JP3813636B2 - 高速入力バッファ - Google Patents
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Description
本発明は、一般に集積回路に関し、そして詳細には、本発明は、高速なデータ伝送を受け取り得るデータ入力バッファに関する。
発明の背景
集積回路は通常、付加的な回路と通信するために使用される多くの入力/出力ピンを含む。例えば、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)などの集積メモリ装置は、メモリ動作制御信号を受け取るための制御入力、および外部のシステムまたはプロセッサとの相方向データ通信のためのデータピンの両方を含む。
現在の集積回路のデータ伝送速度は、主に内部回路動作速度によって制限される。すなわち、多くの集積回路の容量より速い速度で回路間において信号を伝送し得る通信ネットワークが開発されてきた。より速い回路への要求に対応するために、1グループの集積回路が共通バス上に組合せされ得る。この構成において、各集積回路は、他の集積回路と協調されたやり方で動作し、高速度で伝送されるデータを共有する。例えば、1グループの、DRAM、スタティックRAM、または読み取り専用メモリ(ROM)などのメモリ装置が共通のデータバスに接続され得る。バスのデータ速度は、個々のメモリの可能な動作速度より実質的に速くあり得る。したがって、各メモリは、1つのメモリが入力されたデータを処理しながら、別メモリが新しいデータを受け取るように動作される。適切な数のメモリ装置および効率的な制御システムを提供することによって、非常に高速なデータ伝送が達成され得る。
データ通信信号の伝送速度が増加し続けるにつれて、新しい回路および方法が、各集積回路で正確にデータを受け取るために必要とされる。1つの提案された解法は、米国特許第5,513,327号に記載されるバスインターフェースである。このバスインターフェースは、データをラッチするために2つのエッジトリガ受信器を使用する。第1の受信器は、クロック信号の立ち上がりエッジに応答して動作し、他方第2の受信器は、クロックの立ち下がりエッジに応答して動作する。さらに、データバスは、中間供給レベルで終端されず、そして出力は、オープンドレイン(open drain)構成を使用してバス上を伝送される。
上述の理由、および本明細書を読みおよび理解する際に当業者にとって明らかである、以下に述べられる他の理由のために、バスクロックの推移に応答してデータを受け取るために、独立にまたは他の入力バッファと組み合わせて、動作し得る高速入力バッファに対する当該技術分野における要求がある。
発明の要旨
集積回路データ伝送についての上記の問題および他の問題が、本発明によって対応され、そして以下の明細書を読みおよび検討することによって理解される。各クロック信号上のデータ信号を平衡化、サンプリング、感知、およびラッチする入力バッファ回路が説明される。
詳細には、本発明は、高速データバスに結合されるように適合された入力バッファ回路を説明する。入力バッファ回路は、データ入力ノードおよびデータバス終端電圧に選択的に結合される差動感知増幅器回路を備える。平衡回路は、差動感知増幅器回路、および平衡信号に応答して差動感知増幅器回路をデータバス終端電圧へ平衡化するためのデータバス終端電圧に接続される。結合回路は、サンプル信号に応答してデータ入力ノードおよびデータバス終端電圧を差動感知増幅器回路に選択的に結合させるために提供される。入力バッファはさらに、感知信号に応答して差動感知増幅器回路を作動させるための感知増幅器作動回路を含む。ラッチ回路は、差動感知増幅器回路に結合される。ラッチ回路は、ラッチ信号に応答して差動感知増幅器回路のデータ状態をラッチするために適合される。
【図面の簡単な説明】
図1は、メモリバスの図である。
図2は、別のメモリバスの図である。
図3は、デュアル受信入力バッファ回路のブロック図である。
図4は、単一受信高速入力バッファの模式図である。
図5は、図4の入力バッファの動作のタイミング図である。
図6は、図4の入力バッファの選択電圧のタイミング図である。
図7は、別の高速入力バッファの模式図である。
図8A、B、およびCは、図7の入力バッファの動作のタイミング図である。
図9は、出力ドライバ回路の模式図である。
図10は、高速入力バッファを内蔵するメモリ装置のブロック図である。
発明の詳細な説明
好ましい実施態様の以下の詳細な説明において、本明細書の一部分をなし、そして発明が実施され得る具体的な好ましい実施態様を例示するやり方によって示される付属の図面が参照される。これらの実施態様は、当業者が発明を実施することを可能にするために十分詳細に説明され、そして他の実施態様が利用され得ること、ならびに論理的、機械的、および電気的変更が本発明の精神および範囲を逸脱せずになされ得ることが理解される。したがって、以下の詳細な説明は、限定する意味に受け取られるものではなく、そして本発明の範囲は、付属の請求項によってのみ定義される。
図1は、複数の通信線106を介して多くの集積回路104(0)〜104(x)へ制御およびデータ信号を提供するために制御回路102を含むメモリバス100の簡略化された例示である。通信線は、終端電圧(Vterm)に結合された適切な終端回路108(一般に、レジスタとして例示される)を用いて終端される。
図2は、複数の通信線116を介して多くの集積回路104(0)〜104(x)および114(0)〜114(x)へ制御およびデータ信号を提供するために中心に位置付けられた制御回路102を含むメモリバス112の簡略化された例示である。通信線は、終端電圧(Vterm)に結合される適切な終端回路118(1)および118(2)(一般に、レジスタとして例示される)を用いて両端で終端される。Vtermの好ましい値は、1/2(Vdd−Vss)であるが、任意の中間供給レベルであり得る。
図3は、データ入力120に接続された入力バッファ119のブロック図である。バッファは、平行に接続された2つの受信回路122および126ならびに2つのラッチ回路124および128を含む。各ラッチ回路は、ノード130(データ奇数*)またはノード132(データ偶数*)のいずれかの上のデータ出力を生成する。受信器は、バス線上に提供される共通のデータクロック信号の異なる位相から外れて動作する。したがって、受信器は、エッジトリガされず、内部バーニア(vernier)遅延を使用して制御される。バーニア遅延は、有効なデータ受信を最大化するためにシステム作動時に調整される。すなわち、遅延は、データサンプリングが有効なデータが存在する場合に行われ、そしてクロック信号のエッジ遷移に制限されないように調整される。例示されるデュアル受信入力バッファは、1秒当たり800+メガビットの範囲で高速データ通信に使用され得る。1秒当たり400メガビットといった、より遅いデータ通信速度については、単一受信器およびラッチ回路が入力バッファにおいて使用され得る。
図4を参照すると、受信器152およびラッチ回路154を用いて出力156上に内部データ信号(Data)を生成する高速入力バッファ150が説明される。受信器152回路は、他の集積回路に結合されたバス上に提供された、異なる位相の共通のクロック信号に基づく内部信号に応答して動作する。内部信号は、平衡信号(equilibrate signal)(EQ*)、感知信号(Sense)、およびサンプル信号(Sample)である。受信器は、バス終端電圧(Vterm)に接続され、且つデータ入力コネクション120を介してバスデータラインに接続される。
受信器152は、1対の交差結合されたp型トランジスタを有するp型感知増幅器回路158および1対の交差結合されたn型トランジスタを有するn型感知増幅器160からなる。感知増幅器の共通のノード(ノードAおよびB)をVtermに平衡化するために、平衡回路162が提供される。結合回路164および166が提供され、サンプル信号に応答してノード120およびVtermをそれぞれノードAおよびBに選択的に結合する。入力バッファの動作をよりよく理解するために、図5のタイミング図を参照する。
図5に示すように、平衡信号(EQ*)は時間t1においてローに遷移し、平衡回路162のトランジスタ168、170および172を作動させる。トランジスタ170および172はそれぞれノードBおよびAを終端電圧Vtermに結合する。従って感知増幅器はバス終端電圧に平衡化される。時間t2において、平衡回路は停止され、サンプル信号はハイに遷移し、結合回路164を作動させて、入力120をノードAに結合する。同様に結合回路166が作動させられ、ノードBを終端電圧Vtermに結合する。時間t2においてローの感知信号で、p型感知増幅器回路158のノード180はローに結合され、n型感知増幅器のノード174はトランジスタ176を介してVtermに結合される。時間t3において、感知信号はハイに遷移し、トランジスタ178を作動させ、ノード174をグラウンドに結合する。サンプル信号はローに遷移し、p型感知増幅器およびn型感知増幅器がノードAおよびBを適切な電圧レベルに増幅するようにノードAおよびBを分離する。ラッチ*信号は時間t3においてハイに遷移し、ラッチ回路154を作動させる。従って、結合回路182が作動させられ、ノードBの逆をインバータ回路184に結合する。ラッチ*信号がローの状態に戻ると、回路182が停止させられ、且つ回路186が作動させられインバータ184をラッチする。ラッチはノードBに接続されるが、ラッチ回路154はノードAに結合され得、本発明を制限する意図はない。外部から受け取られたクロック信号に応答して、図5に示した信号が内部で生成されることが、当業者によって理解される。このように、入力データバッファは異なる位相のクロック信号に依存して動作する。
図6は、ハイの入力データ信号を受け取った時の、ノードAおよびB上の電圧および出力ノード156を示す。時間t1において、ノードAおよびBはVtermに平衡化される。時間t2において、ノードAは入力120に結合され電圧を上昇させる。時間t3において、感知増幅器回路が作動させられ、ノードAおよびBを増幅する。同時に、ノードBはラッチ回路に結合され、156上の出力データ信号はノードBに結合される。
図7は、図3に示した2つの並列受信器122および126、ならびに2つのラッチ回路124および128を有する高速入力バッファの概略図を示す。図4を参照しながら上記で説明したように、受信器122および126は通常、受信器152の回路を含み、同様の様態で動作する。図8A、8Bおよび8Cのタイミング図は図7の高速入力バッファの動作を示す。DQライン上に提供されたデータ信号は、それぞれのサンプル信号の上昇するエッジ上において受信器122および126の両方によってサンプルされる。従って、DQラインは両受信器回路によってサンプルされる。出力(データ−偶数*およびデータ−奇数*)が共に、DQライン上に提供されたデータを示す。外部バスクロック信号および外部クロックの2倍の周波数で動作する内部クロック信号を説明する。平衡信号(EQ1*およびEQ2*)は実質的にクロック信号と整列している。外部クロック信号は理論上、1/2(EQ1*AND EQ2*)に等しいものと定義され得る。サンプル信号は、データ信号が信号ピークにある場合に、DQラインをサンプルするように、バーニア遅延回路を用いて調整される。
図9は、集積回路のデータ出力コネクション(DQ)に接続されたプッシュ/プル出力ドライバ200の概略図である。プルアップ信号およびプルダウン信号はそれぞれノード202および204に提供され、プルアップトランジスタ206またはプルダウントランジスタ208のいずれかを作動させる。ドライバ回路は任意のスルー・レート制御回路210を備える。制御回路はVslew信号を用いて調整され、選択的に一連のトランジスタを作動させ得る。つまり、いずれかのトランジスタを作動させることにより、並列抵抗器がバイパスされ、回路の応答時間が変化する。このようにして、トランジスタ206および208の作動のタイミングが調整され得る。
プルアップ駆動調整回路214が出力ドライバ回路200内に提供され、プルアップトランジスタ206に結合された電圧を調整する。同様に、プルダウン駆動調整回路216が出力ドライバ回路200内に提供され、プルダウントランジスタ206に結合された電圧を調整する。動作において、トランジスタ218のゲートが選択的に作動され、抵抗器220をバイパスする。集積回路がバス上に設置された後に、出力ドライバ回路の調整が行われる。つまり、出力ドライバ電圧は特定のバスシステムの要求に適合するように調整される。スルー・レート制御回路が、本発明から逸れることなく除去され得ることが当業者によって理解される。
図10は、上記の高速入力バッファ248を組み込むダイナミックランダムアクセスメモリ装置240(DRAM)のブロック図である。メモリは、入力ライン243上に提供されたアドレス信号に応答してメモリアレイ241にアクセスするためのアドレス回路242を含む。制御回路252が提供され、制御信号254に応答してメモリの読み出し動作および書き込み動作を制御する。位相発生器回路244が提供され、入力バッファ回路について、内部信号DQ*、サンプル信号、感知信号、およびラッチ*信号を発生させる。バーニア調整回路245が、内部信号のタイミングを調整するための位相発生器に結合される。入力バッファ回路248は、各データラインDQについて、上記の高速入力バッファ回路を含むことが理解される。出力ドライバ回路250が提供され、DQライン上の適切な出力信号を駆動する。図10の具体例はDRAMであるが、本発明の高速入力バッファ回路はSRAMおよびROMメモリ装置等の任意の集積回路装置に含まれ得る。
結論
受信器回路およびサンプルへのラッチを用い且つデータ信号をラッチする集積回路入力バッファ回路が説明される。バッファは、異なる位相の外部から提供されたクロック信号で発生した内部信号に応答して動作する。入力バッファは、より高い伝送速度で動作するデータバス上で使用される2つの受信器回路および2つのラッチ回路を含み得る。受信器回路は、入力データ信号を感知するための感知回路、感知回路を平衡化するための平衡回路、および感知回路を作動させるための感知活性回路を含む。
本明細書中、特定の実施形態を図示且つ説明したが、同じ目的を達成すると推定される任意の構成を本明細書中に示した特定の実施形態と置換し得ることが当業者によって理解され得る。この適用は、本発明のあらゆる適合または改変をカバーするものである。従って、本発明が本発明の請求の範囲およびその相当物によってのみ制限されることは明らかである。
Claims (19)
- 高速データバスに結合されるように適合された入力バッファ回路であって、
データ入力ノードおよびデータバス終端電圧に選択的に結合された差動感知増幅器回路であって、第1および第2の入力/出力ノードと、該第1の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第2の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第1のp型トランジスタと、該第1の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第2の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第1のn型トランジスタと、該第2の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第1の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第2のp型トランジスタと、該第2の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第1の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第2のn型トランジスタとを含む差動感知増幅器回路と、
該差動感知増幅器回路および該データバス終端電圧に接続され、平衡信号に応答して該差動感知増幅器回路を該データバス終端電圧に平衡化する平衡回路であって、該平衡信号に応答して、該データバス終端電圧を該第1および第2の入力/出力ノードに結合する少なくとも1つのトランジスタと、該平衡信号に応答して、該第1および第2の入力/出力ノードを互いに結合する平衡トランジスタとを含む平衡回路と、
サンプル信号に応答して、該データ入力ノードを該差動感知増幅器回路の該第1の入力/出力ノードに選択的に結合し、該データバス終端電圧を該差動感知増幅器回路の該第2の入力/出力ノードに選択的に結合する結合回路と、
感知信号に応答して該差動感知増幅器回路を作動させる感知増幅器作動回路であって、該感知信号に応答して、該第1および第2のp型トランジスタのそれぞれのソースに第1の供給電圧を結合する第1のトランジスタと、該感知信号に応答して、該第1および第2のn型トランジスタのそれぞれのソースに第2の供給電圧を結合する第2のトランジスタとを含む感知増幅器作動回路と、
該差動感知増幅器回路に結合され、ラッチ信号に応答して該差動感知増幅器回路のデータ状態をラッチするように適合されたラッチ回路と
を含む入力バッファ回路。 - 高速データバスに結合されるように適合された入力バッファ回路を含む集積回路であって、
該入力バッファ回路は、
第1および第2の受信回路であって、各受信回路が、
データ入力ノードおよびデータバス終端電圧に選択的に結合された差動感知増幅器回路であって、第1および第2の入力/出力ノードと、該第1の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第2の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第1のp型トランジスタと、該第1の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第2の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第1のn型トランジスタと、該第2の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第1の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第2のp型トランジスタと、該第2の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第1の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第2のn型トランジスタとを含む差動感知増幅器回路と、
該差動感知増幅器回路および該データバス終端電圧に接続され、平衡信号に応答して該差動感知増幅器回路を該データバス終端電圧に平衡化する平衡回路であって、該平衡信号に応答して、該データバス終端電圧を該第1および第2の入力/出力ノードに結合する少なくとも1つのトランジスタと、該平衡信号に応答して、該第1および第2の入力/出力ノードを互いに結合する平衡トランジスタとを含む平衡回路と、
サンプル信号に応答して、該データ入力ノードを該差動感知増幅器回路の該第1の入力/出力ノードに選択的に結合し、該データバス終端電圧を該差動感知増幅器回路の該第2の入力/出力ノードに選択的に結合する結合回路と、
感知信号に応答して該差動感知増幅器回路を作動させる感知増幅器作動回路であって、該感知信号に応答して、該第1および第2のp型トランジスタのそれぞれのソースに第1の供給電圧を結合する第1のトランジスタと、該感知信号に応答して、該第1および第2のn型トランジスタのそれぞれのソースに第2の供給電圧を結合する第2のトランジスタとを含む感知増幅器作動回路と
を含む、第1および第2の受信回路と、
該第1の受信回路の該差動感知増幅器回路に結合され、ラッチ信号に応答して該第1の受信回路のデータ状態をラッチするように適合された第1のラッチ回路と、
該第2の受信回路の該差動感知増幅器回路に結合され、ラッチ信号に応答して該第2の受信回路のデータ状態をラッチするように適合された第2のラッチ回路と
を含む、集積回路。 - 外部から提供されたクロック信号を受信するクロック入力ノードと、
該クロック入力ノードに接続された位相発生回路であって、前記第1および第2の受信回路の両方に結合された前記平衡信号、前記サンプル信号、前記感知信号、および前記ラッチ信号を生成する位相発生回路と
をさらに含む、請求項2に記載の集積回路。 - 前記集積回路がダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)である、請求項3に記載の集積回路。
- 前記高速データバスに結合された出力ドライバ回路をさらに含み、該出力ドライバ回路が、
データ出力ノードに接続され、プルアップ信号に応答して作動するように適合されたプルアップトランジスタと、
該出力ノードに接続され、プルダウン信号に応答して作動するように適合されたプルダウントランジスタと、
該プルアップトランジスタと上位電圧レベルノードとの間に接続されたプルアップ駆動調整回路と、
該プルダウントランジスタと下位電圧レベルノードとの間に接続されたプルダウン駆動調整回路とを有する、請求項2に記載の集積回路。 - 前記プルアップおよびプルダウントランジスタの作動を制御するスルーレート制御回路をさらに含む、請求項5に記載の集積回路。
- 前記終端電圧が、上位供給電圧(Vdd)と下位供給電圧(Vss)との間の差の半分である、請求項2に記載の集積回路。
- 高速データバスに結合されるように適合されたメモリ装置であって、外部から提供されたクロック信号を受信するクロック入力ノードと、
第1の受信回路であって、
データ入力ノードおよびデータバス終端電圧に選択的に結合された差動感知増幅器回路であって、第1および第2の入力/出力ノードと、該第1の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第2の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第1のp型トランジスタと、該第1の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第2の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第1のn型トランジスタと、該第2の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第1の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第2のp型トランジスタと、該第2の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第1の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第2のn型トランジスタとを含む差動感知増幅器回路と、
該差動感知増幅器回路および該データバス終端電圧に接続され、第1の平衡信号に応答して該差動感知増幅器回路を該データバス終端電圧に平衡化する平衡回路であって、該第1の平衡信号に応答して、該データバス終端電圧を該第1および第2の入力/出力ノードに結合する少なくとも1つのトランジスタと、該第1の平衡信号に応答して、該第1および第2の入力/出力ノードを互いに結合する平衡トランジスタとを含む平衡回路と、
第1のサンプル信号に応答して、該データ入力ノードを該差動感知増幅器回路の該第1の入力/出力ノードに選択的に結合し、該データバス終端電圧を該差動感知増幅器回路の該第2の入力/出力ノードに選択的に結合する結合回路と、
第1の感知信号に応答して該差動感知増幅器回路を作動させる感知増幅器作動回路であって、該第1の感知信号に応答して、該第1および第2のp型トランジスタのそれぞれのソースに第1の供給電圧を結合する第1のトランジスタと、該第1の感知信号に応答して、該第1および第2のn型トランジスタのそれぞれのソースに第2の供給電圧を結合する第2のトランジスタとを含む感知増幅器作動回路と
を有する第1の受信回路と、
該第1の受信回路の該差動感知増幅器回路に結合され、第1のラッチ信号に応答して該第1の受信回路のデータ状態をラッチするように適合された第1のラッチ回路と、
該クロック入力ノードに接続され、該第1の平衡信号、該第1のサンプル信号、該第1の感知信号、および該第1のラッチ信号を生成するように適合された位相発生回路と
を有する、メモリ装置。 - 前記データバスに結合された出力ドライバ回路をさらに含み、該出力ドライバ回路が、
データ出力ノードに接続され、プルアップ信号に応答して作動するように適合されたプルアップトランジスタと、
該出力ノードに接続され、プルダウン信号に応答して作動するように適合されたプルダウントランジスタと、
該プルアップトランジスタと上位電圧レベルノードとの間に接続されたプルアップ駆動調整回路と、
該プルダウントランジスタと下位電圧レベルノードとの間に接続されたプルダウン駆動調整回路とを有する、請求項8に記載のメモリ装置。 - 第2の受信回路であって、
データ入力ノードおよびデータバス終端電圧に選択的に結合された差動感知増幅器回路であって、第3および第4の入力/出力ノードと、該第3の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第4の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第3のp型トランジスタと、該第3の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第4の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第3のn型トランジスタと、該第4の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第3の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第4のp型トランジスタと、該第4の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第3の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第4のn型トランジスタとを含む差動感知増幅器回路と、
該差動感知増幅器回路および該データバス終端電圧に接続され、第2の平衡信号に応答して該差動感知増幅器回路を該データバス終端電圧に平衡化する平衡回路であって、該第2の平衡信号に応答して、該データバス終端電圧を該第3および第4の入力/出力ノードに結合する少なくとも1つのトランジスタと、該第2の平衡信号に応答して、該第3および第4の入力/出力ノードを互いに結合する平衡トランジスタとを含む平衡回路と、
第2のサンプル信号に応答して、該データ入力ノードを該差動感知増幅器回路の該第3の入力/出力ノードに選択的に結合し、該データバス終端電圧を該差動感知増幅器回路の該第4の入力/出力ノードに選択的に結合する結合回路と、
第2の感知信号に応答して該差動感知増幅器回路を作動させる感知増幅器作動回路であって、該第2の感知信号に応答して、該第3および第4のp型トランジスタのそれぞれのソースに第1の供給電圧を結合する第3のトランジスタと、該2の感知信号に応答して、該第3および第4のn型トランジスタのそれぞれのソースに第2の供給電圧を結合する第4のトランジスタとを含む感知増幅器作動回路と
を有する第2の受信回路と、
該第2の受信回路の該差動感知増幅器回路に結合され、第2のラッチ信号に応答して該第2の受信回路のデータ状態をラッチするように適合された第2のラッチ回路と
をさらに含み、
前記位相発生回路が、該第2の平衡信号、該第2のサンプル信号、該第2の感知信号、および該第2のラッチ信号を生成するようにさらに適合されている、請求項8に記載のメモリ装置。 - 前記メモリ装置がダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)である、請求項8に記載のメモリ装置。
- データ通信システムであって、
複数の通信ラインを有するバスであって、該複数の通信ラインは終端回路および終端電圧で終端される、バスと、
該複数の通信ラインに接続された制御回路と、
該複数の通信ラインに接続され、該複数の通信ラインのうちの1つに与えられるデータ信号を受信するように接続されたデータ通信入力を有するメモリ装置と
を備え、
該メモリ装置は、
該データ通信入力と該終端電圧とに選択的に結合される差動感知増幅器回路であって、第1および第2の入力/出力ノードと、該第1の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第2の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第1のp型トランジスタと、該第1の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第2の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第1のn型トランジスタと、該第2の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第1の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第2のp型トランジスタと、該第2の入力/出力ノードに結合されたドレインおよび該第1の入力/出力ノードに結合されたゲートを有する第2のn型トランジスタとを含む差動感知増幅器回路と、
該差動感知増幅器回路および該終端電圧に接続され、平衡信号に応答して該差動感知増幅器回路を該終端電圧に平衡化する平衡回路であって、該平衡信号に応答して、該終端電圧を該第1および第2の入力/出力ノードに結合する少なくとも1つのトランジスタと、該平衡信号に応答して、該第1および第2の入力/出力ノードを互いに結合する平衡トランジスタとを含む平衡回路と、
サンプル信号に応答して、該データ通信入力を該差動感知増幅器回路の該第1の入力/出力ノードに選択的に結合し、該終端電圧を該差動感知増幅器回路の該第2の入力/出力ノードに選択的に結合する結合回路と、
感知信号に応答して該差動感知増幅器回路を作動させる感知増幅器作動回路であって、該感知信号に応答して、該第1および第2のp型トランジスタのそれぞれのソースに第1の供給電圧を結合する第1のトランジスタと、該感知信号に応答して、該第1および第2のn型トランジスタのそれぞれのソースに第2の供給電圧を結合する第2のトランジスタとを含む感知増幅器作動回路と、
該差動感知増幅器回路に結合されたラッチ回路であって、ラッチ信号に応答して該差動感知増幅器回路のデータ状態をラッチするように適合されたラッチ回路と
を含む、データ通信システム。 - 前記終端回路は抵抗器であり、前記終端電圧は、上位供給電圧(Vdd)と下位供給電圧(Vss)との間の差の1/2である、請求項12に記載のデータ通信システム。
- 前記複数のメモリ装置はダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)である、請求項12に記載のデータ通信システム。
- データ信号を受信する入力ノードと、
該入力ノードに選択的に結合された受信回路であって、
第1および第2のp型トランジスタを有する差動感知増幅器であって、該第1のp型トランジスタは、感知信号を受信するように接続されたドレインと、該感知増幅器の第1の感知ノードに接続されたソースと、該第2のp型トランジスタのソースに接続されたゲートとを有し、該第2のp型トランジスタは、該感知信号を受信するように接続されたドレインと、該感知増幅器の第2の感知ノードに接続されたソースと、該第1のp型トランジスタの該ソースに接続されたゲートとを有し、該差動感知増幅器は、第1および第2のn型トランジスタをさらに有し、該第1のn型トランジスタは、感知回路に接続されたドレインと、該感知増幅器の第1の感知ノードに接続されたソースと、該第2のn型トランジスタのソースに接続されたゲートとを有し、該第2のn型トランジスタは、該感知回路に接続されたドレインと、該感知増幅器の第2の感知ノードに接続されたソースと、該第1のn型トランジスタの該ソースに接続されたゲートとを有する、差動感知増幅器と、
該差動感知増幅器の該第1および第2の感知ノードに接続された平衡回路であって、該平衡回路は、該差動感知増幅器の該第1の感知ノードに接続されたソースと、該差動感知増幅器の該第2の感知ノードに接続されたドレインと、平衡信号を受信するように接続されたゲートとを有するトランジスタを備えており、該平衡回路は、該第1および第2の感知ノードとデータバス終端電圧との間に接続された第1および第2のトランジスタをさらに備え、該第1および第2のトランジスタは、該第1および第2の感知ノードを該終端電圧に選択的に接続するように該平衡信号に結合されたゲートを有する、平衡回路と、
感知信号に応答して該平衡トランジスタを該終端電圧かまたは接地電位のいずれかに選択的に結合する第1および第2の感知トランジスタを備えた感知回路と、
該入力ノードと該第1の感知ノードとの間に接続され、サンプル信号に応答して該データ信号を該第1の感知ノードに選択的に結合する第1の結合回路と、
該終端電圧と該第2の感知ノードとの間に接続され、該サンプル信号に応答して該終端電圧を該第2の感知ノードに選択的に結合する第2の結合回路と
を含む受信回路と、
該感知増幅器回路の該第2の感知ノードに接続され、ラッチ信号に応答して該第2の感知ノードに与えられる電圧をラッチするラッチと
を備えたメモリ装置。 - 出力ドライバ回路をさらに備え、該出力ドライバ回路は、
データ出力ノードに接続され、プルアップ信号に応答して作動するように適合されたプルアップトランジスタと、
該出力ノードに接続され、プルダウン信号に応答して作動するように適合されたプルダウントランジスタと、
該プルアップトランジスタと上位電圧レベルノードとの間に接続されたプルアップ駆動調整回路と、
該プルダウントランジスタと下位電圧レベルノードとの間に接続されたプルダウン駆動調整回路と
を備えた、請求項15に記載のメモリ装置。 - 前記データバス終端電圧は、上位供給電圧(Vdd)と下位供給電圧(Vss)との間の差の1/2である、請求項15に記載のメモリ装置。
- 前記メモリ装置はダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)である、請求項15に記載のメモリ装置。
- データバスに接続された集積回路においてデータを受信する方法であって、該データバスは終端電圧に結合され、該方法は、
クロック信号を受信し、第1の平衡信号と第1のサンプル信号と第1の感知信号と第1のラッチ信号とを発生する工程と、
該第1の平衡信号に応答して、該終端電圧を該第1および第2の感知ノードに結合し、かつ、該第1の平衡信号に応答して、該第1および第2の検知ノードを互いに結合することにより、該第1の平衡信号を用いて、第1および第2の感知ノードを有する第1の差動感知増幅器を該終端電圧に平衡化する工程と、
該第1のサンプル信号に応答して、該第1の感知増幅器の該第1の感知ノードを該データバスに接続されたデータ入力に結合し、かつ、該第1のサンプル信号に応答して、該第2の感知ノードを該終端電圧に接続する工程と、
該データ入力の状態を検出および増幅するために、該第1の感知信号により該第1の差動感知増幅器を作動させる工程と、
該第1のラッチ信号に応答して第1のラッチ回路内に該増幅されたデータ入力をラッチする工程と、
第2の平衡信号と第2のサンプル信号と第2の感知信号と第2のラッチ信号とを発生する工程と、
該第2の平衡信号に応答して、該終端電圧を該第1および第2の感知ノードに結合し、かつ、該第2の平衡信号に応答して、該第1および第2の検知ノードを互いに結合することにより、該第2の平衡信号を用いて、第1および第2の感知ノードを有する第2の差動感知増幅器を該終端電圧に平衡化する工程と、
該第2のサンプル信号に応答して、該第2の感知増幅器の該第1の感知ノードを該データバスに接続されたデータ入力に結合し、かつ、該第2のサンプル信号に応答して、該第2の感知ノードを該終端電圧に接続する工程と、
該データ入力の状態を検出および増幅するために、該第2の感知信号により該第2の差動感知増幅器を作動させる工程と、
該第2のラッチ信号に応答して第2のラッチ回路内に該増幅されたデータ入力をラッチする工程と
を包含する方法。
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