JPH0922785A - 蛍光管用スタータ装置および装置を実現する半導体コンポーネント - Google Patents

蛍光管用スタータ装置および装置を実現する半導体コンポーネント

Info

Publication number
JPH0922785A
JPH0922785A JP8123442A JP12344296A JPH0922785A JP H0922785 A JPH0922785 A JP H0922785A JP 8123442 A JP8123442 A JP 8123442A JP 12344296 A JP12344296 A JP 12344296A JP H0922785 A JPH0922785 A JP H0922785A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thyristor
gate
terminal
voltage
anode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8123442A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3792296B2 (ja
Inventor
Robert Pezzani
ロベール・ペザニ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SGS THOMSON MICROELECTRONICS
STMicroelectronics SA
Original Assignee
SGS THOMSON MICROELECTRONICS
SGS Thomson Microelectronics SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SGS THOMSON MICROELECTRONICS, SGS Thomson Microelectronics SA filed Critical SGS THOMSON MICROELECTRONICS
Publication of JPH0922785A publication Critical patent/JPH0922785A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3792296B2 publication Critical patent/JP3792296B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/725—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for ac voltages or currents
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/02—Details
    • H05B41/04—Starting switches
    • H05B41/042—Starting switches using semiconductor devices
    • H05B41/044—Starting switches using semiconductor devices for lamp provided with pre-heating electrodes
    • H05B41/046—Starting switches using semiconductor devices for lamp provided with pre-heating electrodes using controlled semiconductor devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S315/00—Electric lamp and discharge devices: systems
    • Y10S315/05—Starting and operating circuit for fluorescent lamp

Landscapes

  • Thyristors (AREA)
  • Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電圧降下が小さくモノリシックの半導体コン
ポーネントの形のスタータ回路を提供する。 【解決手段】 蛍光管（ＦＴ）用のスタータ装置は、２
つの端子（Ａ１，Ａ２）間に並列にヘッドからテールに
接続された第１の主サイリスタ（Ｔｈ１）および第２の
主サイリスタ（Ｔｈ４）とツェナー保護ダイオード（Ｚ
２）とを含む。第１のサイリスタのゲートは抵抗器（Ｒ
Ｇ）を介して端子の一方に接続され、かつツェナーダイ
オード（Ｚ）と補助サイリスタ（Ｔｈ２）との直列接続
を介して他方の端子に接続される。補助サイリスタのゲ
ートは集積回路（ＩＣ）の制御端子に接続される。補助
サイリスタのカソードは集積回路の供給端子と接続され
かつ蓄積キャパシタ（Ｃ１）に接続される。第２のサイ
リスタのゲートは集積回路の制御端子に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】この発明は、蛍光管用のスタータおよび
そのモノリシックの実現化例に関する。
【０００２】
【関連技術の説明】図１は、固体スイッチを有する蛍光
管（たとえばネオン管）用の従来のスタータ回路を表わ
す。蛍光管ＦＴは、蛍光が生じ得るガスにより分離され
た２つの電極を含む。これら２つの電極は、それぞれ抵
抗フィラメントｒ１およびｒ２に対応する。フィラメン
トｒ１の第１の端子がインダクタンスＬおよびターンオ
ンスイッチＳＷを介してａ．ｃ．電圧源Ｓ（一般にコン
セントからの電源）に接続される。フィラメントｒ２の
第１の端子が電源Ｓの第２の端子に接続される。フィラ
メントｒ１の第２の端子Ａ１とフィラメントｒ２の第２
の端子Ａ２とが整流ダイオードブリッジＤＢのａ．ｃ．
入力に接続される。整流ブリッジＤＢのｄ．ｃ．端子が
スイッチに接続され、これは例示の実施例においてサイ
リスタＴｈにより形成される。サイリスタＴｈのゲート
が抵抗器Ｒを介してブリッジＤＢの正端子に接続され、
かつ集積回路ＩＣを介してブリッジＤＢの負端子に接続
される。
【０００３】回路がパワーオンになるとすぐに、サイリ
スタＴｈは、抵抗器Ｒを介して流れる電流により導通さ
れる。その結果、電流がフィラメントｒ１およびｒ２内
を流れかつそれらを加熱する。起動段階の間、集積回路
ＩＣがサイリスタＴｈのゲートおよびカソード端子を短
絡させるためサイリスタＴｈが半周期の間においてオフ
になる。インダクタンスＬはターンオフの瞬間に、蛍光
管ＦＴに供給していた電流を維持しようとする。したが
って、端子Ａ１およびＡ２の間の電圧が急速に増大し、
蛍光管はトリガされる。一旦トリガが得られると、サイ
リスタＴｈはオフに保たれ、蛍光管は半周期ごとに再び
それ自体でトリガする。
【０００４】そのような回路には複数の欠点がある。第
１の欠点とは、固体スイッチング回路ＩＣの電圧降下が
大きいことであり、なぜならそれが２つのダイオード電
圧降下に導通状態のサイリスタに掛かる電圧降下を加え
たものに対応するからである。
【０００５】さらなる欠点とは、制御集積回路に供給す
るために特定の供給源を設けなければならないというこ
とである。
【０００６】
【発明の概要】この発明の目的は、上記の欠点をなくす
蛍光管用スタータ装置を提供することである。
【０００７】この発明の別の目的は、モノリシックの半
導体コンポーネントの形で達成され得る装置を提供する
ことである。
【０００８】この発明に従って、蛍光管用スタータ装置
は、バラストインダクタンスに直列のＡ．Ｃ．供給源と
蛍光管の第１および第２のフィラメントとを含む負荷回
路に関連している。装置はフィラメントの第２の端子間
に接続され、第２の端子間に、ヘッドからテールに接続
された第１および第２の主サイリスタと、ダイオードに
直列のツェナー保護ダイオードと制御集積回路とを含
む。第１のサイリスタのゲートが、抵抗器を介して第２
の端子の一方と、補助サイリスタとツェナーダイオード
との直列接続を介して第２の端子の他方とに接続され
る。補助サイリスタのゲートが、集積回路の制御端子
と、抵抗器を介して第２の端子の他方とに接続される。
補助サイリスタのカソードが集積回路の供給端子と接続
され、かつ蓄積キャパシタを介して第２の端子の上記一
方に接続される。アノードゲート主サイリスタのゲート
が集積回路の制御端子に接続される。
【０００９】この発明の実施例に従って、上記装置を実
現する半導体コンポーネントにおいて、第１のサイリス
タおよび補助サイリスタは、垂直サイリスタであってそ
れらのカソードゲート領域が、より低くドープされたＰ
型ウェル内で配置されたＰ型ウェルにより形成されたも
のであり、第２のサイリスタは、アノードゲート垂直サ
イリスタであってそのアノードが第１のサイリスタおよ
び補助サイリスタのゲートウェルと同じ型のおよび同じ
ドープレベルの層により形成されたものであり、上記ア
ノード層は、より低いドープレベルを有するアノードと
同じ導電型を有するガードリングにより囲まれている。
【００１０】この発明の前述の点および他の目的、特
徴、局面および利点は、添付図面と関連されるとこの発
明の以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【００１１】
【好ましい実施例の詳細な説明】図２はこの発明の実施
例に従った回路を表わす。図２において、フィラメント
ｒ１の第２の端子Ａ１がサイリスタＴｈ１のアノードと
サイリスタＴｈ４のカソードとに接続される。フィラメ
ントｒ２の第２の端子Ａ２がサイリスタＴｈ１のカソー
ドとサイリスタＴｈ４のアノードとに接続される。サイ
リスタＴｈ１のゲートが抵抗器ＲＧを介して端子Ａ２
と、サイリスタＴｈ２およびツェナーダイオードＺの直
列接続を介して端子Ａ１とに接続される。サイリスタＴ
ｈ２のゲートが抵抗器１５を介してそのアノードに接続
され、制御集積回路ＩＣの端子Ｇに対応する。サイリス
タＴｈ２のカソードが端子２に接続され、これは集積回
路ＩＣの端子とキャパシタＣ１の第１の端子とに対応
し、キャパシタＣ１は端子２および端子Ａ２の間で接続
される。サイリスタＴｈ４が正電流によりそのアノード
で制御される。集積回路ＩＣの端子４がサイリスタＴｈ
４のゲートを制御する。図２は、サイリスタＴｈ１の主
端子とサイリスタＴｈ４の主端子との間に結合された直
接ダイオードＤ２に直列の保護ツェナーダイオードＺ２
も表わす。
【００１２】電源電圧Ｓがコンセントからの電源（２２
０ Ｖ ｒｍｓ）に対応する実用的な応用において、以
下のパラメータを用いることができる。
【００１３】
【表１】
【００１４】図２の回路の動作は図３から図８に関連し
てよく理解される。ここでは、時間ｔ１０前に経過した
時間間隔がフィラメントの初期の加熱に対応し、時間ｔ
１０に続く時間間隔が蛍光管の起動とその後の動作とに
対応している。
【００１５】加熱モードにおいて、時間ｔ１からｔ２ま
でのサイリスタＴｈ２の初期導通に続いて時間ｔ２でサ
イリスタＴｈ１が導通し、このときダイオードＺの端子
間にかかる電圧がダイオードＺのアバランシェ電圧を越
える。図７の曲線ＶＣ１により表わされるように、キャ
パシタＣ１はｔ１からｔ２の期間に充電される。次い
で、サイリスタＴｈ２の導通期間において、キャパシタ
Ｃ１は極わずかに放電して集積回路ＩＣに供給する。図
８に表わされるように、この期間において蛍光管に掛か
る電圧ＶＦＴは実質的に一定のままであり、サイリスタ
Ｔｈ１に掛かる電圧降下に対応している。
【００１６】上で示されたように、サイリスタＴｈ１は
高保持電流ＩＨ１を有し得る。したがって、電源電圧Ｖ
Ｓを無視できない時間ｔ３で、サイリスタＴｈ１は阻止
され、サイリスタＴｈ２は再び導通する。半周期の終わ
りに対応する時間ｔ３および時間ｔ４の間に、キャパシ
タＣ１は再び充電される。したがって、キャパシタＣ１
の非常に規則的な充電が得られ、これは各半周期の終わ
りと始まりとで実質的にバランスが保たれている。
【００１７】時間ｔ５で、集積回路ＩＣは、導通するよ
うにサイリスタＴｈ４を制御する。その結果、サイリス
タＴｈ４は（おそらくは図６の曲線ＩＴｈ４に表わされ
るわずかな遅延を有して）導通する。この導通は電流が
０に近い時間ｔ６でストップし、このサイリスタは低保
持電流ＩＨ４を有する。注目されるのは、正であるゲー
ト電流が、再びちょうど充電されたキャパシタＣ１から
集積回路により、サイリスタＴｈ４のアノードゲートに
与えられるということである。
【００１８】時間ｔ７およびｔ８の間、波形はｔ１およ
びｔ２の間と同じである。 時間ｔ１０でフィラメント
は十分に加熱され、蛍光管をトリガすることが所望され
る。サイリスタＴｈ１がオフになる時間である時間ｔ１
１で、集積回路ＩＣは端子ＧおよびＡ２を短絡させる。
サイリスタＴｈ２はそのゲートでキャパシタＣ１の逆電
圧を受取り、オフになる。バラストインダクタンスＬ
は、そこを通って流れる電流を維持しようとする。端子
Ａ１およびＡ２の間の電圧はダイオードＺ２のアバラン
シェ電圧まで急速に増大する（図８に図示）。したがっ
て、蛍光管ＦＴが点灯し得るのであり、その端子間の電
圧は、インダクタンスＬにより課された電流により固定
される。インダクタンスＬは電流発生器として作用し、
蛍光管ＦＴに掛かる電圧はほぼ１００ボルトまで降下す
る。このような電圧は再び点灯回路をトリガするのに不
十分であり、これは待機状態のままである。もし蛍光管
がトリガされなけば、ダイオードＺ２が保護要素の役割
をし、ダイオードＺ２のアバランシェ電圧に達すると、
ダイオードＺ２は導通する。次いで、上で説明した現象
は、蛍光管がトリガするまで、正の半周期の終わりごと
に繰返される。
【００１９】図２の回路により達成された機能を実現す
る半導体コンポーネントを製作するために、サイリスタ
Ｔｈ１およびＴｈ２は、ツェナーダイオードＺ２のアバ
ランシェ電圧よりも高いような高い順方向電圧に耐える
ように適合され、サイリスタＴｈ１およびＴｈ２はコン
セントからの電源の逆電圧に耐えるように適合されるだ
ろうことが注目される。同様に、サイリスタＴｈ４は、
逆モードではダイオードＺ２のアバランシェ電圧よりも
高い電圧に耐えかつ順方向モードではコンセントからの
電源電圧よりも高い電圧に耐えるように適合されなけれ
ばならない。
【００２０】図９および図１０は、そのような高電圧に
耐えるように適合された回路の概略的な断面図および上
面図である。半導体コンポーネントを表現する分野にお
いてよくあるように、図９は非常に概略的であるという
ことがわかるだろう。さらに、図１０の上面図は図９の
断面図に厳密に対応していない。当業者はさまざまな層
および領域の配置および表面を調整して、コンポーネン
トの特徴、より特定的には起こり得る電流の流れおよび
ツェナー電圧を最適化することができる。
【００２１】図９および図１０に示される例において、
コンポーネントはＮ基板で形成される。コンポーネント
の底表面が底表面のメタライゼーションＡで被覆された
Ｐ型層２３を含み、これはサイリスタＴｈ２およびサイ
リスタＴｈ１のアノードに対応する。サイリスタＴｈ１
は垂直方向に配置され、上面から、エミッタ短絡を含み
Ｐ型ウェル２５内に形成されたカソード層２４と、基板
２１内に形成された上記Ｐ型ウェル２５とを含む。ウェ
ル２５の一部にＮ型領域２６が形成され、これはウェル
２５とともに、ダイオードＺに対応するツェナー接合を
形成する。Ｎ型領域２９を含む第２のＰ型ウェル２８が
垂直サイリスタＴｈ２を形成する。サイリスタＴｈ２は
領域２９、２８、２１および２３を含む。サイリスタＴ
ｈ２のカソード２９はメタライゼーション３０を介して
ツェナーダイオードＺのカソード２６に接続される。
【００２２】メタライゼーション３０は図２の供給端子
２に対応する。ウェル２８はゲートメタライゼーション
Ｇで被覆される。抵抗器ＲＧはカソード層２４の下の領
域２５の抵抗により形成される。
【００２３】Ｐ型ウェル５１が基板の上部に形成され
る。下表面側では、ゲート領域２８の少なくとも一部と
ウェル５１との下に、Ｎ型領域５２が形成される。領域
５１，２１，２３および５２はサイリスタＴｈ４を形成
する。ウェル５１を被覆するメタライゼーションが、領
域２４を覆いかつ主電極Ａ２を形成するメタライゼーシ
ョンに接続される。
【００２４】ウェル５１に近接して、ゲートメタライゼ
ーション４と接続されるＰ領域６４が形成される。Ｎ領
域６５が領域６４内に形成されかつメタライゼーション
を介してサイリスタＴｈ４のアノード５１に接続され
る。端子Ａ２に対し正の電圧がゲート４に与えられる
と、電流が領域６４から領域６５の方へ向かって流れ
る。もしそのとき端子Ａ１が端子Ａ２に対し負であるな
らば、サイリスタＴｈ４は順方向にバイアスされ、トリ
ガされるだろう。
【００２５】当然のことながら、さまざまな修正および
改善をこの構造にもたらすことは可能である。たとえ
ば、Ｐウェル５８が構造の周囲で示された。
【００２６】さらに、少なくとも上面のＰウェルはさま
ざまなコンポーネントの降伏電圧を改善するためにＰ-
拡散で形成される。したがって、ウェル２５はＰ- ウェ
ル６１内に配置され、ウェル２８はＰ- ウェル６２内に
配置され、および領域６４はＰ- ウェル６３′内に配置
される。サイリスタＴｈ４のアノード５１はＰ- リング
６３により囲まれる。層５１および基板２１の間の接合
が、同じドープレベルを有するさまざまな層６１、６２
および６３と基板２１との間の接合よりも低い電圧で壊
れるように、Ｐ- リングは層５１に対し十分に低くドー
プされる。層５１と基板２１との間のこの接合がツェナ
ーダイオードＺ２を構成する。ツェナーダイオードＺ２
は、インダクタンス内に蓄積されたハイエネルギを引出
すように適合される。なぜなら、バルク内で破壊が生じ
るからである。ダイオードＺ２の電流の流れ容量もその
表面を増大させることにより増大させることができる。
したがって、層５１は、サイリスタＴｈ４のアノードと
ツェナーダイオードＺ２のアノード（そのカソードは基
板２１である）とを形成し、ダイオードＤ２はＰ層２３
とＮ基板２１との間に配置される。
【００２７】サイリスタＴｈ１およびＴｈ４のカソード
を形成するＮ領域２４および５２は、従来のエミッタ短
絡を有し得る。これらの短絡は特にサイリスタＴｈ１の
保持電流ＩＨ１を調整するのに用いられる。サイリスタ
Ｔｈ４の短絡ホールの濃度は、その感度を過度に低減さ
せないためにより低い。
【００２８】図１０は、メタライゼーションを示してい
ない、図９のコンポーネントの実施例の概略的な上面図
である。図１０の各々の層には図９と対応の符号が付さ
れる。
【００２９】したがって、この発明の少なくとも１つの
例示の実施例を説明したが、さまざまな代替、修正およ
び改善が当業者には容易に生じるであろう。そのような
代替、修正および改善はこの発明の精神および範囲内に
意図されたものである。したがって、前述の説明は例と
して示されるだけであり限定を意図するものではない。
この発明は前掲の特許請求の範囲およびその均等物にお
いて規定されるように限定されるだけである。
【図面の簡単な説明】
【図１】蛍光管用の従来のスタータ回路を表わす図であ
る。
【図２】この発明の実施例に従った蛍光管用スタータ回
路を表わす図である。
【図３】図２のスタータ回路の供給源（Ｓ）の電圧波形
を示す曲線を示す図である。
【図４】図２のスタータ回路のＴｈ２の電流波形を示す
曲線を示す図である。
【図５】図２のスタータ回路のＴｈ１の電流波形を示す
曲線を示す図である。
【図６】図２のスタータ回路のＴｈ４の電流波形を示す
曲線を示す図である。
【図７】図２のスタータ回路のＣ１の電圧波形を示す曲
線を示す図である。
【図８】図２のスタータ回路のＦＴの電圧波形を示す曲
線を示す図である。
【図９】この発明の実施例に従った蛍光管を起動させる
ためのモノリシックの半導体コンポーネントの概略的な
断面図である。
【図１０】この発明の実施例に従った蛍光管を起動させ
るためのモノリシックの半導体コンポーネントの概略的
な上面図である。
【符号の説明】
Ｓ 供給源 Ｌ バラストインダクタンス ｒ１ 第１のフィラメント ｒ２ 第２のフィラメント ＦＴ 蛍光管 Ａ１ 第１の端子 Ａ２ 第２の端子 Ｔｈ１ 第１の主サイリスタ Ｔｈ４ 第２の主サイリスタ Ｚ２ 保護ダイオード Ｄ２ ダイオード ＩＣ 制御集積回路 ＲＧ 抵抗器 Ｔｈ２ 補助サイリスタ Ｃ１ 蓄積キャパシタ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 バラストインダクタンス（Ｌ）に直列の
    Ａ．Ｃ．供給源（Ｓ）と蛍光管（ＦＴ）の第１および第
    ２のフィラメント（ｒ１，ｒ２）とを含む負荷回路に関
    連した蛍光管用スタータ装置であって、前記装置は前記
    フィラメントの第２の端子（Ａ１，Ａ２）間に接続さ
    れ、さらに、 前記第２の端子（Ａ１，Ａ２）間にヘッドからテールに
    接続された第１および第２の主サイリスタ（Ｔｈ１，Ｔ
    ｈ４）、ならびにダイオード（Ｄ２）に直列のツェナー
    保護ダイオード（Ｚ２）と、 制御集積回路（ＩＣ）とを含み、 前記第１のサイリスタ（Ｔｈ１）のゲートは抵抗器（Ｒ
    Ｇ）を介して前記第２の端子の一方（Ａ２）に接続さ
    れ、かつツェナーダイオード（Ｚ）と補助サイリスタ
    （Ｔｈ２）との直列接続を介して前記第２の端子の他方
    （Ａ１）に接続され、前記補助サイリスタのゲートは前
    記集積回路の制御端子に接続され、かつ抵抗器（１５）
    を介して前記第２の端子の前記他方に接続され、前記補
    助サイリスタのカソードは前記集積回路の供給端子と接
    続され、かつ蓄積キャパシタ（Ｃ１）を介して前記第２
    の端子の前記一方に接続され、アノードゲート主サイリ
    スタのゲートは前記集積回路の制御端子に接続される、
    蛍光管用スタータ装置。
  2. 【請求項２】 前記第１のサイリスタ（Ｔｈ１）および
    前記補助サイリスタ（Ｔｈ２）は垂直サイリスタであっ
    て、それらのカソードゲート領域は、より低くドープさ
    れたＰ- 型ウェル（６１，６２）内に配置されたＰ型ウ
    ェル（２５，２８）により形成され、 前記第２のサイリスタ（Ｔｈ４）はアノードゲート垂直
    サイリスタであって、そのアノードは、前記第１のサイ
    リスタおよび前記補助サイリスタのゲートウェル（２
    ５，２８）と同じ型でかつ同じドープレベルの層（５
    １）により形成され、前記アノード層（５１）は、より
    低いドープレベルを有する前記アノードと同じ導通型を
    有するガードリング（６３）により囲まれる、請求項１
    の装置を実現する半導体コンポーネント。
JP12344296A 1995-05-19 1996-05-17 蛍光管用スタータ装置および装置を実現する半導体コンポーネント Expired - Fee Related JP3792296B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR95/06265 1995-05-19
FR9506265A FR2734429B1 (fr) 1995-05-19 1995-05-19 Module interrupteur et d'alimentation-application au demarrage d'un tube fluorescent

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0922785A true JPH0922785A (ja) 1997-01-21
JP3792296B2 JP3792296B2 (ja) 2006-07-05

Family

ID=9479394

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12345496A Expired - Fee Related JP4033927B2 (ja) 1995-05-19 1996-05-17 モノリシック半導体コンポーネント
JP12344296A Expired - Fee Related JP3792296B2 (ja) 1995-05-19 1996-05-17 蛍光管用スタータ装置および装置を実現する半導体コンポーネント

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12345496A Expired - Fee Related JP4033927B2 (ja) 1995-05-19 1996-05-17 モノリシック半導体コンポーネント

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5838110A (ja)
EP (2) EP0743753B1 (ja)
JP (2) JP4033927B2 (ja)
DE (2) DE69611858T2 (ja)
FR (1) FR2734429B1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6432726B2 (en) * 1997-03-31 2002-08-13 Artisan Components, Inc. Method and apparatus for reducing process-induced charge buildup
FR2771588B1 (fr) * 1997-11-21 2003-01-31 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de commande de tube fluorescent
FR2810471B1 (fr) 2000-06-16 2002-11-29 St Microelectronics Sa Commutateur bidirectionnel bistable
FR2819102B1 (fr) * 2000-12-29 2003-04-04 St Microelectronics Sa Commutateur electronique bidirectionnel bistable a commande par impulsions
US6700808B2 (en) 2002-02-08 2004-03-02 Mobility Electronics, Inc. Dual input AC and DC power supply having a programmable DC output utilizing a secondary buck converter
FR2864343A1 (fr) * 2003-12-19 2005-06-24 St Microelectronics Sa Triac fonctionnant dans les quadrants q1 et q4
US9153960B2 (en) 2004-01-15 2015-10-06 Comarco Wireless Technologies, Inc. Power supply equipment utilizing interchangeable tips to provide power and a data signal to electronic devices
US7319282B2 (en) * 2004-09-21 2008-01-15 Creative Technology Ltd Switch circuit
US7777286B2 (en) 2007-11-13 2010-08-17 Sierra Nevada Corporation Monolithic semiconductor microwave switch array
US8213204B2 (en) 2009-04-01 2012-07-03 Comarco Wireless Technologies, Inc. Modular power adapter
US8354760B2 (en) 2009-10-28 2013-01-15 Comarco Wireless Technologies, Inc. Power supply equipment to simultaneously power multiple electronic device
CN102544065B (zh) * 2012-02-22 2014-06-11 上海先进半导体制造股份有限公司 60v高压bcd工艺中齐纳二极管结构及其制造方法
US9455253B2 (en) * 2014-07-23 2016-09-27 Stmicroelectronics (Tours) Sas Bidirectional switch
US9722061B2 (en) 2014-07-24 2017-08-01 Stmicroelectronics (Tours) Sas Bidirectional switch
FR3044166B1 (fr) * 2015-11-19 2018-03-23 Stmicroelectronics Sa Dispositif electronique, en particulier pour la protection contre des surtensions
FR3076661A1 (fr) 2018-01-05 2019-07-12 Stmicroelectronics (Tours) Sas Triode semiconductrice

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3422309A (en) * 1966-09-21 1969-01-14 Lutron Electronics Co Fluorescent light dimming system
FR2222801A2 (en) * 1973-03-22 1974-10-18 Crouzet Sa Thyristor controlled electronic switch - having thyristor switching circuit connected across diode bridge
US4503359A (en) * 1979-09-12 1985-03-05 Hitachi Lighting, Ltd. Discharge lamp lighting device
DE3230903C2 (de) * 1982-08-19 1985-07-18 Erwin Sick Gmbh Optik-Elektronik, 7808 Waldkirch Schaltende Lichtschranke
FR2541843B3 (fr) * 1983-02-28 1987-10-30 Merli Gian Franco Starter electronique instantane
DE3521079A1 (de) * 1984-06-12 1985-12-12 Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki, Kanagawa Rueckwaerts leitende vollsteuergate-thyristoranordnung
SE455552B (sv) * 1985-02-26 1988-07-18 Asea Ab Halvledaranordning innefattande en overspenningsskyddskrets
US4673844A (en) * 1985-09-30 1987-06-16 Texas Instruments Incorporated Starter circuit for a fluorescent tube lamp
JPS63181376A (ja) * 1987-01-23 1988-07-26 Toshiba Corp 半導体装置
JPS63182861A (ja) * 1987-01-26 1988-07-28 Toshiba Corp ゼロクロス型サイリスタ
JPH02126677A (ja) * 1988-11-07 1990-05-15 Toshiba Corp 半導体装置
US5023521A (en) * 1989-12-18 1991-06-11 Radionic Industries, Inc. Lamp ballast system
JPH0465878A (ja) * 1990-07-06 1992-03-02 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
FR2677821B1 (fr) * 1991-06-11 1993-10-08 Sgs Thomson Microelectronics Sa Composant de protection bidirectionnel.
GB2262998B (en) * 1991-12-31 1995-10-25 Square D Co Improvements in and relating to proximity switches
FR2697674B1 (fr) * 1992-10-29 1995-01-13 Sgs Thomson Microelectronics Thyristor et assemblage de thyristors à cathode commune.
FR2712428B1 (fr) * 1993-11-10 1996-02-09 Sgs Thomson Microelectronics Commutateur bidirectionnel à commande en tension.
JP3352840B2 (ja) * 1994-03-14 2002-12-03 株式会社東芝 逆並列接続型双方向性半導体スイッチ

Also Published As

Publication number Publication date
DE69611858D1 (de) 2001-04-05
EP0743753A1 (fr) 1996-11-20
DE69611572T2 (de) 2001-05-31
US5838110A (en) 1998-11-17
EP0743754B1 (fr) 2001-01-17
JP3792296B2 (ja) 2006-07-05
JPH08316458A (ja) 1996-11-29
US5883401A (en) 1999-03-16
DE69611858T2 (de) 2001-06-13
JP4033927B2 (ja) 2008-01-16
FR2734429B1 (fr) 1997-08-01
DE69611572D1 (de) 2001-02-22
EP0743754A1 (fr) 1996-11-20
EP0743753B1 (fr) 2001-02-28
FR2734429A1 (fr) 1996-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3792296B2 (ja) 蛍光管用スタータ装置および装置を実現する半導体コンポーネント
EP0118309B1 (en) Semi conductor device and starter circuit for a fluorescent tube lamp, provided with such a semi conductor device
US5469103A (en) Diode circuit for high speed switching transistor
JPH11510000A (ja) 変換器回路、少なくとも１つのスイッチングデバイスを有する回路結合構成および回路モジュール
JPS5947469B2 (ja) 半導体デバイス
JPH08255895A (ja) ブレークオーバ電圧によりトリガされるダイポールコンポーネント
US4673844A (en) Starter circuit for a fluorescent tube lamp
EP0226395B1 (en) Solid state relay having a thyristor discharge circuit
US4203047A (en) Gate circuit of gate turn-off thyristor
KR100758834B1 (ko) 차량용 3상 발전기를 위한 정류 장치
US6963087B2 (en) Pulsed bistable bidirectional electronic switch
JPH03225960A (ja) 半導体デバイス
JPH01286465A (ja) 双方向制御整流半導体装置
JPS6055993B2 (ja) ゲートターンオフ形サイリスタ
US4107552A (en) Semiconductor switch
US5998812A (en) Amplifying-gate thyristor with an increased hold current
JPS6149909B2 (ja)
US7161191B2 (en) HF-control SCR switch structure
JPH0444848B2 (ja)
JP3301482B2 (ja) サイリスタ及びこれを使用したランプ点灯装置
JPH11329768A (ja) 放電灯点灯装置
JP2005505137A (ja) スイッチング素子
JP3417171B2 (ja) 無接点開閉装置
CN114244151A (zh) 晶闸管控制设备
JPS60164359A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060314

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060322

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060405

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090414

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100414

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110414

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120414

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees