JP3348632B2 - 高速試験機能つきメモリ - Google Patents

高速試験機能つきメモリ

Info

Publication number
JP3348632B2
JP3348632B2 JP22719297A JP22719297A JP3348632B2 JP 3348632 B2 JP3348632 B2 JP 3348632B2 JP 22719297 A JP22719297 A JP 22719297A JP 22719297 A JP22719297 A JP 22719297A JP 3348632 B2 JP3348632 B2 JP 3348632B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
pattern
data
circuit
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP22719297A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1166889A (ja
Inventor
和裕 原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP22719297A priority Critical patent/JP3348632B2/ja
Publication of JPH1166889A publication Critical patent/JPH1166889A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3348632B2 publication Critical patent/JP3348632B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体記憶装置に
関し、特に中央処理装置の試験時間の短縮と試験性を向
上する高速試験機能つきメモリ関する。
【0002】
【従来の技術】この種の試験機能つきメモリは、試験精
度の向上の目的で用いられている。例えば特開平5−2
64675号公報には、同一チップ上にメモリと論理回
路を備え、試験専用端子から入力される多ビットのアド
レス信号に基づいて該アドレス信号がメモリの入力ポー
トに入力された後に前記アドレス信号に基づいて所定の
パルス幅の書き込み制御信号(WE)を該メモリに出力
する試験回路を備え得た半導体集積回路装置が提案され
ている。
【0003】また、例えば特開昭59−23540号公
報には、集積回路と一体的に自己機能のテスト回路を備
え、集積回路事態で自己テストを実行し、テスト結果を
フラグをたてることにより自己申告する集積回路のテス
ト方法が提案されている。
【0004】次に、上記特開平5−264675号公報
に記載される従来の試験機能つきメモリについて、図8
を用いて説明する。図8において、8はメモリ、9はチ
ップ、10は論理回路、11はメモリ試験回路である。
ADはアドレス信号である。
【0005】次に、動作を説明する。試験専用端子Ti
から入力されるアドレス信号ADの変化に基づいて、メ
モリ試験回路11が所定のパルス幅の書き込み制御信号
WEをメモリ8に出力する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術及び従来のメモリは下記記載の問題点を有してい
る。
【0007】第一の問題点は、メモリチップを装置に組
み込んだ状態でメモリの試験を行う場合の試験時間が長
い、ということである。
【0008】その理由は、メモリチップの集積度が年々
向上する上、メモリのアクセスタイムはほぼ同じである
ためである。また、上記の従来技術では、チップ内部の
アクセスタイミングとチップ外部からのアクセスタイミ
ングに、差がないからである。
【0009】第二の問題点は、メモリチップは初期設定
されていないため、システムで初期設定をしないかぎ
り、ECC(誤り訂正符号)エラーなどを引き起こす可
能性がある、ということである。
【0010】その理由は、パワーオン時のメモリセルの
状態が未定義であるためである。
【0011】第三の問題点は、メモリチップ内部にある
データのビット幅を有効に使えないことである。
【0012】その理由は、メモリチップは、内部のセル
が正方形に配置されており、外部からは1度に1ビット
しかアクセスしない場合でも、チップ内部としてはセル
1列分がアクセスされている。しかし、外部端子のデー
タ幅でしかアクセスできないため、その点を有効利用で
きていない。
【0013】第四の問題点は、外部にアドレスなどを生
成する試験回路を必要とすることである。
【0014】その理由は、上記特開平5−264675
号公報に記載の半導体集積回路装置では、タイミング生
成は内部で行っているが、アドレス自体は外部入力しな
ければならないからである。
【0015】したがって本発明は、上記問題点に鑑みて
なれたものであって、その目的は、チップ内部での試験
を可能とすると共に試験時間を短縮する、試験機能つき
メモリを提供することにある。本発明の他の目的は、試
験を行うための外部回路を簡略化し、試験性の向上を図
る試験機能つきメモリを提供することにある。本発明の
さらに他の目的は、メモリ初期設定機能を具備した試験
機能つきメモリを提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の試験機能つきメモリは、メモリセルアレイ
のロウに書き込まれる予め定められた固定の試験データ
よりなる固定パタンを格納した固定パタン格納手段と、
ロウ書き込みデータとして入力されたビットパタンに基
づき生成され可変とされる試験データよりなる任意パタ
ンを生成する任意パタン生成手段と、前記固定パタン格
納手段又は前記任意パタン生成手段から出力される前記
固定パタン又は前記任意パタンを選択出力する選択手段
と、試験モードの表示、試験実行中を示し通常アクセス
を禁止するように制御するための試験開始/終了を示す
情報、試験結果表示、前記任意パタンを生成する手段の
入力ビットパタン、及び前記選択手段での試験データの
選択を示す情報、を備えた試験制御レジスタと、を含
む、試験回路と、テスト時、前記試験回路の前記固定パ
タン格納手段から出力される前記固定パタン又は前記試
験回路の前記任意パタン生成手段から出力される前記任
意パタンのうち前記試験回路の前記選択手段で選択され
た方のパタンをワード線を選択しながら前記メモリセル
アレイに書き込む手段と、読み出しサイクルで前記メモ
リセルアレイから読み出されたデータを前記選択された
パタンと比較し試験結果を出力する手段と、をメモリと
同一チップ上に備えたことを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。本発明の高速試験機能つきメモリは、その
好ましい実施の形態において、メモリセルアレイ(図1
の1)と、ライト/リードタイミングを生成するタイミ
ング制御回路(図1の12)と、テスト時のタイミング
を生成する試験タイミング生成手段(図2の31)と、
予め格納された固定パタンを出力する固定パタ格納手段
(図1の32)と、入力ビットパタンから任意パタンを
生成する任意パタン生成手段(図1の33)と、ロウア
ドレスを順次カウントアップするカウンタ(図1の3
4)と、試験制御レジスタ(図1の35)と、固定パタ
ン又は任意パタンを選択出力する選択手段(図1の3
6)とを含む試験回路(図1の7)と、カウンタの出力
はロウデコーダー(図1の2)に供給され、メモリセル
アレイの選択されたロウに対して試験回路からのパタン
を書き込む試験データ書き込み回路(図1の5)と、試
験回路(図1の7)からのパタンとメモリセルアレイか
らの読み出しデータを比較し、試験終了でない場合には
ロウアドレスをカウントアップするようにカウンタを制
御し、試験終了の場合試験結果出力を出力する試験デー
タチェック回路(図1の6)と、を備えている。
【0018】
【実施例】上記した本発明の実施の形態について更に詳
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。図1は、本発明の第一の実施例の構
成を示す図である。図1を参照すると、本発明の第一の
実施例において、メモリセルアレイ1はDRAM(ダイ
ナミックランダムアクセスメモリ)やSRAM(スタテ
ィックランダムアクセスメモリ)などの記憶素子をアレ
イ状に配列したものである。ロウデコーダー2は、ロウ
アドレス入力をデコードし、メモリセルアレイ1のロウ
(行;ワード線)を指定する。カラムデコーダー3は、
メモリセルアレイ1のカラム(列)を指定(選択)す
る。センスアンプ4は、メモリセル1からの読み出しデ
ータを増幅して取り出す。試験データ書き込み回路5
は、試験回路7から出力された試験データをメモリセル
に書き込み、試験データチェック回路6は、試験回路7
から出力された試験データが正常にリードされるかチェ
ックする。試験回路7は、上記の試験データ作成機能と
試験の実行制御を行う。タイミング制御回路12は、通
常のリード/ライト制御を行う。
【0019】図2は、試験回路7の内部構成の一例を示
す図である。図2を参照すると、試験タイミング生成回
路31が試験実行時のタイミング制御を行う。固定デー
タパタン格納部32は、メモリセルアレイ1のロウ全体
に書き込む固定の試験データの格納部である。任意パタ
ン設定回路33は、外部から任意のパタンに試験データ
を変更する。ロウカウンタ34は、試験中の実行ロウの
位置を保持するためのカウンタである。
【0020】試験制御レジスタ35には、試験対象とな
るメモリが複数ある場合や、試験モードが異なる場合に
表示を行う試験モード表示ビット、試験実行中を示し通
常アクセスを禁止する試験中表示(試験開始/終了)ビ
ット、試験結果表示ビット、図4の入力ビットパタンに
使用される試験データパタン設定ビット群(複数)、障
害ロウアドレス表示ビット群(複数)、試験データ選択
ビットがある。セレクタ36は、固定データパタン格納
部32、任意パタン設定回路33を入力し試験制御レジ
スタ35の選択ビットにより、試験データ書き込み回路
5、試験データチェック回路6へ出力する。
【0021】図3は、試験データチェック回路6の内部
構成の一例を示す図である。試験データチェック回路4
1は、試験回路7からの試験データとセンスアンプ4か
らの読み出しデータを比較し、試験結果を出力するもの
である。
【0022】図4は、任意パターン設定回路33の動作
原理を説明するための図である。ロウ書き込みデータと
して入力されたデータをN回リピートすることにより拡
張し、試験データとして使用することが出来る。
【0023】次に、本発明の第一の実施例の動作につい
て、図1乃至図6を参照して詳細に説明する。図5及び
図6は、本発明の第一の実施例の動作(書き込み、及び
読み出し動作)を説明するためのタイミングチャートで
ある。
【0024】試験回路7に対し、図5、図6に示すよう
に、RAS(ローアドレスストローブ)とCAS(カラ
ムアドレスストローブ)を同時にアサートする(図では
Lowレベルとする)ことによって、制御アドレス空間
へのアクセスを行う。ライトアクセスを行うと、試験制
御レジスタ35へのライトアクセスと判定し、外部から
のデータを書き込む。シンクロナスRAMの場合には、
クロックCLKでデータの書き込み/読み出しを行い、
従来型のRAMの場合には、CASをトグルすることで
タイミングを与える。
【0025】試験の開始は、試験制御レジスタ35の試
験中表示(試験開始/終了)ビットに1を書き込むこと
で行う。図2に示した試験制御レジスタ35から試験実
行中信号がロウカウンタ34と、試験タイミング生成回
路31に、制御データバスを経由して送出され、試験タ
イミング生成回路31から各部に供給されるタイミング
によって試験アクセスが開始される。
【0026】通常、アクセスのタイミングは、タイミン
グ制御回路12によって行われるが、試験時には、試験
回路7の試験タイミング生成回路31からのテストタイ
ミング信号によって試験が行われる。
【0027】試験アクセスは、ロウカウンタ34のアド
レスがロウデコーダー2に送出され、メモリセル1の当
該ロウが選択されて、試験データを書き込み、その後読
み出したデータをチェックすることで実行される。
【0028】試験に使用されるデータパタンについて
は、ワードライン上の干渉や隣接セルとのブリッジなど
を検出するために、マーチングパターンなどを固定デー
タパタン格納部32から読み出して実行する。
【0029】図2の各部の制御としては、このように、
試験制御レジスタ35にある制御情報や試験タイミング
生成回路31からの制御信号は、制御データバスを経由
してやりとりされる。
【0030】固定データパタン格納部32からの固定パ
タンがセレクタ36で選択され、図3に示したデータチ
ェック回路41でメモリセルアレイから読み出されたデ
ータとチェックされる。試験中であれば、カウントアッ
プ信号がロウカウンタ34に送出され、次のロウアドレ
スに対して試験が続行される。試験が終了すると、試験
結果出力信号が試験制御レジスタ35に出力され、試験
が終了する。
【0031】本発明の第二の実施例について説明する。
本発明の第二の実施例は、試験回路7は、任意パタン設
定回路33を含むものである。
【0032】本発明の第二の実施例の動作について、図
1乃至図6を参照して詳細に説明する。試験回路7に対
し、図5、図6に示すようにRASとCASを同時にア
サートすることによって制御空間アクセスを行う。ライ
トアクセスを行うと試験制御レジスタ35へのライトア
クセスと判定し、外部からのデータを書き込む。シンク
ロナスRAMの場合はクロックCLKでデータの書き込
み/読み出しを行い、従来型のRAMの場合はCASを
トグルすることでタイミングを与える。
【0033】試験の開始は、試験制御レジスタ35にあ
る試験中表示(試験開始/終了)ビットに1を書き込む
ことで行う。試験制御レジスタ35から試験実行中信号
がロウカウンタ34と試験タイミング生成回路31に制
御データバスを経由して送出され、試験タイミング生成
回路31から各部に供給されるタイミングによって試験
アクセスが開始される。
【0034】通常アクセスのタイミングは、タイミング
制御回路12によって行われるが、試験時には試験タイ
ミング生成回路31からのテストタイミング信号によっ
て試験が行われる。試験アクセスは、ロウカウンタ34
のアドレスがロウデコーダー2に送出され、メモリセル
1の当該ロウが選択されて、試験データを書き込み、そ
の後読み出したデータをチェックすることで実行され
る。
【0035】なお、本発明の第二の実施例においても、
試験に使用されるデータパタンについて、固定パタンを
選択して用いるともできる。すなわち、ワードライン上
の干渉や隣接セルとのブリッジなどを検出するために、
マーチングパターンなどを固定データパタン格納部32
から読み出して実行する。
【0036】試験制御レジスタ35にある任意に設定さ
れたデータパタンは、制御データバスを経由して任意パ
タン設定回路33に送られ、任意パタン設定回路33で
は、入力ビットパタンから図4に示すような任意パタン
を生成する。
【0037】このように、試験制御レジスタ35にある
制御情報や試験タイミング生成回路31からの制御信号
は、制御データバスを経由してやりとりされる。
【0038】固定パタンあるいは任意パタンが、試験制
御レジスタ35にある試験データ生成ビットによりセレ
クタ36で選択され、図3のデータチェック回路41で
読み出されたデータとチェックされる。試験中であれ
ば、カウントアップ信号がロウカウンタ34に送出さ
れ、次のロウアドレスに対して試験が続行される。試験
が終了であれば、試験結果出力信号が試験制御レジスタ
35に出力され、試験が終了する。
【0039】本発明の更に別の実施例について、図7を
用いて詳細に説明する。
【0040】マルチプロセッサなどの内部には、一次キ
ャッシュとしてメモリがとりこまれることが普通となっ
ている。本実施例は、これらの命令キャッシュやデータ
キャッシュ、あるいはリード/ライトバッファなどの記
憶素子によって構成されるものの試験を行う場合に本発
明を適用したものである。
【0041】図7は、内部キャッシュなどに本発明を適
用した構成を示す図である。図7に示すように、本実施
例は、試験回路7、試験データ書き込み回路5、試験デ
ータチェック回路6、タイミング制御回路12、内部キ
ャッシュ81を備え、このうち試験回路7、試験データ
書き込み回路5、試験データチェック回路6は、前記実
施例で説明したものと同様の構成とされる。試験モード
は、外部端子からのなんらかの信号により起動され、通
常のアクセス制御を行うタイミング制御回路12を試験
回路7の内部にある試験タイミング生成回路31が制御
し、試験を開始する。試験の手順は、上記した第一又は
第二の実施例と同様であるため、説明は省略する。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば下
記記載の効果を奏する。
【0043】本発明の第一の効果は、装置に組み込んだ
状態での試験時間を短縮する、ということである。すな
わち、メモリセルアレイの直前と直後でデータの書き込
み及び読み出しチェックを行うことで、通常のアクセス
タイムに比較して例えば1000倍のオーダーでの高速
化が可能である。
【0044】その理由は、メモリチップの集積度が年々
向上するため装置での試験時間が増加する一方であるの
に対し、本発明の試験回路では、内部のロウが一列ずつ
増加するに過ぎないからである。
【0045】本発明の第二の効果は、メモリチップを初
期設定することができるため、システムで初期設定をし
なくてもECCエラーなどを引き起こす可能性がない、
ということである。
【0046】その理由は、本発明においては、パワーオ
ン時のメモリセルの状態を定義することができるためで
ある。
【0047】本発明の第三の効果は、メモリチップ内部
にあるロウデータのビット幅を有効に使える、というこ
とである。
【0048】その理由は、メモリチップは、内部のセル
が正方形に配置されており、外部からは1度に1ビット
しかアクセスしない場合でも、チップ内部としてはセル
1列分がアクセス可能であるからである。したがって、
内部にチェックデータも持つことによって、このデータ
幅を有効利用することができる。
【0049】本発明の第四の効果は、外部にアドレスな
どを生成する試験回路を必要としないことである。
【0050】その理由は、本発明においては、内部の試
験回路がアドレスおよびタイミング、データチェックを
一貫して実行することができるからである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。
【図2】本発明の一実施例における試験回路の構成を示
す図である。
【図3】本発明の一実施例における試験データチェック
回路の構成を示す図である。
【図4】本発明の第二の実施例における任意パタン設定
回路を説明するための図である。
【図5】本発明の実施例の動作を示すタイミング図であ
り、における試験制御レジスタのライト時のアクセスタ
イミングを示す図である。
【図6】本発明の実施例の動作を示すタイミング図であ
り、試験制御レジスタのリード時のアクセスタイミング
を示す図である。
【図7】本発明のその他の実施例を示す図である。
【図8】従来の試験回路の一例を示す図である。
【符号の説明】
1 メモリセルアレイ 2 ロウデコーダー 3 カラムデコーダー 4 センスアンプ 5 試験データ書き込み回路 6 試験データチェック回路 7 試験回路 8 メモリ 9 チップ 10 論理回路 11 メモリ試験回路 12 タイミング制御回路 31 試験タイミング生成回路 32 固定データパタン格納部 33 任意パタン設定回路 34 ロウカウンタ 35 試験制御レジスタ 36 セレクタ 41 データチェック回路 81 内部キャッシュなど

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】メモリセルアレイのロウに書き込まれる予
    め定められた固定の試験データよりなる固定パタンを格
    納した固定パタン格納手段と、 ロウ書き込みデータとして入力されたビットパタンに基
    づき生成され可変とされる試験データよりなる任意パタ
    ンを生成する任意パタン生成手段と、前記固定パタン格納手段又は前記任意パタン生成手段か
    ら出力される前記固定パタン又は前記任意パタンを選択
    出力する選択手段と、 試験モードの表示、試験実行中を示し通常アクセスを禁
    止するように制御するための試験開始/終了を示す情
    報、試験結果表示、前記任意パタンを生成する手段の入
    力ビットパタン、及び前記選択手段での試験データの選
    択を示す情報、を備えた試験制御レジスタと、を含む、
    試験回路と、 テスト時、前記試験回路の前記固定パタン格納手段から
    出力される前記固定パタン又は前記試験回路の前記任意
    パタン生成手段から出力される前記任意パタンのうち
    記試験回路の前記選択手段で選択された方のパタンをワ
    ード線を選択しながら前記メモリセルアレイに書き込む
    手段と、 読み出しサイクルで前記メモリセルアレイから読み出さ
    れたデータを前記選択されたパタンと比較し試験結果を
    出力する手段と、をメモリと同一チップ上に備えたこと
    を特徴とする試験機能つきメモリ。
  2. 【請求項2】メモリセルアレイと、 テスト時のタイミングを生成する試験タイミング生成手
    段、 前記メモリセルアレイのロウに書き込まれる予め定めら
    れた固定の試験データよりなる固定パタンを格納した固
    定パタン格納手段、 ロウ書き込みデータとして入力されたビットパタンに基
    づき生成され可変とされる試験データよりなる任意パタ
    ンを生成する任意パタン生成手段、 ロウアドレスを順次カウントアップするカウンタ手段、
    及び 前記固定パタン格納手段又は前記任意パタン生成手段か
    ら出力される前記固定パタン又は前記任意パタンを選択
    出力する選択手段、を含む試験回路と、 前記メモリセルアレイの選択されたロウに前記試験回路
    からのパタンを書き込む試験データ書き込み回路と、 前記試験回路からのパタンと前記メモリセルアレイから
    の読み出しデータを比較し、試験終了でない場合にはロ
    ウアドレスをカウントアップするように前記カウンタ手
    段を制御する試験データチェック回路と、 を含み、前記試験回路が、試験モードの表示、試験実行中を示し
    通常アクセスを禁止するように制御するための試験開始
    /終了を示す情報、試験結果表示、前記任意パタンを生
    成する手段の入力ビットパタン、及び前記選択手段での
    試験データの選択、を示す情報を備えた試験制御レジス
    タを含む、 ことを特徴とする試験機能つきメモリ。
JP22719297A 1997-08-08 1997-08-08 高速試験機能つきメモリ Expired - Fee Related JP3348632B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22719297A JP3348632B2 (ja) 1997-08-08 1997-08-08 高速試験機能つきメモリ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22719297A JP3348632B2 (ja) 1997-08-08 1997-08-08 高速試験機能つきメモリ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1166889A JPH1166889A (ja) 1999-03-09
JP3348632B2 true JP3348632B2 (ja) 2002-11-20

Family

ID=16856943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22719297A Expired - Fee Related JP3348632B2 (ja) 1997-08-08 1997-08-08 高速試験機能つきメモリ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3348632B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7450449B2 (en) 2005-09-29 2008-11-11 Yamaha Corporation Semiconductor memory device and its test method
JP2010211491A (ja) * 2009-03-10 2010-09-24 Toshiba Corp 証券取引所シミュレータおよび証券取引所シミュレート方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1166889A (ja) 1999-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100901404B1 (ko) 패리티 셀 어레이를 구비한 메모리 회로
EP0620556B1 (en) Semiconductor memory device having register for holding test resultant signal
US20050286325A1 (en) Method and apparatus for data compression in memory devices
JPS63102098A (ja) 集積回路
EP2003652B1 (en) Semiconductor memory and test system
US5777932A (en) Semiconductor memory device test circuit having an improved compare signal generator circuit
JP2001148199A (ja) 自己テスト回路内蔵半導体記憶装置
US20030116763A1 (en) Semiconductor integrated circuit device
US6034904A (en) Semiconductor memory device having selection circuit for arbitrarily setting a word line to selected state at high speed in test mode
KR19990029216A (ko) 디램 탑재된 반도체 집적 회로
KR100936418B1 (ko) 반도체 기억 장치 및 반도체 기억 장치의 시험 방법
KR19990002764A (ko) 메모리 로직 복합 반도체 장치 및 그 메모리 테스트 방법
US8274854B2 (en) Semiconductor storage device and method for producing semiconductor storage device
JP3244033B2 (ja) 同期型半導体記憶装置
JP3348632B2 (ja) 高速試験機能つきメモリ
CA1172316A (en) Refresh counter test
US5740179A (en) Method and apparatus for a design for test, parallel block write operation
JP2000331498A (ja) 半導体記憶装置
US6452861B1 (en) Semiconductor memory device allowing simultaneous inputting of N data signals
JP2007179731A (ja) メモリロジック複合半導体装置及びメモリテスト方法
JP2008159168A (ja) 半導体記憶装置
JPS6366798A (ja) 半導体記憶装置
US20230097405A1 (en) Simulation method and system of verifying operation of semiconductor memory device of memory module at design level
JP2005129174A (ja) メモリ自己検査機能を有する半導体装置
KR20040002116A (ko) 반도체 테스트 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020813

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100913

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees