JPH04135311A - 半導体集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に関し、特に遅延回路に関する
。

〔従来の技術〕

従来のこの種′の遅延回路としては、第２図のような回
路例がある。第２図において、ドライブ回路２１．コン
デンサＣ２からなる負荷２２．インバータ２３より構成
され、ドライブ回路２１のＭＯＳトランジスタＰ６には
電圧ＶＤＤ、ＭＯＳトランジスタＮ６には電圧ＧＮＤが
印加されている。今ドライブ回路２１の入力信号ＩＮが
、ｖＤＤからＧＮＤに変化し、トランジスタＰ６がＯＦ
ＦからＯＮ、）ランジスタＮ６がＯＮからＯＦＦになる
ときを考える。入力信号ＩＮがＶＤＤのとき、ドライブ
回路２１の出力は、ＧＮＤであるため、負荷２２には電
荷が充電されていない状態である。トランジスタＰ６が
ＯＮするとドライブ回路２１の出力は、トランジスタＰ
６に印加される電圧がＶＤＤ一定であるため、負荷２２
を放電しながら徐々に上昇し、インバータ２３の出力Ｏ
ＵＴが変化するスレッショルド電圧になるまでの時間は
、一定である。

次に、入力信号ＩＮかＧＮＤからＶＤＤに変化し、トラ
ンジスタＰ６がＯＮからＯＦＦ、　　トランジスタＮ６
がＯＦＦからＯＮになるときを考える。入力信号がＧＮ
Ｄのとき、ドライブ回路２１の出力は、ＶＤＤであるた
め負荷２２には電荷が充電された状態である。トランジ
スタＮ６がＯＮするとドライブ回路２１の出力は、トラ
ンジスタＮ６に印加される電圧はＧＮＤ一定であるため
、負荷２２に充電された電荷を放電しながら徐々に降下
し、インバータ２３の出力ＯＵＴが変化するスレッショ
ルド電圧になるまでの時間は一定である。

従って、ドライブ回路２１の入力信号が変化後出力が変
化し、インバータ２３のスレッショルド電圧になるまで
の時間は一定である。

〔発明が解決しようとする課題〕

前述した従来の半導体集積回路は、遅延回路の出力に負
荷容量を設け、この負荷容量の充放電作用のため、出力
の変化が無負荷のときと比べて遅くなることを利用した
回路であり、かつ遅延回路に供給される電源電圧、及び
設けられた負荷容量が一定であるため、遅延時間は常に
一定になる欠点がある。

本発明の目的は、前記欠点を解決し、容易に遅延時間を
変更できるようにした半導体集積回路を提供することに
ある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体集積回路の構成は、入力端子と出力端子
との間にドライブ回路とインバータとを介在させ、前記
ドライブ回路に容量性負荷が接続された遅延回路を備え
た半導体集積回路において、前記ドライブ回路に印加す
る電圧を変化させる選択回路を設けたことを特徴とする
。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の半導体集積回路の回路図で
ある。第１図において、本実施例は、選択回路１１２選
択回路１２．ドライブ回路１３゜負荷１４．インバ□−
タ１５．Ｐチャネル（ｃｈ）トランジスタＰ１乃至Ｐ５
．Ｎｃｈ）ランジメタＮ１乃至Ｎ５．抵抗Ｒ１乃至Ｒ８
，容量Ｃ１を含み構成される。ここで、選択回路１１は
、入力信号ＳＰＩ〜ＳＰ４により、Ｐ１〜Ｐ４のどれか
を選択し、選択回路１２は信号ＳＮＩ〜ＳＮ４により、
Ｎ１〜Ｎ４のどれかを選択する。ドライブ回路１３は、
トランジスタＰ５．Ｎ５からなる。負荷１４は、コンデ
ンサＣ１を有する。

今選択回路１１によりトランジスタＰ１が選択されると
、トランジスタＰ１はＯＮとなりこのＯＮ抵抗とこれに
接続された抵抗Ｒ１との合成抵抗のため、ドライブ回路
１３のトランジスタＰ５に印加される節点Ａの電圧が、
合成抵抗と合成抵抗を流れる電流との積の電圧だけＶＤ
Ｄより降下する。選択回路１１によりトランジスタＰ２
．Ｐ３が選択されるキ、トランジスタＰ２．Ｐ３がＯＮ
となり、トランジスタＰ２．Ｐ３のＯＮ抵抗とこれらに
接続された抵抗Ｒ２，Ｒ３との合成抵抗のため、節点Ａ
の電圧で合成抵抗と合成抵抗を流れる電流との積の電圧
だけＶＤＤより降下する。選択回路１１により、ＯＮさ
せるトランジスタＰ１〜Ｐ４を選択することで、トラン
ジスタＰ５に印加される節点Ａの電圧を変えることが可
能である。

また、選択回路１２によりトランジスタＮ１が選択され
ると、トランジスタＮ１はＯＮとなり、このＯＮ抵抗と
これに接続された抵抗Ｒ５との合成抵抗のため、トラン
ジスタＮ５に印加されル節点Ｂの電圧が、合成抵抗と合
成抵抗を流れる電流との積の電圧だけＧＮＤより上昇す
る。選択回路１２により、トランジスタＮ３．Ｎ４が選
択されると、トランジスタＮ３．Ｎ４はＯＮとなり、こ
れらのＯＮ抵抗とこれらに接続された抵抗Ｒ７゜Ｒ８と
の合成抵抗のため、トランジスタＮ５に印加される節点
Ｂの電圧は合成抵抗と合成抵抗を流れる電流との積の電
圧だけＧＮＤより上昇する。

選択回路１２によりＯＮさせるトランジスタＮ１〜Ｎ５
を選択することで、トランジスタＮ５に印加される節点
Ｂの電圧を変えることが可能である。

ドライブ回路１３の入力信号ＩＮがＶＤＤからＧＮＤに
変化し、トランジスタＰ５がＯＦＦからＯＮ、トランジ
スタＮ５がＯＮからＯＦＦになるときを考える。入力信
号ＩＮがＶＤＤのとき、ドライブ回路１３の出力はＧＮ
Ｄであるため、負荷１４には電荷か充電されていない状
態である。

トランジスタＰ５がＯＮするとドライブ回路１３の出力
は、負荷１４を充電しなからＧＮＤから徐々に電圧が上
昇する。電圧の」１昇は、トランジスタＰ５に印加され
る節点Ａの電圧が高いほど、電圧の立」二りが急になる
。インバータ１５は、ドライブ回路１３の出力を入力と
し、スレッショルド電圧を基準に入力信号を反転させて
出力する。

ドライブ回路１３の入力信号ＩＮが変化後、ドライブ回
路１３の出力がインバータ１５のスレッショルド電圧に
変化するまでの遅延時間は、ドライブ回路１３の出力変
化が急なほど短くなる。従って、遅延時間は選択回路１
１によりＯＮさせるトランジスタＰ１〜Ｐ４を選択し、
節点Ａの電圧を変えることにより、遅延時間を変化させ
ることが可能である。

次に、ドライブ回路１３の入力信号ＩＮがＧＮＤからＶ
ＤＤに変化し、トランジスタＰ５がＯＮからＯＦＦ、ｌ
−ランジスタＮ５がＯＦＦからＯＮになるときを考える
。入力信号ＩＮがＧＮＤのとき、ドライブ回路１３の出
力は、ＶＤＤであるため、負荷１４には電荷が充電され
た状態である。

トランジスタＮ５がＯＮするとドライブ回路１３の出力
は、負荷１４に充電された電荷を放電しながら、徐々に
電圧が降下する。ドライブ回路１３の出力は、トランジ
スタＮ５に印加される節点Ｂの電圧か低いほど、電圧が
立下がりが急になる。

従って、ドライブ回路１３の入力信号ＩＮが変化後、ド
ライブ回路１３の出力がインバータ１５のスレッショル
ド電圧に変化するまでの遅延時間は、ドライブ回路１３
の出力変化が急なほど短くなる。選択回路１２によりＯ
ＮさせるトランジスタＮ１〜Ｎ４を選択し、節点Ｂの電
圧を変えることで、遅延時間を変化させるこ七が可能で
ある。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、遅延回路により例えば
ＶＤＤから合成抵抗分降下した電圧を遅延回路に印加し
、また選択回路により例えばＧＮＤから合成抵抗付上昇
した電圧を遅延回路に印加するため、選択回路により選
択するトランジスタを変更することで、遅延回路に印加
される電圧が変わり、遅延時間を変えることができると
いう効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の半導体集積回路を示す回路
図、第２図は従来の遅延回路を示す回路図である。 １１・・・遅延回路、１２・・・選択回路、１３．２１
・・・ドライブ回路、１４．２２・・・負荷、１５２３
・・・インバータ、ＰＬ、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５゜Ｐ
　６−　Ｐ　ｃ　ｈ　トランジスタ、Ｎｌ、Ｎ２．Ｎ３
゜Ｎ４．Ｎ５．Ｎ６−Ｎｃ　ｈ　）ランジスタ、Ｃ１゜
Ｃ２・・・コンデンサ、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５
、Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８・・・抵抗。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 入力端子と出力端子との間にドライブ回路とインバータ
   とを介在させ、前記ドライブ回路に容量性負荷が接続さ
   れた遅延回路を備えた半導体集積回路において、前記ド
   ライブ回路に印加する電圧を変化させる選択回路を設け
   たことを特徴とする半導体集積回路。