RU2000108482A - Постоянная память и постоянное запоминающее устройство - Google Patents
Постоянная память и постоянное запоминающее устройствоInfo
- Publication number
- RU2000108482A RU2000108482A RU2000108482/09A RU2000108482A RU2000108482A RU 2000108482 A RU2000108482 A RU 2000108482A RU 2000108482/09 A RU2000108482/09 A RU 2000108482/09A RU 2000108482 A RU2000108482 A RU 2000108482A RU 2000108482 A RU2000108482 A RU 2000108482A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- memory
- semiconductor material
- electrode
- memory cell
- permanent
- Prior art date
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 claims 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
Claims (20)
1. Электрически-адресуемая энергонезависимая постоянная память, содержащая некоторую совокупность ячеек памяти (5), каждой из которых во время операции записи, составляющей часть процесса изготовления постоянной памяти, на постоянное время присваивают одно из двух, или более логических состояний в соответствии с определенным протоколом, который в этой памяти определяет постоянно записываемые или запоминаемые данные, и параллельные электроды (2, 4) для адресации, причем пассивная матрица проводников содержит первую и вторую электродные структуры в соответствующих взаимно отделенных интервалом, и параллельных плоскостях, и с параллельными электродами (2, 4) в каждой плоскости, и выполнена с возможностью формирования электродами по существу ортогональной x, y-матрицы; при этом электроды в первой электродной структуре содержат вертикальные шины матрицы, или x-электроды, а электроды (4) во второй электродной структуре содержат горизонтальные шины матрицы, или y-электроды, при этом, по меньшей мере, некоторая часть объема между пересечением x-электрода (2) и y-электрода (4) определяет ячейку памяти (5) в постоянной памяти; причем каждая из взаимно перекрывающих друг друга частей x-электрода (2) и y-электрода (4) в ячейке памяти определяет контактную площадку (11) в ячейке памяти (5); причем, по меньшей мере, один полупроводниковый материал (9) обеспечивают между электродными структурами, и он обладает выпрямляющими свойствами в отношении выбранного электропроводного электродного материала и электроизолирующего материала (6); причем полупроводниковый материал (9) в электрическом контакте с электродами (2, 4) в ячейке памяти формирует диодный переход на границе между полупроводниковым материалом и электродным материалом; причем первое логическое состояние ячейки памяти (5) в постоянной памяти формируют активной частью полупроводникового материала (9), покрывающего всю контактную площадку (11) в ячейке памяти, при этом диодный переход включает в себя всю контактную площадку ячейки памяти; при этом второе логическое состояние в выбранной ячейке памяти (5) в постоянной памяти формируют, по меньшей мере, одной электродной структурой в ячейке памяти, покрываемой изолирующим материалом (6); и при этом логическое состояние в каждом случае создают значением полного сопротивления ячейки памяти (5), при этом указанное значение полного сопротивления по существу создают одним, или более факторами из числа следующих: характеристики полного сопротивления полупроводникового материала, характеристики полного сопротивления изолирующего материала и характеристика полного сопротивления диодного перехода, отличающаяся тем, что одно или более логических состояний в ячейке памяти (5) в постоянной памяти формируют активной частью полупроводникового материала (9), покрывающего только некоторую часть контактной площадки (11), и/или тем, что диодный переход включает в себя только некоторую часть контактной площадки (11), в результате чего данные, которые запоминают в памяти, могут быть представлены логическими состояниями в многозначном коде, и тем, что указанное одно, или более логических состояний создают значениями полного сопротивления, определяемыми продолжением активной части полупроводникового материала, и/или продолжением той части контактной площадки, которая формирует диодный переход.
2. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что указанная постоянная память образует двоичную логическую память, при этом первое логическое состояние, которое представляет либо логический "0", либо логическую "1", создают сопротивлением по переменному току прямого смещения диода, сформированного в ячейке памяти (5), в которой полупроводниковый материал (9) контактирует и с x-электродом (2), и с y-электродом (4), и тем, что вторые, или дополнительные, логические состояния, которые соответственно представляют либо логическую "1", либо логический "0", создают выбранным значением сопротивления для изолирующего материала (6), обеспечиваемого в ячейке памяти (5), в которой полупроводниковый материал (9) большей частью контактирует либо с x-электродом (2), либо с y-электродом (4).
3. Постоянная память по п. 2, отличающаяся тем, что изолирующий материал (6) в ячейке памяти имеет бесконечное значение сопротивления.
4. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что постоянную память формируют как многоуровневую логическую память с одним или более дополнительными логическими состояниями, при этом первое логическое состояние создают сопротивлением по переменному току прямого смещения диода, сформированного в ячейке памяти (5), в которой полупроводниковый материал (9) контактирует и с x, и с y-электродами (2, 4), и тем, что дополнительные логические состояния создают определенными значениями сопротивления для изолирующего материала (6), обеспечиваемого в ячейке памяти (5), в которой полупроводниковый материал (9) большей частью контактирует либо с x-электродом (2), либо с y-электродом (4), при этом выбранное определенное значение сопротивления в каждом случае находится между сопротивлением по переменному току прямого смещения ячейки памяти (5), сформированным диодом, и бесконечным значением.
5. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что изолирующий материал (6) в выбранных ячейках памяти (5) обеспечивают между электродными структурами в виде отдельной слоеобразной изолирующей накладки (7), которая полностью или частично покрывает, по меньшей мере, один из электродов в (2, 4) в ячейке памяти (5), причем выбранная ячейка памяти, зависимая от активной части полупроводникового материала и/или образующей диодной переход части контактной площадки, в последнем случае приобретает логическое состояние, которое соответствует некоторому уровню в многозначном коде.
6. Постоянная память по п. 5, отличающаяся тем, что изолирующая накладка (7) полностью или частично покрывает только один из электродов (2, 4), при этом полупроводниковый материал (9) обеспечивают между электродными структурами в слое по всему полю пластины и также над изолирующими накладками (7) в выбранных ячейках памяти (5).
7. Постоянная память по п. 5, отличающаяся тем, что изолирующая накладка (7) полностью или частично покрывает оба электрода (2, 4), в которой полупроводниковый материал (9) обеспечивают только между электродными структурами и в прилегании к изолирующим накладкам (7) в выбранных ячейках памяти (5), в результате чего полупроводниковый материал (9) и изолирующие накладки (7) взаимно выполняют заподлицо в общем сплошном слое.
8. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что изолирующий материал (6) обеспечивают между электродными структурами в виде по существу слоя по всему полю пластины, который покрывает, по меньшей мере, одну из электродных структур, и со снятыми частями (8) в выбранных ячейках памяти (5), в результате чего удаленная часть полностью или частично экспонирует электроды (2, 4) в выбранной ячейке памяти (5), причем указанная ячейка памяти, зависящая от активной части полупроводникового материала (9) и/или образующей диодный переход части контактной площадки (11), в последнем случае приобретает логическое состояние, которое соответствует некоторому уровню в многозначном коде.
9. Постоянная память по п. 8, отличающаяся тем, что изолирующий слой (6) покрывает только одну из электродных структур, в которой полупроводниковый материал (9) обеспечивают между электродными структурами и на изолирующем слое (6) в слое по всему полю пластины, и который также контактирует с электродными структурами в удаленных частях изолирующего слоя (6).
10. Постоянная память по п. 8, отличающаяся тем что изолирующий слой (6) покрывает обе электродные структуры, при этом полупроводниковый материал (9, 10) обеспечивают только между электродными структурами и в прилегании к изолирующему слою (6) в выбранных ячейках памяти (5), в результате чего полупроводниковый материал (9, 10) и изолирующий слой (6) выполняют взаимно заподлицо в общем сплошном слое.
11. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) является аморфным кремнием.
12. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) является поликристаллическим. кремнием.
13. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) является органическим полупроводником.
14. Постоянная память по п. 13, отличающаяся тем, что органический полупроводник (9) является сопряженным полимером.
15. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) является анизотропным проводником.
16. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) содержит полупроводник в количестве свыше одного.
17. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9) добавляют в электропроводный материал, или комбинируют его с ним.
18. Постоянная память по п. 1, отличающаяся тем, что полупроводниковый материал (9), изолирующий материал (6) и электродные структуры реализуют в виде тонких пленок.
19. Постоянная память, содержащая одну или более постоянных памятей (ПЗУ) по пп. 1-18, отличающаяся тем, что постоянную память (ПЗУ) обеспечивают на подложке (1) полупроводникового материала или между подложками (1; 3) полупроводникового материала и через подложки подключают к задающей и управляющей схемам (13) для проведения в действие и адресации, причем указанные задающая и управляющая схемы (13) интегрированы в подложку (1) или подложки (1; 3) и реализованы согласно полупроводниковой технологии, соответствующей материалу подложки.
20. Постоянная память, содержащая одну или более постоянных памятей (ПЗУ) по пп. 1-18, отличающаяся тем, что постоянную память выполняют в виде стека горизонтальных слоев (15) для обеспечения объемного запоминающего устройства, тем, что объемное запоминающее устройство обеспечивают на подложке (1) полупроводникового материала или между подложками (1,3) полупроводникового материала и через подложку или подложки подключают к задающей и управляющей схемам (13) для приведения в действие и адресации, причем указанные задающая и управляющая схемы (13) интегрированы в подложку (1) или подложки (1; 3) и реализованы согласно полупроводниковой технологии, соответствующей материалу подложки.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO973993A NO973993L (no) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | Leseminne og leseminneinnretninger |
NO973993 | 1997-09-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2000108482A true RU2000108482A (ru) | 2002-02-27 |
RU2212716C2 RU2212716C2 (ru) | 2003-09-20 |
Family
ID=19901057
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2000108482/09A RU2212716C2 (ru) | 1997-09-01 | 1998-08-28 | Постоянная память и постоянное запоминающее устройство |
RU2000108581/09A RU2216055C2 (ru) | 1997-09-01 | 1998-08-28 | Постоянная память и постоянные запоминающие устройства |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2000108581/09A RU2216055C2 (ru) | 1997-09-01 | 1998-08-28 | Постоянная память и постоянные запоминающие устройства |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6236587B1 (ru) |
EP (2) | EP1010181B1 (ru) |
JP (2) | JP3526551B2 (ru) |
KR (2) | KR100368820B1 (ru) |
CN (2) | CN1199192C (ru) |
AT (2) | ATE213090T1 (ru) |
AU (2) | AU750496B2 (ru) |
CA (2) | CA2302014C (ru) |
DE (2) | DE69803781T2 (ru) |
DK (2) | DK1010180T3 (ru) |
ES (2) | ES2172181T3 (ru) |
NO (2) | NO973993L (ru) |
RU (2) | RU2212716C2 (ru) |
WO (2) | WO1999014763A1 (ru) |
Families Citing this family (165)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6266623B1 (en) * | 1994-11-21 | 2001-07-24 | Phatrat Technology, Inc. | Sport monitoring apparatus for determining loft time, speed, power absorbed and other factors such as height |
US8280682B2 (en) * | 2000-12-15 | 2012-10-02 | Tvipr, Llc | Device for monitoring movement of shipped goods |
US5673218A (en) | 1996-03-05 | 1997-09-30 | Shepard; Daniel R. | Dual-addressed rectifier storage device |
US6893896B1 (en) * | 1998-03-27 | 2005-05-17 | The Trustees Of Princeton University | Method for making multilayer thin-film electronics |
AU5094699A (en) | 1998-07-08 | 2000-02-01 | E-Ink Corporation | Methods for achieving improved color in microencapsulated electrophoretic devices |
US6483736B2 (en) | 1998-11-16 | 2002-11-19 | Matrix Semiconductor, Inc. | Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication |
NO311317B1 (no) * | 1999-04-30 | 2001-11-12 | Thin Film Electronics Asa | Apparat omfattende elektroniske og/eller optoelektroniske kretser samt fremgangsmåte til å realisere og/eller integrerekretser av denne art i apparatet |
EP1208603A1 (en) | 1999-08-31 | 2002-05-29 | E Ink Corporation | Transistor for an electronically driven display |
JP4010091B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2007-11-21 | セイコーエプソン株式会社 | メモリデバイスおよびその製造方法 |
US6956757B2 (en) * | 2000-06-22 | 2005-10-18 | Contour Semiconductor, Inc. | Low cost high density rectifier matrix memory |
US6765813B2 (en) | 2000-08-14 | 2004-07-20 | Matrix Semiconductor, Inc. | Integrated systems using vertically-stacked three-dimensional memory cells |
US6515888B2 (en) | 2000-08-14 | 2003-02-04 | Matrix Semiconductor, Inc. | Low cost three-dimensional memory array |
US6545891B1 (en) | 2000-08-14 | 2003-04-08 | Matrix Semiconductor, Inc. | Modular memory device |
US6424581B1 (en) | 2000-08-14 | 2002-07-23 | Matrix Semiconductor, Inc. | Write-once memory array controller, system, and method |
US6711043B2 (en) | 2000-08-14 | 2004-03-23 | Matrix Semiconductor, Inc. | Three-dimensional memory cache system |
US6658438B1 (en) | 2000-08-14 | 2003-12-02 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method for deleting stored digital data from write-once memory device |
US20030120858A1 (en) | 2000-09-15 | 2003-06-26 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory devices and methods for use therewith |
US6584541B2 (en) | 2000-09-15 | 2003-06-24 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method for storing digital information in write-once memory array |
US6912696B2 (en) * | 2000-12-05 | 2005-06-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Smart card and circuitry layout thereof for reducing cross-talk |
US6591394B2 (en) | 2000-12-22 | 2003-07-08 | Matrix Semiconductor, Inc. | Three-dimensional memory array and method for storing data bits and ECC bits therein |
US6778974B2 (en) | 2001-02-02 | 2004-08-17 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory device and method for reading data stored in a portion of a memory device unreadable by a file system of a host device |
US20020108054A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-08 | Moore Christopher S. | Solid-state memory device storing program code and methods for use therewith |
US7424201B2 (en) * | 2001-03-30 | 2008-09-09 | Sandisk 3D Llc | Method for field-programming a solid-state memory device with a digital media file |
US7003619B1 (en) | 2001-04-09 | 2006-02-21 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory device and method for storing and reading a file system structure in a write-once memory array |
US6895490B1 (en) | 2001-04-09 | 2005-05-17 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method for making a write-once memory device read compatible with a write-many file system |
US6996660B1 (en) | 2001-04-09 | 2006-02-07 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory device and method for storing and reading data in a write-once memory array |
US7062602B1 (en) | 2001-04-09 | 2006-06-13 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method for reading data in a write-once memory device using a write-many file system |
AU2002340793A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-18 | Coatue Corporation | Molecular memory device |
EP1388179A1 (en) | 2001-05-07 | 2004-02-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Switching element having memory effect |
WO2002091496A2 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reversible field-programmable electric interconnects |
WO2002091385A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Molecular memory cell |
CN1276518C (zh) | 2001-05-07 | 2006-09-20 | 先进微装置公司 | 使用复合分子材料的浮置栅极存储装置 |
US6756620B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-06-29 | Intel Corporation | Low-voltage and interface damage-free polymer memory device |
US6624457B2 (en) | 2001-07-20 | 2003-09-23 | Intel Corporation | Stepped structure for a multi-rank, stacked polymer memory device and method of making same |
US6858481B2 (en) | 2001-08-13 | 2005-02-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory device with active and passive layers |
US6838720B2 (en) | 2001-08-13 | 2005-01-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory device with active passive layers |
US6806526B2 (en) | 2001-08-13 | 2004-10-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory device |
KR100860134B1 (ko) | 2001-08-13 | 2008-09-25 | 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 | 메모리 셀 |
US6768157B2 (en) | 2001-08-13 | 2004-07-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory device |
US6490218B1 (en) | 2001-08-17 | 2002-12-03 | Matrix Semiconductor, Inc. | Digital memory method and system for storing multiple bit digital data |
US6724665B2 (en) * | 2001-08-31 | 2004-04-20 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory device and method for selectable sub-array activation |
US6735546B2 (en) | 2001-08-31 | 2004-05-11 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory device and method for temperature-based control over write and/or read operations |
CN1310311C (zh) * | 2002-02-05 | 2007-04-11 | 张国飙 | 改进的三维掩膜编程只读存储器 |
US7000063B2 (en) | 2001-10-05 | 2006-02-14 | Matrix Semiconductor, Inc. | Write-many memory device and method for limiting a number of writes to the write-many memory device |
US7202847B2 (en) | 2002-06-28 | 2007-04-10 | E Ink Corporation | Voltage modulated driver circuits for electro-optic displays |
US6901549B2 (en) * | 2001-12-14 | 2005-05-31 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method for altering a word stored in a write-once memory device |
US7219271B2 (en) * | 2001-12-14 | 2007-05-15 | Sandisk 3D Llc | Memory device and method for redundancy/self-repair |
US6928590B2 (en) * | 2001-12-14 | 2005-08-09 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory device and method for storing bits in non-adjacent storage locations in a memory array |
US6563745B1 (en) | 2001-12-14 | 2003-05-13 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory device and method for dynamic bit inversion |
DE10200475A1 (de) * | 2002-01-09 | 2003-07-24 | Samsung Sdi Co | Nichtflüchtiges Speicherelement und Anzeigematrizen daraus |
US6649505B2 (en) | 2002-02-04 | 2003-11-18 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method for fabricating and identifying integrated circuits and self-identifying integrated circuits |
DE10214529B4 (de) * | 2002-04-02 | 2006-07-27 | Infineon Technologies Ag | ROM-Speicheranordnung |
US6625055B1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-09-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multiple logical bits per memory cell in a memory device |
US6567304B1 (en) | 2002-05-09 | 2003-05-20 | Matrix Semiconductor, Inc | Memory device and method for reliably reading multi-bit data from a write-many memory cell |
JP2004046773A (ja) * | 2002-05-21 | 2004-02-12 | Nec Infrontia Corp | 履歴管理システム |
JP4282951B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2009-06-24 | パイオニア株式会社 | 半導体記憶素子及びその寿命動作開始装置、並びに該半導体記憶素子を備えた情報記録媒体 |
JP2004047791A (ja) | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Pioneer Electronic Corp | 有機薄膜スイッチングメモリ素子及びメモリ装置 |
US6642587B1 (en) * | 2002-08-07 | 2003-11-04 | National Semiconductor Corporation | High density ROM architecture |
US7012276B2 (en) | 2002-09-17 | 2006-03-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Organic thin film Zener diodes |
US6847047B2 (en) * | 2002-11-04 | 2005-01-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methods that facilitate control of memory arrays utilizing zener diode-like devices |
US6954394B2 (en) * | 2002-11-27 | 2005-10-11 | Matrix Semiconductor, Inc. | Integrated circuit and method for selecting a set of memory-cell-layer-dependent or temperature-dependent operating conditions |
US7800932B2 (en) | 2005-09-28 | 2010-09-21 | Sandisk 3D Llc | Memory cell comprising switchable semiconductor memory element with trimmable resistance |
JP2006511965A (ja) | 2002-12-19 | 2006-04-06 | マトリックス セミコンダクター インコーポレイテッド | 高密度不揮発性メモリを製作するための改良された方法 |
US7618850B2 (en) * | 2002-12-19 | 2009-11-17 | Sandisk 3D Llc | Method of making a diode read/write memory cell in a programmed state |
US8637366B2 (en) | 2002-12-19 | 2014-01-28 | Sandisk 3D Llc | Nonvolatile memory cell without a dielectric antifuse having high- and low-impedance states |
US20050226067A1 (en) | 2002-12-19 | 2005-10-13 | Matrix Semiconductor, Inc. | Nonvolatile memory cell operating by increasing order in polycrystalline semiconductor material |
US20070164388A1 (en) * | 2002-12-19 | 2007-07-19 | Sandisk 3D Llc | Memory cell comprising a diode fabricated in a low resistivity, programmed state |
US7660181B2 (en) * | 2002-12-19 | 2010-02-09 | Sandisk 3D Llc | Method of making non-volatile memory cell with embedded antifuse |
US8008700B2 (en) * | 2002-12-19 | 2011-08-30 | Sandisk 3D Llc | Non-volatile memory cell with embedded antifuse |
US7285464B2 (en) * | 2002-12-19 | 2007-10-23 | Sandisk 3D Llc | Nonvolatile memory cell comprising a reduced height vertical diode |
US7800933B2 (en) * | 2005-09-28 | 2010-09-21 | Sandisk 3D Llc | Method for using a memory cell comprising switchable semiconductor memory element with trimmable resistance |
US7051251B2 (en) * | 2002-12-20 | 2006-05-23 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method for storing data in a write-once memory array using a write-many file system |
US7103729B2 (en) * | 2002-12-26 | 2006-09-05 | Intel Corporation | Method and apparatus of memory management |
US7179534B2 (en) * | 2003-01-31 | 2007-02-20 | Princeton University | Conductive-polymer electronic switch |
US6868022B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-03-15 | Matrix Semiconductor, Inc. | Redundant memory structure using bad bit pointers |
US7511352B2 (en) * | 2003-05-19 | 2009-03-31 | Sandisk 3D Llc | Rail Schottky device and method of making |
KR100638017B1 (ko) | 2003-05-30 | 2006-10-23 | 엘지전자 주식회사 | 네트워크 디바이스 |
KR100596755B1 (ko) | 2003-05-30 | 2006-07-04 | 엘지전자 주식회사 | 홈 네트워크 시스템 |
US7376008B2 (en) | 2003-08-07 | 2008-05-20 | Contour Seminconductor, Inc. | SCR matrix storage device |
US7057958B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-06-06 | Sandisk Corporation | Method and system for temperature compensation for memory cells with temperature-dependent behavior |
US7177189B2 (en) * | 2004-03-01 | 2007-02-13 | Intel Corporation | Memory defect detection and self-repair technique |
US7398348B2 (en) | 2004-08-24 | 2008-07-08 | Sandisk 3D Llc | Method and apparatus for using a one-time or few-time programmable memory with a host device designed for erasable/rewritable memory |
US7781758B2 (en) | 2004-10-22 | 2010-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7675123B2 (en) * | 2004-10-29 | 2010-03-09 | Agfa-Gevaert Nv | Printable non-volatile passive memory element and method of making thereof |
US7218570B2 (en) * | 2004-12-17 | 2007-05-15 | Sandisk 3D Llc | Apparatus and method for memory operations using address-dependent conditions |
US7277336B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-10-02 | Sandisk 3D Llc | Method and apparatus for improving yield in semiconductor devices by guaranteeing health of redundancy information |
US7307268B2 (en) * | 2005-01-19 | 2007-12-11 | Sandisk Corporation | Structure and method for biasing phase change memory array for reliable writing |
US9104315B2 (en) | 2005-02-04 | 2015-08-11 | Sandisk Technologies Inc. | Systems and methods for a mass data storage system having a file-based interface to a host and a non-file-based interface to secondary storage |
WO2006117853A1 (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Spansion Llc | 半導体装置、データの読み出し方法及び半導体装置の製造方法 |
NO20052904L (no) * | 2005-06-14 | 2006-12-15 | Thin Film Electronics Asa | Et ikke-flyktig elektrisk minnesystem |
US7212454B2 (en) | 2005-06-22 | 2007-05-01 | Sandisk 3D Llc | Method and apparatus for programming a memory array |
US7633128B2 (en) * | 2005-07-15 | 2009-12-15 | Guobiao Zhang | N-ary mask-programmable memory |
US7627733B2 (en) * | 2005-08-03 | 2009-12-01 | Sandisk Corporation | Method and system for dual mode access for storage devices |
EP1760798B1 (en) * | 2005-08-31 | 2012-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7800934B2 (en) * | 2005-09-28 | 2010-09-21 | Sandisk 3D Llc | Programming methods to increase window for reverse write 3D cell |
WO2007047889A2 (en) | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Phatrat Technology, Llc | Shoe wear-out sensor, body-bar sensing system, unitless activity assessment and associated methods |
US7679952B2 (en) * | 2005-12-07 | 2010-03-16 | Nxp B.V. | Electronic circuit with a memory matrix |
US7706165B2 (en) * | 2005-12-20 | 2010-04-27 | Agfa-Gevaert Nv | Ferroelectric passive memory cell, device and method of manufacture thereof |
US7793068B2 (en) * | 2005-12-21 | 2010-09-07 | Sandisk Corporation | Dual mode access for non-volatile storage devices |
US7769978B2 (en) * | 2005-12-21 | 2010-08-03 | Sandisk Corporation | Method and system for accessing non-volatile storage devices |
US7747837B2 (en) * | 2005-12-21 | 2010-06-29 | Sandisk Corporation | Method and system for accessing non-volatile storage devices |
US7667996B2 (en) * | 2006-02-15 | 2010-02-23 | Contour Semiconductor, Inc. | Nano-vacuum-tubes and their application in storage devices |
US7605410B2 (en) * | 2006-02-23 | 2009-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
EP1850378A3 (en) | 2006-04-28 | 2013-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semicondutor device |
US7643895B2 (en) | 2006-05-22 | 2010-01-05 | Apple Inc. | Portable media device with workout support |
US20070271116A1 (en) | 2006-05-22 | 2007-11-22 | Apple Computer, Inc. | Integrated media jukebox and physiologic data handling application |
US9137309B2 (en) * | 2006-05-22 | 2015-09-15 | Apple Inc. | Calibration techniques for activity sensing devices |
US8073984B2 (en) | 2006-05-22 | 2011-12-06 | Apple Inc. | Communication protocol for use with portable electronic devices |
US7283414B1 (en) | 2006-05-24 | 2007-10-16 | Sandisk 3D Llc | Method for improving the precision of a temperature-sensor circuit |
US7913297B2 (en) | 2006-08-30 | 2011-03-22 | Apple Inc. | Pairing of wireless devices using a wired medium |
US7813715B2 (en) | 2006-08-30 | 2010-10-12 | Apple Inc. | Automated pairing of wireless accessories with host devices |
US7698101B2 (en) | 2007-03-07 | 2010-04-13 | Apple Inc. | Smart garment |
US7966518B2 (en) * | 2007-05-15 | 2011-06-21 | Sandisk Corporation | Method for repairing a neighborhood of rows in a memory array using a patch table |
US7958390B2 (en) * | 2007-05-15 | 2011-06-07 | Sandisk Corporation | Memory device for repairing a neighborhood of rows in a memory array using a patch table |
UA81208C2 (en) * | 2007-06-01 | 2007-12-10 | Yurii Bogdanovych Zarvanytskyi | Three-dimensional device for processing information and a method for processing information |
US8072791B2 (en) * | 2007-06-25 | 2011-12-06 | Sandisk 3D Llc | Method of making nonvolatile memory device containing carbon or nitrogen doped diode |
US7684226B2 (en) * | 2007-06-25 | 2010-03-23 | Sandisk 3D Llc | Method of making high forward current diodes for reverse write 3D cell |
US7830697B2 (en) * | 2007-06-25 | 2010-11-09 | Sandisk 3D Llc | High forward current diodes for reverse write 3D cell |
US8102694B2 (en) * | 2007-06-25 | 2012-01-24 | Sandisk 3D Llc | Nonvolatile memory device containing carbon or nitrogen doped diode |
US7800939B2 (en) * | 2007-06-29 | 2010-09-21 | Sandisk 3D Llc | Method of making 3D R/W cell with reduced reverse leakage |
US7759666B2 (en) * | 2007-06-29 | 2010-07-20 | Sandisk 3D Llc | 3D R/W cell with reduced reverse leakage |
US7846782B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-12-07 | Sandisk 3D Llc | Diode array and method of making thereof |
US7813157B2 (en) * | 2007-10-29 | 2010-10-12 | Contour Semiconductor, Inc. | Non-linear conductor memory |
US20090225621A1 (en) * | 2008-03-05 | 2009-09-10 | Shepard Daniel R | Split decoder storage array and methods of forming the same |
US7812335B2 (en) * | 2008-04-11 | 2010-10-12 | Sandisk 3D Llc | Sidewall structured switchable resistor cell |
US7830698B2 (en) * | 2008-04-11 | 2010-11-09 | Sandisk 3D Llc | Multilevel nonvolatile memory device containing a carbon storage material and methods of making and using same |
US8450835B2 (en) * | 2008-04-29 | 2013-05-28 | Sandisk 3D Llc | Reverse leakage reduction and vertical height shrinking of diode with halo doping |
US20090296445A1 (en) * | 2008-06-02 | 2009-12-03 | Shepard Daniel R | Diode decoder array with non-sequential layout and methods of forming the same |
CN101359509B (zh) * | 2008-09-02 | 2010-06-02 | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 | 一次性可编程存储器电路及其编程和读取方法 |
US8325556B2 (en) * | 2008-10-07 | 2012-12-04 | Contour Semiconductor, Inc. | Sequencing decoder circuit |
WO2011008961A1 (en) | 2009-07-15 | 2011-01-20 | Allegiance Corporation | Fluid collection and disposal system and related methods |
CN101645054B (zh) * | 2009-08-25 | 2011-07-13 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种数据采集卡、数据采集卡的扩展控制系统及其方法 |
US9508395B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-11-29 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional one-time-programmable memory comprising off-die read/write-voltage generator |
US9305604B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-04-05 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Discrete three-dimensional vertical memory comprising off-die address/data-translator |
US9190412B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-11-17 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional offset-printed memory |
US9024425B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-05-05 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional memory comprising an integrated intermediate-circuit die |
US9559082B2 (en) | 2011-09-01 | 2017-01-31 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional vertical memory comprising dice with different interconnect levels |
US8699257B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-04-15 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional writable printed memory |
US9558842B2 (en) | 2011-09-01 | 2017-01-31 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Discrete three-dimensional one-time-programmable memory |
US9123393B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-09-01 | HangZhou KiCun nformation Technology Co. Ltd. | Discrete three-dimensional vertical memory |
US9093129B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-07-28 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Discrete three-dimensional memory comprising dice with different BEOL structures |
US9396764B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-07-19 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Discrete three-dimensional memory |
US9305605B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-04-05 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Discrete three-dimensional vertical memory |
US9666300B2 (en) | 2011-09-01 | 2017-05-30 | XiaMen HaiCun IP Technology LLC | Three-dimensional one-time-programmable memory comprising off-die address/data-translator |
US9299390B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-03-29 | HangZhou HaiCun Informationa Technology Co., Ltd. | Discrete three-dimensional vertical memory comprising off-die voltage generator |
US9117493B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-08-25 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Discrete three-dimensional memory comprising off-die address/data translator |
US8921991B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-12-30 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Discrete three-dimensional memory |
US8890300B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-11-18 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Discrete three-dimensional memory comprising off-die read/write-voltage generator |
US9001555B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-04-07 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Small-grain three-dimensional memory |
US9293509B2 (en) | 2013-03-20 | 2016-03-22 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Small-grain three-dimensional memory |
US10304553B2 (en) | 2014-04-14 | 2019-05-28 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Compact three-dimensional memory with an above-substrate decoding stage |
CN104979352A (zh) | 2014-04-14 | 2015-10-14 | 成都海存艾匹科技有限公司 | 混合型三维印录存储器 |
US10211258B2 (en) | 2014-04-14 | 2019-02-19 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Manufacturing methods of JFET-type compact three-dimensional memory |
US10304495B2 (en) | 2014-04-14 | 2019-05-28 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Compact three-dimensional memory with semi-conductive address line portion |
US10446193B2 (en) | 2014-04-14 | 2019-10-15 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Mixed three-dimensional memory |
CN104978990B (zh) | 2014-04-14 | 2017-11-10 | 成都海存艾匹科技有限公司 | 紧凑型三维存储器 |
US10079239B2 (en) | 2014-04-14 | 2018-09-18 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Compact three-dimensional mask-programmed read-only memory |
US10199432B2 (en) | 2014-04-14 | 2019-02-05 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Manufacturing methods of MOSFET-type compact three-dimensional memory |
US11170863B2 (en) | 2016-04-14 | 2021-11-09 | Southern University Of Science And Technology | Multi-bit-per-cell three-dimensional resistive random-access memory (3D-RRAM) |
CN109102837A (zh) | 2016-04-14 | 2018-12-28 | 杭州海存信息技术有限公司 | 含有哑字线的三维一次编程存储器 |
US10559574B2 (en) | 2016-04-16 | 2020-02-11 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional vertical one-time-programmable memory comprising Schottky diodes |
US10490562B2 (en) | 2016-04-16 | 2019-11-26 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional vertical one-time-programmable memory comprising multiple antifuse sub-layers |
CN107316869A (zh) | 2016-04-16 | 2017-11-03 | 成都海存艾匹科技有限公司 | 三维纵向一次编程存储器 |
US9806256B1 (en) | 2016-10-21 | 2017-10-31 | Sandisk Technologies Llc | Resistive memory device having sidewall spacer electrode and method of making thereof |
US10566388B2 (en) | 2018-05-27 | 2020-02-18 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional vertical memory |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3742592A (en) * | 1970-07-13 | 1973-07-03 | Intersil Inc | Electrically alterable integrated circuit read only memory unit and process of manufacturing |
US4162538A (en) * | 1977-07-27 | 1979-07-24 | Xerox Corporation | Thin film programmable read-only memory having transposable input and output lines |
US4425379A (en) * | 1981-02-11 | 1984-01-10 | Fairchild Camera & Instrument Corporation | Polycrystalline silicon Schottky diode array |
US4442507A (en) * | 1981-02-23 | 1984-04-10 | Burroughs Corporation | Electrically programmable read-only memory stacked above a semiconductor substrate |
US4516223A (en) * | 1981-08-03 | 1985-05-07 | Texas Instruments Incorporated | High density bipolar ROM having a lateral PN diode as a matrix element and method of fabrication |
JPS58188155A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-02 | Seiko Epson Corp | 2層構造rom集積回路 |
US4677742A (en) * | 1983-01-18 | 1987-07-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electronic matrix arrays and method for making the same |
US4569120A (en) * | 1983-03-07 | 1986-02-11 | Signetics Corporation | Method of fabricating a programmable read-only memory cell incorporating an antifuse utilizing ion implantation |
US4598386A (en) * | 1984-04-18 | 1986-07-01 | Roesner Bruce B | Reduced-area, read-only memory |
US5166901A (en) * | 1986-05-14 | 1992-11-24 | Raytheon Company | Programmable memory cell structure including a refractory metal barrier layer |
US4884238A (en) * | 1988-03-09 | 1989-11-28 | Honeywell Inc. | Read-only memory |
JP2508247B2 (ja) | 1989-03-20 | 1996-06-19 | 三菱電機株式会社 | マスクromの製造方法 |
JPH04115565A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
KR960010736B1 (ko) * | 1991-02-19 | 1996-08-07 | 미쓰비시뎅끼 가부시끼가이샤 | 마스크 rom 및 그 제조방법 |
GB9113795D0 (en) | 1991-06-26 | 1991-08-14 | Philips Electronic Associated | Thin-film rom devices and their manufacture |
US5375085A (en) | 1992-09-30 | 1994-12-20 | Texas Instruments Incorporated | Three-dimensional ferroelectric integrated circuit without insulation layer between memory layers |
US5379250A (en) * | 1993-08-20 | 1995-01-03 | Micron Semiconductor, Inc. | Zener programmable read only memory |
WO1996041381A1 (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-19 | Micron Technology, Inc. | A stack/trench diode for use with a multi-state material in a non-volatile memory cell |
US5962903A (en) * | 1995-06-08 | 1999-10-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Planarized plug-diode mask ROM structure |
GB9710514D0 (en) * | 1996-09-21 | 1997-07-16 | Philips Electronics Nv | Electronic devices and their manufacture |
TW334618B (en) * | 1997-02-05 | 1998-06-21 | United Microelectronics Corp | The multi-levels ROM and its manufacturing method |
US5952671A (en) * | 1997-05-09 | 1999-09-14 | Micron Technology, Inc. | Small electrode for a chalcogenide switching device and method for fabricating same |
US5905670A (en) * | 1997-05-13 | 1999-05-18 | International Business Machines Corp. | ROM storage cell and method of fabrication |
-
1997
- 1997-09-01 NO NO973993A patent/NO973993L/no unknown
-
1998
- 1998-08-28 JP JP2000512214A patent/JP3526551B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-28 EP EP98941940A patent/EP1010181B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-28 CN CNB988105691A patent/CN1199192C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-28 US US09/297,467 patent/US6236587B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-28 KR KR10-2000-7002218A patent/KR100368820B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-08-28 RU RU2000108482/09A patent/RU2212716C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-08-28 WO PCT/NO1998/000264 patent/WO1999014763A1/en active IP Right Grant
- 1998-08-28 RU RU2000108581/09A patent/RU2216055C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-08-28 CA CA002302014A patent/CA2302014C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-28 AT AT98941940T patent/ATE213090T1/de not_active IP Right Cessation
- 1998-08-28 ES ES98939837T patent/ES2172181T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-28 DE DE69803781T patent/DE69803781T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-28 DE DE69803782T patent/DE69803782T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-28 DK DK98939837T patent/DK1010180T3/da active
- 1998-08-28 AU AU88210/98A patent/AU750496B2/en not_active Ceased
- 1998-08-28 KR KR10-2000-7002220A patent/KR100368819B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-08-28 AU AU90093/98A patent/AU742011B2/en not_active Ceased
- 1998-08-28 JP JP2000512213A patent/JP3526550B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-28 US US09/297,521 patent/US6380597B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-28 ES ES98941940T patent/ES2172189T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-28 AT AT98939837T patent/ATE213089T1/de not_active IP Right Cessation
- 1998-08-28 EP EP98939837A patent/EP1010180B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-28 CN CNB988105748A patent/CN1199193C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-28 CA CA002302015A patent/CA2302015C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-28 WO PCT/NO1998/000263 patent/WO1999014762A1/en active IP Right Grant
- 1998-08-28 DK DK98941940T patent/DK1010181T3/da active
-
1999
- 1999-04-30 NO NO19992122A patent/NO310946B1/no not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2000108482A (ru) | Постоянная память и постоянное запоминающее устройство | |
RU2000108581A (ru) | Постоянная память и постоянные запоминающие устройства | |
RU2216055C2 (ru) | Постоянная память и постоянные запоминающие устройства | |
CN100403450C (zh) | 具有自组装聚合物薄膜的内存装置及其制造方法 | |
CN1770456A (zh) | 具有探针阵列的电阻式存储装置及其制造方法 | |
CN1389919A (zh) | 交叉点二极管存储阵列寻址制造技术 | |
RU2201639C1 (ru) | Масштабируемое устройство обработки данных | |
CN1452248A (zh) | 存储器结构 | |
US5940714A (en) | Method of fabricating a capacitor electrode structure in integrated circuit through self-aligned process | |
CN1449046A (zh) | 存储器结构 | |
NO310899B1 (no) | Leseminne og leseminneinnretninger |