOxが銅に対して選択的にエッチングされることも知られている。適切なフッ素含有化合物の例は、フッ化水素、フッ化アンモニウム、ピリジンフッ化水素塩、イミダゾールフッ化水素塩、テトラメチルアンモニウムフルオリド、テトラエチルアンモニウムフルオリド、ポリビニルピリジンフッ化水素塩、ポリビニルイミダゾールフッ化水素塩、ポリアリルアミンフッ化水素塩またはそれらの混合物である。フッ化水素は、好ましいフッ素含有化合物である。
【0014】
組成物は、フッ素含有化合物約0.001〜3.0重量%を含む。好ましくは、組成物の約0.005〜1.0重量%、そして最も好ましくは約0.01〜0.5重量%が、フッ素含有化合物である。
【0015】
場合により、組成物は塩基を含むことができる。塩基は組成物のpHを調節するために用い、それは約2〜6でなければならない。好ましくは、組成物のpHは約3.0〜4.5である。洗浄組成物のpHが酸性であることは重要である。これによって、組成物が二酸化ケイ素ならびに金属、例えば銅およびアルミニウムに対して金属酸化物、例えば銅のいずれかの酸化物またはそれらの混合物(CuOx)に選択的にエッチングされることが可能となる。二酸化ケイ素は、アルカリ性pH領域では容易に溶解するが、しかしpHが中性または酸性では溶解しない。これに対して、CuOxのような金属酸化物は、酸性およびアルカリ性の両方のpH環境で溶解する。このため、本発明の組成物のpHは、約2〜6に設定または調節される。pHは、塩基を加えることによって調節される。例えば、塩基は水酸化テトラアルキルアンモニウム、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドまたはそれらの混合物であることができる。テトラメチルアンモニウムヒドロキシドは、本発明で使用される好ましい塩基である。
【0016】
また、本発明は、水−混和性有機溶媒を含むことができる。水−混和性有機溶媒は、他の成分、特にフッ素含有化合物を有するフォトレジスト膜中への水の浸透を高める。これは二酸化ケイ素のエッチングを促進して低k層からフォトレジスト膜を除去する。実際は、低k膜は、直接銅層上、または間接的に別の層、例えば窒化珪素中にあり、本発明によってエッチングされないので低k膜は除去されない。水−混和性有機溶媒は、例えばエチレングリコール(EG)、プロピレングリコール(PG)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ジメチルアセトアミド(DMA)、乳酸エチル(EL)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート(PGMEA)またはそれらの混合物であることができる。
【0017】
本発明は、さらに添加剤を含むことができる。キレート性化合物または界面活性剤といったような添加剤は、ウエハー表面から微粒子および/または金属の汚染物を除去する際に本発明の組成物の有効性を高めることができる。適切な添加剤は、例えば非イオン性界面活性剤、特にCS-1として知られているキレート性基の付いたポリオキシエチレンタイプの界面活性剤であり、それはBASFから商業的に入手可能である。
【0018】
本発明の好ましい実施態様において、金属上で酸化物を選択的にエッチングするための組成物は、水、ヒドロキシルアンモニウムスルフェート約0.1〜0.5重量%、クエン酸約0.1〜1.0重量%、フッ化水素約0.01〜0.5重量%からなり、そして約3.0〜4.5のpHを有する。さらに、組成物は約1〜5のクエン酸対フッ化水素のモル比を有する。
【0019】
また、本発明は、(a) 水、(b)ヒドロキシルアンモニウム塩、(c)カルボン酸、および(d)フッ素含有化合物からなる組成物を金属基板に塗布する工程からなる、低k中間層を有する、銅、アルミニウム、タンタルまたはタングステンといったような金属基板上の残留物を除去するための方法を含む。例えば、組成物は、超音波処理を用いてまたは用いずに、金属基板上に組成物を浸すかまたは噴霧することによって塗布することができる。また、組成物は、塩基および/または水-混和性有機溶媒を含むことができる。また、組成物は約2〜6のpHを有することが好ましい。より好ましくは、pHは約3.0〜4.5でなければならない。
【0020】
本発明を説明するために、以下の実施例を提供する。本発明が記載された実施例に限定されないことは理解すべきである。
【0021】
【実施例】
実施例1
本発明の洗浄剤溶液は、以下のように製造した:
(1)70gの脱イオン水(DI H2O)を、ビーカー中に入れた;
(2)室温でマグネティックスターラで撹拌しながら、0.20gのヒドロキシルアンモニウムスルフェート(HAS)を脱イオン水中に完全に溶解した;
(3)0.10gのクエン酸(CA)を、上記溶液に溶解した;
(4)0.21gのフッ化水素酸(HF)を、撹拌しながら上記溶液に加えた;
(5)テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液を上記溶液に加えて、pHを3.37に調節した;
(6)脱イオン水を加えて、溶液の全重量を100gにした。
得られた洗浄剤溶液には、3.37のpHで、0.2重量%のHAS、0.1重量%のCA、および0.1重量%のHFが含まれていた。
【0022】
エッチ試験は、銅および酸化銅−付着ウエハーを使用して実施し、それはWafernet, Inc., San Jose, Californiaから得た。ウエハーの規格は、以下の通りである:
規格 Cu CuO x
抵抗率 <0.025 <0.025
厚さ(A) 500〜550 500〜550
基板 250A TaN 250A TaN(窒化タンタル)
密度(g/cm3) 8.92* 6.00*
* Lange's Handbook of Chemistryに基づいて算定した密度
【0023】
ウエハーを正方形のピース(約2×2cm)にカットした。次に、準備したウエハー表面を5分間アセトンで超音波処理することによって洗浄し、次いで窒素ガスを吹きつけて乾燥し、続いて乾燥器中110℃で数分間さらに乾燥した。その後、ウエハーを冷ました。洗浄したウエハーの総重量を、グラムスケールで小数点以下5桁のスケールを有する分析微量天秤を使用して測定した。
【0024】
記載された方法によって洗浄された、CuおよびCuOxの両方のカットされたウエハーの複数のピースを、多数の小さな穴を有するプラスチックの浸漬バスケット中に置き、そして先に調合した溶液中に室温でマグネティックスターラーで穏やかに撹拌しながらバスケットを用いて浸した。すべてのピースは、多くとも60分間、10分毎に洗浄剤溶液から取り出し、その後5分間水の連続的な流れを使用して脱イオン水ですすいだ。それから、乾燥窒素ガスを吹きつけることによってウエハーを完全に乾燥し、そしてそれらを100℃で10分間乾燥器中に置いた。処理後、冷ました後、各ウエハーを再計量した。
【0025】
CuおよびCuOx膜のエッチング速度は、以下の式を用いて計算した:
エッチ速度=(Wb−Wa)/AxDxT
ここで、WbおよびWaは、それぞれ、処理の前および後のウエハー重量(g)であり、そしてAは表面積(cm2)であり、Dは、CuまたはCuOxの算定された密度(g/cm3)であり、そしてTは洗浄剤の処理時間(分)である。得られたエッチング速度は、cm/分であり、それはA/分×108に置きかえることができる。
【0026】
追加の実施例を表1に提供し、ここでは異なる処方物についてエッチング速度の結果を示した。
【0027】
【表1】
【0028】
表1に提示されたデータから以下の結論が導かれた:
(1) HASおよびHFの濃度が増えるに従ってCuのエッチング速度が高ま る。
(2) 一方、HF濃度が増えるにつれCuOxのエッチング速度は減少する傾向がある。
(3) 得られたエッチングの選択性パラメータ、すなわちCuOx対Cuのエッチング速度の比率は、洗浄剤組成物のパラメータ、例えばHAS、CAおよびHFの濃度にあまり左右されない。
(4) しかし、選択性パラメータについて非常に高い値を示すいくつかの例外的なデータポイント(例えば実施例1-3)がある。特に、実施例1および2は、例えばCA対HFのモル比が1であるといったような、いくつかの独特な処方の特徴を有する。したがって、0.5重量%より下のHFが低い濃度では、最良の処方物はCA/HFの等モル比に基づくといえる。HF濃度がこのポイントより上に増加したときには、Cuエッチング速度は、1A/分未満である許容しうるレベルを超えて増加する傾向がある。
【0029】
本発明を、特にその好ましい形態に関して記載した。当業者にとっては、特許請求の範囲に記載の本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく変更および改良することができることは明白である。
Claims (19)
- (a)水;
(b)ヒドロキシルアンモニウム塩;
(c)カルボン酸;
(d)フッ素含有化合物;および
(e)場合により塩基
からなる、銅よりなる金属基板上で銅酸化物を選択的にエッチングするための組成物。 - さらに水混和性有機溶媒を含む請求項1に記載の組成物。
- 組成物が、2〜6のpHを有する請求項1に記載の組成物。
- 組成物が、3.0〜4.5のpHを有する請求項3に記載の組成物。
- ヒドロキシルアンモニウム塩が、組成物の0.1〜0.5重量%である請求項1に記載の組成物。
- ヒドロキシルアンモニウム塩が、ヒドロキシルアンモニウムスルフェート、ヒドロキシルアンモニウムニトレート、ヒドロキシルアンモニウムホスフェート、ヒドロキシルアンモニウムクロリド、ヒドロキシルアンモニウムオキサレート、ヒドロキシルアンモニウムシトレート、ヒドロキシルアンモニウムラクテートおよびそれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項1に記載の組成物。
- カルボン酸が、組成物の0.1〜1.0重量%である請求項1に記載の組成物。
- カルボン酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、イソ吉草酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、1,2,3−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、クエン酸、サリチル酸、酒石酸、グルコン酸およびそれらの混合物からなる群より選ばれる請求項1に記載の組成物。
- フッ素含有化合物が組成物の0.01〜0.5重量%である請求項1に記載の組成物。
- フッ素含有化合物が、フッ化水素、フッ化アンモニウム、ピリジンフッ化水素塩、イミダゾールフッ化水素塩、テトラメチルアンモニウムフルオリド、テトラエチルフッ化アンモニウム、ポリビニルピリジンフッ化水素塩、ポリビニルイミダゾールフッ化水素塩、ポリアリルアミンフッ化水素塩およびそれらの混合物からなる群より選ばれる請求項1に記載の組成物。
- 塩基が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドおよびそれらの混合物からなる群から選ばれる請求項1に記載の組成物。
- (a)水;
(b)ヒドロキシルアンモニウムスルフェート0.1〜0.5重量%;
(c)クエン酸 0.1〜1.0重量%;および
(d)フッ化水素0.01〜0.5重量%
からなる、銅よりなる金属基板上で銅酸化物を選択的にエッチングするための組成物。 - 組成物が3.0〜4.5のpHを有する請求項12に記載の組成物。
- 組成物が、1〜5のクエン酸対フッ化水素のモル比を有する請求項12に記載の組成物。
- (a)水、
(b)ヒドロキシルアンモニウム塩、
(c)カルボン酸、および
(d)フッ素含有化合物
からなる組成物を銅金属基板に塗布する工程を含む、低k中間層を有する銅よりなる金属基板上の銅酸化物残留物を除去するための方法。 - 組成物がさらに塩基を含む請求項15に記載の方法。
- 組成物がさらに水混和性有機溶媒を含む請求項15に記載の方法。
- 組成物が2〜6のpHを有する請求項15に記載の方法。
- 前記塗布工程を、基板を浸漬するかまたは基板上へ前記組成物を噴霧することによって実施する請求項15に記載の方法。
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