JP3804990B2 - メモリ装置コマンド信号生成器 - Google Patents
メモリ装置コマンド信号生成器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3804990B2 JP3804990B2 JP53489598A JP53489598A JP3804990B2 JP 3804990 B2 JP3804990 B2 JP 3804990B2 JP 53489598 A JP53489598 A JP 53489598A JP 53489598 A JP53489598 A JP 53489598A JP 3804990 B2 JP3804990 B2 JP 3804990B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- clock
- speed
- counter
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000006870 function Effects 0.000 claims abstract description 26
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 claims description 11
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 claims description 9
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 5
- 108010076504 Protein Sorting Signals Proteins 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 101100379079 Emericella variicolor andA gene Proteins 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
- Electrophonic Musical Instruments (AREA)
- Steering Control In Accordance With Driving Conditions (AREA)
- Selective Calling Equipment (AREA)
Description
本発明はメモリ装置用のコマンド信号生成器に関し、より詳細には、クロック速度の関数として変化し得るメモリ装置コマンドのシーケンスを生成するコマンド信号生成器に関する。
発明の背景
ダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRAM」)の動作において、特定の機能は予め設定されたシーケンスで生じなければならない。これらの機能は、一般的にコマンド生成器により発せられたそれぞれのコマンド信号に応答して実施される。コマンド信号のタイミングは、一般的にクロック信号のエッジに応答して制御される、もしくはクロック信号のエッジの後の予め設定された時間を生じさせることにより制御される。DRAMがコマンドを処理し得る速度は、コマンドに応答して機能を実行するために要する時間により限定される。ほとんどの機能にとって、その機能を実行する最低回数はDRAMの製造者により特定される。しかし、コマンドは一般的にクロック信号に応答して発せられるため、DRAMがその機能を実行しなければならない時間は、クロック速度により制御される。例えば図1Aに示されるように、メモリ読み出しコマンド10は従来のメモリコントローラにより発せられ、時間t0においてクロック信号12と共に登録される。さらに図1Aに示されるように、読み出し動作を完了するには4つのクロックサイクルを必要とし、これは多くの動作がデータがDRAMから読み出される前にDRAM内で生じなければならないためである。よって、データビット14は時間t1までデータバス上に存在しない。読み出しコマンド10を発してから、データビット14をデータバスに付与することによるコマンドの完了処理までの経過時間は従ってΔtaである。経過時間はクロック12の速度を高めることによりデクリメントされ得る。しかし、クロックの速度に関わらず、DRAMはその機能を完了するためにある特定の最短時間を要する。その特定の最短時間に対応するクロック速度を越えるようにクロックの速度を高めることは、それらの機能を実行するために要される時間を短くしない。
DRAMは最適な速度で動作しているが、クロックがその最高速度、またはそれに近い速度の場合、DRAMはより遅いクロック速度に応答して最適な速度よりもかなり遅い速度で作動する。図1Bを参照すると、クロック信号20は図1Aのクロック12の半分のみの速度すなわち周波数を有する。ここで再度、読み出しコマンド22は時間t0においてクロック20と共に登録され、データビット24は、4クロックサイクル後にデータバスに付与される。しかし、より遅い速度クロック20のために、データビット24はt2までデータバスに付与されない。より遅いクロック速度の結果、読み出しコマンド22の発信と完了コマンド処理との間の経過時間はΔtbであり、このΔtbはΔtaの持続時間の2倍である。よって、クロック信号とコマンド信号の発信との間の固定(fixed)関係を利用することにより、従来のDRAMは、比較的遅いクロック信号を受信した場合、しばしば最適な速度よりもかなり遅い速度で作動する。
図1Aおよび1Bのタイミング図において、DRAMに付与される多数の他の信号が省略されていることは当業者にとって理解される。これらの信号は簡略化のために省略されている。また、コマンド信号10、22が、実際には他の信号の組合せを構成することは、当業者には理解され、これら他の信号は通例単なるコマンドとして説明される。これらの信号の正確な特性はDRAMの特性に依存するが、上述の原理は全てのタイプのDRAMにも付与することができ、これは非同期式DRAM、同期式DRAM、およびパケット式(paketized)DRAMを含む。クロック信号を伴う固定関係によるコマンド信号の発信から生じる問題は、ここでDRAMを参照として説明されているが、この問題の説明および本発明の好ましい実施形態により提供される解決法はクロック信号に応じたコマンド信号などを発する他の集積回路にもまた適用可能である。
発明の要旨
メモリ装置用のコマンド信号を生成するコマンド生成器は、コマンド信号のシーケンスを生成するシーケンサーを含み、この信号は複数のクロック速度の一つを有し得るクロック信号に応答している。コマンド信号シーケンスのそれぞれは好ましくはそれぞれのクロック速度に対応しており、そしてこのシーケンサーはクロック速度の関数としてシーケンスの一つを選択する。シーケンサーはカウンタおよびデコーダを含み得る。カウンタはクロック信号を受信しクロック信号に応答してインクリメントまたはデクリメントするカウンタ値を提供する。デコーダは複数のコマンド信号シーケンスの一つを生成し、各カウンタ値に対応しているそれぞれのシーケンスにおいてコマンド信号と共に生成する。各コマンド信号シーケンスはそれぞれのクロック速度に対応し、デコーダはクロック速度の関数としてシーケンスの一つを選択する。よって、各コマンド信号とそれぞれのカウンタ値との間の対応関係は、クロック速度の関数となる。また、コマンド生成器はカウンタに結合されたカウンタロード回路を含み得る。カウンタロード回路は、カウンタに初期カウントをロードし、この初期カウントはクロック速度の関数である。そしてカウンタは、クロック信号に応じて初期値からインクリメントまたはデクリメントする。コマンド生成器はまたカウンタイネーブル信号を生成するカウンタイネーブル回路を含み、カウンタがクロック信号に応答してインクリメントまたはデクリメントすることを可能にする。カウンタイネーブル回路はラッチ回路およびカウンタスタート回路を含む。ラッチ回路はスタート信号に応答してカウンタイネーブル信号を生成し、停止信号に応答してカウンタイネーブル信号を終了する。カウンタスタート回路はスタート信号を生成し、クロック信号の所定の部分を検出するクロック検出器、およびクロック検出器に結合された可変遅延イネーブル回路を含む。可変遅延イネーブル回路はスタート信号を生成し、このスタート信号は、フラグ信号を受信してからクロック信号の所定数のサイクルが経過した後に、クロック信号の検出された所定の部分のうちの1つに応答して生成される。コマンド生成器は、任意のタイプのダイナミックランダムアクセスメモリまたはコンピュータシステムの一部であり得る他の回路に用いられ得る。
【図面の簡単な説明】
図1Aおよび1Bは、従来のダイナミックランダムアクセスメモリにおけるクロック信号とコマンドの処理との関係を示すタイミング図である。
図2は、本発明の好ましい実施形態の基本概念を示す表である。
図3は、本発明の好ましい実施形態のブロック図である。
図4は、図3の好ましい実施形態に存在する多様な信号間の関係を示すタイミング図である。
図5は、図3の好ましい実施形態において用いられるシフトレジスタに付与され、かつシフトレジスタから出力される信号を示すタイミング図である。
図6は、図3の好ましい実施形態において用いられるカウンタスタート論理の論理図である。
図7は、図6のカウンタスタート論理に存在する多様な信号を示すタイミング図である。
図8は、図3の好ましい実施形態において用いられるカウンタ制御回路の論理回路図である。
図9は、図3の好ましい実施形態において用いられるデコーダ回路部を示す論理図である。
図10は、図3のコマンド生成器を含むDRAMのブロック図である。
図11は、図10のDRAMを含むコンピュータシステムのブロック図である。
発明の詳細な説明
本発明の好ましい実施形態を記述する前に、図2を参照して好ましい実施形態の動作の理論を説明する。図2はカウンタおよび(後述の)デコーダの状態を表す図であり、ここではカウンタは初期値から0へとクロック信号に応答して減少する。カウンタの最大初期値は280である。多様なカウンタ値において、デコーダはそれぞれのDRAM読み出しコマンド信号を発し、その信号のいくつかは図2に示される。図の左側には、クロック信号の周波数が800MHzの場合にデコーダにより発せられたコマンド信号が、それぞれのカウンタ値と向かい合って列挙されている。図2の右側の図には、クロック信号の周波数が400MHzの場合にそれらに生じる同じコマンド信号が、それぞれのカウンタ値と向かい合って列挙されている。
図2に示されるように、クロック周波数が800MHzの場合、カウンタは255(アスタリスクで示す)から減少を始める。そして外部行アドレスはカウント約240にてラッチされ、行アドレスはカウント約208にてデコードされ、行はカウント約170にてプレチャージされ、平衡化される。外部から付与された列アドレスはカウント約135にてデコードされ、デコードされた列アドレスに対応するセンスアンプがカウント112にてイネーブルされ、アドレスされた行はカウント約65にてイネーブルされ、そしてデータパスはイネーブルされたセンスアンプのディジットラインと外部データバス端子とをカウント約30にて連結する。
さらに図2に示されるように、これら同じ読み出しコマンドは、クロック速度が400MHzの場合にもまたデコーダにより発せられるが、これら同じ読み出しコマンドは、実質的により低いカウント値において発せられ、カウンタが約150から減少を始める。次いで、外部行アドレスはカウント約135にてラッチされ、行アドレスはカウント約120にてデコードされ、ラッチされた外部行アドレスに対応する行に属する複数のメモリセルは、カウント約96にてプレチャージされ、平衡化される。外部より付与される列アドレスはカウント約70にてデコードされ、列アドレス用のセンスアンプはカウント約50にてイネーブルされ、アドレスされた行はカウント約32にてイネーブルされ、そしてデータパスはイネーブルされたセンスアンプのディジットラインから外部データバス端子までデータをカウント約10にて連結する。図2の右側に列挙されているコマンド信号は実質的に後のカウント値にて発せられても、それらは実質的にはメモリアクセスの始点から同時に生じることに留意すべきである。クロック周波数が400MHzの場合と比較して800MHzの場合、およを2倍多くのクロックパルスがコマンド信号間で生じ得るが、それでもコマンド信号が発せられる時間間隔は同じである。400Mzのクロック速度よりも800MHzのクロック速度が高いからである。しかし、コマンド信号のタイミングは全体として線形にはなり得ないことが強調されるべきである。例えば、400MHzのクロック信号用にカウンタ値40にて発せられ得るコマンド信号は、800MHzのクロック信号用にカウンタ値80にて発せられなくてもよい。しかし、与えられたコマンド信号は通常、より高いクロック周波数用により高いカウンタ値にて発せられる。クロックサイクル数とコマンド信号の発信との間の固定関係を排除することにより、コマンド生成器はクロック速度の幅広い多様性のために最適な速度でコマンド信号を発することができる。
本発明によるコマンド生成器26の好ましい実施形態のブロック図が、図3に示される。図3に示されるコマンド生成器26のほとんどの動作はクロック信号CLK、および従来のクロック回路28によって生成されるクロック信号CLKから90度位相シフトされた直交クロック信号CLK90により制御される。レジスタ30は、可能性のある異なるクロック速度の数に数字の上で対応している複数のストレージセルを含む。これら複数のクロック速度の一つはSELECT信号により指定される。SELECT信号はユーザアクション、ソフトウェア、または別の回路により生成され得る。あるいは、他のデータ形式(例えばバイナリ)を用いるクロック速度を指定するレジスタが使用され得る。しかし、図3に示されるレジスタ30においては、複数のストレージセルのうちの一つのみが論理「1」を含み、論理「1」を含むストレージセルに対応しているクロック速度をクロック回路28から出力されるクロック信号の速度として指定する。レジスタ30の出力は、以下により詳細に説明されるように、いくつかの回路に付与される。
正方向のFLAG信号がF0〜F6で示される7個のシフト段を含むシフトレジスタ34に印加されることにより、コマンド信号のシーケンスがスタートされる。シフトレジスタ34の動作は図4のタイミング図を参照して最もよく説明される。図4に示すように、シフトレジスタ34は時刻t0において、クロック回路28からのクロック信号CLKならびに正方向のFLAG信号を受け取る。時刻t1における立ち上がりCLKエッジによって、FLAG信号はシフトレジスタ34の第1段目中にシフトされ、時刻t2における次のCLKエッジによって、シフトレジスタ34の第2段目中にシフトされる。その後、ハイにあるFLAG信号は、各CLKエッジ遷移(負方向および正方向の両方)によって、残りの段F1〜F6の各々を通って連続的にシフトされる。例えば、F2のパルスは時刻t3において発生し、F4のパルスは時刻t5において発生するといった具合である。このように、FLAG信号の受信からFLAG信号を各シフト段F0〜F6中へのシフトするまでの遅延は、各連続的なF値とともにインクリメントに増加する。後述するように、より後のシフト段、例えばF6からのパルスは、より高いクロック速度においてコマンド信号のシーケンスをスタートするために用いられる。一方、より低いシフト段(例えばF4)からのパルスは、より低いクロック速度においてコマンド信号のシーケンスをスタートするために用いられる。しかし、F6パルスを用いてシーケンスをスタートするときのクロック速度の方が大きいため、FLAG信号が発せられる時間とコマンド信号シーケンスをスタートするF信号が発せられる時間との差が小さくなる。
次に図3に戻って、シフトレジスタ34の出力におけるF信号が、クロック速度を表すSPEED信号とともに、カウンタスタート論理回路40に印加される。詳細に後述するように、カウンタスタート論理回路40は、クロック信号CLKの立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジのいずれかに応答して提供されるF信号に応答して、START信号を生成する。上述のように、カウンタ論理回路40は、より高いクロック速度に対してはより遅延されたF信号を用いる。結果として、カウンタスタート論理回路40は、FLAG信号から可変の数のクロックサイクルの後に、START信号を生成する。クロックサイクル数は、高いクロック速度に対しては大きくなり、低いクロック速度に対しては小さくなる。
カウンタスタート論理回路40からのSTART信号は、カウンタ制御回路46に印加される。カウンタ制御回路46はまた、集積回路中の他の部分の回路から(図示せず)STOP信号およびENABLE信号を受け取る。カウンタ制御回路46は、カウンタ50を選択的にイネーブルするための、相補的なC−EN信号およびC−EN*信号を生成する。基本的に、カウンタ制御回路46へのENABLE入力が高いかぎり、カウンタ50はSTART信号に応答してイネーブルされ、STOP信号に応答してディスエーブルされる。
図2を参照して上述したように、カウンタ50は、クロック信号CLKおよびクロックCLK90に応答して255から0までデクリメントする8段の直交カウンタである。しかし、カウンタ50はこれにより多いあるいは少ない段数を有していてもよく、直交クロック信号を用いる従来のカウンタ以外であってもよい。初期カウンタ値LD CNTは、集積回路中の他の回路(図示せず)から印加されるLOAD信号に応答して、ロードレジスタ52からカウンタ50にロードされる。カウンタ50にロードされたLD CNT値は、スピード信号SPEEDおよび集積回路中の他の回路(図示せず)から印加されるデバイス速度(Device Speed)値によって決定される。基本的に、ロードレジスタ52はレジスタ30によって指定される8個の可能なクロック速度用の各初期カウンタ値を格納しており、これらの8個の可能なクロック速度の各々について、最大デバイス動作速度に応じて様々な初期カウンタ値を格納している。従って、図2を参照して上述した例においては、800MHzのクロック速度に対するLD CNT値は240であり、400MHzのクロック速度に対するLD CNT値は約150である。しかし、800MHzのクロック速度に対しては、デバイス速度値によって指定された集積回路の最大動作速度に依存して、初期カウンタ値は200、220、240、260または280であり得る。初期カウンタ値280は、コマンド信号のシーケンスを発行するのにより多くの時間を提供するより遅い集積回路に対して使用され、一方、初期カウンタ値200は、より短い時間でコマンド信号のシーケンスを発行することができるより速い集積回路に対して使用される。初期カウンタ値がカウンタ50にロードされた後、カウンタ50はクロック回路28からのCLK信号およびCLK90信号に応答してデクリメントをする。
カウンタ50から出力される8ビットバイナリカウンタ値は、様々なカウンタ値に対応する複数の配線58上にコマンド信号を生成するデコーダ56に、印加される。図2を参照して上述したように、各カウンタ値に対応するコマンド信号は、クロック速度の関数である。従って、デコーダ56は、レジスタ30からのSPEED信号をも受け取ることにより、カウンタ50から出力された各カウンタ値から正しいコマンド信号58を生成できるようにする。
図3に示すコマンド生成器26の動作は、図5のタイミング図を参照して最もよく説明される。クロック速度に対応する速度信号SPEEDは、上述のように、カウンタスタート論理回路40およびデコーダ56に出力される。シフトレジスタ34がFLAG信号を受け取ったとき、シフトレジスタ34は、F信号のシーケンスを生成し、そのうち1つは、カウンタスタート論理回路40がSTART信号を生成するために用いられる。しかし、図5に示すように、START信号より前に、LOAD信号は初期カウンタ値LD CNTをロードレジスタ52からロードし、STOP信号はアクティブでないローに遷移する。図5に示すように正方向のSTART信号に応答して、カウンタ制御回路46はカウンタ50を、初期カウンタ値からデクリメントするようにイネーブルする。次にデコーダ56は、カウンタ値およびSPEED信号に応答して、適切なコマンド信号を生成する。最終カウント時またはそれ以前に、集積回路中の他の回路がSTOP信号をアクティブであるハイに遷移させることにより、カウンタ制御回路46がカウンタ50をディスエーブルさせる。
カウンタスタート論理回路40を図6により詳細に示し、図7のタイミング図を参照して説明する。カウンタスタート論理回路40は、図7の上部に示すCLKおよびCLK90信号を受信する。図7に示すように、CLK90信号は、CLK信号より90度遅れているCLK信号はNANDゲート62に付与され、かつインバータ64を介してNANDゲート66に付与される。CLK90信号は、NANDゲート66に直接付与され、かつインバータ68を介してNANDゲート62に付与される。NANDゲート66は、CLK信号がハイでありCLK90信号がローであるときはいつでも、クロックおよびCLK90信号によりイネーブルになる。図7に示すように、NANDゲート66は、図7のタイミング図の第3番目の行にハッチングで示されている期間中、イネーブルである。このように、NANDゲート66は、CLK信号の各立ち下がりエッジ後の1/4CLKサイクルの間、イネーブルである。図7の第4番目の行に示すように、NANDゲート62は、CLK信号がハイでありCLK90信号がローであるときはいつもイネーブルである。CLK信号がハイでありCLK90信号がローであることは、CLK信号の各立ち上がりエッジ後の1/4CLKサイクルの間起こる。
NANDゲート66および62は各々、第3の入力として、NANDゲート70の出力を受信する。NANDゲート70は、NANDゲート72、74および76からの各々の出力を受信する。NANDゲート72は、クロック速度が400MHzであるときはいつでも、レジスタ30からの「400」信号によりイネーブルになる。同様に、NANDゲート74はクロック速度が600MHzであるときはいつもイネーブルになり、NANDゲート76はクロック速度が800MHzであるときはいつもイネーブルになる。100MHz、200MHz、300MHzおよび700MHzのクロック速度などの他のクロック速度に対応するために、追加の回路が用いられ得る。NANDゲート72は、シフトレジスタ34のF4ステージからのF信号を受信し、NANDゲート74は、シフトレジスタ34のF5出力からのF信号を受信し、NANDゲート76は、シフトレジスタ34のF6ステージからのF信号を受信する。ある任意の時刻にイネーブルになるのは、NANDゲート72〜76のうちの1つのみであるため、NANDゲート72〜76のうちの1つのみが、シフトレジスタ34により生成されたF信号を通過させる。図7に示す実施例において、レジスタ30の「600」出力はハイであり、従ってNANDゲート74をイネーブルにする。このように、F5信号が生成されると、図7の第6番目の行に示すように、NANDゲート74の出力はローになる。これに応答して、NANDゲート70の出力は同様の期間中ハイになり、これにより、NANDゲート66の出力を図7の次の行に示すようにローにする。留意すべきは、NANDゲート66の出力はクロックサイクルの1/4の期間中のみローになることである。なぜなら、図7の第3番目の行に示すように、NANDゲート66は、その期間のみイネーブルだからである。
更なる実施例によると、レジスタ30からの「800」SPEED信号がハイである場合、F6パルスはNANDゲート76およびNANDゲート70を介して連結する。その結果、NANDゲート70は、図7の第5番目の行に破線で示すパルスを出力する。このパルスは、NANDゲート62の出力を、1/4クロックサイクルの間ローにする。このように、奇数FパルスはNANDゲート66の出力をCLK信号の直後の立ち下がりエッジにおいてローにし、偶数FパルスはNANDゲート62の出力をCLK信号の直後の立ち上がりエッジにおいてローにする。
NANDゲート66および62の出力は、NANDゲート80に付与される。NANDゲート80もまた、インバータ84を介して負のエッジパルス生成器82の出力を受信する。NANDゲート80の出力は、一対のインバータ86および88を介してカウンタスタート論理回路40のSTART端子に連結される。パルス生成器82および関連する回路の機能は、START信号の少なくとも最短期間を保証することである。NANDゲート62またはNANDゲート66のいずれかの出力がローになると、NANDゲート80の出力がハイになり、これにより、図7の第8番目の行に示すようにインバータ86の出力がローになる。インバータ86の出力がローになると、パルス生成器82がトリガされる。その後パルス生成器82は、比較的長い正方向のパルスを出力し、このパルスはインバータ84を介して、負方向パルスとしてNANDゲート80に付与される。このパルスは、NANDゲート80の出力を、パルス生成器82からのパルスの期間中強制的にハイにし、このことが、START信号を、少なくともパルス生成器82により生成されるパルスの期間中、ハイのままにする。
カウンタ制御回路46(図3)を図8により詳細に示す。上述したように、カウンタ制御回路46の機能は、カウンタ制御回路46がENABLE信号によりイネーブルになる度に、STARTおよびSTOP信号に応答するカウンタ50を選択的にイネーブルにすることである。カウンタ制御回路46は、ラッチ回路100を含み、ラッチ回路100はインバータ102および104を含む。説明のために、ラッチ100の初期状態は、インバータ102の出力がハイでインバータ104の出力がローであると仮定する。従って、インバータ102の出力におけるハイにより、インバータ106がインアクティブローカウンタイネーブル信号C−ENを生成し、インバータ104の出力におけるローにより、インバータ108がインアクティブハイ信号C−EN*を出力する。インバータ102の出力におけるハイは、インバータ110および112を介してNANDゲート114に連結される。ENABLE信号がアクティブハイである場合、NANDゲート114は、ローを出力し、これがPMOSトランジスタ116をオンにする。しかし、START信号がハイになる前は、PMOSトランジスタ116はオフのままである。START信号がハイになると、START信号はPMOSトランジスタ116を介して連結されてラッチ100を切り換える。従って、インバータ106はアクティブハイC−EN信号を出力し、インバータ108はアクティブローC−EN*信号を出力する。START信号の立ち上がりエッジのすぐ後に、インバータ102の出力におけるローがインバータ110および112を介して連結されて、NANDゲート114をディスエーブルにする。このことが、PMOSトランジスタ116をオフにする。しかし、C−ENおよびC−EN*信号は、ラッチ100によりアクティブ状態に維持される。STOP信号がハイになると、NMOSトランジスタ118がオンになり、それによりインバータ102および108への入力をローにする。その結果、インバータ108は再びインアクティブハイC−EN*信号を出力し、インバータ106はアクティブローC−EN信号を出力する。インバータ102の出力におけるローもまた、ラッチ100を切り換えて、C−ENおよびC−EN*信号をインアクティブ状態に維持する。
上述したように、カウンタ50は好適には、8段階デクリメント直交カウンタであり、これは従来のものであり得、従って、詳細に説明しない。同様に、ロードレジスタ52は単に、各々が初期カウンタ値LD CNTを格納する8つのストレージセルを含むレジスタであり得る。これらのカウンタ値のうちの1つがSPEED信号によって選択され、LOAD信号によってカウンタ50にロードされる。
デコーダ56の一部を図9に詳細に示す。図9に示すデコーダ56の一部は、COLコマンド信号を生成するために用いられる部分である。COLコマンド信号により、DRAMが列アドレスをメモリアレイに連結する。COLコマンド信号を生成する回路は、僅か2つの異なるクロック速度、すなわち、400MHzおよび800MHzに関してのみ示されている。しかし、図9に示されるデコーダ56の一部から、他のクロック速度に対するCOL信号を提供するロジック回路および図9に示されるカウンタ値以外のカウンタ値に対してコマンド信号を生成するロジック回路が明らかである。図9を参照すると、カウンタ50の出力は、8ビット信号C0〜C7である。下位ビットはNORゲート120に、直接または、第3のビットC2の場合はインバータ122を介して付与される。上位ビットはNORゲート124に、直接または、ビットC4の場合はインバータ126を介して付与される。NORゲート120および124は各々、十進法では20である「00101000」というカウンタ値に応答するハイを出力する。NORゲート120および124の出力は、NANDゲート130に付与され、NANDゲート130はインバータ134を介してNANDゲート132の出力により選択的にイネーブルになる。NANDゲート132は、デコーダ56がハイEN信号(集積回路の他の部分で生成される)によりイネーブルになりレジスタ30からの「800」出力がハイになってクロック速度を800MHzと指定する度に、ローを出力してNANDゲート130をイネーブルにする。従って、クロック速度が800MHzである場合、カウンタ50が20というカウンタ値にまでデクリメントすると、NANDゲート130の出力がローになる。NANDゲート130の出力におけるローは、NANDゲート140に連結され、このことが、列アドレスイネーブルコマンド信号COLをハイにする。従って、クロック速度が800MHzであるとき、COLコマンド信号は20というカウンタ値で生成される。
図9の残りのロジック回路は、上述した回路と実質的に同様に動作する。特に、カウンタ50からの下位ビットはNORゲート150に付与され、カウンタ50からの上位ビットはNORゲート152に、直接、またはビットC4の場合はインバータ154を介して付与される。NORゲート150および152は各々、カウンタ50が十進法で16である「11110111」というカウンタ値を出力する度にハイを出力する。NORゲート150および152の出力は、NANDゲート160に付与される。NANDゲート160は、インバータ164を介してNANDゲート160に連結されたNANDゲート162の出力により選択的にイネーブルにされる。NANDゲート160は、デコーダ56へのEN入力がハイでありレジスタ30(図3)が400MHzというクロック速度を示すハイ「400」信号を出力する度に、イネーブルになる。従って、列アドレスイネーブルコマンド信号COLは、クロック速度が400MHzになる度に、16というカウンタ値で生成される。同様に、他のカウンタ値がデコードされて他のコマンド信号を生成するが、その際、コマンド信号とカウンタ値との間の対応関係はクロック速度信号SPEEDに依存する。
図3のコマンド生成器26を用いた同期式DRAM(「SDRAM」)180を図10に示す。SDRAM180は、アドレスバス184上の行アドレスまたは列アドレスのいずれかを受信するアドレスレジスタ182を含む。アドレスバス184は概して、メモリコントローラ(図10には示さず)に連結される。行アドレスはまずアドレスレジスタ182によって受け取られ、行アドレスマルチプレクサ188に付与される。行アドレスマルチプレクサ188は、行アドレスを、行アドレスの一部を形成するバンクアドレスビットBAの状態に依存して、2つのメモリバンク190および192のいずれかに関連する多くのコンポーネントに連結する。メモリバンク190および192のいずれかに関連するのは、行アドレスを格納する各々の行アドレスラッチ200、および様々な行信号を、対応するアレイ190または192に、格納された行アドレスの関数として付与する行デコーダ202である。行アドレスマルチプレクサ188もまた、アレイ190および192内のメモリセルをリフレッシュする目的で、行アドレスを、行アドレスラッチ200に連結する。行アドレスは、リフレッシュコントローラ212により制御されるリフレッシュカウンタ210によりリフレッシュを行う目的で生成される。
行アドレスがアドレスレジスタ182に付与して行アドレスラッチ200のうちの1つに格納されると、列アドレスがアドレスレジスタ182に付与される。アドレスレジスタ182は列アドレスを列アドレスラッチ220に連結する。SDRAM180の動作モードに依存して、列アドレスは、バーストコントローラ222を介して列アドレスレジスタ224に連結されるか、バーストカウンタ222に連結されるかのいずれかである。バーストカウンタ222は、列アドレスのシーケンスを、列アドレスバッファ224に付与する。上記付与は、アドレスレジスタ182によって出力された列アドレスからスタートする。いずれの場合も、列アドレスバッファ224は、列アドレスを列デコーダ228に付与し、列デコーダ228は、様々な列信号を各々のアレイ190および192に関するセンスアンプおよび関連する回路230および232に付与する。
列回路230および232はアレイ190および192から各々データを受信し、上述データをデータ出力レジスタ240に連結する。データ出力レジスタ240は、上記データをデータバス242に付与する。アレイ190および192のうちの1つに書込まれるべきデータが、データバス242からデータ入力レジスタ244を介して列回路230および232に連結される。列回路230および232において、データはアレイ190および192のうちの1つに各々転送される。列回路230および232への、並びに列回路230および232からのデータの流れを選択的に、アレイ190および192から読出すべきデータを選択的にマスクすることなどにより変更するために、マスクレジスタ250が用いられ得る。
SDRAM180の上述した動作は、コントロールバス160上に受信されたハイレベルコマンド信号に応答するコマンド生成器26により制御される。これらのハイレベルコマンド信号は、典型的にはメモリコントローラ(図10には示さず)により生成されるが、クロックイネーブル信号CKE*、クロック信号CLK、チップセレクト信号CS*、書き込みイネーブル信号WE*、行アドレスストローブ信号RAS*、および列アドレスストローブ信号CAS*である。上記において、「*」は、信号をアクティブローであると指定する。しかし、他のハイレベルコマンド信号もまた用いられ得る。いずれの場合も、コマンド生成器26は、ハイレベルコマンド信号の各々によって指定される機能(例えば、読出しまたは書込み)を実行するために、ハイレベルコマンド信号に応答するコマンド信号のシーケンスを生成する。これらのコマンド信号およびこれらがそれぞれの機能を達成する様式は、従来のものである。そのため、簡潔にするために、これらの制御信号の更なる説明は省略する。
コマンド生成器26をSDRAM用のコマンド信号を発生するものとして記載してきたが、他の様々なDRAMおよび他の集積回路装置用のコマンド信号のシーケンスもまた同様の様式で生成されることが理解される。
図11は、図10のSDRAM180を含むコンピュータシステム300のブロック図である。コンピュータシステム300は、特定の計算またはタスクを行うために特定のソフトウェアを実行するなどの、様々な演算機能を行うプロセッサ302を含む。プロセッサ302は、通常、アドレスバス、コントロールバス、およびデータバスを含むプロセッサバス304を含む。さらに、コンピュータシステム300は、キーボードまたはマウスなどの1以上の入力デバイス314を含む。入力デバイス314は、プロセッサ302に連結されて、オペレータがコンピュータシステム300とインターフェースすることを可能にする。典型的には、コンピュータシステム300はさらに、プロセッサ302に連結された1以上の出力デバイス316を含む。このような出力デバイス316は典型的には、プリンタまたはビデオ端子である。1以上のデータ格納デバイス318もまた典型的にプロセッサ302に連結されて、データを格納するか、または外部格納媒体(図示せず)からデータを取り出す。典型的な格納デバイス318の例は、ハードおよびフロッピーディスク、テープカセットおよびコンパクトディスク読み出し専用メモリ(CD−ROM)を含む。プロセッサ302はさらに典型的には、通常スタティックランダムアクセスメモリ(「SRAM」)であるキャッシュメモリ326に連結され、かつメモリコントローラ330を介してSDRAM180に連結されている。メモリコントローラ330は通常、コントロールバス160、およびSDRAM180に連結されたアドレスバス184を含む。データバス242は、直接(図示するように)、またはメモリコントローラ330を介して、または何か他の手段によってプロセッサバス304に連結され得る。
Claims (52)
- メモリ装置のためのコマンド信号を生成するコマンド生成器であって、
該コマンド生成器は、
クロックの速度を示すクロック速度信号(SPEED)を提供するレジスタ(30)であって、該クロックは、複数のクロック速度(400、600、800)のうちの1つを有し得る、レジスタ(30)と、
クロック信号(CLKおよびCLK90)と該クロック信号(CLKおよびCLK90)の所定の数のサイクルに続く信号(F)と該クロック速度信号(SPEED)とを受信し、該クロック信号(CLKおよびCLK90)に応答して、該信号(F)の受信に続く可変な数のクロックサイクルの後に、スタート信号(START)信号を生成するカウンタスタート論理回路(40)と、
該スタート信号(START)とストップ信号(STOP)とイネーブル信号(ENABLE)信号とを受信するカウンタ制御回路(46)であって、該カウンタ制御回路(46)が該イネーブル信号(ENABLE)信号によってイネーブルされる場合にはいつでも、該スタート信号(START)と該ストップ信号(STOP)とに応答して、カウンタイネーブル信号(C−ENおよびC−EN * )を提供するカウンタ制御回路(46)と、
該カウンタイネーブル信号(C−ENおよびC−EN * )と該クロック信号(CLKおよびCLK90)とを受信するカウンタ(50)であって、該カウンタイネーブル信号(C−ENおよびC−EN * )の受信に応答して、該クロック信号に応答して該カウンタ(50)によってインクリメントまたはデクリメントされるカウンタ値を示すカウンタ値信号を生成するカウンタ(50)と、
該カウンタからの該カウンタ値信号と該レジスタ(30)からの該クロック速度信号(SPEED)とを受信し、イネーブル信号(EN)に応答して、該カウンタ値信号によって示される該カウンタ値と該クロック速度信号(SPEED)によって示される該クロック速度とに対するコマンド信号(COL)を提供するデコーダ(56)と
を備え、
該カウンタスタート論理回路(40)は、
該クロック速度信号(SPEED)と該信号(F)とを受信し、該複数のクロック速度(400、600、800)のうちの1つを示す該クロック速度信号(SPEED)に応答して、該クロック信号(CLKおよびCLK90)の所定の数のサイクルの後に、該信号(F)を出力する選択手段と、
該クロック信号(CLKおよびCLK90)と該選択手段から出力された該信号(F)とを受信し、該クロック信号(CLKおよびCLK90)の所定の値と該選択手段から出力された該信号(F)の受信とに応答して、該スタート信号(START)を出力する信号出力手段と
を備えた、コマンド生成器。 - 複数のシフト段を有するシフトレジスタ(34)であって、フラグ信号(FLAG)を遅延するシフトレジスタ(34)をさらに備え、該シフトレジスタは、クロック信号(CLK)を受信し、該複数のシフト段の第1のシフト段は、該フラグ信号を受信し、該シフトレジスタは、該複数のシフト段を介して該第1のシフト段から最後のシフト段に該フラグ信号をシフトすることにより、該複数のシフト段のそれぞれにおいて遅延フラグ信号を提供し、該シフトレジスタは、該フラグ信号の遅延の量を示す前記信号(F)を提供する、請求項1に記載のコマンド生成器。
- 前記レジスタ(30)と前記カウンタ(50)とに結合されたロードレジスタ(52)をさらに備え、該ロードレジスタ(52)は、初期カウンタ値を示す初期カウンタ値信号(LD CNT)を該カウンタ(50)にロードし、該カウンタ値は、前記クロック信号(CLKおよびCLK90)に応答して、該初期カウント値からインクリメントまたはデクリメントし、該初期カウント値は、前記クロック速度信号(SPEED)の関数である、請求項1または2に記載のコマンド生成器。
- 前記レジスタ(30)は、前記複数のクロック速度の数に対応する複数のストレージセルを備え、該複数のストレージセルのそれぞれは、該クロック速度を示す前記クロック速度信号を提供する、請求項1から3のいずれか一項に記載のコマンド生成器。
- 前記クロック信号(CLKおよびCLK90)は、第1のクロック信号(CLK)と第2のクロック信号(CLK90)とを含み、該1のクロック信号(CLK)は、該第2のクロック信号(CLK90)より、90度進んでいる、請求項1から4のいずれか一項に記載のコマンド生成器。
- 前記クロック速度信号(SPEED)は、複数のクロック速度信号(400、600、800)を含み、該クロック速度信号の数は、前記複数のクロック速度の数に等しく、
前記シフトレジスタ出力信号(F)は、複数の出力信号(F4、F5、F6)を含み、該複数の出力信号のそれぞれは、前記遅延フラグ信号に一意の量の遅延提供する、請求項1から5のいずれか一項に記載のコマンド生成器。 - 前記デコーダ(56)は、前記複数のクロック速度のそれぞれに対して、前記カウンタ値信号と前記イネーブル信号(EN)と前記複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つとを受信する論理回路を備え、該論理回路は、該イネーブル信号(EN)と該複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つと所定のカウンタ値を示す該カウンタ値信号との受信に応答して、前記コマンド信号(COL)を提供する、請求項6に記載のコマンド生成器。
- 前記複数の出力信号(F4、F5、F6)のそれぞれは、前記複数のクロック速度信号(400、600、800)のそれぞれに対応する、請求項6に記載のコマンド生成器。
- 前記選択手段は、複数の論理ゲートを備え、
該複数の論理ゲートのうちの1つは、前記複数のクロック速度のうちの対応する1つに対応し、該複数の論理ゲートのそれぞれは、前記複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つと前記シフトレジスタ出力信号(F)からの前記複数の出力信号(F4、F5、F6)からの対応する出力信号(F4、F5、F6)とを受信し、
該複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つの受信に応答して、該複数の論理ゲートのうちの1つがイネーブルされることにより、該シフトレジスタ出力信号(F)から前記信号出力手段に該複数の出力信号(F4、F5、F6)のうちの1つを通過させる、請求項8に記載のコマンド生成器。 - 前記信号出力手段は、第1の論理ゲート(62)と第2の論理ゲート(66)とを備え、
該第1の論理ゲート(62)の入力は、前記第1のクロック信号(CLK)を受信し、さらに、インバータを介して前記第2のクロック信号(CLK90)を受信し、該第2の論理ゲート(66)の入力は、インバータを介して前記第1のクロック信号(CLK)を受信し、さらに、該第2のクロック信号(CLK90)を受信し、
該第1のクロック信号(CLK)と該第2のクロック信号(CLK90)とが第1および第2の所定の値を出力する場合には、該第1の論理ゲート(62)および該第2の論理ゲート(66)のそれぞれがイネーブルされ、
該信号出力手段に提供される前記シフトレジスタからの出力信号と、イネーブルされる該第1の論理ゲート(62)および該第2の論理ゲート(66)のうちの少なくとも1つとに応答して、前記スタート信号(START)が生成される、請求項9に記載のコマンド生成器。 - 前記カウンタ制御回路(46)は、
論理ゲート(114)と、
ラッチ回路(100、102、104)と、
第1のスイッチ(116)と、
第2のスイッチ(118)と
を備え、
該論理ゲート(114)は、前記イネーブル信号(ENABLE)と該ラッチ回路(100、102、104)からの出力信号とを受信し、該イネーブル信号(ENABLE)と該ラッチ回路(100、102、104)からの出力信号との受信に応答して、該第1のスイッチ(116)をイネーブルするように出力信号を提供し、
該第1のスイッチ(116)は、前記スタート信号(START)と該論理ゲート(114)からの出力信号とを受信し、該スタート信号(START)と該論理ゲート(114)からの出力信号との受信に応答して、該ラッチ回路(100、102、104)に出力信号を提供し、
該第2のスイッチ(118)は、前記ストップ信号(STOP)を受信し、該ストップ信号(STOP)の受信に応答して、該ラッチ回路(100、102、104)の所定の電圧(GND)を提供する、請求項1から10のいずれか一項に記載のコマンド生成器。 - 前記ラッチ回路は、前記論理ゲート(114)において提供される前記イネーブル信号(ENABLE)と前記ラッチ回路(100、102、104)の出力信号と前記第1のスイッチ(116)に提供される前記スタート信号(START)とに応答して、第1の所定(C−ENハイ、C−EN * ロー)のカウンタイネーブル信号(C−ENおよびC−EN * )を提供し、
前記ラッチ回路は、前記第2のスイッチ(118)に提供される前記ストップ信号(STOP)に応答して、第2の所定(C−ENロー、C−EN * ハイ)のカウンタイネーブル信号(C−ENおよびC−EN * )を提供する、請求項10に記載のコマンド生成器。 - 前記ロードレジスタ(52)は、複数の異なるクロック速度のそれぞれに対する少なくとも1つの初期カウンタ値を格納し、
前記カウンタにロードされる該初期カウンタ値は、前記クロック速度信号(SPEED)によって示される前記クロック信号の速度と該複数の異なるクロック速度のうちの最大速度とによって決定される、請求項1から12のいずれか一項に記載のコマンド生成器。 - クロック信号を生成するクロック回路と、
行アドレスと列アドレスとによって決定される位置においてデータを格納する少なくとも1つのメモリセルのアレイと、
アドレスバスを介してメモリコントローラから該行アドレスを受信し、該行アドレスをデコードし、該行アドレスに対応するメモリセルの列を選択する行アドレス回路と、
該列アドレスに対応する該選択された行内の該メモリセルのうちの1つからデータを受信し、または、該列アドレスに対応する該選択された行内の該メモリセルのうちの1つにデータを供給し、該データは、該アドレスバスを介して該メモリコントローラから受信される、列アドレス回路と、
クロック信号を受信するカウンタであって、該クロック信号に応答して、インクリメントまたはデクリメントするカウンタ値を生成するカウンタと、
該カウンタに結合されたコマンド生成器であって、請求項1に記載のコマンド生成器と
を備えた、ダイナミックランダムアクセスメモリ。 - 前記コマンド生成器は、複数のシフト段をさらに有するシフトレジスタ(34)であって、フラグ信号(FLAG)を遅延するシフトレジスタ(34)をさらに備え、該シフトレジスタは、クロック信号(CLK)を受信し、該複数のシフト段の第1のシフト段は、該フラグ信号を受信し、該シフトレジスタは、該複数のシフト段を介して、該第1のシフト段から最後のシフト段に該フラグ信号をシフトすることにより、該複数のシフト段のそれぞれにおいて遅延フラグ信号を提供し、該シフトレジスタは、該フラグ信号の遅延の量を示す前記信号(F)を提供する、請求項14に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記コマンド生成器は、前記レジスタ(30)と前記カウンタ(50)とに結合されたロードレジスタ(52)をさらに備え、該ロードレジスタ(52)は、初期カウンタ値を示す初期カウンタ値信号(LD CNT)を該カウンタ(50)にロードし、該カウンタ値は、前記クロック信号(CLKおよびCLK90)に応答して、該初期カウント値からインクリメントまたはデクリメントし、該初期カウント値は、前記クロック速度信号(SPEED)の関数である、請求項14または15に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記レジスタ(30)は、前記複数のクロック速度の数に対応する複数のストレージセルを備え、該複数のストレージセルのそれぞれは、該クロック速度を示す前記クロック速度信号を提供する、請求項14から16のいずれか一項に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記クロック信号(CLKおよびCLK90)は、第1のクロック信号(CLK)と第2のクロック信号(CLK90)とを含み、該第1のクロック信号(CLK)は、該第2のクロック信号(CLK90)より、90度進んでいる、請求項14から17のいずれか一項に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記クロック速度信号(SPEED)は、複数のクロック速度信号(400、600、800)を含み、該クロック速度信号の数は、前記複数のクロック速度の数に等しく、
前記シフトレジスタ出力信号(F)は、複数の出力信号(F4、F5、F6)を含み、該複数の出力信号のそれぞれは、前記遅延フラグ信号に一意の量の遅延提供する、請求項14から18のいずれか一項に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。 - 前記デコーダ(56)は、前記複数のクロック速度のそれぞれに対して、前記カウンタ値信号と前記イネーブル信号(EN)と前記複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つとを受信する論理回路を備え、該論理回路は、該イネーブル信号(EN)と該複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つと所定のカウンタ値を示す該カウンタ値信号との受信に応答して、前記コマンド信号(COL)を提供する、請求項19に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記複数の出力信号(F4、F5、F6)のそれぞれは、前記複数のクロック速度信号(400、600、800)のそれぞれに対応する、請求項19に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記選択手段は、複数の論理ゲートを備え、
該複数の論理ゲートのうちの1つは、前記複数のクロック速度のうちの対応する1つに対応しており、該複数の論理ゲートのそれぞれは、前記複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つと前記シフトレジスタ出力信号(F)からの前記複数の出力信号(F4、F5、F6)からの対応する出力信号(F4、F5、F6)とを受信し、
該複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つの受信に応答して、該複数の論理ゲートのうちの1つがイネーブルされることにより、該シフトレジスタ出力信号(F)から前記信号出力手段に該複数の出力信号(F4、F5、F6)のうちの1つを通過させる、請求項21に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。 - 前記信号出力手段は、第1の論理ゲート(62)と第2の論理ゲート(66)とを備え、
該第1の論理ゲート(62)の入力は、前記第1のクロック信号(CLK)を受信し、さらに、インバータを介して前記第2のクロック信号(CLK90)を受信し、該第2の論理ゲート(66)の入力は、インバータを介して前記第1のクロック信号(CLK)を受信し、さらに、該第2のクロック信号(CLK90)を受信し、
該第1のクロック信号(CLK)と該第2のクロック信号(CLK90)とが第1および第2の所定の値を出力する場合には、該第1の論理ゲート(62)および該第2の論理ゲート(66)のそれぞれはイネーブルされ、
該信号出力手段に提供される前記シフトレジスタからの出力信号とイネーブルされる該第1の論理ゲート(62)および該第2の論理ゲート(66)のうちの少なくとも1つとに応答して、前記スタート信号(START)が生成される、請求項22に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。 - 前記カウンタ制御回路(46)は、
論理ゲート(114)と、
ラッチ回路(100、102、104)と、
第1のスイッチ(116)と、
第2のスイッチ(118)と
を備え、
該論理ゲート(114)は、前記イネーブル信号(ENABLE)と該ラッチ回路(100、102、104)からの出力信号とを受信し、該イネーブル信号(ENABLE)と該ラッチ回路(100、102、104)からの出力信号との受信に応答して、該第1のスイッチ(116)をイネーブルするように出力信号を提供し、
該第1のスイッチ(116)は、前記スタート信号(START)と該論理ゲート(114)からの出力信号とを受信し、該スタート信号(START)と該論理ゲート(114)からの出力信号との受信に応答して、該ラッチ回路(100、102、104)に出力信号を提供し、
該第2のスイッチ(118)は、前記ストップ信号(STOP)を受信し、該ストップ信号(STOP)の受信に応答して、該ラッチ回路(100、102、104)に所定の電圧(GND)を提供する、請求項14から23のいずれか一項に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。 - 前記ラッチ回路は、前記論理ゲート(114)において提供される前記イネーブル信号(ENABLE)と前記ラッチ回路(100、102、104)の出力信号と前記第1のスイッチ(116)に提供される前記スタート信号(START)とに応答して、第1の所定(C−ENハイ、C−EN * ロー)のカウンタイネーブル信号(C−ENおよびC−EN * )を提供し、
前記ラッチ回路は、前記第2のスイッチ(118)に提供される前記ストップ信号(STOP)に応答して、第2の所定(C−ENロー、C−EN * ハイ)のカウンタイネーブル信号(C−ENおよびC−EN * )を提供する、請求項23に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。 - 前記ロードレジスタ(52)は、複数の異なるクロック速度のそれぞれに対する少なくとも1つの初期カウンタ値を格納し、
前記カウンタにロードされる該初期カウンタ値は、前記クロック速度信号(SPEED)によって示される前記クロック信号の速度と該複数の異なるクロック速度のうちの最大速度とによって決定される、請求項14から25のいずれか一項に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。 - コンピュータシステムであって、
プロセッサ(302)と、
該プロセッサに結合された入力装置であって、データが該コンピュータシステムに入力されることを可能にする入力装置と、
該プロセッサに結合された出力装置であって、データが該コンピュータシステムから出力されることを可能にする出力装置と、
該プロセッサに結合されたダイナミックランダムアクセスメモリであって、データが格納されることを可能するダイナミックランダムアクセスメモリと
を備え、
該ダイナミックランダムアクセスメモリは、
アドレスバスを介してメモリコントローラから該行アドレスを受信し、該行アドレスをデコードし、該行アドレスに対応するメモリセルの列を選択する行アドレス回路と、
該列アドレスに対応する該選択された行内の該メモリセルのうちの1つからデータを受信し、または、該列アドレスに対応する該選択された行内の該メモリセルのうちの1つにデータを供給し、該データは、該アドレスバスを介して該メモリコントローラから受信される、列アドレス回路と、
クロック信号を受信するカウンタであって、該クロック信号に応答して、インクリメントまたはデクリメントするカウンタ値を生成するカウンタと、
該カウンタに結合されたコマンド生成器であって、請求項1に記載のコマンド生成器と
を備えた、コンピュータシステム。 - 前記ダイナミックランダムアクセスメモリは、複数のシフト段を有するシフトレジスタ(34)であって、フラグ信号(FLAG)を遅延するシフトレジスタ(34)をさらに備え、該シフトレジスタは、クロック信号(CLK)を受信し、該複数のシフト段の第1のシフト段は、該フラグ信号を受信し、該シフトレジスタは、該複数のシフト段を介して、該第1のシフト段から最後のシフト段に該フラグ信号をシフトすることにより、該複数のシフト段のそれぞれにおいて遅延フラグ信号を提供し、該シフトレジスタは、該フラグ信号の遅延の量を示す前記信号(F)を提供する、請求項27に記載のコンピュータシステム。
- 前記ダイナミックランダムアクセスメモリは、前記レジスタ(30)と前記カウンタ(50)とに結合されたロードレジスタ(52)をさらに備え、該ロードレジスタ(52)は、初期カウンタ値を示す初期カウンタ値信号(LD CNT)を該カウンタ(50)にロードし、該カウンタ値は、前記クロック信号(CLKおよびCLK90)に応答して、該初期カウント値からインクリメントまたはデクリメントし、該初期カウント値は、前記クロック速度信号(SPEED)の関数である、請求項27または28に記載のコンピュータシステム。
- 前記レジスタ(30)は、前記複数のクロック速度の数に対応する複数のストレージセルを備え、該複数のストレージセルのそれぞれは、該クロック速度を示す前記クロック速度信号を提供する、請求項27から29のいずれか一項に記載のコンピュータシステム。
- 前記クロック信号(CLKおよびCLK90)は、第1のクロック信号(CLK)と第2のクロック信号(CLK90)とを含み、該第1のクロック信号(CLK)は、該第2のクロック信号(CLK90)より、90度進んでいる、請求項27から30のいずれか一項に記載のコンピュータシステム。
- 前記クロック速度信号(SPEED)は、複数のクロック速度信号(400、600、800)を含み、該クロック速度信号の数は、前記複数のクロック速度の数に等しく、
前記シフトレジスタ出力信号(F)は、複数の出力信号(F4、F5、F6)を含み、該複数の出力信号のそれぞれは、前記遅延フラグ信号に一意の量の遅延提供する、請求項27から31のいずれか一項に記載のコンピュータシステム。 - 前記デコーダ(56)は、前記複数のクロック速度のそれぞれに対して、前記カウンタ値信号と前記イネーブル信号(EN)と前記複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つとを受信する論理回路を備え、該論理回路は、該イネーブル信号(EN)と該複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つと所定のカウンタ値を示す該カウンタ値信号との受信に応答して、前記コマンド信号(COL)を提供する、請求項32に記載のコンピュータシステム。
- 前記複数の出力信号(F4、F5、F6)のそれぞれは、前記複数のクロック速度信号(400、600、800)のそれぞれに対応する、請求項32に記載のコンピュータシステム。
- 前記選択手段は、複数の論理ゲートを備え、
該複数の論理ゲートのうちの1つは、前記複数のクロック速度のうちの対応する1つに対応しており、該複数の論理ゲートのそれぞれは、前記複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つと前記シフトレジスタ出力信号(F)からの前記複数の出力信号(F4、F5、F6)からの対応する出力信号(F4、F5、F6)とを受信し、
該複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つの受信に応答して、該複数の論理ゲートのうちの1つがイネーブルされることにより、該シフトレジスタ出力信号(F)から前記信号出力手段に該複数の出力信号(F4、F5、F6)のうちの1つを通過させる、請求項34に記載のコンピュータシステム。 - 前記信号出力手段は、第1の論理ゲート(62)と第2の論理ゲート(66)とを備え、
該第1の論理ゲート(62)の入力は、前記第1のクロック信号(CLK)を受信し、さらに、インバータを介して前記第2のクロック信号(CLK90)を受信し、該第2の論理ゲート(66)の入力は、インバータを介して前記第1のクロック信号(CLK)を受信し、さらに、該第2のクロック信号(CLK90)を受信し、
該第1のクロック信号(CLK)と該第2のクロック信号(CLK90)とが第1および第2の所定の値を出力する場合には、該第1の論理ゲート(62)および該第2の論理ゲート(66)のそれぞれがイネーブルされ、
該信号出力手段に提供される前記シフトレジスタからの出力信号とイネーブルされる該第1の論理ゲート(62)および該第2の論理ゲート(66)のうちの少なくとも1つに応答して、前記スタート信号(START)が生成される、請求項35に記載のコンピュータシステム。 - 前記カウンタ制御回路(46)は、
論理ゲート(114)と、
ラッチ回路(100、102、104)と、
第1のスイッチ(116)と、
第2のスイッチ(118)と
を備え、
該論理ゲート(114)は、前記イネーブル信号(ENABLE)と該ラッチ回路(100、102、104)からの出力信号とを受信し、該イネーブル信号(ENABLE)と該ラッチ回路(100、102、104)からの出力信号との受信に応答して、該第1のスイッチ(116)をイネーブルするように出力信号を提供し、
該第1のスイッチ(116)は、前記スタート信号(START)と該論理ゲート(114)からの出力信号とを受信し、該スタート信号(START)と該論理ゲート(114)からの出力信号との受信に応答して、該ラッチ回路(100、102、104)に出力信号を提供し、
該第2のスイッチ(118)は、前記ストップ信号(STOP)を受信し、該ストップ信号(STOP)の受信に応答して、該ラッチ回路(100、102、104)に所定の電圧(GND)を提供する、請求項27から36のいずれか一項に記載のコンピュータシステム。 - 前記ラッチ回路は、前記論理ゲート(114)において提供される前記イネーブル信号(ENABLE)と前記ラッチ回路(100、102、104)の出力信号と前記第1のスイッチ(116)に提供される前記スタート信号(START)とに応答して、第1の所定(C−ENハイ、C−EN * ロー)のカウンタイネーブル信号(C−ENおよびC−EN * )を提供し、
前記ラッチ回路は、前記第2のスイッチ(118)に提供される前記ストップ信号(STOP)に応答して、第2の所定(C−ENロー、C−EN * ハイ)のカウンタイネーブル信号(C−ENおよびC−EN * )を提供する、請求項36に記載のコンピュータシステム。 - 前記ロードレジスタ(52)は、複数の異なるクロック速度のそれぞれに対する少なくとも1つの初期カウンタ値を格納し、
前記カウンタにロードされる該初期カウンタ値は、前記クロック速度信号(SPEED)によって示される前記クロック信号の速度と該複数の異なるクロック速度のうちの最大速度とによって決定される、請求項27から38のいずれか一項に記載のコンピュータシステム。 - メモリ装置のためのコマンド信号を生成する方法であって、
該方法は、
クロックの速度を示すクロック速度信号(SPEED)をレジスタ(30)から提供することであって、該クロックは、複数のクロック速度(400、600、800)のうちの1つを有し得る、ことと、
カウンタスタート論理回路(40)を用いて、クロック信号(CLKおよびCLK90)と該クロック信号(CLKおよびCLK90)の所定の数のサイクルに続く信号(F)と該クロック速度信号(SPEED)とを受信し、該クロック信号(CLKおよびCLK90)に応答して、該信号(F)の受信に続く可変な数のクロックサイクルの後に、スタート信号(START)信号を生成することと、
カウンタ制御回路(46)を用いて、該スタート信号(START)とストップ信号(STOP)とイネーブル信号(ENABLE)信号とを受信し、該カウンタ制御回路(46)が該イネーブル信号(ENABLE)信号によってイネーブルされる場合にはいつでも、該スタート信号(START)と該ストップ信号(STOP)とに応答して、カウンタイネーブル信号(C−ENおよびC−EN * )を提供することと、
カウンタ(50)を用いて、該カウンタイネーブル信号(C−ENおよびC−EN * )と該クロック信号(CLKおよびCLK90)とを受信し、該カウンタイネーブル信号(C−ENおよびC−EN * )の受信に応答して、該クロック信号に応答して該カウンタ(50)によってインクリメントまたはデクリメントされるカウンタ値を示すカウンタ値信号を生成することと、
デコーダ(56)を用いて、該カウンタからの該カウンタ値信号と該レジスタ(30)からの該クロック速度信号(SPEED)とを受信し、イネーブル信号(EN)に応答して、該カウンタ値信号によって示される該カウンタ値と該クロック速度信号(SPEED)によって示される該クロック速度とに対するコマンド信号(COL)を提供することと
を包含し、
該カウンタスタート論理回路(40)は、
選択手段と信号出力手段とを備え、
該選択手段を用いて、該クロック速度信号(SPEED)と該信号(F)とを受信し、該複数のクロック速度(400、600、800)のうちの1つを示す該クロック速度信号(SPEED)に応答して、該クロック信号(CLKおよびCLK90)の所定の数のサイクルの後に、該信号(F)を出力し、
該信号出力手段を用いて、該クロック信号(CLKおよびCLK90)と該選択手段から出力された該信号(F)とを受信し、該クロック信号(CLKおよびCLK90)の所定の値と該選択手段から出力された該信号(F)の受信とに応答して、該スタート信号(START)を出力する、方法。 - 複数のシフト段を有するシフトレジスタ(34)であって、フラグ信号(FLAG)を遅延するシフトレジスタ(34)を用いて、クロック信号(CLK)を受信することと、
該複数のシフト段の第1のシフト段を用いて、該フラグ信号を受信することと、
該シフトレジスタを用いて、該複数のシフト段を介して、該第1のシフト段から最後のシフト段に該フラグ信号をシフトすることにより、該複数のシフト段のそれぞれにおいて遅延フラグ信号を提供することと、
該シフトレジスタを用いて、該フラグ信号の遅延の量を示す前記信号(F)を提供することと
をさらに包含する、請求項40に記載の方法。 - ロードレジスタ(52)から初期カウンタ値を示す初期カウンタ値信号(LD CNT)を前記カウンタ(50)にロードすることをさらに包含し、
該初期カウンタ値は、前記クロック信号(CLKおよびCLK90)に応答して、インクリメントまたはデクリメントされるカウンタ値であり、該初期カウント値は、前記クロック速度信号(SPEED)の関数である、請求項40または41に記載の方法。 - 前記レジスタ(30)は、前記複数のクロック速度の数に対応する複数のストレージセルを備え、該複数のストレージセルのそれぞれは、該クロック速度を示す前記クロック速度信号を提供する、請求項40から42のいずれか一項に記載の方法。
- 前記クロック信号(CLKおよびCLK90)は、第1のクロック信号(CLK)と第2のクロック信号(CLK90)とを含み、該第1のクロック信号(CLK)は、該第2のクロック信号(CLK90)より、90度進んでいる、請求項40から43のいずれか一項に記載の方法。
- 前記クロック速度信号(SPEED)は、複数のクロック速度信号(400、600、800)を含み、該クロック速度信号の数は、前記複数のクロック速度の数に等しく、
前記シフトレジスタ出力信号(F)は、複数の出力信号(F4、F5、F6)を含み、該複数の出力信号のそれぞれは、前記遅延フラグ信号に一意の量の遅延提供する、請求項40から44のいずれか一項に記載の方法。 - 前記デコーダ(56)は、前記複数のクロック速度のそれぞれに対して、前記カウンタ値信号と前記イネーブル信号(EN)と前記複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つとを受信する論理回路を備え、
前記方法は、
該論理回路が該イネーブル信号(EN)と該複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つと所定のカウンタ値を示す該カウンタ値信号とを受信することに応答して、該論理回路から前記コマンド信号(COL)を提供することをさらに包含する、請求項45に記載の方法。 - 前記複数の出力信号(F4、F5、F6)のそれぞれは、前記複数のクロック速度信号(400、600、800)のそれぞれに対応する、請求項45に記載の方法。
- 前記選択手段は、複数の論理ゲートを備え、
該複数の論理ゲートのうちの1つは、前記複数のクロック速度のうちの対応する1つに対応しており、該複数の論理ゲートのそれぞれは、前記複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つと前記シフトレジスタ出力信号(F)からの前記複数の出力信号(F4、F5、F6)からの対応する出力信号(F4、F5、F6)とを受信し、
前記方法は、
該複数のクロック速度信号(400、600、800)のうちの1つの受信に応答して、該複数の論理ゲートのうちの1つがイネーブルされる場合には、該シフトレジスタ出力信号(F)から前記信号出力手段に該複数の出力信号(F4、F5、F6)のうちの1つを通過させることをさらに包含する、請求項47に記載の方法。 - 前記信号出力手段は、第1の論理ゲート(62)と第2の論理ゲート(66)とを備え、
該第1の論理ゲート(62)の入力は、前記第1のクロック信号(CLK)を受信し、さらに、インバータを介して前記第2のクロック信号(CLK90)を受信し、該第2の論理ゲート(66)の入力は、インバータを介して前記第1のクロック信号(CLK)を受信し、さらに、該第2のクロック信号(CLK90)を受信し、
前記方法は、
該第1のクロック信号(CLK)と該第2のクロック信号(CLK90)とが、第1および第2の所定の値を出力する場合には、該第1の論理ゲート(62)および該第2の論理ゲート(66)のそれぞれをイネーブルすることと、
該信号出力手段に提供される前記シフトレジスタからの出力信号とイネーブルされる該第1の論理ゲート(62)および該第2の論理ゲート(66)のうちの少なくとも1つとに応答して、前記スタート信号(START)を生成することと
をさらに包含する、請求項48に記載の方法。 - 前記カウンタ制御回路(46)は、
論理ゲート(114)と、
ラッチ回路(100、102、104)と、
第1のスイッチ(116)と、
第2のスイッチ(118)と
を備え、
前記方法は、
該論理ゲート(114)を用いて、前記イネーブル信号(ENABLE)と該ラッチ回路(100、102、104)からの出力信号とを受信し、該イネーブル信号(ENABLE)と該ラッチ回路(100、102、104)からの出力信号との受信に応答して、該第1のスイッチ(116)をイネーブルするように出力信号を提供することと、
該第1のスイッチ(116)を用いて、前記スタート信号(START)と該論理ゲート(114)からの出力信号を受信し、該スタート信号(START)と該論理ゲート(114)からの出力信号との受信に応答して、該ラッチ回路(100、102、104)に出力信号を提供することと、
該第2のスイッチ(118)を用いて、前記ストップ信号(STOP)を受信し、該ストップ信号(STOP)の受信に応答して、該ラッチ回路(100、102、104)に所定の電圧(GND)を提供することと
をさらに包含する、請求項40から49のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ラッチ回路を用いて、前記論理ゲート(114)において提供される前記イネーブル信号(ENABLE)と前記ラッチ回路(100、102、104)の出力信号と前記第1のスイッチ(116)に提供される前記スタート信号(START)とに応答して、第1の所定(C−ENハイ、C−EN * ロー)のカウンタイネーブル信号(C−ENおよびC−EN * )を提供することと、
前記ラッチ回路を用いて、前記第2のスイッチ(118)に提供される前記ストップ信号(STOP)に応答して、第2の所定(C−ENロー、C−EN * ハイ)のカウンタイネーブル信号(C−ENおよびC−EN * )を提供することと
をさらに包含する、請求項49に記載の方法。 - 前記ロードレジスタ(52)は、複数の異なるクロック速度のそれぞれに対する少なくとも1つの初期カウンタ値を格納し、
前記カウンタにロードされる該初期カウンタ値は、前記クロック速度信号(SPEED)によって示される前記クロック信号の速度と該複数の異なるクロック速度のうちの最大速度とによって決定される、請求項40から51のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/798,229 US6230245B1 (en) | 1997-02-11 | 1997-02-11 | Method and apparatus for generating a variable sequence of memory device command signals |
US08/798,229 | 1997-02-11 | ||
PCT/US1998/002237 WO1998035355A1 (en) | 1997-02-11 | 1998-02-11 | Memory device command signal generator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002513496A JP2002513496A (ja) | 2002-05-08 |
JP3804990B2 true JP3804990B2 (ja) | 2006-08-02 |
Family
ID=25172863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53489598A Expired - Fee Related JP3804990B2 (ja) | 1997-02-11 | 1998-02-11 | メモリ装置コマンド信号生成器 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6230245B1 (ja) |
EP (1) | EP0958578B1 (ja) |
JP (1) | JP3804990B2 (ja) |
KR (1) | KR100495201B1 (ja) |
AT (1) | ATE231647T1 (ja) |
AU (1) | AU6146498A (ja) |
DE (1) | DE69810897T2 (ja) |
WO (1) | WO1998035355A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3406790B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2003-05-12 | 株式会社東芝 | データ転送システム及びデータ転送方法 |
US6404694B2 (en) * | 1999-08-16 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device with address comparing functions |
DE19945004A1 (de) * | 1999-09-20 | 2001-03-22 | Micronas Gmbh | Speichersteuerung zum Durchführen von Schaltbefehlen |
US7010629B1 (en) * | 1999-12-22 | 2006-03-07 | Intel Corporation | Apparatus and method for coupling to a memory module |
US6889335B2 (en) * | 2001-04-07 | 2005-05-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory controller receiver circuitry with tri-state noise immunity |
US6987775B1 (en) * | 2001-08-15 | 2006-01-17 | Internet Machines Corp. | Variable size First In First Out (FIFO) memory with head and tail caching |
US6850107B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-02-01 | Micron Technology, Inc. | Variable delay circuit and method, and delay locked loop, memory device and computer system using same |
US8213322B2 (en) * | 2001-09-24 | 2012-07-03 | Topside Research, Llc | Dynamically distributed weighted fair queuing |
US6967951B2 (en) * | 2002-01-11 | 2005-11-22 | Internet Machines Corp. | System for reordering sequenced based packets in a switching network |
ITRM20020281A1 (it) * | 2002-05-20 | 2003-11-20 | Micron Technology Inc | Metodo ed apparecchiatura per accesso rapido di memorie. |
KR100444606B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2004-08-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 명령 상태 머신 및 그 구동 방법 |
US7454552B2 (en) * | 2003-11-18 | 2008-11-18 | Topside Research, Llc | Switch with transparent and non-transparent ports |
US7421532B2 (en) * | 2003-11-18 | 2008-09-02 | Topside Research, Llc | Switching with transparent and non-transparent ports |
US7426602B2 (en) * | 2004-01-08 | 2008-09-16 | Topside Research, Llc | Switch for bus optimization |
US7660187B2 (en) * | 2004-08-04 | 2010-02-09 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for initialization of read latency tracking circuit in high-speed DRAM |
US7065001B2 (en) * | 2004-08-04 | 2006-06-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for initialization of read latency tracking circuit in high-speed DRAM |
US20060095652A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Hermann Ruckerbauer | Memory device and method for receiving instruction data |
US7366966B2 (en) * | 2005-10-11 | 2008-04-29 | Micron Technology, Inc. | System and method for varying test signal durations and assert times for testing memory devices |
US7587655B2 (en) * | 2005-10-26 | 2009-09-08 | Infineon Technologies Ag | Method of transferring signals between a memory device and a memory controller |
JP5175703B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2013-04-03 | 株式会社東芝 | メモリデバイス |
US8279688B2 (en) * | 2010-07-26 | 2012-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sense amplifier enable signal generation |
US9805775B1 (en) * | 2013-11-08 | 2017-10-31 | Altera Corporation | Integrated circuits with improved memory controllers |
KR20220106571A (ko) | 2021-01-22 | 2022-07-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 모드커맨드를 생성하는 장치 |
Family Cites Families (85)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960003526B1 (ko) * | 1992-10-02 | 1996-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리장치 |
US4312068A (en) | 1976-08-12 | 1982-01-19 | Honeywell Information Systems Inc. | Parallel generation of serial cyclic redundancy check |
US4228496A (en) | 1976-09-07 | 1980-10-14 | Tandem Computers Incorporated | Multiprocessor system |
EP0069829B1 (de) | 1981-07-10 | 1985-08-14 | Siemens-Albis Aktiengesellschaft | Bussystem |
GB2128383B (en) | 1982-10-12 | 1986-06-18 | Int Computers Ltd | Data storage unit |
JPS59116829A (ja) | 1982-12-23 | 1984-07-05 | Fujitsu Ltd | マイクロコンピユ−タ |
US4630230A (en) | 1983-04-25 | 1986-12-16 | Cray Research, Inc. | Solid state storage device |
US4849702A (en) | 1983-08-01 | 1989-07-18 | Schlumberger Techologies, Inc. | Test period generator for automatic test equipment |
US4695952A (en) | 1984-07-30 | 1987-09-22 | United Technologies Corporation | Dual redundant bus interface circuit architecture |
GB2177825B (en) | 1985-07-12 | 1989-07-26 | Anamartic Ltd | Control system for chained circuit modules |
US4949301A (en) | 1986-03-06 | 1990-08-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Improved pointer FIFO controller for converting a standard RAM into a simulated dual FIFO by controlling the RAM's address inputs |
US4768190A (en) | 1986-04-30 | 1988-08-30 | Og Corporation | Packet switching network |
US4845664A (en) | 1986-09-15 | 1989-07-04 | International Business Machines Corp. | On-chip bit reordering structure |
US4834890A (en) | 1987-01-30 | 1989-05-30 | Baxter International Inc. | Centrifugation pheresis system |
ZA883232B (en) | 1987-05-06 | 1989-07-26 | Dowd Research Pty Ltd O | Packet switches,switching methods,protocols and networks |
JPS641200A (en) | 1987-06-23 | 1989-01-05 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit |
US5341483A (en) | 1987-12-22 | 1994-08-23 | Kendall Square Research Corporation | Dynamic hierarchial associative memory |
US5099481A (en) | 1989-02-28 | 1992-03-24 | Integrated Device Technology, Inc. | Registered RAM array with parallel and serial interface |
US5321700A (en) * | 1989-10-11 | 1994-06-14 | Teradyne, Inc. | High speed timing generator |
US5381536A (en) | 1989-12-29 | 1995-01-10 | Cray Research, Inc. | Method and apparatus for separate mark and wait instructions for processors having multiple memory ports |
JPH04219859A (ja) | 1990-03-12 | 1992-08-10 | Hewlett Packard Co <Hp> | 並列プロセッサに直列命令ストリームデータを分散するハードウェアディストリビュータ |
EP0447228A3 (en) | 1990-03-16 | 1993-01-07 | Hewlett-Packard Company | Data stream concentrator providing attribute data storage and graphics pipeline access |
IL96808A (en) | 1990-04-18 | 1996-03-31 | Rambus Inc | Introductory / Origin Circuit Agreed Using High-Performance Brokerage |
KR100214435B1 (ko) | 1990-07-25 | 1999-08-02 | 사와무라 시코 | 동기식 버스트 엑세스 메모리 |
US5155521A (en) * | 1990-12-31 | 1992-10-13 | Eastman Kodak Company | Counter-driven shutter actuator control circuit |
US5367643A (en) | 1991-02-06 | 1994-11-22 | International Business Machines Corporation | Generic high bandwidth adapter having data packet memory configured in three level hierarchy for temporary storage of variable length data packets |
US5175732A (en) | 1991-02-15 | 1992-12-29 | Standard Microsystems Corp. | Method and apparatus for controlling data communication operations within stations of a local-area network |
US5454093A (en) | 1991-02-25 | 1995-09-26 | International Business Machines Corporation | Buffer bypass for quick data access |
JPH05134848A (ja) | 1991-03-06 | 1993-06-01 | Fujitsu Ltd | 中央処理装置のデータシフト回路 |
US5297029A (en) | 1991-12-19 | 1994-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
JP2741825B2 (ja) | 1992-04-28 | 1998-04-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置 |
US5309432A (en) | 1992-05-06 | 1994-05-03 | At&T Bell Laboratories | High-speed packet switch |
US5742760A (en) | 1992-05-12 | 1998-04-21 | Compaq Computer Corporation | Network packet switch using shared memory for repeating and bridging packets at media rate |
JP2764360B2 (ja) | 1992-05-18 | 1998-06-11 | 三菱電機株式会社 | 並/直列変換回路、直/並列変換回路およびそれらを含むシステム |
JPH065091A (ja) | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
EP0663083B1 (en) | 1992-09-29 | 2000-12-20 | Seiko Epson Corporation | System and method for handling load and/or store operations in a superscalar microprocessor |
US5615355A (en) | 1992-10-22 | 1997-03-25 | Ampex Corporation | Method and apparatus for buffering a user application from the timing requirements of a DRAM |
JPH06195147A (ja) * | 1992-12-23 | 1994-07-15 | Fujitsu Ltd | クロック制御装置 |
JPH06202933A (ja) | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Toshiba Corp | 同期式大規模集積回路記憶装置 |
JP3244340B2 (ja) | 1993-05-24 | 2002-01-07 | 三菱電機株式会社 | 同期型半導体記憶装置 |
US5732041A (en) | 1993-08-19 | 1998-03-24 | Mmc Networks, Inc. | Memory interface unit, shared memory switch system and associated method |
JP3904244B2 (ja) | 1993-09-17 | 2007-04-11 | 株式会社ルネサステクノロジ | シングル・チップ・データ処理装置 |
US5402390A (en) | 1993-10-04 | 1995-03-28 | Texas Instruments Inc. | Fuse selectable timing signals for internal signal generators |
US5355345A (en) * | 1993-10-04 | 1994-10-11 | At&T Bell Laboratories | Fully scalable memory apparatus |
US5584009A (en) | 1993-10-18 | 1996-12-10 | Cyrix Corporation | System and method of retiring store data from a write buffer |
US5566325A (en) | 1994-06-30 | 1996-10-15 | Digital Equipment Corporation | Method and apparatus for adaptive memory access |
US5490059A (en) * | 1994-09-02 | 1996-02-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Heuristic clock speed optimizing mechanism and computer system employing the same |
JP2697634B2 (ja) * | 1994-09-30 | 1998-01-14 | 日本電気株式会社 | 同期型半導体記憶装置 |
US5682496A (en) | 1995-02-10 | 1997-10-28 | Micron Quantum Devices, Inc. | Filtered serial event controlled command port for memory |
US5713005A (en) | 1995-02-10 | 1998-01-27 | Townsend And Townsend And Crew Llp | Method and apparatus for pipelining data in an integrated circuit |
US5848431A (en) | 1995-02-21 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Synchronous SRAMs having multiple chip select inputs and a standby chip enable input |
US5737748A (en) | 1995-03-15 | 1998-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Microprocessor unit having a first level write-through cache memory and a smaller second-level write-back cache memory |
US5701434A (en) | 1995-03-16 | 1997-12-23 | Hitachi, Ltd. | Interleave memory controller with a common access queue |
KR0152914B1 (ko) | 1995-04-21 | 1998-12-01 | 문정환 | 반도체 메모리장치 |
US5793996A (en) | 1995-05-03 | 1998-08-11 | Apple Computer, Inc. | Bridge for interconnecting a computer system bus, an expansion bus and a video frame buffer |
US5600605A (en) | 1995-06-07 | 1997-02-04 | Micron Technology, Inc. | Auto-activate on synchronous dynamic random access memory |
US5907864A (en) | 1995-06-07 | 1999-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Data processing device with time-multiplexed memory bus |
US5655105A (en) | 1995-06-30 | 1997-08-05 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for multiple latency synchronous pipelined dynamic random access memory |
US5887146A (en) | 1995-08-14 | 1999-03-23 | Data General Corporation | Symmetric multiprocessing computer with non-uniform memory access architecture |
US5742840A (en) | 1995-08-16 | 1998-04-21 | Microunity Systems Engineering, Inc. | General purpose, multiple precision parallel operation, programmable media processor |
US5666321A (en) * | 1995-09-01 | 1997-09-09 | Micron Technology, Inc. | Synchronous DRAM memory with asynchronous column decode |
US6035369A (en) | 1995-10-19 | 2000-03-07 | Rambus Inc. | Method and apparatus for providing a memory with write enable information |
JPH09161475A (ja) | 1995-12-01 | 1997-06-20 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
US5636174A (en) | 1996-01-11 | 1997-06-03 | Cirrus Logic, Inc. | Fast cycle time-low latency dynamic random access memories and systems and methods using the same |
JP4084428B2 (ja) | 1996-02-02 | 2008-04-30 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR100215439B1 (ko) | 1996-02-08 | 1999-08-16 | 윤종용 | 고속의 데이타 구문분석 제어회로 |
US5835925A (en) | 1996-03-13 | 1998-11-10 | Cray Research, Inc. | Using external registers to extend memory reference capabilities of a microprocessor |
US5860080A (en) | 1996-03-19 | 1999-01-12 | Apple Computer, Inc. | Multicasting system for selecting a group of memory devices for operation |
US5652733A (en) * | 1996-04-29 | 1997-07-29 | Mosaid Technologies Inc. | Command encoded delayed clock generator |
US5889781A (en) * | 1996-06-11 | 1999-03-30 | Vlsi Technology | Asynchronous timing generator |
US6212601B1 (en) | 1996-08-30 | 2001-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Microprocessor system with block move circuit disposed between cache circuits |
TW353176B (en) | 1996-09-20 | 1999-02-21 | Hitachi Ltd | A semiconductor device capable of holding signals independent of the pulse width of an external clock and a computer system including the semiconductor |
KR100237565B1 (ko) | 1996-10-25 | 2000-01-15 | 김영환 | 반도체 메모리장치 |
US5920710A (en) | 1996-11-18 | 1999-07-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus and method for modifying status bits in a reorder buffer with a large speculative state |
JP4057084B2 (ja) | 1996-12-26 | 2008-03-05 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
US6175894B1 (en) | 1997-03-05 | 2001-01-16 | Micron Technology, Inc. | Memory device command buffer apparatus and method and memory devices and computer systems using same |
US5831929A (en) | 1997-04-04 | 1998-11-03 | Micron Technology, Inc. | Memory device with staggered data paths |
US6032232A (en) | 1997-05-29 | 2000-02-29 | 3Com Corporation | Multiported memory access system with arbitration and a source burst limiter for blocking a memory access request |
US5825711A (en) | 1997-06-13 | 1998-10-20 | Micron Technology, Inc. | Method and system for storing and processing multiple memory addresses |
US5996043A (en) | 1997-06-13 | 1999-11-30 | Micron Technology, Inc. | Two step memory device command buffer apparatus and method and memory devices and computer systems using same |
US6032220A (en) | 1997-07-18 | 2000-02-29 | Micron Technology, Inc. | Memory device with dual timing and signal latching control |
JP3334589B2 (ja) * | 1998-01-13 | 2002-10-15 | 日本電気株式会社 | 信号遅延装置及び半導体記憶装置 |
US6175905B1 (en) | 1998-07-30 | 2001-01-16 | Micron Technology, Inc. | Method and system for bypassing pipelines in a pipelined memory command generator |
US6178488B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-01-23 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for processing pipelined memory commands |
US6266750B1 (en) | 1999-01-15 | 2001-07-24 | Advanced Memory International, Inc. | Variable length pipeline with parallel functional units |
-
1997
- 1997-02-11 US US08/798,229 patent/US6230245B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-02-11 AU AU61464/98A patent/AU6146498A/en not_active Abandoned
- 1998-02-11 KR KR10-1999-7007265A patent/KR100495201B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-02-11 EP EP98906164A patent/EP0958578B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-11 DE DE69810897T patent/DE69810897T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-11 WO PCT/US1998/002237 patent/WO1998035355A1/en active IP Right Grant
- 1998-02-11 AT AT98906164T patent/ATE231647T1/de not_active IP Right Cessation
- 1998-02-11 JP JP53489598A patent/JP3804990B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-19 US US09/812,622 patent/US6708262B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1998035355A1 (en) | 1998-08-13 |
DE69810897D1 (de) | 2003-02-27 |
EP0958578B1 (en) | 2003-01-22 |
US6708262B2 (en) | 2004-03-16 |
KR20000070999A (ko) | 2000-11-25 |
US20030070037A1 (en) | 2003-04-10 |
JP2002513496A (ja) | 2002-05-08 |
DE69810897T2 (de) | 2003-11-20 |
EP0958578A1 (en) | 1999-11-24 |
ATE231647T1 (de) | 2003-02-15 |
US6230245B1 (en) | 2001-05-08 |
AU6146498A (en) | 1998-08-26 |
KR100495201B1 (ko) | 2005-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3804990B2 (ja) | メモリ装置コマンド信号生成器 | |
US5537354A (en) | Semiconductor memory device and method of forming the same | |
US7185173B2 (en) | Column address path circuit and method for memory devices having a burst access mode | |
US5784332A (en) | Clock frequency detector for a synchronous memory device | |
KR100233973B1 (ko) | 동기형 반도체 기억 장치 | |
US11276442B2 (en) | Apparatuses and methods for clock leveling in semiconductor memories | |
US20030026138A1 (en) | Semiconductor memory device having write latency operation and method thereof | |
KR20220073856A (ko) | 입력 클록 신호와 다상 클록 신호 간의 위상 관계를 결정하기 위한 장치 및 방법 | |
KR100377840B1 (ko) | 반도체 기억 장치 | |
JP4439033B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20090052260A1 (en) | Semiconductor memory device | |
US6564287B1 (en) | Semiconductor memory device having a fixed CAS latency and/or burst length | |
US6249483B1 (en) | Semiconductor memory device having a circuit for latching data from a data line of a data output path and a related data latching method | |
US6456563B1 (en) | Semiconductor memory device that operates in sychronization with a clock signal | |
US6166970A (en) | Priority determining apparatus using the least significant bit and CAS latency signal in DDR SDRAM device | |
US7254090B2 (en) | Semiconductor memory device | |
EP0766251A2 (en) | Semiconducteur memory device having extended margin in latching input signal | |
US7154316B2 (en) | Circuit for controlling pulse width | |
US6771557B2 (en) | Predecode column architecture and method | |
JPH09180443A (ja) | 半導体メモリ回路 | |
US5654934A (en) | Semiconductor memory employing a block-write system | |
US5663912A (en) | Semiconductor memory device | |
KR20030033511A (ko) | 스토리지 커패시터를 포함하는 셀을 갖는 에스램의리프레쉬장치 및 그 방법 | |
JP2002117672A (ja) | 半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050823 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20051117 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060223 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060425 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060509 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 3 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 3 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120519 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130519 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130519 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |