JP3526551B2 - 読出し専用メモリ及び読出し専用メモリ装置 - Google Patents

読出し専用メモリ及び読出し専用メモリ装置

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    • H01L27/112Read-only memory structures [ROM] and multistep manufacturing processes therefor

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】本発明は、読出し専用メモリの製造過程の
一部分を占める書込み操作で、メモリに永久的に書込み
又は記憶されるデーターを定める、決定されたプロトコ
ルに従って、一つ又は二つ以上の論理状態が夫々永久的
に割り当てられている複数のメモリセル、及びアドレス
するための電気伝導体の受動マトリックスを有する電気
的にアドレス可能な不揮発性読出し専用メモリにおい
て、前記受動電気伝導体マトリックスが、相互に離れて
配置された平行な平面内にある第一及び第二の電極構造
体で、各平面内に平行な電極を有し、前記電極が実質的
に直交x、yマトリックスを形成している電極構造体を
有し、前記第一電極構造体の電極が、マトリックスの
桁、即ちx電極を構成し、第二電極構造体の電極が、マ
トリックスの行、即ちy電極を構成し、x電極とy電極
との共通部分の間の体積の少なくとも一部分が読出し専
用メモリのメモリセルを定め、選択された電気伝導性電
極材料に関して整流性を有する少なくとも一つの半導体
材料及び第一電気絶縁性材料が与えられており、前記メ
モリセル中の電極と電気接触した半導体材料が、半導体
材料と電極材料との間の界面にダイオード接合を形成し
ており、各場合の論理状態がメモリセルのインピーダン
ス値により与えられ、前記インピーダンス値が、半導体
材料のインピーダンス特性又は絶縁材料のインピーダン
ス特性及びダイオード接合のインピーダンス特性のいず
れかにより実質的に与えられている、読出し専用メモリ
に関する。 【0002】本発明は、本発明による一つ以上の読出し
専用メモリを具えた読出し専用メモリ装置、及び本発明
による二つ以上の読出し専用メモリを具えた読出し専用
メモリ装置にも関する。 【0003】平面上のデーター記憶位置又はビット点の
マトリックスアドレスは、極めて多数のアドレス可能な
メモリ位置を、穏当な数の電気アドレスラインで達成す
る簡単で有効な方法である。x方向とy方向の両方に夫
々n本の線を有する四角なx、yマトリックスでは、メ
モリ位置の数はn2になる。現在この基本的原理は、ど
の形態の場合でも、固体半導体メモリ機構の多数の異な
った態様で実施されている。それらでは、メモリ位置
は、マトリックスとメモリ素子、典型的には電荷蓄積素
子中の共通部分を経て外へ通ずる簡単な電気回路を有す
る。そのような機構は技術的及び商業的に非常に成功を
収めている場合でも、それらは多くの欠点を有し、特に
各メモリ位置は複雑な構造を有し、それがコストの増大
及びデーター記憶密度の減少をもたらしている。大きな
分類として所謂揮発性メモリ機構の中に入るものでは、
回路は一定して電流供給を持続しなければならず、記憶
された情報を維持するためには、電力の消費及び加熱を
伴う。一方、不揮発性機構はこの問題を起こさないが、
減少したアクセス及びスイッチング時間の外、電力消費
の増大及び高度の複雑性を代償として払っている。 【0004】従来技術では、受動マトリックスで電気的
アドレスをする半導体系読出し専用メモリの多くの例を
与えている。例えば、米国特許第4,099,260号
明細書〔ラインズ(Lynes)その他〕には、大規模集積装
置として製造された半導体系読出し専用メモリ(RO
M)が記載されており、この場合一つの伝導型の自己絶
縁性ビットライン表面領域が半導体基板に、直接反対の
伝導型のバルク領域内に形成されている。バルク領域と
して同じ伝導型のチャンネルストップ領域が、ビットラ
イン領域の間の間隔内に形成されている。ビットライン
領域に対し直角に上に横たわる金属ワードラインが、絶
縁層によりそれらとは別に形成されている。メモリセル
は単一ショットキーダイオードからなる。この種のダイ
オードは、ビットラインの僅かにドープした部分とワー
ドラインを接触させるために、製造中に絶縁層に開口が
形成されるか否かに従い、ワードラインとビットライン
との各共通部分に形成されているか、又はそこには形成
されない。この種のROMは、小さな領域、高速、低電
力消費、及び低コストを有すると述べられている。 【0005】更に、米国特許第4,400,713号明
細書〔ボーゲ(Bauge)及びモリエール(Mollier)〕によ
り、チップ上にマトリックスの形に集積されたショット
キーダイオード及びトランジスタのような半導体素子を
有する装置が知られている。マトリックスは、希望の機
能を与えるように注文設計することができる。例えば、
それは、プログラム可能な論理アレー(PLA)のAN
D又はORマトリックスとして、又は記憶密度及び電力
消費に関して一層よい性質を有すると言われている読出
し専用メモリとして用いることができる。幾らか異なっ
た設計の平行金属電極を有する第一電極構造体が、例え
ば、p型の半導体基板上に与えられている。半導体基板
上には酸化物層が形成されており、その酸化物層に開口
が形成されて金属線によるアノード接点及びカソード接
点を与えるようにしてあり、それら金属線が電極マトリ
ックス中の第一金属レベルを構成する。カソード接点の
下には二つのn+領域が配置されている。これらの領域
はその下のコレクタ層まで伸びており、ショットキーダ
イオードが形成されるようになっている。第一金属レベ
ル、即ち、電極レベルの上には絶縁層が与えられてお
り、この上に第二電極レベルがあり、それは例えば直交
第二電極構造体を構成する。絶縁層を通る開口は、マト
リックス中の別の素子中に含まれる一群のそのような接
点としてカソード接点との接触を確実に与える。 【0006】最後に、米国特許第5,272,370号
明細書〔フレンチ(French)〕から、ガラス又は他の基板
上に薄膜積層体として形成された開放及び閉鎖メモリセ
ルのマトリックスに基づいた薄膜ROM装置が知られて
いる。各閉鎖メモリセルは薄膜ダイオードからなり、そ
れは、例えば、水素化無定形珪素の半導体膜の積層体
で、別々の膜が異なった伝導型を有する積層体を用いる
ことにより、異なった伝導特性を持つダイオードとして
得ることができる。それにより、ROMマトリックス中
の情報容量は増大する。その場合、ダイオード構造体と
共に形成された各メモリ素子は、或る製造プロトコルに
従い異なった論理レベルを持つように設定することがで
きる。メモリ素子がダイオード構造体をもたない場合、
又は半導体が、電極接点が形成されていないような絶縁
層により覆われている場合、メモリ素子は、決定された
第一論理レベル、例えば、論理0を形成するように用い
ることができる。 【0007】上述の従来法の装置は全て閉鎖電極接点中
にダイオード接合を与えることにより、それ自体既知の
やり方で受動マトリックスでの電気的アドレスを実現し
ているが、それらは一つには異なった型の半導体を用い
ているため、比較的大きな複雑性を有する。しかし、最
後に言及した刊行物(米国特許第5,272,370
号)に記載されているようなROM装置では、マトリッ
クスに二つより多い論理値を記憶させることは可能であ
るかもしれないが、これは異なったダイオード型、従っ
て、ダイオード接合を有するビット点に異なったドープ
をした半導体の幾つかの層を使用することを前提として
いる。 【0008】従って、本発明の目的は、第一に、受動マ
トリックスで読出し専用メモリの別々のメモリセルに電
気的アドレスすることを可能にし、半導体及び薄膜技術
で適用されているようなそれ自体既知の技術及び方法を
用いて、読出し専用メモリを簡単に安く実現しながら、
メモリセルに記憶されたデーターを維持するために再書
き込みを必要としない読出し専用メモリ、即ちROMを
与えることである。 【0009】特に、本発明の目的は、有機材料、例え
ば、重合体材料で、伝導体、絶縁体及び半導体材料の両
方で用いることができる薄膜技術で実現され、一層融通
性のある技術的解決法を与え、特に結晶質無機半導体を
用いた場合よりも遥かに少ないコストを与えると考えら
れるものを使用することに基づく不揮発性読出し専用メ
モリを与えることにある。 【0010】更に、予め定められたメモリセル又はメモ
リ位置の多値コード化を可能にする読出し専用メモリを
与えることも一つの目的である。 【0011】最後に、本発明の目的は、ボリューム型(v
olumetric)読出し専用メモリ装置を実現するのに用いる
ことができる読出し専用メモリを与えることである。 【0012】これら及び他の目的及び利点は、本発明に
よる読出し専用メモリによって達成され、そのメモリ
は、y電極が第二電気絶縁性材料の上に与えられてお
り、その絶縁材料は前記y電極と実質的に同じ形態及び
広がりを持つ帯状構造体として実現され、マトリックス
の一部分としてx電極に隣接して与えられており、半導
体材料が前記電極構造体の上に与えられており、これに
よりメモリセル中の接触領域が、y電極の各側縁に沿っ
て夫々伸びている、y電極がメモリセル中のx電極と重
なっている部分により定められており、読出し専用メモ
リ中のメモリセルの第一論理状態が、メモリセル中の全
接触領域を覆う半導体材料の活性部分により生成し、ダ
イオード接合がメモリセルの全接触領域を占め、読出し
専用メモリ中の選択されたメモリセルの第二論理状態が
第一絶縁材料により覆われたメモリセル中の両方の電極
構造体により生成し、読出し専用メモリ中のメモリセル
の一つ以上の付加的論理状態が接触領域の一部分だけを
覆う半導体材料の活性部分により生成し、メモリに記憶
されるデーターが多値コードの論理状態により表すこと
ができ、前記一つ以上の付加的論理状態が、半導体材料
の活性部分の広がり及びダイオード接合を形成する接触
領域の部分の広がりにより決定されるインピーダンス値
により与えられることを特徴とする。 【0013】本発明による第一読出し専用メモリ装置
は、半導体材料の基板上、又は半導体材料の基板の間に
与えられ、それら基板を経て駆動及びアドレスのための
駆動及び制御回路と接続されており、前記駆動及び制御
回路が基板(単数又は複数)に集積されており、基板材
料に適合する半導体技術で実現されていることを特徴と
し、本発明による第二読出し専用メモリ装置は、読出し
専用メモリが水平層として積層され、ボリューム型メモ
リ装置を与え、半導体材料の基板又は半導体材料の基板
の間にボリューム型メモリ装置が与えられ、前記基板
(単数又は複数)を経て、駆動及びアドレスのための駆
動及び制御回路と接続されており、前記駆動及び制御回
路が前記基板(単数又は複数)に集積されており、基板
材料に適合する半導体技術で実現されていることを特徴
とする。 【0014】本発明による読出し専用メモリが2進論理
メモリを構成している場合、論理0又は論理1を表す第
一論理状態が、メモリセルに形成されたダイオードの実
効順方向バイアス抵抗により与えられ、半導体材料がx
電極とy電極の両方に接触し、それに対応して、論理1
又は論理0を表す第二又は付加的論理状態が、メモリセ
ル中に与えられた第一絶縁材料についての選択された抵
抗値により与えられ、半導体材料がx電極又はy電極と
は接触しておらず、メモリセルの前記絶縁材料が、好ま
しくは無限の抵抗値を有するのが有利である。 【0015】本発明による読出し専用メモリが、二つ以
上の付加的論理状態を持つ多値論理メモリとして実現さ
れている場合、第一論理状態が、メモリセルに形成され
たダイオードの実効順方向バイアス抵抗により与えら
れ、半導体材料がx電極とy電極の両方に接触してお
り、付加的論理状態が、メモリセルに与えられた絶縁材
料に対し決定された抵抗値によって与えられ、半導体材
料がせいぜいx電極又はy電極と接触し、各場合の選択
された決定抵抗値が、ダイオードに形成されたメモリセ
ルの実効順方向バイアス抵抗と無限との間に存在するの
が有利である。 【0016】本発明による読出し専用メモリの第一の態
様として、選択されたメモリセルの第一絶縁材料は、メ
モリセル中の電極を全て又は部分的に覆う別々の層状ア
イソレータパッチの形で電極構造体の上に与えられてお
り、半導体材料の活性部分に依存して選択されたメモリ
セル及び(又は)後者の場合のダイオード接合領域が、
多値コードの一つのレベルに相当する論理状態を得てい
る。この態様の半導体材料は、全体的層として電極構造
体の上及びその外選択されたメモリセル中のアイソレー
タパッチの上に与えられているか、又は別法として、電
極構造体の上及び選択されたメモリセル中のアイソレー
タパッチに隣接して与えられており、半導体材料及びア
イソレータパッチは、共通の連続層として相互に同じ高
さに平らになっているのが好ましい。 【0017】本発明による読出し専用メモリの第二の態
様として、選択されたメモリセル中の部分を除いて、第
一絶縁材料が実質的に全体的な層の形で電極構造体の上
に与えられており、前記除かれた部分が、選択されたメ
モリセルの電極を全て又は部分的に露出し、半導体材料
の活性部分に依存した前記メモリセル及び(又は)後者
の場合のダイオード接合領域が、多値コードの一つのレ
ベルに相当する論理状態を得ている。好ましくは、この
態様の半導体材料は、電極構造体の上、及び絶縁層の上
に全体的層として与えられており、その上、絶縁層の除
かれた部分中の電極構造体と接触しているか、又は別法
として、電極構造体の上及び選択されたメモリセル中の
絶縁層に隣接して与えられており、前記半導体材料及び
絶縁層は、共通の連続した層中で相互に同じ高さになっ
ている。 【0018】本発明による読出し専用メモリの第三の態
様として、選択されたメモリセル中の半導体材料は、セ
ル中の電極を全て又は部分的に覆う別々の層状半導体パ
ッチの形で電極構造体の上に与えられており、前記半導
体材料の活性部分に依存する選択されたメモリセル及び
(又は)後者の場合のダイオード接合領域は、多値コー
ドの一つのレベルに相当する論理状態を必要としてい
る。好ましくは、この態様の第一絶縁材料は、電極構造
体の上に全体的層として与えられ、その上、選択された
メモリセル中の半導体パッチの上に与えられているか、
又は別法として、電極構造体の上及び選択されたメモリ
セル中の半導体パッチに隣接して与えられており、前記
第一絶縁材料及び半導体パッチは、共通の連続した層中
で相互に同じ高さで平らになっている。 【0019】本発明による読出し専用メモリの第四の態
様では、半導体材料は、選択されたメモリセル中の部分
を除いて、実質的に全体的な層の形で電極構造体の上に
与えられており、その除かれた部分が選択されたメモリ
セル中の電極を全て又は部分的に露出しており、前記半
導体材料の活性部分に依存するメモリセル及び(又は)
後者の場合のダイオード接合領域が、多値コードの一つ
のレベルに相当する論理状態を得ている。好ましくは、
この態様の第一絶縁材料は、電極構造体及び半導体材料
の上に全体的層として与えられており、その上、半導体
層の前記除かれた部分中の電極構造体を絶縁している
か、又は別法として、電極構造体の上及び選択されたメ
モリセル中の半導体層に隣接して与えられており、前記
第一絶縁材料及び半導体層は、共通の連続した層中で相
互に同じ高さで平らになっている。 【0020】最後に、本発明により、半導体材料が無定
形珪素、多結晶質珪素、又は有機半導体であるのが有利
であり、有機半導体は共役重合体であるのが好ましい。 【0021】本発明により、半導体材料は異方性伝導体
にしてもよい。半導体材料は、一種類以上の半導体から
なるのが好ましく、出来れば電気伝導性材料が添加され
ているか、又はそれと一緒にする。 【0022】半導体材料、絶縁材料、及び電極構造体
は、薄膜として実現されているのが好ましい。 【0023】本発明の背景及びその態様の種々の例を、
次に図面を参照して詳細に述べる。 【0024】本発明の一般的背景を次に詳細に論ずる。
一般的マトリックスアドレスシステムを第1図に示す。
図中、m本の電気伝導線2が相互に間隔を開けて配置さ
れ、x方向に伸びており、その上に、例えばn本の電気
伝導線4がy方向に伸びて横たわっており、直角x、y
電極マトリックスとして夫々第一及び第二電極構造体を
形成している。x電極2とy電極4は、幾何学的に明確
に定められた重なった領域、即ち、それら電極間の共通
部分が与えられるように、互いに充分近接して配置され
ている。これらの共通部分の交差するx電極とy電極の
幅によって与えられる重複領域によって大略規定される
各共通部分に近く、それらの間の体積部分は、次の記載
でメモリセル5として示すものを構成する。図2参照。
メモリセル5中のx及びy電極2、4の夫々相互に重な
った領域は、メモリセルの接触領域として示す。本発明
により、データーは各メモリセルにインピーダンス値と
して記憶され、例えば、各共通部分のx及びy電極間の
抵抗値として記憶される。各共通部分又はメモリの位置
の論理状態は、メモリセル中で互いに交差しているx電
極とy電極との間の電気インピーダンスを測定すること
により見出される。 【0025】一般に知られている電流アドレス及びマト
リックスに基づくメモリシステムとは異なって、本発明
は、純粋に受動電気アドレスを使用することができるよ
うにしている。なぜなら、メモリセル中に別々の活性回
路素子は存在しないからである。受動マトリックス中に
メモリセルを有する電子メモリを使用することは、電極
マトリックス中の別の電流路又は漏洩電流路で妨害され
ることはよく知られている。この問題は図2に示してあ
り、この場合、電極mk、nlの間の共通部分により与え
られるメモリセル5klをアドレスすることにより発生す
る別の電流路が、隣のメモリセルへの細い破線によって
示されている。マトリックスの大きさ、即ち、積x・y
が増大すると、漏洩電流問題も増大する。もし各共通部
分中のメモリ素子が純粋に抵抗性インピーダンスを有す
るならば、このことは書き込み操作で抵抗差が、図2に
示すような別の電流路を通って漏洩する電流によって隠
されることを意味する。もし各共通部分中の電気的接続
に高度に非線形電流・電圧特性が与えられるならば、漏
洩電流問題は小さくなるか、又は完全に除かれる。これ
は全く簡単に、当分野で示唆され、既によく知られてい
るやり方で、即ち、各共通部分のインピーダンス又は抵
抗と直列に整流ダイオードを与えることにより達成され
る。 【0026】本発明の本質的目的は、簡単で安く、信頼
性があり、同時に制御可能なインピーダンスの形で適当
なメモリ構造体を使用することを可能にするやり方でこ
の種のダイオードのネットワークを形成することであ
る。本発明によれば、x及びy電極は半導体材料の層を
取り巻き、例えば、薄膜状に取り巻いているのが好まし
い。特にこの半導体材料は、チオフェン又はPPV型の
共役重合体であるのが有利である。半導体材料に関して
適切な電極材料を選択することにより、電極・半導体界
面にダイオード接合が得られ、そのダイオードには非常
に良好な整流特性が与えられる。簡単な線形化した分析
により、電極共通部分の数、即ち、漏洩電流による歪み
又はノイズを起こすことなくアドレスできるメモリセル
の数は、各共通部分内のダイオード整流比、即ち、与え
られたバイアス電圧で順方向に流れる電流と逆方向に流
れる電流との関係にほぼ等しいことが示されている。 【0027】図1に例示したように、有限の抵抗を持つ
連続的材料層が電極マトリックスの共通部分の間の間隔
内に伸びている場合の受動マトリックスメモリについて
の別の基本的問題は、各共通部分で完全な整流が行われ
ていてさえも、これらの間隔内の電極線2、4の間に電
流が流れることである。これら間隔内の電流路の長さ
が、共通部分、即ちメモリセル内の場合よりも遥かに長
くても、また電極構造体間の層が極めて薄く、大きな表
面抵抗を持つ場合でも、多くのそのような電流路の相互
効果は測定インピーダンスに有害であり、従って最終的
に、受動マトリックスで実現される共通部分の数、従っ
て、メモリセルの数に上限が設定されることになる。 【0028】最後の種類の漏話は、フイルムコンダクタ
ンスを極めて異方性にする、即ち、希望の電流方向では
大きなコンダクタンスにし、その他は低いコンダクタン
スにすることにより防止することができる。図1の場
合、これは、マトリックスの面に垂直方向には大きなコ
ンダクタンスにし、マトリックス平面内では低いコンダ
クタンスにすることに相当する。この種の性質を有する
重合体組成物が文献、例えば、M.グランストレーム(G
ranstroem)及びO.インガネス(Inganaes)による論文
「重合体混合発光ダイオードからの白色光の発光」(Whi
te light emissionfrom a polymer blend light emitti
ng diode)、Applied Physics Letters 68,2:147-149(19
96)に記載されており、電極手段及びそれに基づく装置
は、本出願人に譲渡されているNO特許出願No.97
3390に記載されている。 【0029】電極の共通部分に大きな整流比を有する異
方性薄膜の一方の側にx及びy電極2、4が与えられて
いる、図1に示したようなそれ自体既知の基本的構造か
ら出発して、選択された共通部分のダイオード間に電気
絶縁性材料の制御された堆積を行うことにより、データ
ーをコード化することができ、そのようなものを、図3
aに関連して一層詳細に論ずる。もしそのような選択さ
れた共通部分に無限抵抗が与えられるならば、各共通部
分又は各メモリセルは、例えば、順方向バイアス電圧が
R=RF(ここでRFはこの共通部分中の実効順方向バイ
アス抵抗である)の時、論理1を与え、R=∞の時、論
理0を与えるようにすることにより2進コード化するこ
とができる。この場合、意図的に無限抵抗を共通部分内
に挿入しておく。一層大きなデーター記憶容量が一層大
きな範囲の抵抗値を用いることにより得られ、その範囲
は、例えば抵抗値を、R1、R2、R3、…、RF<R1<
R2<R3<∞として、各メモリセル中に記憶される数ビ
ットに相当する。 【0030】次に図3〜8を参照して、本発明による読
出し専用メモリの態様の例を記述する。これらの態様で
は、製造の調節作業を簡単にし、多くの利点を与える特
別なアドレス幾何学性を用いる。これらの態様は、平行
して記述するもの、及び本願と同じ優先権を持つ同じ日
に出願された国際出願PCT/NO/9800263と
は、半導体材料及び絶縁材料が電極構造体の間に挟まれ
た形で与えられているのではなく、その代わり、例えば
図3a及び図3bから明らかになるようなブリッヂ形に
配列した電極構造体の上に与えられている点で異なって
いる。ここでは、y電極の各々は電気絶縁性又は誘電体
材料の帯12の上に与えられており、それは実質的にy
電極4と同じ形及び広がりをもち、y電極4に直角に与
えられたx電極2の上に乗っており、従って、x及びy
電極2、4の間に物理的又は電気的接触はない。 【0031】電極2、4がブリッヂ形に与えられてい
る、本発明による読出し専用メモリの第一の態様は、図
3aに夫々平面図及び断面図として示されている。x及
びy電極2、4の間の共通部分中に定められているメモ
リセル5については、別々の層状アイソレータパッチ7
として電極構造体の上に与えられたメモリセルを選択し
て第一絶縁材料6によりデーターをコード化する。半導
体材料9は電極2、4を有する電極構造体及びアイソレ
ータパッチ7の上に与えられており、アイソレータパッ
チ7が存在していないメモリセル5中では電極2、4だ
けに接触している。接触領域11は、メモリセル5中の
y電極4の上の側縁上のパッチングにより示されてお
り、この場合にインピーダンス値を与える半導体材料の
活性領域は、y電極4から半導体材料9を通りx電極2
と接触するように伸びている。好ましくは、明瞭にする
ため図3aの平面図では除かれている半導体材料は異方
性半導体材料であるが、例えば、メモリセルの間の距離
が非常に小さいものではなく、即ち、記憶密度が低い場
合には、半導体材料は異方性伝導性半導体材料で充分で
ある。図3aの態様の変更では、半導体材料9は露出し
た電極2、4の上に、アイソレータパッチ7に隣接して
与えられており、アイソレータパッチ7の表面及び絶縁
体材料9は、図3bに示してあるように、相互に同じ高
さになっている。それにより基板1、3の間の距離を小
さくすることができ、勿論電気絶縁性である基板3の上
に乗っている電極4に対してはなにもない。 【0032】図3aに示した態様の読出し専用メモリに
記憶すべきデーターの入力で多値コードを用いることも
可能であり、これは図7aに関連して下で詳細に述べ
る。 【0033】本発明による読出し専用メモリの第二の態
様は、図4aに示されている。ここでは、代わりにメモ
リセルが電気絶縁材料6の実質的に全体的な層を用いて
アイソレータパッチ7によりコード化されており、その
材料は電極構造体の上に与えられているが、選択された
メモリセル5の中の部分8は除かれている。全体的半導
体層9が絶縁層6の上に与えられており、絶縁層6が除
かれた部分8の所のメモリセル5中の電極2、4とだけ
接触している。接触領域11は、図3aの態様の場合に
相当するやり方で形成されている。図4aの平面図で
も、簡明にするため半導体層9は省略されている。半導
体材料9は、図4aの態様でも除かれた部分8の中だけ
に与えられており、その表面は、図4bに示したよう
に、絶縁層6の表面と同じ高さになっている。その場
合、除かれた部分8は隔離されたメモリセル5を形成
し、従って、これらのメモリセル中の半導体材料は異方
性半導体材料である必要はないが、同様に等方性伝導性
を持っていてもよい。なぜなら、その半導体材料は連続
層を形成せず、ブラインド電流又はバルク電流はメモリ
セルの間を流れるからである。また、ここでは更にy電
極4は電気絶縁性基板3に対して乗っている。勿論、こ
の場合、y電極の表面も半導体材料及び第一絶縁材料の
表面と同じ高さになっている。図4に示した態様では、
多値コードを実施することも更に可能であり、これは図
7bに関連して下で一層詳細に論ずる。 【0034】本発明による読出し専用メモリの第三の態
様が図5aに示されている。これは、半導体材料9が選
択されたメモリセル5中の半導体パッチ10の形で与え
られており、例えば、第一論理値をコード化し、一方第
一絶縁材料6を半導体パッチ10及び開口メモリセル5
の上に実質的に全体的層として与えている点で二つの前
の態様とは異なっている。また、図5aの平面図では、
この層は簡明にするため削除されている。半導体パッチ
10は絶縁材料6により相互に絶縁されており、従っ
て、メモリセル5の間にはブラインド電流又はバルク電
流は存在しないので、異方性伝導性半導体材料にするこ
とができる。接触領域11は、前と同じように半導体パ
ッチの活性部分を定め、勿論その活性部分はy電極の側
縁から伸び、メモリセルの下のx電極と接触している。
また、図5aの態様では絶縁材料を与えてもよく、図5
bに示したようにそれが半導体パッチ10の表面と同じ
高さになるようにし、y電極4が基板3に対して乗って
いるようにする。図5bの態様は、機能的及び幾何学的
に図4bのものとは異なっていないが、図4bの態様で
は、除かれた部分8を有する絶縁材料6を先ず堆積し、
一方半導体材料9は、然る後、除かれた部分8中に、例
えば、最初に絶縁層6及び除かれた部分8の両方の上に
全体的層として与え、然る後、削りとって、除かれた部
分8の中にだけそれが存在するようにすることにより堆
積する。しかし、図5bの別の態様では、半導体材料9
を先ず半導体パッチ10として堆積し、然る後、絶縁層
6を半導体パッチ10及び残りの開口メモリセルの上に
実質的に全体的に堆積し、然る後、それを削りとって、
図5bに示したように、それが半導体パッチ10と同じ
高さになるようにする。 【0035】図5aの態様でも、図8aに関連して下で
一層詳細に論ずるように、多値コード化を用いることが
できる。 【0036】本発明による読出し専用メモリの第四の態
様が、図6aに示されている。ここでは半導体材料9
は、電極構造体の上に実質的に全体的な層として堆積さ
れているが、選択されたメモリセル5中の部分即ち窓1
7の所は除かれており、2進コードの第一論理状態が、
半導体材料9が与えられ、接触領域11が存在するメモ
リセルでだけ得られており、一方別の論理状態が、半導
体材料の除かれた部分に位置するメモリセルで得られて
いる。半導体材料の上に、第一絶縁材料6が今度は実質
的に全体的な層として堆積されているが、それは簡明に
するため、図6aの平面図からは除かれている。ここで
も絶縁材料は半導体材料の除去された部分17の中での
み堆積され、半導体材料6の表面が、図6bに示すよう
に、半導体層9の表面と同じ高さになっており、一方同
時にy電極4が絶縁性基板3に対して充分乗っている。
図6bの態様は幾何学的及び機能的に図3bに示したも
のと同様であることは容易に分かるであろう。なぜな
ら、それは、夫々異なっている半導体材料9と絶縁材料
6の配列順序に過ぎないからである。 【0037】図6aの態様でも、多値コードを用いるこ
とは可能であり、このことは図8bに関連して一層詳細
に記述する。 【0038】言及したように、図3〜6の態様は、予め
選択されたメモリセル中のデーターの多値コード化を可
能にする。この場合、異方性電気伝導性を有する半導体
材料を、例えば共役重合体の形で用いることを前提とし
ている。その場合、半導体材料は接触領域11中のx電
極及びy電極と夫々接触しており、それらは夫々y電極
の側縁に沿って位置し、そこではy電極がx電極と交差
している。従って、各メモリセルは、二つの接触領域を
有し、活性部分を有し、その活性部分は半導体材料を通
り、その各側縁に沿ったy電極の間に、x電極の幅wの
少なくとも一部分△wに亙ってx電極まで伸びている。
メモリセル中に記憶されたデーターの多値コード化は、
今度は接触領域の長さを調節することによって行われ、
問題のメモリセルのインピーダンス値は、最大値、例え
ば無限と、ダイオード順方向バイアス電圧による値との
間に到達する。 【0039】実際には、これはメモリセル中のアイソレ
ータパッチ7を用いて行うことができ、メモリセル中の
電極の共通部分の所のx及びy電極2、4の一部分だけ
が覆われる。それにより接触領域は、図3aの態様に相
当する図7aから明らかなように、図示されていない半
導体材料9に対し露出されているが、予め選択されたメ
モリセルの多値コード化が用いられている。図7bは図
4aの態様に相当するが、絶縁材料6がパッチ7の形で
は与えられておらず、除かれた部分、即ち窓8を有する
全体的層として与えられている点で図7aの態様とは異
なっており、この場合図示されていない半導体材料が与
えられており、接触領域11の所でメモリセル中のx及
びy電極2、4と接触しており、その領域は半導体材料
の下に、y電極4の側縁に沿って位置し、半導体材料の
活性部分が、x電極の幅wよりも小さい幅△wを持つ接
触領域に亙って電極2、4と接触している。 【0040】もし半導体材料をもう一度半導体パッチの
形でメモリセルの上に与えるならば、図8aに示した接
触領域11は、幅△wを持って得られ、それはx電極2
の幅wの一部分を占めるだけである。半導体9の活性部
分は接触領域11の電極2、4の間に伸びている。この
態様は図5aのものに相当する。同じやり方で、それ
は、図6aの態様に相当する図8bの半導体材料9で
は、除かれた部分即ち窓17が与えられており、もう一
度x電極の幅wより小さい幅△wを有する接触領域11
が得られる。 【0041】今度は、夫々アイソレータパッチ7、半導
体パッチ10、又は絶縁材料6中の除かれた部分8、1
7、夫々半導体材料9の幾何学的形態を調節することに
より、メモリセルのデーターのコード化を幾つかのレベ
ルで行うことができる。 【0042】パッチ7、10及び除かれた部分8、17
は、図7a、b及び8a、bに夫々示したものとは異な
った形を持っていてもよいことは分かるであろう。例え
ば、パッチ及び除かれた部分を、それらが夫々ストライ
プ又はスロットの形を持つが、依然として多値論理コー
ドで希望のレベルを与える接触領域11が得られるよう
に設計されるように、パターン化することができる。 【0043】半導体材料が電極構造体の上に与えられて
いることは、多くの重要な利点を与える。第一に、電極
マトリックス及び第一絶縁材料6及びアイソレータ帯1
2の両方は、半導体層を全体的に適用する前に、半導体
技術でよく知られた方法及び装置により堆積することが
できる。このように、大きな相互配置精度を持ってサン
ドイッチ状に基板1及び3を一緒に接合する必要はない
ので、同じ基板について層毎に順次大きな精度で多数の
調節を行うことができ、調節の臨界的工程を回避するこ
とができる。第二に、夫々x電極及びy電極2、4を有
する基板を半製品として、即ち、絶縁材料6及び半導体
材料9のないものとして製造することができる。そのよ
うな半完成ブランクを保存してデーターコード化及び最
終的処理まで待たせる。図6の態様では、基板は、例え
ば結晶質珪素で製造することができる。本出願人に譲渡
されているNO特許出願973782から知られている
ように、一体的構造を選択することができ、この場合配
線、論理機能、信号経路指定、増幅等を与える活性回路
を珪素基板に作ることができ、同じ基板上のx及びy電
極と直接接続することができる。一番上の半導体層とは
別の全構造体を、半導体を処理するための標準的技術に
より何の困難もなく実施することができる連続した処理
工程で完成することができる。一番上の半導体層は全体
的に適用する。用いる半導体材料は、適切な整流及び伝
導性を持たなければならないが、それは低い大量コス
ト、簡単な処理性、長い寿命等を持つのが望ましく、電
極構造体との最適接触が得られるようなものでなければ
ならない。例えば、半導体材料は共役重合体でもよいの
で、PPV又はチオフェン型のいずれかが適切である。
別法として、無定形珪素又は多結晶質珪素を用いてもよ
い。半導体材料が共役重合体である場合、特に簡単で安
い溶液が得られ、それはドクターブレード、又は回転被
覆、浸漬被覆、又はメニスカス被覆により適用すること
ができる。 【0044】多値コードを使用したデーターのコード化
は、メモリセル中のインピーダンス値を読取る時に一層
大きな識別力を必要とし、もしバルク及び漏洩電流がイ
ンピーダンス値信号を隠す危険が存在するならば、各電
極構造体、従って、メモリセル5中の電極2、4間の相
互距離を増大するか、又はさもなければ多値コードを、
図4b及び図5bに夫々示した別の態様で用い、それに
よりメモリセルが大きな面積密度を有し、例えば2ビッ
トコードで記憶されるデーターの読出しを行うのに必要
な識別力を維持し、即ち、夫々メモリセル中の接触領域
の完全な遮蔽及びメモリセル中の接触領域の完全な露出
により与えられるコードレベルの間の二つのレベルを持
って配置させることが容易にできる。しかし、例えば、
3−又は4−ビットコード化を用いて、コードのレベル
数を増大することは可能であることが考えられる。後者
は、16レベルにより表されており、従って、もしメモ
リセルの製造が慣用的マイクロホトリトグラフ法により
行われるならば、その実現は大きさ及び達成されるピッ
チの問題になるであろう。 【0045】当分野で知られているように、特別な型の
ダイオードを得るために、或は同じく当分野で知られて
いるように、インピーダンス特性を変えるために、幾つ
かの半導体、例えば複数の層として与えた半導体材料を
形成することは都合がよいであろう。同じ目的のため
に、半導体材料は、電気伝導性材料と一緒にするか又は
それを添加してもよい。 【0046】本発明による一つ以上の読出し専用メモリ
ROMは、例えば、珪素の半導体基板1の上に与えるの
が有利である。適合する半導体技術によりこの基板に、
又はそれと集積させて、読出し専用メモリのための駆動
及び制御回路を与えることができる。例えば、珪素基板
1の上に、集積駆動及び制御回路13を与えた四つの読
出し専用メモリROMを有する態様が図9に示されてい
る。 【0047】平面状の読出し専用メモリを与える代わり
に、それらは図10に示すように、複数の層として垂直
に重ねてもよい。この場合も、例えば珪素の半導体基板
1に駆動及び制御回路13を積層したものを用いる。こ
の種の積層メモリー装置の側縁に沿って、アドレス及び
駆動母線14を与え、夫々の電極構造体、即ち電極マト
リックス中の電極を珪素基板の駆動及び制御回路に接続
してもよく、これは図7に示されており、例えば、セラ
ミックである絶縁層161、…16nにより相互に隔離さ
れている積層読出し専用メモリROM 151、…15n
を有する態様を示している。 【0048】本発明による読出し専用メモリ及び読出し
専用メモリ装置は、パーソナル・コンピューターで一般
に用いられているような標準インターフェースと適合す
るカードフォーマットで実現できるのが有利である。実
際、読出し専用メモリ装置として実現される読出し専用
メモリは、既知の薄膜技術で実施することができ、読出
し専用メモリ装置は、珪素基板と積層してハイブリッド
装置として出品されるであろう。実際、本発明による読
出し専用メモリは、現在の技術を用いて、電極構造体及
びメモリセルの厚さがせいぜい数μmで、現実的に少な
くとも2メモリセル/μm2であるものが製造できるこ
とが判明している。従って、一つの記憶層で1cm2の
面積を持つ読出し専用メモリは、2進コードで25メガ
ビットを記憶する。現実的であると思われる、2−又は
4−ビットコード化を用いることにより、データー記憶
密度は、勿論それに応じて増大する。メモリセルの大き
さを更に減少し、このようにして記憶密度を4倍にする
ことができることも実現可能であると思われる。従っ
て、各読出し専用メモリで数百メガビットを記憶するこ
とが可能になり、勿論データー記憶密度は、ボリューム
式に構成した読出し専用メモリ装置の積層した層の数と
比例して増大する。 【0049】パーソナル・コンピューター又は音声及び
画面再生のためのプレイバック装置のためのデコーダ装
置で用いるための標準カードインターフェースを用いて
実施することにより、本発明による読出し専用メモリ
を、さもなければ通常CD−ROMのような媒体に記憶
される情報源のためのデーターキャリヤーとして用いる
ことができる。 【0050】本発明による読出し専用メモリへの書込
み、即ち入力及びデーターのコード化は、製造工程中及
びそれと連続して行うことができる。読出し専用メモリ
は、よく知られた薄膜技術及びホトリトグラフ法を用い
て製造されるのが好ましい。基本的に全ての材料は、全
体的層、電極構造体、パッチ、ホトマスク及びエッチン
グを用いて形成した除去部分(窓)として与えられる。
従って、データーの「書込み」は、メモリセルを正しく
コード化するように、決定プロトコルに従って、マスク
のパッチ又は窓の配置及び形状を決定しながら、パッチ
又は窓のためのホトマスクを「コード化」することによ
り行われる。この種の工程は、同じ情報源、例えば、音
楽又は映画のためのプログラム情報を持つ読出し専用メ
モリの大きな系列を製造するために容易に実施すること
ができる。 [図面の簡単な説明] 【図1】支持板又は基板の間に与えられた受動電極マト
リックスを有するメモリ装置の一般的態様を模式的に示
す図である。 【図2】この種のマトリックスに生ずることがある漏洩
電流ループの例の概略図である。 【図3a】図3aは、本発明による読出し専用メモリの
第一の態様の、夫々平面図及び線A−Aに沿って取った
断面図である。 【図3b】図3bは、図3aの読出し専用メモリの、線
A−Aに沿って取った、この態様の第二の変更を示す断
面図である。 【図4a】図4aは、本発明による読出し専用メモリの
第二の態様の、夫々平面図及び線A−Aに沿って取った
断面図である。 【図4b】図4bは、図4aの読出し専用メモリの、線
A−Aに沿って取った、この態様の第二の変更を示す断
面図である。 【図5a】図5aは、本発明による読出し専用メモリの
第三の態様の、夫々平面図及び線A−Aに沿って取った
断面図である。 【図5b】図5bは、図5aの読出し専用メモリの、線
A−Aに沿って取った、この態様の第二の変更を示す断
面図である。 【図6a】図6aは、本発明による読出し専用メモリの
第四の態様の、夫々平面図及び線A−Aに沿って取った
断面図である。 【図6b】図6bは、図4aの読出し専用メモリの、線
A−Aに沿って取った、この態様の第二の変更を示す断
面図である。 【図7a】図7aは、図3aの態様のメモリセルの多値
コード化の例を示す図である。 【図7b】図7bは、図4aの態様のメモリセルの多値
コード化の例を示す図である。 【図8a】図8aは、図5aの態様のメモリセルの多値
コード化の例を示す図である。 【図8b】図8bは、図6aの態様のメモリセルの多値
コード化の例を示す図である。 【図9】本発明による第一読出し専用メモリ装置の断面
図である。 【図10】本発明による第二読出し専用メモリ装置の断
面図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レイスタド、ゲイル、アイ ノルウェー国 サンドビカ、ヨングスス ツッベン 19 (56)参考文献 特開 平7−176635(JP,A) 特開 平8−235889(JP,A) 特開 平6−334139(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 27/10 H01L 27/112

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 読出し専用メモリの製造過程の一部分を
    占める書込み操作で、メモリに永久的に書込み又は記憶
    されるデーターを定める決定されたプロトコルに従っ
    て、一つ又は二つ以上の論理状態を夫々永久的に割り当
    てられた複数のメモリセル(5)、及びアドレスするた
    めの電気伝導体(2、4)の受動マトリックスを有する
    電気的にアドレス可能な不揮発性読出し専用メモリで、
    前記受動電気伝導体マトリックスが、それぞれ相互に離
    れて配置された平行な平面内にある第一及び第二の電極
    構造体を有し、各平面内に平行な電極(2、4)が存在
    し、前記電極が実質的に直交x、yマトリックスを形成
    しており、前記第一電極構造体中の電極(2)が、マト
    リックスの桁、即ちx電極を構成し、第二電極構造体中
    の電極(4)が、マトリックスの行、即ちy電極を構成
    し、x電極(2)とy電極(4)との共通部分の間の体
    積の少なくとも一部分が読出し専用メモリのメモリセル
    (5)を定め、選択された電気伝導性電極材料に関して
    整流性を有する少なくとも一つの半導体材料(9)及び
    第一電気絶縁性材料(6)が与えられており、前記メモ
    リセル中の電極(2、4)と電気接触した半導体材料
    (9)が、半導体材料と電極材料との間の界面にダイオ
    ード接合を形成しており、各場合の論理状態がメモリセ
    ル(5)のインピーダンス値により与えられ、前記イン
    ピーダンス値が、半導体材料のインピーダンス特性又は
    絶縁材料のインピーダンス特性及びダイオード接合のイ
    ンピーダンス特性のいずれかにより実質的に与えられて
    いる、読出し専用メモリにおいて、y電極(4)が第二
    電気絶縁性材料(12)の上に与えられており、その絶
    縁材料はy電極(4)と実質的に同じ形態及び広がりを
    持つ帯状構造体として実現され、マトリックスの一部分
    としてx電極(2)に隣接して与えられており、半導体
    材料が前記電極構造体の上に与えられており、従って、
    前記メモリセル(5)中の接触領域(11)が、y電極
    (4)の各測縁に沿って夫々伸びる部分で、y電極がメ
    モリセル(5)中でx電極(2)と重なっている部分に
    よって定められており、読出し専用メモリ中のメモリセ
    ル(5)の第一論理状態が、メモリセル中の全接触領域
    (11)を覆う半導体材料(9)の活性部分により生成
    し、このようにダイオード接合がメモリセルの前記全接
    触領域を占め、読出し専用メモリ中の選択されたメモリ
    セル(5)の第二論理状態が第一絶縁材料(6)により
    覆われたメモリセル中の両方の電極構造体により生成
    し、読出し専用メモリ中のメモリセル(5)の一つ以上
    の付加的論理状態が接触領域(11)の一部分だけを覆
    う半導体材料(9)の活性部分により生成し、メモリに
    記憶されるデーターが多値コードの論理状態により表す
    ことができ、前記一つ以上の付加的論理状態が、半導体
    材料の活性部分の広がり及びダイオード接合を形成する
    接触領域の部分の広がりによって決定されたインピーダ
    ンスにより与えられていることを特徴とする読出し専用
    メモリ。 【請求項2】 読出し専用メモリが2進論理メモリを構
    成し、論理0又は論理1を表す第一論理状態が、メモリ
    セル(5)に形成されたダイオードの実効順方向バイア
    ス抵抗により与えられ、半導体材料(9)がx電極
    (2)とy電極(4)の両方に接触しており、それに対
    応して、論理1又は論理0を表す第二又は付加的論理状
    態が、メモリセル(5)に与えられた第一絶縁材料
    (6)の選択された抵抗値によって与えられ、半導体材
    料(9)がx電極(2)又はy電極(4)とは接触しい
    ない、請求項1に記載の読出し専用メモリ。 【請求項3】 メモリセル(5)中の絶縁材料(6)が
    無限抵抗値を有する、請求項2に記載の読出し専用メモ
    リ。 【請求項4】 読出し専用メモリが、二つ以上の付加的
    論理状態を持つ多値論理メモリとして実現されており、
    第一論理状態が、メモリセル(5)に形成されたダイオ
    ードの実効順方向バイアス抵抗により与えられ、半導体
    材料(9)がx及びy電極(2、4)の両方に接触して
    おり、付加的論理状態が、メモリセル(5)に与えられ
    た絶縁材料(6)に対し決定された抵抗値によって与え
    られ、半導体材料(9)がせいぜいx電極(2)又はy
    電極(4)と接触し、各場合の選択された決定抵抗値
    が、ダイオードと共に形成されたメモリセル(5)の実
    効順方向バイアス抵抗と無限との間に存在する、請求項
    1に記載の読出し専用メモリ。 【請求項5】 選択されたメモリセル(5)中の第一絶
    縁材料(6)が、メモリセル(5)中の電極(2、4)
    を全て又は部分的に覆う別々になった層状アイソレータ
    パッチ(7)の形で電極構造体の上に与えられており、
    半導体材料の活性部分に依存する選択されたメモリセル
    及び(又は)後者の場合のダイオード接合領域が多値コ
    ードの一つのレベルに相当する論理状態を得ている、請
    求項1に記載の読出し専用メモリ。 【請求項6】 半導体材料(9)が電極構造体の上に全
    体的層として与えられており、更に選択されたメモリセ
    ル(5)のアイソレータパッチ(7)の上に与えられて
    いる、請求項5に記載の読出し専用メモリ。 【請求項7】 半導体材料(9)が電極構造体の上、及
    び選択されたメモリセル(5)中のアイソレータパッチ
    (7)に隣接して与えられており、半導体材料(9)と
    アイソレータパッチ(7)とが共通の連続層として相互
    に同じ高さになっている、請求項5に記載の読出し専用
    メモリ。 【請求項8】 第一絶縁材料(6)が、選択されたメモ
    リセル(5)の中の部分(8)を除いて、電極構造体の
    上に実質的に全体的な層の形で与えられており、前記除
    かれた部分が、選択されたメモリセル(5)中の電極
    (2、4)を全て、又は部分的に露出し、半導体材料
    (9)の活性部分に依存する前記メモリセル及び(又
    は)後者の場合のダイオード接合領域が、多値コードの
    一つのレベルに相当する論理状態を得ている、請求項1
    に記載の読出し専用メモリ。 【請求項9】 半導体材料(9)が電極構造体及び絶縁
    層(6)の上に全体的な層として与えられており、更に
    絶縁層(6)の除去された部分中の電極構造体と接触し
    ている、請求項8に記載の読出し専用メモリ。 【請求項10】 半導体材料(9)が電極構造体の上
    に、選択されたメモリセル(5)中の絶縁層(6)に隣
    接して与えられており、半導体材料(9)と絶縁層
    (6)とが共通の連続層として相互に同じ高さになって
    いる、請求項8に記載の読出し専用メモリ。 【請求項11】 選択されたメモリセル(5)の中の半
    導体材料(9)が、電極構造体の上に、メモリセル
    (5)の中の電極(2、4)を全て、又は部分的に覆う
    別々の層状半導体パッチ(10)形で与えられており、
    半導体材料(9)の活性部分に依存する選択されたメモ
    リセル及び(又は)後者の場合のダイオード接合領域
    が、多値コードの一つのレベルに相当する論理状態を得
    ている、請求項1に記載の読出し専用メモリ。 【請求項12】 第一絶縁材料(6)が、電極構造体の
    上に全体的な層として与えられ、その上、選択されたメ
    モリセル(5)の中の半導体パッチ(10)の上に与え
    られている、請求項11に記載の読出し専用メモリ。 【請求項13】 第一絶縁材料(6)が、電極構造体の
    上、及び選択されたメモリセル(11)の中の半導体パ
    ッチ(10)に隣接して与えられており、第一絶縁材料
    (6)と半導体パッチ(10)とが共通の連続層として
    相互に同じ高さになっている、請求項11に記載の読出
    し専用メモリ。 【請求項14】 半導体材料(9)が、選択されたメモ
    リセル(15)中の部分(17)を除いて、電極構造体
    の上に実質的に全体的な層(9)の形で与えられてお
    り、その除かれた部分(17)が選択されたメモリセル
    (5)中の電極(2、4)を全て又は部分的に露出し、
    前記半導体材料の活性部分による前記メモリセル及び
    (又は)後者の場合のダイオード接合領域が、多値コー
    ドの一つのレベルに相当する論理状態を得ている、請求
    項1に記載の読出し専用メモリ。 【請求項15】 第一絶縁材料(6)が、電極構造体及
    び半導体材料(9)の上に全体的な層として与えられて
    おり、更に半導体層(9)の除かれた部分(17)中の
    電極構造体を絶縁している、請求項14に記載の読出し
    専用メモリ。 【請求項16】 第一絶縁材料(6)が、電極構造体の
    上、及び選択されたメモリセル(5)の中の半導体層
    (9)に隣接して与えられており、第一絶縁材料(6)
    と半導体層(9)とが共通の連続層として相互に同じ高
    さになっている、請求項14に記載の読出し専用メモ
    リ。 【請求項17】 半導体材料(9)が無定形珪素であ
    る、請求項1に記載の読出し専用メモリ。 【請求項18】 半導体材料(9)が多結晶質珪素であ
    る、請求項1に記載の読出し専用メモリ。 【請求項19】 半導体材料(9)が有機半導体であ
    る、請求項1に記載の読出し専用メモリ。 【請求項20】 有機半導体(9)が共役重合体であ
    る、請求項19に記載の読出し専用メモリ。 【請求項21】 半導体材料(9)が異方性伝導体であ
    る、請求項1に記載の読出し専用メモリ。 【請求項22】 半導体材料(9)が一つより多い半導
    体からなる、請求項1に記載の読出し専用メモリ。 【請求項23】 半導体材料(9)が電気伝導性材料が
    添加されているか、又はそれと一緒にされている、請求
    項1に記載の読出し専用メモリ。 【請求項24】 半導体材料(9)、絶縁材料(6)、
    及び電極構造体が薄膜として実現されている、請求項1
    に記載の読出し専用メモリ。 【請求項25】 読出し専用メモリ(ROM)が、半導
    体材料の基板(1)の上、又は半導体材料の基板(1、
    3)の間に与えられており、前記基板を経て駆動及びア
    ドレスのための駆動及び制御回路(13)と接続されて
    おり、前記駆動及び制御回路(13)が、基板(1)又
    は基板(1、3)に集積されており、前記基板材料に適
    合する半導体技術により実現されている、請求項1〜2
    4のいずれか1項に記載の一つ以上の読出し専用メモリ
    (ROM)を具えた読出し専用メモリ。 【請求項26】 読出し専用メモリ装置であって、 半導体材料からなる基板(1)又は半導体材料からなる
    複数の基板(1,3)、 それぞれ読出し専用メモリを有し、前記基板(1)上又
    は前記基板(1,3)間に互いに積層された水平層(1
    5)、 前記基板(1)又は前記複数の基板(1,3)に集積さ
    れ、前記読出し専用メモリの駆動及びアドレスのために
    前記読出し専用メモリに接続された駆動及び制御回路
    (13)を有し、 前記読出し専用メモリが、請求項1−24のいずれか1
    項に記載の読出し専用メモリである読出し専用メモリ装
    置。
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