JP3533202B2 - エチレン重合及び共重合用触媒 - Google Patents
エチレン重合及び共重合用触媒Info
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Description
ものであって、より詳しくは、高活性であり、水素反応
性が非常に優れたマグネシウムを含む担持体に支持され
たチタニウム固体錯物触媒に関する。
非常に高い触媒活性と嵩密度を与えるものに知られてお
り、液相及び気相重合用にも適合なものと知られてい
る。エチレン液相重合はバルクエチレンやイソペンタ
ン、ヘキサンのような媒質内で行われる重合工程を称ぜ
られ、これに使用される触媒の工程適用性の考慮のとき
重要な特性等としては、高活性、嵩密度、媒質に溶ける
低分子量含量等である。そしてこれらの殆どの工程で
は、分子量を制御するために水素を使用している。水素
量による分子量の変化(本明細書では水素反応性とい
う)は触媒毎に異なる又一つの触媒特性であり、この水
素反応性が大きい触媒は工程適用のとき、小さい量の水
素を使用して分子量を制御することができるため、工程
運転に更に大きい余裕を与えるということができる。
た多くのオレフイン重合触媒及び触媒製造工程が報告さ
れて来た。特に上で言及した嵩密度が高いオレフイン重
合触媒を得るためにマグネシウム溶液を利用した方法が
多く知られている。炭化水素溶媒存在下でマグネシウム
化合物をアルコール、アミン、環状エーテル、有機カル
ボン酸等のような電子供与体と反応させ、マグネシウム
溶液を得る方法があるが、アルコールを使用した場合
は、米国特許第3,642,746号、第4,336,
360号、 第4,330,649号及び第5,10
6,807号に言及されている。そして、該液相マグネ
シウム溶液を四塩化チタンのようなハロゲン化合物と反
応させ、マグネシウム担持触媒を製造する方法がよく知
られている。このような触媒は高い嵩密度を提供する
が、触媒の活性面や水素反応性面で改善されなければな
らない点がある。環状エーテルであるテトラハイドロフ
ランはマグネシウム化合物の溶媒として米国特許第4,
477,639号、第4,518,706号で利用され
ている。
816,433号、第4,829,037号、第4,9
70,186号、第5,130,284号はマグネシウ
ムアルコキシド、ジアルキルフタレート、フタロイルク
ロライド等のような電子供与体と塩化チタニウム化合物
を反応させ重合活性が優れ、嵩密度が向上されたオレフ
イン重合触媒を製造することを報告している。
くとも、一つのヒドロキシ基を有するエステル類を電子
供与体に含むマグネシウム溶液とチタニウム化合物を接
触反応させ担持チタニウム固体触媒を製造する方法を報
告している。この方法を利用して重合活性と嵩密度が優
れた触媒を得ることができるが、水素反応性面では改善
しなければならない余地がある。米国特許第5,86
9,418号ではプロピレン重合のとき、ジアルコキシ
フエニルアルカン類を外部電子供与体として使用するこ
とにより、水素反応性を高める方法及びこれの利点を見
せているが、これは、固体触媒の外に外部電子供与体を
使用することにより効果を得ており、又、プロピレン重
合及び共重合に局限されている。
重合活性と、触媒粒子が調節され、高い重合体嵩密度を
与えることができ、特に水素反応性が大きい新たなエチ
レン重合及び共重合用触媒の開発が要求されている。そ
こで本発明では、費用が低廉な化合物から簡単な製造工
程を経て触媒活性が優れ、高い嵩密度を有する重合体を
製造することができ、特に、触媒の水素反応性が優れた
触媒を製造する方法を提供しようとする。そして、本発
明で明らかにしょうとする具体的な触媒製造段階や工程
等は既存の特許や文献から知られたことがない。
反応性が優れ、そして、重合された重合体の嵩密度が高
い新たなエチレン重合及び共重合用触媒成分を提供する
ことである。具体的には、触媒粒子の形態が調節され、
水素反応性が非常に大きいエチレン重合及び共重合用触
媒固体成分を提供することが本発明の目的である。
び共重合用触媒固体成分の簡単な製造方法を提供するこ
とである。
本発明の請求範囲を参照すれば一層明らかになるであろ
う。
れ、嵩密度が高い重合体を製造できるエチレン重合及び
共重合用固体錯物チタニウム触媒は、(i)ハロゲン化
マグネシウム化合物とアルコールを接蝕反応させてマグ
ネシウム溶液を製造し、(ii)ここに、少なくとも一個
のヒドロキシ基を含むエステル化合物とアルコキシ基を
有するシリコン化合物を反応させた後、(iii)チタニ
ウム化合物とシリコン化合物の混合物を添加して固形の
チタニウム触媒を製造する簡単でありながら効果的な製
造工程によって製造される。
ム化合物の種類には、塩化マグネシウム、沃化マグネシ
ウム、弗化マグネシウム、そして臭化マグネシウムのよ
うなジハロゲン化マグネシウム;ハロゲン化メチルマグ
ネシウム、ハロゲン化エチルマグネシウム、ハロゲン化
プロピルマグネシウム、ハロゲン化ブチルマグネシウ
ム、ハロゲン化イソブチルマグネシウム、ハロゲン化ヘ
キシルマグネシウム、ハロゲン化アミルマグネシウム等
のようなハロゲン化アルキルマグネシウム;ハロゲン化
メトキシマグネシウム、ハロゲン化エトキシマグネシウ
ム、ハロゲン化イソプロポキシマグネシウム、ハロゲン
化ブトキシマグネシウム、そして、ハロゲン化オクトキ
シマグネシウムのようなハロゲン化アルコキシマグネシ
ウム;ハロゲン化フエノキシマグネシウム、そして、ハ
ロゲン化メチルフエノキシマグネシウムのようなハロゲ
ン化アリールオキシマグネシウムを例に挙げることがで
きる。上記マグネシウム化合物のうち、2個以上が混合
物に使用されても構わない。また、上記マグネシウム化
合物は他の金属との錯化合物形態で使用しても効果的で
ある。
表わすことができるが、ある場合にはマグネシウム化合
物の製造方法により簡単な式で表わすことができない場
合がある。このような場合には、一般的に上記列挙のマ
グネシウム化合物の混合物に見做すことができる。例え
ば、マグネシウム化合物をポリシロキサン化合物、ハロ
ゲン含有シラン化合物、エステル、アルコール等と反応
させ得た化合物;マグネシウム金属をハロシラン、五塩
化リン、または塩化チオニル存在下で、アルコール、フ
エノール又はエーテルと反応させて得た化合物等も本発
明に使用し得る。好ましきマグネシウム化合物はハロゲ
ン化マグネシウム、特に塩化マグネシウム、塩化アルキ
ルマグネシウム、好ましきは炭素数1〜10のアルキル
基を有するもの、塩化アルコキシマグネシウム、好まし
きは炭素数1〜10のアルコキシ基を有するもの、そし
て塩化アリールオキシマグネシウム、好ましきは炭素数
6〜20のアリールオキシ基を有するのがよい。本発明
で使用したマグネシウム溶液は前述のマグネシウム化合
物を炭化水素溶媒の存在又は不存在下にアルコール溶媒
を使用して溶液に製造することができる。
ては、ペンタン、へキサン、ヘプタン、オクタン、デカ
ン、そしてケロセンのような脂肪族炭化水素、シクロペ
ンタン、メチルシクロペンタン、シクロへキサン、そし
てメチルシクロへキサンのような脂環族炭化水素、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン、
そしてシメンのような芳香族炭化水素、ジクロロプロパ
ン、ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、四塩化炭
素、そしてクロロベンゼンのようなハロゲン化炭化水素
を例に挙げることができる。
転換時、前述の炭化水素の存在又は不存在下でアルコー
ルが使用される。アルコールの種類としてはメタノー
ル、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノ
ール、ヘキサノール、オクタノール、デカノール、ドデ
カノール、オクタデシルアルコール、ベンゼンアルコー
ル、フェニルエチルアルコール、イソプロピルベンジル
アルコール、クミルアルコールのような1〜20個の炭
素原子を有するアルコールを挙げることができ、好まし
きアルコールは1〜12個の炭素原子を含むアルコール
がよい。望む触媒の平均サイズ及び粒子分布度は、アル
コールの種類、総量、マグネシウム化合物の種類、マグ
ネシウムとアルコールの比等によって変わるが、マグネ
シウム溶液を得るためのアルコールの総量は、マグネシ
ウム化合物1モル当たり最少0.5モル、好ましくは約
1.0モル〜20モル、さらに好ましくは約2.0〜1
0モルがよい。
ム化合物とアルコールの反応は、炭化水素の存在下で行
うのが好ましく、反応温度はアルコールの種類及び量に
従って異なるが、最少約−25℃,好ましくは−10〜
200℃、さらに好ましくは約0〜150℃において約
15分〜5時間、好ましくは約30分〜4時間実施する
のがよい。
なくとも一つのヒドロキシ基を含むエステル化合物とし
ては、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロ
キシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルア
クリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、
4−ヒドロキシブチルアクリレート、ペンタエリスリト
ールトリアクリレート等のような少なくとも1個のヒド
ロキシ基を含む不飽和脂肪酸エステル類;2−ヒドロキ
シエチルアセテート、メチル3−ヒドロキシブチレー
ト、エチル3−ヒドロキシブチレート、メチル2−ヒド
ロキシイソブチレート、エチル2−ヒドロキシイソブチ
レート、メチル−3−ヒドロキシ−2−メチルプロピオ
ネート、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシプロピオネ
ート、エチル−6−ヒドロキシヘキサノエート、t−ブ
チル−2−ヒドロキシイソブチレート、ジエチル−3−
ヒドロキシグルタレート、エチルラクテート、イソプロ
ピルラクテート、ブチルイソブチルラクテート、イソブ
チルラクテート、エチルマンデレート、ジメチルエチル
タータレート、エチルタータレート、ジブチルタータレ
ート、ジエチルシートラート、トリエチルシートラー
ト、エチル2−ヒドロキシカプロエート、ジエチルビス
−(ヒドロキシメチル)マロナート等のように少なくと
も1個のヒドロキシ基を含む脂肪族モノエステル又はポ
リエステル類;2−ヒドロキシエチルベンゾエート、2
−ヒドロキシエチルサリシレート、メチル4−(ヒドロ
キシメチル)ベンゾエート、メチル4−ヒドロキシベン
ゾエート、エチル3−ヒドロキシベンゾエート、4−メ
チルサリチレート、エチルサリチレート、フエニルサリ
チレート、プロピル4−ヒドロキシベンゾエート、フエ
ニル3−ヒドロキシナプタノエート、モノエチレングリ
コールモノベンゾエート、ジエチレングリコールモノベ
ンゾエート、トリエチレングリコールモノベンゾエート
等のような少なくとも1個のヒドロキシ基を含む芳香族
エステル類;ヒドロキシブチルラクトン等のような少な
くとも1個のヒドロキシ基を含む脂環族エステル類等を
使用することができる。少なくとも、1個のヒドロキシ
基を含むエステル化合物の量は、マグネシウム1モル当
たり0.001〜5モルであり、好ましくは、1モル当
たり0.01〜2モルが適当である。
あるアルコキシ基を有するシリコン化合物としては、R
1 nSi(OR2)4-n(ここでR1,R2はそれぞれ炭素数
が1〜12である炭化水素、nは0〜3の整数)の一般
式を有する化合物が好ましい。具体的には、ジメチルジ
メトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフエニ
ルジメトキシシラン、メチルフエニルジメトキシシラ
ン、ジフエニルジエトキシシラン、エチルトリメトキシ
シラン、ビニルトリメトキシシラン、メチルトリメトキ
シシラン、フエリルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリ
エトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、フエニル
トリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラ
ン、ビニルトリブトキシシラン、エチルシリケート、ブ
チルシリケート、メチルトリアリルロキシシラン等の化
合物を使用することができる。これらの量はマグネシウ
ム1モル当たり、0.05〜3モルが好ましく、更に好
ましくは0.1〜2モルである。
も1個のヒドロキシ基を含むエステル化合物とアルコキ
シシリコン化合物の接触反応温度は、0〜100℃が適
当であり、10〜70℃がさらに好ましい。
一般式Ti(OR)aX4-a チタニウム化合物 (Rは炭
素数1〜10個のアルキル基、Xはハロゲン原子、そし
て、 aは0≦a≦4の自然数)とシリコン化合物 R
nSiCl4-n(Rは炭素数1〜10個のアルキル基、そ
して、nは0≦n≦4の自然数)の混合物と反応させ触
媒粒子を再結晶させる。上記一般式 Ti(OR)aX
4-aを満足するチタニウム化合物の種類としては、Ti
Cl4、TiBr4、TiI4のような四ハロゲン化チタ
ニウム、Ti(OCH3)Cl3、Ti(OC2H5)Cl
3、Ti(OC2H5)Br3 、そして、Ti(O(i−
C4H9))Br3のような三ハロゲン化アルコキシチタ
ニウム、Ti(OCH3)2Cl2、Ti(OC2H5)2C
l2、Ti(O(i−C4H9))2Cl2 そして、Ti
(OC2H5)2Br2 のようなニハロゲン化アルコキシ
チタニウム、Ti(OCH3)4、Ti(OC2H5)4、
そして Ti(OC4H9)4のようなテトラアルコキシ
チタニウムを例に挙げることができる。又、上記のチタ
ニウム化合物の混合物も本発明に使用されうる。好まし
きなチタニウム化合物はハロゲン含有チタニウム化合物
であり、さらに好ましきなチタニウム化合物は四塩化チ
タニウムである。
コン化合物の種類としては、四塩化シリコンと、メチル
トリクロロシラン、エチルトリクロロシロン、フエニル
トリクロロシラン等のようなトリクロロシラン、ジメチ
ルジクロロシラン、ジエチルジクロロシラン、ジフエニ
ルジクロロシラン、メチルフエニルジクロロシラン等の
ようなジクロロシラン、トリメチルクロロシラン等のよ
うなモノクロロシランを例に挙げることができるし、上
記のシリコン化合物の混合物も本発明に使用することが
できる。好ましきシリコン化合物は四塩化シリコンであ
る。
き使用するチタニウム化合物とシリコン化合物の混合物
の量はハロゲン化マグネシウム化合物1モル当たり0.
1〜200モルが適当であり、好ましくは0.1モル〜
100モルであり、さらに好ましくは0.2〜80モル
である。チタニウム化合物とシリコン化合物の混合比は
モル比で0.05〜0.95が適当であり、さらに好ま
しくは、0.1〜0.8である。マグネシウム化合物溶
液とチタニウム化合物及びシリコン化合物の混合物を反
応させるときの反応条件により再結晶された固体成分の
形とサイズが多く変化する。よって本発明の要求に符合
する触媒のサイズ、そして重合体の嵩密度を得るために
は上記のチタニウム化合物とシリコン化合物の混合物の
量とその混合比を保持するのが有利である。若し、この
範囲を外れると本発明の要求に符合する結果を得ること
が難しい。そして、マグネシウム化合物溶液とチタニウ
ム化合物とシリコン化合物の混合物との反応は十分に低
い温度で行って、固体成分を生成させることがよい。好
ましくは、−70℃〜70℃で接触反応を実施すること
がよく、さらに好ましくは、−50℃〜50℃で行うの
が有利である。接触反応後、徐々に反応温度を上げて5
0℃〜150℃で0.5時間〜5時間十分に反応させ
る。
物とさらに反応させることができる。チタニウム化合物
はチタニウムハライド、そして、アルコキシ官能基の炭
素数が1〜20個であるハロゲン化アルコキシチタニウ
ムである。場合によっては、これらの混合物も使用する
ことができる。これらのうち、好ましくは、チタニウム
ハライドとアルコキシ官能基の炭素数が1〜8個である
ハロゲン化アルコキシチタニウムが適切であり、より好
ましくはチタニウムハライドが適当である。
固体錯物チタニウム触媒は、エチレンの重合及び共重合
に有益に使用される。特に、該触媒はエチレンの単独重
合及びエチレンとプロピレン、1−ブテン、1−ペンテ
ン、4−メチル−1−ペンテン、1−ヘキセンのような
炭素数3個以上のα−オレフインとの共重合に使用され
る。
マグネシウム、チタニウム、ハロゲン、そして、電子供
与体からなった本発明による固体錯物チタニウム触媒
と、(ii)周期率表第II族及び第III族有機金属化合物
から構成された触媒系を使用して遂行される。
重合反応に成分として使用される前にエチレン又はα−
オレフインで前(pre)重合して使用することができ
る。前重合はへキサンのような炭化水素溶媒の存在下で
十分に低い温度とエチレン又はα−オレフイン圧力条件
で上記の触媒成分とトリエチルアルミニウムのような有
機アルミニウム化合物の存在下に行うことができる。前
重合は触媒粒子をポリマーで取り囲んで触媒形状を保持
させるので、重合後にポリマーの形状を良くするのに助
けになる。前重合後のポリマー/触媒の重さ比は大概
0.1:1〜20:1である。
一般式で表記することができるが、ここでMはマグネシ
ウム、カルシウム、亜鉛、硼素、アルミニウム、ガリウ
ムのような周期率表II族又はIIIA族金属成分であり、
Rはメチル、エチル、ブチル、ヘキシル、オクチル、デ
シルのような炭素数1〜20個のアルキル基を表わし、
nは金属成分の原子価を表示する。より好ましきな有機
金属化合物としては、トリエチルアルミニウム、トリイ
ソブチルアルミニウムのような炭素数1個〜6個のアル
キル基を有するトリアルキルアルミニウムとこれらの混
合物が有益である。場合によってはエチルアルミニウム
ジクロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、エチ
ルアルミニウムセスキクロライド、ジイソブチルアルミ
ニウムヒドラジドのような一個以上のハロゲン又はヒド
リド基を有する有機アルミニウム化合物を使用すること
ができる。
ク重合や有機溶媒存在下で液状スラリー重合方法で可能
である。これらの重合方法は酸素、水、そして触媒毒に
作用し得るその他の化合物の不在下で行われる。
錯物チタニウム触媒(i)の重合反応系中の濃度は、溶
剤1Lに対し、触媒のチタニウム原子で約0.001〜
5ミリモル、好ましくは約0.001〜0.5ミリモル
である。溶剤としてはペンタン、ヘキサン、ヘプタン、
n−オクタン、イソオクタン、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサンのようなアルカン又はシクロアルカン、
トルエン、キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベ
ンゼン、エチルトルエン、n−プロピルベンゼン、ジエ
チルベンゼンのようなアルキルアロマチック、クロロベ
ンゼン、クロロナプタレン、オーソ−ジクロロベンゼン
のようなハロゲン化芳香族、そして、これらの混合物が
有益である。
(i)の量は重合帯域1Lに対し、触媒のチタニウム原
子で約0.001〜5ミリモル、好ましくは、約0.0
01〜1.0ミリモル、さらに好ましくは、約0.01
〜0.5ミリモルにするのが良い。
ルミニウム原子で計算して触媒(i)中、チタン原子の
モル当たり約1〜2000モルであり、さらに好ましく
は約5〜500モルが有益である。
工程に係わりなく十分に高い温度で行う。一般的に約2
0〜200℃が適当であり、さらに好ましくは20℃〜
95℃がよい。重合時の単量体の圧力は大気圧〜100
気圧が適切であり、さらに好ましくは2〜50気圧の圧
力が適当である。
に重合時に水素使用量による分子量の変化を、この分野
において通常的に広く知られた溶融指数(ASTM D
1238)に表わす。溶融指数は一般的に分子量が小
さいほどその値が大きく表れる。
のエチレン単独重合体又はエチレンとαーオレフインの
共重合体であり、重合体の収率も十分に高いので触媒残
査の除去が必要でなく、優れた嵩密度と流動性を有して
いる。
明する。しかし、本発明はこれらの例に局限されない。
て製造された。 (i)段階:マグネシウム溶液の製造 窒素雰囲気に置換された機械式撹拌機が設置された1.
0L反応器にMgCl2 9.5g(0.1モル)、ト
ルエン400mlを入れ、300rpmで攪拌した後、
2−エチルへキサノール62ml(0.4モル)を投入
した後、 温度を120℃にあげた後、3時間反応させ
た。反応後に得られた均一溶液を70℃に冷やした。
シ基を含むエステルとアルコキシシラン化合物の接触反
応 70℃に冷やしたマグネシウム溶液に2−ヒドロキシエ
チルメタクリレート1.2ml(10ミリモル)とシリ
コンテトラエトキシド10.0ml(45ミリモル)を
添加して1時間反応させた。
ン化合物の混合物の処理 上記溶液を常温(25℃)に調節して四塩化チタニウム
30mlと四塩化シリコン30mlの混合溶液を1時間
滴下した。滴下が完了されると1時間にわたって攪拌し
ながら反応器の温度を90℃に昇温させ1時間保持し
た。攪拌を中止した後、上層の溶液を分離した後、残り
の固体層にトルエン300mlと四塩化チタニウム10
0mlを連続的に注入し、温度を100℃に上昇させた
後、2時間保持した。反応の後、反応器を室温で冷却
し、未反応遊離四塩化チタニウムが除去されるときまで
へキサン400mlを注入して洗浄した。製造された固
体触媒のチタニウム含量は3.6%であった。
態に組み立てた後、室素と真空とを交代に3回操作して
反応器内を窒素雰囲気に作った。n−へキサン1000
mlを反応器に注入した後、トリエチルアルミニウム2
ミリモルと固体触媒をチタニウム原子基準で0.03ミ
リモルを注入し、水素2000mlを注入した。攪拌機
700rpmで攪拌させながら、反応器の温度を80℃
に上げ、エチレンの圧力を80psiに調節した後、1
時間重合を実施した。重合が終わった後、反応器の温度
を上温に下げ、重合内容物に過量のエタノール溶液を加
えた。生成された重合体は分離収集し、50℃の真空オ
ーブンにおいて最小限6時間乾燥して白色粉末のポリエ
チレンを得た。
i)は、使用した触媒量(ミリモルTi)当たり生成さ
れた重合体の重さ(kg)比で計算した。重合結果は重
合体の嵩密度(g/ml)、溶融指数(g/10分)と
共に表1に表わした。
温(25℃)に調節して触媒を製造した。製造された触
媒のチタニウム含量は3.2%であリ、実施例1の如く
重合を実施し、その結果は表1に表わした。
ロキシエチルメタクリレート2.4mlとシリコンテト
ラエトキシド10.0mlを使用して触媒を製造し、製
造された触媒のチタニウム含量は2.9%であった。重
合反応は実施例1の条件で実施し、その結果は表1に表
わした。
ロキシエチルメタクリレート3.6mlとシリコンテト
ラエトキシド10.0mlを使用して触媒を製造し、製
造された触媒のチタニウム含量は2.5%であった。重
合反応は実施例1の条件で実施し、その結果は表1に表
わした。
ロキシエチルメタクリレート1.2mlとシリコンテト
ラエトキシド5.0mlを使用して触媒を製造し、製造
された触媒のチタニウム含量は3.5%であった。重合
反応は実施例1の条件で実施し、その結果は表1に表わ
した。
ロキシエチルメタクリレート1.2mlとシリコンテト
ラエトキシド15.0mlを使用して触媒を製造し、製
造された触媒のチタニウム含量は3.1%であった。重
合反応は実施例1の条件で実施し、その結果は表1に表
わした。
チタニウム30mlと四塩化シリコン30ml混合溶液
の滴下時間を30分に調節して触媒を製造し、製造され
た触媒のチタニウム含量は3.8%であった.重合反応
は実施例1の条件で実施し、その結果は表1に表わし
た。
チタニウム30mlと4塩化シリコン30ml混合液の
滴下時間を2時間に調節して触媒を製造し、製造された
触媒のチタニウム含量は3.6%であった.重合反応は
実施例1の条件で実施し、その結果は表1に表わした。
利用して重合を実施し、その結果は表1に表わした。
利用して重合を実施し、その結果は表1に表わした。
ウム溶液製造時、溶媒としてデカン400mlを使用し
て触媒を製造し、製造された触媒のチタニウム含量は
3.6%であった。重合反応は実施例1の条件で実施
し、その結果は表1に表わした。
化チタニウム40.0mlと四塩化シリコン20.0m
lを使用して触媒を製造し、製造された触媒のチタニウ
ム含量は3.8%であった。重合反応は実施例1の条件
で実施し、その結果は表1に表わした。
化チタニウム20.0mlと四塩化シリコン40.0m
lを使用して触媒を製造し、製造された触媒のチタニウ
ム含量は3.4%であった。重合反応は実施例1の条件
で実施し、その結果は表1に表わした。
チタニウム40.0mlと四塩化シリコン20.0ml
を使用して触媒を製造し、製造された触媒のチタニウム
含量は3.9%であった。重合反応は実施例1の条件で
実施し、その結果は表1に表わした。
チタニウム20.0mlと四塩化シリコン40.0ml
を使用して触媒を製造し、製造された触媒のチタニウム
含量は3.5%であった。重合反応は実施例1の条件で
実施し、その結果は表1に表わした。
テトラエトキシド10.0mlを使用し、2−ヒドロキ
シエチルメタクリレートを使用せず触媒を製造し、製造
された触媒のチタニウム含量は3.8%であった.重合
反応は実施例1の条件で実施し、その結果は表1に表わ
した。
ロキシエチルメタクリレート1.2mlを使用し、シリ
コンテトラエトキシドを使用せず触媒を製造し、製造さ
れた触媒のチタニウム含量は3.4%であった。重合反
応は実施例1の条件で実施し、その結果は表1に表わし
た。
ロキシエチルメタクリレートとシリコンテトラエトキシ
ドを使用せず触媒を製造し、製造された触媒のチタニウ
ム含量は4.3%であった。重合反応は実施例1の条件
で実施し、その結果は表1に表わした。
チタニウム60mlを使用して触媒を製造し、製造され
た触媒のチタニウム含量は4.4%であった。重合反応
は実施例1の条件で実施し、その結果は表1に表わし
た。
て重合を実施し、その結果は表1に表わした。
て重合を実施し、その結果は表1に表わした。
ロキシエチルメタクリレートとシリコンテトラエトキシ
ドを使用せず、(iii)段階に四塩化チタニウム60m
lを使用して触媒を製造し、製造された触媒のチタニウ
ム含量は4.1%であった.重合反応は実施例1の条件
で実施し、その結果は表1に表わした。
は、製造工程が簡単でありながら、高い重合活性で触媒
残査の除去が必要でなく、触媒粒子が調節され高い重合
体嵩密度を与え、水素反応性が向上された効果を有す
る。
Claims (6)
- 【請求項1】(i)ハロゲン化マグネシウム化合物とア
ルコールを接触反応させ、マグネシウム溶液を製造し、 (ii)ここに少なくとも1個のヒドロキシ基を含むエス
テル化合物とアルコキシ基を有するシリコン化合物を反
応させた後、 (iii)チタニウム化合物と一般式R n SiCl 4-n (R
は炭素数1〜10のアルキル基、nは0≦n≦3の自然
数)で表示されるシリコン化合物の混合物とを反応させ
て製造されるエチレン重合及び共重合用固体錯物チタニ
ウム触媒。 - 【請求項2】前記少なくとも1個のヒドロキシ基を含む
エステル化合物は、2−ヒドロキシエチルアクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロ
キシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメ
タクリレート、4−ヒドロキシブチルアクリレートおよ
びペンタエリスリト―ルトリアクリレートからなる群か
ら選択される少なくとも一つのヒドロキシ基を含む不飽
和脂肪酸エステル;2−ヒドロキシエチルアセテート、
メチル−3−ヒドロキシブチレート、エチル−3−ヒド
ロキシブチレート、メチル−2−ヒドロキシイソブチレ
ート、エチル−2−ヒドロキシイソブチレート、メチル
−3−ヒドロキシ−2−メチルプロピオネート、2,2
−ジメチル−3−ヒドロキシプロピオネート、エチル−
6−ヒドロキシヘキサノエート、t−ブチル−2−ヒド
ロキシイソブチレート、ジエチル−3−ヒドロキシグル
タレート、エチルラクテート、イソプロピルラクテー
ト、ブチルイソプロピルラクタ−ト、イソブチルラクテ
ート、エチルマンデレート、ジメチルエチルタータレー
ト、エチルタータレート、ジブチルタータレート、ジエ
チルシートラート、トリエチルシートラート、エチル−
2−ヒドロキシカプロエートおよびジエチルビス−(ヒ
ドロキシメチル)マロナートからなる群から選択される
少なくとも1個のヒドロキシ基を含む脂肪族モノエステ
ル又はポリエステル;2−ヒドロキシエチルベンゾエー
ト、2−ヒドロキシエチルサリチレート、メチル−4−
(ヒドロキシメチル)ベンゾエート、メチル−4−ヒド
ロキシベンゾエート、エチル−3−ヒドロキシベンゾエ
ート、4−メチルサリチレート、エチルサリチレート、
フェニルサリチレート、プロピル−4−ヒドロキシベン
ゾエート、フェニル−3−ヒドロキシナプタノエート、
モノエチレングリコールモノベンゾエート、ジエチレン
グリコールモノベンゾエートおよびトリエチレングリコ
ールモノベンゾエートからなる群から選択される少なく
とも1個のヒドロキシ基を含む芳香族エステル;又は、
少なくとも1個のヒドロキシ基を含む脂環族エステルで
あり、前記アルコキシ基を有するシリコン化合物は、R
1 nSi(OR2)4-n(ここでR1、R2はそれぞれ炭素数
が1〜12の炭化水素、nは0〜3の整数)の一般式を
有する化合物としてジメチルジメトキシシラン、ジメチ
ルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メ
チルフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシ
シラン、エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキ
シシラン、メチルトリメトキシシラン、フェニルトリメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリ
エトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ブチルト
リエトキシシラン、フエニルトリエトキシシラン、エチ
ルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリブトキシシラ
ン、エチルシリケート、ブチルシリケート又はメチルト
リアリーロキシシランであることを特徴とする請求項1
記載のエチレン重合及び共重合用固体錯物チタニウム触
媒。 - 【請求項3】前記チタニウム化合物は、一般式Ti(O
R) a X 4-a (Rは炭素数1〜10のアルキル基、Xはハ
ロゲン原子、aは0≦a≦4の自然数)で表示される化
合物であることを特徴とする請求項1に記載のエチレン
重合及び共重合用固体錯物チタニウム触媒。 - 【請求項4】前記チタニウム化合物はTiCl 4 、Ti
Br 4 、TiI 4 、Ti(OCH 3 )Cl 3 、Ti(OC 2
H 5 )Cl 3 、Ti(OC 2 H 5 )Br 3 、Ti(O(i−
C 4 H 9 ))Br 3 、Ti(OCH 3 ) 2 Cl 3 、Ti(OC
2 H 5 ) 2 Cl 2 、Ti(O(i−C 4 H 9 )) 2 Cl 2 、T
i (OC 2 H 5 ) 2 Br 2 、Ti(OCH 3 ) 4 、Ti(OC
2 H 5 ) 4 またはTi(OC 4 H 9 ) 4 であり、前記シリコン
化合物は四塩化シリコン、メチルトリクロロシラン、エ
チルトリクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、ジ
メチルジクロロシラン、ジエチルジクロロシラン、ジフ
ェニルジクロロシラン、メチルフェニルジクロロシラン
またはトリメチルクロロシランであることを特徴とする
請求項3に記載のエチレン重合及び共重合用固体錯物チ
タニウム触媒。 - 【請求項5】前記チタニウム化合物は四塩化チタニウム
であり、前記シリコン化合物は四塩化シリコンであるこ
とを特徴とする請求項3に記載のエチレン重合及び共重
合用固体錯物チタニウム触媒。 - 【請求項6】前記チタニウム化合物と前記シリコン化合
物との混合物の量は、ハロゲン化マグネシウム化合物1
モル当たり0.1〜200モルであり、前記チタニウム
化合物と前記シリコン化合物との混合比はモル比で0.
05〜0.95であることを特徴とする請求項1に記載
のエチレン重合及び共重合用固体錯物チタニウム触媒。
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