JP3792296B2 - 蛍光管用スタータ装置および装置を実現する半導体コンポーネント - Google Patents
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Description
【発明の分野】
この発明は、蛍光管用のスタータおよびそのモノリシックの実現化例に関する。
【0002】
【関連技術の説明】
図1は、固体スイッチを有する蛍光管(たとえばネオン管)用の従来のスタータ回路を表わす。蛍光管FTは、蛍光が生じ得るガスにより分離された2つの電極を含む。これら2つの電極は、それぞれ抵抗フィラメントr1およびr2に対応する。フィラメントr1の第1の端子がインダクタンスLおよびターンオンスイッチSWを介してa.c.電圧源S(一般にコンセントからの電源)に接続される。フィラメントr2の第1の端子が電源Sの第2の端子に接続される。フィラメントr1の第2の端子A1とフィラメントr2の第2の端子A2とが整流ダイオードブリッジDBのa.c.入力に接続される。整流ブリッジDBのd.c.端子がスイッチに接続され、これは例示の実施例においてサイリスタThにより形成される。サイリスタThのゲートが抵抗器Rを介してブリッジDBの正端子に接続され、かつ集積回路ICを介してブリッジDBの負端子に接続される。
【0003】
回路がパワーオンになるとすぐに、サイリスタThは、抵抗器Rを介して流れる電流により導通される。その結果、電流がフィラメントr1およびr2内を流れかつそれらを加熱する。起動段階の間、集積回路ICがサイリスタThのゲートおよびカソード端子を短絡させるためサイリスタThが半周期の間においてオフになる。インダクタンスLはターンオフの瞬間に、蛍光管FTに供給していた電流を維持しようとする。したがって、端子A1およびA2の間の電圧が急速に増大し、蛍光管はトリガされる。一旦トリガが得られると、サイリスタThはオフに保たれ、蛍光管は半周期ごとに再びそれ自体でトリガする。
【0004】
そのような回路には複数の欠点がある。
第1の欠点とは、固体スイッチング回路ICの電圧降下が大きいことであり、なぜならそれが2つのダイオード電圧降下に導通状態のサイリスタに掛かる電圧降下を加えたものに対応するからである。
【0005】
さらなる欠点とは、制御集積回路に供給するために特定の供給源を設けなければならないということである。
【0006】
【発明の概要】
この発明の目的は、上記の欠点をなくす蛍光管用スタータ装置を提供することである。
【0007】
この発明の別の目的は、モノリシックの半導体コンポーネントの形で達成され得る装置を提供することである。
【0008】
この発明に従って、蛍光管用スタータ装置は、バラストインダクタンスに直列のA.C.供給源と蛍光管の第1および第2のフィラメントとを含む負荷回路に関連している。装置はフィラメントの第2の端子間に接続され、第2の端子間に、ヘッドからテールに接続された第1および第2の主サイリスタと、ダイオードに直列のツェナー保護ダイオードと制御集積回路とを含む。第1のサイリスタのゲートが、抵抗器を介して第2の端子の一方と、補助サイリスタとツェナーダイオードとの直列接続を介して第2の端子の他方とに接続される。補助サイリスタのゲートが、集積回路の制御端子と、抵抗器を介して第2の端子の他方とに接続される。補助サイリスタのカソードが集積回路の供給端子と接続され、かつ蓄積キャパシタを介して第2の端子の上記一方に接続される。アノードゲート主サイリスタのゲートが集積回路の制御端子に接続される。
【0009】
この発明の実施例に従って、上記装置を実現する半導体コンポーネントにおいて、第1のサイリスタおよび補助サイリスタは、垂直サイリスタであってそれらのカソードゲート領域が、より低くドープされたP型ウェル内で配置されたP型ウェルにより形成されたものであり、第2のサイリスタは、アノードゲート垂直サイリスタであってそのアノードが第1のサイリスタおよび補助サイリスタのゲートウェルと同じ型のおよび同じドープレベルの層により形成されたものであり、上記アノード層は、より低いドープレベルを有するアノードと同じ導電型を有するガードリングにより囲まれている。
【0010】
この発明の前述の点および他の目的、特徴、局面および利点は、添付図面と関連されるとこの発明の以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【0011】
【好ましい実施例の詳細な説明】
図2はこの発明の実施例に従った回路を表わす。図2において、フィラメントr1の第2の端子A1がサイリスタTh1のアノードとサイリスタTh4のカソードとに接続される。フィラメントr2の第2の端子A2がサイリスタTh1のカソードとサイリスタTh4のアノードとに接続される。サイリスタTh1のゲートが抵抗器RGを介して端子A2と、サイリスタTh2およびツェナーダイオードZの直列接続を介して端子A1とに接続される。サイリスタTh2のゲートが抵抗器15を介してそのアノードに接続され、制御集積回路ICの端子Gに対応する。サイリスタTh2のカソードが端子2に接続され、これは集積回路ICの端子とキャパシタC1の第1の端子とに対応し、キャパシタC1は端子2および端子A2の間で接続される。サイリスタTh4が正電流によりそのアノードで制御される。集積回路ICの端子4がサイリスタTh4のゲートを制御する。図2は、サイリスタTh1の主端子とサイリスタTh4の主端子との間に結合された直接ダイオードD2に直列の保護ツェナーダイオードZ2も表わす。
【0012】
電源電圧Sがコンセントからの電源(220 V rms)に対応する実用的な応用において、以下のパラメータを用いることができる。
【0013】
【表1】
【0014】
図2の回路の動作は図3から図8に関連してよく理解される。ここでは、時間t10前に経過した時間間隔がフィラメントの初期の加熱に対応し、時間t10に続く時間間隔が蛍光管の起動とその後の動作とに対応している。
【0015】
加熱モードにおいて、時間t1からt2までのサイリスタTh2の初期導通に続いて時間t2でサイリスタTh1が導通し、このときダイオードZの端子間にかかる電圧がダイオードZのアバランシェ電圧を越える。図7の曲線VC1により表わされるように、キャパシタC1はt1からt2の期間に充電される。次いで、サイリスタTh2の導通期間において、キャパシタC1は極わずかに放電して集積回路ICに供給する。図8に表わされるように、この期間において蛍光管に掛かる電圧VFTは実質的に一定のままであり、サイリスタTh1に掛かる電圧降下に対応している。
【0016】
上で示されたように、サイリスタTh1は高保持電流IH1を有し得る。したがって、電源電圧VSを無視できない時間t3で、サイリスタTh1は阻止され、サイリスタTh2は再び導通する。半周期の終わりに対応する時間t3および時間t4の間に、キャパシタC1は再び充電される。したがって、キャパシタC1の非常に規則的な充電が得られ、これは各半周期の終わりと始まりとで実質的にバランスが保たれている。
【0017】
時間t5で、集積回路ICは、導通するようにサイリスタTh4を制御する。その結果、サイリスタTh4は(おそらくは図6の曲線ITh4に表わされるわずかな遅延を有して)導通する。この導通は電流が0に近い時間t6でストップし、このサイリスタは低保持電流IH4を有する。注目されるのは、正であるゲート電流が、再びちょうど充電されたキャパシタC1から集積回路により、サイリスタTh4のアノードゲートに与えられるということである。
【0018】
時間t7およびt8の間、波形はt1およびt2の間と同じである。 時間t10でフィラメントは十分に加熱され、蛍光管をトリガすることが所望される。サイリスタTh1がオフになる時間である時間t11で、集積回路ICは端子GおよびA2を短絡させる。サイリスタTh2はそのゲートでキャパシタC1の逆電圧を受取り、オフになる。バラストインダクタンスLは、そこを通って流れる電流を維持しようとする。端子A1およびA2の間の電圧はダイオードZ2のアバランシェ電圧まで急速に増大する(図8に図示)。したがって、蛍光管FTが点灯し得るのであり、その端子間の電圧は、インダクタンスLにより課された電流により固定される。インダクタンスLは電流発生器として作用し、蛍光管FTに掛かる電圧はほぼ100ボルトまで降下する。このような電圧は再び点灯回路をトリガするのに不十分であり、これは待機状態のままである。もし蛍光管がトリガされなけば、ダイオードZ2が保護要素の役割をし、ダイオードZ2のアバランシェ電圧に達すると、ダイオードZ2は導通する。次いで、上で説明した現象は、蛍光管がトリガするまで、正の半周期の終わりごとに繰返される。
【0019】
図2の回路により達成された機能を実現する半導体コンポーネントを製作するために、サイリスタTh1およびTh2は、ツェナーダイオードZ2のアバランシェ電圧よりも高いような高い順方向電圧に耐えるように適合され、サイリスタTh1およびTh2はコンセントからの電源の逆電圧に耐えるように適合されるだろうことが注目される。同様に、サイリスタTh4は、逆モードではダイオードZ2のアバランシェ電圧よりも高い電圧に耐えかつ順方向モードではコンセントからの電源電圧よりも高い電圧に耐えるように適合されなければならない。
【0020】
図9および図10は、そのような高電圧に耐えるように適合された回路の概略的な断面図および上面図である。半導体コンポーネントを表現する分野においてよくあるように、図9は非常に概略的であるということがわかるだろう。さらに、図10の上面図は図9の断面図に厳密に対応していない。当業者はさまざまな層および領域の配置および表面を調整して、コンポーネントの特徴、より特定的には起こり得る電流の流れおよびツェナー電圧を最適化することができる。
【0021】
図9および図10に示される例において、コンポーネントはN基板で形成される。コンポーネントの底表面が底表面のメタライゼーションAで被覆されたP型層23を含み、これはサイリスタTh2およびサイリスタTh1のアノードに対応する。サイリスタTh1は垂直方向に配置され、上面から、エミッタ短絡を含みP型ウェル25内に形成されたカソード層24と、基板21内に形成された上記P型ウェル25とを含む。ウェル25の一部にN型領域26が形成され、これはウェル25とともに、ダイオードZに対応するツェナー接合を形成する。N型領域29を含む第2のP型ウェル28が垂直サイリスタTh2を形成する。サイリスタTh2は領域29、28、21および23を含む。サイリスタTh2のカソード29はメタライゼーション30を介してツェナーダイオードZのカソード26に接続される。
【0022】
メタライゼーション30は図2の供給端子2に対応する。ウェル28はゲートメタライゼーションGで被覆される。抵抗器RGはカソード層24の下の領域25の抵抗により形成される。
【0023】
P型ウェル51が基板の上部に形成される。下表面側では、ゲート領域28の少なくとも一部とウェル51との下に、N型領域52が形成される。領域51,21,23および52はサイリスタTh4を形成する。ウェル51を被覆するメタライゼーションが、領域24を覆いかつ主電極A2を形成するメタライゼーションに接続される。
【0024】
ウェル51に近接して、ゲートメタライゼーション4と接続されるP領域64が形成される。N領域65が領域64内に形成されかつメタライゼーションを介してサイリスタTh4のアノード51に接続される。端子A2に対し正の電圧がゲート4に与えられると、電流が領域64から領域65の方へ向かって流れる。もしそのとき端子A1が端子A2に対し負であるならば、サイリスタTh4は順方向にバイアスされ、トリガされるだろう。
【0025】
当然のことながら、さまざまな修正および改善をこの構造にもたらすことは可能である。たとえば、Pウェル58が構造の周囲で示された。
【0026】
さらに、少なくとも上面のPウェルはさまざまなコンポーネントの降伏電圧を改善するためにP- 拡散で形成される。したがって、ウェル25はP- ウェル61内に配置され、ウェル28はP- ウェル62内に配置され、および領域64はP- ウェル63′内に配置される。サイリスタTh4のアノード51はP- リング63により囲まれる。層51および基板21の間の接合が、同じドープレベルを有するさまざまな層61、62および63と基板21との間の接合よりも低い電圧で壊れるように、P- リングは層51に対し十分に低くドープされる。層51と基板21との間のこの接合がツェナーダイオードZ2を構成する。ツェナーダイオードZ2は、インダクタンス内に蓄積されたハイエネルギを引出すように適合される。なぜなら、バルク内で破壊が生じるからである。ダイオードZ2の電流の流れ容量もその表面を増大させることにより増大させることができる。したがって、層51は、サイリスタTh4のアノードとツェナーダイオードZ2のアノード(そのカソードは基板21である)とを形成し、ダイオードD2はP層23とN基板21との間に配置される。
【0027】
サイリスタTh1およびTh4のカソードを形成するN領域24および52は、従来のエミッタ短絡を有し得る。これらの短絡は特にサイリスタTh1の保持電流IH1を調整するのに用いられる。サイリスタTh4の短絡ホールの濃度は、その感度を過度に低減させないためにより低い。
【0028】
図10は、メタライゼーションを示していない、図9のコンポーネントの実施例の概略的な上面図である。図10の各々の層には図9と対応の符号が付される。
【0029】
したがって、この発明の少なくとも1つの例示の実施例を説明したが、さまざまな代替、修正および改善が当業者には容易に生じるであろう。そのような代替、修正および改善はこの発明の精神および範囲内に意図されたものである。したがって、前述の説明は例として示されるだけであり限定を意図するものではない。この発明は前掲の特許請求の範囲およびその均等物において規定されるように限定されるだけである。
【図面の簡単な説明】
【図1】蛍光管用の従来のスタータ回路を表わす図である。
【図2】この発明の実施例に従った蛍光管用スタータ回路を表わす図である。
【図3】図2のスタータ回路の供給源(S)の電圧波形を示す曲線を示す図である。
【図4】図2のスタータ回路のTh2の電流波形を示す曲線を示す図である。
【図5】図2のスタータ回路のTh1の電流波形を示す曲線を示す図である。
【図6】図2のスタータ回路のTh4の電流波形を示す曲線を示す図である。
【図7】図2のスタータ回路のC1の電圧波形を示す曲線を示す図である。
【図8】図2のスタータ回路のFTの電圧波形を示す曲線を示す図である。
【図9】この発明の実施例に従った蛍光管を起動させるためのモノリシックの半導体コンポーネントの概略的な断面図である。
【図10】この発明の実施例に従った蛍光管を起動させるためのモノリシックの半導体コンポーネントの概略的な上面図である。
【符号の説明】
S 供給源
L バラストインダクタンス
r1 第1のフィラメント
r2 第2のフィラメント
FT 蛍光管
A1 第1の端子
A2 第2の端子
Th1 第1の主サイリスタ
Th4 第2の主サイリスタ
Z2 保護ダイオード
D2 ダイオード
IC 制御集積回路
RG 抵抗器
Th2 補助サイリスタ
C1 蓄積キャパシタ
Claims (2)
- バラストインダクタンス(L)に直列のA.C.供給源(S)と蛍光管(FT)の第1および第2のフィラメント(r1,r2)とを含む負荷回路に関連した蛍光管用スタータ装置であって、前記装置は前記フィラメントの第2の端子(A1,A2)間に接続され、さらに、
前記第2の端子(A1,A2)間にヘッドからテールに接続された第1および第2の主サイリスタ(Th1,Th4)、ならびにダイオード(D2)に直列のツェナー保護ダイオード(Z2)と、
制御集積回路(IC)とを含み、
前記第1のサイリスタ(Th1)のゲートは抵抗器(RG)を介して前記第2の端子の一方(A2)に接続され、かつツェナーダイオード(Z)と補助サイリスタ(Th2)との直列接続を介して前記第2の端子の他方(A1)に接続され、前記補助サイリスタのゲートは前記集積回路の制御端子に接続され、かつ抵抗器(15)を介して前記第2の端子の前記他方に接続され、前記補助サイリスタのカソードは前記集積回路の供給端子と接続され、かつ蓄積キャパシタ(C1)を介して前記第2の端子の前記一方に接続され、アノードゲート主サイリスタのゲートは前記集積回路の制御端子に接続される、蛍光管用スタータ装置。 - 前記第1のサイリスタ(Th1)および前記補助サイリスタ(Th2)は垂直サイリスタであって、それらのカソードゲート領域は、より低くドープされたP- 型ウェル(61,62)内に配置されたP型ウェル(25,28)により形成され、
前記第2のサイリスタ(Th4)はアノードゲート垂直サイリスタであって、そのアノードは、前記第1のサイリスタおよび前記補助サイリスタのゲートウェル(25,28)と同じ型でかつ同じドープレベルの層(51)により形成され、前記アノード層(51)は、より低いドープレベルを有する前記アノードと同じ導通型を有するガードリング(63)により囲まれる、請求項1の装置を実現する半導体コンポーネント。
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