JP3476283B2 - 基板平坦化材料及びこれを用いた基板の平坦化方法 - Google Patents
基板平坦化材料及びこれを用いた基板の平坦化方法Info
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Description
は凹凸を有する配線基板及び半導体素子等のための基板
平坦化材料と、この材料を利用して基板を平坦化する方
法に関する。本発明の平坦化材料及び平坦化方法を用い
ることにより、数百μmの広い幅の配線を有する基板の
平坦化が可能であり、多層配線形成において特に有効で
ある。
び素子密度の向上に伴い、特に半導体素子の多層化への
要求が高まっている。また、配線の微細化による配線容
量の低下を防ぐため配線を厚くする必要に迫られ、配線
による段差はますます大きくなる傾向がある。このた
め、微細な多層配線を形成する上で、レジストのフォー
カスマージンを拡大できる優れた平坦性が得られる層間
絶縁膜の形成が必要とされている。
スピンコートにより塗布し、スペース部を埋め込むこと
による平坦化がなされてきた。この手法では、比較的良
好な場合でも、平坦化可能な配線幅はローカル段差の領
域である10μm程度が限度であって、もっと幅の広い
配線の平坦化は不可能である。
m以上の幅の配線パターンの平坦化方法として、近年、
エッチング液を使いながら機械的に研磨するCMP(Ch
emical Mechanical Polishing)の検討が行われている。
しかし、CMPではエッチング液としてKOHなどのア
ルカリ溶液を必要とすること、幅の広い配線において十
分な平坦性を維持するためには研磨速度を遅くする必要
があることなどから、この手法には、配線に損傷を与え
る懸念があり、またスループットが低い、といった不都
合がある。
D)法などで厚く形成した絶縁膜の上に、加熱されると
リフローする平坦化材料を塗布して平坦化した膜を形成
後、エッチバックプロセスによりこの平坦化膜と、その
下の絶縁膜の一部とを除去して絶縁膜の平坦化を行う手
法が行われている。この手法においては、平坦化材料の
リフロー性が十分でないために、数十μmの幅の配線パ
ターンまでしか平坦化できていない。
らの従来技術で示される問題点を解決すること、すなわ
ち、例えば多層配線における電源配線のように、幅が数
百μmに及ぶグローバル段差の平坦化を可能にする新し
い基板平坦化材料を提供し、それを利用してそのような
グローバル段差の平坦化を実現するための方法を提供す
ることにある。
は、次の一般式(1)、
3のアルキル基又は炭素数2もしくは3のアルケニル基
であり、これらのR1 〜R4 は同一であっても互いに異
なっていてもよく、nは正の整数である)で示され、重
量平均分子量が500〜50,000のポリマーである
ことを特徴とする材料である。この一般式から明らかな
ように、本発明の材料はその分子骨格にシルフェニレン
結合を含む直鎖状シロキサン系ポリマー材料である。
坦化材料は、次の一般式(2)、
3のアルキル基又は炭素数2もしくは3のアルケニル基
であり、これらのR1 〜R4 は同一であっても互いに異
なっていてもよく、置換基R5 とR6 は炭素数1〜3の
アルキル基又は炭素数2もしくは3のアルケニル基であ
り、R5 とR6 は同一であっても互いに異なっていても
よく、m及びnは正の整数であり、mとnの比はn=1
に対してm<2である)で示され、重量平均分子量が5
00〜50,000のポリマーであることを特徴とする
材料である。この一般式から明らかなように、本発明の
この平坦化材料は、上記の一般式(1)で表されるシロ
キサン系ポリマーをオルガノシロキサンと共重合させた
直鎖状ポリマー材料であり、やはりその分子骨格にシル
フェニレン結合を含む。
表面に本発明の平坦化材料を塗布する工程と、これを加
熱してリフローさせることにより基板表面を平坦化する
工程を含む方法である。
板上に凹凸状に形成された絶縁膜面に本発明の平坦化材
料を塗布する工程と、これを加熱してリフローさせるこ
とで平坦化被膜を形成する工程と、エッチバック法によ
りこの平坦化被膜と、その下の絶縁膜の一部とを除去し
て、当該絶縁膜を平坦化する工程とを含むことができ
る。
線層のような、あるいは配線層上に更に絶縁層を形成し
たような、表面に段差あるいは凹凸構造を有し、その表
面を平坦化するための処理を受けるべきあらゆる基板を
包含する。このような基板の典型的な例は、プリント基
板に代表される多層配線基板であり、あるいは多層構造
を持つ半導体素子等である。
うに、分子骨格にシルフェニレン結合を含む直鎖状シロ
キサン系ポリマー、あるいは分子骨格にシルフェニレン
結合を含むシロキサン系ポリマーをオルガノシロキサン
と共重合させた直鎖状ポリマーである。
00〜50,000の範囲であることが好ましい。分子
量が500未満では、平坦化材料を基板上に塗布後にリ
フローさせるため加熱した段階で、それが蒸発したり、
あるいは熱分解したりするため、目的とする平坦化被膜
が形成できない。分子量が50,000を超えると、材
料の溶融粘度が高くなって、リフロー特性が悪くなり、
目的とする幅の広い段差の平坦化が思うようにできなく
なる。重量平均分子量のより好ましい範囲は1,000
〜20,000である。
表される直鎖状シロキサン系ポリマー材料である場合、
置換基R1 〜R4 は、炭素数1〜3のアルキル基又は炭
素数2もしくは3のアルケニル基であり、これらのR1
〜R4 は同一であっても互いに異なっていてもよい。こ
れらの置換基の炭素数が4以上になると、分子どうしの
からみが生じ、溶融粘度が上昇して、リフロー特性の低
下を招くので、数百μmに及ぶような幅の広い段差の平
坦化には適さなくなる。一般式(1)で表される直鎖状
シロキサン系ポリマーの代表的な例は、ポリテトラメチ
ルシルフェニレンシロキサン、ポリテトラエチルシルフ
ェニレンシロキサン、ポリテトラビニルシルフェニレン
シロキサン等である。
示される共重合体の場合、置換基R1 〜R4 は一般式
(1)のポリマーについて説明したとおりである。置換
基R5とR6 は、やはりは炭素数1〜3のアルキル基又
は炭素数2もしくは3のアルケニル基であり、R5 とR
6 は同一であっても互いに異なっていてもよい。置換基
R5 及びR6 の炭素数が3以下に限定されるのは、R1
〜R4 についてと同じ理由からである。また、この共重
合体の場合には、一般式(2)におけるmとnの比はn
=1に対してm<2である。n=1に対してm≧2とな
ると、分子間のからみ合いが生じてリフロー特性が低下
してしまい、そのため数百μmに及ぶような幅の広い段
差の平坦化が不可能になる。一般式(2)の共重合体の
代表的な例は、ポリテトラメチルシルフェニレンシロキ
サン/ジビニルシロキサン共重合体、ポリテトラメチル
シルフェニレンシロキサン/ジメチルシロキサン共重合
体、ポリテトラメチルシルフェニレンシロキサン/ジア
リルシロキサン共重合体等である。
から、通常の有機合成の手法を利用して容易に製造する
ことができる。そのため、それらの製法をここで詳しく
説明する必要はない。なお、本発明のポリマー材料の典
型的な合成例のいくつかは、下記の実施例において説明
される。
マー材料は、高い結晶性を持ち、溶融時の粘度が非常に
低いという特徴がある。そのため、基板へ塗布後の加熱
よるリフロー性が良好で、幅が数百μmに及ぶようなグ
ローバル段差でも容易に平坦化することが可能である。
フロー後にそのまま冷却させると、再び結晶化して、形
成した膜の表面に微細な凹凸が生じ、平坦化膜としての
役割が減殺されてしまう。これを避けるために、本発明
では上記の一般式における置換基の少なくとも一部とし
てアルケニル基を採用するのが好ましい。アルケニル基
を有するポリマー材料は、リフローさせるため200〜
300℃で溶融させたときに架橋させることができるの
で、常温に冷却しても再結晶化するのを防止することが
できる。更に、本発明の平坦化材料のポリマーがアルケ
ニル基を含まず、アルキル基のみである場合において
も、加熱時に紫外線を照射することで架橋させることが
可能であり、それにより冷却時の再結晶化を防ぐことが
できる。
広いグローバル段差でも容易に平坦化することができる
が、この材料から形成された平坦化被膜に優れた耐熱性
を期待することはできない。従って、この材料から形成
した被膜を高い耐熱性の要求される用途のために使用す
ることは避けるべきである。一般には、本発明の材料か
ら形成した平坦化被膜は350℃以下の温度で使用する
のが好ましい。これより高い温度での使用が想定される
場合には、エッチバックのような適当な方法で平坦化被
膜を除去するとともに下地を平坦化するようにすればよ
い。このような方法は、下記においてより具体的に説明
される。
格にシルフェニレン結合を有する点で、例えば特公平6
−36099号公報に記載されたようなポリマー材料に
類似している。しかしながら、上記公報に記載されたポ
リマー材料は、レジスト材料として用いられるものであ
り、有機溶剤での現像時の膨潤を抑制する目的でシルフ
ェニレン結合を含む分子構造が採用されている。すなわ
ち、シルフェニレン結合を構成しているケイ素原子(ベ
ンゼン環に結合しているケイ素原子)が酸素原子を介し
て架橋した構造、言い換えれば、シルフェニレンシロキ
サンの核とこのシルフェニレン核を取り囲んだトリオル
ガノシリル基とからなる三次元の毬状構造が採用されて
おり、これによって有機溶剤現像液による膨潤に対する
耐性を実現している。これに対して、本発明のポリマー
材料は、加熱によるリフローによって基板表面を平坦化
するのに使用することを目的としており、そのために、
上記公報記載のポリマー材料のような三次元構造を避け
て、直鎖状の構造を採用している。この点において、本
発明の平坦化用ポリマー材料は、シルフェニレン結合を
有するこれまでのレジスト材料とは全く異質の材料にな
っている。なお、本発明の平坦化材料は、リフロー時の
加熱によって架橋させることができるが、この架橋によ
ってできる結合は炭素−炭素(C−C)結合である。こ
れとは対照的に、特公平6−36099号公報等に記載
の材料は、レジスト材料として基板に塗布する際に既に
三次元架橋構造を持っており、しかもその架橋結合は酸
素を介した炭素−酸素−炭素(C−O−C)結合であ
る。
本発明の平坦化材料を塗布する工程と、これを加熱して
リフローさせることにより基板表面を平坦化する工程を
含んでいる。一般に、平坦化材料は適当な有機溶剤溶液
として基板に塗布することができる。使用する有機溶剤
は、平坦化材料と反応せず、塗布後に容易に蒸発させる
ことができる限り、どのようなものでもよい。代表的な
溶剤の例を挙げると、キシレン、メチルイソブチルケト
ン、トルエン等である。溶剤に溶解した平坦化材料の塗
布は、スピンコート法で行うのが好適である。
条件は、使用する平坦化材料の種類、有機溶剤の種類、
被処理基板の耐熱性等を考慮して、適宜選択することが
できる。とは言え、一般には、200〜350℃の温度
で、3〜10分間加熱するのが適当であろう。
された絶縁膜面に本発明の平坦化材料を塗布し、これを
加熱してリフローさせることで平坦化被膜を形成し、そ
してエッチバック法によりこの平坦化被膜と、その下の
絶縁膜の一部とを除去して、当該絶縁膜を平坦化するこ
ともできる。この場合にも、平坦化材料の塗布と加熱に
よるリフローは、先に説明したようにして行うことがで
きる。また、エッチバック法による絶縁膜の平坦化自体
は、既に知られている技術であるが、次にこれを簡単に
説明することにする。
(a)に示すように、配線11上に絶縁膜12を配線段
差以上の膜厚で形成した被処理基板10の上に、本発明
の平坦化材料の溶液をスピンコートし、加熱により溶剤
を蒸発させるとともに平坦化材料をリフローさせて、同
図に示すように平坦化被膜13を成膜し、配線層の段差
を平坦化材料により平坦化する。次に、平坦化材料が残
らないように、ドライ雰囲気で全面エッチバックを行っ
て、図1(b)に示すように平坦化した絶縁層12’を
形成する。このようにアルカリ溶液などのエッチング液
を用いないことから、配線を損傷することなく絶縁膜の
平坦化が可能になる。
マCVD膜、テトラエチルオルソシリケート(TEO
S)を基にしたプラズマTEOS−CVD膜、オゾンT
EOS膜などのSiO2 膜や、スピンコート法により形
成したSOG膜や、あるいはCVD膜とSOG膜とを組
み合わせたものが挙げられる。また、平坦化被膜のエッ
チバックは、フッ素プラズマにより可能であるが、絶縁
膜とのエッチングレート選択比及びエッチング速度の向
上を目的に酸素を導入しても差し支えない。
下地絶縁膜の平坦化は、平坦化材料及び絶縁膜の種類に
応じた条件を使って、既に知られているやり方で容易に
実施することができる。
成された平坦化層を有することを特徴とする多層配線基
板及び半導体素子を提供する。
なく、本発明はこれらの実施例によっていささかでも限
定されるものではない。
さ(下地との段差)が1μmで、大きさが10×10μ
mから8,000×8,000μmまでのアルミニウム
配線パターンを形成したシリコン製の平坦化評価用基板
を用いて行った。また、これらの例におけるグローバル
段差は、図2に示したように、基板20のフィールド部
(アルミニウムパターンが形成されていない領域)にア
ルミニウム配線21の高さと同じ1μmの平坦化被膜2
2を形成するように平坦化材料を成膜したときの、配線
パターン上に形成した平坦化被膜の膜厚(T)とした。
なお、平坦化被膜の厚さは表面粗さ計により測定した。
シリル)ベンゼン52.66g(0.2モル)を仕込
み、室温でメチルイソブチルケトン200mlに溶解さ
せた。次に、純水3.6g(0.2モル)を室温におい
て滴下し、118℃で1時間加熱した。この反応溶液を
分液ロートを用いて5回水洗した後、ロータリーエバポ
レーターにて濃縮を行った。次に、この濃縮溶液を、ア
セトニトリルを1リットル仕込んだビーカーに撹拌しな
がら滴下し、再沈殿を行ってから、沈殿物をろ過により
回収し、ベンゼンに溶解させて、凍結乾燥によりポリマ
ーを回収した。得られたポリマーは、IR分析よりポリ
テトラメチルシルフェニレンシロキサンであることが確
認できた。また、GPCよりポリスチレン換算の重量平
均分子量は約5,000、多分散度は1.46であっ
た。
シリル)ベンゼン52.66g(0.2モル)を仕込
み、室温でメチルイソブチルケトン200mlに溶解さ
せた。次に、純水3.6g(0.2モル)を室温におい
て滴下し、118℃で3時間加熱した。この反応溶液を
分液ロートを用いて5回水洗した後、ロータリーエバポ
レーターにて濃縮を行った。次に、この濃縮溶液を、ア
セトニトリルを1リットル仕込んだビーカーに撹拌しな
がら滴下し、再沈殿を行った後、沈殿物をろ過により回
収し、ベンゼンに溶解させて、凍結乾燥によりポリマー
を回収した。得られたポリマーは、IR分析よりポリテ
トラメチルシルフェニレンシロキサンであることが確認
できた。また、GPCよりポリスチレン換算の重量平均
分子量は約10,000、多分散度は1.32であっ
た。
シリル)ベンゼン52.66g(0.2モル)を仕込
み、室温においてメチルイソブチルケトン200mlに
溶解させた。次に、純水3.6g(0.2モル)を室温
において滴下し、118℃で7時間加熱した。この反応
溶液を分液ロートを用いて5回水洗後、ロータリーエバ
ポレーターにて濃縮を行った。次に、この濃縮溶液を、
アセトニトリルを1リットル仕込んだビーカーに撹拌し
ながら滴下し、再沈殿を行った後、沈殿物をろ過により
回収し、ベンゼンに溶解させて、凍結乾燥によりポリマ
ーを回収した。得られたポリマーは、IR分析よりポリ
テトラメチルシルフェニレンシロキサンであることが確
認できた。また、GPCよりポリスチレン換算の重量平
均分子量は約20,000、多分散度は1.41であっ
た。
シリル)ベンゼン52.66g(0.2モル)を仕込
み、室温でメチルイソブチルケトン200mlに溶解さ
せた。次に、純水3.6g(0.2モル)を室温におい
て滴下し、次いでジビニルジクロロシラン30.26g
(0.2モル)を滴下し、118℃で2時間加熱した。
この反応溶液を分液ロートを用いて5回水洗してから、
ロータリーエバポレーターにて濃縮を行った。次に、こ
の濃縮溶液を、アセトニトリルを1リットル仕込んだビ
ーカーに撹拌しながら滴下し、再沈殿を行った後、沈殿
物をろ過により回収し、ベンゼンに溶解させて、凍結乾
燥によりポリマーを回収した。得られたポリマーは、I
R分析よりポリテトラメチルシルフェニレンシロキサン
/ジビニルシロキサン共重合体(共重合比1:1)であ
ることが確認できた。また、GPCよりポリスチレン換
算の重量平均分子量は約5,000、多分散度は1.3
3であった。
シリル)ベンゼン52.66g(0.2モル)を仕込
み、室温でメチルイソブチルケトン200mlに溶解さ
せた。次に、純水3.6g(0.2モル)を室温におい
て滴下し、次いでジビニルジクロロシラン30.26g
(0.2モル)を滴下し、118℃で6時間加熱した。
この反応溶液を分液ロートを用いて5回水洗してから、
ロータリーエバポレーターにて濃縮を行った。次に、こ
の濃縮溶液を、アセトニトリルを1リットル仕込んだビ
ーカーに撹拌しながら滴下し、再沈殿を行った後、沈殿
物をろ過により回収し、ベンゼンに溶解させて、凍結乾
燥によりポリマーを回収した。得られたポリマーは、I
R分析よりポリテトラメチルシルフェニレンシロキサン
/ジビニルシロキサン共重合体(共重合比1:1)であ
ることが確認できた。また、GPCよりポリスチレン換
算の重量平均分子量は約10,000、多分散度は1.
36であった。
シリル)ベンゼン52.66g(0.2モル)を仕込
み、室温においてメチルイソブチルケトン200mlに
溶解させた。次に、純水3.6g(0.2モル)を室温
において滴下し、次いでジビニルジクロロシラン30.
26g(0.2モル)を滴下し、118℃で10時間加
熱した。この反応溶液を分液ロートを用いて5回水洗し
た後、ロータリーエバポレーターにて濃縮を行った。次
に、この濃縮溶液を、アセトニトリルを1リットル仕込
んだビーカーに撹拌しながら滴下し、再沈殿を行った
後、沈殿物をろ過により回収し、ベンゼンに溶解させ
て、凍結乾燥によりポリマーを回収した。得られたポリ
マーは、IR分析よりポリテトラメチルシルフェニレン
シロキサン/ジビニルシロキサン共重合体(共重合比
1:1)であることが確認できた。また、GPCよりポ
リスチレン換算の重量平均分子量は約20,000、多
分散度は1.36であった。
均分子量約5,000、多分散度1.46のポリテトラ
メチルシルフェニレンシロキサンの30重量%キシレン
溶液を平坦性評価用基板にスピンコート法により塗布し
た。次に、250℃で3分間の熱処理を行ってポリマー
をリフローさせてから、引き続き250℃で紫外線ラン
プから紫外線光を10分間照射してポリマーを架橋させ
た。こうして得られた平坦化被膜についてのグローバル
段差を図3に示す。
均分子量約10,000、多分散度1.32のポリテト
ラメチルシルフェニレンシロキサンの30重量%キシレ
ン溶液を平坦性評価用基板にスピンコート法で塗布し
た。次に、250℃で3分間の熱処理を行い、ポリマー
をリフローさせてから、引き続き250℃で紫外線ラン
プから紫外線光を10分間照射してポリマーを架橋させ
た。こうして得られた平坦化被膜についてのグローバル
段差を図3に示す。
均分子量約20,000、多分散度1.41のポリテト
ラメチルシルフェニレンシロキサンの30重量%キシレ
ン溶液を平坦性評価用基板にスピンコート法で塗布し
た。次に、250℃で3分間の熱処理を行ってポリマー
をリフローさせてから、引き続き250℃で紫外線ラン
プから紫外線光を10分間照射してポリマーを架橋させ
た。こうして得られた平坦化被膜についてのグローバル
段差を図3に示す。
平均分子量約5,000、多分散度1.33のポリテト
ラメチルシルフェニレンシロキサン/ジビニルシロキサ
ン共重合体の30重量%キシレン溶液を平坦性評価用基
板にスピンコート法により塗布した。次に、250℃で
3分間の熱処理を行って、ポリマーをリフローさせると
ともに架橋させた。こうして得られた平坦化被膜につい
てのグローバル段差を図4に示す。
た、重量平均分子量約10,000、多分散度1.36
のポリテトラメチルシルフェニレンシロキサン/ジビニ
ルシロキサン共重合体の30重量%キシレン溶液を平坦
性評価用基板にスピンコート法により塗布した。次い
で、250℃で3分間の熱処理を行って、ポリマーをリ
フローさせるとともに架橋させた。こうして得られた平
坦化被膜についてのグローバル段差を図4に示す。
平均分子量約20,000、多分散度1.36のポリテ
トラメチルシルフェニレンシロキサン/ジビニルシロキ
サン共重合体の30重量%キシレン溶液を平坦性評価用
基板にスピンコート法により塗布した。次いで、250
℃で3分間の熱処理を行って、ポリマーをリフローさせ
るとともに架橋させた。こうして得られた平坦化被膜に
ついてのグローバル段差を図4に示す。
られている平坦化材料のAccFlow(アライドシグ
ナル社製)を平坦性評価用基板にスピンコート法で塗布
した後、250℃で3分間の熱処理を行った。得られた
平坦化被膜についてのグローバル段差を図3と図4の両
方に示す。
平坦化材料を使用すれば、従来技術による平坦化材料を
用いた場合に比べて格段に広い数百μmに及ぶ配線幅の
グローバル段差を容易に平坦化することができる。
pe−7、東京応化社製)を使ってスピンコート法によ
り平坦性評価用基板に1μmのSOG絶縁膜を形成し
た。この絶縁膜の上に実施例1により得られたポリテト
ラメチルシルフェニレンシロキサンの30重量%キシレ
ン溶液を塗布し、250℃で3分間熱処理を行ってポリ
マーをリフローさせ、引き続き250℃で紫外線ランプ
から紫外線光を10分間照射してポリマーを架橋させ
た。こうして得られた平坦化被膜についてのグローバル
段差を図5に示す。
pe−7、東京応化社製)を使ってスピンコート法によ
り平坦性評価用基板に1μmのSOG絶縁膜を形成し
た。この膜の上に実施例2により得られたポリテトラメ
チルシルフェニレンシロキサンの30重量%キシレン溶
液を塗布し、250℃で3分間熱処理を行ってポリマー
をリフローさせ、引き続き250℃で紫外線ランプから
紫外線光を10分間照射してポリマーを架橋させた。こ
うして得られた平坦化被膜についてのグローバル段差を
図5に示す。
pe−7、東京応化社製)を使ってスピンコート法によ
り平坦性評価用基板に1μmのSOG絶縁膜を形成し
た。この膜の上に実施例3により得られたポリテトラメ
チルシルフェニレンシロキサンの30重量%キシレン溶
液を塗布し、250℃で3分間熱処理を行ってポリマー
をリフローさせてから、引き続き250℃で紫外線ラン
プから紫外線光を10分間照射してポリマーを架橋させ
た。こうして得られた平坦化被膜についてのグローバル
段差を図5に示す。
pe−7、東京応化社製)を使ってスピンコート法によ
り平坦性評価用基板に1μmのSOG絶縁膜を形成し
た。この絶縁膜の上に実施例4により得られたポリテト
ラメチルシルフェニレンシロキサン/ジビニルシロキサ
ン共重合体の30重量%キシレン溶液を塗布し、250
℃で3分間熱処理を行って、ポリマーをリフローさせる
とともに架橋させた。こうして得られた平坦化被膜につ
いてのグローバル段差を図6に示す。
pe−7、東京応化社製)を使用してスピンコート法に
より平坦性評価用基板に1μmのSOG絶縁膜を形成し
た。この絶縁膜の上に実施例5により得られたポリテト
ラメチルシルフェニレンシロキサン/ジビニルシロキサ
ン共重合体の30重量%キシレン溶液を塗布し、250
℃で3分間熱処理を行って、ポリマーをリフローさせる
とともに架橋させた。こうして得られた平坦化被膜につ
いてのグローバル段差を図6に示す。
pe−7、東京応化社製)を使ってスピンコート法によ
り平坦性評価用基板に1μmのSOG絶縁膜を形成し
た。この膜の上に実施例6により得られたポリテトラメ
チルシルフェニレンシロキサン/ジビニルシロキサン共
重合体の30重量%キシレン溶液を塗布し、250℃で
3分間熱処理を行って、ポリマーをリフローさせるとと
もに架橋させた。こうして得られた平坦化被膜について
のグローバル段差を図6に示す。
絶縁膜上に平坦化被膜を形成した場合にも、数百μmに
及ぶ配線幅のグローバル段差を容易に平坦化できること
が明らかである。このように、本発明によれば、幅の広
い段差のある絶縁膜上にも平坦性の良好な膜を容易に形
成することができ、そしてこのような良好な平坦化被膜
をエッチバックすれば、下地の絶縁膜を容易に平坦化す
ることができる。
幅が数百μmに及ぶ配線パターンの平坦化が可能であ
る。そしてこのことから、多層配線の形成においてレジ
ストのフォーカスマージン拡大による微細配線パターン
の形成が可能となり、信頼性の高い半導体装置を提供す
ることができる。また、本発明によれば、アルカリ溶液
のようなエッチング液を用いずに平坦化することができ
るので、配線の損傷防止、スループットの向上が可能に
なる。
形成を可能にする、本発明の方法の一つの態様を説明す
る図であって、(a)は平坦化被膜を形成したところを
示す図であり、(b)はエッチバックを行って下地絶縁
膜を平坦化したところを示す図である。
である。
ル段差を示すグラフである。
ーバル段差を示すグラフである。
ーバル段差を示すグラフである。
ーバル段差を示すグラフである。
Claims (9)
- 【請求項1】 次の一般式、 【化1】 (この式の置換基R1 〜R4 は炭素数1〜3のアルキル
基又は炭素数2もしくは3のアルケニル基であり、これ
らのR1 〜R4 は同一であっても互いに異なっていても
よく、nは正の整数である)で示され、重量平均分子量
が500〜50,000のポリマーであることを特徴と
する基板平坦化材料。 - 【請求項2】 次の一般式、 【化2】 (この式の置換基R1 〜R4 は炭素数1〜3のアルキル
基又は炭素数2もしくは3のアルケニル基であり、これ
らのR1 〜R4 は同一であっても互いに異なっていても
よく、置換基R5 とR6 は炭素数1〜3のアルキル基又
は炭素数2もしくは3のアルケニル基であり、R5 とR
6 は同一であっても互いに異なっていてもよく、m及び
nは正の整数であり、mとnの比はn=1に対してm<
2である)で示され、重量平均分子量が500〜50,
000のポリマー材料であることを特徴とする基板平坦
化材料。 - 【請求項3】 基板の凹凸表面に請求項1又は2記載の
平坦化材料を塗布する工程と、これを加熱してリフロー
させることにより基板表面を平坦化する工程を含む、基
板の平坦化方法。 - 【請求項4】 基板上に凹凸状に形成された絶縁膜面に
請求項1又は2記載の平坦化材料を塗布する工程と、こ
れを加熱してリフローさせることで平坦化被膜を形成す
る工程と、エッチバック法によりこの平坦化被膜と、そ
の下の絶縁膜の一部とを除去して、当該絶縁膜を平坦化
する工程とを含む、基板の平坦化方法。 - 【請求項5】 前記絶縁膜をスピンコート法により形成
することを更に含む、請求項4記載の方法。 - 【請求項6】 前記平坦化材料のポリマーの置換基の少
なくとも一部がアルケニル基である、請求項3から5ま
でのいずれか一つに記載の方法。 - 【請求項7】 前記平坦化材料のポリマーのいずれの置
換基もアルキル基であり、前記加熱時に紫外線照射を行
う、請求項3から5までのいずれか一つに記載の方法。 - 【請求項8】 請求項3から7までのいずれか一つに記
載の方法により平坦化された層を有することを特徴とす
る基板。 - 【請求項9】 当該基板が多層配線基板あるいは半導体
素子である、請求項8記載の基板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20970995A JP3476283B2 (ja) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | 基板平坦化材料及びこれを用いた基板の平坦化方法 |
US08/662,233 US5976703A (en) | 1995-08-17 | 1996-06-14 | Material and method for planarization of substrate |
KR1019960027971A KR100219249B1 (ko) | 1995-08-17 | 1996-07-11 | 기판평탄화재료 및 이를 사용한 기판의 평탄화방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20970995A JP3476283B2 (ja) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | 基板平坦化材料及びこれを用いた基板の平坦化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0959387A JPH0959387A (ja) | 1997-03-04 |
JP3476283B2 true JP3476283B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=16577350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20970995A Expired - Fee Related JP3476283B2 (ja) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | 基板平坦化材料及びこれを用いた基板の平坦化方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5976703A (ja) |
JP (1) | JP3476283B2 (ja) |
KR (1) | KR100219249B1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3972477B2 (ja) * | 1997-08-28 | 2007-09-05 | 凸版印刷株式会社 | 電子機器部品およびそれに用いる耐熱性低誘電率化合物 |
US6072016A (en) * | 1997-12-29 | 2000-06-06 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Silphenylene polymer and composition containing same |
US6461717B1 (en) | 2000-04-24 | 2002-10-08 | Shipley Company, L.L.C. | Aperture fill |
US6451954B1 (en) * | 2000-07-27 | 2002-09-17 | General Electric Company | Copolymer sealant compositions and method for making |
JP5071474B2 (ja) * | 2007-03-13 | 2012-11-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP4850770B2 (ja) * | 2007-04-04 | 2012-01-11 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP5376510B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2013-12-25 | 国立大学法人群馬大学 | ポリテトラメチル−p−シルフェニレンシロキサンの延伸フィルムの製造法 |
JP5636144B2 (ja) | 2012-01-18 | 2014-12-03 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | ビトリファイド超砥粒砥石 |
EP2814855B1 (en) | 2012-02-15 | 2017-07-26 | Merck Patent GmbH | Planarization layer for organic electronic devices |
US9490048B2 (en) * | 2012-03-29 | 2016-11-08 | Cam Holding Corporation | Electrical contacts in layered structures |
JP6020991B2 (ja) * | 2012-06-28 | 2016-11-02 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 微細パターン形成方法、現像液 |
US10115599B2 (en) * | 2012-09-28 | 2018-10-30 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Spectrally and temporally engineered processing using photoelectrochemistry |
US9534089B2 (en) * | 2014-07-11 | 2017-01-03 | The Boeing Company | Temperature-resistant silicone resins |
JP6493268B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2019-04-03 | 信越化学工業株式会社 | 主鎖にアリーレン基を有するオルガノポリシロキサンの製造方法 |
US10858518B2 (en) | 2016-12-19 | 2020-12-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Arylene group-containing organopolysiloxane and curable organopolysiloxane composition using same |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2445794A (en) * | 1945-06-11 | 1948-07-27 | Gen Electric | Methyl silicone elastomers containing si-bonded vinyl radicals |
US4172169A (en) * | 1976-10-01 | 1979-10-23 | Nairn Floors Limited | Floor or wall coverings |
FR2414519A1 (fr) * | 1978-01-16 | 1979-08-10 | Rhone Poulenc Ind | Copolymeres organopolysiloxaniques polysequences cristallins et leurs procedes de preparation |
US4331733A (en) * | 1980-12-10 | 1982-05-25 | General Electric Company | Flame-retardant polyolefin compositions, their method of preparation and insulated electrical conductors manufactured therewith |
US4778871A (en) * | 1987-08-25 | 1988-10-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High temperature insulators |
DE69032022T2 (de) * | 1989-11-15 | 1998-06-10 | Fujitsu Ltd | Polysilphenylensiloxan, Verfahren zu deren Herstellung, Resistmasse und Halbleitervorrichtungen |
US5035927A (en) * | 1990-06-26 | 1991-07-30 | Eastman Kodak Company | Toner fusing device and method of using the same |
-
1995
- 1995-08-17 JP JP20970995A patent/JP3476283B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-14 US US08/662,233 patent/US5976703A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-11 KR KR1019960027971A patent/KR100219249B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5976703A (en) | 1999-11-02 |
KR100219249B1 (ko) | 1999-10-01 |
JPH0959387A (ja) | 1997-03-04 |
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