KR100419924B1 - 세정액 및 이를 사용한 반사방지막 성분의 세정 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 title 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 12
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 41
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 5
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000002522 swelling effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical compound FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/06—Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/10—Salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/264—Aldehydes; Ketones; Acetals or ketals
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
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- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
경화된 반사방지막 성분을 용이하게 용해시켜 제거할 수 있는 세정액 및 이를 사용한 반사방지막 성분의 세정 방법이 개시되어 있다. 본 발명에 따른 세정액은 5∼30 중량%의 수산화암모늄염, 23∼70 중량%의 유기 용매 및 10∼50 중량%의 물을 포함하여 이루어진다. 반도체 웨이퍼상에 유기물을 도포하는 단계를 통하여 웨이퍼에 인접한 장비에 유기물이 튀게 된 경우, 이러한 장비를 분리하여 상기한 세정액에 침지시킨후, 린스 및 건조시키면 경화된 유기물 및 경화되지 않은 유기물 성분이 용이하게 제거된다. 시간이 경과하여 경화된 유기물, 특히 반사방지막 성분의 제거가 특히 용이하다.
Description
본 발명은 세정액 및 이를 사용한 ARC(anti-reflection coating) 성분의 세정 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 반도체 제조 장비에서 패턴 형성후의 누적, 경화된 ARC 성분의 세정 방법에 관한 것이다.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 메모리 소자도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 반도체 메모리 소자는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 소자의 집적도, 신뢰성 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되어 왔다. 소자의 고집적화를 위해서는 셀 사이즈의 축소는 필연적이며, 각 셀의 사이즈가 감소함에 따라 기판 상에 형성되는 모든 패턴의 사이즈 및 마진도 감소하게 된다. 이에 비하여, 소자의 수직 규모, 즉 소자를 구성하는 각 부재들의 종횡비(aspect ratio)는 더욱 증가하게 된다.
특히 레지스트 프로세스 기술은 반도체의 제조를 발전시켰을 뿐 아니라 이는 기반 기술이어서 이에 사용되는 포토레지스트에 대한 요구 수준도 매년 높아지고 있다. 포토리소그라피는 반도체 장치의 집적 회로를 제조하는데 있어서 반도체 기판, 금속, 절연막 등을 패터닝하기 위해 사용되는 기술이다. 일반적인 포토레지스트를 사용하는 포토리소그라피 기술에 의한 패턴의 형성방법은 다음과 같다.
먼저, 절연막 또는 전도성막등 패턴을 형성하고자 하는 막이 형성된 기판상에 자외선이나 X선과 같은 광을 조사하면 알칼리성 용액에 대한 용해도 변화가 일어나게 되는 유기층인 포토레지스트층을 형성한다. 이 포토레지스트층의 상부에 소정 부분만을 선택적으로 노광할 수 있도록 패터닝괸 마스크 패턴을 개재하여 포토레지스트층에 선택적으로 빛을 조사한 다음, 현상하여 용해도가 큰 부분(포지티브형 포토레지스트의 경우, 노광된 부분)은 제거하고 용해도가 작은 부분은 남겨 레지스트 패턴을 형성한다. 포토레지스트가 제거된 부분의 기판은 에칭에 의해 패턴을 형성하고 이후 남은 레지스트를 제거하여 각종 배선, 전극 등에 필요한 패턴을형성하도록 한다. 반도체 공정에서 사용되는 포토레지스트는 소자가 감소할수록 많은 문제를 갖게 되었고, 이를 해결하기 위한 하나의 방안으로서 포토리소그라피 공정의 노광중에 난반사를 막기 위해 유기 ARC 공정이 도입되었다.
포토리소그라피는 상술한 바와 같이 감광성 물질에 광학적인 상을 형성할 수 있는 물질, 즉, 포토레지스트를 사용하여 하부막을 패터닝하기 위한 것이다. 광학적인 상은 하부막에 전사될 패턴에 대응된다. 포토레지스트층을 노광시킨 후 현상하는 것에 의해 포토레지스트 패턴이 얻어지게 된다. 그런데, 소자의 사이즈가 0.35㎛ 이하로 점점 작아짐에 따라 노광을 위한 광의 파장은 점점 짧아지고 하부막의 이러한 광에 대한 반사도와 산란의 정도가 높아져서 원하지 않는 노광 효과를 가져오는 문제가 있다. 작은 사이즈의 소자에 대하여는 이러한 의도하지 않은 노광이 CD 변화를 가져오기도 한다.
이에 따라 ARC(반사방지막)를 포토레지스트층과 하부막 사이에 형성하고 있다. 이러한 ARC 막은 포토레지스트막과 비교하면 매우 얇은 두께를 가져서 약 1000Å 이하의 두께로 형성된다. 하부막을 패터닝하기 위해서는 포토레지스트막이 현상된후 노출된 ARC 막이 제거되어야 한다.
ARC를 형성하기 위한 조성물로서는 주로 폴리이미드계 화합물이나 폴리아크릴레이트계 화합물 등이 사용된다. ARC는 굴절률에 따라 그 두께가 가변적일 수 있는데, 통상 약 400∼600Å 정도의 두께가 되도록 형성한다. 이러한 ARC의 역할은 포토리소그라피 공정의 수행시 노광되는 광의 굴절 계수를 줄여 주는 것인데 하부막질로 인한 빛의 반사에 의한 비바람직한 영향을 줄이기 위하여 형성되는 것이다.
포토레지스트나 ARC 조성물을 웨이퍼상에 적용하기 위한 장비는 도 1에 나타난 바와 같다.
이러한 장비에는 상부에 개폐가 가능한 덮개를 구비한 외용기(10), 내용기인 바울(60)의 내부에 구비되며 웨이퍼(W)를 장착하기 위한 스핀척(20)이 구비되어 있다. 스핀척(20)은 외용기(10)의 바닥을 뚫고 지나도록 설치된 구동부(30)와 연결되어 있어서 상부에 고정되는 웨이퍼(W)를 회전시키게 된다.
외용기(10)는 바울과 같은 형상을 가지며 이의 상부는 스핀척(20)과 소정의 거리로 이격되어 있어서 포토레지스트와 같은 유기물이 도포 공정중에 외용기(10)의 외부로 튀는 것을 방지해준다. 유기물 도포용 노즐(40)과 사이드 린스 노즐(50)은 외용기(10)의 상부에 설치되어 있다. 이러한 노즐(40, 50)은 웨이퍼(W)에 대하여 상하부로 이동가능하다.
내용기인 바울(60)은 외용기(10)의 내부에 설치되어 포토레지스트와 같은 유기물이 외용기(10)에 튀는 것을 방지해준다. 바울(60)은 표면에 존재하는 유기물을 제거하기 용이하도록 내열성, 내스크래치성, 비점성 물질로 제조된다. 즉, 바울은 테플론(TEFLON), PP(polypropylene) 같은 성분으로 제조된다. 또한 바울(60)은 세정을 위해 규칙적으로 탈착된다.
스핀척(20)의 상부에 위치된 웨이퍼(W)는 스핀척(20)에 의해 발생된 진공에 의해 고정된다. 유기물 도포용 노즐(40)과 사이드 린스 노즐(50)은 하방으로 이동하여 웨이퍼상에 유기물을 도포하게 된다. 이와 동시에 구동부(30)에 의해 구동되는 스핀척(20)은 일정한 속도로 회전하고 웨이퍼 표면상에 도포된 유기물은 원심력에 의해서 균일하게 퍼지게 된다.
사이드 린스 노즐(50)로부터 공급되는 린스액은 웨이퍼의 가장자리에 고착되는 유기물을 제거해 준다. 세정후 린스액은 바울(60)의 배출구(70)를 통하여 배출된다. 웨이퍼의 전면이 유기물로 코팅된 후, 유기물 도포용 노즐(40) 및 사이드 린스 노즐(50)은 상방으로 이동하고, 스핀척(20)은 회전을 멈추게 된다. 그러면 유기물층이 형성된 웨이퍼는 다음 공정을 위하여 이송된다.
반도체 장치의 제조를 위하여 웨이퍼상에 적용되는 ARC 막은 ARC 제거용 식각액이나 플라즈마를 이용한 애싱에 의해 제거가 가능하지만 바울에 묻어서 경화된 유기 ARC는 이러한 방식으로 제거가 불가능하다. 일정 주기를 두고 바울(60)은 탈착되고 스크래치 등의 방식에 의해 표면에 고착된 유기물을 제거하기 위한 공정을 수행하는데, 이는 많은 시간을 요하여 생산율을 감소시키게 된다.
따라서, 노즐을 통해 ARC 조성물이나 포토레지스트를 도포할 때, 웨이퍼상에 이들 조성물이 퍼져서 웨이퍼에 넘치지 않도록 점도를 적절하게 조절하고, 웨이퍼의 회전 속도도 적절한 수준으로 조정하도록 한다. 그러나 공정을 진행하면서 튀는 유기물은 피할 수 없는 것이다.
이 경우, 유기 ARC는 포토레지스트보다 더 단단하게 경화되어 제거가 어려운 단점이 있다. 이것은 포토리소그라피를 위한 설비 등에 오염이 되어 여러 가지 문제의 원인이 될 수 있다.
포토레지스트나 유기 ARC가 적용될 때마다 그 즉시로 바울을 세정해 주면 제거가 용이하나 동작을 자주 멈추는 것은 곧 수율의 감소를 의미하므로 이는 실무적으로 불가능한 일이다. 따라서 장비가 동작되는 동안 장비에 튀거나 흘러 내린 포토레지스트나 유기 ARC 등은 방치하고 있다가 일주일이나 이주일에 한 번 정도 제거하는 작업을 수행하게 된다. 시간이 경과함에 따라 장비에 묻은 유기물은 더욱 경화되고 이를 제거하는 것은 더욱 어렵게 된다.
이 경우, 통상적으로 포토레지스트는 제거가 용이하나 유기 ARC는 제거가 용이하지 않다. 일반적으로 적용되는 유기물의 제거 방식에는 포토레지스트와 경화된 ARC를 모두 플라스틱 바 등을 이용하여 물리적으로 긁어내거나, 포토레지스트는 화학적으로 제거하고 ARC는 긁어서 제거하거나, 새로운 장비로 교체하는 등의 방식으로 이 문제를 해결하게 된다. 그런데, 긁어서 제거하는 방법에는 여러 가지 부작용이 수반된다. 즉, 하나의 장비를 클리닝하는데 현 방법으로는 약 30분 정도의 시간이 소요되어 설비 클리닝 효율이 떨어지고, 파티클이 발생하는 등 새로운 문제가 유발되는 것이다.
반도체 공정의 수행을 위해서는 오염 물질을 제거하기 위한 세정 공정이 매우 중요한데, 다양한 예는 다음과 같다.
대한민국 공개 특허 제98-84217호에서는 POCl3가스를 이용한 폴리실리콘 도핑 공정시 발생하는 SiO2, P2O5등의 여러 가지 오염 물질을 제거하기 위하여 황산, 염산, 암모니아, 과산화수소 및 여러 가지 비율의 불산을 이용하는 공정과 순수에 의해 세정함을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법을 개시하고 있다.
대한민국 공개 특허 제 98-48608호에서는 웨이퍼 표면에 발생된 유기물, 불순물 입자를 제거하기 위하여 황산, 암모니아, 과산화수소수 및 순수로 이루어진 암모니아 혼합 용액을 사용한 세정방법을 개시하고 있다.
미국 특허 제5,910,453호에서는 포토레지스트막이 패터닝 된 후에 유기 ARC 막이 산소 플라즈마, 질소 플라즈마 및 적어도 하나의 비활성 가스의 혼합물에 의해 식각됨으로써 포토레지스트막에 대한 선택비가 높아서 포토레지스트 막에 대한 측벽 손상(lateral erosion)을 주지 않는 식각 방법이 개시되어 있다.
또한 미국 특허 제6,136,649호에서는 기판 표면의 절연막으로부터 ARC 막을 제거하기 위하여 선택비를 갖는 (CH3F)/O2의 화학적 식각에 의해 스크래칭 없이 표면으로부터 효과적으로 제거할 수 있는 식각 방법이 개시되어 있다.
본 발명에서는 공정 불량과 설비 클리닝 작업을 효율적으로 개선하기 위하여 포토리소그라피 공정이 진행됨에 따라 누적된 포토레지스트 및 유기 ARC를 효과적으로 제거할 수 있는 세정액을 제공하고자 하는데, 이는 스웰링과 솔벤시 파워, 폴라리티 개념을 이용한 신규한 세정액이다.
본 발명의 다른 목적은 상기한 세정액을 이용하여 유기 ARC 성분을 세정하는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 반도체 웨이퍼상에 포토레지스트 및 유기 ARC 조성물을 도포하기 위한 장치를 도시한 단면도이다.
도 2a 내지 2e는 유기 ARC 막이 적용된 반도체 공정의 일례를 흐름도로 나타낸 단면도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
13: 유기 ARC막 14: 포토레지스트막
60: 내부 바울 20: 스핀척
40: 유기물 도포용 노즐 W: 웨이퍼
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 5∼30 중량%의 수산화암모늄염, 23∼70 중량%의 유기 용매 및 10∼50 중량%의 물을 포함하는 세정액을 제공한다.
특히, 상기 수산화암모늄염으로는 (NH3OH)2SO4, NH3OHCl, NH3OHNO3, (NH3OH)PO4등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 유기 용매로는 아세톤, 아세토나이트릴, MIBK등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 다른 목적은
소정의 장비내에 장착된 반도체 웨이퍼상에 유기물을 도포하는 단계;
상기 장비를 분리하여 5∼30 중량%의 수산화암모늄염, 23∼70 중량%의 유기 용매 및 10∼50 중량%의 물을 포함하는 세정액에 침지시키는 단계; 및
상기 장비를 린스 및 건조시키는 단계를 포함하는 경화된 유기물 및 경화되지 않은 유기물 성분의 제거 방법에 의해 달성된다.
특히 상기 장비를 세정액에 1침지하는 시간은 5∼15분 범위인 것이 적절하며, 이를 적용하기 위한 장비로는 웨이퍼를 감싸도록 상기 웨이퍼와 소정 간격을 두고 설치되는 바울(bowl)을 예로들 수 있다.
본 발명은 유기물, 특히 유기 ARC의 제거를 위한 세정액에 관한 것으로서 유기물의 오염으로 인한 공정 불량 개선과 설비 클리닝 작업을 효율적으로 수행할 수 있게 된다.
이하, 반도체 장치의 제조를 위하여 적용되는 반사방지막과 포토레지스트막을 이용한 공정을 도 2a 내지 2e를 참고로 하여 설명하기로 한다.
도 2a를 참고하면, 반도체 기판(11) 상에 PEOX(plasma enhanced oxide)와 같은 산화물을 약 4000Å의 두께로 도포하여 절연막(12)을 형성하도록 한다. 이의 상부에는 도 1에 나타난 장비를 사용하여 웨이퍼상에 반사방지막 성분을 도포하여 반사방지막(13)을 형성하도록 한다. 구체적인 반사방지막 성분으로서는 EUV44(닛산 케이칼), SNAC90(닛산 케이칼) 등이 사용될 수 있으며 이러한 ARC 성분의 기본 수지는 폴리아크릴레이트이며 여기에 치환기로 안트라센(antracene)이 일부 치환되어 있고 첨가물로서 교차결합제(cross-linker)가 포함되어 있다. 이러한 성분을 절연막 상에 도포하고 가열하면 교차결합제에 의하여 가교 결합된 폴리머가 형성되어 대부분의 용매에 대하여 불용성인 화합물이 된다.
반사방지막은 굴절률에 따라 그 두께가 가변적일 수 있는데, 통상 약 400∼600Å 정도의 두께가 되도록 형성한다. 이러한 반사방지막은 이후 포토리소그라피 공정의 수행시 노광되는 광의 굴절 계수를 줄여 주는 것인데 하부막질로 인한 빛의 반사에 의한 비바람직한 영향을 줄여주는 역할을 하게 된다.
반사방지막(13)의 상부에 도 1에 나타난 장비를 사용하여 적절한 포토레지스트를 약 10000Å 두께로 도포하여 포토레지스트막(14)을 형성한다.
도 2b를 참고하면, 소정의 패턴을 갖는 마스크 패턴을 개재하고 소정의 영역을 노광 및 현상하여 포토레지스트막의 가용성 부분을 제거하고 포토레지스트 패턴(14a)을 제조하도록 한다. 노광시에는 상기 반사방지막이 하부막에 의한 빛의 반사를 방지해 주어 패턴 프로파일이 향상된다.
도 2c를 참고하면, 이후 포토레지스트 패턴(14a)에 의해 노출된 반사방지막을 통상의 방법에 따라 제거하여 반사방지막 패턴(13a)을 형성한다. 반사방지막의 제거는 바람직하게 반응성 이온 에칭 또는 기타 이온에 의한 식각 공정을 사용하여 수행하도록 한다. 산소, 프레온과 같은 할로겐 탄화물, 아르곤 등을 포함하는 혼합물이 식각용 가스로 사용될 수 있다.
도 2d를 참고하면, 이후 노출된 하부의 절연막을 이방성 에칭하여 절연막 패턴(12a)을 형성하도록 한다.
도 2e를 참고하면, 이후 포토레지스트 패턴(14a) 및 반사방지막 패턴(13a)을 제거하여 원하는 형상의 절연막 패턴(12a)을 남기도록 한다.
상술한 절연막 패턴의 형성 공정에서 반사방지막과 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해서는 도 1에 나타난 장비를 사용하여 웨이퍼상에 유기물을 도포하게 된다. 이 때, 유기물의 점도와 웨이퍼의 회전 속도 등을 아무리 조절한다고 하더라도 바울로 튀는 유기물은 피할 수가 없다. 결국, 바울로 튄 ARC와 포토레지스트 등의 유기물이 시간이 경과함에 따라 딱딱하게 경화되어 제거가 어려운 상태로 변하게 된다. 본 발명에서는 이러한 경화물을 용이하게 제거할 수 있는 세정액을 제시하는 것이다.
이러한 세정액에 바람직하게 적용할 수 있는 수산화암모늄염으로는 (NH3OH)2SO4, NH3OHCl, NH3OHNO3및 (NH3OH)PO4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 염이 사용될 수 있다. 이 중에서도 스웰링 효과와 안전성의 문제를 고려할 때 가장 바람직한 화합물은 (NH3OH)2SO4이다. 수산화암모늄염의 첨가량은 5∼30 중량%범위가 되도록 하는데, 만약 이의 첨가량이 5 중량% 보다 적으면 스웰링 효과가 미미하여 경화된 유기 ARC에 대한 세정이 용이하지 못하며, 만약 이의 첨가량이 30 중량%를 초과하면 이는 상대적으로 유기 용매나 물의 양이 감소한다는 의미이므로 용해력이 감소하여 바람직하지 못하다. 더욱 바람직하게는 이의 첨가량이 7∼13 중량% 범위가 되도록 한다.
적용가능한 유기 용매로는 아세톤, 아세토나이트릴, MIBK(methyl isobutyl ketone), 이들의 혼합물 등을 예로들 수 있으며 이 중에서도 특히 아세톤이 바람직하다. 본 발명자의 다양한 실험 결과, 알콜 용매는 염을 다시 석출시키는 문제가 있어서 적용이 불가능하며 비극성 용매는 물과 혼합되지 않아서 적용이 불가능하다는 것을 알 수 있었다.
유기 용매의 첨가량은 23∼70 중량% 범위가 되도록 하는데, 만약 이의 첨가량이 23 중량% 보다 적으면 용해력이 감소하고, 70 중량% 보다 많으면 상대적으로 염의 양이 줄어들기 때문에 스웰링 효과가 미미하여 바람직하지 못하다. 더욱 바람직하게는 이의 첨가량이 45∼50 중량% 범위가 되도록 한다.
한편, 물은 염을 녹이고 세정액의 극성을 증가시키는 역할을 한다. 이러한 물의 첨가량은 10∼50중량% 범위가 되도록 하는데, 만약 이의 첨가량이 10 중량% 보다 적으면 염을 용해시키기가 어려워 세정 효과가 미미해지며 이의 첨가량이 50 중량% 보다 많으면 스웰링 효과와 용해력이 감소하므로 바람직하지 못하다. 더욱 바람직하게는 이의 첨가량이 25∼35 중량% 범위가 되도록 한다.
이러한 세정액을 사용하여 장비를 세정하는 방법을 설명하기로 한다.
포토레지스트나 유기 ARC가 경화된 장비를 분해하여 상온에서 세정액에 침지(dipping) 하도록 한다. 이 때, 세정액의 용량에 따라 침지가능한 양만큼 장비를 적용할 수 있다. 여러 개의 장비를 한꺼번에 침지하여 약 10분 정도 방치하도록 한다. 침지 시간은 세정하고자 하는 장비의 세정 주기에 따라 달라지기 때문에 세정 주기가 길거나 경화된 유기물의 양이 많은 경우에는 좀 더 긴 시간 동안 침지하고, 세정 주기가 짧거나 경화된 유기물의 양이 적은 경우에는 좀 더 짧은 시간 동안 침지하는 것이 가능하여 특별한 제한이 없다.
본 발명자에 의한 반복적인 실험 결과, 통상적으로 약 10분 정도의 침지 시간이면 충분한 것으로 확인되었다. 장비를 세정액으로부터 건져내면 대부분의 유기물은 부풀어서 씻겨나가게 되며, 남아 있는 찌꺼기는 이후 린스 공정에 의해서도 제거되며 경화된 정도에 따라 와이퍼(wipper)와 같은 거즈 종류를 사용하여 가볍게 문지르는 것으로 제거할 수도 있다.
린스 공정은 바람직하게 아세톤을 사용하여 한 번 씻어 주는 것으로 수행하도록 한다. 이는 장비 표면에 입자가 남을 수도 있기 때문에 확인을 위해 수행하도록 한다. 그리고 아세톤이 휘발성이 강한 물질이므로 건조 시간도 단축되는 효과를 얻을 수 있다. 물로 세정하는 것도 가능하나 물을 사용하면 건조 시간이 길어서 바람직하지는 않다.
이러한 본 발명의 세정액은 경화되어 불용성인 거의 모든 종류의 ARC에 대하여 적용가능한 것으로서, 포토공정에 사용되는 장비중에서 웨이퍼를 감싸는 바울을용이하게 세정해줄 수 있는 것이다.
이에 더하여, 지금까지는 설비의 세정을 위해 설비당 약 30분 정도 걸렸지만 본 발명에 의하면 침지 가능한 분량 만큼 한꺼번에 처리하는 것이 가능하며 시간도 침지 시간과 린스 시간을 합하여 설비당 15분 정도면 충분하므로 생산 효율을 크게 개선시킬 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예에 따라 본 발명이 설명되었지만, 본 발명의 사상을 일탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형이 가능함은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자라면 명확히 인지할 수 있을 것이다.
Claims (11)
- (NH3OH)2SO4, NH3OHCl, NH3OHNO3 및 (NH3OH)PO4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 수산화암모늄염 5∼30 중량%, 유기 용매 23∼70 중량% 및 물(H2O)10∼50 중량%를 포함하는 세정액.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 유기 용매가 아세톤, 아세토나이트릴 및 MIBK로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 세정액.
- 소정의 장비내에 장착된 반도체 웨이퍼상에 유기물을 도포하는 단계;상기 장비를 분리하여 (NH3OH)2SO4, NH3OHCl, NH3OHNO3 및 (NH3OH)PO4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 수산화암모늄염 5∼30 중량%, 유기 용매 23∼70 중량% 및 물(H2O)10∼50 중량%를 포함하는 세정액에 침지시키는 단계; 및상기 장비를 린스 및 건조시키는 단계를 포함하는 유기물 성분의 제거 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 유기물 성분이 포토레지스트 및 유기 ARC(anti-reflective coating) 성분 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 제거 방법.
- 삭제
- 제4항에 있어서, 상기 유기 용매가 아세톤, 아세토나이트릴 및 MIBK로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 제거 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 침지 단계 후에 상기 장비를 와이퍼로 닦는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 제거 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 린스는 아세톤을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 제거 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 침지 시간은 5∼15분 범위인 것을 특징으로 하는 제거 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 장비가 상기 웨이퍼를 감싸도록 상기 웨이퍼와 소정 간격을 두고 설치되는 바울(bowl)인 것을 특징으로 하는 제거 방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0023774A KR100419924B1 (ko) | 2001-05-02 | 2001-05-02 | 세정액 및 이를 사용한 반사방지막 성분의 세정 방법 |
| US10/136,370 US6777379B2 (en) | 2001-05-02 | 2002-05-02 | Cleaning solution and method of cleaning anti-reflective coating composition using the same |
| US10/885,951 US7208454B2 (en) | 2001-05-02 | 2004-07-08 | Cleaning solution for removing anti-reflective coating composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0023774A KR100419924B1 (ko) | 2001-05-02 | 2001-05-02 | 세정액 및 이를 사용한 반사방지막 성분의 세정 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020084482A KR20020084482A (ko) | 2002-11-09 |
| KR100419924B1 true KR100419924B1 (ko) | 2004-02-25 |
Family
ID=19708965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0023774A KR100419924B1 (ko) | 2001-05-02 | 2001-05-02 | 세정액 및 이를 사용한 반사방지막 성분의 세정 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6777379B2 (ko) |
| KR (1) | KR100419924B1 (ko) |
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- 2002-05-02 US US10/136,370 patent/US6777379B2/en not_active Expired - Fee Related
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- 2004-07-08 US US10/885,951 patent/US7208454B2/en not_active Expired - Fee Related
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| KR20020084482A (ko) | 2002-11-09 |
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| A201 | Request for examination | ||
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| FPAY | Annual fee payment |
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