JP3569232B2 - シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式 - Google Patents

シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式 Download PDF

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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式に関し、特に入力サイクルが簡素化されるシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般的なマルチプレクサは、複数の信号を1つのチャンネルで多重化する装置であり、多重化装置あるいはデータセレクタともいう。また、一般的なマルチプレクサは、複数の入力段と単一の出力段から構成され、入力段に入力された信号を順次切り換えて出力したり、入力された信号を一次的に記憶して、記憶された信号のうち1つを選択して出力したりする装置である。代表的なマルチプレクサとしてアドレスマルチプレクサがある。
【0003】
アドレスマルチプレクサは、アドレスバスに複数のアドレスの情報を時分割で乗せて送るものである。また、アドレスマルチプレクサとしてシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリがある。シリアルアクセスとは、読み出しを開始したいアドレスを指定した後、外部クロック信号に同期してデータを連続して読み出す(アクセス)ことをいう。クロック信号に同期して連続してデータを読み出す場合、クロック信号毎にアドレスを指定する必要はない。通常、シリアルアクセス機能を用いたアドレスマルチプレクサのテスト方式は、半導体メモリの不良ビットを検知(テスト)するとき、コマンド及びアドレスを入力することにより、メモリセルに記憶されたデータを読み出すことで行われている。
【0004】
コマンドとは、チップの動作を決める命令のことである。コマンドを入力することにより、メモリセルに記憶されたデータを読み出すことや、メモリセルにデータを書き込むこと、メモリセルに記憶されたデータを消去することが可能となる。
【0005】
しかし、シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリの適用製品において、半導体メモリの不良ビットを検知(テスト)するとき、コマンド及びアドレスを必要とされるサイクル数に分けて入力しなければメモリセルのデータを読み出すことができない。
【0006】
従来のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式を図7に示す。
【0007】
図7は、従来のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式を示すブロック図である。
【0008】
図7に示されるように、従来のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、I/O〜I/O(Pは任意の定数)の入出力バッファ102(又は、単に入出力バッファ102)、コマンドレジスタ制御回路103、アドレスレジスタ制御回路104、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路105、アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路106、コマンド制御部115、アドレス制御部116、記憶部117、メモリセル113から構成されている。コマンド制御部115は、コマンドレジスタCR107(I=1〜N)から構成されている。アドレス制御部116は、アドレスレジスタAR109(J=1〜M)、アドレスレジスタARM+K111(K=1〜L)から構成されている。記憶部117は、コマンドデコーダ108、カウンタC110(J=1〜M)、アドレスデコーダ112から構成されている。ここで、L、M、Nは任意の整数である。
【0009】
メモリセルアレイ113は、ビット線及びワード線の交点にマトリクス状に配置され、データを記憶するメモリセルを有する。
【0010】
入出力バッファ102には、入出力信号である信号I/O〜I/O(または、I/O〜I/Oと称す)が入力される。信号I/O〜I/Oには、入力信号であるコマンドに対応するN個のコマンド値、アドレスに対応するM個のアドレス値、(M+L)個のアドレス値と、出力信号である出力データ(メモリセルに記憶されたデータ)とが含まれる。N個のコマンド値を含むI/O〜I/Oの第1コマンド値〜第Nコマンド値は、コマンド値の順番(1〜N)に対応するコマンドレジスタCR107〜コマンドレジスタCR107に出力される。また、M個のアドレス値を含むI/O〜I/Oの第1アドレス値〜第Mアドレス値は、アドレス値の順番(1〜M)に対応するアドレスレジスタAR109〜アドレスレジスタAR109に出力される。更に、(M+L)個のアドレス値を含むI/O〜I/Oの第M+1アドレス値〜第M+Lアドレス値は、アドレス値の順番{(M+1)〜(M+L)}に対応するアドレスレジスタARM+1111〜アドレスレジスタARM+L111に出力される。
【0011】
コマンドレジスタ制御回路103は、コマンドレジスタCR107が入出力バッファ102からコマンド値を取り込む準備をする(コマンド値の入力許可状態)ための許可信号であるコマンドレジスタ制御信号103aを設定し、コマンドレジスタCR107〜コマンドレジスタCR107に出力する。
【0012】
アドレスレジスタ制御回路104は、アドレスレジスタAR109、アドレスレジスタARM+K111が入出力バッファ102からアドレス値を取り込む準備をする(アドレス値の入力許可状態)ための許可信号であるアドレスレジスタ制御信号104aを設定し、アドレスレジスタAR109〜アドレスレジスタAR109、アドレスレジスタARM+1111〜アドレスレジスタARM+L111に出力する。
【0013】
コマンド及びアドレス入力制御クロック回路105は、コマンドレジスタCR107が入出力バッファ102からコマンド値を、アドレスレジスタAR109、アドレスレジスタARM+K111が入出力バッファ102からアドレス値を取り込むための制御信号であるコマンド及びアドレス入力制御クロック信号105aを設定する。コマンド及びアドレス入力制御クロック信号105aは、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路105によりコマンドレジスタCR107〜コマンドレジスタCR107、アドレスレジスタAR109〜アドレスレジスタAR109、アドレスレジスタARM+1111〜アドレスレジスタARM+L111に出力される。
【0014】
アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路106は、メモリセルアレイ113から特定のメモリセルを選択するためのアドレスレジスタインクリメント制御クロック信号106aを設定し、カウンタC110〜カウンタC110に出力する。
【0015】
コマンドレジスタCR107は、上述したように、コマンドレジスタCR107〜コマンドレジスタCR107を有している。コマンドレジスタCR107は、コマンドレジスタ制御回路103から出力されたコマンドレジスタ制御信号103aにより、入出力バッファ102からのコマンド値を取り込むための入力許可状態になる。入力許可状態にあるコマンドレジスタCR107には、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路105から出力されたコマンド及びアドレス入力制御クロック信号105aにより、入出力バッファ102からコマンド値が取り込まれる。ここで、コマンドレジスタCR107に第1コマンド値、コマンドレジスタCR107に第2コマンド値、…、コマンドレジスタCR107に第Nコマンド値が取り込まれる。取り込まれた第1コマンド値〜第Nコマンド値は、コマンドデコーダ108に出力される。
【0016】
アドレスレジスタAR109は、上述したように、アドレスレジスタAR109〜アドレスレジスタAR109を有している。アドレスレジスタAR109は、アドレスレジスタ制御回路104から出力されたアドレスレジスタ制御信号104aにより、入出力バッファ102からのアドレス値を取り込むための入力許可状態になる。入力許可状態にあるアドレスレジスタAR109には、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路105から出力されたコマンド及びアドレス入力制御クロック信号105aにより、入出力バッファ102からアドレス値が取り込まれる。ここで、アドレスレジスタAR109に第1アドレス値、アドレスレジスタAR109に第2アドレス値、…、アドレスレジスタAR109に第Mアドレス値が取り込まれる。取り込まれた第1アドレス値〜第Mアドレス値は、アドレス値の順番(1〜M)に対応するC110〜カウンタC110に出力される。
【0017】
アドレスレジスタARM+K111は、上述したように、アドレスレジスタARM+1111〜アドレスレジスタARM+L111を有している。アドレスレジスタARM+K111は、アドレスレジスタ制御回路104から出力されたアドレスレジスタ制御信号104aにより、入出力バッファ102からのアドレス値を取り込むための入力許可状態になる。入力許可状態にあるアドレスレジスタARM+K111には、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路105から出力されたコマンド及びアドレス入力制御クロック信号105aにより、入出力バッファ102からアドレス値が取り込まれる。ここで、アドレスレジスタARM+1111に第M+1アドレス値、アドレスレジスタARM+2111に第M+2アドレス値、…、アドレスレジスタARM+K111に第M+Kアドレス値が取り込まれる。取り込まれた第M+1アドレス値〜第M+Lアドレス値は、アドレスデコーダ112に出力される。
【0018】
コマンドデコーダ108は、コマンドレジスタCR107からN個のコマンド値を入力し、チップの内部の動作を決める内部コマンドを決定する回路である。シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、決定された内部コマンドにより、メモリセルの読み出しが可能となる。このコマンドデコーダ108には、コマンドレジスタCR107から第1コマンド値、コマンドレジスタCR107から第2コマンド値、…、コマンドレジスタCR107から第Nコマンド値が入力される。コマンドデコーダ108は、入力された第1コマンド値、第2コマンド値、…、第Nコマンド値に基づいて内部コマンドを決定し、決定された内部コマンドをカウンタC110〜カウンタC110に出力する。
【0019】
カウンタC110は、上述したように、カウンタC110〜カウンタC110を有している。カウンタC110は、アドレスレジスタAR109から出力されたアドレス値と、コマンドデコーダ108から出力された内部コマンドとが入力される。ここで、カウンタC110に第1アドレス値、カウンタC110に第2アドレス値、…、カウンタC110に第Mアドレス値が入力される。カウンタC110は、入力されたアドレス値、入力された内部コマンドに基づいて、アドレスデコーダ112がメモリセルアレイ113から特定のメモリセルを選択するための選択信号を決定する。ここで、カウンタC110は第1アドレス値と内部コマンドから第1選択信号、カウンタC110は第2アドレス値と内部コマンドから第2選択信号、…、カウンタC110は第Mアドレス値と内部コマンドから第M選択信号を決定する。カウンタC110は、アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路106から出力されたアドレスレジスタインクリメント制御クロック信号106aに応答して、決定された第1選択信号、第2選択信号、…、第M選択信号をアドレスデコーダ112に出力する。
【0020】
アドレスデコーダ112は、カウンタC110から出力された選択信号(第1選択信号、第2選択信号、…、第M選択信号)とアドレスレジスタARM+K111から出力されたアドレス値(第M+1アドレス値、第M+2アドレス値、…、第M+Kアドレス値)を入力する。アドレスデコーダ112は、選択信号に応答して、メモリセルアレイ113から対象となるメモリセルを選択し、選択されたメモリセルに記憶されたデータを読み出す。読み出されたデータは、アドレスレジスタARM+K111に取り込まれ、入出力バッファ102のI/O〜I/Oに出力される。
【0021】
この従来のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、複数回のコマンド入力がある場合、その度に、コマンド値、アドレス値を決定して、入出力バッファ102のI/O〜I/Oから入力を与えなけらばならない。次に、従来のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式における動作について、図7と図8を参照して説明する。
【0022】
図8は、従来のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式における動作を示すタイミングチャートである。
【0023】
まず、コマンドレジスタ制御回路103は、コマンドレジスタCR107をアクティブ状態(コマンド値の入力が可能な状態)にするために、コマンドレジスタ制御信号103aをアクティブ状態にする(図8におけるコマンドレジスタ制御信号103aのポイントS〜ポイントT)。
【0024】
次に、コマンドレジスタCR107には、アクティブ状態にされたコマンドレジスタCR107にコマンド値を取り込むため、コマンド及びアドレス入力制御クロック信号105aがN回入力される(図8におけるコマンド及びアドレス入力制御クロック信号105aのポイントS〜ポイントT)。ここで、入出力バッファ102のI/O〜I/Oには、コマンド及びアドレス入力制御クロック信号105aと同期して、内部の動作モードを決定する上述したコマンド値がN回与えられる(図8におけるI/O〜I/OのポイントS〜ポイントT)。
【0025】
次いで、アドレスレジスタ制御回路104は、アドレスレジスタAR109、アドレスレジスタARM+K111をアクティブ状態(アドレス値の入力が可能な状態)にするために、アドレスレジスタ制御信号104aをアクティブ状態にする(図8におけるアドレスレジスタ制御信号104aのポイントT〜ポイントV)。
【0026】
次に、アドレスレジスタAR109には、アクティブ状態にされたアドレスレジスタAR109にアドレス値を取り込むため、コマンド及びアドレス入力制御クロック信号105aがM回入力される(図8におけるコマンド及びアドレス入力制御クロック信号105aのポイントT〜ポイントU)。また、アドレスレジスタARM+K111には、アクティブ状態にされたアドレスレジスタARM+K111にアドレスのレジスタ値を取り込むため、コマンド及びアドレス入力制御クロック信号105aがL回入力される(図8におけるコマンド及びアドレス入力制御クロック信号105aのポイントU〜ポイントV)。ここで、入出力バッファ102のI/O〜I/Oには、コマンド及びアドレス入力制御クロック信号105aと同期して、シリアルアクセスを開始するメモリセルの読み出しアドレス値がM+L回に分けて指定される(図8におけるI/O〜I/OのポイントT〜ポイントV)。
【0027】
このようにして、従来のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、全てのコマンドレジスタCR107のコマンド値、アドレスレジスタAR109、アドレスレジスタARM+K111のアドレス値が決定すると、カウンタC110、カウンタC110…カウンタC110が決定し、アドレスデコーダ112により、読み出しメモリセルの選択が可能になる。
【0028】
次に、カウンタC110には、アドレスレジスタインクリメント制御クロック信号106aが入力される(図8におけるアドレスレジスタインクリメント制御クロック信号106aのポイントW〜ポイントX)。アドレスレジスタインクリメント制御クロック信号106aがカウンタC110、カウンタC110…カウンタC110をインクリメントすることにより、メモリセルがシリアルにアクセスされ、選択されたメモリセルに記憶されたデータが入出力バッファ102のI/O〜I/Oに出力される(図8におけるI/O〜I/OのポイントW〜ポイントX)。
【0029】
したがって、従来のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、選択されたメモリセルに記憶されたデータを読み出すためにN回のコマンド入力サイクル数と(M+L)回のアドレス入力のサイクル数が必要である。
【0030】
他の従来技術として、特開平11−39226号公報では、テスト時間及びコストの増加を招くことなく、フェイルしたデータのアドレス及びビットを明らかにすることができ、またアクセス時間等のAC特性のテストを容易に行うことが可能な“自己テスト回路を内蔵する半導体装置”が開示されている。
【0031】
この自己テスト回路を内蔵する半導体装置は、データの書き込み及び読み出しが可能な記憶装置と、記憶装置のテストを行うための自己テスト回路と、を備えている。自己テスト回路は、テストクロックとテスト開始信号とを与えられて制御信号を出力するコントローラと、制御信号を与えられてアドレス信号を発生し、記憶装置に出力するアドレス発生器と、制御信号を与えられてテストデータを発生し、記憶装置に出力するデータ発生器と、データ発生器が出力したテストデータと、記憶装置がテストデータに与えられて書き込んだ後読み出した実データとを与えられて比較し、テストデータと実データとが相違する場合にエラー信号を出力する比較器と、記憶装置が出力した実データ又はアドレス発生器が出力したアドレス信号を与えられてシリアルに出力するスキャン回路と、制御信号に基づき、比較器から出力されたエラー信号、スキャン回路から出力された実データ又はアドレス信号のいずれかを選択的に出力するマルチプレクサとを備えている。自己テスト回路を内蔵する半導体装置は、テスト開始後に比較器がエラー信号を出力した場合、このエラー信号が発生したときの実データがマルチプレクサを介して外部に出力され、さらにこの実データに対応するアドレス信号がマルチプレクサを介して外部に出力されることを特徴としている。
【0032】
また、特開平9−245498号公報では、簡単な構成で高機能のテストを実現することができるテスト回路を内蔵した“半導体記憶装置とそのテスト方法”が開示されている。
【0033】
この半導体記憶装置は、複数のワード線と複数のデータ線との交点に書き換え可能なメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリアレイと、かかるメモリアレイの選択動作に必要なアドレス信号を発生させるアドレス発生回路と、メモリアレイに対するデータの入力と出力とを行う信号経路に設けられたデータ保持回路と、テストモード信号によりアドレス発生回路とデータ保持回路を制御してメモリアレイの一部に書き込まれているテストパターンを用いてかかるメモリアレイに対する一連の書き込みと読み出し動作を含む自動テスト動作を行うテスト回路とを備えてなることを特徴としている。
【0034】
また、特開平10−162600号公報では、自己テスト機能を内蔵し、かつチップ面積の小さい“テスト機能内臓半導体記憶装置”が開示されている。
【0035】
このテスト機能内臓半導体記憶装置は、データ保持のためにリフレッシュ動作が必要なメモリセルと、リフレッシュ動作時にリフレッシュ時間を与えるリフレッシュ用タイマとを含む半導体記憶装置において、メモリセルのテスト時にテストクロックを発生するテストクロック発生手段と、所定の状態を有する順序で実現され、メモリセルのテスト時に状態に応じた制御信号を出力するシーケンサ手段と、シーケンサ手段からの制御信号に基づき、テストデータに書き込みまたは読み出し時に行アドレスを生成する行アドレスカウンタと、シーケンサ手段からの制御信号に基づき、テストデータに書き込みまたは読み出し時に列アドレスを生成する列アドレスカウンタと、シーケンサ手段からの制御信号に基づき、テストデータを生成し、また、メモリセルに書き込まれたデータを読み出し、テストデータと比較し、比較結果を出力するデータ生成比較手段とを備えた内蔵自己テスト部を設けている。内蔵自己テスト部は、テスト用クロックと同期して、シーケンサ手段の制御に基づき、行アドレスカウンタおよび列アドレスカウンタの値に基づいて、メモリセルにデータ生成比較手段で生成されたテストデータを書き込み、メモリセル内の各セルに対してディスターブを行ない、その後、メモリセルに書き込まれたデータを読み出し、該読み出したデータをテストデータと比較することによりメモリセルの自己テストを可能としたことを特徴としている。
【0036】
また、特開昭63−184989号公報では、複雑な評価システムを必要とせず、ハード機能が正常動作するかどうかを自己診断できる“半導体記憶装置”が開示されている。
【0037】
この半導体記憶装置は、外部よりハード機能の自己診断を支持するためのピンと、外部へ自己のハード機能の診断結果を出力するためのピンと、外部より自己診断用支持ピンを所定のレベルにすることによって駆動される内臓テスト用回路とを備えたことを特徴としている。
【0038】
また、特開平2−28853号公報では、ROMアドレス空間内の一部のアドレス領域をデコードし、その領域のROMデータのLSI外への読出しを禁止することにより、ソフトウェアプログラムの機密保護を可能とした“半導体集積回路装置”が開示されている。
【0039】
この半導体集積回路装置は、LSIを搭載した半導体基板に内蔵され少なくともソフトウェアプログラムを記憶したプログラムメモリを有する内蔵メモリと、プログラムメモリのアドレスを発生するアドレス発生回路およびアドレスデコーダと、プログラムメモリの内容を外部に読出す出力回路と、LSI外部から入力されるテスト信号によりプログラムメモリのアドレスを制御するアドレス制御信号を出力するテスト制御回路と、このテスト制御回路のアドレス制御信号をアドレス発生回路のアドレスが所定アドレスとなったときアドレス制御信号をオフとするよう制御するアドレス制御回路とを備えることを特徴としている。
【0040】
【発明が解決しようとする課題】
今後、半導体メモリの高機能化・大容量化が進む中で、半導体メモリの不良ビットをテストするとき、コマンド及びアドレスの入力サイクル数は増えていく傾向にある。
【0041】
従来のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、携帯端末等に実装される製品において少ピン化が進むにつれ、半導体メモリの不良ビットをテストする際に必然的にコマンド及びアドレスを複数のサイクルに分けて入力しなければならない。このため、従来のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、半導体メモリの不良ビットをテストする際にコマンド及びアドレスの入力サイクル数が多いために、入力サイクルの複雑化、読み出し時間の増加という問題点がある。
【0042】
また、デバイスの耐久性を試験する試験機等において入力するサイクル数に制限があり、試験者は、制限を越えた入力サイクル数が必要な製品を試験できなくなる。そのため、試験者には、入力サイクルを工夫し、汎用性のある試験機にて試験可能なシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式が望まれる。
【0043】
本発明の目的は、入力サイクルが簡素化されるシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式を提供することにある。
【0044】
本発明の他の目的は、読み出し時間が短縮されるシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式を提供することにある。
【0045】
本発明の更に他の目的は、読み出しのテストパターンが簡素化されるシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式を提供することにある。
【0046】
【課題を解決するための手段】
その課題を解決するための手段が、下記のように表現される。その表現中の請求項対応の技術的事項には、括弧()付きで、番号、記号等が添記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複数・形態又は複数の実施例のうちの少なくとも1つの実施の形態又は複数の実施例を構成する技術的事項、特に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現されている技術的事項に付せられている参照番号、参照記号等に一致している。このような参照番号、参照記号は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の技術的事項との対応・橋渡しを明白にしている。このような対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈することを意味しない。
【0047】
本発明によるシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、複数のデータを記憶する複数のメモリセルを有するメモリセルアレイ(13)と、複数のコマンドを入力し、メモリセルのテストを行うテストモードにおいて、入力されたコマンドを保持してコマンドの入力を拒否するようにコマンドを制御するコマンド制御部(15)と、複数のアドレスを入力し、テストモードにおいて、入力されたアドレスを保持してアドレスの入力を拒否するようにアドレスを制御するアドレス制御部(16)と、コマンド制御部(15)から出力されたコマンドとアドレス制御部(16)から出力されたアドレスとに基づいて、複数のデータを連続的に読み出す記憶部(17)とを含む。
【0048】
本発明によるシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、更に、テストモードにするためのテストモード信号(1a)を設定するテスト回路(1)を含む。
【0049】
コマンド制御部(15)は、テストモード信号(1a)に従って、入力されたコマンドを保持する。また、アドレス制御部(16)は、テストモード信号(1a)に従って、入力されたアドレスを保持する。
【0050】
記憶部(17)は、コマンドからメモリセルの読み出しを可能とする内部コマンドを設定するコマンドデコーダ(8)を備えている。従って、記憶部(17)は、内部コマンドとアドレスとに基づいて、複数のデータを連続的に読み出すことができる。
【0051】
記憶部(17)は、アドレスと、コマンドデコーダ(8)から出力された内部コマンドとを入力し、アドレスと内部コマンドとに基づいて、メモリセルアレイ(13)から特定のメモリセルを選択するための選択信号を設定するカウンタ(10)と、選択信号に応答して、メモリセルを選択し、選択されたメモリセルに記憶された複数のデータを読み出すアドレスデコーダ(12)とを更に備えている。
【0052】
本発明によるシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、更に、カウンタ(10)により設定された選択信号をアドレスデコーダ(12)に出力させるための制御クロック信号(6a)を設定する制御クロック回路(6)を含む。
【0053】
カウンタ(10)は、制御クロック信号(6a)に従って、アドレスデコーダ(12)に選択信号を出力する。従って、アドレスデコーダ(12)は、選択信号に応答して、メモリセルを選択し、選択されたメモリセルに記憶された複数のデータを連続的に読み出すことができる。
【0054】
本発明によるシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、更に、コマンド及びアドレスを入力するための入力クロック信号(5a)を設定する入力クロック回路(5)を含む。コマンド制御部(15)は、入力クロック信号(5a)に従ってコマンドを入力する。アドレス制御部(16)は、入力クロック信号(5a)に従ってアドレスを入力する。
【0055】
本発明によるシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、更に、コマンドとアドレスとが入力され、読み出された複数のデータが出力される入出力バッファ(2)を含む。
【0056】
コマンド制御部(15)は、入力クロック信号(5a)に従って入出力バッファ(2)からのコマンドを入力する。アドレス制御部(16)は、入力クロック信号(5a)に従って入出力バッファ(2)からのアドレスを入力する。
【0057】
シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリ適用製品において、通常、全メモリセルをアクセスするためには、コマンド及びアドレスを複数のサイクルに分け入力しなければメモリセルに記憶されたデータを読み出すことができない。本発明によるシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、テストモード信号(1a)によりメモリチップ内のコマンドを保持(固定)し、アドレスをシリアルアクセス可能なメモリ空間の先頭アドレスにセットすることによって、コマンド及びアドレスの入力回数を削減できる。その後、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路(5)により設定されたコマンド及びアドレス入力制御クロック信号(5a)を入力することにより、アドレス制御部(16)に含まれるアドレスレジスタARM+K(11)のアドレスを決定し、決定後にアドレスレジスタインクリメント信号(6a)を入力することにより、カウンタC(10)をインクリメントさせシリアルアクセスを開始し、メモリセルに記憶されたデータを読み出すことができる。ここで、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路(5)は、上述した入力クロック回路に対応する。コマンド及びアドレス入力制御クロック信号(5a)は、上述した入力クロック信号に対応する。また、アドレスレジスタインクリメント信号(6a)は、上述した制御クロック信号に対応する。これにより、本発明によるシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、コマンド及びアドレスの入力回数を削減し、入力サイクルを簡素化、テスト時間を削減することができる。
【0058】
本発明によるシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、テスト回路(1)から出力されるテストモード信号(1a)によりメモリチップ内のコマンドを保持(固定)し、アドレスをシリアルアクセス可能なメモリ空間の先頭アドレスに保持(セット、固定)することによって、コマンド及びアドレスの入力回数を削減し、入力サイクルを簡素化、テスト時間を削減するものである。本発明によるシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、テスト回路(1)から出力されるテストモード信号(1a)によりコマンド及びアドレスを保持(固定)するものであり、特開平11−39226号公報、特開平9−245498号公報、特開平10−162600号公報、特開昭63−184989号公報、特開平2−28853号公報に記載されたテスト回路、またはテストモード信号とは異なる。
【0059】
【発明の実施の形態】
添付図面を参照して、本発明によるシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式の実施の形態を以下に説明する。
【0060】
(実施の形態1)
図1は、本実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式を示すブロック図である。
【0061】
図1に示されるように、実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリは、メモリセルに記憶された複数のデータをチップの内部で読み出すものである。実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリは、テスト回路1、I/O〜I/O(Pは任意の定数)の入出力バッファ2(又は、単に入出力バッファ2)、コマンドレジスタ制御回路3、アドレスレジスタ制御回路4、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路5、アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路6、コマンド制御部15、アドレス制御部16、記憶部17、メモリセルアレイ13から構成されている。
【0062】
コマンド制御部15は、コマンドレジスタCR7(I=1〜N)から構成されている。ここで、Nは任意の整数である。コマンド制御部15は、複数のコマンドを入力し、メモリセルのテストを行うテストモードにおいて、入力されたコマンドを保持してコマンドの入力を拒否するようにコマンドを制御する。
【0063】
アドレス制御部16は、アドレスレジスタAR9(J=1〜M)、アドレスレジスタARM+K11(K=1〜L)から構成されている。ここで、L、Mは任意の整数である。アドレス制御部16は、複数のアドレスを入力し、テストモードにおいて、入力されたアドレスを保持してアドレスの入力を拒否するようにアドレスを制御する。
【0064】
記憶部17は、コマンドデコーダ8、カウンタC10(J=1〜M)、アドレスデコーダ12から構成されている。ここで、Mは任意の整数である。記憶部17は、コマンド制御部15から出力されたコマンドとアドレス制御部16から出力されたアドレスとに基づいて、複数のデータを連続的に読み出す。
【0065】
メモリセルアレイ13は、ビット線及びワード線の交点にマトリクス状に配置され、データを記憶するメモリセルを有する。
【0066】
入出力バッファ2には、入出力信号である信号I/O〜I/O(または、I/O〜I/Oと称す)が入力される。信号I/O〜I/Oには、入力信号であるコマンドに対応するN個のコマンド値、アドレスに対応するM個のアドレス値、(M+L)個のアドレス値と、出力信号である出力データ(メモリセルに記憶されたデータ)とが含まれる。N個のコマンド値を含むI/O〜I/Oの第1コマンド値〜第Nコマンド値は、コマンド値の順番(1〜N)に対応するコマンドレジスタCR7〜コマンドレジスタCR7に出力される。また、M個のアドレス値を含むI/O〜I/Oの第1アドレス値〜第Mアドレス値は、アドレス値の順番(1〜M)に対応するアドレスレジスタAR9〜アドレスレジスタAR9に出力される。更に、(M+L)個のアドレス値を含むI/O〜I/Oの第M+1アドレス値〜第M+Lアドレス値は、アドレス値の順番{(M+1)〜(M+L)}に対応するアドレスレジスタARM+111〜アドレスレジスタARM+L11に出力される。
【0067】
コマンドレジスタ制御回路3は、コマンドレジスタCR7が入出力バッファ2からコマンド値を取り込む準備をする(コマンド値の入力許可状態)ための許可信号であるコマンドレジスタ制御信号3aを設定し、コマンドレジスタCR7〜コマンドレジスタCR7に出力する。
【0068】
アドレスレジスタ制御回路4は、アドレスレジスタAR9、アドレスレジスタARM+K11が入出力バッファ2からアドレス値を取り込む準備をする(アドレス値の入力許可状態)ための許可信号であるアドレスレジスタ制御信号4aを設定し、アドレスレジスタAR9〜アドレスレジスタAR9、アドレスレジスタARM+111〜アドレスレジスタARM+L11に出力する。
【0069】
コマンド及びアドレス入力制御クロック回路5は、コマンドレジスタCR7が入出力バッファ2からコマンド値を、アドレスレジスタAR9及びアドレスレジスタARM+K11が入出力バッファ2からアドレス値を取り込むための制御信号であるコマンド及びアドレス入力制御クロック信号5aを設定する。コマンド及びアドレス入力制御クロック信号5aは、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路5によりコマンドレジスタCR7〜コマンドレジスタCR7、アドレスレジスタAR9〜アドレスレジスタAR9、アドレスレジスタARM+111〜アドレスレジスタARM+L11に出力される。
【0070】
アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路6は、メモリセルアレイ13から特定のメモリセルを選択するためのアドレスレジスタインクリメント制御クロック信号6aを設定し、カウンタC10〜カウンタC10に出力する。
【0071】
テスト回路1は、メモリセルのテストを行うためのテストモード信号1aを設定する。このテストモード信号1aは、テスト回路1によりアクティブ状態にして、コマンドレジスタCR7〜コマンドレジスタCR7に取り込まれたコマンド値、アドレスレジスタAR9〜アドレスレジスタAR9に取り込まれたアドレス値を保持(固定)させるための信号である。テストモード信号1aは、コマンドレジスタCR7〜コマンドレジスタCR7、アドレスレジスタAR9〜アドレスレジスタAR9に出力される。
【0072】
コマンドレジスタCR7は、上述したように、コマンドレジスタCR7〜コマンドレジスタCR7を有している。コマンドレジスタCR7は、コマンドレジスタ制御回路3から出力されたコマンドレジスタ制御信号3aにより、入出力バッファ2からのコマンド値を取り込むための入力許可状態になる。入力許可状態にあるコマンドレジスタCR7には、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路5から出力されたコマンド及びアドレス入力制御クロック信号5aにより、入出力バッファ2からコマンド値が取り込まれる。コマンドレジスタCR7には、テスト回路1からテストモード信号1aが入力される。ここで、テストモード信号1aがアクティブ状態でないとき、コマンドレジスタCR7に第1コマンド値、コマンドレジスタCR7に第2コマンド値、…、コマンドレジスタCR7に第Nコマンド値が取り込まれる。取り込まれた第1コマンド値〜第Nコマンド値は、コマンドデコーダ8に出力される。また、テスト回路1によりテストモード信号1aがアクティブ状態であるとき、I/O〜I/Oの内容に関係なく、コマンドレジスタCR7は、取り込まれた第1コマンド値〜第Nコマンド値を保持(固定)する。即ち、第1コマンド値〜第Nコマンド値を固定することで入出力バッファ2からの入力(取り込み)を拒否し、従来では入力が必要であった第1コマンド値〜第Nコマンド値の入力が不要になる。固定された第1コマンド値〜第Nコマンド値は、コマンドデコーダ8に出力される。
【0073】
アドレスレジスタAR9は、上述したように、アドレスレジスタAR9〜アドレスレジスタAR9を有している。アドレスレジスタAR9は、アドレスレジスタ制御回路4から出力されたアドレスレジスタ制御信号4aにより、入出力バッファ2からのアドレス値を取り込むための入力許可状態になる。入力許可状態にあるアドレスレジスタAR9には、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路5から出力されたコマンド及びアドレス入力制御クロック信号5aにより、入出力バッファ2からアドレス値が取り込まれる。アドレスレジスタAR9には、テスト回路1からテストモード信号1aが入力される。ここで、テストモード信号1aがアクティブ状態でないとき、アドレスレジスタAR9に第1アドレス値、アドレスレジスタAR9に第2アドレス値、…、アドレスレジスタAR9に第Mアドレス値が取り込まれる。取り込まれた第1アドレス値〜第Mアドレス値は、アドレス値の順番(1〜M)に対応するC10〜カウンタC10に出力される。また、テスト回路1によりテストモード信号1aがアクティブ状態であるとき、I/O〜I/Oの内容に関係なく、アドレスレジスタAR9は、取り込まれた第1アドレス値〜第Mアドレス値を保持(固定)する。即ち、第1アドレス値〜第Mアドレス値を固定することで入出力バッファ2からの入力(取り込み)を拒否し、従来では入力が必要であった第1アドレス値〜第Mアドレス値の入力が不要になる。固定された第1アドレス値〜第Mアドレス値は、アドレス値の順番(1〜M)に対応するC10〜カウンタC10に出力される。
【0074】
アドレスレジスタARM+K11は、上述したように、アドレスレジスタARM+111〜アドレスレジスタARM+L11を有している。アドレスレジスタARM+K11は、アドレスレジスタ制御回路4から出力されたアドレスレジスタ制御信号4aにより、入出力バッファ2からのアドレス値を取り込むための入力許可状態になる。入力許可状態にあるアドレスレジスタARM+K11には、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路5から出力されたコマンド及びアドレス入力制御クロック信号5aにより、入出力バッファ2からアドレス値が取り込まれる。ここで、アドレスレジスタARM+111に第M+1アドレス値、アドレスレジスタARM+211に第M+2アドレス値、…、アドレスレジスタARM+K11に第M+Kアドレス値が取り込まれる。取り込まれた第M+1アドレス値〜第M+Lアドレス値は、アドレスデコーダ12に出力される。
【0075】
コマンドデコーダ8は、コマンドレジスタCR7からN個のコマンド値を入力し、チップの内部の動作を決める内部コマンドを決定する回路である。シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、決定された内部コマンドにより、メモリセルの読み出しが可能となる。このコマンドデコーダ8には、コマンドレジスタCR7から第1コマンド値、コマンドレジスタCR7から第2コマンド値、…、コマンドレジスタCR7から第Nコマンド値が入力される。コマンドデコーダ8は、入力された第1コマンド値、第2コマンド値、…、第Nコマンド値に基づいて内部コマンドを決定し、決定された内部コマンドをカウンタC10〜カウンタC10に出力する。
【0076】
カウンタC10は、上述したように、カウンタC10〜カウンタC10を有している。カウンタC10は、アドレスレジスタAR9から出力されたアドレス値と、コマンドデコーダ8から出力された内部コマンドとが入力される。ここで、カウンタC10に第1アドレス値、カウンタC10に第2アドレス値、…、カウンタC10に第Mアドレス値が入力される。カウンタC10は、入力されたアドレス値、入力された内部コマンドに基づいて、アドレスデコーダ12がメモリセルアレイ13から特定のメモリセルを選択するための選択信号を決定する。ここで、カウンタC10は第1アドレス値と内部コマンドから第1選択信号、カウンタC10は第2アドレス値と内部コマンドから第2選択信号、…、カウンタC10は第Mアドレス値と内部コマンドから第M選択信号を決定する。カウンタC10は、アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路6から出力されたアドレスレジスタインクリメント制御クロック信号6aに応答して、決定された第1選択信号、第2選択信号、…、第M選択信号をアドレスデコーダ12に出力する。
【0077】
アドレスデコーダ12は、カウンタC10から出力された選択信号(第1選択信号、第2選択信号、…、第M選択信号)とアドレスレジスタARM+K11から出力されたアドレス値(第M+1アドレス値、第M+2アドレス値、…、第M+Kアドレス値)を入力する。アドレスデコーダ12は、選択信号に応答して、メモリセルアレイ13から対象となるメモリセルを選択し、選択されたメモリセルに記憶された複数のデータを連続的に読み出す。読み出されたデータは、アドレスレジスタARM+K11に取り込まれ、入出力バッファ2のI/O〜I/Oに出力される。
【0078】
これにより、実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、コマンド値、アドレス値を固定することにより、コマンドレジスタCR7〜コマンドレジスタCR7に対応するN回のコマンド入力、アドレスレジスタAR9〜アドレスレジスタAR9に対応するM回のアドレス入力が不要になる。
【0079】
次に、実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式の動作について、図2〜4を参照して説明する。
【0080】
図2は、本実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式の動作を示すタイミングチャートである。
【0081】
図3は、本実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式におけるメモリ空間の先頭アドレスを示す図である。
【0082】
まず、テスト回路1は、テストモード信号1aをアクティブ状態にする(図2におけるテストモード信号1aのタイミングチャートのポイントA)。
【0083】
次に、コマンドレジスタCR7に取り込まれたコマンド値及びアドレスレジスタAR9に取り込まれたアドレス値は、アクティブ状態されたテストモード信号1aにより固定される。この固定されたコマンド値及びアドレス値は、I/O〜I/Oのいかなる入力にも影響を受けず、テストモード信号1aにのみ制御される値である。
【0084】
次いで、テストモード信号1aにより固定されたコマンド値には、コマンドデコーダ8により内部コマンドが決定される。
【0085】
図3に示されるように、テストモード信号1aにより固定されたアドレス値は、シリアルアクセス可能なメモリ空間の先頭アドレスである。また、カウンタC10は、アドレスレジスタAR9に取り込まれたアドレス値がシリアルアクセス可能なメモリ空間の先頭アドレスに固定されることにより、シリアルアクセス可能なメモリ空間の先頭アドレスにセット(指定)される。
【0086】
したがって、テスト回路1によりテストモード信号1aをアクティブ状態にしたあとに、アドレスレジスタ制御回路4は、アドレスレジスタ制御信号4aをアクティブ状態(アドレス値の入力が可能な状態)にし(図2におけるアドレスレジスタ制御信号4aのタイミングチャートのポイントB〜ポイントC)、アドレスレジスタARM+K11に出力する。このとき、アクティブ状態にされたアドレスレジスタ制御信号4aにより、アドレスレジスタARM+K11はアクティブ状態になる。
【0087】
次に、アクティブ状態にされたアドレスレジスタARM+K11にアドレス値を取り込むため、アクティブ状態にされたアドレスレジスタARM+K11にはコマンド及びアドレス入力制御クロック回路5からコマンド及びアドレス入力制御クロック信号5aがL回入力される(図2におけるコマンド及びアドレス入力制御クロック信号5aのポイントB〜ポイントC)。ここで、入出力バッファ2のI/O〜I/Oには、コマンド及びアドレス入力制御クロック信号5aに同期して、読み出したいメモリセルのアドレス値をL回入力すると、アドレス値が取り込まれ、アドレスレジスタARM+K11には入出力バッファ2からアドレス値が取り込まれる(図2におけるI/O〜I/OのポイントB〜ポイントC)。
【0088】
次いで、コマンドデコーダ8が出力する内部コマンドは、テストモード信号1aにより固定されたコマンド値に対応したものであり、カウンタC10のカウンタ値(アドレスレジスタAR9に取り込まれたアドレス値の数)も決定しているので、アドレスレジスタARM+K11にアドレス値が取り込まれた時点で、アドレスデコーダ12には全ての選択信号が決定される。これにより、アドレスデコーダ12は、読み出し対象となるメモリセルの選択が可能になる。
【0089】
次に、カウンタC10には、アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路6から出力されたアドレスレジスタインクリメント制御クロック信号6aが入力される(図2におけるアドレスレジスタインクリメント制御クロック信号6aのポイントD〜ポイントE)。アドレスレジスタインクリメント制御クロック信号6aによりカウンタC10をインクリメントさせたとき、メモリセルは、シリアルアクセス可能なメモリ空間の先頭アドレスから選択される。ここで、I/O〜I/Oとして、選択されたメモリセルから記憶された複数のデータが順に読み出される(図2におけるI/O〜I/OのポイントD〜ポイントE)。
【0090】
これにより、実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式では、L回のアドレスの入力サイクル数で選択したメモリセルのデータの読み出しが可能となる。従来のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式では、コマンド値、アドレス値を全て決定して入力しなければならないことから、(N+M+L)回の入力サイクル数が必要であった。実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式によれば、(N+M)回の入力サイクル数の削減とテスト時間の短縮ができる。
【0091】
以上の説明により、本実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式によれば、テストモード信号1aにより、コマンド及びアドレスがチップの内部で決定され、コマンド及びアドレスの入力サイクル数が削減されるため、入力サイクルが簡素化される。本実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、従来に比べて(N+M)回の入力サイクル数を削減できる。
【0092】
また、本実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式によれば、コマンド及びアドレスの入力サイクル時間を省略できるため、読み出し時間が短縮される。本実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、コマンド及びアドレスの入力1サイクルに要する時間をt(nsec)とすると、従来に比べて{(N+M)×t}nsecだけ読み出し時間を短縮できる。
【0093】
また、本実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式によれば、入力サイクルが簡素化されることにより、メモリセルをより単純なアクセス方法にて選択できるため、読み出しのテストパターンが簡素化される。本実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、メモリセルの耐久性試験やLFT(Loose Function Test)など、シリアルアクセス可能なメモリ空間の先頭番地から順にシリアルアクセスする試験で特に有効である。
【0094】
(実施の形態2)
実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式において、テスト回路1から出力されるテストモード信号1aをコマンドレジスタCR7とアドレスレジスタAR9に出力することでメモリセルに記憶された複数のデータをチップの内部で読み出している。一方、実施の形態2に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式において、テスト回路から出力されるテストモード信号をコマンドレジスタに出力せずにコマンドデコーダとアドレスレジスタに出力することにより、メモリセルに記憶された複数のデータをチップの内部で読み出すことでチップのサイズを縮小化できる。
【0095】
実施の形態2に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式について図4を参照して説明する。但し、実施の形態2に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式の動作を示すタイミングチャートについては、実施の形態1と同様であるため説明を省略する。
【0096】
図4は、本実施の形態2に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式を示すブロック図である。
【0097】
図4に示されるように、実施の形態2に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリは、メモリセルに記憶された複数のデータをチップの内部で読み出すものである。実施の形態2に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリは、テスト回路21、I/O〜I/O(Pは任意の定数)の入出力バッファ22(又は、単に入出力バッファ22)、コマンドレジスタ制御回路23、アドレスレジスタ制御回路24、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路25、アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路26、コマンド制御部35、アドレス制御部36、記憶部37、メモリセルアレイ33から構成されている。
【0098】
コマンド制御部35は、コマンドレジスタCR27(I=1〜N)から構成されている。ここで、Nは任意の整数である。コマンド制御部35は、複数のコマンドを入力し、メモリセルのテストを行うテストモードにおいて、入力されたコマンドを保持してコマンドの入力を拒否するようにコマンドを制御する。
【0099】
アドレス制御部36は、アドレスレジスタAR29(J=1〜M)、アドレスレジスタARM+K31(K=1〜L)から構成されている。ここで、L、Mは任意の整数である。アドレス制御部36は、複数のアドレスを入力し、テストモードにおいて、入力されたアドレスを保持してアドレスの入力を拒否するようにアドレスを制御する。
【0100】
記憶部37は、コマンドデコーダ28、カウンタC30(J=1〜M)、アドレスデコーダ32から構成されている。ここで、Mは任意の整数である。記憶部37は、コマンド制御部35から出力されたコマンドとアドレス制御部36から出力されたアドレスとに基づいて、複数のデータを連続的に読み出す。
【0101】
メモリセルアレイ33は、ビット線及びワード線の交点にマトリクス状に配置され、データを記憶するメモリセルを有する。
【0102】
入出力バッファ22には、入出力信号である信号I/O〜I/O(または、I/O〜I/Oと称す)が入力される。信号I/O〜I/Oには、入力信号であるコマンドに対応するN個のコマンド値、アドレスに対応するM個のアドレス値、(M+L)個のアドレス値と、出力信号である出力データ(メモリセルに記憶されたデータ)とが含まれる。N個のコマンド値を含むI/O〜I/Oの第1コマンド値〜第Nコマンド値は、コマンド値の順番(1〜N)に対応するコマンドレジスタCR27〜コマンドレジスタCR27に出力される。また、M個のアドレス値を含むI/O〜I/Oの第1アドレス値〜第Mアドレス値は、アドレス値の順番(1〜M)に対応するアドレスレジスタAR29〜アドレスレジスタAR29に出力される。更に、(M+L)個のアドレス値を含むI/O〜I/Oの第M+1アドレス値〜第M+Lアドレス値は、アドレス値の順番{(M+1)〜(M+L)}に対応するアドレスレジスタARM+131〜アドレスレジスタARM+L31に出力される。
【0103】
コマンドレジスタ制御回路23は、コマンドレジスタCR27が入出力バッファ22からコマンド値を取り込む準備をする(コマンド値の入力許可状態)ための許可信号であるコマンドレジスタ制御信号23aを設定し、コマンドレジスタCR27〜コマンドレジスタCR27に出力する。
【0104】
アドレスレジスタ制御回路24は、アドレスレジスタAR29、アドレスレジスタARM+K31が入出力バッファ22からアドレス値を取り込む準備をする(アドレス値の入力許可状態)ための許可信号であるアドレスレジスタ制御信号24aを設定し、アドレスレジスタAR29〜アドレスレジスタAR29、アドレスレジスタARM+131〜アドレスレジスタARM+L31に出力する。
【0105】
コマンド及びアドレス入力制御クロック回路25は、コマンドレジスタCR27が入出力バッファ22からコマンド値を、アドレスレジスタAR29及びアドレスレジスタARM+K31が入出力バッファ22からアドレス値を取り込むための制御信号であるコマンド及びアドレス入力制御クロック信号25aを設定する。コマンド及びアドレス入力制御クロック信号25aは、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路5によりコマンドレジスタCR7〜コマンドレジスタCR27、アドレスレジスタAR29〜アドレスレジスタAR29、アドレスレジスタARM+131〜アドレスレジスタARM+L31に出力される。
【0106】
アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路26は、メモリセルアレイ33から特定のメモリセルを選択するためのアドレスレジスタインクリメント制御クロック信号26aを設定し、カウンタC30〜カウンタC30に出力する。
【0107】
テスト回路21は、メモリセルのテストを行うためのテストモード信号21aを設定する。このテストモード信号21aは、テスト回路21によりアクティブ状態にして、コマンドレジスタCR27〜コマンドレジスタCR27からコマンドデコーダ28に出力されたコマンド値、アドレスレジスタAR29〜アドレスレジスタAR29に取り込まれたアドレス値を保持(固定)させるための信号である。テストモード信号21aは、コマンドレジスタCR27〜コマンドレジスタCR27、アドレスレジスタAR29〜アドレスレジスタAR29に出力される。
【0108】
コマンドレジスタCR27は、上述したように、コマンドレジスタCR27〜コマンドレジスタCR27を有している。コマンドレジスタCR27は、コマンドレジスタ制御回路23から出力されたコマンドレジスタ制御信号23aにより、入出力バッファ22からのコマンド値を取り込むための入力許可状態になる。入力許可状態にあるコマンドレジスタCR27には、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路25から出力されたコマンド及びアドレス入力制御クロック信号25aにより、入出力バッファ22からコマンド値が取り込まれる。ここで、コマンドレジスタCR27に第1コマンド値、コマンドレジスタCR27に第2コマンド値、…、コマンドレジスタCR27に第Nコマンド値が取り込まれる。取り込まれた第1コマンド値〜第Nコマンド値は、コマンドデコーダ28に出力される。
【0109】
アドレスレジスタAR29は、上述したように、アドレスレジスタAR29〜アドレスレジスタAR29を有している。アドレスレジスタAR29は、アドレスレジスタ制御回路24から出力されたアドレスレジスタ制御信号24aにより、入出力バッファ22からのアドレス値を取り込むための入力許可状態になる。入力許可状態にあるアドレスレジスタAR29には、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路25から出力されたコマンド及びアドレス入力制御クロック信号25aにより、入出力バッファ22からアドレス値が取り込まれる。アドレスレジスタAR29には、テスト回路21からテストモード信号21aが入力される。ここで、テストモード信号21aがアクティブ状態でないとき、アドレスレジスタAR29に第1アドレス値、アドレスレジスタAR29に第2アドレス値、…、アドレスレジスタAR29に第Mアドレス値が取り込まれる。取り込まれた第1アドレス値〜第Mアドレス値は、アドレス値の順番(1〜M)に対応するC30〜カウンタC30に出力される。また、テスト回路21によりテストモード信号21aがアクティブ状態であるとき、I/O〜I/Oの内容に関係なく、アドレスレジスタAR29は、取り込まれた第1アドレス値〜第Mアドレス値を保持(固定)する。即ち、第1アドレス値〜第Mアドレス値を固定することで入出力バッファ22からの入力(取り込み)を拒否し、従来では入力が必要であった第1アドレス値〜第Mアドレス値の入力が不要になる。固定された第1アドレス値〜第Mアドレス値は、アドレス値の順番(1〜M)に対応するC30〜カウンタC30に出力される。
【0110】
アドレスレジスタARM+K31は、上述したように、アドレスレジスタARM+131〜アドレスレジスタARM+L31を有している。アドレスレジスタARM+K31は、アドレスレジスタ制御回路24から出力されたアドレスレジスタ制御信号24aにより、入出力バッファ22からのアドレス値を取り込むための入力許可状態になる。入力許可状態にあるアドレスレジスタARM+K31には、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路25から出力されたコマンド及びアドレス入力制御クロック信号25aにより、入出力バッファ22からアドレス値が取り込まれる。ここで、アドレスレジスタARM+131に第M+1アドレス値、アドレスレジスタARM+231に第M+2アドレス値、…、アドレスレジスタARM+K31に第M+Kアドレス値が取り込まれる。取り込まれた第M+1アドレス値〜第M+Lアドレス値は、アドレスデコーダ32に出力される。
【0111】
コマンドデコーダ28は、コマンドレジスタCR27からN個のコマンド値を入力し、チップの内部の動作を決める内部コマンドを決定する回路である。シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、決定された内部コマンドにより、メモリセルの読み出しが可能となる。また、コマンドデコーダ28には、テスト回路21から出力されるテストモード信号21aが入力される。テストモード信号21aがアクティブ状態でないとき、コマンドデコーダ28には、コマンドレジスタCR27から第1コマンド値、コマンドレジスタCR27から第2コマンド値、…、コマンドレジスタCR27から第Nコマンド値が入力される。コマンドデコーダ28は、入力された第1コマンド値、第2コマンド値、…、第Nコマンド値に基づいて内部コマンドを決定し、決定された内部コマンドをカウンタC30〜カウンタC30に出力する。また、テスト回路21によりテストモード信号21aがアクティブ状態であるとき、コマンドデコーダ28は、コマンドレジスタCR27からのコマンド値の入力を無効にし、強制的にメモリセルを読み出すことができる内部コマンドを決定し、決定された内部コマンドをカウンタC30〜カウンタC30に出力する。
【0112】
カウンタC30は、上述したように、カウンタC30〜カウンタC30を有している。カウンタC30は、アドレスレジスタAR29から出力されたアドレス値と、コマンドデコーダ28から出力された内部コマンドとが入力される。ここで、カウンタC30に第1アドレス値、カウンタC30に第2アドレス値、…、カウンタC30に第Mアドレス値が入力される。カウンタC30は、入力されたアドレス値、入力された内部コマンドに基づいて、アドレスデコーダ32がメモリセルアレイ33から特定のメモリセルを選択するための選択信号を決定する。ここで、カウンタC30は第1アドレス値と内部コマンドから第1選択信号、カウンタC30は第2アドレス値と内部コマンドから第2選択信号、…、カウンタC30は第Mアドレス値と内部コマンドから第M選択信号を決定する。カウンタC30は、アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路26から出力されたアドレスレジスタインクリメント制御クロック信号26aに応答して、決定された第1選択信号、第2選択信号、…、第M選択信号をアドレスデコーダ32に出力する。
【0113】
アドレスデコーダ32は、カウンタC30から出力された選択信号(第1選択信号、第2選択信号、…、第M選択信号)とアドレスレジスタARM+K11から出力されたアドレス値(第M+1アドレス値、第M+2アドレス値、…、第M+Kアドレス値)を入力する。アドレスデコーダ32は、選択信号に応答して、メモリセルアレイ33から対象となるメモリセルを選択し、選択されたメモリセルに記憶された複数のデータを連続的に読み出す。読み出されたデータは、アドレスレジスタARM+K31に取り込まれ、入出力バッファ22のI/O〜I/Oに出力される。
【0114】
これにより、実施の形態2に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、テスト回路から出力されるテストモード信号1aをコマンドレジスタCR27〜コマンドレジスタCR27に出力する必要がなく、コマンドデコーダ28とアドレスレジスタAR29〜アドレスレジスタAR29に出力することにより、メモリセルに記憶された複数のデータをチップの内部で読み出すことができる。また、実施の形態2に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、テストモード信号1aの負荷が大幅に軽減され、テストモード信号1aをN個のコマンドレジスタCR27へ出力するための信号線の引き回しも不要になり、チップのサイズを縮小化できる。
【0115】
以上の説明により、本実施の形態2に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式によれば、実施の形態1の効果に加えて、チップのサイズを縮小化できる。
【0116】
(実施の形態3)
実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式において、テスト回路1から出力されるテストモード信号1aをN個のコマンドレジスタCR7とM個のアドレスレジスタAR9に出力することでメモリセルに記憶された複数のデータをチップの内部で読み出している。一方、実施の形態3に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式において、テスト回路から出力されるテストモード信号をN個のコマンドレジスタとM個のアドレスレジスタにだけ出力するのではなく、N個のコマンドレジスタ、M個のアドレスレジスタ、(M+L)個のアドレスレジスタに出力することにより、メモリセルに記憶された複数のデータをチップの内部で読み出すことで読み出し時間を更に短縮できる。
【0117】
図5は、本実施の形態3に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式を示すブロック図である。
【0118】
図5に示されるように、実施の形態3に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリは、メモリセルに記憶された複数のデータをチップの内部で読み出すものである。実施の形態3に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリは、テスト回路41、I/O〜I/O(Pは任意の定数)の入出力バッファ42(又は、単に入出力バッファ42)、コマンドレジスタ制御回路43、アドレスレジスタ制御回路44、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路45、アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路46、コマンド制御部55、アドレス制御部56、記憶部57、メモリセルアレイ53から構成されている。
【0119】
コマンド制御部55は、コマンドレジスタCR47(I=1〜N)から構成されている。ここで、Nは任意の整数である。コマンド制御部55は、複数のコマンドを入力し、メモリセルのテストを行うテストモードにおいて、入力されたコマンドを保持してコマンドの入力を拒否するようにコマンドを制御する。
【0120】
アドレス制御部56は、アドレスレジスタAR49(J=1〜M)、アドレスレジスタARM+K51(K=1〜L)から構成されている。ここで、L、Mは任意の整数である。アドレス制御部56は、複数のアドレスを入力し、テストモードにおいて、入力されたアドレスを保持してアドレスの入力を拒否するようにアドレスを制御する。
【0121】
記憶部57は、コマンドデコーダ48、カウンタC50(J=1〜M)、アドレスデコーダ52から構成されている。ここで、Mは任意の整数である。記憶部17は、コマンド制御部55から出力されたコマンドとアドレス制御部56から出力されたアドレスとに基づいて、複数のデータを連続的に読み出す。
【0122】
メモリセルアレイ53は、ビット線及びワード線の交点にマトリクス状に配置され、データを記憶するメモリセルを有する。
【0123】
入出力バッファ42には、入出力信号である信号I/O〜I/O(または、I/O〜I/Oと称す)が入力される。信号I/O〜I/Oには、入力信号であるコマンドに対応するN個のコマンド値、アドレスに対応するM個のアドレス値、(M+L)個のアドレス値と、出力信号である出力データ(メモリセルに記憶されたデータ)とが含まれる。N個のコマンド値を含むI/O〜I/Oの第1コマンド値〜第Nコマンド値は、コマンド値の順番(1〜N)に対応するコマンドレジスタCR47〜コマンドレジスタCR47に出力される。また、M個のアドレス値を含むI/O〜I/Oの第1アドレス値〜第Mアドレス値は、アドレス値の順番(1〜M)に対応するアドレスレジスタAR49〜アドレスレジスタAR49に出力される。更に、(M+L)個のアドレス値を含むI/O〜I/Oの第M+1アドレス値〜第M+Lアドレス値は、アドレス値の順番{(M+1)〜(M+L)}に対応するアドレスレジスタARM+151〜アドレスレジスタARM+L51に出力される。
【0124】
コマンドレジスタ制御回路43は、コマンドレジスタCR47が入出力バッファ42からコマンド値を取り込む準備をする(コマンド値の入力許可状態)ための許可信号であるコマンドレジスタ制御信号43aを設定し、コマンドレジスタCR47〜コマンドレジスタCR47に出力する。
【0125】
アドレスレジスタ制御回路44は、アドレスレジスタAR49、アドレスレジスタARM+K51が入出力バッファ42からアドレス値を取り込む準備をする(アドレス値の入力許可状態)ための許可信号であるアドレスレジスタ制御信号44aを設定し、アドレスレジスタAR49〜アドレスレジスタAR49、アドレスレジスタARM+151〜アドレスレジスタARM+L51に出力する。
【0126】
コマンド及びアドレス入力制御クロック回路45は、コマンドレジスタCR47が入出力バッファ42からコマンド値を、アドレスレジスタAR49及びアドレスレジスタARM+K51が入出力バッファ42からアドレス値を取り込むための制御信号であるコマンド及びアドレス入力制御クロック信号45aを設定する。コマンド及びアドレス入力制御クロック信号45aは、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路45によりコマンドレジスタCR47〜コマンドレジスタCR47、アドレスレジスタAR49〜アドレスレジスタAR49、アドレスレジスタARM+151〜アドレスレジスタARM+L51に出力される。
【0127】
アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路46は、メモリセルアレイ53から特定のメモリセルを選択するためのアドレスレジスタインクリメント制御クロック信号46aを設定し、カウンタC50〜カウンタC50に出力する。
【0128】
テスト回路41は、メモリセルのテストを行うためのテストモード信号41aを設定する。このテストモード信号41aは、テスト回路41によりアクティブ状態にして、コマンドレジスタCR47〜コマンドレジスタCR47に取り込まれたコマンド値、アドレスレジスタAR49〜アドレスレジスタAR49に取り込まれたアドレス値、アドレスレジスタARM+151〜アドレスレジスタARM+L51に取り込まれたアドレス値を保持(固定)させるための信号である。テストモード信号41aは、コマンドレジスタCR47〜コマンドレジスタCR47、アドレスレジスタAR49〜アドレスレジスタAR49、アドレスレジスタARM+151〜アドレスレジスタARM+L51に出力される。
【0129】
コマンドレジスタCR47は、上述したように、コマンドレジスタCR47〜コマンドレジスタCR47を有している。コマンドレジスタCR47は、コマンドレジスタ制御回路43から出力されたコマンドレジスタ制御信号43aにより、入出力バッファ42からのコマンド値を取り込むための入力許可状態になる。入力許可状態にあるコマンドレジスタCR47には、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路45から出力されたコマンド及びアドレス入力制御クロック信号45aにより、入出力バッファ42からコマンド値が取り込まれる。また、コマンドレジスタCR47には、テスト回路41からテストモード信号41aが入力される。ここで、テストモード信号41aがアクティブ状態でないとき、コマンドレジスタCR47に第1コマンド値、コマンドレジスタCR47に第2コマンド値、…、コマンドレジスタCR47に第Nコマンド値が取り込まれる。取り込まれた第1コマンド値〜第Nコマンド値は、コマンドデコーダ48に出力される。また、テスト回路41によりテストモード信号41aがアクティブ状態であるとき、I/O〜I/Oの内容に関係なく、コマンドレジスタCR47は、取り込まれた第1コマンド値〜第Nコマンド値を保持(固定)する。即ち、第1コマンド値〜第Nコマンド値を固定することで入出力バッファ42からの入力(取り込み)を拒否し、従来では入力が必要であった第1コマンド値〜第Nコマンド値の入力が不要になる。固定された第1コマンド値〜第Nコマンド値は、コマンドデコーダ48に出力される。
【0130】
アドレスレジスタAR49は、上述したように、アドレスレジスタAR49〜アドレスレジスタAR49を有している。アドレスレジスタAR49は、アドレスレジスタ制御回路44から出力されたアドレスレジスタ制御信号44aにより、入出力バッファ42からのアドレス値を取り込むための入力許可状態になる。入力許可状態にあるアドレスレジスタAR49には、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路45から出力されたコマンド及びアドレス入力制御クロック信号45aにより、入出力バッファ42からアドレス値が取り込まれる。アドレスレジスタAR49には、テスト回路41からテストモード信号41aが入力される。ここで、テストモード信号41aがアクティブ状態でないとき、アドレスレジスタAR49に第1アドレス値、アドレスレジスタAR49に第2アドレス値、…、アドレスレジスタAR49に第Mアドレス値が取り込まれる。取り込まれた第1アドレス値〜第Mアドレス値は、アドレス値の順番(1〜M)に対応するC50〜カウンタC50に出力される。また、テスト回路41によりテストモード信号41aがアクティブ状態であるとき、I/O〜I/Oの内容に関係なく、アドレスレジスタAR49は、取り込まれた第1アドレス値〜第Mアドレス値を保持(固定)する。即ち、第1アドレス値〜第Mアドレス値を固定することで入出力バッファ42からの入力(取り込み)を拒否し、従来では入力が必要であった第1アドレス値〜第Mアドレス値の入力が不要になる。固定された第1アドレス値〜第Mアドレス値は、アドレス値の順番(1〜M)に対応するC50〜カウンタC50に出力される。
【0131】
アドレスレジスタARM+K51は、上述したように、アドレスレジスタARM+151〜アドレスレジスタARM+L51を有している。アドレスレジスタARM+K51は、アドレスレジスタ制御回路44から出力されたアドレスレジスタ制御信号44aにより、入出力バッファ42からのアドレス値を取り込むための入力許可状態になる。入力許可状態にあるアドレスレジスタARM+K51には、コマンド及びアドレス入力制御クロック回路45から出力されたコマンド及びアドレス入力制御クロック信号45aにより、入出力バッファ42からアドレス値が取り込まれる。アドレスレジスタARM+K51には、テスト回路41からテストモード信号41aが入力される。ここで、テストモード信号41aがアクティブ状態でないとき、アドレスレジスタARM+151に第M+1アドレス値、アドレスレジスタARM+251に第M+2アドレス値、…、アドレスレジスタARM+K51に第M+Kアドレス値が取り込まれる。取り込まれた第M+1アドレス値〜第M+Lアドレス値は、アドレスデコーダ52に出力される。また、テスト回路41によりテストモード信号41aがアクティブ状態であるとき、I/O〜I/Oの内容に関係なく、アドレスレジスタARM+K51は、取り込まれた第M+1アドレス値〜第M+Lアドレス値を保持(固定)する。即ち、第M+1アドレス値〜第M+Lアドレス値を固定することで入出力バッファ42からの入力(取り込み)を拒否し、従来では入力が必要であった第M+1アドレス値〜第M+Lアドレス値の入力が不要になる。固定された第M+1アドレス値〜第M+Lアドレス値は、アドレスデコーダ52に出力される。
【0132】
コマンドデコーダ48は、コマンドレジスタCR47からN個のコマンド値を入力し、チップの内部の動作を決める内部コマンドを決定する回路である。シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、決定された内部コマンドにより、メモリセルの読み出しが可能となる。このコマンドデコーダ48には、コマンドレジスタCR47から第1コマンド値、コマンドレジスタCR47から第2コマンド値、…、コマンドレジスタCR47から第Nコマンド値が入力される。コマンドデコーダ48は、入力された第1コマンド値、第2コマンド値、…、第Nコマンド値に基づいて内部コマンドを決定し、決定された内部コマンドをカウンタC50〜カウンタC50に出力する。
【0133】
カウンタC50は、上述したように、カウンタC50〜カウンタC50を有している。カウンタC50は、アドレスレジスタAR49から出力されたアドレス値と、コマンドデコーダ48から出力された内部コマンドとが入力される。ここで、カウンタC50に第1アドレス値、カウンタC50に第2アドレス値、…、カウンタC50に第Mアドレス値が入力される。カウンタC50は、入力されたアドレス値、入力された内部コマンドに基づいて、アドレスデコーダ52がメモリセルアレイ53から特定のメモリセルを選択するための選択信号を決定する。ここで、カウンタC50は第1アドレス値と内部コマンドから第1選択信号、カウンタC50は第2アドレス値と内部コマンドから第2選択信号、…、カウンタC50は第Mアドレス値と内部コマンドから第M選択信号を決定する。カウンタC50は、アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路46から出力されたアドレスレジスタインクリメント制御クロック信号46aに応答して、決定された第1選択信号、第2選択信号、…、第M選択信号をアドレスデコーダ52に出力する。
【0134】
アドレスデコーダ52は、カウンタC50から出力された選択信号(第1選択信号、第2選択信号、…、第M選択信号)とアドレスレジスタARM+K51から出力されたアドレス値(第M+1アドレス値、第M+2アドレス値、…、第M+Kアドレス値)を入力する。アドレスデコーダ52は、選択信号に応答して、メモリセルアレイ53から対象となるメモリセルを選択し、選択されたメモリセルに記憶された複数のデータを連続的に読み出す。読み出されたデータは、アドレスレジスタARM+K51に取り込まれ、入出力バッファ42のI/O〜I/Oに出力される。
【0135】
これにより、実施の形態3に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、テスト回路41から出力されるテストモード信号41aをN個のコマンドレジスタCR47とM個のアドレスレジスタAR49にだけ出力するのではなく、N個のコマンドレジスタCR47、M個のアドレスレジスタAR49、(M+L)個のアドレスレジスタARM+K51に出力することにより、メモリセルに記憶された複数のデータをチップの内部で読み出すことで読み出し時間を更に短縮できる。
【0136】
次に、実施の形態3に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式の動作について、図6を参照して説明する。但し、実施の形態3に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式の動作を示すフローチャートについては、実施の形態1と同様である。
【0137】
図6は、本実施の形態3に係るアドレスマルチプレクサの動作を示すタイミングチャートである。
【0138】
まず、テスト回路41は、テストモード信号41aをアクティブ状態にする(図6におけるテストモード信号41aのタイミングチャートのポイントH)。
【0139】
次に、コマンドレジスタCR47に取り込まれたコマンド値、アドレスレジスタAR49に取り込まれたアドレス値、アドレスレジスタARM+K51に取り込まれたアドレス値は、アクティブ状態されたテストモード信号41aにより固定される。この固定されたコマンド値及びアドレス値は、I/O〜I/Oのいかなる入力にも影響を受けず、テストモード信号41aにのみ制御される値である。
【0140】
次いで、テストモード信号41aにより固定されたコマンド値には、コマンドデコーダ48により内部コマンドが決定される。
【0141】
テストモード信号41aにより固定されたアドレス値は、シリアルアクセス可能なメモリ空間の先頭アドレスである。また、カウンタC50は、アドレスレジスタAR49に取り込まれたアドレス値がシリアルアクセス可能なメモリ空間の先頭アドレスに固定されることにより、シリアルアクセス可能なメモリ空間の先頭アドレスにセット(指定)される。
【0142】
次いで、コマンドデコーダ48が出力する内部コマンドは、テストモード信号41aにより固定されたコマンド値に対応したものであり、カウンタC50のカウンタ値(アドレスレジスタAR49に取り込まれたアドレス値の数)も決定しているので、アドレスレジスタARM+K51のアドレス値が固定された時点で、アドレスデコーダ52には全ての入力が決定される。これにより、アドレスデコーダ52は、読み出し対象となるメモリセルの選択が可能になる。
【0143】
次に、カウンタC50には、アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路46から出力されたアドレスレジスタインクリメント制御クロック信号46aが入力される(図6におけるアドレスレジスタインクリメント制御クロック信号46aのポイントJ〜ポイントK)。アドレスレジスタインクリメント制御クロック信号46aによりカウンタC50をインクリメントさせたとき、メモリセルは、シリアルアクセス可能なメモリ空間の先頭アドレスから選択される。ここで、I/O〜I/Oとして、選択されたメモリセルから記憶された複数のデータが順に読み出される(図6におけるI/O〜I/OのポイントJ〜ポイントK)。
【0144】
これにより、テストモード信号41aにより、N個のコマンドレジスタCR47はコマンド値が固定され、M個のアドレスレジスタAR49、(M+L)個のアドレスレジスタARM+K51はアドレス値が固定されるので、I/O〜I/Oのいかなる入力も無効となる。即ち、実施の形態3に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、テストモード信号41aをアクティブ状態にすると、コマンドレジスタCR47のコマンド値、アドレスレジスタAR49、アドレスレジスタARM+K51のアドレス値は決定されるので、N個のコマンドレジスタCR47、M個のアドレスレジスタAR49、(M+L)個のアドレスレジスタARM+K51へのI/O〜I/Oの入力が不要となる。実施の形態3に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、コマンド及びアドレスの入力1サイクルに要する時間をt(nsec)とすると、従来に比べて{(N+M+L)×t}nsecだけ読み出し時間を短縮できる。
【0145】
以上の説明により、本実施の形態3に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式によれば、実施の形態1の効果に加えて、読み出し時間を更に短縮できる。
【0146】
【発明の効果】
本発明のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式は、入力サイクルが簡素化される。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式を示すブロック図である。
【図2】図2は、本実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式の動作を示すタイミングチャートである。
【図3】図3は、本実施の形態1に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式におけるメモリ空間の先頭アドレスを示す図である。
【図4】図4は、本実施の形態2に係るシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式を示すブロック図である。
【図5】図5は、本実施の形態3に係るアドレスマルチプレクサを示すブロック図である。
【図6】図6は、本実施の形態3に係るアドレスマルチプレクサの動作を示すタイミングチャートである。
【図7】図7は、従来のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式を示すブロック図である。
【図8】図8は、従来のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式における動作を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
1 テスト回路
1a テストモード信号
2 入出力バッファ
3 コマンドレジスタ制御回路
3a コマンドレジスタ制御信号
4 アドレスレジスタ制御回路
4a アドレスレジスタ制御信号
5 コマンド及びアドレス入力制御クロック回路
5a コマンド及びアドレス入力制御クロック信号
6 アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路
6a アドレスレジスタインクリメント制御クロック信号
7 コマンドレジスタCR (I=1〜N)
8 コマンドデコーダ
9 アドレスレジスタAR (J=1〜M)
10 カウンタC (J=1〜M)
11 アドレスレジスタARM+K (K=1〜L)
12 アドレスデコーダ
13 メモリセルアレイ
15 コマンド制御部
16 アドレス制御部
17 記憶部
21 テスト回路
21a テストモード信号
22 入出力バッファ
23 コマンドレジスタ制御回路
23a コマンドレジスタ制御信号
24 アドレスレジスタ制御回路
24a アドレスレジスタ制御信号
25 コマンド及びアドレス入力制御クロック回路
25a コマンド及びアドレス入力制御クロック信号
26 アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路
26a アドレスレジスタインクリメント制御クロック信号
27 コマンドレジスタCR (I=1〜N)
28 コマンドデコーダ
29 アドレスレジスタAR (J=1〜M)
30 カウンタC (J=1〜M)
31 アドレスレジスタARM+K (K=1〜L)
32 アドレスデコーダ
33 メモリセルアレイ
35 コマンド制御部
36 アドレス制御部
37 記憶部
41 テスト回路
41a テストモード信号
42 入出力バッファ
43 コマンドレジスタ制御回路
43a コマンドレジスタ制御信号
44 アドレスレジスタ制御回路
44a アドレスレジスタ制御信号
45 コマンド及びアドレス入力制御クロック回路
45a コマンド及びアドレス入力制御クロック信号
46 アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路
46a アドレスレジスタインクリメント制御クロック信号
47 コマンドレジスタCR (I=1〜N)
48 コマンドデコーダ
49 アドレスレジスタAR (J=1〜M)
50 カウンタC (J=1〜M)
51 アドレスレジスタARM+K (K=1〜L)
52 アドレスデコーダ
53 メモリセルアレイ
55 コマンド制御部
56 アドレス制御部
57 記憶部
102 入出力バッファ
103 コマンドレジスタ制御回路
103a コマンドレジスタ制御信号
104 アドレスレジスタ制御回路
104a アドレスレジスタ制御信号
105 コマンド及びアドレス入力制御クロック回路
105a コマンド及びアドレス入力制御クロック信号
106 アドレスレジスタインクリメント制御クロック回路
106a アドレスレジスタインクリメント制御クロック信号
107 コマンドレジスタCR (I=1〜N)
108 コマンドデコーダ
109 アドレスレジスタAR (J=1〜M)
110 カウンタC (J=1〜M)
111 アドレスレジスタARM+K (K=1〜L)
112 アドレスデコーダ
113 メモリセルアレイ
115 コマンド制御部
116 アドレス制御部
117 記憶部

Claims (10)

  1. 複数のデータを記憶する複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、
    複数のコマンドを入力し、前記メモリセルのテストを行うテストモードにおいて、前記入力されたコマンドを保持して前記コマンドの入力を拒否するように前記コマンドを制御するコマンド制御部と、
    複数のアドレスを入力し、前記テストモードにおいて、前記入力されたアドレスを保持して前記アドレスの入力を拒否するように前記アドレスを制御するアドレス制御部と、
    前記コマンド制御部から出力された前記コマンドと前記アドレス制御部から出力された前記アドレスとに基づいて、前記複数のデータを連続的に読み出す記憶部とを含む
    シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式。
  2. 請求項1に記載のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式において、
    更に、
    前記テストモードにするためのテストモード信号を設定するテスト回路を含む
    シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式。
  3. 請求項2に記載のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式において、
    前記コマンド制御部は、前記テストモード信号に従って、前記入力されたコマンドを保持し、
    前記アドレス制御部は、前記テストモード信号に従って、前記入力されたアドレスを保持する
    シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式において、
    前記記憶部は、前記コマンドから前記メモリセルの読み出しを可能とする内部コマンドを設定するコマンドデコーダを備え、
    前記記憶部は、前記内部コマンドと前記アドレスとに基づいて、前記複数のデータを連続的に読み出す
    シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式。
  5. 請求項4に記載のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式において、
    前記記憶部は、
    前記アドレスと、前記コマンドデコーダから出力された前記内部コマンドとを入力し、前記アドレスと前記内部コマンドとに基づいて、前記メモリセルアレイから特定の前記メモリセルを選択するための選択信号を設定するカウンタと、
    前記選択信号に応答して、前記メモリセルを選択し、前記選択されたメモリセルに記憶された前記複数のデータを読み出すアドレスデコーダとを更に備える
    シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式。
  6. 請求項5に記載のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式において、
    更に、
    前記カウンタにより設定された前記選択信号を前記アドレスデコーダに出力させるための制御クロック信号を設定する制御クロック回路を含む
    シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式。
  7. 請求項5又は6に記載のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式において、
    前記カウンタは、前記制御クロック信号に従って、前記アドレスデコーダに前記選択信号を出力し、
    前記アドレスデコーダは、前記選択信号に応答して、前記メモリセルを選択し、前記選択されたメモリセルに記憶された前記複数のデータを連続的に読み出す
    シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式。
  8. 請求項1乃至7のいずれか一項に記載のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式において、
    更に、
    前記コマンド及び前記アドレスを入力するための入力クロック信号を設定する入力クロック回路を含み、
    前記コマンド制御部は、前記入力クロック信号に従って前記コマンドを入力し、
    前記アドレス制御部は、前記入力クロック信号に従って前記アドレスを入力する
    シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式。
  9. 請求項1乃至8のいずれか一項に記載のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式において、
    更に、
    前記コマンドと前記アドレスとが入力され、読み出された前記複数のデータが出力される入出力バッファを含む
    シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式。
  10. 請求項9に記載のシリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式において、
    前記コマンド制御部は、前記入力クロック信号に従って前記入出力バッファからの前記コマンドを入力し、
    前記アドレス制御部は、前記入力クロック信号に従って前記入出力バッファからの前記アドレスを入力する
    シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式。
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